TWI803014B

TWI803014B - 顯示面板

Info

Publication number: TWI803014B
Application number: TW110137397A
Authority: TW
Inventors: 詹鈞翔; 范姜士奇; 范鐸正
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-10-07
Filing date: 2021-10-07
Publication date: 2023-05-21
Also published as: TW202316653A

Abstract

一種顯示面板，包含基板、第一色轉換層、發光二極體、以及第二色轉換層。第一色轉換層設置於基板上。發光二極體設置於第一色轉換層上，其中發光二極體包含遠離基板的發光面。第二色轉換層設置於發光二極體上，其中發光二極體於基板的正投影範圍位於第一色轉換層於基板的正投影範圍內。

Description

顯示面板

本揭示內容是關於一種顯示面板。

在設置有微發光二極體 (micro light emitting diode display) 的顯示面板中，部分光線 (例如70%以上) 會先經底部的金屬層反射，再由色轉換層轉換為期望波段的色光。

然而，現行的顯示面板，存在著反射光被發光二極體吸收而造成的發光效率不佳，以及色轉換層的厚度需求高的問題。

因此，如何提供一種可以提升發光效率，並且減少色轉換層所需厚度的顯示面板，是所欲解決的問題。

本揭示內容的一些實施方式提供一種顯示面板，包含基板、第一色轉換層、發光二極體、以及第二色轉換層。第一色轉換層設置於基板上。發光二極體設置於第一色轉換層上，其中發光二極體包含遠離基板的發光面。第二色轉換層設置於發光二極體上，其中發光二極體於基板的正投影範圍位於第一色轉換層於基板的正投影範圍內。

在一些實施方式中，顯示面板更包含第一絕緣層設置於基板上，第一絕緣層具有凹槽容納第一色轉換層，以及反射層設置於凹槽的複數內壁上。

在一些實施方式中，第一色轉換層連接發光二極體以及反射層。

在一些實施方式中，顯示面板更包含第二絕緣層設置於發光二極體以及第一色轉換層之間。

在一些實施方式中，第一色轉換層的厚度小於5微米。

在一些實施方式中，第一色轉換層直接接觸發光二極體。

在一些實施方式中，顯示面板更包含絕緣層設置於基板上，並且第一色轉換層連接發光二極體與絕緣層。

在一些實施方式中，第一色轉換層的厚度小於2微米。

在一些實施方式中，顯示面板更包含反射結構設置於發光二極體與另一發光二極體之間，其中第一色轉換層具有鄰近發光二極體的第一表面，第一表面至多延伸至與反射結構的中心線齊平，其中中心線垂直並且均分反射結構。

在一些實施方式中，發光二極體具有鄰近第一色轉換層的下表面，第一色轉換層的第一表面延伸超出發光二極體的下表面至少2微米，並且至多切齊反射結構鄰近發光二極體的側表面。

在一些實施方式中，第二色轉換層的厚度小於5微米。

在一些實施方式中，顯示面板更包含導電電極設置於第一色轉換層上，並且連接發光二極體。

本揭示內容的一些實施方式提供一種顯示面板，包含基板、絕緣層、第一色轉換層、以及發光二極體。絕緣層設置於基板上。第一色轉換層設置於絕緣層上。發光二極體設置於第一色轉換層上，並與第一色轉換層直接接觸，其中發光二極體包含鄰近第一色轉換層的發光面，其中發光二極體於基板的正投影範圍位於第一色轉換層於基板的正投影範圍內。

在一些實施方式中，顯示面板更包含第二色轉換層設置於絕緣層中遠離第一色轉換層的下表面，並且第二色轉換層連接基板以及絕緣層。

在一些實施方式中，顯示面板更包含複數反射結構設置於絕緣層的下表面上，並且反射結構接觸第二色轉換層。

在一些實施方式中，第二色轉換層的厚度為10微米至15微米之間。

以下將以圖式及詳細說明清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之較佳實施方式和實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。

在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「相似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的俯視示意圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制請求項的範圍。

以下列舉數個實施方式以更詳盡闡述本發明之觸碰裝置，然其僅為例示說明之用，並非用以限定本發明，本發明之保護範圍當以後附之申請專利範圍所界定者為準。

第1A圖繪示本揭示內容之一些實施方式的顯示面板100A之剖面示意圖。顯示面板100A包含基板110、第一色轉換層142、發光二極體LED、以及第二色轉換層144。第一色轉換層142設置於基板110上。發光二極體LED設置於第一色轉換層142上，其中發光二極體LED包含遠離基板110的第一發光面LEDa，第一發光面LEDa發出第一光線L1沿第一方向D1出光。第二色轉換層144設置於發光二極體LED上。發光二極體LED於基板110的正投影範圍位於第一色轉換層142於基板110的正投影範圍內。

在一些實施方式中，基板110可以是透光材料，舉例而言，基板110可為玻璃基板、石英基板、藍寶石基板或其他合適之硬質基板或可撓式基板 (軟性基板) 等。

在第1A圖中，還包含金屬層120設置於基板110上，其中金屬層120位於基板110以及第一色轉換層142之間。在一些實施方式中，金屬層120用以反射發光二極體LED自第二發光面LEDb發出的第二光線L21，使第二光線L21經反射後，朝向第一方向D1出光 (請見第二光線L22)。也就是，透過金屬層120的設置，使得所有光線L (包含第一光線L1以及第二光線L2) 最終均朝向第一方向D1出光，稱「正向發光」(front side emission)。在另一些實施方式中，由於金屬層120主要用於反射發光二極體LED的光線L，因此亦可以由具有反射效果的其他反射材料所取代。

在第1A圖中，第一絕緣層132設置於金屬層120上，並且第一絕緣層132具有凹槽TA容納第一色轉換層142，以及反射層152設置於凹槽TA的複數內壁TA1上。經由反射層152的設置，可以避免因第二光線L2由第一絕緣層132發散而降低發光效率，甚至影響到相鄰的發光二極體LED的問題。

在一些實施方式中，可以先圖案化第一絕緣層132，形成凹槽TA於第一絕緣層132中 (暴露出金屬層120)，再於凹槽TA的內壁TA1鍍上反射材料，形成反射層152，接著，再填充色轉換材料於凹槽TA中，形成第一色轉換層142。在一些其他實施方式中，形成凹槽TA於第一絕緣層132中時，並未暴露金屬層120。即，反射層152位於第一絕緣層132上，並且第一絕緣層132連接反射層152以及金屬層120。

在一些實施方式中，第一絕緣層132的材料可以為透明絕緣材料，例如有機矽橡膠、丙烯酸型樹脂、不飽和聚酯、聚氨酯、環氧樹脂、其它合適材質、前述之衍生物、或前述之組合。

在一些實施方式中，如第1A圖所示，凹槽TA的形狀可以呈上寬下窄的梯型形狀。在另一些實施方式中，凹槽TA的形狀也可以呈其他形狀，例如矩形。值得強調的是，凹槽TA呈上寬下窄的梯型形狀，經由內壁TA1傾斜的設計 (例如內壁TA1與基板110所夾的角度A1大於90度)，可以降低光線L (例如第二光線L2) 經反射層152的反射，而使光線L由第一方向D1出光時所需的反射次數，降低反射過程的能量損耗，提升顯示面板100A的發光效率。

在一些實施方式中，第一色轉換層142為色轉換材料，例如含有螢光粉、螢光染料、量子點、或其他光轉換物質的材料 (例如摻有螢光染料的膠體材料)，用以轉換來自發光二極體LED的光線L為另一波段的色光，例如將藍光轉換為紅光。在一些實施方式中，第一色轉換層142的厚度H1小於5微米，例如2微米、2微米、3微米、4微米、5微米、或前述任意區間中的數值。

在一些其他實施方式中，例如請見第1B圖的顯示面板100B，無須設置金屬層120，取代性地，可以在內壁TA1鍍上反射材料時，同時於內壁TA2上鍍上反射材料，形成反射層154。也就是，反射層150 (反射層152以及反射層154) 設置於凹槽TA的所有內壁 (內壁TA1以及內壁TA2) 上，並且第一色轉換層142連接 (間接連接) 發光二極體LED以及反射層154，其中反射層154與第一色轉換層142直接接觸。因此，第二光線L21經由反射層154，即可實現朝第一方向D1出光的目的，簡化設置金屬層120 (例如請見第1A圖) 的製程並節省材料。

在一些其他實施方式中，金屬層120以及反射層154也可以同時存在，例如反射層154設置於金屬層120上，其中金屬層120可以直接接觸反射層154，也可以不與反射層154直接接觸 (例如，第一絕緣層132介於金屬層120以及反射層154之間)(此部分圖未示，但相關元件可參第1A圖以及第1B圖)。

請回到第1A圖，第1A圖還包含第二絕緣層134設置於第一色轉換層142上，介於發光二極體LED以及第一色轉換層142之間。第二絕緣層134的材料可以與第一絕緣層132相同或相似，於此不另贅述。在一些其他實施方式中，第二絕緣層134的材料可以與第一絕緣層132不同。

在第1A圖中，發光二極體LED設置於第二絕緣層134上，經由黏著層160連接發光二極體LED以及第二絕緣層134。

值得強調的是，由於發光二極體LED中具有對長波長色光 (例如藍光) 的吸收率較高的材料 (例如氮化鎵)，若未設置第一色轉換層142，則經反射後經過發光二極體LED的長波長色光，將會較容易被發光二極體LED吸收，降低顯示面板100A的發光效率。經由設置第一色轉換層142 (發光二極體LED於基板110的正投影範圍位於第一色轉換層142於基板110的正投影範圍內)，使得光線L (例如第二光線L2) 在尚未經金屬層120或反射層152反射前，先經第一色轉換層142轉換為其他較不易被發光二極體LED吸收的色光波段 (例如藍光轉換為紅光)，避免光線L (例如第二光線L2) 反射後被發光二極體LED吸收，改善長波長色光的自吸收問題。

在一些實施方式中，黏著層160除了用於固定發光二極體LED外，還具有實質上絕緣的效果 (例如:電阻率大於108歐姆•公分，但不限於此)，黏著層160的材料例如壓克力樹脂 (acrylic resin)、環氧樹脂 (epoxy)、玻璃膠 (glass frit)、其它合適的材料、或前述材料之組合。在一些實施方式中，黏著層160可以為單層或多層結構。在一些其他實施方式中，為強化固著效果，發光二極體LED的一部份嵌入黏著層160中。

在第1A圖中，還包括導電電極E設置於發光二極體LED上並電性連接發光二極體LED，以及包括金屬結構M設置於第二絕緣層134上，並且金屬結構M覆蓋部分導電電極E以及部分發光二極體LED。在一些實施方式中，金屬結構M可以為氧化銦錫 (Indium Tin Oxide；ITO)。

在第1A圖中，還包括反射結構170設置於第二絕緣層134上，反射發光二極體LED所發出的光線L。第二色轉換層144設置於第二絕緣層134上，並且填充反射結構170之間的空間 (例如，第二色轉換層144設置於發光二極體LED以及導電電極E上)。在一些實施方式中，反射結構170可以為單一反射性材料或是複合性反射材料。

在一些實施方式中，如第1A圖所示，反射結構170呈上窄下寬的梯型形狀。在另一些實施方式中，反射結構170的形狀也可以呈其他形狀，例如矩形。值得強調的是，反射結構170呈上窄下寬的梯型形狀，經由側表面170S傾斜的設計 (例如側表面170S與第二絕緣層134所夾的角度A2小於90度)，可以降低反射結構170反射光線L (例如從側面出光的第三光線L3) 的反射次數 (例如請參第三光線L31以及第三光線L32)，降低光線L於反射過程的能量損耗，提升顯示面板100A的發光效率。

此外，例如請見第1A圖，當凹槽TA的內壁TA1與基板110所夾的角度A1的互補角 (180度減掉角度A1) 與反射結構170的側表面170S與第二絕緣層134所夾的角度A2一致或相近時，可進一步提升反射效率，達到較好的光線L利用率。

在一些實施方式中，第二色轉換層144的材料與第一色轉換層142相同或相近，於此不另贅述。

在一些實施方式中，第二色轉換層144的厚度H2小於5微米，例如1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、或前述任意區間中的數值。值得強調的是，相對於色轉換層的厚度至少需達15微米以上，以達理想的發光效率的態樣 (僅設置色轉換層於發光二極體上方)，本揭示內容中的顯示面板100A，經由第一色轉換層142的設置，由發光二極體LED下方同時進行色轉換，以降低發光二極體LED上方的第二色轉換層144厚度H2需求，並且色轉換層的厚度總和 (第一色轉換層142的厚度H1加上第二色轉換層144的厚度H2) 也可以降低，無須15微米，即可達成理想的發光效率，節省內部空間。

此外，值得強調的是，發光二極體LED於基板110的正投影範圍位於第一色轉換層142於基板110的正投影範圍內，以確保由第二發光面LEDb發出的第二光線L2充分由第一色轉換層142轉換為其他波段的色光。然而，可以理解的是，發光二極體LED與第一色轉換層142之間的正投影範圍關係可以根據製程需求彈性調整。

舉例而言，如第1A圖所示，第一色轉換層142的第一表面142A延伸超出發光二極體LED的第二發光面LEDb (或稱下表面) 至少2微米 (也就是，寬度差W1至少2微米)，並且至多切齊反射結構170鄰近發光二極體LED的側表面170S。

在一些其他實施方式中，請見第1C圖的顯示面板100C，第一色轉換層142的第一表面142A延伸超出發光二極體LED的第二發光面LEDb (或稱下表面LEDb) ，其中寬度差W2只需為正整數，並且寬度差W2小於第1A圖的寬度差W1，例如寬度差W2小於2微米。

在一些其他實施方式中，請見第1D圖的顯示面板100D，第一色轉換層142的第一表面142A (鄰近發光二極體LED) 可以進一步延伸至與反射結構170的中心線CL實質上齊平，其中中心線CL垂直並且均分反射結構170。

值得說明的是，相對於第1C圖，第1A圖的第一色轉換層142的第一表面142A延伸超出第二發光面LEDb至少2微米的設置，可以較好地避免發光二極體LED由第二絕緣層134漏光。此外，相對於第1D圖，第1A圖的第一表面142A至多切齊反射結構170的側表面170S的限制，可以避免第一色轉換層142佔據過多的內部空間。因此，第1A圖的第一色轉換層142所延伸的位置，可以同時實現避免漏光以及節省內部空間的較佳效果。

本揭示內容的一些實施方式中，還提供第一色轉換層142設置於其他位置的態樣，例如請見第2A圖的顯示面板200A。

第2A圖的元件材料以及相對位置基本上與第1A圖相同與相似，兩者差異在於，第一色轉換層242調整為設置於絕緣層230上，直接接觸發光二極體LED (取代第1A圖中的黏著層160)。也就是，第一色轉換層242連接發光二極體LED與絕緣層230。

在一些實施方式中，第一色轉換層242的厚度H3小於2微米，以避免第一色轉換層242過厚，相對地縮減第一光線L1經第二色轉換層244的光轉換距離P，而降低光線L (例如第一光線L1) 經由第二色轉換層244的色轉換效率的風險。在一些實施方式中，第二色轉換層244的厚度H4與第1A圖中的第二色轉換層144的厚度H2相同或相似。

可以理解的是，由於第2A圖的第一色轉換層242直接接觸發光二極體LED，只要發光二極體LED於基板210的正投影範圍位於第一色轉換層242於基板210的正投影範圍內，即可將由第二發光面LEDb 發出的第二光線L21轉換為其他較不易由發光二極體LED吸收的波段的色光，避免衍伸發光二極體LED自吸收的問題。

在一些其他實施方式中，請見第2B圖的顯示面板200B，相對於第2A圖，顯示面板200B可以進一步設置反射層250於絕緣層230以及第一色轉換層242之間，反射第二光線L21，以避免光線L (例如第二光線L21) 由絕緣層230發散而降低發光效率，甚至影響到相鄰的發光二極體LED的問題。

請見第3A圖的顯示面板300A，顯示面板300A包含基板310、絕緣層330、第一色轉換層342、以及發光二極體LED。基板310、絕緣層330、第一色轉換層342、以及發光二極體LED的材料可以與第1A圖相同或相似，第一色轉換層342的厚度H5可以與第2A圖的第一色轉換層242的厚度H3相同或相近 (例如小於2微米)，於此不另贅述。

絕緣層330設置於基板310上。第一色轉換層342設置於絕緣層330上。發光二極體LED設置於第一色轉換層342上，並與第一色轉換層342直接接觸，其中發光二極體LED包含鄰近第一色轉換層342的第二發光面LEDb，發光二極體LED於基板310的正投影範圍位於第一色轉換層342於基板310的正投影範圍內。經由第一色轉換層342的設置位置，使得發光二極體LED的第二光線L2在一出光時，即可立即轉換為所期望的波段 (例如藍光轉為紅光)，提升色轉換效率。

在第3A圖中，還包括導電電極E設置於發光二極體LED上，並且電性連接發光二極體LED。導電電極E的相關描述可以參第1A圖的討論，於此不另贅述。

在第3A圖中，還包含金屬層320設置於發光二極體LED上。在一些實施方式中，金屬層320用以反射發光二極體LED自第一發光面LEDa發出的第一光線L11，使第一光線L11經反射後，朝向第二方向D2出光，例如請見第一光線L12。也就是，透過金屬層320的設置，使得所有光線L (包含第一光線L1以及第二光線L2) 最終均朝向第二方向D2出光，又稱「背向發光」(back side emission)。金屬層320的材料可以與第1A圖的金屬層120相同或相似，於此不另贅述。

可以理解的是，正向發光的設計 (例如請參第1A圖)，發光二極體LED由第二發光面LEDb發出的第二光線L2比例較第一光線L1高 (例如第一光線L1與第二光線L2的比例為30:70)，因此，較高比例的光線L (例如第二光線L21) 由第二發光面LEDb發射後，會先經過第一間距S1至金屬層120，經金屬層120反射後沿第一方向D1正向出光。相對地，第3A圖的顯示面板300A的背向發光設計中，較高比例的光線L無須反射，由第二發光面LEDb發射後即可直接出光，此外，即使是經反射的第一光線L11，由於第一發光面LEDa至金屬層320的第二間距S2小於第1A圖的第一間距S1，在一些實施方式中，第一間距S1例如為5至10微米，第二間距小於1微米。因此，相對於第1A圖的第二光線L21而言，第3A圖的第一光線L11於反射過程所耗損的能量較少。綜上所述，相對於習知未設置第一色轉換層142的正光出光態樣，背向出光的顯示面板300A，因為光線L中須經反射的比例較低，相對地，自吸收或是反射損耗較低，因此，反射過程中所導致的發光效率降低的現象較為輕微。

在第3A圖中，還包括填充層380設置於金屬層320以及發光二極體LED之間。填充層380為絕緣材料，例如可以與第1A圖的絕緣層130的材料相同或相似。

在第3A圖中，還包括反射結構370設置於基板310上，具體而言，反射結構370設置於第二絕緣層334的下表面334b上，並且反射結構370側表面370S接觸第二色轉換層344。即，反射結構370連接基板310以及第二絕緣層334，並與第一絕緣層332直接接觸。反射結構370反射發光二極體LED所發出的光線L (例如第二光線L21)，使光線L沿第二方向D2出光，並避免發光二極體LED的光線L發散至相鄰的發光二極體LED中。

在一些實施方式中，如第3A圖所示，反射結構370呈上寬下窄的梯型形狀。在另一些實施方式中，反射結構370的形狀也可以呈其他形狀，例如矩形。值得強調的是，反射結構370呈上寬下窄的梯型形狀，經由側表面370S傾斜的設計 (例如側表面370S與基板310所夾的角度A3大於90度)，可以降低反射結構370反射光線L (例如第二光線L21) 的反射次數，降低光線L於反射過程的能量損耗，提升顯示面板300A的發光效率。

在第3A圖中，還包括第二色轉換層344設置於第二絕緣層334中遠離第一色轉換層342的下表面334b，並且第二色轉換層344連接基板310以及第二絕緣層334，填充反射結構370之間的空間。第二色轉換層344的設置，可以進一步提升光線L的色轉換效率。

在一些實施方式中，發光二極體LED於基板310的正投影範圍位於第二色轉換層344於基板310的正投影範圍內，以避免光線L側向發散至絕緣層330 (例如第一絕緣層332或是第二絕緣層334)，提升光線L的發光效率。

在一些實施方式中，第二色轉換層344的厚度H6小於15微米，例如10微米至15微米之間 (10微米、11微米、12微米、13微米、14微米、15微米或前述任意區間中的數值)。相對於習知色轉換層所需厚度 (至少15微米以上)，第一色轉換層342的設置可以降低第二色轉換層344的所需厚度H6範圍，節省內部空間。

在一些其他實施方式，例如請見第3B圖的顯示面板300B。可以使用反射層350取代反射結構370。具體而言，第一絕緣層332設置於基板310上，並且第一絕緣層332之間具有凹槽TB容納第二色轉換層344，以及反射層350設置於凹槽TB的複數內壁TB1上，與第二色轉換層344以及第一絕緣層332直接接觸。在一些實施方式中，可以先圖案化第一絕緣層332，形成凹槽TB於第一絕緣層332中，暴露出基板310，再於凹槽TB的內壁TB1鍍上反射材料，形成反射層350，接著，再填充色轉換材料於凹槽TB中，形成第二色轉換層344。

在一些實施方式中，如第3B圖所示，凹槽TB的形狀可以呈上窄下寬的梯型形狀。在另一些實施方式中，凹槽TB的形狀也可以呈其他形狀，例如矩形。值得強調的是，凹槽TB呈上窄下寬的梯型形狀，經由內壁TB1傾斜的設計 (內壁TB1與基板310所夾的角度A4小於90度)，可以降低光線L (例如第二光線L2) 經反射層350反射，而使光線L由第二方向D2出光時，所需的反射次數，降低反射過程的能量損耗，提升顯示面板300B的發光效率。

本揭示內容的一些實施方式提供一種顯示面板，在正向發光的設計中，經由第一色轉換層的設置，使得發光二極體的光線在因反射回到發光二極體前，預先經色轉換為較不易被發光二極體吸收的波段，避免光線被發光二極體自吸收的問題，並且可在降低第二色轉換層原所需厚度以及色轉換層 (第一色轉換層加上第二色轉換層) 的總厚度之下，仍可維持、甚至提升光線的色轉換效率。

本揭示內容的另一些實施方式提供一種顯示面板，在背向發光的設計中，經由與發光二極體直接接觸的色轉換層 (第一色轉換層) 的設置，除了前述之降低色轉換層 (第一色轉換層加上第二色轉換層) 的總厚度之外，還可使得發光二極體的光線在一出光時，即可立即轉換為所期望的波段，提升光線的色轉換效率。

雖然本揭示內容已以多個實施方式和實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100A、100B、100C、100D、200A、200B、300A、300B:顯示面板 110、210、310:基板 120、220、320:金屬層 130、230、330:絕緣層 132、332:第一絕緣層 134、334:第二絕緣層 142、242、342:第一色轉換層 144、244、344:第二色轉換層 150、152、154、250、350:反射層 160:黏著層 170、270、370:反射結構 380:填充層 142A:第一表面 170S、370S:側表面 334b:下表面 A1、A2、A3、A4:角度 CL:中心線 D1:第一方向 D2:第二方向 E:導電電極 M:金屬結構 H1、H2、H3、H4、H5、H6:厚度 L:光線 L1、L11、L12:第一光線 L2、L21、L22:第二光線 L3、L31、L32:第三光線 LED:發光二極體 LEDa:第一發光面 LEDb:第二發光面 P:光轉換距離 S1:第一間距 S2:第二間距 TA、TB:凹槽 TA1、TA2、TB1:內壁 W1、W2:寬度差

通過閱讀以下參考附圖對實施方式的詳細描述，可以更完整地理解本揭示內容。第1A圖至第1D圖繪示本揭示內容之一些實施方式的顯示面板之剖面示意圖。第2A圖至第2B圖繪示本揭示內容之一些實施方式的顯示面板之剖面示意圖。第3A圖至第3B圖繪示本揭示內容之一些實施方式的顯示面板之剖面示意圖。

100A:顯示面板 110:基板 120:金屬層 130:絕緣層 132:第一絕緣層 134:第二絕緣層 142:第一色轉換層 142A:第一表面 144:第二色轉換層 152:反射層 160:黏著層 170:反射結構 170S:側表面 A1、A2:角度 D1:第一方向 D2:第二方向 E:導電電極 M:金屬結構 H1、H2:厚度 L:光線 L1:第一光線 L2、L21、L22:第二光線 L3、L31、L32:第三光線 LED:發光二極體 LEDa:第一發光面 LEDb:第二發光面 S1:第一間距 TA:凹槽 TA1:內壁 W1:寬度差

Claims

一種顯示面板，包含：一基板；一第一色轉換層，設置於該基板上；一發光二極體，設置於該第一色轉換層上，其中該發光二極體包含遠離該基板的一發光面；一第二色轉換層，設置於該發光二極體上，其中該發光二極體於該基板的正投影範圍位於該第一色轉換層於該基板的正投影範圍內，該發光二極體具有鄰近該第一色轉換層的一下表面，該第一色轉換層具有鄰近該發光二極體的一第一表面，該第一色轉換層的該第一表面延伸超出該發光二極體的該下表面至少2微米。
如請求項1所述的顯示面板，更包含一第一絕緣層設置於該基板上，該第一絕緣層具有一凹槽容納該第一色轉換層，以及一反射層設置於該凹槽的複數內壁上。
如請求項2所述的顯示面板，其中該第一色轉換層連接該發光二極體以及該反射層。
如請求項2所述的顯示面板，更包含一第二絕緣層設置於該發光二極體以及該第一色轉換層之間。
如請求項2所述的顯示面板，其中該第一色轉換層的厚度小於5微米。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一色轉換層直接接觸該發光二極體。
如請求項6所述的顯示面板，更包含一絕緣層設置於該基板上，並且該第一色轉換層連接該發光二極體與該絕緣層。
如請求項6所述的顯示面板，其中該第一色轉換層的厚度小於2微米。
如請求項1所述的顯示面板，更包含一反射結構設置於該發光二極體與一另一發光二極體之間，其中該第一色轉換層的該第一表面至多延伸至與該反射結構的一中心線齊平，其中該中心線垂直並且均分該反射結構。
如請求項9所述的顯示面板，其中該發光二極體的該下表面至多切齊該反射結構鄰近該發光二極體的一側表面。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第二色轉換層的厚度小於5微米。
如請求項1所述的顯示面板，更包含一導電電極設置於該第一色轉換層上，並且連接該發光二極體。
一種顯示面板，包含：一基板；一絕緣層，設置於該基板上；一第一色轉換層，設置於該絕緣層上；以及一發光二極體設置於該第一色轉換層上，並與該第一色轉換層直接接觸，其中該發光二極體包含鄰近該第一色轉換層的一發光面，其中該發光二極體於該基板的正投影範圍位於該第一色轉換層於該基板的正投影範圍內，該發光二極體具有鄰近該第一色轉換層的一下表面，該第一色轉換層具有鄰近該發光二極體的一第一表面，該第一色轉換層的該第一表面延伸超出該發光二極體的該下表面至少2微米。
如請求項13所述的顯示面板，更包含一第二色轉換層設置於該絕緣層中遠離該第一色轉換層的一下表面，並且該第二色轉換層連接該基板以及該絕緣層。
如請求項14所述的顯示面板，更包含複數反射結構設置於該絕緣層的該下表面上，並且該些反射結構接觸該第二色轉換層。
如請求項14所述的顯示面板，其中該第二色轉換層的厚度為10微米至15微米之間。