TWI798991B - 藉由運算裝置所實施之基於特徵的單元擷取之方法及其相關非暫時性電腦可讀媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示基於特徵的單元擷取的改良之系統及方法。該等方法包含：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括不具有頂點之一圖案區域；自不具有頂點之該圖案區域擷取單位單元；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。在一些實施例中，該等圖案區域包含傾斜角特徵或不包含特徵之頂點。該等圖案區域可包含包括一特徵斜率、一水平或一豎直間距或一線-空間特徵之一特徵。在一些實施例中，該階層係使用一線性最佳化方程式來最佳化且可經提供以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)。

Description

藉由運算裝置所實施之基於特徵的單元擷取之方法及其相關非暫時性電腦可讀媒體
本文中所提供之實施例係關於運算微影技術，且更具體言之係關於運算微影中之單位單元擷取技術。
在積體電路(IC)之製造程序中，運算微影用以改良來自IC電路之設計佈局的產量。以運算上高效之方式執行IC電路佈局之運算分析的能力正變得愈來愈重要。
在一些實施例中，一種基於特徵的單元擷取之方法包含：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵之一圖案；自包含傾斜角特徵之圖案區域擷取單位單元；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。該方法可包括：包含傾斜角特徵或不包含特徵之頂點的圖案區域；判定該圖案區域中之一特徵斜率；判定該圖案區域中之結構的一水平或一豎直間距；使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定；該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定；該單位單元之位置係基於該水平或豎直間距之開始點。該方法可進一步包 含：判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵；識別該線-空間特徵，其中識別該線-空間特徵包含：識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。該方法可包括使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該線-空間特徵界定；並且該單位單元之該位置係基於該片段之該錨定點。在一些實施例中，該方法包含將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構之一鍵係該圖案區域之一特徵。使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合可包括：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元；以及使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。在一些實施例中，該方法包括：使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈，其中該線性最佳化函數最佳化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數目以使得該分佈在該區域集合中之每一區域中；以及最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。該方法可進一步包含合併該等經擷取單位單元以及移除重複單位單元。在一些實施例中，該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)，並且提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中之至少一者。
在一些實施例中，一系統包含：一記憶體，其儲存一指令集；以及至少一個處理器，其經組態以執行該指令集以使該系統執行：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵或不包含特徵之頂 點的一圖案；使用單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。經組態以執行該指令集之該至少一個處理器可使該系統進一步執行：擷取單位單元，此係基於包含傾斜角特徵之該圖案區域的結構；判定該圖案區域中之一特徵斜率；判定該圖案區域中之結構的一水平或一豎直間距；使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定，該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定，該單位單元之位置係基於該水平或豎直間距之開始點。經組態以執行該指令集之該至少一個處理器可使該系統進一步執行：判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵；識別該線-空間特徵，其中識別該線-空間特徵包含：識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。經組態以執行該指令集之該至少一個處理器可使該系統進一步執行使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中該單位單元之頂部及底部邊界由該線-空間特徵界定並且該單位單元之該位置係基於該片段之該錨定點。在一些實施例中，經組態以執行該指令集之該至少一個處理器可使該系統進一步執行將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構之一鍵係該圖案區域之一特徵。使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合可包括：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元；以及使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。在一些實施例中，經組態以執行該指令集之該至少一個處理器可使該系統進一步執行：使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈，其中該線性最佳化函數最大化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數 目以使得該分佈在該區域集合之每一區域中；以及最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。經組態以執行該指令集之該至少一個處理器可使該系統進一步執行合併該等經擷取單位單元以及移除重複單位單元。在一些實施例中，該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)，並且提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中之至少一者。
在一些實施例中，儲存可由一運算裝置之至少一個處理器執行之一指令集的一非暫時性電腦可讀媒體可使該運算裝置執行用於識別一圖案之一特徵擷取方法，該方法包含獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵或不包含特徵之頂點的一圖案；使用單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。該方法可包括：擷取單位單元，此係基於包含傾斜角特徵之該圖案區域的結構；判定該圖案區域中之一特徵斜率；判定該圖案區域中之結構的一水平或一豎直間距；使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定，該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定，該單位單元之位置係基於該水平或豎直間距之開始點。該方法可進一步包含：判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵；識別該線-空間特徵，其中識別該線-空間特徵包含：識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。該方法可包括使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中該單位單元之頂部及底部 邊界由該線-空間特徵界定並且該單位單元之該位置係基於該片段之該錨定點。在一些實施例中，該方法包含將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構之一鍵係該圖案區域之一特徵。使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合可包括：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元；以及使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。在一些實施例中，該方法包括：使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈，其中該線性最佳化函數最大化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數目以使得該分佈在該區域集合之每一區域中；以及最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。該方法可進一步包含合併該等經擷取單位單元以及移除重複單位單元。在一些實施例中，該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)，並且提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中之至少一者。
本發明之實施例之其他優勢將自結合隨附圖式進行的以下描述變得顯而易見，在隨附圖式中藉助於說明及實例來闡述本發明之某些實施例。
100:微影投影設備
120:輻射源/源
140:光學器件/組件
160a:光學器件/組件
160b:光學器件/組件
160c:透射光學器件/組件
180:圖案化裝置
190:孔徑
195:基板平面
200:系統
201:源模型
210:投影光學器件模型
220:圖案化裝置/設計佈局模型
230:空中影像
240:抗蝕劑模型
250:抗蝕劑影像
260:圖案轉印後程序模型模組/圖案轉印後程序模型
300:佈局/系統
310:非特徵區
320:特徵區/特徵
400:單元擷取系統/系統
410:資料輸入
420:單元擷取器/單位單元擷取器
430:圖案搜尋器
440:階層產生器
500:圖案區域/區域
505:特徵
510:圖案特徵/角度
520:片段
525:片段
527:圖案特徵/間距
529:圖案特徵/間距
530:圖案特徵/單位單元
533:圖案特徵/線
537:圖案特徵/空間
600:圖案區域
605:特徵
610:圖案特徵
615:圖案特徵
620:圖案特徵
625:圖案特徵
630:圖案特徵
635:圖案特徵
640:圖案特徵
650:片段/候選片段
700:圖案區域/圖案
710:單位單元
800:佈局
810:區域
820:區域
830:區域
900:佈局最佳化/區域
1000:佈局
1010:區/區域
1020:區
1030:區
1100:方法
1110:步驟
1120:步驟
1130:步驟
1140:步驟
1200:方法
1210:步驟
1220:步驟
1230:步驟
1240:步驟
1250:步驟
1260:步驟
1270:步驟
1300:方法
1310:步驟
1320:步驟
1330:步驟
1340:步驟
1400:方法
1410:步驟
1420:步驟
1430:步驟
1440:步驟
1500:方法
1510:步驟
1520:步驟
1530:步驟
1540:步驟
1550:步驟
H:高度
W:寬度
α:角度
圖1係符合本發明之實施例的例示性微影投影設備之圖式。
圖2係符合本發明之實施例的用於模型化或模擬圖案化程序之部分之例示性系統的方塊圖。
圖3係符合本發明之實施例的例示性佈局之圖式。
圖4係符合本發明之實施例的例示性單元擷取系統之方塊圖。
圖5A至圖5D繪示符合本發明之實施例之例示性圖案特徵。
圖6繪示符合本發明之實施例的用於圖案區域之例示性特徵。
圖7繪示符合本發明之實施例的用於圖案區域之例示性單位單元。
圖8繪示符合本發明之實施例的用於佈局之例示性嵌塊切割。
圖9繪示符合本發明之實施例之例示性佈局最佳化。
圖10繪示符合本發明之實施例的圖案區域之例示性區。
圖11係表示符合本發明之實施例的用於圖案區域之單元擷取之例示性方法的程序流程圖。
圖12係表示符合本發明之實施例的用於單位單元擷取之例示性方法之程序流程圖。
圖13係表示符合本發明之實施例的用於線-空間判定之例示性方法之程序流程圖。
圖14係表示符合本發明之實施例的用於圖案搜尋之例示性方法之程序流程圖。
圖15係表示符合本發明之實施例的用於產生區塊階層之例示性方法之程序流程圖。
現將詳細參考例示性實施例，其實例繪示於隨附圖式中。 以下描述參考隨附圖式，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同數字表示相同或類似元件。例示性實施例之以下描述中所闡述之實施方式並不表示所有實施方式。實情為，其僅為符合與如在隨附申請專利範圍中所敍述之所揭示實施例相關之態樣的設備及方法之實例。舉例而言，儘管一些實施例係在利用電子束之內容背景下進行描述，但本發明不限於此。可類似地應用其他類型之帶電粒子束。此外，可使用其他成像系統，諸如光學成像、光偵測、x射線偵測等。
隨著特徵及電晶體之大小繼續減小，在基板上如實地重建設計佈局之能力正變得愈來愈困難。製造設備可在嘗試將此等小特徵沈積至基板上時引入假影或缺陷。為了考量以此等顯微尺度重建IC佈局之實體困難，IC製造商依賴於諸如運算微影之技術來分析及修改設計以考量實體製造程序的已知假影。藉由在製造之前調整佈局、遮罩或其他微影資料以考量已知製造假影，IC製造商可更好地重建原先預期設計。
為了識別哪些圖案特徵可產生哪些實體假影，IC製造商必須利用巨大資料集以允許準確預測。此可引起隨著IC設計變得愈來愈複雜而變得愈來愈複雜之運算上昂貴的技術。
由於此增加之運算複雜度及對巨大圖案資料集的需求，可降低複雜度之技術係重要的。因為相同特徵或特徵群組可在整個IC設計中重複，所以彼等圖案及特徵之有效識別、分類及選擇可大幅度減少校正IC設計所必要之運算量。為了有效，重複圖案必須易於識別、分類及處理。然而，並非所有圖案形狀皆可易於識別。詳言之，一些技術常常依賴於相異頂點、邊緣及邊緣角度以分類及識別特徵或特徵之群組。但此等技術並不有效用於不具有頂點或傾斜邊緣角度之圖案特徵。此等類型之結構常常 存在於記憶體中(例如，如圖3中所展示)，諸如可佔據IC佈局之較大部分的動態隨機存取記憶體(DRAM)。
根據本發明之實施例，此等類型之特徵的識別可藉由識別IC佈局之不同記憶體區所共有的圖案特徵(例如，圖5B至圖5D中所展示之特徵)來改良。此等特徵可用於產生可重複以產生覆蓋IC佈局之記憶體區域之陣列(例如，如圖10中所展示)的單位單元(例如，如圖7中所展示)。藉由識別記憶體區域之此等重複單元，單個單元的處理可應用於較大區域，從而減小校正IC佈局之總體複雜度。
許多下游應用可利用與本文中所描述之實施例一致的圖案識別及分類，包括基於機器學習之模型化或光學近接校正(OPC)、基於機器學習之缺陷檢測及預測、源遮罩最佳化(SMO)或可選擇代表性圖案以供減少執行時間且改良圖案覆蓋度的任何其他技術。一些應用意欲在標準反覆流程期間減少循環時間，此可藉由在一些非關鍵循環中應用代表性圖案集合而非全晶片而受益於本發明。儘管可關於OPC、SMO或其他特定技術來揭示本文中所揭示之實施例，但本發明並不意欲將實施例限於彼等特定應用。
用以幫助改良設計圖案佈局處理準確度及品質以及產品製作時程之一種方式係在階層模式中執行OPC，其中與設計圖案佈局相關聯的圖案特徵之階層(例如GDS階層)係用以「再貼上」先前運算之OPC結果或配方複數次。亦即，在「再貼上」之前，設計圖案佈局之圖案特徵的某一集合可已藉由一或多個光學近接校正進行處理以獲得彼圖案特徵集合之OPC結果，或已藉由OPC程序進行分析以識別供修改或添加之特定特徵以獲得OPC配方。可接著掃描設計圖案佈局階層以用於彼圖案特徵集合之出 現，且接著在每次出現時，可將用於彼圖案特徵集合之OPC結果插入至設計圖案佈局或OPC配方中。因此，可改良OPC處理之效率，此係因為無需針對所有圖案特徵執行OPC處理。再使用先前所計算之OPC結果或配方可顯著地減少或消除必須針對重複特徵執行OPC。此外，因為僅需要分析一圖案區域集合之一個例項，所以分析之準確度可得以改良(例如藉由花費比將以其他方式可用之時間長的時間)。另外或替代地，可達成一致性，此係由於「再貼上」可在相同圖案特徵集合將得到不同最佳近接校正的情況下避免不一致結果。因此，可使用進階之OPC，同時保持總執行時間符合規格。此外，其可實現更一致OPC。
出於清楚起見，可誇示圖式中之組件之相對尺寸。在以下圖式描述內，相同或類似參考編號係指相同或類似組件或實體，且僅描述關於個別實施例之差異。如本文所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。例如，若陳述組件可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述組件可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。
圖1繪示例示性微影投影設備100。主要組件可包括：輻射源120，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型的源(如上文所論述，微影投影設備自身無需具有輻射源)；照明光學器件，其例如界定局部相干性(被表示為σ)且可包括使來自源120之輻射成形的光學器件140、160a及160b；圖案化裝置180；以及透射光學器件160c，其將圖案化裝置圖案之影像投影至基板平面195上。在投影光學器 件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑190可限定照射於基板平面195上之光束角度的範圍，其中最大可能角度界定投影光學器件之數值孔徑NA=n sin(Θmax)，其中n為基板與投影光學器件之最後元件之間的媒體之折射率，且Θmax為自投影光學器件射出的仍可照射於基板平面195上之光束的最大角度。
在微影投影設備中，源將照明(亦即，輻射)提供至圖案化裝置，且投影光學器件經由該圖案化裝置將照明引導至基板上且使該照明成形。投影光學器件可包括組件140、160a、160b及160c中之至少一些。空中影像(AI)係在基板層級處之輻射強度分佈。抗蝕劑模型可用以自空中影像計算抗蝕劑影像。抗蝕劑模型僅與抗蝕劑層之性質(例如，在曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間發生的化學程序之效應)有關。微影投影設備之光學性質(例如，照明、圖案化裝置及投影光學器件之性質)規定空中影像且可經界定於光學模型中。因為可改變用於微影投影設備中之圖案化裝置，所以需要使圖案化裝置之光學性質與包括至少源及投影光學器件的微影投影設備之剩餘部分之光學性質分離。用以將設計佈局變換至各種微影影像(例如，空中影像、抗蝕劑影像等)、使用彼等技術及模型來應用OPC以及評估效能(例如，依據程序窗)的技術及模型之細節經描述於美國專利申請公開案US 2008-0301620、2007-0050749、2007-0031745、2008-0309897、2010-0162197及2010-0180251中，前述各案之揭示內容特此以全文引用之方式併入本文中。
圖案化裝置可包含或可形成一或多個設計佈局。可利用電腦輔助設計(CAD)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作電子設計自動化(EDA)。大多數CAD程式遵循預定設計規則集合，以便產生功能設計佈 局/圖案化裝置。此等規則藉由處理及設計限制而設定。舉例而言，設計規則界定裝置(諸如閘極、電容器等等)或互連線之間的空間容許度，以便確保裝置或線不會以不良方式彼此相互作用。設計規則限制中之一或多者可被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將裝置之臨界尺寸界定為線或孔之最小寬度或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定所設計裝置之總體大小及密度。當然，裝置製造中之目標中之一者係在基板上如實地再現原始設計意圖(經由圖案化裝置)。
如本文中所採用之術語「遮罩」或「圖案化裝置」可廣泛地解釋為係指可用於向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面的通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此上下文中。除了經典遮罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此等圖案化裝置之實例亦包括：
-可程式化鏡面陣列。此裝置之實例係具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此設備所隱含之基本原理係(例如)：反射表面之經定址區使入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區使入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器之情況下，可自經反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適之電子構件來進行所需矩陣定址。
-可程式化LCD陣列。在以引用之方式併入本文中的美國專利第5,229,872號中給出此構造之一實例。
理解微影程序之一種態樣係理解輻射與圖案化裝置之相互作用。在輻射通過圖案化裝置之後的輻射之電磁場可根據在輻射到達圖案化裝置之前的輻射之電磁場及特性化相互作用之函數予以判定。此函數可 被稱為遮罩透射函數(其可用於描述透射圖案化裝置及/或反射圖案化裝置之相互作用)。
圖案化程序之變數被稱為「處理變數」。圖案化程序可包括微影設備中之圖案之實際轉印上游及下游的程序。第一類別可為微影設備或用於微影程序中之任何其他設備之變數。此類別之實例包括微影設備之照明、投影系統、基板載物台等之變數。第二類別可為在圖案化程序中執行之一或多個工序之變數。此類別之實例包括焦點控制或焦點量測、劑量控制或劑量量測、頻寬、曝光持續時間、顯影溫度、用於顯影中之化學組成物等。第三類別可為設計佈局及其在圖案化裝置中或使用圖案化裝置進行之實施方式之變數。此類別之實例可包括輔助特徵之形狀及/或位置、藉由解析度增強技術(RET)而應用的調整、遮罩特徵之CD等。第四類別可為基板之變數。實例包括抗蝕劑層下方之結構的特性、抗蝕劑層之化學組成物及/或實體尺寸等。第五類別可為圖案化程序之一或多個變數之時間變化的特性。此類別之實例包括高頻載物台移動(例如，頻率、振幅等)、高頻雷射頻寬變化(例如，頻率、振幅等)及/或高頻雷射波長變化之特性。此等高頻變化或移動係高於用以調整基礎變數(例如載物台位置、雷射強度)之機構之回應時間的彼等高頻變化或移動。第六類別可為微影設備中之圖案轉印上游或下游的程序之特性，該等程序諸如旋塗、曝光後烘烤(PEB)、顯影、蝕刻、沈積、摻雜及/或封裝。
如應瞭解，此等變數中之許多變數(若非全部)將對圖案化程序之參數有影響且常常對所關注參數有影響。圖案化程序之參數之非限制性實例可包括臨界尺寸(CD)、臨界尺寸均一性(CDU)、焦點、疊對、邊緣位置或置放、側壁角、圖案移位等。通常，此等參數表示自標稱值(例 如設計值、平均值等)之誤差。該等參數值可為個別圖案之特性的值或圖案群組之特性之統計量(例如，平均值、方差等)。
處理變數中之一些或全部或與其相關之參數的值可藉由合適方法予以判定。舉例而言，可自藉由各種度量衡工具(例如，基板度量衡工具)獲得之資料判定該等值。可自圖案化程序中之設備的各種感測器或系統(例如，感測器，諸如微影設備之調平感測器或對準感測器、微影設備之控制系統(例如，基板或圖案化裝置台控制系統)、塗佈顯影系統工具中之感測器等)獲得該等值。該等值可來自圖案化程序之操作員。
圖2係符合本發明之實施例的用於模型化或模擬圖案化程序之部分之例示性系統200的方塊圖。
應瞭解，藉由系統200而使用或產生之模型可表示不同圖案化程序且無需包含下文所描述之所有模型。源模型201表示圖案化裝置之照明之光學特性(包括輻射強度分佈、頻寬及/或相位分佈)。源模型201可表示照明之光學特性，其包括但不限於：數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定以及任何特定照明形狀(例如離軸輻射形狀，諸如環形、四極、偶極等)，其中均方偏差(或σ)係照明器之外部徑向範圍。
投影光學器件模型210表示投影光學器件之光學特性(包括由投影光學器件引起的輻射強度分佈或相位分佈之變化)。投影光學器件模型210可表示投影光學器件之光學特性，包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。
圖案化裝置/設計佈局模型模組220捕捉設計特徵如何佈局於圖案化裝置之圖案中，且可包括圖案化裝置之詳細實體性質的表示，如例如在以全文引用之方式併入本文中之美國專利第7,587,704號中所描 述。在一些實施例中，圖案化裝置/設計佈局模型模組220表示設計佈局(例如，對應於積體電路、記憶體、電子裝置等之特徵的裝置設計佈局)之光學特性(包括由給定設計佈局引起的輻射強度分佈或相位分佈之變化)，該設計佈局係圖案化裝置上或由圖案化裝置形成之特徵之配置的表示。因為可改變用於微影投影設備中之圖案化裝置，所以需要使圖案化裝置之光學性質與包括至少照明及投影光學器件的微影投影設備之剩餘部分之光學性質分離。模擬之目標通常為準確地預測例如邊緣置放及CD，可接著將其與裝置設計進行比較。裝置設計通常被定義為預OPC圖案化裝置佈局，且可以諸如GDS II或OASIS之標準化數位檔案格式提供。
可自源模型201、投影光學器件模型210及圖案化裝置/設計佈局模型220來模擬空中影像230。空中影像(AI)係在基板層級處之輻射強度分佈。微影投影設備之光學性質(例如照明、圖案化裝置及投影光學器件之性質)規定空中影像。
基板上之抗蝕劑層係藉由空中影像曝光，且該空中影像經轉印至抗蝕劑層而作為其中之潛在「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)界定為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型240而自空中影像230模擬抗蝕劑影像250。抗蝕劑模型可用以自空中影像計算抗蝕劑影像，其實例可見於美國專利第8,200,468號中，該美國專利之揭示內容特此以全文引用之方式併入本文中。抗蝕劑模型通常描述在抗蝕劑曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間出現的化學程序之效應，以便預測例如形成於基板上之抗蝕劑特徵的輪廓，且因此其通常僅與抗蝕劑層之此等性質(例如在曝光、曝光後烘烤及顯影期間出現的化學程序之效應)相關。在一些實施例中，可捕捉抗蝕劑層之光學性質，例如折射率、膜厚 度、傳播及偏振效應，以作為投影光學器件模型210之部分。
光學模型與抗蝕劑模型之間的連接係抗蝕劑層內之經模擬空中影像強度，其起因於輻射至基板上之投影、抗蝕劑介面處的折射及抗蝕劑膜堆疊中之多重反射。輻射強度分佈(空中影像強度)係藉由入射能量之吸收而變為潛在「抗蝕劑影像」，其係藉由擴散程序及各種負載效應予以進一步修改。足夠快以用於全晶片應用之高效模擬方法藉由2維空中(及抗蝕劑)影像而近似抗蝕劑堆疊中之實際3維強度分佈。
在一些實施例中，抗蝕劑影像可用作圖案轉印後程序模型模組260之輸入。圖案轉印後程序模型260界定一或多個抗蝕劑顯影後程序(例如蝕刻、顯影等)之表現。
圖案化程序之模擬可例如預測抗蝕劑及/或經蝕刻影像中之輪廓、CD、邊緣置放(例如，邊緣置放誤差)等。因此，模擬之目標係準確地預測例如印刷圖案之邊緣置放、空中影像強度斜率或CD等。可將此等值與預期設計比較以例如校正圖案化程序、識別預測出現缺陷之地點等。預期設計通常被定義為可以諸如GDS II或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式提供之預OPC設計佈局。
因此，模型公式化描述總程序之大多數(若非全部)已知物理性質及化學方法，且模型參數中每一者理想地對應於一相異物理或化學效應。因此，模型公式化設定關於模型可用以模擬總體製造程序之良好程度之上限。為了有效地模型化製造程序，系統200可利用用於圖案選擇、歸類及分類之高效程序，諸如本文中所揭示之彼等程序。下文所描述之實施例可提供用於圖案例項之改良階層以與關於圖2所描述的運算微影模型一起使用。
圖3係例示性設計佈局300之圖式。佈局300可表示與DRAM積體電路一致之特徵。出於說明之目的，與佈局300中所展示之圖案類似的圖案可被稱作DRAM區域或DRAM圖案。應瞭解，本發明不限於DRAM積體電路或圖案，且本發明中之術語「DRAM」的使用僅為例示性的且不意欲將本發明僅限於DRAM電路。舉例而言，可使用呈現與佈局300中所展示之特性類似的特性之任何圖案特徵或佈局。詳言之，此包括具有不帶有頂點之特徵的圖案。
在一些實施例中，佈局300可表示整個IC佈局。在其他實施例中，佈局300可表示較大佈局或設計之一部分。如圖3中所展示，佈局300可包括特徵區320及非特徵區310。如所展示，特徵320可包括呈成角度重複圖案之均勻間隔分組之特徵。此結構之特性可為特徵線不包括相異頂點或非傾斜角。與本發明一致之實施例可識別具有此等特徵(例如，佈局300)之佈局的區域且處理彼等區域。
圖4係符合本發明之實施例的單元擷取系統400之例示性方塊圖。單元擷取系統400可對例如類似於圖3之佈局300中所展示之圖案的圖案進行操作。應瞭解，在各種實施例中，系統400可為圖案化、模型化或運算微影系統(例如，來自圖2之系統200)或其他微影系統之部分。在一些實施例中，系統400可為例如圖案化裝置/設計佈局模型220之部分、圖1及圖2之其他模組的部分、經實施為光微影系統之部分、為獨立設備或電腦模組或為電子設計自動化系統之部分。
如圖4中所繪示，系統400可包括資料輸入410、單元擷取器420、圖案搜尋器430及階層產生器440。資料輸入410可獲得表示在例如圖2之系統200中使用的IC設計佈局之全部或一部分的圖案資訊。根據 本發明之實施例，資料輸入410尤其可包括以圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式、加州理工學院中間格式(CIF)等儲存之資料串流。晶圓設計佈局可包括夾雜於晶圓上之圖案。圖案資訊可為用以將特徵自光微影遮罩或倍縮光罩轉印至晶圓之遮罩圖案。在一些實施例中，呈GDS或OASIS格式之圖案等等可包含以二元檔案格式儲存之特徵資訊，該二元檔案格式表示平面幾何形狀、文字及與晶圓設計佈局有關的其他資訊。在一些實施例中，圖案資訊可為圖3之佈局300、包括佈局300或包括具有與佈局300類似之特徵特性的區域。舉例而言，資料輸入410可包括DRAM區域。
資料輸入410可將資料串流提供至單位單元擷取器420。單位單元擷取器420可處理輸入資料、識別具有特定圖案特徵(例如，資料串流之DRAM區域)之圖案區，並且產生單位單元以供在整個輸入資料串流、輸入圖案或輸入佈局中匹配相同圖案。圖5A至圖5D中展示可藉由單位單元擷取器420識別之例示性圖案特徵，其更詳細地描述於下文中。下文更詳細地描述之圖6及圖7表明藉由單位單元擷取器420產生之例示性單位單元。雖然與圖5A至圖5D、圖6及圖7有關之以下揭示內容係關於系統400之操作及系統400的組件(例如，單位單元擷取器420)進行描述，但應瞭解，相同功能性可藉由系統400或其他系統之其他組件來實施。關於單位單元擷取器420及系統400之描述意欲為例示性的。
參考圖5A，圖5A係符合本發明之實施例之例示性圖案區域500。圖案區域500可與圖3中之佈局300相同。在一些實施例中，圖案區域500可為佈局300內部之區域。在一些實施例中，圖案區域500可表示IC佈局或設計之DRAM區域。圖5B至圖5C可展示可在區域500中識別之圖案 特徵。圖案區域500可包括特徵505。
參考圖5B，圖5B繪示區域500之例示性圖案特徵510。圖案特徵510可例如藉由圖4中之單位單元擷取器420來識別。如圖5B中所展示，角度510可為表示圖案區域500中之特徵的特徵斜率之角度a。特徵斜率可藉由判定在水平x方向上之距離及在豎直y方向上的由特徵之片段覆蓋之距離來計算。特徵斜率因此可為在x方向上之變化除以在y方向上之變化，且可書寫為例如(「dx,dy」)。可接著自特徵斜率判定角度510a。
參考圖5C，圖5C繪示圖案區域500之例示性圖案特徵527及529。圖案區域500可藉由片段520水平地及藉由片段525豎直地再分。使用此資訊，可判定特徵505之間距。舉例而言，藉由檢查片段520及525在何處與特徵505相交，單位單元擷取器420可識別間距527。間距527可表示沿例如片段520之一片段在沿圖案區域500上之片段的特徵505中之兩者的開始點之間的距離。間距527可為圖案區域500之水平間距。另外，間距529可表示沿例如片段525之一片段在豎直方向上之圖案區域500的間距。類似於間距527，間距529可表示特徵505中之兩者的邊緣之間的距離。
參考圖5D，圖5D繪示圖案區域500之例示性圖案特徵530、533及537。線533可表示圖案特徵505之寬度。空間537可表示在另一圖案特徵505開始之前在特徵505之後的空間之寬度。特徵一起可被稱作圖案區域500之線-空間特徵。在一些實施例中，線-空間特徵(例如，來自組合線533及空間537)可等效於來自圖5C之間距527。使用一些或所有特徵，例如圖5B之角度510、圖5C之間距527及間距529或圖5D的線533及空間537，可建構單位單元。舉例而言，返回參考圖4，單位單元擷取器 420可藉由延伸自豎直地沿例如圖5C之間距529以產生單位單元530的線533及空間537產生之線-空間特徵來產生單位單元530。
參考圖6，圖6繪示用於圖案區域600及特徵605之例示性圖案特徵610、615、620、625、630、635及640。圖案特徵610、615、620、625、630、635及640可表示沿片段650之邊界點。特徵610、615、620、625、630、635及640中之每一者可表示沿片段650之圖案特徵605的開始或結束。單位單元擷取器420例如可使用與圖案特徵610、615、620、625、630、635及640相關聯之座標以計算圖案特徵，諸如圖5C之間距527以及圖5D的線533與空間537。舉例而言，圖4之單位單元擷取器420可判定圖案特徵610(具有座標(100,500))與615(具有座標(200,500))在x方向上之差異為100個單位。因為圖案特徵610及615可表示沿片段650之特徵605的開始及結束，所以單位單元擷取器420可判定線特徵(例如，圖5D之線533)為100個單位。另外，單位單元擷取器420可判定特徵605之空間特徵(例如，圖5D的空間537)係圖案特徵620(具有座標(250,500))與圖案特徵615(具有座標(200,500))之間的差異。在此實例中，單位單元擷取器420可判定空間特徵為50個單位。另外，基於此分析，單位單元擷取器420可藉由將100個單位之經計算線特徵添加至50個單位之經計算空間特徵而判定特徵605的間距為150個單位。藉由分析額外圖案特徵(例如，圖案特徵625、630、635、640)，單位單元擷取器420可判定特徵605之佈局是否為均一的。在一些實施例中，若特徵605為均一的，則單位單元擷取器420可判定圖案特徵均一地重複。在一些實施例中，若特徵605經判定為包括非均一特徵，則單位單元擷取器420分裂片段650且計算額外圖案特徵(例如，線533、空間537及間距527)。
參考圖7，圖7繪示符合本發明之實施例的用於圖案區域700之例示性單位單元710。圖案區域700可與圖6中之圖案區域600及圖5A至圖5D中之圖案區域500相同。使用圖案特徵，例如圖5C之間距527以及圖5D之線533與空間537，單位單元擷取器420可將單位單元710識別為表示圖案區域700。在一些實施例中，圖案區域700包括均一圖案特徵(如上文參考圖6所描述)。在此等實施例中，均一性允許單位單元710在不改變單位單元710內之特徵之表示的情況下在周圍移動。舉例而言，以間距(例如，來自圖5C之間距527)將單位單元710向左或向右移位可產生經移位但包括相同圖案特徵之單位單元。以某一其他值將單位單元移位可產生表示相同特徵但偏移經移位量與間距(例如，間距527)之間的差之圖案。另外，單位單元可沿來自圖5B之角度510移位，且由單位單元710表示之圖案可為相同的，即使單位單元710已移位至不同位置亦如此。因此，可藉由表示相同圖案之每一單位單元來在圖案700內將單位單元710重複多次。結果，對由單位單元(例如，單位單元710)覆蓋之圖案700之部分的分析可縮減至對單個單位單元710之分析。該分析之結果可應用於由單位單元710覆蓋之圖案區域700的其他部分而無需重複分析。
返回參考圖4，單位單元擷取器420可儲存其分析之結果(例如角度510、間距527、間距529、線533及空間537)。舉例而言，單位單元擷取器420可將特徵儲存在雜湊圖中，且單位單元擷取器420可產生各種雜湊圖以儲存例如圖5D之單位單元530、圖5C之間距527或529、圖5D的線533及空間537。在一些實施例中，圖5B之角度510可用作各種雜湊圖之鍵。
圖案搜尋器430可使用所儲存之雜湊圖來搜尋額外圖案之佈 局或設計。舉例而言，對佈局之一個DRAM區域的分析可用以搜尋佈局之額外DRAM類區域。在圖案搜尋器430處理佈局時，其可識別圖案之各種DRAM區中之角度且使用彼等角度自各種雜湊圖獲取特徵值。以此方式處理該佈局可減少所需處理量，此係因為單個單位單元之處理可應用於該佈局之與單位單元匹配的多個區域。如關於圖8所描述，圖案搜尋器430可識別多個候選圖案區域。
參考圖8，圖8係佈局(例如，佈局800)之例示性嵌塊切割佈局。圖案搜尋器430可搜尋佈局800且識別需要分析之佈局之DRAM區域。舉例而言，圖案搜尋器430可基於彼等區域中之特徵的特性而將區域810、區域820及區域830識別為佈局800之DRAM區域。舉例而言，圖案搜尋器430可將缺少頂點或包括僅具有傾斜角之特徵之區域識別為候選區域。
返回參考圖4，圖案搜尋器430可處理佈局以識別佈局之DRAM區域且將彼等區域提供至階層產生器440。舉例而言，階層產生器440可處理藉由圖案搜尋器430識別之佈局的區域、應用由單位單元擷取器420判定之單位單元且產生佈局之經識別區域的新階層。該階層可以GDS、OASIS或其他相關格式輸出以供藉由例如OPC系統或其他運算微影系統進一步處理。
在一些實施例中，如圖8中所展示，由圖案搜尋器430識別之區域(例如，區域810、區域820)可由意欲分裂用於佈局之處理的嵌塊切口來橫切。在一些實施例中，區域(例如，區域830)可不藉由嵌塊切口來橫切。對於藉由嵌塊切口橫切之區域，階層產生器440可將經橫切區域縫合在一起以允許處理整個區域。藉由組合經橫切區域，階層產生器440可 將單位單元可適用所橫越之區最大化。在此等實施例中，階層產生器440可防止重複處理其中嵌塊切割可能越過單位單元邊界之處。階層產生器440可接著最佳化橫越區域(例如，區域810、820及830)之單位單元分佈。
參考圖9，圖9繪示符合本發明之實施例之例示性佈局最佳化。為了產生最高效階層，階層產生器440可最佳化DRAM圖案中之單位單元之置放。階層產生器440可將單位單元置放於DRAM圖案上使得單位單元置放可具有區塊層級對稱性。區塊層級對稱性可意謂在單位單元置放於DRAM圖案上之後，將存在圖案之八個不同區(如關於圖10更詳細地描述)。此等區域可包括在DRAM圖案之中心中的一個區域，該區域可由單位單元及包含佈局之頂部、底部、左側、右側及四個拐角的八個額外區構成。區塊層級對稱性可意謂八個額外區中之每一者與其在定向及維度上之對應區匹配(例如，頂部區匹配底部區，右側區匹配左側區，且四個拐角匹配)。另外，區塊層級對稱性可意謂八個額外區可經旋轉、成鏡像或以其他方式操控以導出可與對應額外圖案匹配之額外八個圖案。佈局最佳化900可加強關於將單位單元置放於DRAM圖案區域上之區塊層級對稱性且可最佳化單位單元之覆蓋度。階層產生器440可將區域900分析為線性最佳化方程式。為了藉由單位單元來最大化區域900之覆蓋度，階層產生器440可使用用於圖9之各種部分的以下方程式集合來最佳化覆蓋區：t.x=s.x+n＊dx
t.y=s.y+m＊dy
W=N＊間距t.x+2(t.x-b.左側)
H=M＊間距t.y+2(t.y-b.底部)
在以上方程式中，「t.x」及「t.y」可表示覆蓋區之開始座標(亦即，左下方座標)。如圖9中所展示。「s.x」及「s.y」可表示單位單 元之開始座標(亦即，左下方座標)。「dx」及「dy」可表示單位單元之斜率且可被稱為「x」之變化及「y」的變化。「W」表示正經分析之佈局或圖案區域的寬度，且「H」可表示佈局或圖案區域之高度。座標「b.左側」及「b.底部」可表示正經分析之佈局或圖案區域之開始座標(亦即，左下方座標)。「間距.x」及「間距.y」分別表示單位單元在水平及豎直方向上之間距，如上文關於圖5C及圖6所描述。階層產生器440可使用上文所描述之方程式及變數且在最大化{N,M}時搜尋{n,m}之解。藉由最大化{N,M}，階層產生器440可確保最大可能區由單位單元覆蓋，此可最小化處理整個DRAM圖案區域所需之運算複雜度。
參考圖10，圖10繪示符合本發明之實施例的佈局1000之例示性區1010、1020及1030。區域1010可表示與由系統400計算之單位單元對應的佈局1000之均一區。在一些實施例中，佈局1000係IC佈局之單個圖案區域(例如，圖8之區域810、區域820及區域830)。如上文所描述，系統400可識別匹配佈局之重複區之單位單元。階層產生器440可橫越佈局1000中複製單位單元。在一些實施例中，可在最佳化如上文參考圖9所描述之區110的置放之後判定由區1010覆蓋之佈局1000之部分。由區1010產生之圖案可被視為單位單元之二維陣列。階層產生器440亦可產生由區1020構成之一維陣列以覆蓋區1010未覆蓋之區1010上方、下方、左側及右側的佈局1000之區。在一些實施例中，包括重複特徵之區1020可根據針對佈局1000之彼等特定區計算的單位單元劃分。在一些實施例中，本文中所描述之相同方法及系統可用以計算用於區1020之圖案特徵，包括例如計算角度及間距。在一些實施例中，區1020將包括豎直間距且無水平間距。在其他實施例中，區1020將包括水平間距且無豎直間距。在一 些實施例中，區1030可為佈局1000之拐角部分，且可為以與區1020相同之方式處理的額外一維陣列。在計算及分佈單位單元以覆蓋區1010、區1020及區1030之後，可輸出佈局1000之階層，包括區1010、區1020及區1030，以供由OPC系統、運算微影系統或其他微影程序或系統進行額外處理。階層可以包括諸如GDS或OASIS檔案之各種資料格式來輸出。
圖11係表示符合本發明之實施例的用於圖案區域之單元擷取之例示性方法1100的程序流程圖。出於說明的目的，方法1100之步驟可由在例如圖2之圖案化裝置/設計佈局模型220之類的運算裝置之特徵上執行或以其他方式使用該等特徵的例如圖4之系統400執行。應瞭解，方法1100可經變更以修改步驟次序且包括額外步驟。另外，應瞭解，方法1100之步驟可實施於分散式運算環境中。舉例而言，方法1100之一些步驟或方法1100之步驟的部分可在分散式電腦上並行執行，且來自彼等步驟之結果或輸出可合併在一起以形成結果。在一些實施例中，此分散式架構可被稱作葉-主機架構。
在步驟1110中，系統400可獲得佈局(例如，圖3之佈局300)或佈局之一部分。該佈局可為IC設計或可為IC設計之一部分。在一些實施例中，該佈局可包括具有DRAM區域之特性之區域。此等區域可例如包括不具有相異頂點或非傾斜角之重複特徵。該佈局可包括零個、一個或者多個DRAM區域(例如，如圖8中所展示)。
在步驟1120中，系統400可擷取表示DRAM區域在佈局上之重複部分的單位單元(例如，圖7之單位單元710)。系統400可藉由識別DRAM圖案區域之特徵而識別單位單元。舉例而言，系統400可識別傾斜角a(例如，圖5B之角度510)、間距(例如，圖5C之間距527及間距529)， 以及線-空間特徵(例如，圖5C的線533及空間537)。系統400可運算如上文關於圖6所描述之間距及線-空間特徵。基於彼等特徵，系統400可產生單位單元(例如，圖7之單位單元710)。在一些實施例中，單位單元可表示用於圖案區域之可重複區塊。系統400可將單位單元及特徵儲存於可用以與佈局之其他區匹配之各種雜湊圖中。
在步驟1130中，系統400可搜尋佈局以識別呈現為共用佈局之DRAM部分的特性之候選區域。系統400可將包括不具有頂點之特徵的區域或具有帶有斜線角之特徵的區域識別為佈局之DRAM區。在一些實施例中，儲存於作為步驟1120之部分而產生的雜湊圖中之資訊可經獲取且用以匹配具有與先前處理之DRAM區域相同的特徵及圖案之區域。使用此程序，系統400可識別佈局之候選DRAM區域(例如，圖8之區域810、區域820及區域830)。
在步驟1140中，系統400可產生覆蓋佈局之DRAM區域的單位單元之階層。系統400可使用步驟1120中產生之單位單元來處理DRAM候選區域中之每一者。對於每一區域，系統400可藉由將區域處理為線性最佳化問題來最佳化DRAM區域上之單位單元的佈局，例如如關於圖9所描述。系統400可最大化可用於DRAM區域之重複部分之單位單元的數目且產生單位單元之二維陣列(例如，圖10之區1010)。對於DRAM區域之剩餘部分，系統400可產生單位單元，該等單位單元可用以產生單位單元之一維陣列以覆蓋彼等區(例如，圖10之區1020)。結果，系統400可藉由表示重複特徵之單位單元來劃分佈局之DRAM部分。因為特徵重複，所以可對單位單元中之一者進行進一步處理，且結果可在無需高運算成本的情況下應用於額外單位單元以分開處理DRAM區域之每個部分。為了允 許進一步處理，系統400可產生表示佈局上之單元陣列之階層(例如，如圖10中所展示)。在一些實施例中，系統400可將階層輸出為GDS檔案、OASIS檔案或類似資料結構或格式。
圖12係表示符合本發明之實施例的用於單位單元擷取之例示性方法1200之程序流程圖。出於說明的目的，方法1200之步驟可由在例如圖2之圖案化裝置/設計佈局模型220之類的運算裝置之特徵上執行或以其他方式使用該等特徵的例如圖4之系統400執行。應瞭解，方法1200可經變更以修改步驟次序且包括額外步驟。另外，應瞭解，方法1200之步驟可實施於分散式運算環境中。舉例而言，方法1200之一些步驟或方法1200之步驟的部分可在分散式電腦上並行執行，且來自彼等步驟之結果或輸出可合併在一起以形成結果。在一些實施例中，此分散式架構可被稱作葉-主機架構。在一些實施例中，方法1200可用於實施方法1100之步驟1120。
在步驟1210中，系統400可具備佈局(例如，圖3之佈局300)或佈局之一部分。該佈局可為IC設計或IC設計之一部分。在一些實施例中，該佈局可包括具有DRAM區域之特性之區域。此等區域可例如包括不具有相異頂點或非傾斜角之重複特徵。該佈局可包括零個、一個或者多個DRAM區域(例如，如圖8中所展示)。系統400可識別候選區域以供處理為DRAM區域。
在步驟1220中，系統400可識別DRAM候選區域之圖案特徵。舉例而言，系統400可識別傾斜角a(例如，圖5B之角度510)、間距(例如，圖5C之間距527及間距529)，以及線-空間特徵(例如，圖5C的線533及空間537)。系統400可計算如上文關於圖6所描述之間距及線-空間特 徵。系統400可將此等特徵儲存於可用以與佈局之其他區匹配之各種雜湊圖中。
在步驟1230中，系統400可產生表示佈局之DRAM候選區域之重複部分的單位單元(例如，圖7之單位單元710)。使用步驟1220中所識別之特徵，系統400可產生單位單元(例如，圖7之單位單元710)。在一些實施例中，單位單元可表示用於圖案區域之可重複區塊。
在步驟1240中，系統400可移除重複單位單元。系統400可基於圖案之不同候選區域而產生多個單位單元。在一些情況下，不同圖案區域可產生相同單位單元。因為相同單位單元可重複使用，所以系統400可移除重複單位單元。另外，在一些實施例中，不同圖案區域可藉由不同程序處理或在分散式運算裝置上處理，該等分散式運算裝置可被稱作「葉」節點。在此等實施例中，可將由此等「葉」節點發現之單位單元提供至「主機」節點。在此等實施例中，「主機」節點負責移除可由不同「葉」節點提供之重複單位單元。此等實施例允許處理待在改良處理效率之分散式電腦系統之間分裂的方法1200。
在一些實施例中，步驟1210、步驟1220、步驟1230及步驟1240可在分散式運算環境中之葉節點上執行。在此等實施例中，葉節點可將來自步驟1240之輸出提供至主機以供進一步處理。在此等實施例中，主機節點可執行方法1200之剩餘步驟。
在步驟1250中，系統400可將藉由不同程序發現或自處理候選區域之不同區段而發現的單位單元合併成經組合資料結構。正合併之單位單元在一些實施例中可來源於不同分散式處理系統，或在一些實施例中可來源於候選DRAM區域之不同部分。
在步驟1260中，系統400可自經合併資料結構移除任何剩餘重複物。在步驟1270中，系統400可將剩餘單位單元提供至其他組件或系統以供進一步使用。
在一些實施例中，步驟1250、步驟1260及步驟1270可在分散式運算環境中之主機節點上執行。在此等實施例中，主機節點可自一或多個葉節點接收輸入(例如，在步驟1240之後)，且可使用彼輸入以供在步驟1250、步驟1260及步驟1270中處理。
圖13係表示符合本發明之實施例的用於線-空間判定之例示性方法1300之程序流程圖。出於說明的目的，方法1300之步驟可由在例如圖2之圖案化裝置/設計佈局模型220之類的運算裝置之特徵上執行或以其他方式使用該等特徵的例如圖4之系統400執行。應瞭解，方法1300可經變更以修改步驟次序且包括額外步驟。另外，應瞭解，方法1300之步驟可實施於分散式運算環境中。舉例而言，方法1300之一些步驟或方法1300之步驟的部分可在分散式電腦上並行執行，且來自彼等步驟之結果或輸出可合併在一起以形成結果。在一些實施例中，此分散式架構可被稱作葉-主機架構。在一些實施例中，方法1300可用於實施方法1200之步驟1220的部分及方法1100之步驟1120的部分。
在步驟1310中，系統400可識別片段(例如，圖5C之片段525或片段520)。系統400可識別橫切DRAM圖案區域(例如，圖6之區域600)之多個候選片段。
在步驟1320中，系統400可自片段選擇候選片段(例如，圖6之片段650)。候選片段可經選擇以最大化片段之長度，最小化片段之間距(例如，圖5的間距527)，並且最小化片段之開始點。片段之開始點可被視 為與圖案特徵重疊之片段的第一部分。
在步驟1330中，系統400可判定候選片段之線-空間特徵(例如，圖5D之線533及空間537)。如關於圖6所描述，系統400可在圖案特徵沿候選片段開始或結束時識別該片段上之點。基於與此等點中之每一者相關聯之座標，系統400可判定線-空間特徵。舉例而言，如圖6中所描述，系統400可判定線段之間距為150個單位(例如，圖6中之候選片段650的特徵620與610之x座標之間的差)。
在步驟1340中，在判定候選片段之線-空間特徵之後，系統400可識別候選片段之錨定點。錨定點可經選擇為處於經移位以在線特徵處開始之候選片段之中間。錨定點可用以識別具有與候選線相同之特性之線及圖案區域。
出於說明的目的，方法1400之步驟可由在例如圖2之圖案化裝置/設計佈局模型220之類的運算裝置之特徵上執行或以其他方式使用該等特徵的例如圖4之系統400執行。應瞭解，方法1400可經變更以修改步驟次序且包括額外步驟。另外，應瞭解，方法1400之步驟可實施於分散式運算環境中。舉例而言，方法1400之一些步驟或方法1400之步驟的部分可在分散式電腦上並行執行，且來自彼等步驟之結果或輸出可合併在一起以形成結果。在一些實施例中，此分散式架構可被稱作葉-主機架構。在一些實施例中，方法1400可用以實施方法1100之步驟1140之部分。
在步驟1410中，系統400可具備佈局(例如，圖3之佈局300)或佈局之一部分。該佈局可為IC設計或可為IC設計之一部分。在一些實施例中，該佈局可包括具有DRAM區域之特性之區域。
在步驟1420中，系統400可識別具有DRAM特性之佈局之 區域。在一些實施例中，系統400可具備區域(例如，圖8之區域810、區域820及區域830)。在其他實施例中，系統400可搜尋佈局且識別候選區域。
在步驟1430中，系統400可在DRAM區域上對單位單元(例如，圖7之單位單元710)進行佈局。系統400可分析dram區域且應用線性最佳化技術(例如，關於圖9所描述之線性最佳化)至單位單元佈局。最佳化可確保最大數目個單位單元經置放於DRAM區域上。單位單元可用以產生二維陣列(例如，圖10之區1010)。系統400可佈局另外計算單位單元以藉由單位單元之一維陣列針對區域的左側、右側、頂部、底部及拐角覆蓋DRAM區域之剩餘部分。在一些實施例中，系統400可跳過不具有特徵之區之單位單元。
在步驟1440中，系統400可處理單位單元佈局(例如，圖10中所展示之區1010及1020的單位單元)且產生表示佈局之階層。該階層可以例如GDS II或OASIS格式產生。此等為例示性的且系統400可使用保持經計算階層之任何資料結構或檔案格式。
圖15係表示符合本發明之實施例的用於產生區塊階層之例示性方法1500之程序流程圖。出於說明的目的，方法1500之步驟可由在例如圖2之圖案化裝置/設計佈局模型220之類的運算裝置之特徵上執行或以其他方式使用該等特徵的例如圖4之系統400執行。應瞭解，方法1500可經變更以修改步驟次序且包括額外步驟。另外，應瞭解，方法1500之步驟可實施於分散式運算環境中。舉例而言，方法1500之一些步驟或方法1500之步驟的部分可在分散式電腦上並行執行，且來自彼等步驟之結果或輸出可合併在一起以形成結果。在一些實施例中，此分散式架構可被 稱作葉-主機架構。
在步驟1510中，系統400可獲得佈局(例如，圖3之佈局300)或已藉由嵌塊線分離或切割為嵌塊區域之佈局的一部分。該佈局可為IC設計或可為IC設計之一部分。在一些實施例中，該佈局可包括具有DRAM之特性之經識別候選區域。
在步驟1520中，系統400可使用嵌塊切割資訊(例如，圖8之佈局800)以供佈局判定哪些區域(例如，圖8之區域830)可完全在嵌塊切割區域內且哪些區域(例如，圖8之區域810及區域820)可藉由嵌塊切割線橫切。系統400可將完全在嵌塊切割(例如，區域830)中之區域提供至步驟1530以供進一步處理，且可將由嵌塊切割線橫切之區域提供至步驟1540以供進一步處理。
在一些實施例中，方法1500可實施於包括葉及主機節點之分散式運算環境中。在此等實施例中，步驟1520可對葉節點執行。在此等實施例中，因為葉節點不可存取佈局之每個區域，包括存在於嵌塊切割線之其他側上的區域，所以由嵌塊切割線橫切之區域可經提供回至主機以供在步驟1540中處理。
如上文所陳述，對於完全存在於嵌塊內之區域，系統400可前進至步驟1530。在步驟1530中，系統400可處理該等區域且產生適當單位單元(例如，如關於圖5A至圖5D、圖6及圖7所描述，並且如關於圖12之方法1200所描述)。在產生用於所提供之區域的單位單元之後，系統400可將單位單元資訊提供至步驟1550以供額外處理。在一些實施例中，步驟1530可實施於分散式運算系統之葉節點中。在此等實施例中，葉節點可將單位單元提供回至主機以供額外處理。
如上文所陳述，對於由嵌塊線橫切之區域，系統400可前進至步驟1540。在步驟1540中，系統400可識別藉由嵌塊切割線橫切之區域的其他部分且將鄰接區域合併成單個區域。在其中方法1500實施於包括葉-主機架構之分散式運算環境中的一些實施例中，步驟1540可實施於主機上且可接收藉由嵌塊切割線與不同葉節點分離之區域。在合併該等區域之後，在步驟1540中，系統400可產生適當單位單元(例如，如關於圖5A至圖5D、圖6及圖7所描述，並且如關於圖12之方法1200所描述)。在產生用於所提供之區域的單位單元之後，系統400可將單位單元資訊提供至步驟1550以供額外處理。
在步驟1550中，系統400可自單位單元佈局產生階層(例如，圖10之區1010及區1020)且輸出例如呈GDS II或OASIS格式之階層。系統400可產生如關於圖10以及圖11之方法1100所描述之階層。
可提供儲存指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令供控制器(例如，圖1之控制器50)或系統(例如，圖3之系統300)的處理器進行影像檢測、影像採集、影像變換、影像處理、影像比較、載物台定位、射束聚焦、電場調整、射束彎曲、聚光透鏡調整、激活帶電粒子源及射束偏轉等等。非暫時性媒體之常見形式包括例如軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、固態磁碟機、磁帶或任何其他磁性資料儲存媒體、緊密光碟唯讀記憶體(CD-ROM)、任何其他光學資料儲存媒體、具有孔圖案之任何實體媒體、隨機存取記憶體(RAM)、可程式化唯讀記憶體(PROM)及可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)、FLASH-EPROM或任何其他快閃記憶體、非揮發性隨機存取記憶體(NVRAM)、快取記憶體、暫存器、任何其他記憶體晶片或卡匣，及其網路化版本。
本發明之實施例可藉由以下條項進一步描述。
1.一種基於特徵的單元擷取之方法，其包含：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵之一圖案；自包含傾斜角特徵之圖案區域擷取單位單元；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。
2.如條項1之方法，其中該圖案區域包含傾斜角特徵。
3.如條項1或2之方法，其中該圖案區域不包含特徵之頂點。
4.如條項1至3中任一項之方法，其進一步包含判定該圖案區域中之一特徵斜率。
5.如條項1至3中任一項之方法，其進一步包含判定該圖案區域中之結構的一水平或一豎直間距。
6.如條項5之方法，其進一步包含：使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定；該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定；並且該單位單元之一位置係基於該水平或豎直間距之一開始點。
7.如條項1至3中任一項之方法，其進一步包含判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵。
8.如條項7之方法，其進一步包含識別該線-空間特徵，其中識別該線-空間特徵包含： 識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。
9.如條項8之方法，其進一步包含：使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該線-空間特徵界定；並且該單位單元之一位置係基於該片段之該錨定點。
10.如條項1至9中任一項之方法，其進一步包含：將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構之一鍵係該圖案區域之一特徵。
11.如條項10之方法，其中使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合進一步包含：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元；使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。
12.如條項1至11中任一項之方法，其進一步包含使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈。
13.如條項12中任一項之方法，其中該線性最佳化函數包含：最佳化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數目以使得該區域集合之每一區域中的該分佈包含：最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。
14.如條項1至13中任一項之方法，其中該方法進一步包含： 合併該等經擷取單位單元；以及移除重複單位單元。
15.如條項1至14中任一項之方法，其中該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)。
16.如條項1至15中任一項之方法，其中提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中之至少一者。
17.一種系統，其包含：一記憶體，其儲存一指令集；以及至少一個處理器，其經組態以執行該指令集以使該系統執行：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵之一圖案；自包含傾斜角特徵之圖案區域擷取單位單元；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。
18.如條項17之系統，其中該圖案區域包含傾斜角特徵。
19.如條項17或18之系統，其中該圖案區域不包含特徵之頂點。
20.如條項17至19中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行判定該圖案區域中之一特徵斜率。
21.如條項17至19中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行判定該圖案區域中之結構的一水平 或一豎直間距。
22.如條項21之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行：使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定；該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定；並且該單位單元之一位置係基於該水平或豎直間距之開始點。
23.如條項17至19中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵。
24.如條項23之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行：識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。
25.如條項24之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行：使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該線-空間特徵界定；並且該單位單元之一位置係基於該片段之該錨定點。
26.如條項17至25中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行：將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構 之一鍵係該圖案區域之一特徵。
27.如條項17至26中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元；使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。
28.如條項17至27中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈。
29.如條項28之系統，其中該線性最佳化函數：最佳化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數目以使得該區域集合之每一區域中的該分佈包含：最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。
30.如條項17至29中任一項之系統，其中該至少一個處理器經組態以執行該指令集以使該系統進一步執行：合併該等經擷取單位單元；以及移除重複單位單元。
31.如條項17至30中任一項之系統，其中該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)。
32.如條項17至31中任一項之系統，其中提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中 之至少一者。
33.一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置執行用於識別一圖案之一特徵擷取方法，該方法包含：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵之一圖案；自包含傾斜角特徵之圖案區域擷取單位單元；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。
34.如條項33之非暫時性電腦可讀媒體，其中該圖案區域包含傾斜角特徵。
35.如條項33或34中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其中該圖案區域不包含特徵之頂點。
36.如條項33至35中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行判定該圖案區域中之一特徵斜率。
37.如條項33至35中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行判定該圖案區域中之結構的一水平或一豎直間距。
38.如條項37之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行：使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中： 該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定；該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定；並且該單位單元之一位置係基於該水平或豎直間距之開始點。
39.如條項33至35中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵。
40.如條項39之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行識別該線-空間特徵，其中識別該線-空間特徵包含：識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。
41.如條項40之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行，其進一步包含：使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該線-空間特徵界定；並且該單位單元之一位置係基於該片段之該錨定點。
42.如條項33至41中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行，其進一步包含：將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構之一鍵係該圖案區域之一特徵。
43.如條項42之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行，其中使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合進一步包含：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元；使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。
44.如條項33至43中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈。
45.如條項44之非暫時性電腦可讀媒體，其中該線性最佳化函數：最佳化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數目以使得該區域集合之每一區域中的該分佈包含：最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。
46.如條項33至45中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置進一步執行，其中該方法進一步包含：合併該等經擷取單位單元；以及移除重複單位單元。
47.如條項33至46中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其中該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)。
48.如條項33至47中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其中提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中之至少一者。
諸圖中之方塊圖繪示根據本發明之各種例示性實施例的系統、方法及電腦硬體/軟體產品之可能實施方式的架構、功能性及操作。就此而言，示意圖中之每一區塊可表示可使用諸如電子電路之硬體實施的某一算術或邏輯運算處理。區塊亦可表示包含用於實施指定邏輯功能之一或多個可執行指令的程式碼之模組、片段或部分。應理解，在一些替代性實施方式中，區塊中所指示之功能可不按圖中所提及的次序出現。舉例而言，取決於所涉及之功能性，連續展示之兩個區塊可實質上同時執行或實施，或兩個區塊有時可以相反次序執行。亦可省略一些區塊。
應瞭解，本發明之實施例不限於已在上文所描述及在隨附圖式中所繪示之確切構造，且可在不脫離本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。本發明已結合各種實施例進行了描述，藉由考慮本文中所揭示之本發明的規格及實踐，本發明之其他實施例對於熟習此項技術者將為顯而易見的。意欲將本說明書及實例視為僅例示性的，其中本發明之真實範疇及精神由以下申請專利範圍指示。
以上描述意欲為例示性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。
900:佈局最佳化/區域
H:高度
W:寬度

Claims (16)

  1. 一種藉由一運算裝置(computing device)所實施之基於特徵(feature-based)的單元擷取(cell extraction)之方法，其包含：獲得表示一佈局(layout)之資料，其中該佈局包括包含傾斜角(oblique angle)特徵之一圖案；自包含傾斜角特徵之圖案區域擷取單位單元(unit cells)；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合(set of regions)；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層(hierarchy)。
  2. 如請求項1之方法，其中該圖案區域不包含特徵之頂點。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含判定該圖案區域中之一特徵斜率。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含判定該圖案區域中之結構的一水平或一豎直間距。
  5. 如請求項4之方法，其進一步包含：使用該水平及豎直間距建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該水平間距界定；該單位單元之左側及右側邊界由該豎直間距界定；並且該單位單元之一位置係基於該水平或豎直間距之一開始點。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含判定該圖案區域中之結構的一線-空間特徵。
  7. 如請求項6之方法，其進一步包含識別該線-空間特徵，其中識別該線-空間特徵包含：識別越過該圖案區域之片段；判定該片段與該佈局上之結構相交的位置之座標；以及基於該線-空間特徵而判定該片段之一錨定點。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包含：使用該線-空間特徵建構一單位單元，其中：該單位單元之頂部及底部邊界由該線-空間特徵界定；並且該單位單元之一位置係基於該片段之該錨定點。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含：將該單位單元儲存於一關聯資料結構中，其中用於該關聯資料結構之一鍵係該圖案區域之一特徵。
  10. 如請求項9之方法，其中使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合進一步包含：識別該圖案區域之一特徵；使用該特徵作為一鍵，自該關聯資料結構獲取一單位單元； 使用該經獲取單位單元匹配該圖案區域之部分。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包含使用一線性最佳化函數來最佳化該區域集合上之單位單元分佈。
  12. 如請求項11之方法，其中該線性最佳化函數包含：最佳化橫越該區域集合而分佈之單位單元的數目以使得該區域集合之每一區域中的該分佈包含：最佳化橫越該區域之部分而分佈之單位單元的數目；以及維持該區域之剩餘部分的區塊層級對稱性。
  13. 如請求項12之方法，其中該方法進一步包含：合併該等經擷取單位單元；以及移除重複單位單元。
  14. 如請求項1之方法，其中該階層係呈圖形資料庫系統(GDS)格式、圖形資料庫系統II(GDS II)格式、開放式原圖系統交換標準(OASIS)格式或加州理工學院中間格式(CIF)。
  15. 如請求項1之方法，其中提供該階層以用於模型化、光學近接校正(OPC)、缺陷檢測、缺陷預測或源遮罩最佳化(SMO)中之至少一者。
  16. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運 算裝置之至少一個處理器執行以使該運算裝置執行用於識別一圖案之一特徵擷取方法，該方法包含：獲得表示一佈局之資料，其中該佈局包括包含傾斜角特徵之一圖案；自包含傾斜角特徵之一圖案區域擷取單位單元；使用該等單位單元識別該佈局之與該等單位單元匹配的一區域集合；以及使用該等單位單元產生用於該區域集合之一階層。
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