TWI802891B - 複合基材切割裝置 - Google Patents

Abstract

揭示一複合基材切割裝置，包含機台、輸送模組、雷射模組、切割模組及控制模組。機台定義有X、Y、Z三軸方向；輸送模組設置於機台並沿著X軸方向輸送；雷射模組包含位於輸送模組上方之雷射源、雷射頭及反光鏡，雷射源設置於機台並包含雷射光入射方向，雷射頭滑設於機台並沿著Y軸方向滑動、並包含對應朝向輸送模組之雷射光出射方向，反光鏡設置於雷射頭內並對應於雷射光入射、出射方向之間反射；切割模組設置於機台並包含位於輸送模組上方之刀件，其沿著Z軸方向朝向輸送模組進給；控制模組電性連接於輸送模組、雷射模組及切割模組。

Description

複合基材切割裝置

本發明係為材料切割的技術領域，尤指一種對於複合基材進行切割的裝置，藉其可大幅減少切割時所產生之粉塵、切割品質與系統穩定性、並且降低成本。

例如在銅箔基板的領域中，其主要產品就是以兩片銅片夾住絕緣含浸黏合膠片之樹脂基材，而其在生產過程中必須經歷分條與切割（裁切）之製程。

在以往的作法中，分條與切割都是以機械式剪斷的製程進行，然而，樹脂片係為一種由外側樹脂材料包裏內部的玻璃纖維布所製成之複合基材，由於樹脂材料往往在發生塑性變形前就直接斷裂，故在切割過程中容易產生大量粉塵，其在品質控管上係為一個不可不面對的問題。

面對降低粉塵之需求，目前常用的解決方案有兩種，一是先將樹脂基材加熱後再進行切割，二是用雷射直接切割樹脂基材。於第一種方式中，樹脂基材之加熱的方式係使用熱風或紅外線加熱器（IR Heater），但這兩種加熱方式對於熱影響區之大小、與樹脂基材之加熱程度的控制皆不易與不佳；於第二種方式中，由於樹脂材料與玻璃纖維布的熔點差異過大，用雷射直接進行切割，容易發生樹脂材料汽化但是玻璃纖維布沒斷、或是玻璃纖維布切斷但是樹脂材料卻燒焦的情形。

為解決上述習知複合基材於切割時所會產生之各種問題，本發明係提出一種複合基材切割裝置，藉其可大幅減少切割時所產生之粉塵、提高控制精準度與系統穩定性、並且降低成本。前述本發明之目的及功效係可藉由以下所述之技術手段達成。

本發明所提出之複合基材切割裝置包含一機台、一輸送模組、一雷射模組、一切割模組以及一控制模組。其中，該機台定義有一X軸方向、一Y軸方向及一Z軸方向；該輸送模組係設置於該機台並沿著該X軸方向輸送；該雷射模組包含位於該輸送模組上方之一第一雷射源、一第一雷射頭及一第一反光鏡，該第一雷射源係設置於該機台並包含一第一雷射光入射方向，該第一雷射頭係滑設於該機台並沿著該Y軸方向滑動、並包含一第一雷射光出射方向，該第一雷射光出射方向並對應朝向該輸送模組，該第一反光鏡係設置於該第一雷射頭內並對應於該第一雷射光入射方向與該第一雷射光出射方向之間反射；該切割模組係設置於該機台並包含位於該輸送模組上方之一第一刀件，該第一刀件並沿著該Z軸方向朝向該輸送模組進給；該控制模組係電性連接於該輸送模組、該雷射模組及該切割模組。

在對複合基材進行切割時，係先利用該雷射模組以雷射方式加熱而使複合基材軟化，之後再利用該切割模組對複合基材進行切割。如此採用先加熱後裁切之方式，可大幅減少切割時所產生之粉塵；另外，藉由雷射方式加熱可大幅減少在複合基材上之熱影響區之範圍，相對能精確控制熱影響之程度，亦即可提高控制精準度；又，藉由雷射加熱軟化後再切割之方式相較於傳統直接以雷射加工進行切割之方式而言，成本可降低，且可提高系統穩定性。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該控制模組更包含一補償機制。於設計上，前述之該補償機制包含一二次曲線函數；或者，該補償機制包含一預先設定函數；當然並不以此為限。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該機台更包含一機架，且該第一雷射頭係滑設於該機台之該機架並沿著該Y軸方向滑動。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該複合基材切割裝置更包含至少一吸氣模組，其係設置於該機台與該雷射模組之至少其中一者並電性連接於該控制模組。於設計上，前述之該至少一吸氣模組係固定不動地設置於該機台；或者，該至少一吸氣模組係設置於該雷射模組之該第一雷射頭並隨該第一雷射頭沿著該Y軸方向滑動；當然並不以此為限。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該第一反光鏡係樞轉設置於該第一雷射頭內並相對於該第一雷射頭轉動，亦即該第一反光鏡可調整反光角度。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該雷射模組更包含位於該輸送模組下方之一第二雷射源、一第二雷射頭及一第二反光鏡，該第二雷射源係設置於該機台並包含一第二雷射光入射方向，該第二雷射頭係滑設於該機台並沿著該Y軸方向滑動、並包含一第二雷射光出射方向，該第二雷射光出射方向並對應朝向該輸送模組，該第二反光鏡係設置於該第二雷射頭內並對應於該第二雷射光入射方向與該第二雷射光出射方向之間反射。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該第二反光鏡係樞轉設置於該第二雷射頭內並相對於該第二雷射頭轉動，如同上述，該第二反光鏡可調整反光角度。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該切割模組更包含位於該輸送模組下方之一第二刀件，該第二刀件並沿著該Z軸方向朝向該輸送模組進給。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該輸送模組沿著該X軸方向輸送有一複合基材，且該複合基材係由一樹酯及一不織布所組成；或者，該複合基材係為一具有含膠量之複合基材；或者，該複合基材係為一脆性複合基材；或者，該複合基材係為一非金屬複合基材；當然並不以此為限。

可選擇地，於一非限制性的例示實施態樣中，該輸送模組包含複數個輸送滾輪；或者輸送帶；當然並不以此為限。

以下配合隨附圖式，以較佳具體實施例之表達方式進一步說明本發明之技術內容及其所具有之優點和所能達成之功效，惟其目的僅是用於說明以利於更加瞭解，而非用於限制。

請同時參照第1圖及第2圖，其中之第1圖係為本發明第一較佳具體實施例之立體圖，第2圖係為本發明第一較佳具體實施例之作動示意圖之一。於第1圖及第2圖中顯示有一複合基材切割裝置1，其係用於切割一複合基材9，此複合基材9例如由一樹酯及一不織布所組成、或者為一具有含膠量之複合基材、或者為一脆性複合基材、或者為一非金屬複合基材等，例如第2圖所示，由上下兩樹脂91夾設一纖維布92所組成。

再如第1圖及第2圖所示，複合基材切割裝置1包含一機台2、一輸送模組3、一雷射模組4、一切割模組5以及一控制模組6。其中，機台2定義有一座標系統，亦即機台2定義有一X軸方向21、一Y軸方向22及一Z軸方向23。此外，輸送模組3係設置於機台2並沿著X軸方向21輸送，亦即輸送模組3係沿著X軸方向21輸送複合基材9。另於本實施例中，輸送模組3包含複數個輸送滾輪31，當然，輸送模組3亦可為輸送帶。

另外，圖式中之雷射模組4包含一第一雷射源41、一第一雷射頭42及一第一反光鏡43，第一雷射源41、第一雷射頭42及第一反光鏡43係位於輸送模組3上方，亦即當輸送模組3沿著X軸方向21輸送複合基材9時，第一雷射源41、第一雷射頭42及第一反光鏡43亦會位於複合基材9上方。再者，第一雷射源41係設置於機台2並包含一第一雷射光入射方向411，第一雷射頭42係滑設於機台2並沿著Y軸方向22滑動（如第1圖之箭號所示）、並包含一第一雷射光出射方向421，第一雷射光出射方向421並對應朝向輸送模組3，第一反光鏡43係設置於第一雷射頭42內並對應於第一雷射光入射方向411與第一雷射光出射方向421之間反射。

於本實施例中，機台2更包含一機架24，且第一雷射頭42係滑設於此機架24並沿著Y軸方向22滑動，例如第一雷射頭42以滑塊241、線軌242之結構滑設於機架24。

再由第1圖及第2圖可知，切割模組5係設置於機台2並包含位於輸送模組3上方之一第一刀件51，此第一刀件51並沿著Z軸方向23朝向輸送模組3進給，如圖所示，第一刀件51於本實施例中係為一裁刀之形式。另外，如同上述，當輸送模組3沿著X軸方向21輸送複合基材9時，第一刀件51亦會位於複合基材9上方。又，控制模組6係電性連接於上述之輸送模組3、雷射模組4及切割模組5。

當要使用複合基材切割裝置1進行複合基材9之切割時，輸送模組3係沿著X軸方向21輸送複合基材9至一定位，亦即輸送模組3係輸送複合基材9以使複合基材9之欲切割之位置對齊於第一雷射頭42之第一雷射光出射方向421。之後，如第2圖所示，第一雷射源41以第一雷射光入射方向411發射雷射光入射至第一反光鏡43，第一反光鏡43反射雷射光並使得雷射光以第一雷射光出射方向421出射至位於輸送模組3上之複合基材9，此時，雷射光會使複合基材9之欲切割之位置加熱軟化，如第2圖之A部分所示，且如第1圖所示，第一雷射頭42沿著Y軸方向22滑動，因而雷射光會在複合基材9上形成一條加熱軟化的線條。

請參照第3圖，其係為本發明第一較佳具體實施例之作動示意圖之二。當以雷射光加熱軟化複合基材9所欲切割之位置後，輸送模組3係再沿著X軸方向21輸送複合基材9，如第3圖以箭號示意輸送滾輪31轉動，使得已加熱軟化之欲切割位置（A部分）位於第一刀件51下方。

請參照第4圖，其係為本發明第一較佳具體實施例之作動示意圖之三。當複合基材9之已加熱軟化之欲切割位置（A部分）經輸送而位於第一刀件51下方時，第一刀件51係沿著Z軸方向23朝向輸送模組3進給，並因此對複合基材9之已加熱軟化之欲切割位置（A部分）進行切割，如第4圖箭號所示。

請再同時參閱第1圖至第4圖，如上所述，於切割複合基材9時，係先利用雷射模組4之第一雷射源41照射雷射光，並經第一反光鏡43反射而照射至複合基材9，使得複合基材9之欲切割位置加熱軟化，之後再利用切割模組5之第一刀件51朝向複合基材9之已加熱軟化之切割位置進行切割即可。

如此，採用先加熱後裁切之方式，可大幅減少切割時所產生之粉塵。此外，以雷射光加熱軟化複合基材9之作法，可大幅減少複合基材9上熱影響區之範圍（例如雷射光會聚焦在設定位置而不會影響到過大範圍之區域），相對能精確控制複合基材9熱影響之程度，亦即在複合基材9之切割作業上可提高控制精準度。另外，相較於傳統直接以雷射加工方式進行切割，上述以雷射光使複合基材9加熱軟化後再切割之方式可大幅降低成本，在系統穩定性上亦可大幅提高。

請參照第5圖，其係為本發明第二較佳具體實施例之作動示意圖。於本實施例中，其主要結構皆與上述第一較佳具體實施例相同，唯差別在於第一反光鏡43係樞轉設置於第一雷射頭42內並相對於第一雷射頭42轉動。換言之，當第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43滑動時，因為第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43相對於第一雷射源41之距離會產生變化，相對使得第一雷射源41所照射之雷射光在經由第一反光鏡43反射時亦因此產生角度變化，此時即可利用第一反光鏡43之轉動來補償此角度變化。

請同時參照第6圖及第7圖，其中之第6圖係為本發明第三較佳具體實施例之作動示意圖，第7圖係為本發明第三較佳具體實施例之補償機制圖表，並請同時一併參照第1圖。於本實施例中，其主要結構皆與上述各較佳具體實施例相同，唯差別在於控制模組6更包含一補償機制61（如第1圖所示）。換言之，當第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43滑動時，因為第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43相對於第一雷射源41之距離會產生變化，相對使得第一反光鏡43接收到之第一雷射源41所照射之雷射光的能量亦會產生變化，例如第一反光鏡43較接近第一雷射頭42時，接收到之雷射光的能量會較大，第一反光鏡43遠離第一雷射頭42時，接收到之雷射光的能量會較小，如在第6圖中以較長、較短之線條來示意雷射光的能量大小。此時，即可利用補償機制61來補償此變化，例如第7圖所示，在距離0時，即第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43與第一雷射源41鄰接時，第一雷射源41可以功率20W發射雷射光，當第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43滑動相距第一雷射源41至距離50（例如公分）時，因距離變遠，雷射光可提高以功率28W發射雷射光，依此類推，距離70（例如公分）時，雷射光可再提高以功率32W發射雷射光，距離100（例如公分）時，雷射光可再提高以功率40W發射雷射光，如此使得第一雷射源41所發射之雷射光在第一雷射頭42以及其內所設置之第一反光鏡43滑動至不同距離之情況下仍可很穩定地以固定的能量照射至複合基材9。

上述之補償機制61可包含一二次曲線函數，例如ax ²+bx+c或 ax ²+c等，當然並不以此為限。此外，上述之補償機制61亦可包含一預先設定函數，例如由使用者直接輸入一預先設定函數，例如前述之ax ²+bx+c或 ax ²+c等，而前述之預先設定函數可由使用者經不斷實驗（如利用試誤法（try and error））而得，舉例而言，在實驗時，可先依照起始點之最佳加熱及切割得到一個最佳的切割加熱數據值，並形成一第一數據，之後依照最終點之最佳加熱及切割得到一個最佳的切割加熱數據值，並形成一第二數據，然後依照第一數據和第二數據之間得到不同距離間複數個檢測點之最佳的切割加熱數據值，並形成一第三數據，再依照第一數據、第二數據以及第三數據而得到一個檢測線，最後，當機台實際作業所檢測到之數據與檢測線做比較，即可得到補償之參數，而其最佳值可依照材料本身的厚度、材質以及加熱切割所得到綜合的結果。

請參照第8圖，其係為本發明第四較佳具體實施例之立體圖。於本實施例中，其主要結構皆與上述各較佳具體實施例相同，唯差別在於第一雷射源（請參照第2圖）、第一雷射頭42及第一反光鏡（請參照第2圖）具有三組，換言之，前述結構之數量可視實際需要而變化，且同樣可達成上述之各種功效。

請參照第9圖，其係為本發明第五較佳具體實施例之立體圖。於本實施例中，其主要結構皆與上述各較佳具體實施例相同，唯差別在於切割模組5之第一刀件51係為一圓刀之形式，而此設計方式同樣可達成上述之各種功效。

請參照第10圖，其係為本發明第六較佳具體實施例之立體圖。如同第9圖之第五較佳具體實施例所示，本實施例之第一刀件51亦為圓刀之形式，但數量變更，而如此之設計方式同樣可達成上述之各種功效。

請參照第11圖，其係為本發明第七較佳具體實施例之立體圖。其主要結構皆與上述各較佳具體實施例相同，唯差別在於複合基材切割裝置1更包含至少一吸氣模組8，其係電性連接於控制模組6，而此至少一吸氣模組8係可用於吸取因雷射光照射所產生之氣體。

如第11圖所示，於本實施例中，吸氣模組8係固定不動地設置於機台2，且吸氣模組8係有兩組並分別設置於雷射位置之兩側，並分別藉由吸氣口82與吸氣管線81吸取因雷射光照射所產生之氣體。

請參照第12圖，其係為本發明第八較佳具體實施例之立體圖。於本實施例中顯示複合基材切割裝置1（請參照第11圖）同樣包含一吸氣模組8，其係電性連接於控制模組6（請參照第11圖），且吸氣模組8係設置於雷射模組4之第一雷射頭42並隨第一雷射頭42沿著Y軸方向22（請參照第1圖所示之座標系統）滑動，如第12圖之箭號所示。換言之，雷射模組4作動時可同時以吸氣模組8進行氣體之吸取。

由第11圖及第12圖所示之實施例可知，吸氣模組8可設置於機台2或雷射模組4，但並不以此為限，例如機台2與雷射模組4可同時設置有吸氣模組8，且數量亦不限制，以更加提高氣體之吸取效果。

請參照第13圖，其係為本發明第九較佳具體實施例之配置示意圖。於本實施例中，係再於輸送模組3下方增加設置一第二雷射源44、一第二雷射頭45、一第二反光鏡46及一第二刀件52。詳言之，雷射模組4更包含位於輸送模組3下方之一第二雷射源44、一第二雷射頭45及一第二反光鏡46，同樣的，第二雷射源44係設置於機台2（請參照第1圖）並包含一第二雷射光入射方向441，第二雷射頭45係滑設於機台2並沿著Y軸方向22（請參照第1圖所示之座標系統）滑動、並包含一第二雷射光出射方向451，第二雷射光出射方向451並對應朝向輸送模組3，第二反光鏡46係設置於第二雷射頭45內並對應於第二雷射光入射方向441與第二雷射光出射方向451之間反射；切割模組5更包含位於輸送模組3下方之一第二刀件52，第二刀件52並沿著Z軸方向23（請參照第1圖所示之座標系統）朝向輸送模組3進給。

如上所述，藉由於輸送模組3下方增加設置之第二雷射源44、第二雷射頭45、第二反光鏡46及第二刀件52，使得複合基材9可同時從上面與下面進行雷射加熱軟化並切割，藉以更加提高切割效果。

另欲說明，位於輸送模組3上方之第一雷射頭42、第一反光鏡43及第一刀件51與位於輸送模組3下方之第二雷射頭45、第二反光鏡46及第二刀件52可形成錯位設置，亦即複合基材9可同時從上面與從下面切割不同位置。

另外，如同第5圖所示之實施例，於第13圖所示之實施例中，第二反光鏡46亦可以樞轉方式設置於第二雷射頭45內並相對於第二雷射頭45轉動，藉以補償反光角度變化。

以上所述僅為本發明的較佳具體實施例，其並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。

1:複合基材切割裝置 2:機台 21:X軸方向 22:Y軸方向 23:Z軸方向 24:機架 241:滑塊 242:線軌 3:輸送模組 31:輸送滾輪 4:雷射模組 41:第一雷射源 411:第一雷射光入射方向 42:第一雷射頭 421:第一雷射光出射方向 43:第一反光鏡 44:第二雷射源 441:第二雷射光入射方向 45:第二雷射頭 451:第二雷射光出射方向 46:第二反光鏡 5:切割模組 51:第一刀件 52:第二刀件 6:控制模組 61:補償機制 8:吸氣模組 81:吸氣管線 82:吸氣口 9:複合基材 91:樹脂 92:纖維布

第1圖係為本發明第一較佳具體實施例之立體圖。 第2圖係為本發明第一較佳具體實施例之作動示意圖之一。 第3圖係為本發明第一較佳具體實施例之作動示意圖之二。 第4圖係為本發明第一較佳具體實施例之作動示意圖之三。 第5圖係為本發明第二較佳具體實施例之作動示意圖。 第6圖係為本發明第三較佳具體實施例之作動示意圖。 第7圖係為本發明第三較佳具體實施例之補償機制圖表。 第8圖係為本發明第四較佳具體實施例之立體圖。 第9圖係為本發明第五較佳具體實施例之立體圖。 第10圖係為本發明第六較佳具體實施例之立體圖。 第11圖係為本發明第七較佳具體實施例之立體圖。 第12圖係為本發明第八較佳具體實施例之作動示意圖。 第13圖係為本發明第九較佳具體實施例之配置示意圖。

1:複合基材切割裝置

2:機台

21:X軸方向

22:Y軸方向

23:Z軸方向

24:機架

241:滑塊

242:線軌

3:輸送模組

31:輸送滾輪

4:雷射模組

42:第一雷射頭

421:第一雷射光出射方向

5:切割模組

51:第一刀件

6:控制模組

61:補償機制

9:複合基材

91:樹脂

92:纖維布

Claims (19)

1. 一種複合基材切割裝置，包含：一機台(2)，定義有一X軸方向(21)、一Y軸方向(22)及一Z軸方向(23)；一輸送模組(3)，係設置於該機台(2)並沿著該X軸方向(21)輸送；一雷射模組(4)，包含位於該輸送模組(3)上方之一第一雷射源(41)、一第一雷射頭(42)及一第一反光鏡(43)，該第一雷射源(41)係設置於該機台(2)並包含一第一雷射光入射方向(411)，該第一雷射頭(42)係滑設於該機台(2)並沿著該Y軸方向(22)滑動、並包含一第一雷射光出射方向(421)，該第一雷射光出射方向(421)並對應朝向該輸送模組(3)，該第一反光鏡(43)係設置於該第一雷射頭(42)內並對應於該第一雷射光入射方向(411)與該第一雷射光出射方向(421)之間反射；一切割模組(5)，係設置於該機台(2)並包含位於該輸送模組(3)上方之一第一刀件(51)，該第一刀件(51)並沿著該Z軸方向(23)朝向該輸送模組(3)進給；以及一控制模組(6)，係電性連接於該輸送模組(3)、該雷射模組(4)及該切割模組(5)，其中該控制模組(6)更包含一補償機制(61)。
2. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該補償機制(61)包含一二次曲線函數。
3. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該補償機制(61)包含一預先設定函數。
4. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該機台(2)更包含一機架(24)，且該第一雷射頭(42)係滑設於該機台(2)之該機架(24)並沿著該Y軸方向(22)滑動。
5. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中更包含至少一吸氣模組(8)，其係設置於該機台(2)與該雷射模組(4)之至少其中一者並電性連接於該控制模組(6)。
6. 如請求項5所述之複合基材切割裝置，其中該至少一吸氣模組(8)係固定不動地設置於該機台(2)。
7. 如請求項5所述之複合基材切割裝置，其中該至少一吸氣模組(8)係設置於該雷射模組(4)之該第一雷射頭(42)並隨該第一雷射頭(42)沿著該Y軸方向(22)滑動。
8. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該第一反光鏡(43)係樞轉設置於該第一雷射頭(42)內並相對於該第一雷射頭(42)轉動。
9. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該雷射模組(4)更包含位於該輸送模組(3)下方之一第二雷射源(44)、一第二雷射頭(45)及一第二反光鏡(46)，該第二雷射源(44)係設置於該機台(2)並包含一第二雷射光入射方向(441)，該第二雷射頭(45)係滑設於該機台(2)並沿著該Y軸方向(22)滑動、並包含一第二雷射光出射方向(451)，該第二雷射光出射方向(451)並對應朝向該輸送模組(3)，該第二反光鏡(46)係設置於該第二雷射頭(45)內並對應於該第二雷射光入射方向(441)與該第二雷射光出射方向(451)之間反射。
10. 如請求項9所述之複合基材切割裝置，其中該第二反光鏡(46)係樞轉設置於該第二雷射頭(45)內並相對於該第二雷射頭(45)轉動。
11. 如請求項9所述之複合基材切割裝置，其中該切割模組(5)更包含位於該輸送模組(3)下方之一第二刀件(52)，該第二刀件(52)並沿著該Z軸方向(23)朝向該輸送模組(3)進給。
12. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該輸送模組(3)沿著該X軸方向(21)輸送有一複合基材(9)，且該複合基材(9)係由一樹酯及一不織布所組成。
13. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該輸送模組(3)沿著該X軸方向(21)輸送有一複合基材(9)，且該複合基材(9)係為一具有含膠量之複合基材。
14. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該輸送模組(3)沿著該X軸方向(21)輸送有一複合基材(9)，且該複合基材(9)係為一脆性複合基材。
15. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該輸送模組(3)沿著該X軸方向(21)輸送有一複合基材(9)，且該複合基材(9)係為一非金屬複合基材。
16. 如請求項1所述之複合基材切割裝置，其中該輸送模組(3)包含複數個輸送滾輪(31)。
17. 一種複合基材切割裝置，包含：一機台(2)，定義有一X軸方向(21)、一Y軸方向(22)及一Z軸方向(23)；一輸送模組(3)，係設置於該機台(2)並沿著該X軸方向(21)輸送； 一雷射模組(4)，包含位於該輸送模組(3)上方之一第一雷射源(41)、一第一雷射頭(42)及一第一反光鏡(43)，該第一雷射源(41)係設置於該機台(2)並包含一第一雷射光入射方向(411)，該第一雷射頭(42)係滑設於該機台(2)並沿著該Y軸方向(22)滑動、並包含一第一雷射光出射方向(421)，該第一雷射光出射方向(421)並對應朝向該輸送模組(3)，該第一反光鏡(43)係設置於該第一雷射頭(42)內並對應於該第一雷射光入射方向(411)與該第一雷射光出射方向(421)之間反射；一切割模組(5)，係設置於該機台(2)並包含位於該輸送模組(3)上方之一第一刀件(51)，該第一刀件(51)並沿著該Z軸方向(23)朝向該輸送模組(3)進給；一控制模組(6)，係電性連接於該輸送模組(3)、該雷射模組(4)及該切割模組(5)，該控制模組(6)更包含一補償機制(61)；以及至少一吸氣模組(8)，其係設置於該機台(2)與該雷射模組(4)之至少其中一者並電性連接於該控制模組(6)。
18. 如請求項17所述之複合基材切割裝置，其中該補償機制(61)包含一二次曲線函數。
19. 如請求項17所述之複合基材切割裝置，其中該補償機制(61)包含一預先設定函數。

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