TWI798831B - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的是在於提供一種可減低佔有區域(footprint)的技術。 其解決手段是在於提供一種基板處理裝置的技術，該基板處理裝置係具有： 模組，其係具備：具有上游側整流部及供給構造的氣體供給部，及連通至前述供給部的反應管，以及被設在與前述上游側整流部對向的位置，具有下游側整流部及排氣構造的氣體排氣部； 供給管，其係被連接至前述供給部； 排氣管，其係被連接至前述排氣部； 搬送室，其係與複數的前述模組鄰接；及 配管配置區域，其係前述搬送室的側方且與前述模組鄰接，可配置前述供給管或前述排氣管， 其特徵為： 前述反應管係於前述基板處理裝置的長邊方向的軸上被配置於與前述搬送室重疊的位置， 當前述供給管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體排氣部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置， 當前述排氣管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體供給部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置。

Description

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式
本形態是有關基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式。
作為在半導體裝置的製造工序使用的基板處理裝置的一形態，例如，可使用一次處理複數片的基板的基板處理裝置(例如專利文獻1)。就如此的基板處理裝置而言，被要求從安裝場所的面積的限制，儘可能減低佔有區域。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2020-43361號公報
(發明所欲解決的課題)
本案是在於提供一種可減低佔有區域(Footprint)的技術。 (用以解決課題的手段)
其解決手段是在於提供一種基板處理裝置的技術，該基板處理裝置係具有： 模組，其係具備：具有上游側整流部及供給構造的氣體供給部，及連通至前述供給部的反應管，以及被設在與前述上游側整流部對向的位置，具有下游側整流部及排氣構造的氣體排氣部； 供給管，其係被連接至前述供給部； 排氣管，其係被連接至前述排氣部； 搬送室，其係與複數的前述模組鄰接；及 配管配置區域，其係前述搬送室的側方且與前述模組鄰接，可配置前述供給管或前述排氣管， 其特徵為： 前述反應管係於前述基板處理裝置的長邊方向的軸上被配置於與前述搬送室重疊的位置， 當前述供給管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體排氣部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置， 當前述排氣管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體供給部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置。 [發明的效果]
若根據本案的一形態，則可提供一種可減低佔有區域的技術。
以下，邊参照圖面邊說明本形態的實施形態。另外，在以下的說明中使用的圖面是皆為模式性者，圖面上的各要素的尺寸的關係、各要素的比率等是不一定與現實者一致。並且，在複數的圖面的相互間也是各要素的尺寸的關係、各要素的比率等是不一定一致。
(1)基板處理裝置的構成 利用圖1~圖7來說明本案的一形態的的基板處理裝置的概要構成。圖1是表示本形態的基板處理裝置的構成例的横剖面圖。在圖1中，基於說明的方便起見，將從圖中左側(例如模組200b側)朝向右側(例如模組200a側)的方向稱為X軸，將從前面(例如裝載埠110側)朝向後面(例如模組200側)的方向稱為Y軸。在X軸中，將圖中左側稱為X2，將右側稱為X1，在Y軸中，將前側稱為Y1，將後側稱為Y2。
如後述般，二個的模組200(200a、200b)會被構成為鄰接於X軸方向，因此X軸方向是亦被稱為配列模組200的方向。
從Y1朝向Y2的方向是亦可如其次般表現。如後述般，基板S是移動於IO平台110~模組200之間，因此從Y1朝向Y2的方向是亦稱為基板S的移動方向、或基板S朝向模組的方向。又，由於亦為基板處理裝置100全體的長邊方向，因此Y軸是亦稱為基板處理裝置的長邊方向。
圖1是從上方看基板處理裝置的圖，但基於說明的方便起見，高度不同者也記載於圖1。例如圖中，雖一起記載反應管210與真空搬送機械手臂180，但如圖2記載般，反應管210與真空搬送機械手臂180是高度不同者。
圖2是表示本形態的基板處理裝置的構成例，圖1的A-A’的縱剖面圖。圖3是從圖1的視線C看的外觀圖。圖4是表示本形態的基板處理部的構成例，圖1的B-B’的縱剖面圖。圖5是說明本形態的基板支撐部及其周邊的構成的說明圖。圖6是說明本形態的基板處理裝置的氣體供給系的說明圖。圖7是說明本形態的基板處理裝置的氣體排氣系的說明圖。
基板處理裝置100是處理基板S者，主要以IO平台110、大氣搬送室120、裝載鎖定室130、真空搬送室140、模組200、設備箱(utility box)500所構成。其次具體說明有關各構成。
在圖2中，基於說明的方便起見，模組200的具體的構造是省略說明。又，圖1、圖2、圖4中，基於說明的方便起見，省略設備箱500的具體的構造的說明。
(大氣搬送室･IO平台) 在基板處理裝置100的前側是設置有IO平台(裝載埠)110。在IO平台110上是搭載複數的晶圓盒(pod)111。晶圓盒111是作為搬送矽(Si)基板等的基板S的載體使用。
IO平台110是與大氣搬送室120鄰接。大氣搬送室120是在與IO平台110不同的面連結裝載鎖定室130。在大氣搬送室120內是設置有移載基板S的大氣搬送機械手臂122。
在大氣搬送室120的框體121的前側是設置有用以對於大氣搬送室120搬入搬出基板S的基板搬入搬出口128。基板搬出入口128是藉由未圖示的晶圓盒開啟器來開放･閉鎖。在大氣搬送室120的框體127的後側是設置有用以將基板S搬入搬出於裝載鎖定室130的基板搬出入口133。基板搬出入口133是藉由未圖示的閘閥來開放･閉鎖，藉此可使基板S出入。
(裝載鎖定室) 裝載鎖定室130是與大氣搬送室120鄰接。構成裝載鎖定室130的框體131所具有的面之中，在與大氣搬送室120不同的面是配置有後述的真空搬送室140。在本形態中，設有二個的框體131a、131b。真空搬送室140是經由閘閥134來連接。在裝載鎖定室130內是設置有載置基板S的基板載置台136。
(真空搬送室) 基板處理裝置100是具備成為在負壓下搬送基板S的搬送空間的作為搬送室的真空搬送室(傳送模組)140。構成真空搬送室140的框體141是以平面視左右對稱的五角形狀所形成，在外周連結裝載鎖定室130及處理基板S的模組200(200a、200b)。
框體141是以和裝載鎖定室130鄰接的壁142、和模組200a鄰接的壁144、和模組200b鄰接的壁145、被設在壁142與壁144之間的壁143、被設在壁142與壁145之間的壁146所構成。進一步，在上方是具備有蓋141a。蓋141a是以被設在壁142側的鉸鏈(hinge)141b作為軸而固定，在維修框體141內或真空搬送機械手臂180時，使蓋141a的模組200側上昇，將蓋141a開放至圖2所記載的箭號的方向。
壁144與壁145是以構成預定角度(例如鈍角)的方式鄰接。因此，壁144與壁145之中，與模組200鄰接的面是由真空搬送室140的中心看，被構成放射狀。框體141之中，將以壁144及壁145所構成的部分稱為凸部。
在真空搬送室140的大致中央部，作為在負壓下移載(搬送)基板S的搬送部的真空搬送機械手臂180會以凸緣(flange)147作為基部而設置。被設置在真空搬送室140內的真空搬送機械手臂180是被構成為可藉由升降機148及凸緣147來邊維持真空搬送室140的氣密性邊昇降。真空搬送機械手臂180所具有的臂181是被構成為可藉由升降機148來昇降。
真空搬送機械手臂180是具備二個的臂(arm)181。臂181是具備載置基板S的末端作用器(end effector)182。藉由進行臂181的旋轉或延伸，在模組200內搬送基板S，或從模組200內搬出基板S。
壁144與壁145是分別連接模組200(模組200a、200b)。具體而言，連接後述的模組200的移載室217。
(模組) 在X軸方向配有二個的模組200。在X1側是配有模組200a，在X2側是配有模組200b。以下，在模組200的說明中，具有「a」的號碼是說明模組200a的構成，具有「b」的號碼是說明模組200b的構成。另外，無號碼者說明各模組200共通的說明。
如圖2、圖3所記載般，構成模組200的框體201是在上方具備反應管容納室206，在下方具備移載室217。在反應管容納室206與下方的移載室217之間是設有隔壁218。在反應管容納室206內是主要容納有反應管210。至少移載室217是從上方看以五角形狀所構成。進一步，反應管容納室206也最好設為五角形狀。在本形態中，利用將移載室217與反應管容納室206設為相同的五角形狀，從上方看框體201全體以五角形狀所構成的例子進行說明。
構成五角形狀的框體的壁之中，斜壁202 (202a、202b)是對於X軸、Y軸傾斜地配置。延伸於X軸方向的二個的壁是被配置成並行，延伸於Y軸方向的二個的壁也被配置成並行。就與X軸並行配置的壁而言，Y1側的壁是被構成為比被配置於Y2側的壁更短。將此Y1側的壁稱為壁203(203a、203b)，將Y2側的壁稱為壁205(205a、205b)。就與Y軸並行配置的壁而言，X軸的中心側的壁是被構成為比外側的壁更短。將此中心側的壁稱為壁204 (204a、204b)。壁202是被配置於壁203與壁204之間。
框體201a、框體201b是被構成左右對稱。亦即，壁204a、壁204b是被構成為鄰接，壁203a、壁203b是被配為夾著框體141而鄰接。進一步，壁202a與壁202b是形成預定角度(例如鈍角，以壁144及壁145所構成的角度))，且以壁202a與壁202b之間，空間會被構成於Y1側的方式鄰接。空間是亦稱為藉由二個的模組200所構成的凹部。框體141的凸部是被嵌合於凹部。
藉由設為如此的構造，比起如以往技術文獻記載般的排列四角狀的框體的情況，可縮短從壁142到壁205的距離。因此，可減低基板處理裝置100的佔有區域。
至少移載室217是具有上述壁的構成。移載室217之中，在各斜壁202是設有用以搬出入基板S的搬出入口149(149a、149b)。搬出入口149是藉由未圖示的閘閥來開閉。
思考如以往般移載室的形狀由上方看時為四角形狀的比較例。在此，當本形態的五角形狀的X軸方向、Y軸方向各者的長度與比較例相等時，明顯本形態那樣的五角形狀的面積小。
因此，在將本形態的移載室的高度設為與比較例相同時，本形態的移載室的容積明顯比比較例更小。如後述般，在本形態中雖是將移載室217的氛圍排氣設為真空狀態，但相較於以往的四角形狀，可短時間將氛圍排氣。
在反應管容納室206內是具備反應管210、上游側整流部214、下游側整流部215。具體而言，在模組200a的反應管容納室206a是具備反應管210a、上游側整流部214a、下游側整流部215a。在模組200b的反應管容納室206b內是具備反應管210b、上游側整流部214b、下游側整流部215b。
如後述般，上游側整流部214與下游側整流部215是被設在隔著反應管210而對向的位置。在下游側整流部215的下游側是連接排氣構造213。上游側整流部214、反應管210、下游側整流部215、排氣構造213是被配成直線狀。
在反應管容納部206a內是配有上游側整流部214a、下游側整流部215a、反應管210a、排氣構造213a的一部分。並且，在反應管容納部206b內是配有上游側整流部214b、下游側整流部215b、反應管210b、排氣構造213b的一部分。
排氣構造213是被構成為貫通框體201的壁203。具體而言，排氣構造213之中，下游側整流部215側是被配於框體201內，與下游側整流部215不同的側的前端是被構成為從壁203突出至外側。
如後述般，構成排氣構造213的框體241是連接排氣管281。排氣管281是被配置於與框體141及壁203鄰接的區域的排氣管配置區域228。被連接至排氣構造213a的排氣管281a是被配置於排氣管配置區域228a，被連接至排氣構造213b的排氣管281b是被配置於排氣管配置區域228b。各排氣管281是如圖3記載般貫通支撐基板處理裝置100的高架地板(grating)構造的地板101，被延伸至地板101下方的設備(utility)區域，被連接至泵等。另外，排氣管配置區域228a、排氣配管配置區域228b是亦可稱為配管配置區域a、配管配置區域b。又，亦可將配管配置區域a及配管配置區域b總稱為配管配置區域。
排氣管配置區域228是只要排氣管281可配置的區域即可，亦可藉由框體來構成，在其中配置排氣管281。此情況，被構成為在框體的上部與反應管容納室206鄰接，在框體的下部與搬送室140的框體141鄰接。
不限於設置框體般的壁的構成，亦可為無壁的構成。該情況，確保排氣管281所貫通的地板101的一部分作為排氣管配置區域228。藉由設為如此的構成，框體141的下方會被解放至排氣管配置區域228側。如此一來，維修負責人可踏進排氣管配置區域228，因此維修負責人可從排氣管配置區域228維修真空搬送機械手臂180或升降機等的真空搬送室140所具有的構成。
如圖3記載般，在本形態中，排氣管281a是經由排氣管連接部242a來連接至排氣構造213a的X1側。排氣管281b是被連接至排氣構造213b的X2側。亦即，分別在與框體141相反側被連接。藉由如此的構造，可在排氣管281與框體141之間確保空間，因此可確保維修負責人進入的空間，可維修框體141下方。又，由於可在排氣構造213與框體141之間確保空間，因此打開蓋141a也可從該空間維修框體141內或真空搬送機械手臂180。進一步，可在框體141的兩側設置空間，因此可從框體141的兩側維修。在兩側設置維修區域，是例如框體141的X軸方向的寬度大時有效。
在模組200的後側(Y2側)是配有設備部500。在設備部500是設有電裝品盒或氣體盒等。在圖1中是基於說明的方便起見只記載氣體盒510。
在氣體盒510是容納有後述的氣體供給管221 (氣體供給管251、氣體供給管261)及氣體供給管281。進一步，容納有加熱該等氣體供給管的供給管加熱部或氣體源等。
接著，說明框體141、框體201、反應管210、上游側整流部214、下游側整流部215、排氣構造213的關係。
在反應管容納室206a內，以上游側整流部214a、下游側整流部215a、反應管210a、排氣構造213a所構成的中線是對於Y軸傾斜地配置。此時，排氣構造213a的長度方向的延長線會被配置為不與框體141重疊。從上方看的反應管210a的中心是被配置為在Y軸方向不與斜壁202a重疊。藉由設為如此的構造，可將斜壁202a的Y1側設為死角區域。
反應管容納室206b也同樣以上游側整流部214b、下游側整流部215b、反應管210b、排氣構造213b所構成的中線會對於Y軸傾斜地配置。此時，排氣構造213b的長度方向的延長線會被配置為不與框體141重疊。藉由設為如此的構造，可將斜壁202b的Y1側設為死角區域。
在此，作為比較例，想像在反應管容納室206a內，以上游側整流部214a、下游側整流部215a、反應管210a、排氣構造213a所構成的中線會形成與Y軸平行的構成。如此的構成的情況，恐有上游側整流部214a、下游側整流部215a的任一者或雙方從反應管容納室206a擠出之虞。該情況，由於加熱器211的影響變小，因此在擠出的部分溫度下降，恐有氣體被固態化等的影響之虞。又，雖可思考藉由擴大Y軸方向的寬度(壁203與壁205之間的距離)，將上游側整流部214a、下游側整流部215a收納於反應管容納室206內，但如此一來，與反應管容納室216關聯的移載室217的Y軸方向的寬度也變多，剖面積會增加，因此可想像移載室217的容積會變大。相對於此，若如上述般將中線設為傾斜，則可不擴大Y軸方向的寬度收納上游側整流部214a、下游側整流部215a，進一步可縮小移載室217的容積。
又，藉由反應管容納室206的斜壁202a及斜壁202b，可確保真空搬送室140的蓋141a所能上昇的空間。因此，具備蓋141a被解放至上方向的真空搬送室140的情況，也可維修真空反應室140。
接著，利用圖4說明有關模組200的構成。在此舉例說明模組200b。由於模組200a是與模組200b為線對稱的關係，因此在此是省略說明。另外，圖4是圖1的B-B’的剖面圖。
模組200的反應管容納室206b是具備： 延伸於鉛直方向的圓筒形狀的反應管210； 被設置於反應管210的外周的作為加熱部(爐體)的加熱器211； 作為氣體供給部的氣體供給構造212；及 作為氣體排氣部的氣體排氣構造213。 在氣體供給部是亦可含上游側整流部214。又，氣體排氣部是亦可含下游側整流部215。
氣體供給構造212是被設在反應管210的氣流方向上游，從氣體供給構造212供給氣體至反應管210。氣體排氣構造213是被設在反應管210的氣流方向下游，反應管210內的氣體是從氣體排氣構造213排出。
在反應管210與氣體供給構造212之間是設有用以整理從氣體供給構造212供給的氣體的流動的上游側整流部214。並且，在反應管210與氣體排氣構造213之間是設有用以整理從反應管210排出的氣體的流動的下游側整流部215。反應管210的下端是以集合管216支撐。
反應管210、上游側整流部214、下游側整流部215是連續的構造，例如以石英或SiC等的材料所形成。該等是以透過從加熱器211放射的熱之熱透過性構件所構成。加熱器213的熱是加熱基板S或氣體。
氣體供給構造212是連接氣體供給管251、氣體供給管261，且具有分配從各氣體供給管供給的氣體的分配部225。在分配部225的下游側是設有複數的噴嘴223、224。氣體供給管251與氣體供給管261是如後述般供給不同的種類的氣體。噴嘴223、噴嘴224是以上下的關係或橫向排列的關係配置。在本形態中，亦將氣體供給管251及氣體供給管261總稱為氣體供給管221。各噴嘴是亦稱為氣體噴出部。
分配部225是被構成為從氣體供給管251供給至噴嘴223，從氣體供給管261供給至噴嘴224。例如，按各個的氣體供給管與噴嘴的組合，構成氣體所流動的路徑。藉由設為如此，從各氣體供給管供給的氣體無混合的情形，因此可抑制在分配部225氣體混合而造成的微粒的產生。
上游側整流部214是具有框體227及區劃板226。區劃板226之中，與基板S對向的部分是以至少比基板S的直徑更大的方式，延伸於水平方向。在此所謂的水平方向是表示框體227的側壁方向。區劃板226是複數配置於鉛直方向。區劃板226是固定於框體227的側壁，被構成為氣體不會超過區劃板226而移動至下方或上方的鄰接區域。藉由設為不會超過，可確實地形成後述的氣流。
區劃板226是無孔的連續的構造。各個的區劃板226是被設在對應於基板S的位置。在區劃板226之間或區劃板226與框體227之間是設有噴嘴223、噴嘴224。
從噴嘴223、噴嘴224噴出的氣體是藉由區劃板226來整理氣流，被供給至基板S的表面。區劃板226是被延伸於水平方向，且為無孔的連續構造，因此氣體的主流是往鉛直方向的移動會被抑制，被移動於水平方向。因此，可使到達至各個的基板S的氣體的壓力損失在鉛直方向形成均一。
下游側整流部215是基板S被支撐於基板支撐部300的狀態中，被構成為頂部比被配置於最上位的基板S更高，被構成為底部比被配置於基板支撐部300最下位的基板S更低。
下游側整流部215是具有框體231與區劃板232。區劃板232之中，與基板S對向的部分是以至少比基板S的直徑更大的方式，延伸於水平方向。在此所謂的水平方向是表示框體231的側壁方向。進一步，區劃板232是複數配置於鉛直方向。區隔板232是被固定於框體231的側壁，被構成為氣體不會超過區劃板232而移動至下方或上方的鄰接區域。藉由設為不會超過，可確實地形成後述的氣流。框體231之中，在與氣體排氣構造213接觸的側是設有凸緣233。
區劃板232是無孔的連續的構造。區劃板232是被設在分別對應於基板S的位置，分別對應於區劃板226的位置。對應的區劃板226與區劃板232最好是同等的高度。進一步，處理基板S時，最好使基板S的高度與區劃板226、區劃板232的高度一致。藉由設為如此的構造，從各噴嘴供給的氣體是如圖中的箭號般，形成通過區劃板226上、基板S、區劃板232上的流動。此時，區劃板232是被延伸於水平方向，且為無孔的連續構造。藉由設為如此的構造，可使從各個的基板S上排出的氣體的壓力損失形成均一。因此，通過各基板S的氣體的氣流是一面往鉛直方向的流動會被抑制，一面朝向排氣構造213而被形成於水平方向。
藉由設置區劃板226與區劃板232，可在各個的基板S的上游、下游分別使壓力損失在鉛直方向形成均一，因此從區劃板226到基板S上、區劃板232，可確實地形成往鉛直方向的流動會被抑制的水平的氣流。
氣體排氣構造213是被設在下游側整流部215的下游。氣體排氣構造213是主要以框體241及氣體排氣管連接部242所構成。框體241之中，在下游側整流部215側是設有凸緣243。氣體排氣構造213是以金屬所構成，下游側整流部215是以石英所構成，因此隔著O型環等的緩衝材來以螺絲等固定凸緣233與凸緣243。最好凸緣243是被配置於加熱器211的外側，而使能抑制加熱器211對於O型環的影響。
氣體排氣構造213是與下游側整流部215的空間連通。框體231與框體241是高度連續的構造。框體231的頂部是被構成與框體241的頂部同等的高度，框體231的底部是被構成與框體241的底部同等的高度。
氣體排氣構造213是區劃板不存在的構造。因此，氣體排氣構造213是亦稱為無障害物的排氣緩衝構造。氣體排氣構造213之中，在氣流的下游側是設有排氣孔244。在框體241的外側，對應於排氣孔244之處是設有氣體排氣管連接部242。在水平方向，從氣體排氣管連接部244到基板S的下游側的邊緣的距離是被配置為比從各噴嘴的前端到基板S的上游側的邊緣的距離更長。
通過下游側整流部215的氣體是從排氣孔244排氣。此時，因為氣體排氣構造是無區劃板之類的構成，所以包含鉛直方向的氣流會朝向氣體排氣孔而形成。
其次，說明在下游側整流部215的下游側設置排氣緩衝構造215的理由。如上述般，藉由區劃板232，可使鉛直方向的壓力損失某程度形成均一，但隨著接近排氣孔242，可想像容易受到排氣泵284的影響，氣體會被拉至排氣孔側，壓力損失形成不均一。如此一來，有在鉛直方向無法均一地處理基板S的憂慮。
於是，設置下游側整流部215，緩和鉛直方向的氣流。具體而言，雖從區劃板232上移動至排氣緩衝構造215的氣體是從排氣孔244排氣，但由於排氣孔244是被配置於離區劃板232預定距離的位置，因此該部分氣體會流動於水平方向。此預定距離是例如在區劃板232上可形成水平的氣流的距離。由於其間水平方向的氣流的影響大，因此相較於在區劃板232之後緊接著設有排氣孔244的情況，鉛直方向的氣流是被緩和。
由於在區劃板232上鉛直方向的力的影響變少，因此壓力損失會成為均一，其結果在區劃板232上可形成水平的氣流。因此，被配置於鉛直方向複數的基板S上可將壓力損失設為一定，可進行更均一的處理。
移載室217是經由集合管216來設置於反應管210的下部。在移載室217是進行經由基板搬入口149來藉由真空搬送機械手臂180將基板S載置(搭載)於基板支撐具(以下亦有簡稱晶舟的情況)300，或藉由真空搬送機械手臂180從基板支撐具300取出基板S。
在移載室217的內部是可容納基板支撐具300、隔板支撐部310、及將基板支撐具300與隔板支撐部310(將該等合併稱為基板保持具)驅動於上下方向與旋轉方向之構成第1驅動部的上下方向驅動機構部400。在圖4中，基板保持具300是藉由上下方向驅動機構部400來上昇，顯示被容納於反應管內的狀態。
其次，利用圖4、圖5來說明基板支撐部的詳細。 基板支撐部是至少以基板支撐具300所構成，在移載室217的內部經由基板搬入口149來藉由真空搬送機械手臂180進行基板S的轉移，或將轉移後的基板S搬送至反應管210的內部而進行在基板S的表面形成薄膜的處理。另外，亦可思考在基板支撐部中包含隔板支撐部310。
隔板支撐部310是複數片的圓板狀的隔板314會以預定的間距來被固定於基部311與頂板312之間所支撐的支柱313。基板支撐具300是複數的支撐桿(rod)315會被支撐於基部301，具有藉由此複數的支撐桿315來以預定的間隔支撐複數的基板S的構成。
在基板支撐具300是藉由被支撐於基部301的複數的支撐桿315來以預定的間隔載置複數的基板S。藉由此支撐桿315而被支撐的複數的基板S之間是藉由圓板狀的隔板314來隔開，該圓板狀的隔板314是以預定間隔來固定(支撐)於被隔板支撐部310支撐的支柱313。在此，隔板314是被配置於基板S的上部及下部的任一者或雙方。
被載置於基板支撐具300的複數的基板S的預定的間隔是與被固定於隔板支撐部310的隔板314的上下的間隔相同。並且，隔板314的直徑是形成比基板S的直徑更大。
晶舟300是以複數的支撐桿315來將複數片例如5片的基板S多段地支撐於鉛直方向。基部301及複數的支撐桿315是例如以石英或SiC等的材料所形成。另外，在此是表示在晶舟300支撐5片的基板S的例子，但不限於此。例如，亦可構成能夠將基板S支撐5~50片程度的晶舟300。另外，隔板支撐部310的隔板314是亦稱為隔離器(separator)。
隔板支撐部310及基板支撐具300是藉由上下方向驅動機構部400來驅動於反應管210與移載室217之間的上下方向、及繞著被支撐於基板支撐具300的基板S的中心的旋轉方向。
構成第1驅動部的上下方向驅動機構部400是具備：上下驅動用馬達410、及旋轉驅動用馬達430作為驅動源、以及晶舟上下機構420，該晶舟上下機構420是具備作為將基板支撐具300驅動於上下方向的基板支撐具昇降機構的線性促動裝置。
作為隔板支撐部昇降機構的上下驅動用馬達410是藉由旋轉驅動滾珠螺桿411，使螺合於滾珠螺桿411的螺帽412沿著滾珠螺桿411而移動於上下。藉此，隔板支撐部310及基板支撐具300會與固定螺帽412的基底板402一起在反應管210與移載室217之間被驅動於上下方向。基底板402是在與引導軸414卡合的滾珠導筒(ball guide)415也被固定，成為可沿著引導軸414來順暢地移動於上下方向的構成。滾珠螺桿411及引導軸414的上端部及下端部是分別被固定於固定板413與416。
旋轉驅動用馬達430及具備線性促動裝置的晶舟上下機構420是構成第2驅動部，被固定於作為蓋體的基底凸緣(base flange)401，該蓋體是以側板403來被基底板402支撐。
旋轉驅動用馬達430是驅動與安裝於前端部的齒部431卡合的旋轉傳達皮帶432，將與旋轉傳達皮帶432卡合的支撐具440旋轉驅動。支撐具440是以基部311來支撐隔板支撐部310，經由旋轉傳達皮帶432來以旋轉驅動用馬達430驅動，藉此使隔板支撐部310及晶舟300旋轉。
具備線性促動裝置的晶舟上下機構420是使軸421驅動於上下方向。在軸421的前端部分是安裝有板422。板422是經由軸承423來與被固定於晶舟300的基部301的支撐部441連接。藉由支撐部441經由軸承423來與板422連接，在以旋轉驅動用馬達430來旋轉驅動隔板支撐部310時，晶舟300也可與隔板支撐部310一起旋轉。
另一方面，支撐部441是經由線性引導軸承442來被支撐於支撐具440。藉由如此的構成，以具備線性促動裝置的晶舟上下機構420來將軸421驅動於上下方向時，對於被固定於隔板支撐部310的支撐具440，可將被固定於晶舟300的支撐部441相對地驅動於上下方向。
被固定於隔板支撐部310的支撐具440與被固定於晶舟300的支撐部441之間是以真空波紋管443連接。
在作為蓋體的基底凸緣401的上面是設置有真空密封用的O型環446，如圖3所示般，藉由使以上下驅動用馬達410所驅動的基底凸緣401的上面上昇至碰到移載室217，可氣密地保持反應管210的內部。
接著，利用圖6來詳細說明氣體供給系。 如圖6(a)所記載般，在氣體供給管251是從上游方向依序設有第一氣體源252、流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)253、及開閉閥的閥254。
第一氣體源252是含有第一元素的第一氣體(亦稱為「含第一元素氣體」)源。含第一元素氣體是原料氣體亦即處理氣體之一。在此，第一元素是例如矽(Si)。具體而言，六氯二矽烷(Si 2Cl 6，簡稱：HCDS)氣體，一氯矽烷(SiH 3Cl，簡稱：MCS)氣體，二氯矽烷(SiH 2Cl 2，簡稱：DCS)，三氯矽烷(SiHCl 3，簡稱：TCS)氣體，四氯矽烷(SiCl 4，簡稱：STC)氣體，八氯三矽烷(Si 3Cl 8，簡稱：OCTS)氣體等的含有Si-Cl結合的氯矽烷原料氣體。
主要藉由氣體供給管251、MFC253、閥254來構成第一氣體供給系250(亦稱為含矽氣體供給系)。
供給管251之中，在閥254的下游側是連接氣體供給管255。在氣體供給管255是從上游方向依序設有惰性氣體源256、MFC257、及開閉閥的閥258。從惰性氣體源256是供給惰性氣體例如氮(N 2)氣體。
主要藉由氣體供給管255、MFC257、閥258來構成第一惰性氣體供給系。從惰性氣體源256供給的惰性氣體是在基板處理工序中，作為淨化停留於反應管210內的氣體的淨化氣體作用。亦可將第一惰性氣體供給系加在第一氣體供給系250中。
如圖6(b)所記載般，在氣體供給管261是從上游方向依序設有第二氣體源262、流量控制器(流量控制部)的MFC263、及開閉閥的閥264。
第二氣體源262是含有第二元素的第二氣體(以下亦稱為「含第二元素氣體」)源。含第二元素氣體是處理氣體之一。另外，含第二元素氣體是亦可思考作為反應氣體或改質氣體。
在此，含第二元素氣體是含有與第一元素不同的第二元素。第二元素是例如為氧(O)、氮(N)、碳(C)的任一者。在本形態中，含第二元素氣體是例如含氮氣體。具體而言，氨(NH 3)、二亞胺(N 2H 2)氣體、肼(N 2H 4)氣體、N 3H 8氣體等的含有N-H結合的氮化氫系氣體。
主要藉由氣體供給管261、MFC263、閥264來構成第二氣體供給系260。
供給管261之中，在閥264的下游側是連接氣體供給管265。在氣體供給管265是從上游方向依序設有惰性氣體源266、MFC267、及開閉閥的閥268。從惰性氣體源266是供給惰性氣體、例如氮(N 2)氣體。
主要藉由氣體供給管265、MFC267、閥268來構成第二惰性氣體供給系。從惰性氣體源266供給的惰性氣體是在基板處理工序中，作為淨化停留於反應管210內的氣體的淨化氣體作用。亦可將第二惰性氣體供給系加在第二氣體供給系260中。
如圖6(c)記載般，氣體供給管271是被連接至移載室217。在氣體供給管271是從上游方向依序設有第三氣體源272、流量控制器(流量控制部)的MFC273、及開閉閥的閥274。氣體供給管271是被連接至移載室217。將移載室217設為惰性氣體氛圍，或將移載室217設為真空狀態時，供給惰性氣體。
第三氣體源272是惰性氣體源。主要藉由氣體供給管271、MFC273、閥274來構成第三氣體供給系270。第三氣體供給系是亦成為移載室供給系。，
接著，利用圖7說明排氣系。 將反應管210的氛圍排氣的排氣系280是具有與反應管210連通的排氣管281，經由排氣管連接部242來連接至框體241。
如圖7(a)記載般，排氣管281是經由作為開閉閥的閥282、作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥283來連接作為真空排氣裝置的真空泵284，被構成為可真空排氣，而使反應管210內的壓力會成為預定的壓力(真空度)。排氣系280是亦稱為處理室排氣系。
將移載室217的氛圍排氣的排氣系290是被連接至移載室217，且具有與其內部連通的排氣管291。
排氣管291是經由作為開閉閥的閥292、APC閥293來連接作為真空排氣裝置的真空泵294，被構成為可真空排氣，而使移載室217內的壓力成為預定的壓力(真空度)。排氣系290是亦稱為移載室排氣系。
接著利用圖8來說明控制器。基板處理裝置100是具有控制基板處理裝置100的各部的動作的控制器600。
將控制器600的概略顯示於圖6。控制部(控制手段)即控制器600是被構成為具備CPU(Central Processing Unit)601、RAM(Random Access Memory)602、作為記憶部的記憶部603、及I/O埠604的電腦。RAM602、記憶部603、I/O埠604是被構成為可經由內部匯流排605來與CPU601交換資料。基板處理裝置100內的資料的收發訊號是藉由亦為CPU601的一個機能的收發訊號指示部606的支持來進行。
在控制器600是設有經由網路來連接至上位裝置670的網路收發訊號部683。網路收發訊號部683是可從上位裝置接收有關被容納於晶圓盒111的基板S的處理履歴或預定處理的資訊等。
記憶部603是例如以快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。在記憶部603內是可讀出地儲存有控制基板處理裝置的動作的控制程式或記載有基板處理的程序或條件等的製程處方等。
另外，製程處方是使後述的基板處理工序的各程序實行於控制器600，被組合成可取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦可將此製程處方或控制程式等總簡稱為程式。另外，在本說明書中使用稱為程式的用詞時，是有只包含製程處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。又，RAM602是被構成為暫時性地保持藉由CPU601所讀出的程式或資料等的記憶區域(工作區域)。
I/O埠604是被連接至基板處理裝置100的各構成。
CPU601是被構成為讀出來自記憶部603的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置681的操作指令的輸入等，從記憶部603讀出製程處方。然後，CPU601是被構成為可按照被讀出的製程處方的內容，控制基板處理裝置100。
CPU601是具有收發訊號指示部606。控制器600是利用儲存上述的程式的外部記憶裝置(例如硬碟等的磁碟、DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體)682來將程式安裝於電腦等，藉此構成本形態的控制器600。另外，用以將程式供給至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置682來供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專線等的通訊手段，不經由外部記憶裝置682來供給程式。另外，記憶部603或外部記憶裝置682是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將該等總簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中，使用稱為記錄媒體的用詞時，是有只包含記憶部603單體時，只包含外部記憶裝置682單體時，或只包含其雙方時。
其次，說明有關利用上述的構成的模組200在基板S上形成薄膜的工序，作為半導體製造工序的一工序。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作是藉由控制器600來控制。
在此，利用圖9說明有關使用第一氣體及第二氣體，藉由交替供給該等，在基板S上形成膜的成膜處理。
(S202) 說明移載室壓力調整工序S202。在此，將移載室217內的壓力設為與真空搬送室140同水準的壓力。具體而言，使排氣系290作動，將移載室217的氛圍排氣，而使移載室217的氛圍成為真空水準。如前述般，由於移載室217的容積比以往更小，因此將氛圍排氣時的時間會被縮短。
(S204) 接著說明搬入工序S204。 一旦移載室217成為真空水準，則開始基板S的搬送。一旦基板S到達真空搬送室140，則將與基板搬入口149鄰接的未圖示的閘閥解放，真空搬送機械手臂180將基板S搬入至移載室217。
此時基板支撐具300是在移載室217中待機，基板S是被移載至基板支撐具300。一旦預定片數的基板S被移載至基板支撐具300，則使真空搬送機械手臂180退避至框體141，且使基板支撐具300上昇，使基板S移動至反應容器210中。
往反應容器210的移動是以基板S的表面會與區劃板226、區劃板232的高度一致的方式定位。
(S206) 說明加熱工序S206。一旦在反應管210內搬入基板S，則將反應管210內控制成為預定的壓力，且控制基板S的表面溫度成為預定的溫度。溫度是例如室溫以上，700℃以下，理想是室溫以上，550℃以下。壓力是例如可思考設為50~5000Pa。
(S208) 說明膜處理工序S208。在加熱工序S206之後，進行S208的膜處理工序。在膜處理工序S208中，按照製程處方，控制第一氣體供給系，將第一氣體供給至反應管210，且控制排氣系，將處理空間排氣，進行膜處理。另外，在此是亦可控制第二氣體供給系，使第二氣體與第一氣體同時存在於處理空間，進行CVD處理，或交替供給第一氣體及第二氣體，進行交替供給處理。並且，將第二氣體設為電漿狀態處理時，亦可使用未圖示的電漿產生部設為電漿狀態。
作為膜處理方法的具體例的交替供給處理是可思考其次的方法。例如在第一工序，將第一氣體供給至反應管210，在第二工序，將第二氣體供給至反應管210，作為淨化工序，在第一工序與第二工序之間供給惰性氣體，且將反應管210的氛圍排氣，進行將第一工序、淨化工序及第二工序的組合進行複數次的交替供給處理，形成含Si膜。
被供給的氣體是在上游側整流部214、基板S上的空間、下游側整流部214形成氣流。此時，由於氣體會在各基板S上無壓力損失的狀態下被供給至基板S，因此可在各基板S間進行均一的處理。
(S210) 說明基板搬出工序S210。在S210中，以和上述的基板搬入工序S204相反的程序，將處理完了的基板S往移載室217外搬出。
(S212) 說明判定S212。在此判定是否預定次數處理了基板。若判斷成未處理預定次數，則回到搬入工序S204，處理其次的基板S。若判斷成處理了預定次數，則結束處理。
另外，上述是在氣流的形成中表現成水平，但只要全體在水平方向形成氣體的主流即可，只要是不影響複數的基板的均一處理的範圍，亦可為在垂直方向擴散的氣流。
又，上述是表現同程度、同等、相等等，但當然該等是包含實質相同者。
(其他的形態) 以上，具體地說明了本形態，但不是被限定於此，可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
又，例如，在上述的形態中，舉在基板處理裝置所進行的成膜處理中，在基板S上使用第一氣體及第二氣體來形成膜的情況為例，但本形態不被限定於此。亦即，使用其他的種類的氣體作為用在成膜處理的處理氣體，而形成其他的種類的薄膜也無妨。進一步，即使是使用3種類以上的處理氣體的情況，只要交替地供給該等來進行成膜處理，便可適用本形態。具體而言，作為第一元素是例如亦可為鈦(Ti)、矽(Si)、鋯(Zr)、鉿(Hf)等各種的元素。又，作為第二元素是例如亦可為氮(N)、氧(O)等。
又，例如，在上述的形態中，舉成膜處理為例，作為基板處理裝置所進行的處理，但本形態是不被限定於此。亦即，本形態是除了在各實施形態所舉例的成膜處理以外，在各實施形態所舉例說明的薄膜以外的成膜處理也可適用。又，基板處理的具體的內容不問，不僅成膜處理，在進行退火處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影蝕刻(lithography)處理等的其他的基板處理時也可適用。進一步，本形態是在其他的基板處理裝置，例如退火處理裝置、蝕刻裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿的處理裝置等的其他的基板處理裝置也可適用。又，本形態是亦可該等的裝置混在。又，可將某實施形態的構成的一部分置換成其他的實施形態的構成，又，亦可在某實施形態的構成中加諸其他的實施形態的構成。又，亦可針對各實施形態的構成的一部分，進行其他的構成的追加、削除、置換。
又，例如，上述的形態是在Y1側配置排氣部，在Y2側配置供給部，但本形態是亦可例如在Y1側設置供給部，在Y2側設置排氣部。此情況，例如在圖1中，將各構成置換成其次般。
作為配置配管區域的排氣管配置區域228是被置換成可配置供給管的供給管配置區域。此時，亦將供給管配置區域稱為配置配管區域。 進一步，氣體排氣部是對於基板處理裝置的長邊方向(Y方向)的軸傾斜，被配置於不與框體141重疊的位置。
本形態是設為在圖1中置換成其次般的構成。具體而言，將排氣構造213置換成供給構造212，將下游側整流部215置換成上游側整流部214，將排氣管281置換成供給管221。此時，各個的供給管221(供給管221a、221b)是從真空搬送室140朝向側方延伸。
進一步，設為將圖1的上游側整流部214置換成下游側整流部215，將供給構造212置換成排氣構造213，將供給管221置換成排氣管281的構成。
如以上般，亦可在Y1側設置供給部，在Y2側設置排氣部，在該等的構造中亦可實現與上述形態同樣的效果。
S:基板 100:基板處理裝置 200:模組 600:控制器
[圖1]是表示本案的一形態的基板處理裝置的概略構成例的說明圖。 [圖2]是表示本案的一形態的基板處理裝置的概略構成例的說明圖。 [圖3]是說明本案的一形態的基板處理裝置的外觀例的說明圖。 [圖4]是表示本案的一形態的基板處理裝置的概略構成例的說明圖。 [圖5]是說明本案的一形態的基板支撐部的說明圖。 [圖6]是說明本案的一形態的氣體供給系的說明圖。 [圖7]是說明本案的一形態的氣體排氣系的說明圖。 [圖8]是說明本案的一形態的基板處理裝置的控制器的說明圖。 [圖9]是說明本案的一形態的的基板處理流程的流程圖。
100:基板處理裝置
110:IO平台(裝載埠)
111:晶圓盒
120:大氣搬送室
121:框體
122:大氣搬送機械手臂
128:基板搬出入口
130:裝載鎖定室
131,131a,131b:框體
133:基板搬出入口
134:閘閥
140:搬送室
141:框體
142,143,144,145,146:壁
147:凸緣
149,149a,149b:搬出入口
180:真空搬送機械手臂
181:臂
182:末端作用器(end effector)
200,200a,200b:模組
201,201a,201b:框體
202,202a,202b:壁
203,203a,203b:壁
204,204a,204b:壁
205,205a,205b:壁
210,210a,210b:反應管
214,214a,214b:上游側整流部
221,221a,221b:供給管
212(212a):氣體供給構造
213,213a,213b:排氣構造
215,215a,215b:下游側整流部
228,228a,228b:排氣管配置區域
281,281a,281b:排氣管
500(500a):設備箱
510(510a):氣體盒
600:控制器
C:視線
S:基板

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具有：模組，其係具備：具有上游側整流部及供給構造的氣體供給部，及連通至前述供給部的反應管，以及被設在與前述上游側整流部對向的位置，具有下游側整流部及排氣構造的氣體排氣部；供給管，其係被連接至前述供給部；排氣管，其係被連接至前述排氣部；搬送室，其係與複數的前述模組鄰接；及配管配置區域，其係前述搬送室的側方且與前述模組鄰接，可配置前述供給管或前述排氣管，前述反應管係於前述基板處理裝置的長邊方向的軸上被配置於與前述搬送室重疊的位置，當前述供給管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體排氣部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置，當前述排氣管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體供給部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，具備被配置於前述反應管的下方的移載室，前述搬送室為真空搬送室，前述移載室係連接將前述移載室的氛圍設為真空狀態的移載室排氣系，前述移載室為可與前述真空搬送室連通 的構成。
  3. 如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述下游側整流部係被構成為與前述反應管鄰接，前述排氣構造係被構成為被配置於前述下游側整流部的下游。
  4. 如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述下游側整流部係以熱透過性構件所構成，前述排氣構造係以金屬所構成。
  5. 如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係具備在上游側連接前述氣體供給管的分配部，前述分配部與前述排氣構造係被設為對向。
  6. 如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述下游側整流部的頂部係被構成為比支撐複數的前述基板的晶舟之中被配置於最上位的前述基板更高，底部係被構成為比前述晶舟之中被配置於最下位的前述基板更低，前述排氣構造的頂部為在前述下游側整流部的頂部連續的構造，前述排氣構造的底部為在前述下游側整流部的底部連續的構造。
  7. 如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述下游側整流部係於鉛直方向配置有複數的區劃板，前述排氣構造係被構成為從頂部到前述底部無障害物的排氣緩衝構造。
  8. 如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述下游側整流部係配置有複數的區劃板，前述區劃板係 被構成為在與前述基板對向的方向延伸於水平方向。
  9. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體供給部係具有氣體噴出部，從前述基板的邊緣到前述排氣管的連接位置的距離係被構成為比從前述氣體噴出部的前端到前述基板的邊緣的距離更長。
  10. 如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述排氣管係被設在前述排氣構造的側方。
  11. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，在前述配管配置區域配置前述供給管時，各個的前述供給管係從前述搬送室朝向側方延伸，在前述配管配置區域配置前述排氣管時，各個的前述排氣管係從前述搬送室朝向側方延伸。
  12. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，具備容納前述反應管的反應管容納室，排氣管配置區域係藉由框體所構成，在前述框體的上部與前述反應管容納室鄰接，在前述框體的下部與前述搬送室鄰接，前述排氣管係被構成為從前述上部到前述下部延伸。
  13. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述配管配置區域係被構成為前述搬送室側會被解放。
  14. 如請求項1記載的基板處理裝置，其 中，前述配管配置區域係被構成為隔著前述搬送室而鄰接。
  15. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述模組係具備斜壁，在配置複數個前述模組時，各個的前述模組的前述斜壁係以構成鈍角的方式鄰接而構成凹部，前述搬送室的凸部係被構成為嵌合於前述凹部。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為具有：將基板搬入至反應管的工序；及一面從氣體供給部供給氣體至前述反應管內，一面從前述反應管將前述氣體排氣，而處理前述基板的工序，該基板處理裝置係具有：模組，其係具備：具有上游側整流部及供給構造的氣體供給部，及連通至前述供給部的反應管，以及被設在與前述上游側整流部對向的位置，具有下游側整流部及排氣構造的氣體排氣部；供給管，其係被連接至前述供給部；排氣管，其係被連接至前述排氣部；搬送室，其係與複數的前述模組鄰接；及配管配置區域，其係前述搬送室的側方且與前述模組鄰接，可配置前述供給管或前述排氣管，前述反應管係於前述基板處理裝置的長邊方向的軸上被配置於與前述搬送室重疊的位置， 當前述供給管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體排氣部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置，當前述排氣管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體供給部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置。
  17. 一種藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置的程式，將基板搬入至反應管的程序；及一面從氣體供給部供給氣體至前述反應管內，一面從前述反應管將前述氣體排氣，而處理前述基板的程序，該基板處理裝置係具有：模組，其係具備：具有上游側整流部及供給構造的氣體供給部，及連通至前述供給部的反應管，以及被設在與前述上游側整流部對向的位置，具有下游側整流部及排氣構造的氣體排氣部；供給管，其係被連接至前述供給部；排氣管，其係被連接至前述排氣部；搬送室，其係與複數的前述模組鄰接；及配管配置區域，其係前述搬送室的側方且與前述模組鄰接，可配置前述供給管或前述排氣管，前述反應管係於前述基板處理裝置的長邊方向的軸上被配置於與前述搬送室重疊的位置，當前述供給管被配置於前述配管配置區域時，前述氣 體排氣部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置，當前述排氣管被配置於前述配管配置區域時，前述氣體供給部係被構成為對於前述軸傾斜，被配置於不與前述搬送室重疊的位置。
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