CN113097372A - 一种Mini LED显示面板结构及制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 103
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 142
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 142
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 30
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 24
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 5
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 383
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种Mini LED显示面板结构,为蚀刻阻挡型结构,所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构;所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。本发明还公开了一种MiniLED显示面板结构的制作方法,包括步骤:S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构。本发明通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构,从而将MiniLED灯珠发出的光反射到出光方向,减少了遮光层的吸光,避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效,提高了Mini LED显示器的亮度。
Description
技术领域
本发明涉及Mini LED显示器制造领域,特别涉及一种Mini LED显示面板结构及制作方法。
背景技术
Mini LED(Mini Light Emitting Diode,次毫米发光二极管)显示器具有超轻薄、功耗低、柔性好、可弯曲度高和色域范围广的特点,且能达到更高的HDR(High-DynamicRange,高动态光照渲染)和对比度。相比OLED(Organic LightEmitting Diode,有机发光二极管)显示器,Mini LED的成本更低,寿命更长,不存在烧屏的现象,可实现窄边框全面屏显示。
随着显示屏像素的要求越来越高、屏幕厚度越来越薄的趋势,Mini LED显示器的驱动器件多采用金属氧化物薄膜晶体管结构驱动,其中金属氧化物薄膜晶体管的种类有顶栅型结构(Top-gate)、蚀刻阻挡型结构(ESL,Etch Stopper Layer)和背沟道刻蚀型(BCE,Back Channel Etch),其中传统的蚀刻阻挡型金属氧化物有蚀刻阻挡层的保护,因而呈现出较好的稳定性,目前已实现量产。
Mini LED显示器多采用ESL进行驱动,其中ESL中的遮光层能遮挡MiniLED发出的光照射在有源层上,防止有源层直接接受光照而失效,因此遮光层多采用黑色吸光材料,导致Mini LED的亮度变暗,并且Mini LED的正负引脚之间没有遮光层,光容易在Mini LED灯珠引脚处进入到有源层,导致有源层失效。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种Mini LED显示面板结构及制作方法,通过在传统的蚀刻阻挡型结构中加入高反射率的光学薄膜结构,防止MiniLED发出的光直接照射在有源层上的同时提高Mini LED显示器的亮度。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种Mini LED显示面板结构,为蚀刻阻挡型结构,所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构;
所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。
为了解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案为:
一种Mini LED显示面板结构的制作方法,包括步骤:
S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构。
本发明的有益效果在于:本发明提供了一种Mini LED显示面板结构及制作方法,通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构,从而将Mini LED灯珠发出的光反射到出光方向,减少了遮光层的吸光,避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效,提高了Mini LED显示器的亮度。
附图说明
图1为一种Mini LED显示面板结构的结构图;
图2为一种Mini LED显示面板结构的制作方法的主要流程图;
图3为一种Mini LED显示面板结构的制作方法的具体流程图。
标号说明:
1、玻璃基板;2、金属栅极;3、栅极绝缘层;4、有源层;5、蚀刻阻挡层;6、金属漏极;7、金属源极;8、缓冲层;9、公共电极;10、遮光层;11、电极层;12、平坦层;13、像素定义层;14、薄膜绝缘层;15、硅胶固定层;16、无机薄膜封装层;17、第一反射层;18、第二反射层;19、Mini LED灯珠。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
需要说明的是,本发明附图中图1的一种Mini LED显示面板结构的结构图仅表示组成Mini LED显示面板结构的各层薄膜之间的连接关系和位置对应关系,图1中各层之间的厚度比例并不代表实际各层之间的厚度比例,具体各层之间的厚度比例以实施例中描述为准。
请参照图1,一种Mini LED显示面板结构,为蚀刻阻挡型结构,所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构;
所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。
由上述描述可知,本发明的有益效果在于:通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构,从而将Mini LED灯珠发出的光反射到出光方向,减少了遮光层的吸光,避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从MiniLED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效,提高了Mini LED显示器的亮度。
进一步地,所述光学薄膜结构包括不同折射率的第一反射层和第二反射层;
所述第一反射层和所述第二反射层沿着所述遮光层朝向所述平坦层的方向依次沉积在所述遮光层和所述平坦层之间。
进一步地,所述第二反射层的折射率高于所述第一反射层的折射率。
进一步地,所述第一反射层为SiO2或MgF2,所述第二反射层为TiO2、ZrO2或Ti2O5。
由上述描述可知,光学薄膜结构只要增加薄膜层数,反射率可以无限接近于100%,但考虑到实际面板中薄膜的吸收、散射损伤以及显示面板的厚度问题,优选采用第一反射层和第二反射层的双层结构,其中第一反射层采用相比于第二反射层折射率低的材料,在可见光上的消光系数足够小,具有很强的机械韧性,第二反射层采用高折射率的材料,能够使光经过反射层组合时尽可能地发生全反射,将往下照射的光完全反射到显示面板的出光面,提高了光的利用率和显示面板的亮度。
进一步地,所述蚀刻阻挡型结构还包括Mini LED灯珠、硅胶固定层和薄膜绝缘层;
所述薄膜绝缘层位于所述Mini LED灯珠的正负极引脚之间;
所述硅胶固定层位于所述Mini LED灯珠的两侧,用于固定所述Mini LED灯珠。
由上述描述可知,摒弃传统蚀刻阻挡型结构中采用导电胶来固定Mini LED灯珠的方式,在Mini LED灯珠的正负极引脚之间涂布一层薄膜绝缘层,由于薄膜绝缘层具有一定的粘度和绝缘的作用,使得当Mini LED灯珠经过巨能量转移定位在薄膜绝缘层上时,薄膜绝缘层可以将Mini LED灯珠粘连并固定住,并且可以将Mini LED灯珠的正负极引脚隔离,防止正负极引脚在绑定时,导电胶或者多余锡膏将正负极引脚连接导致短路;硅胶固定层不仅能起到固定Mini LED灯珠的作用,还能进一步防止水氧进入而腐蚀Mini LED灯珠引脚的金属衔接处。
进一步地,所述蚀刻阻挡型结构还包括玻璃基板、金属栅极、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、金属源极、金属漏极、公共电极、缓冲层、平坦层、遮光层、电极层、像素定义层和无机薄膜封装层;
所述金属栅极具体为在所述玻璃基板上沉积的一层金属层经过曝光和蚀刻后形成的Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构;
所述栅极绝缘层沉积在所述金属栅极上以及所述玻璃基板上除所述金属栅极之外的区域,所述栅极绝缘层为SiO2或SiNx;
所述有源层具体为在所述栅极绝缘层上沉积的一层金属氧化物层经过曝光和蚀刻形成的结构,所述有源层沉积在所述栅极绝缘层上与所述金属栅极对应的位置,所述有源层为IGZO、IGZTO或IZO材料;
所述蚀刻阻挡层沉积在所述有源层上以及所述栅极绝缘层上除所述有源层之外的区域,且在所述有源层两端对应的位置形成两个蚀刻开孔,所述蚀刻阻挡层为SiO2或SiNx;
所述金属源极和所述金属漏极均为T型结构且分别填充两个所述蚀刻开孔并与所述有源层形成搭接,所述公共电极位于所述蚀刻阻挡层上靠近所述金属漏极且远离所述金属源极的区域,所述公共电极、所述金属漏极和所述金属源极的顶部高度相持平且均为所述Al/Mo结构或者所述Cu/MoTi结构;
所述缓冲层沉积在包含了所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的所述蚀刻阻挡层上,并在所述金属漏极和所述公共电极上方形成两个电极开孔,两个所述电极开孔的开孔宽度均小于所述金属漏极和所述公共电极的宽度,所述缓冲层为至少一层的SiO2/SiNx叠层结构;
所述遮光层、所述光学薄膜结构、所述平坦层、所述像素定义层和所述无机薄膜封装层依次沉积在所述缓冲层上,所述遮光层为至少一层的金属Mo,所述平坦层为SiO2或SiNx,所述像素定义层为聚酰亚胺、乳酸乙酯或丙二醇单甲醚,所述无机薄膜封装层为SiNx、SiO2或SiNC;
所述电极层填充在两个所述电极开孔内,且所述电极层的顶部高度与所述平坦层的顶部高度相持平,所述电极层为ITO、IGZO或AZO材料;
所述薄膜绝缘层和所述硅胶固定层均位于所述像素定义层内,所述MiniLED灯珠通过正负极引脚连接在所述电极层上,所述Mini LED灯珠的顶部高度低于所述无机薄膜封装层的顶部高度,所述硅胶固定层与所述像素定义层等高,所述薄膜绝缘层为聚酰亚胺或有机树脂。
由上述描述可知,采用蚀刻阻挡型结构构成Mini LED显示面板,其中缓冲层能够起到缓冲和平坦应力的作用,提高Mini LED显示面板的稳定性;遮光层用于遮挡Mini LED灯珠发出的光照射在有源层及金属源极、金属漏极和公共电极上,防止有源层直接受光照而失效以及防止光从金属源极、金属漏极和公共电极缝隙处进入有源层;无机薄膜封装层可以有效隔离水氧进入Mini LED显示面板的器件中,进一步提高Mini LED显示面板的良率。
请参照图2及图3,一种Mini LED显示面板结构的制作方法,包括步骤:
S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构。
由上述描述可知,本发明的有益效果在于:基于同一技术构思,配合上述一种MiniLED显示面板结构,提供一种Mini LED显示面板结构的制作方法,通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构,从而将Mini LED灯珠发出的光反射到出光方向,减少了遮光层的吸光,避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效,提高了Mini LED显示器的亮度。
进一步地,所述光学薄膜结构包括不同折射率的第一反射层和第二反射层;
所述第一反射层和所述第二反射层沿着所述遮光层朝向所述平坦层的方向依次沉积在所述遮光层和所述平坦层之间;
所述第二反射层的折射率高于所述第一反射层的折射率,且所述第一反射层为SiO2或MgF2,所述第二反射层为TiO2、ZrO2或Ti2O5。
由上述描述可知,光学薄膜结构只要增加薄膜层数,反射率可以无限接近于100%,但考虑到实际面板中薄膜的吸收、散射损伤以及显示面板的厚度问题,优选采用第一反射层和第二反射层的双层结构,其中第一反射层采用相比于第二反射层折射率低的材料,在可见光上的消光系数足够小,具有很强的机械韧性,第二反射层采用高折射率的材料,能够使光经过反射层组合时尽可能地发生全反射,将往下照射的光完全反射到显示面板的出光面,提高了光的利用率和显示面板的亮度。
进一步地,所述步骤S1之后还包括步骤:
S2、在Mini LED灯珠的正负极引脚之间形成薄膜绝缘层,并在所述MiniLED灯珠的两侧采用硅胶固定层固定所述Mini LED灯珠。
由上述描述可知,摒弃传统蚀刻阻挡型结构中采用导电胶来固定Mini LED灯珠的方式,在Mini LED灯珠的正负极引脚之间涂布一层薄膜绝缘层,由于薄膜绝缘层具有一定的粘度和绝缘的作用,使得当Mini LED灯珠经过巨能量转移定位在薄膜绝缘层上时,薄膜绝缘层可以将Mini LED灯珠粘连并固定住,并且可以将Mini LED灯珠的正负极引脚隔离,防止正负极引脚在绑定时,导电胶或者多余锡膏将正负极引脚连接导致短路;硅胶固定层不仅能起到固定Mini LED灯珠的作用,还能进一步防止水氧进入而腐蚀Mini LED灯珠引脚的金属衔接处。
进一步地,所述步骤S1之前还包括步骤:
S01、在玻璃基板上沉积一层金属层,并将所述金属层进行曝光和蚀刻形成金属栅极,所述金属栅极采用Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构;
S02、在所述金属栅极上以及所述玻璃基板上除所述金属栅极之外的区域沉积一层栅极绝缘层,所述栅极绝缘层为SiO2或SiNx;
S03、在所述栅极绝缘层上沉积一层金属氧化物层,并将所述金属氧化物层进行曝光和蚀刻形成有源层,所述有源层沉积在所述栅极绝缘层上与所述金属栅极对应的位置,所述有源层为IGZO、IGZTO或IZO材料;
S04、在所述有源层上以及所述栅极绝缘层上除所述有源层之外的区域沉积一层蚀刻阻挡层,且在所述有源层两端对应的位置形成两个蚀刻开孔,所述蚀刻阻挡层为SiO2或SiNx;
S05、在两个所述蚀刻开孔内分别填充金属源极和金属漏极,所述金属源极和所述金属漏极均为T型结构并且与所述有源层形成搭接,在所述蚀刻阻挡层上靠近所述金属漏极且远离所述金属源极的区域形成一层公共电极,所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的顶部高度相持平且均为所述Al/Mo结构或者所述Cu/MoTi结构;
S06、在包含了所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的所述蚀刻阻挡层上沉积一层缓冲层,并在所述金属漏极和所述公共电极上方形成两个电极开孔,两个所述电极开孔的开孔宽度均小于所述金属漏极和所述公共电极的宽度,所述缓冲层为至少一层的SiO2/SiNx叠层结构;
S07、在所述缓冲层上沉积所述遮光层,所述遮光层为至少一层的金属Mo;
在所述步骤S1和所述步骤S2之间还包括步骤:
S11、在所述光学薄膜结构上依次沉积一层平坦层和像素定义层,所述平坦层为SiO2或SiNx,所述像素定义层为聚酰亚胺、乳酸乙酯或丙二醇单甲醚;
S12、在两个所述电极开孔内填充电极层,且所述电极层的顶部高度与所述平坦层的顶部高度相持平,所述电极层为ITO、IGZO或AZO材料;
S13、将所述Mini LED灯珠的正负极引脚与所述电极层连接;
所述步骤S2之后还包括步骤:
S3、在所述像素定义层上沉积一层无机薄膜封装层,所述无机薄膜封装层为SiNx、SiO2或SiNC;
所述步骤S2还包括:
所述薄膜绝缘层和所述硅胶固定层均位于所述像素定义层内,所述MiniLED灯珠的顶部高度低于所述无机薄膜封装层的顶部高度,所述硅胶固定层与所述像素定义层等高,所述薄膜绝缘层为聚酰亚胺或有机树脂。
由上述描述可知,采用蚀刻阻挡型结构构成Mini LED显示面板,其中缓冲层能够起到缓冲和平坦应力的作用,提高Mini LED显示面板的稳定性;遮光层用于遮挡Mini LED灯珠发出的光照射在有源层及金属源极、金属漏极和公共电极上,防止有源层直接受光照而失效以及防止光从金属源极、金属漏极和公共电极缝隙处进入有源层;无机薄膜封装层可以有效隔离水氧进入Mini LED显示面板的器件中,进一步提高Mini LED显示面板的良率。
请参照图1,本发明的实施例一为:
一种Mini LED显示面板结构,为蚀刻阻挡型结构。
如图1所示,蚀刻阻挡型结构包括遮光层10、平坦层12和光学薄膜结构,光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于遮光层10和平坦层12之间,能够将Mini LED灯珠19发出的光反射到出光方向,减少了遮光层10的吸光,避免了由于遮光层10吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层10不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯珠19的引脚处进入到有源层4造成的有源层4失效,提高了Mini LED显示器的亮度。
光学薄膜结构只要增加薄膜层数,反射率可以无限接近于100%,但考虑到实际面板中薄膜的吸收、散射损伤以及显示面板的厚度问题,在本实施例中,如图1所示,光学薄膜结构采用不同折射率的第一反射层17和第二反射层18的双层结构,且第二反射层18的折射率高于第一反射层17的折射率,第一反射层17和第二反射层18沿着遮光层10朝向平坦层12的方向依次沉积在遮光层10和平坦层12之间。其中第一反射层17采用相比于第二反射层18折射率低的材料SiO2,其折射率为1.5,厚度为0.6μm,在可见光上的消光系数足够小,具有很强的机械韧性;第二反射层18采用高折射率的材料TiO2,其折射率为2.76,厚度为0.32μm,能够使光经过反射层组合时尽可能地发生全反射,将往下照射的光完全反射到显示面板的出光面,进一步提高了光的利用率和显示面板的亮度。在其他等同实施例中,第一反射层17还可以为MgF2或其他折射率低于第二反射层18的薄膜,且厚度为[0.4μm,0.8μm]即可;第二反射层18还可以为ZrO2、Ti2O5或其他折射率高于第一反射层17的薄膜,且厚度为[0.2μm,0.4μm]即可。
请参照图1,本发明的实施例二为:
采用上述实施例一的一种Mini LED显示面板结构,如图1所示,其中蚀刻阻挡型结构还包括Mini LED灯珠19、硅胶固定层15和薄膜绝缘层14。
在传统蚀刻阻挡型结构中通常采用导电胶来固定Mini LED灯珠19,但这会导致多余的导电胶将Mini LED灯珠19的正负极引脚连接造成短路的问题。所以在本实施例中,如图1所示,采用薄膜绝缘层14来代替导电胶用于固定MiniLED灯珠19。其中薄膜绝缘层14位于Mini LED灯珠19的正负极引脚之间,由于薄膜绝缘层14具有一定的粘度和绝缘的作用,使得当Mini LED灯珠19经过巨能量转移定位在薄膜绝缘层14上时,薄膜绝缘层14可以将Mini LED灯珠19粘连并固定住,并且可以将Mini LED灯珠19的正负极引脚隔离,防止正负极引脚在绑定时,导电胶或者多余锡膏将正负极引脚连接导致短路;硅胶固定层15位于Mini LED灯珠19的两侧,不仅能起到固定Mini LED灯珠19的作用,还能进一步防止水氧进入而腐蚀Mini LED灯珠19引脚的金属衔接处。
请参照图1,本发明的实施例三为:
采用上述实施例一或实施例二任意一个实施例的一种Mini LED显示面板结构,如图1所示,其中蚀刻阻挡型结构还包括玻璃基板1、金属栅极2、栅极绝缘层3、有源层4、蚀刻阻挡层5、金属源极7、金属漏极6、公共电极9、缓冲层8、平坦层12、遮光层10、电极层11、像素定义层13和无机薄膜封装层16。
其中,金属栅极2具体为在玻璃基板1上沉积的一层金属层经过曝光和蚀刻后形成的Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构。在本实施例中,当金属栅极2采用Al/Mo结构时,Al的厚度为[0.3μm,0.4μm],优选为0.33μm,Mo的厚度为[0.02μm,0.08μm],优选为0.06μm;当金属栅极2采用Cu/MoTi结构时,Cu的厚度为[0.4μm,0.6μm],优选为0.42μm,MoTi的厚度为[0.2μm,0.4μm],优选为0.3μm。
其中,栅极绝缘层3沉积在金属栅极2上以及玻璃基板1上除金属栅极2之外的区域。在本实施例中,栅极绝缘层3采用SiO2或SiNx,且厚度为[0.2μm,0.4μm],优选为0.3μm。
其中,有源层4具体为在栅极绝缘层3上沉积的一层金属氧化物层经过曝光和蚀刻形成的结构,有源层4沉积在栅极绝缘层3上与金属栅极2对应的位置。在本实施例中,有源层4采用IGZO、IGZTO、IZO或其他高迁移率的材料,且厚度为[0.03μm,0.06μm],优选为0.04μm。
其中,蚀刻阻挡层5沉积在有源层4上以及栅极绝缘层3上除有源层4之外的区域,且在有源层4两端对应的位置形成两个蚀刻开孔。在本实施例中,蚀刻阻挡层5采用SiO2或SiNx,且厚度为[0.15μm,0.3μm],优选为0.2μm。
其中,金属源极7和金属漏极6均为T型结构且分别填充两个蚀刻开孔并与有源层4形成搭接,公共电极9位于蚀刻阻挡层5上靠近金属漏极6且远离金属源极7的区域,公共电极9、金属漏极6和金属源极7的顶部高度相持平。在本实施例中,公共电极9、金属漏极6和金属源极7均为Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构,其厚度参照上述金属栅极2的厚度说明。
其中,缓冲层8沉积在包含了金属源极7、金属漏极6和公共电极9的蚀刻阻挡层5上,并在金属漏极6和公共电极9上方形成两个电极开孔,两个电极开孔的开孔宽度均小于金属漏极6和公共电极9的宽度,缓冲层8具有缓冲和平坦应力的作用,提高了Mini LED显示面板的稳定性。在本实施例中,缓冲层8为至少一层的SiO2/SiNx叠层结构,且单层SiO2/SiNx叠层结构的厚度为[0.2μm,0.4μm],优选为0.25μm。
其中,遮光层10、光学薄膜结构、平坦层12、像素定义层13和无机薄膜封装层16依次沉积在缓冲层8上。遮光层10用于遮挡Mini LED灯珠19发出的光照射在有源层4及金属源极7、金属漏极6和公共电极9上,防止有源层4直接受光照而失效以及防止光从金属源极7、金属漏极6和公共电极9缝隙处进入有源层4;无机薄膜封装层16可以有效隔离水氧进入Mini LED显示面板的器件中,进一步提高Mini LED显示面板的良率。在本实施例中,遮光层10为至少一层的金属Mo,且厚度为[0.1μm,0.3μm],优选为0.2μm;平坦层12采用SiO2或SiNx,且厚度为[0.3μm,0.6μm],优选为0.4μm;像素定义层13采用聚酰亚胺、乳酸乙酯或丙二醇单甲醚,且厚度为[2μm,6μm],优选为4μm;无机薄膜封装层16采用SiNx、SiO2或SiNC。
其中,电极层11填充在两个电极开孔内,且电极层11的顶部高度与平坦层12的顶部高度相持平。在本实施例中,电极层11采用ITO、IGZO或AZO材料,且厚度为[0.04μm,0.08μm],优选为0.075μm。
其中,薄膜绝缘层14和硅胶固定层15均位于像素定义层13内,Mini LED灯珠19通过正负极引脚连接在电极层11上,Mini LED灯珠19的顶部高度低于无机薄膜封装层16的顶部高度,硅胶固定层15与像素定义层13等高。在本实施例中,薄膜绝缘层14采用聚酰亚胺或有机树脂,且厚度为[1μm,3μm],优选为2μm。
请参照图2及图3,本发明的实施例四为:
在上述实施例一至实施例三中任一实施例的基础上,提供一种Mini LED显示面板结构的制作方法,如图2所示,包括步骤:
S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构;
其中,本实施例中的光学薄膜结构的位置连接关系、组成以及所达到的技术效果参照上述实施例一中的说明。
S2、在Mini LED灯珠的正负极引脚之间形成薄膜绝缘层,并在Mini LED灯珠的两侧采用硅胶固定层固定Mini LED灯珠;
其中,本实施例中薄膜绝缘层、Mini LED灯珠和硅胶固定层的位置连接关系、组成以及所达到的技术效果参照上述实施例二或实施例三中的说明。
S3、在像素定义层上沉积一层无机薄膜封装层。
如图3所示,在步骤S1之前还包括如下步骤:
S01、在玻璃基板上沉积一层金属层,并将金属层进行曝光和蚀刻形成金属栅极。
S02、在金属栅极上以及玻璃基板上除金属栅极之外的区域沉积一层栅极绝缘层。
S03、在栅极绝缘层上沉积一层金属氧化物层,并将金属氧化物层进行曝光和蚀刻形成有源层,有源层沉积在栅极绝缘层上与金属栅极对应的位置。
S04、在有源层上以及栅极绝缘层上除有源层之外的区域沉积一层蚀刻阻挡层,且在有源层两端对应的位置形成两个蚀刻开孔。
S05、在两个蚀刻开孔内分别填充金属源极和金属漏极,金属源极和金属漏极均为T型结构并且与有源层形成搭接,在蚀刻阻挡层上靠近金属漏极且远离金属源极的区域形成一层公共电极,金属源极、金属漏极和公共电极的顶部高度相持平。
S06、在包含了金属源极、金属漏极和公共电极的蚀刻阻挡层上沉积一层缓冲层,并在金属漏极和公共电极上方形成两个电极开孔,两个电极开孔的开孔宽度均小于金属漏极和公共电极的宽度。
S07、在缓冲层上沉积遮光层。
在步骤S1和步骤S2之间还包括如下步骤:
S11、在光学薄膜结构上依次沉积一层平坦层和像素定义层。
S12、在两个电极开孔内填充电极层,且电极层的顶部高度与平坦层的顶部高度相持平。
S13、将Mini LED灯珠的正负极引脚与电极层连接。
其中,金属栅极、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、金属漏极、金属源极、公共电极、缓冲层、遮光层、平坦层、电极层、像素定义层和无机薄膜封装层的位置连接关系、组成以及所达到的技术效果参照上述实施例三中的说明。
综上所述,本发明提供的一种Mini LED显示面板结构及制作方法,通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入第一反射层和第二反射层组成的双层光学薄膜结构,并限定第二反射层的折射率高于第一反射层,从而尽可能达到将Mini LED灯珠向下照射的光全反射到出光方向,减少了遮光层的吸光,避免了由于遮光层吸光导致MiniLED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效,提高了Mini LED显示器的亮度;并且通过在Mini LED灯珠的正负极引脚之间涂布一层薄膜绝缘层,使得当Mini LED灯珠经过巨能量转移定位在薄膜绝缘层上时,薄膜绝缘层可以将Mini LED灯珠粘连并固定住,并且可以将MiniLED灯珠的正负极引脚隔离,防止正负极引脚在绑定时,导电胶或者多余锡膏将正负极引脚连接导致短路;再通过硅胶固定层固定Mini LED灯珠以及最后覆盖一层无机薄膜封装层,进一步有效隔绝水氧,提高Mini LED显示面板的良率。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种Mini LED显示面板结构,为蚀刻阻挡型结构,其特征在于,所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构;
所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。
2.根据权利要求1所述的一种Mini LED显示面板结构,其特征在于,所述光学薄膜结构包括不同折射率的第一反射层和第二反射层;
所述第一反射层和所述第二反射层沿着所述遮光层朝向所述平坦层的方向依次沉积在所述遮光层和所述平坦层之间。
3.根据权利要求2所述的一种Mini LED显示面板结构,其特征在于,所述第二反射层的折射率高于所述第一反射层的折射率。
4.根据权利要求2所述的一种Mini LED显示面板结构,其特征在于,所述第一反射层为SiO2或MgF2,所述第二反射层为TiO2、ZrO2或Ti2O5。
5.根据权利要求1所述的一种Mini LED显示面板结构,其特征在于,所述蚀刻阻挡型结构还包括Mini LED灯珠、硅胶固定层和薄膜绝缘层;
所述薄膜绝缘层位于所述Mini LED灯珠的正负极引脚之间;
所述硅胶固定层位于所述Mini LED灯珠的两侧,用于固定所述Mini LED灯珠。
6.根据权利要求5所述的一种Mini LED显示面板结构,其特征在于,所述蚀刻阻挡型结构还包括玻璃基板、金属栅极、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、金属源极、金属漏极、公共电极、缓冲层、平坦层、遮光层、电极层、像素定义层和无机薄膜封装层;
所述金属栅极具体为在所述玻璃基板上沉积的一层金属层经过曝光和蚀刻后形成的Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构;
所述栅极绝缘层沉积在所述金属栅极上以及所述玻璃基板上除所述金属栅极之外的区域,所述栅极绝缘层为SiO2或SiNx;
所述有源层具体为在所述栅极绝缘层上沉积的一层金属氧化物层经过曝光和蚀刻形成的结构,所述有源层沉积在所述栅极绝缘层上与所述金属栅极对应的位置,所述有源层为IGZO、IGZTO或IZO材料;
所述蚀刻阻挡层沉积在所述有源层上以及所述栅极绝缘层上除所述有源层之外的区域,且在所述有源层两端对应的位置形成两个蚀刻开孔,所述蚀刻阻挡层为SiO2或SiNx;
所述金属源极和所述金属漏极均为T型结构且分别填充两个所述蚀刻开孔并与所述有源层形成搭接,所述公共电极位于所述蚀刻阻挡层上靠近所述金属漏极且远离所述金属源极的区域,所述公共电极、所述金属漏极和所述金属源极的顶部高度相持平且均为所述Al/Mo结构或者所述Cu/MoTi结构;
所述缓冲层沉积在包含了所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的所述蚀刻阻挡层上,并在所述金属漏极和所述公共电极上方形成两个电极开孔,两个所述电极开孔的开孔宽度均小于所述金属漏极和所述公共电极的宽度,所述缓冲层为至少一层的SiO2/SiNx叠层结构;
所述遮光层、所述光学薄膜结构、所述平坦层、所述像素定义层和所述无机薄膜封装层依次沉积在所述缓冲层上,所述遮光层为至少一层的金属Mo,所述平坦层为SiO2或SiNx,所述像素定义层为聚酰亚胺、乳酸乙酯或丙二醇单甲醚,所述无机薄膜封装层为SiNx、SiO2或SiNC;
所述电极层填充在两个所述电极开孔内,且所述电极层的顶部高度与所述平坦层的顶部高度相持平,所述电极层为ITO、IGZO或AZO材料;
所述薄膜绝缘层和所述硅胶固定层均位于所述像素定义层内,所述Mini LED灯珠通过正负极引脚连接在所述电极层上,所述Mini LED灯珠的顶部高度低于所述无机薄膜封装层的顶部高度,所述硅胶固定层与所述像素定义层等高,所述薄膜绝缘层为聚酰亚胺或有机树脂。
7.一种Mini LED显示面板结构的制作方法,其特征在于,包括步骤:
S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构。
8.根据权利要求7所述的一种Mini LED显示面板结构的制作方法,其特征在于,所述光学薄膜结构包括不同折射率的第一反射层和第二反射层;
所述第一反射层和所述第二反射层沿着所述遮光层朝向所述平坦层的方向依次沉积在所述遮光层和所述平坦层之间;
所述第二反射层的折射率高于所述第一反射层的折射率,且所述第一反射层为SiO2或MgF2,所述第二反射层为TiO2、ZrO2或Ti2O5。
9.根据权利要求7所述的一种Mini LED显示面板结构的制作方法,其特征在于,所述步骤S1之后还包括步骤:
S2、在Mini LED灯珠的正负极引脚之间形成薄膜绝缘层,并在所述Mini LED灯珠的两侧采用硅胶固定层固定所述Mini LED灯珠。
10.根据权利要求9所述的一种Mini LED显示面板结构的制作方法,其特征在于,所述步骤S1之前还包括步骤:
S01、在玻璃基板上沉积一层金属层,并将所述金属层进行曝光和蚀刻形成金属栅极,所述金属栅极采用Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构;
S02、在所述金属栅极上以及所述玻璃基板上除所述金属栅极之外的区域沉积一层栅极绝缘层,所述栅极绝缘层为SiO2或SiNx;
S03、在所述栅极绝缘层上沉积一层金属氧化物层,并将所述金属氧化物层进行曝光和蚀刻形成有源层,所述有源层沉积在所述栅极绝缘层上与所述金属栅极对应的位置,所述有源层为IGZO、IGZTO或IZO材料;
S04、在所述有源层上以及所述栅极绝缘层上除所述有源层之外的区域沉积一层蚀刻阻挡层,且在所述有源层两端对应的位置形成两个蚀刻开孔,所述蚀刻阻挡层为SiO2或SiNx;
S05、在两个所述蚀刻开孔内分别填充金属源极和金属漏极,所述金属源极和所述金属漏极均为T型结构并且与所述有源层形成搭接,在所述蚀刻阻挡层上靠近所述金属漏极且远离所述金属源极的区域形成一层公共电极,所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的顶部高度相持平且均为所述Al/Mo结构或者所述Cu/MoTi结构;
S06、在包含了所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的所述蚀刻阻挡层上沉积一层缓冲层,并在所述金属漏极和所述公共电极上方形成两个电极开孔,两个所述电极开孔的开孔宽度均小于所述金属漏极和所述公共电极的宽度,所述缓冲层为至少一层的SiO2/SiNx叠层结构;
S07、在所述缓冲层上沉积所述遮光层,所述遮光层为至少一层的金属Mo;
在所述步骤S1和所述步骤S2之间还包括步骤:
S11、在所述光学薄膜结构上依次沉积一层平坦层和像素定义层,所述平坦层为SiO2或SiNx,所述像素定义层为聚酰亚胺、乳酸乙酯或丙二醇单甲醚;
S12、在两个所述电极开孔内填充电极层,且所述电极层的顶部高度与所述平坦层的顶部高度相持平,所述电极层为ITO、IGZO或AZO材料;
S13、将所述Mini LED灯珠的正负极引脚与所述电极层连接;
所述步骤S2之后还包括步骤:
S3、在所述像素定义层上沉积一层无机薄膜封装层,所述无机薄膜封装层为SiNx、SiO2或SiNC;
所述步骤S2还包括:
所述薄膜绝缘层和所述硅胶固定层均位于所述像素定义层内,所述Mini LED灯珠的顶部高度低于所述无机薄膜封装层的顶部高度,所述硅胶固定层与所述像素定义层等高,所述薄膜绝缘层为聚酰亚胺或有机树脂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110288987.1A CN113097372A (zh) | 2021-03-18 | 2021-03-18 | 一种Mini LED显示面板结构及制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202110288987.1A CN113097372A (zh) | 2021-03-18 | 2021-03-18 | 一种Mini LED显示面板结构及制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113097372A true CN113097372A (zh) | 2021-07-09 |
Family
ID=76668364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110288987.1A Withdrawn CN113097372A (zh) | 2021-03-18 | 2021-03-18 | 一种Mini LED显示面板结构及制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
CN114023782A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-02-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法及移动终端 |
CN116224650A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-06-06 | 安徽立光电子材料股份有限公司 | 一种用于Mini LED背光模组的光源组件及其制作方法 |
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