CN115431310A - 复合基材切割装置 - Google Patents

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CN115431310A CN202110621824.0A CN202110621824A CN115431310A CN 115431310 A CN115431310 A CN 115431310A CN 202110621824 A CN202110621824 A CN 202110621824A CN 115431310 A CN115431310 A CN 115431310A
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Abstract

揭示一复合基材切割装置，包含机台、输送模组、雷射模组、切割模组及控制模组。机台定义有X、Y、Z三轴方向；输送模组设置于机台并沿着X轴方向输送；雷射模组包含位于输送模组上方的雷射源、雷射头及反光镜，雷射源设置于机台并包含雷射光入射方向，雷射头滑设于机台并沿着Y轴方向滑动、并包含对应朝向输送模组的雷射光出射方向，反光镜设置于雷射头内并对应于雷射光入射、出射方向之间反射；切割模组设置于机台并包含位于输送模组上方的刀件，其沿着Z轴方向朝向输送模组进给；控制模组电性连接于输送模组、雷射模组及切割模组。

Description

复合基材切割装置
技术领域
本发明为材料切割的技术领域，尤指一种对于复合基材进行切割的装置，借其可大幅减少切割时所产生的粉尘、切割品量与系统稳定性、并且降低成本。
背景技术
例如在铜箔基板的领域中，其主要产品就是以两片铜片夹住绝缘含浸黏合胶片的树脂基材，而其在生产过程中必须经历分条与切割(裁切)的制程。
在以往的作法中，分条与切割都是以机械式剪断的制程进行，然而，树脂片为一种由外侧树脂材料包裹内部的玻璃纤维布所制成的复合基材，由于树脂材料往往在发生塑性变形前就直接断裂，故在切割过程中容易产生大量粉尘，其在品量控管上为一个不可不面对的问题。
面对降低粉尘的需求，目前常用的解决方案有两种，一是先将树脂基材加热后再进行切割，二是用雷射直接切割树脂基材。于第一种方式中，树脂基材的加热的方式使用热风或红外线加热器(IR Heater)，但这两种加热方式对于热影响区的大小、与树脂基材的加热程度的控制皆不易与不佳；于第二种方式中，由于树脂材料与玻璃纤维布的熔点差异过大，用雷射直接进行切割，容易发生树脂材料汽化但是玻璃纤维布没断、或是玻璃纤维布切断但是树脂材料却烧焦的情形。
发明内容
为解决上述习知复合基材于切割时所会产生的各种问题，本发明提出一种复合基材切割装置，借其可大幅减少切割时所产生的粉尘、提高控制精准度与系统稳定性、并且降低成本。
本发明所采用的技术手段如下所述。
本发明所提出的复合基材切割装置包含一机台、一输送模组、一雷射模组、一切割模组以及一控制模组。其中，该机台定义有一X轴方向、一Y轴方向及一Z轴方向；该输送模组设置于该机台并沿着该X轴方向输送；该雷射模组包含位于该输送模组上方的一第一雷射源、一第一雷射头及一第一反光镜，该第一雷射源设置于该机台并包含一第一雷射光入射方向，该第一雷射头滑设于该机台并沿着该Y轴方向滑动、并包含一第一雷射光出射方向，该第一雷射光出射方向并对应朝向该输送模组，该第一反光镜设置于该第一雷射头内并对应于该第一雷射光入射方向与该第一雷射光出射方向之间反射；该切割模组设置于该机台并包含位于该输送模组上方的一第一刀件，该第一刀件并沿着该Z轴方向朝向该输送模组进给；该控制模组电性连接于该输送模组、该雷射模组及该切割模组。
在对复合基材进行切割时，先利用该雷射模组以雷射方式加热而使复合基材软化，之后再利用该切割模组对复合基材进行切割。如此采用先加热后裁切的方式，可大幅减少切割时所产生的粉尘；另外，借由雷射方式加热可大幅减少在复合基材上的热影响区的范围，相对能精确控制热影响的程度，亦即可提高控制精准度；又，借由雷射加热软化后再切割的方式相较于传统直接以雷射加工进行切割的方式而言，成本可降低，且可提高系统稳定性。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该控制模组更包含一补偿机制。于设计上，前述的该补偿机制包含一二次曲线函数；或者，该补偿机制包含一预先设定函数；当然并不以此为限。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该机台更包含一机架，且该第一雷射头滑设于该机台的该机架并沿着该Y轴方向滑动。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该复合基材切割装置更包含至少一吸气模组，其设置于该机台与该雷射模组的至少其中之一并电性连接于该控制模组。于设计上，前述的该至少一吸气模组固定不动地设置于该机台；或者，该至少一吸气模组设置于该雷射模组的该第一雷射头并随该第一雷射头沿着该Y轴方向滑动；当然并不以此为限。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该第一反光镜枢转设置于该第一雷射头内并相对于该第一雷射头转动，亦即该第一反光镜可调整反光角度。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该雷射模组更包含位于该输送模组下方的一第二雷射源、一第二雷射头及一第二反光镜，该第二雷射源设置于该机台并包含一第二雷射光入射方向，该第二雷射头滑设于该机台并沿着该Y轴方向滑动、并包含一第二雷射光出射方向，该第二雷射光出射方向并对应朝向该输送模组，该第二反光镜设置于该第二雷射头内并对应于该第二雷射光入射方向与该第二雷射光出射方向之间反射。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该第二反光镜枢转设置于该第二雷射头内并相对于该第二雷射头转动，如同上述，该第二反光镜可调整反光角度。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该切割模组更包含位于该输送模组下方的一第二刀件，该第二刀件并沿着该Z轴方向朝向该输送模组进给。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该输送模组沿着该X轴方向输送有一复合基材，且该复合基材由一树酯及一不织布所组成；或者，该复合基材为一具有含胶量的复合基材；或者，该复合基材为一脆性复合基材；或者，该复合基材为一非金属复合基材；当然并不以此为限。
可选择地，于一非限制性的例示实施态样中，该输送模组包含复数个输送滚轮；或者输送带；当然并不以此为限。
附图说明
图1为本发明第一较佳具体实施例的立体图。
图2为本发明第一较佳具体实施例的作动示意图之一。
图3为本发明第一较佳具体实施例的作动示意图之二。
图4为本发明第一较佳具体实施例的作动示意图之三。
图5为本发明第二较佳具体实施例的作动示意图。
图6为本发明第三较佳具体实施例的作动示意图。
图7为本发明第三较佳具体实施例的补偿机制图表。
图8为本发明第四较佳具体实施例的立体图。
图9为本发明第五较佳具体实施例的立体图。
图10为本发明第六较佳具体实施例的立体图。
图11为本发明第七较佳具体实施例的立体图。
图12为本发明第八较佳具体实施例的作动示意图。
图13为本发明第九较佳具体实施例的配置示意图。
图号说明：
1：复合基材切割装置
2：机台
21：X轴方向
22：Y轴方向
23：Z轴方向
24：机架
241：滑块
242：线轨
3：输送模组
31：输送滚轮
4：雷射模组
41：第一雷射源
411：第一雷射光入射方向
42：第一雷射头
421：第一雷射光出射方向
43：第一反光镜
44：第二雷射源
441：第二雷射光入射方向
45：第二雷射头
451：第二雷射光出射方向
46：第二反光镜
5：切割模组
51：第一刀件
52：第二刀件
6：控制模组
61：补偿机制
8：吸气模组
81：吸气管线
82：吸气口
9：复合基材
91：树脂
92：纤维布。
具体实施方式
请同时参照图1及图2，其中的图1为本发明第一较佳具体实施例的立体图，图2为本发明第一较佳具体实施例的作动示意图之一。于图1及图2中显示有一复合基材切割装置1，其用于切割一复合基材9，此复合基材9例如由一树酯及一不织布所组成、或者为一具有含胶量的复合基材、或者为一脆性复合基材、或者为一非金属复合基材等，例如图2所示，由上下两树脂91夹设一纤维布92所组成。
再如图1及图2所示，复合基材切割装置1包含一机台2、一输送模组3、一雷射模组4、一切割模组5以及一控制模组6。其中，机台2定义有一坐标系统，亦即机台2定义有一X轴方向21、一Y轴方向22及一Z轴方向23。此外，输送模组3设置于机台2并沿着X轴方向21输送，亦即输送模组3沿着X轴方向21输送复合基材9。另于本实施例中，输送模组3包含复数个输送滚轮31，当然，输送模组3亦可为输送带。
另外，图式中的雷射模组4包含一第一雷射源41、一第一雷射头42及一第一反光镜43，第一雷射源41、第一雷射头42及第一反光镜43位于输送模组3上方，亦即当输送模组3沿着X轴方向21输送复合基材9时，第一雷射源41、第一雷射头42及第一反光镜43亦会位于复合基材9上方。再者，第一雷射源41设置于机台2并包含一第一雷射光入射方向411，第一雷射头42滑设于机台2并沿着Y轴方向22滑动(如图1的箭号所示)、并包含一第一雷射光出射方向421，第一雷射光出射方向421并对应朝向输送模组3，第一反光镜43设置于第一雷射头42内并对应于第一雷射光入射方向411与第一雷射光出射方向421之间反射。
于本实施例中，机台2更包含一机架24，且第一雷射头42滑设于此机架24并沿着Y轴方向22滑动，例如第一雷射头42以滑块241、线轨242的结构滑设于机架24。
再由图1及图2可知，切割模组5设置于机台2并包含位于输送模组3上方的一第一刀件51，此第一刀件51并沿着Z轴方向23朝向输送模组3进给，如图所示，第一刀件51于本实施例中为一裁刀的形式。另外，如同上述，当输送模组3沿着X轴方向21输送复合基材9时，第一刀件51亦会位于复合基材9上方。又，控制模组6电性连接于上述的输送模组3、雷射模组4及切割模组5。
当要使用复合基材切割装置1进行复合基材9的切割时，输送模组3沿着X轴方向21输送复合基材9至一定位，亦即输送模组3输送复合基材9以使复合基材9的欲切割的位置对齐于第一雷射头42的第一雷射光出射方向421。之后，如图2所示，第一雷射源41以第一雷射光入射方向411发射雷射光入射至第一反光镜43，第一反光镜43反射雷射光并使得雷射光以第一雷射光出射方向421出射至位于输送模组3上的复合基材9，此时，雷射光会使复合基材9的欲切割的位置加热软化，如图2的A部分所示，且如图1所示，第一雷射头42沿着Y轴方向22滑动，因而雷射光会在复合基材9上形成一条加热软化的线条。
请参照图3，其为本发明第一较佳具体实施例的作动示意图之二。当以雷射光加热软化复合基材9所欲切割的位置后，输送模组3再沿着X轴方向21输送复合基材9，如图3以箭号示意输送滚轮31转动，使得已加热软化的欲切割位置(A部分)位于第一刀件51下方。
请参照图4，其为本发明第一较佳具体实施例的作动示意图之三。当复合基材9的已加热软化的欲切割位置(A部分)经输送而位于第一刀件51下方时，第一刀件51沿着Z轴方向23朝向输送模组3进给，并因此对复合基材9的已加热软化的欲切割位置(A部分)进行切割，如图4箭号所示。
请再同时参阅图1至图4，如上所述，于切割复合基材9时，先利用雷射模组4的第一雷射源41照射雷射光，并经第一反光镜43反射而照射至复合基材9，使得复合基材9的欲切割位置加热软化，之后再利用切割模组5的第一刀件51朝向复合基材9的已加热软化的切割位置进行切割即可。
如此，采用先加热后裁切的方式，可大幅减少切割时所产生的粉尘。此外，以雷射光加热软化复合基材9的作法，可大幅减少复合基材9上热影响区的范围(例如雷射光会聚焦在设定位置而不会影响到过大范围的区域)，相对能精确控制复合基材9热影响的程度，亦即在复合基材9的切割作业上可提高控制精准度。另外，相较于传统直接以雷射加工方式进行切割，上述以雷射光使复合基材9加热软化后再切割的方式可大幅降低成本，在系统稳定性上亦可大幅提高。
请参照图5，其为本发明第二较佳具体实施例的作动示意图。于本实施例中，其主要结构皆与上述第一较佳具体实施例相同，唯差别在于第一反光镜43枢转设置于第一雷射头42内并相对于第一雷射头42转动。换言之，当第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43滑动时，因为第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43相对于第一雷射源41的距离会产生变化，相对使得第一雷射源41所照射的雷射光在经由第一反光镜43反射时亦因此产生角度变化，此时即可利用第一反光镜43的转动来补偿此角度变化。
请同时参照图6及图7，其中的图6为本发明第三较佳具体实施例的作动示意图，图7为本发明第三较佳具体实施例的补偿机制图表，并请同时一并参照图1。于本实施例中，其主要结构皆与上述各较佳具体实施例相同，唯差别在于控制模组6更包含一补偿机制61(如图1所示)。换言之，当第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43滑动时，因为第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43相对于第一雷射源41的距离会产生变化，相对使得第一反光镜43接收到的第一雷射源41所照射的雷射光的能量亦会产生变化，例如第一反光镜43较接近第一雷射头42时，接收到的雷射光的能量会较大，第一反光镜43远离第一雷射头42时，接收到的雷射光的能量会较小，如在图6中以较长、较短的线条来示意雷射光的能量大小。此时，即可利用补偿机制61来补偿此变化，例如图7所示，在距离0时，即第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43与第一雷射源41邻接时，第一雷射源41可以功率20W发射雷射光，当第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43滑动相距第一雷射源41至距离50(例如公分)时，因距离变远，雷射光可提高以功率28W发射雷射光，依此类推，距离70(例如公分)时，雷射光可再提高以功率32W发射雷射光，距离100(例如公分)时，雷射光可再提高以功率40W发射雷射光，如此使得第一雷射源41所发射的雷射光在第一雷射头42以及其内所设置的第一反光镜43滑动至不同距离的情况下仍可很稳定地以固定的能量照射至复合基材9。
上述的补偿机制61可包含一二次曲线函数，例如ax2+bx+c或ax2+c等，当然并不以此为限。此外，上述的补偿机制61亦可包含一预先设定函数，例如由使用者直接输入一预先设定函数，例如前述的ax2+bx+c或ax2+c等，而前述的预先设定函数可由使用者经不断实验(如利用试误法(try and error))而得，举例而言，在实验时，可先依照起始点的最佳加热及切割得到一个最佳的切割加热数据值，并形成一第一数据，之后依照最终点的最佳加热及切割得到一个最佳的切割加热数据值，并形成一第二数据，然后依照第一数据和第二数据之间得到不同距离间复数个检测点的最佳的切割加热数据值，并形成一第三数据，再依照第一数据、第二数据以及第三数据而得到一个检测线，最后，当机台实际作业所检测到的数据与检测线做比较，即可得到补偿的参数，而其最佳值可依照材料本身的厚度、材质以及加热切割所得到综合的结果。请参照图8，其为本发明第四较佳具体实施例的立体图。于本实施例中，其主要结构皆与上述各较佳具体实施例相同，唯差别在于第一雷射源(请参照图2)、第一雷射头42及第一反光镜(请参照图2)具有三组，换言之，前述结构的数量可视实际需要而变化，且同样可达成上述的各种功效。
请参照图9，其为本发明第五较佳具体实施例的立体图。于本实施例中，其主要结构皆与上述各较佳具体实施例相同，唯差别在于切割模组5的第一刀件51为一圆刀的形式，而此设计方式同样可达成上述的各种功效。
请参照图10，其为本发明第六较佳具体实施例的立体图。如同图9的第五较佳具体实施例所示，本实施例的第一刀件51亦为圆刀的形式，但数量变更，而如此的设计方式同样可达成上述的各种功效。
请参照图11，其为本发明第七较佳具体实施例的立体图。其主要结构皆与上述各较佳具体实施例相同，唯差别在于复合基材切割装置1更包含至少一吸气模组8，其电性连接于控制模组6，而此至少一吸气模组8可用于吸取因雷射光照射所产生的气体。
如图11所示，于本实施例中，吸气模组8固定不动地设置于机台2，且吸气模组8有两组并分别设置于雷射位置的两侧，并分别借由吸气口82与吸气管线81吸取因雷射光照射所产生的气体。
请参照图12，其为本发明第八较佳具体实施例的立体图。于本实施例中显示复合基材切割装置1(请参照图11)同样包含一吸气模组8，其电性连接于控制模组6(请参照图11)，且吸气模组8设置于雷射模组4的第一雷射头42并随第一雷射头42沿着Y轴方向22(请参照图1所示的坐标系统)滑动，如图12的箭号所示。换言之，雷射模组4作动时可同时以吸气模组8进行气体的吸取。
由图11及图12所示的实施例可知，吸气模组8可设置于机台2或雷射模组4，但并不以此为限，例如机台2与雷射模组4可同时设置有吸气模组8，且数量亦不限制，以更加提高气体的吸取效果。
请参照图13，其为本发明第九较佳具体实施例的配置示意图。于本实施例中，再于输送模组3下方增加设置一第二雷射源44、一第二雷射头45、一第二反光镜46及一第二刀件52。详言之，雷射模组4更包含位于输送模组3下方的一第二雷射源44、一第二雷射头45及一第二反光镜46，同样的，第二雷射源44设置于机台2(请参照图1)并包含一第二雷射光入射方向441，第二雷射头45滑设于机台2并沿着Y轴方向22(请参照图1所示的坐标系统)滑动、并包含一第二雷射光出射方向451，第二雷射光出射方向451并对应朝向输送模组3，第二反光镜46设置于第二雷射头45内并对应于第二雷射光入射方向441与第二雷射光出射方向451之间反射；切割模组5更包含位于输送模组3下方的一第二刀件52，第二刀件52并沿着Z轴方向23(请参照图1所示的坐标系统)朝向输送模组3进给。
如上所述，借由于输送模组3下方增加设置的第二雷射源44、第二雷射头45、第二反光镜46及第二刀件52，使得复合基材9可同时从上面与下面进行雷射加热软化并切割，借以更加提高切割效果。
另欲说明，位于输送模组3上方的第一雷射头42、第一反光镜43及第一刀件51与位于输送模组3下方的第二雷射头45、第二反光镜46及第二刀件52可形成错位设置，亦即复合基材9可同时从上面与从下面切割不同位置。
另外，如同图5所示的实施例，于图13所示的实施例中，第二反光镜46亦可以枢转方式设置于第二雷射头45内并相对于第二雷射头45转动，借以补偿反光角度变化。

Claims (20)

1.一种复合基材切割装置，其特征在于，包含：
一机台(2)，定义有一X轴方向(21)、一Y轴方向(22)及一Z轴方向(23)；
一输送模组(3)，设置于该机台(2)并沿着该X轴方向(21)输送；
一雷射模组(4)，包含位于该输送模组(3)上方的一第一雷射源(41)、一第一雷射头(42)及一第一反光镜(43)，该第一雷射源(41)设置于该机台(2)并包含一第一雷射光入射方向(411)，该第一雷射头(42)滑设于该机台(2)并沿着该Y轴方向(22)滑动、并包含一第一雷射光出射方向(421)，该第一雷射光出射方向(421)并对应朝向该输送模组(3)，该第一反光镜(43)设置于该第一雷射头(42)内并对应于该第一雷射光入射方向(411)与该第一雷射光出射方向(421)之间反射；
一切割模组(5)，设置于该机台(2)并包含位于该输送模组(3)上方的一第一刀件(51)，该第一刀件(51)并沿着该Z轴方向(23)朝向该输送模组(3)进给；以及
一控制模组(6)，电性连接于该输送模组(3)、该雷射模组(4)及该切割模组(5)。
2.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该控制模组(6)包含一补偿机制(61)。
3.如权利要求2所述的复合基材切割装置，其特征在于，该补偿机制(61)包含一二次曲线函数。
4.如权利要求2所述的复合基材切割装置，其特征在于，该补偿机制(61)包含一预先设定函数。
5.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该机台(2)包含一机架(24)，且该第一雷射头(42)滑设于该机台(2)的该机架(24)并沿着该Y轴方向(22)滑动。
6.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，包含至少一吸气模组(8)，其设置于该机台(2)与该雷射模组(4)的至少其中之一并电性连接于该控制模组(6)。
7.如权利要求6所述的复合基材切割装置，其特征在于，该至少一吸气模组(8)固定不动地设置于该机台(2)。
8.如权利要求6所述的复合基材切割装置，其特征在于，该至少一吸气模组(8)设置于该雷射模组(4)的该第一雷射头(42)并随该第一雷射头(42)沿着该Y轴方向(22)滑动。
9.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该第一反光镜(43)枢转设置于该第一雷射头(42)内并相对于该第一雷射头(42)转动。
10.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该雷射模组(4)包含位于该输送模组(3)下方的一第二雷射源(44)、一第二雷射头(45)及一第二反光镜(46)，该第二雷射源(44)设置于该机台(2)并包含一第二雷射光入射方向(441)，该第二雷射头(45)滑设于该机台(2)并沿着该Y轴方向(22)滑动、并包含一第二雷射光出射方向(451)，该第二雷射光出射方向(451)并对应朝向该输送模组(3)，该第二反光镜(46)设置于该第二雷射头(45)内并对应于该第二雷射光入射方向(441)与该第二雷射光出射方向(451)之间反射。
11.如权利要求10所述的复合基材切割装置，其特征在于，该第二反光镜(46)枢转设置于该第二雷射头(45)内并相对于该第二雷射头(45)转动。
12.如权利要求10所述的复合基材切割装置，其特征在于，该切割模组(5)包含位于该输送模组(3)下方的一第二刀件(52)，该第二刀件(52)并沿着该Z轴方向(23)朝向该输送模组(3)进给。
13.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该输送模组(3)沿着该X轴方向(21)输送有一复合基材(9)，且该复合基材(9)由一树酯及一不织布所组成。
14.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该输送模组(3)沿着该X轴方向(21)输送有一复合基材(9)，且该复合基材(9)为一具有含胶量的复合基材。
15.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该输送模组(3)沿着该X轴方向(21)输送有一复合基材(9)，且该复合基材(9)为一脆性复合基材。
16.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该输送模组(3)沿着该X轴方向(21)输送有一复合基材(9)，且该复合基材(9)为一非金属复合基材。
17.如权利要求1所述的复合基材切割装置，其特征在于，该输送模组(3)包含复数个输送滚轮(31)。
18.一种复合基材切割装置，其特征在于，包含：
一机台(2)，定义有一X轴方向(21)、一Y轴方向(22)及一Z轴方向(23)；
一输送模组(3)，设置于该机台(2)并沿着该X轴方向(21)输送；
一雷射模组(4)，包含位于该输送模组(3)上方的一第一雷射源(41)、一第一雷射头(42)及一第一反光镜(43)，该第一雷射源(41)设置于该机台(2)并包含一第一雷射光入射方向(411)，该第一雷射头(42)滑设于该机台(2)并沿着该Y轴方向(22)滑动、并包含一第一雷射光出射方向(421)，该第一雷射光出射方向(421)并对应朝向该输送模组(3)，该第一反光镜(43)设置于该第一雷射头(42)内并对应于该第一雷射光入射方向(411)与该第一雷射光出射方向(421)之间反射；
一切割模组(5)，设置于该机台(2)并包含位于该输送模组(3)上方的一第一刀件(51)，该第一刀件(51)并沿着该Z轴方向(23)朝向该输送模组(3)进给；
一控制模组(6)，电性连接于该输送模组(3)、该雷射模组(4)及该切割模组(5)，该控制模组(6)包含一补偿机制(61)；以及
至少一吸气模组(8)，其设置于该机台(2)与该雷射模组(4)的至少其中之一并电性连接于该控制模组(6)。
19.如权利要求18所述的复合基材切割装置，其特征在于，该补偿机制(61)包含一二次曲线函数。
20.如权利要求18所述的复合基材切割装置，其特征在于，该补偿机制(61)包含一预先设定函数。
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