TW202403087A - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents
基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202403087A TW202403087A TW112104902A TW112104902A TW202403087A TW 202403087 A TW202403087 A TW 202403087A TW 112104902 A TW112104902 A TW 112104902A TW 112104902 A TW112104902 A TW 112104902A TW 202403087 A TW202403087 A TW 202403087A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- container
- moving part
- transfer
- container moving
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 548
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 239
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 347
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 90
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 30
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 143
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 130
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 95
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明提供一種技術，其具備有：第一容器移動部，其可移動容器；第二容器移動部，其被配置於與前述第一容器移動部不同之位置，而可移動前述容器；複數個製程模組，其等可處理前述容器內之基板；基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板；基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組；第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及控制部。
Description
本技術係關於一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
具備有複數個處理基板之處理室的基板處理裝置已眾所周知(例如，參照日本專利特開2021-158351號公報)。
在日本專利特開2021-158351號公報中，以一台移載機對複數個晶舟移載基板。
(發明所欲解決之問題)
在市場中，要求提高基板處理裝置之產能。
本發明提供一種藉由構成為搬送收容有基板之容器而可達成低成本化與產能提高之技術。
(解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種技術，其具備有：
第一容器移動部，其可移動容器；
第二容器移動部，其被配置於與前述第一容器移動部不同之位置，而可移動前述容器；
複數個製程模組，其等可處理前述容器內之基板；
基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板；
基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組；
第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及
控制部。
(對照先前技術之功效)
根據本發明，藉由構成為搬送收容有基板之容器，而可達成低成本化與產能提高。
以下，針對本發明之一實施形態，參照圖式進行說明。
此外，以下之說明中所使用之圖式皆為示意性者，圖式上之各要素的尺寸關係、各要素的比率等未必與現實一致。又，即便在複數個圖式彼此間，各要素的尺寸關係、各要素的比率等亦未必一致。
＜第一實施形態＞
(1)基板處理裝置之構成
使用圖1、圖2說明本發明之第一實施形態之基板處理裝置之概略構成。圖1係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成例的橫剖視圖。圖2係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成例，且係圖1之α-α線的縱剖視圖。
在圖1及圖2中，本實施形態之基板處理裝置100為處理作為基板之基板S者。該基板處理裝置100主要由裝載埠110、第一容器移動部120、第二容器移動部180、基板搬送部140、第三容器移動部160及作為製程模組之一例的反應器200構成。
此外，以下，為了便於說明，在圖1中，將以基板處理裝置100之箭頭FR表示之方向稱為基板處理裝置100之前方(前側)，將與箭頭FR相反方向稱為基板處理裝置100之後方(後側)，將以箭頭UP表示之方向稱為基板處理裝置100之上方(上側)，將與箭頭UP相反方向稱為下方(下側)。又，在圖2中，將以基板處理裝置100之箭頭LF表示之方向稱為基板處理裝置100之左方(左側)，將與箭頭LF相反方向稱為右方(右側)。又，有時亦將基板處理裝置100之前方(前側)、後方(後側)、上方(上側)、下方(下側)、左方(左側)、右方(右側)僅稱為前方(前側)、後方(後側)、上方(上側)、下方(下側)、左方(左側)、右方(右側)。此外，可將基板處理裝置100之左右方向改稱為寬度方向或橫向方向，可將基板處理裝置100之前後方向改稱為深度方向，可將基板處理裝置100之上下方向改稱為高度方向。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置100在前方配置有裝載埠110及第一容器移動部120，在後方配置有第二容器移動部180。在第一容器移動部120與第二容器移動部180之間，配置有基板搬送部140、第三容器移動部160及複數個反應器200。具體而言，基板搬送部140在基板處理裝置100之寬度方向中央側配置於基板處理裝置100之下方。另一方面，第三容器移動部160在基板處理裝置100之寬度方向中央側配置於基板處理裝置100之上方。此外，在本實施形態中，在基板搬送部140之上方配置有第三容器移動部160。又，複數個反應器200分別配置於基板搬送部140之寬度方向兩側。在本實施形態中，作為一例，在基板搬送部140之寬度方向一側(左側)配置有5個反應器200，在寬度方向另一側(右側)配置有5個反應器200。此外，在個別地指定反應器200時，將左側之反應器200自前方起依序稱為200a、200b、200c、200d、200e，將右側之反應器200自前方起依序稱為200f、200g、200h、200i、200j。
又，裝載埠110、第一容器移動部120、第二容器移動部180、基板搬送部140及反應器200分別固定於地板101。
其次，針對基板處理裝置100之各構成具體地進行說明。此外，基板處理裝置100之各部位之動作係由作為後述之控制部之一例的控制器400所控制。
(裝載埠)
如圖1所示，裝載埠110設置於基板處理裝置100之近前(前方)。在裝載埠110上設置有複數個支撐台111。在支撐台111上搭載有作為容器之一例的收納容器102。該收納容器102為可收容矽(Si)基板等之基板S的容器。該收納容器102有時被稱為FOUP、匣盒等。
(第一容器移動部)
如圖1所示，第一容器移動部120在裝載埠110之後方鄰接於裝載埠110。又，第一容器移動部120在與裝載埠110相反側，與反應器200鄰接。具體而言，第一容器移動部120係與反應器200a及反應器200f鄰接。
第一容器移動部120構成為可移動收納容器102。具體而言，第一容器移動部120為在裝載埠110、基板搬送部140及第三容器移動部160之間使收納容器102移動(搬送)的部分。該第一容器移動部120亦稱為前側容器移動部、前側大氣搬送室。
第一容器移動部120具有框體121。框體121內為搬送收納容器102之搬送空間122。
在框體121之前側，設置有用於將收納容器102自裝載埠110至框體121內進行搬入搬出之搬入搬出口112。搬入搬出口112係由閘門129而被開閉。
在框體121之後側之下部，設置有用於將收納容器102自框體121內至基板搬送部140之框體141內進行搬入搬出之搬入搬出口128。在搬入搬出口128設置有打開收納容器102之蓋的開啟器145。此外，開啟器145被設置於基板搬送部140側。
在框體121之後側之上部，設置有用於將收納容器102自框體121內至第三容器移動部160所配置之外部進行搬入搬出之搬入搬出口126。
又，第一容器移動部120具備有升降機123、機器人124、作為第一容器台之一例的台125、及作為第二容器台之一例的台127。將機器人124與升降機123彙總而構成前側容器搬送部。前側容器搬送部為本發明之第一容器搬送部之一例。
升降機123構成為可在上下方向移動。在升降機123搭載有機器人124。升降機123在上下方向移動，藉此，機器人124亦在上下方向移動。此處，在機器人124保持收納容器102之情形時，藉由升降機123在上下方向之移動，收納容器102亦與機器人124一起地在上下方向移動。又，升降機123構成為，機器人124在上方之台125載置收納容器102，而可上升至能自台125收取收納容器102的高度。另一方面，升降機123構成為，機器人124在下方之台127載置收納容器102，而可下降至能自台127收取收納容器102的高度。
機器人124搭載於升降機123，且具有保持收納容器102之功能。機器人124與升降機123一起移動，在支撐台111、台125及台127之間搬送收納容器102。機器人124具備固定於升降機123之固定部124a、設置於固定部124a之旋轉部124b、及設置於旋轉部124b之支撐部124c。旋轉部124b可將上下方向作為軸而進行旋轉。支撐部124c為支撐收納容器102之部分。藉由該旋轉部124b旋轉而使支撐部124c在水平方向旋轉移動。藉由該構成，可在支撐台111、台125及台127之間搬送收納容器102。
台125為支撐收納容器102之台，鄰接於第三容器移動部160。具體而言，台125被配置於搬入搬出口126之附近，經由搬入搬出口126而鄰接於第三容器移動部160，且為在第一容器移動部120與第三容器移動部160之間交接收納容器102時(移載時)載置之台。
台127為支撐收納容器102之台，鄰接於基板搬送部140。具體而言，台127被配置於搬入搬出口128之附近，經由搬入搬出口128而鄰接於基板搬送部140，且為在第一容器移動部120與基板搬送部140之間交接收納容器102內之基板S時(移載時)載置之台。
又，在台127，以收納容器102之蓋朝向基板搬送部140之方式載置收納容器102。換言之，收納容器102以蓋朝向後方之方式被配置於台127。
又，第一容器移動部120之各部位的動作係由控制器400所控制。作為一例，控制器400可控制升降機123及機器人124，以將由裝載埠110支撐之收納容器102移動至台125或台127。即，由控制器400控制之升降機123及機器人124係使由裝載埠110支撐之收納容器102移動至台125或台127。
(第二容器移動部)
如圖1所示，第二容器移動部180在反應器200之後方鄰接於反應器200。具體而言，第二容器移動部180係與反應器200e及反應器200j鄰接。
第二容器移動部180被配置於與第一容器移動部120不同之位置。具體而言，第二容器移動部180被配置於在前後方向與第一容器移動部120相對向之位置，換言之，較第一容器移動部120更後方之位置。
又，第二容器移動部180構成為可移動收納容器102。具體而言，第二容器移動部180為在基板搬送部140及第三容器移動部160之間使收納容器102移動(搬送)的部分。該第二容器移動部180亦稱為後側容器移動部、後側大氣搬送室。
第二容器移動部180具有框體181。框體181內為搬送收納容器102之搬送空間182。
在框體181之前側之下部，設置有用於將收納容器102自框體181內至基板搬送部140之框體141內進行搬入搬出之搬入搬出口147。在搬入搬出口147設置有打開收納容器102之蓋的開啟器146。而被設置於基板搬送部140側。
在框體181之後側之上部，設置有用於將收納容器102自框體181內至第三容器移動部160所配置之外部進行搬入搬出之搬入搬出口163。
又，第二容器移動部180具有升降機183、機器人184、作為第三容器台之一例之台185、及作為第四容器台之一例之台186。將機器人184與升降機183彙總稱為後側容器搬送部。後側容器搬送部為本發明中之第二容器搬送部之一例。
升降機183構成為可在上下方向移動。在升降機183搭載有機器人184。升降機183在上下方向移動，藉此，機器人184亦在上下方向移動。此處，在機器人184保持收納容器102之情形時，藉由升降機183在上下方向之移動，收納容器102亦與機器人184一起在上下方向移動。又，升降機183構成為，機器人184在上方之台185載置收納容器102，而可上升至能自台185收取收納容器102之高度。另一方面，升降機183構成為，機器人184在下方之台186載置收納容器102，而可下降至能自台186收取收納容器102之高度。
機器人184搭載於升降機183，且具有保持收納容器102之功能。機器人184係與升降機183一起移動，在支撐台111、台185及台186之間搬送收納容器102。機器人184具備固定於升降機183之固定部184a、設置於固定部184a之旋轉部184b、及設置於旋轉部184b之支撐部184c。旋轉部184b可將上下方向作為軸而進行旋轉。支撐部184c為支撐收納容器102之部分。藉由該旋轉部184b旋轉而使支撐部184c在水平方向旋轉移動。藉由該構成，可在支撐台111、台185及台186之間搬送收納容器102。
台185為支撐收納容器102之台，其鄰接於第三容器移動部160。具體而言，台185被配置於搬入搬出口163之附近，經由搬入搬出口163而鄰接於第三容器移動部160，且為在第二容器移動部180與第三容器移動部160之間交接收納容器102時(移載時)載置之台。
台186為支撐收納容器102之台，其鄰接於基板搬送部140。具體而言，台186被配置於搬入搬出口147之附近，經由搬入搬出口147而鄰接於基板搬送部140，且為在第二容器移動部180與基板搬送部140之間交接收納容器102內之基板S時(移載時)載置之台。
又，在台186，以收納容器102之蓋朝向基板搬送部140之方式載置收納容器102。換言之，收納容器102以蓋朝向前方之方式配置於台186。即，台186構成為，被支撐於台186之收納容器102的蓋與被支撐於台127之收納容器102的蓋相對向。
第二容器移動部180之各部位之動作係由控制器400所控制。作為一例，控制器400使第一容器移動部120內之收納容器102經由第三容器移動部160移動至第二容器移動部180。具體而言，利用第三容器移動部160使被支撐於台125之收納容器102移動至台185。其後，控制升降機183及機器人184，以使由台185支撐之收納容器102被台186支撐。
(基板搬送部)
如圖1所示，基板搬送部140被配置於第一容器移動部120與第二容器移動部180之間且下部側。又，在基板搬送部140之寬度方向兩側，分別配置有複數個反應器200。基板搬送部140構成為可與複數個反應器200連通。基板搬送部140為在第一容器移動部120與各反應器200之間搬送收納容器102，且在第二容器移動部180與各反應器200之間搬送收納容器102之部分。該基板搬送部140亦稱為下部搬送室。
基板搬送部140具有框體141。框體141內為搬送收納容器102之搬送空間142。
在框體141之前側，設置有搬入搬出口128，在搬入搬出口128之附近設置有開啟器145。
在框體141之後側，設置有搬入搬出口147，在搬入搬出口147之附近設置有開啟器146。
又，在框體141，後述之搬送機器人144移動。而設置有軌道143。具體而言，軌道143被設置於框體141之下部，在前後方向延伸。換言之，軌道143自搬入搬出口128向搬入搬出口147、或自搬入搬出口147向搬入搬出口128延伸。
在基板搬送部140，設置有作為可將基板S搬送至各反應器200的基板搬送機器人之一例的搬送機器人144。換言之，基板搬送部140在框體141內具備搬送機器人144。又，在本實施形態中，基板搬送部140具備複數個搬送機器人144。
搬送機器人144可在軌道143上沿軌道143移動。該搬送機器人144構成為可搭載複數片基板S。即，搬送機器人144可在搭載(保持)有複數片基板S之狀態下在軌道143上移動，而將基板S搬送至目的之反應器200。
又，在本實施形態中，基板搬送部140具備複數個搬送機器人144。在該複數個搬送機器人144分別設定有負責之反應器200。具體而言，基板搬送部140具備2個搬送機器人144，一搬送機器人144較另一搬送機器人144在軌道143上設置於更前方。以下，將被配置於前側之搬送機器人144稱為前側搬送機器人144a，將被配置於後側之搬送機器人144稱為後側搬送機器人144b。此外，本實施形態之前側搬送機器人144a為本發明中之第一基板搬送機器人之一例，本實施形態之後側搬送機器人144b為本發明中之第二基板搬送機器人之一例。
本實施形態之前側搬送機器人144a負責複數個反應器200之中、被配置於前側之反應器200。具體而言，前側搬送機器人144a負責反應器200a、反應器200b、反應器200f、反應器200g。此外，在本實施形態中，由於在單側各配置5個反應器200，故而位於前後方向之正中間的反應器200c、反應器200h亦由前側搬送機器人144a負責。換言之，前側搬送機器人144a將基板S搬送至該等反應器200a、反應器200b、反應器200c、反應器200f、反應器200g、反應器200h。
本實施形態之後側搬送機器人144b負責複數個反應器200之中、被配置於後側之反應器200。具體而言，後側搬送機器人144b負責反應器200d、反應器200e、反應器200i、反應器200j。換言之，後側搬送機器人144b將基板S搬送至該等反應器200d、反應器200e、反應器200i、反應器200j。
又，在複數個反應器200可分別進行不同之基板處理之情形時，前側搬送機器人144a與後側搬送機器人144b亦可根據反應器200之基板處理的種類而設定搬送區域(負責之反應器200)。
進而，前側搬送機器人144a與後側搬送機器人144b亦可根據反應器200之基板處理的時間而設定搬送區域(負責之反應器200)。
更進一步，於複數個反應器200可分別進行不同之基板處理之情形時，搬送機器人144亦可設定為，在由某反應器200處理基板S之後，移動至不同之反應器(別的反應器)200。
又，如圖3所示，基板搬送部140具備惰性氣體供給部148、及排氣部149。惰性氣體供給部148為將惰性氣體供給至框體141內之構成。藉由惰性氣體被供給至框體141內，搬送空間142成為惰性氣體之環境。又，排氣部149為將框體141內之環境氣體進行排氣的部分。
基板搬送部140之各部位之動作係由控制器400所控制。作為一例，控制器400設定複數個搬送機器人144之搬送區域(負責之反應器200)。
(第三容器移動部)
如圖1所示，第三容器移動部160被配置於第一容器移動部120與第二容器移動部180之間且上部側。又，在第三容器移動部160之寬度方向兩側分別配置有複數個反應器200。該第三容器移動部160為可將收納容器102自第一容器移動部120移動至第二容器移動部180之部分。即，第三容器移動部160為可在第一容器移動部120與第二容器移動部180之間移動(搬送)收納容器102之部分。因此，第三容器移動部160亦稱為上部搬送部。
第三容器移動部160具備軌道161、及容器搬送部162。
軌道161架設於第一容器移動部120與第二容器移動部180之間。具體而言，自框體121之搬入搬出口126之上側向框體181之搬入搬出口163之上側延伸。容器搬送部162沿該軌道161移動。
容器搬送部162為保持並搬送收納容器102之部分。如上所述，該容器搬送部162沿軌道161移動。即，容器搬送部162藉由在保持收納容器102之狀態下於軌道161移動，而可在第一容器移動部120與第二容器移動部180之間移動(搬送)收納容器102。
又，第三容器移動部160構成為，可在與基板搬送部104分開獨立之環境氣體下搬送收納容器102。此處，在本實施形態中之基板搬送部140中，於惰性氣體環境下搬送基板S，但在第三容器移動部160中，於大氣中搬送基板S，故而搬送兩者之收納容器102的環境氣體不同。即，第三容器移動部160之環境氣體與基板搬送部104之環境氣體分開獨立。
又，亦可在容器搬送部162設置旋轉部。該旋轉部為將上下方向作為軸方向而在水平方向進行旋轉之部分。藉由使旋轉部旋轉，而使由容器搬送部162保持之收納容器102在水平方向旋轉。藉此，可改變收納容器102之蓋的朝向。
(反應器：批次裝置)
如圖2所示，反應器200係於基板搬送部140之寬度方向兩側分別配置複數個。該反應器200為可處理收納容器102內之基板S的裝置。此外，各反應器200分別為同樣之構成，故而此處作為一個反應器200進行說明。在各反應器200中，構成為可進行複數個處理。以下說明詳細內容。
如圖4所示，構成反應器200之框體201在上方具備反應管儲存室210，在下方具備移載室270。在反應管儲存室210內，主要儲存加熱器211、內側反應管222。移載室270與基板搬送部140之框體141內連通。
移載室270被設置於內側反應管222之下部，且構成為與內側反應管222連通。在移載室270中，藉由搬送機器人144而將基板S載置(搭載)於後述之基板支撐具(以下，亦有記為晶舟之情形)240，或藉由搬送機器人144而自基板支撐具240取出基板S。
繼而，針對反應管儲存室210與儲存於其內部之內側反應管222進行說明。內側反應管222具備外側反應管221與內側反應管222。內側反應管222被儲存於外側反應管221之內部。
外側反應管221被設置於內側反應管222與加熱器211之間。在圖4中，構成為外側反應管221內之環境氣體與內側反應管222內之環境氣體被區劃。將外側反應管221中、儲存內側反應管222之空間稱為內側反應管儲存室221b。
在外側反應管221之下方，設置凸緣部221a。在凸緣部221a之中心設置有孔，內側反應管222之凸緣部222a插入該孔並被固定。將凸緣部221a與凸緣部222a彙總稱為爐口部222b。
內側反應管222之上方被閉塞，在下方設置有凸緣部222a。在凸緣部222a之中心設置有供基板支撐具240通過之爐口部222b。
內側反應管222可收容被支撐於基板支撐具240之基板S。在內側反應管222設置有作為氣體供給部之噴嘴223。噴嘴223構成為，在複數個基板S之配置方向即鉛直方向延伸。自噴嘴223供給之氣體被供給至各基板S。
噴嘴223例如就每種氣體而設置，此處作為一例而記載了三根噴嘴223a、223b、223c。各噴嘴223配置為在水平方向不重疊。此外，在圖4中為了便於說明而記載了三根噴嘴223，但並非限於此，亦可配合基板處理之內容而配置四根以上、或二根以下。
其次，使用圖5A、圖5B、圖5C及圖5D來說明可將氣體供給至各噴嘴223之氣體供給部。在本發明中，例如將後述之第一氣體供給部與第二氣體供給部彙總稱為氣體供給部。
首先，使用圖5A來說明可將氣體供給至噴嘴223a之第一氣體供給部224。在氣體供給管224a，自上游方向起依序設置有第一氣體源224b、流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)224c、及開閉閥即閥224d。氣體供給管224a構成為與噴嘴223a連通。
第一氣體源224b為含有第一元素之第一氣體(亦稱為「含第一元素氣體」)源。含第一元素氣體為原料氣體，即，處理氣體之一。此處，第一元素例如為矽(Si)。具體為六氯二矽烷(Si
2Cl
6，簡稱：HCDS)氣體、單氯矽烷(SiH
3Cl，簡稱：MCS)氣體、二氯矽烷(SiH
2Cl
2，簡稱：DCS)、三氯矽烷(SiHCl
3，簡稱：TCS)氣體、四氯矽烷(SiCl
4，簡稱：STC)氣體、八氯三矽烷(Si
3Cl
8，簡稱：OCTS)氣體等含有Si-Cl鍵之氯矽烷原料氣體。
第一氣體供給部(亦稱為含矽氣體供給部)224主要由氣體供給管224a、MFC 224c、閥224d構成。
在氣體供給管224a中、閥224d之下游側，連接有氣體供給管224e。在氣體供給管224e，自上游方向起依序設置有惰性氣體源224f、MFC 224g、及閥224h。自惰性氣體源224f供給惰性氣體，例如氮氣(N
2)。
第一惰性氣體供給部主要由氣體供給管224e、MFC 224g、閥224h構成。自惰性氣體源224f供給之惰性氣體係在基板處理步驟中，作為第一氣體之載體氣體或稀釋氣體而使用。亦可將第一惰性氣體供給部添加至第一氣體供給部。
其次，使用圖5B說明可將氣體供給至噴嘴223b之第二氣體供給部225。在氣體供給管225a，自上游方向起依序設置有第二氣體源225b、MFC 225c、及閥225d。氣體供給管225a構成為與噴嘴223b連通。
第二氣體源225b為含有第二元素之第二氣體(以下，亦稱為「含第二元素氣體」)源。含第二元素氣體為處理氣體之一。此外，亦可考慮將含第二元素氣體作為反應氣體或改質氣體。
此處，含第二元素氣體係含有與第一元素不同之第二元素。作為第二元素，例如為氧(O)、氮(N)、碳(C)之任一者。在本實施形態中，含第二元素氣體例如為含氮氣體。具體為氨氣(NH
3)、二亞胺(N
2H
2)氣體、肼(N
2H
4)氣體、N
3H
8氣體等含N-H鍵之氮化氫系氣體。
第二氣體供給部(亦稱為反應氣體供給部)225主要由氣體供給管225a、MFC 225c、閥225d構成。
在氣體供給管225a中、閥225d之下游側，連接有氣體供給管225e。在氣體供給管225e，自上游方向起依序設置有惰性氣體源225f、MFC 225g、及閥225h。自惰性氣體源225f供給惰性氣體。
第二惰性氣體供給部主要由氣體供給管225e、MFC 225g、閥225h構成。自惰性氣體源225f供給之惰性氣體係在基板處理步驟中，作為第二氣體之載體氣體或稀釋氣體而使用。亦可將第二惰性氣體供給部添加至第二氣體供給部225。
其次，使用圖5C說明可將氣體供給至噴嘴223c之惰性氣體供給部226。在氣體供給管226a，自上游方向起依序設置有惰性氣體源226b、MFC 226c、及閥226d。自惰性氣體源226b供給之惰性氣體例如作為沖洗內側反應管222內之環境氣體的沖洗氣體，或調整內側反應管222之壓力的壓力調整用氣體而使用。氣體供給管226a構成為與噴嘴223c連通。
將內側反應管222之環境氣體進行排氣之排氣部230具有與內側反應管222連通之排氣管231。
在排氣管231構成為，經由作為開閉閥之閥232、作為壓力調整器(壓力調整部)之APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)閥233，連接有作為真空排氣裝置之真空泵(省略圖示)，而可進行真空排氣，以使內側反應管222內之壓力成為既定之壓力(真空度)。
藉由上述氣體供給部與排氣部之協同運轉來調整內側反應管222內之壓力。在調整壓力時，以使由未圖示之壓力檢測部檢測出之壓力值成為既定值之方式進行調整。
將內側反應管222中、儲存基板S之區域稱為處理區域，將構成處理區域之區間稱為處理室222c。在本實施形態中，處理室222c由內側反應管222構成。
基板支撐具240在移載室270之內部藉由搬送機器人144而經由搬入搬出口147進行基板S之轉移。又，基板支撐具240將轉移之基板S搬送至內側反應管222之內部。而後，在內側反應管222之內部進行在基板S之表面形成薄膜等之處理。
基板支撐具240具備將基板支撐具240朝上下方向驅動之升降部241。在圖4中顯示基板支撐具240藉由升降部241上升，並儲存於內側反應管222內之狀態。又，基板支撐具240具備以旋轉基板支撐具240之方式進行驅動的旋轉驅動部242。
各驅動部係與支撐著支撐台244之軸243連接。在支撐台244設置有可支撐基板S之複數個支撐柱246。支撐柱246支撐頂板249。在圖4中為了便於說明，記載一個支撐柱246。在支撐柱246，在鉛直方向以既定之間隔設置複數個基板支撐機構，複數個基板S被各自之基板支撐機構所支撐。複數個支撐柱246之下方係以隔熱蓋245覆蓋。
基板支撐具240利用複數個支撐柱246，在鉛直方向多段地支撐著複數片，例如5片基板S。頂板249及複數個支撐柱246例如由石英或SiC等材料形成。此外，此處顯示於基板支撐具240支撐著7片基板S之例，但並非限於此。例如，可將基板支撐具240構成為能支撐5片～50片左右之基板S。
基板支撐具240藉由升降部241而在內側反應管222與移載室270之間沿上下方向移動，藉由旋轉驅動部242b而於繞著由基板支撐具240所支撐之基板S的中心之旋轉方向被驅動。
在軸243，閉塞爐口部222b之蓋體247係經由固定部247a而被固定。蓋體247之直徑構成為較爐口部222b之直徑更大。在蓋體247，設置有加熱蓋體247之加熱器247b。在內側反應管222之凸緣部222a，設置有作為密封構件之O形環248。
蓋體247例如在處理基板S之期間，閉塞爐口部222b。蓋體247閉塞爐口部222b時，如圖4所示，升降部241使蓋體247上升，以使蓋體247之上表面被設定於壓抵至凸緣部222a之位置。藉此，可氣密地保持內側反應管222之內部。
移載室270設置於反應管儲存室210之下部。在移載室270中，經由搬入搬出口147而藉由搬送機器人144將基板S載置(搭載)於基板支撐具240，或藉由搬送機器人144將基板S自基板支撐具240取出。
在移載室270，設置有將移載室270內之環境氣體進行排氣之排氣部280。排氣部280連接於移載室270，且具有與其內部連通之排氣管281。
在排氣管281，構成為經由作為開閉閥之閥282、APC閥283，而連接有作為真空排氣裝置之真空泵(省略圖示)，以使移載室270內之壓力可排氣成為既定之壓力。
在移載室270，亦可連接圖5D所示之惰性氣體供給部271。如圖5D所示，在氣體供給管271a，自上游方向起依序設置有惰性氣體源271b、MFC 271c、及閥271d。自惰性氣體源271b供給之惰性氣體例如在對移載室270內之環境氣體進行沖洗、或調整壓力之情形下使用。惰性氣體供給部271亦稱為第三氣體供給部。
(控制器)
其次，使用圖6說明作為控制部之一例的控制器400。基板處理裝置100具有控制各部位之動作的控制器400。
控制器400構成為具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)401、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)402、記憶部403、I/O埠404之電腦。RAM 402、記憶部403、I/O埠404構成為可經由內部匯流排405而與CPU 401交換資料。基板處理裝置100內之資料的收發係藉由CPU 401之一個功能即收發指示部406之指示而進行。
CPU 401構成為讀出來自記憶部403之控制程式並執行，且根據來自輸入輸出裝置423之操作指令的輸入等而自記憶部403讀出製程配方。而且，CPU 401構成為可按照所讀出之製程配方的內容，例如對各升降機之升降動作、機器人之基板移載動作、各泵之開關控制、MFC之流量調整動作、閥之開閉動作等進行控制。
記憶部403例如由快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive，硬碟機)等構成。在記憶部403內，可讀出地儲存有由記載有基板處理之程序或條件等的製程配方等所構成之配方410、或控制基板處理裝置之動作的控制程式411。
此外，製程配方係，以使控制器400執行後述之基板處理步驟中之各程序而可獲得既定結果之方式加以組合者，其作為程式而發揮功能。該製程配方例如針對每個反應器而存在著，而被讀出至每個反應器。
以下，亦將該製程配方或控制程式等統合而簡稱為程式。此外，在本發明說明書中使用程式一詞之情形，有僅包含製程配方之情形、僅包含控制程式之情形、或包含該兩者之情形。又，RAM 402係構成為暫時保持由CPU 401讀出之程式或資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠404連接於各壓力調整器、各泵、加熱器控制部等之各構成。進而，在上位裝置420設置經由網路而連接之網路收發部421。
此外，控制器400可藉由使用儲存上述程式之外部記憶裝置422而將程式安裝於電腦等，以構成本技術之控制器400。此外，作為外部記憶裝置422，例如可列舉硬碟等磁碟、DVD等光碟、MO等磁光碟、及USB記憶體等半導體記憶體。又，用於對電腦供給程式之手段並非限於經由外部記憶裝置422而供給之情形。例如，亦可使用網際網路或專用線路等通信手段，不經由外部記憶裝置422而供給程式。此外，記憶部403或外部記憶裝置422係構成為為電腦可讀取之記錄媒體。以下，亦將該等僅統合而簡稱為記錄媒體。此外，在本發明說明書中，使用記錄媒體一詞之情形，有僅包含記憶部403之情形、僅包含外部記憶裝置422之情形、或包含該兩者之情形。
(2)基板處理步驟
其次，使用圖8說明基板處理步驟。作為基板處理裝置之一步驟，針對使用上述構成之基板處理裝置100來處理基板S的步驟進行說明。此外，在以下之說明中，構成基板處理裝置之各部分的動作係由控制器400所控制。
[容器移動步驟]
說明容器移動步驟。
首先，基板處理裝置100係以第一容器移動部120之機器人124收取被支撐於裝載埠110之支撐台111的收納容器102。藉此，收納容器102自裝載埠110向第一容器移動部120移動。
其次，基板處理裝置100自第一容器移動部120經由基板搬送部140而將被收容於收納容器102之基板S向搬送目的之反應器200搬送。具體而言，向負責搬送目的之反應器200的搬送機器人144輸送收納容器102(基板S)，自該搬送機器人144向反應器200搬送基板S。
例如，搬送目的之反應器200之負責者為前側搬送機器人144a之情形時，使用機器人124與升降機123將收納容器102載置於台127。其次，用開啟器145將收納容器102之蓋打開。而後，前側搬送機器人144a自收納容器102將基板S取出並向搬送目的之反應器200搬送。其後，前側搬送機器人144a將基板S向搬送目的之反應器200的基板支撐具240交接。即，搬送目的之反應器200之負責者為前側搬送機器人144a之情形時，經由第一容器移動部120及基板搬送部140而將基板S搬入至搬送目的之反應器200。
另一方面，搬送目的之反應器200之負責者為後側搬送機器人144b之情形時，使用機器人124與升降機123而將收納容器102載置於台125。其次，利用第三容器移動部160之容器搬送部162將由台125支撐之收納容器102載置於第二容器移動部180之台185。其次，使用機器人184與升降機183而使收納容器102自台185向台186移動。其次，用開啟器146將收納容器102之蓋打開。而後，後側搬送機器人144b自收納容器102將基板S取出並向搬送目的之反應器200搬送。其後，後側搬送機器人144b將基板S向搬送目的之反應器200之基板支撐具240交接。即，搬送目的之反應器200之負責者為後側搬送機器人144b之情形時，經由第一容器移動部120、第三容器移動部160、第二容器移動部180及基板搬送部140而將基板S搬入搬送目的之反應器200。此外，在本實施形態中，在向基板搬送部140搬入基板S時，調節惰性氣體供給部148與排氣部149，以使基板搬送部140之環境氣體成為惰性氣體環境。
[基板搬入步驟]
其次，說明基板搬入步驟。在基板搬入步驟中，使支撐基板S之基板支撐具240上升，如圖4所示般搬入至內側反應管222內。此時，蓋體247與基板支撐具240一起上升，O形環248壓抵於蓋體247。藉此，對內側反應管222內加以密封。此外，加熱器211處於運轉狀態，而維持在基板S之處理溫度。
繼而，藉由惰性氣體供給部226與排氣部230之協同運轉，使內側反應管222內成為既定之壓力。又，與此並行地，控制惰性氣體供給部271與排氣部280，以使移載室270內之壓力較內側反應管222內之壓力更高。如此，可抑制內側反應管222內之環境氣體移動至移載室270。
[膜處理步驟]
繼而，說明膜處理步驟。膜處理步驟為在反應器200內，處理形成於基板S之膜的步驟。當由內側反應管222構成之處理室222c成為所期望之壓力時，控制第一氣體供給部224、第二氣體供給部225，將第一氣體與第二氣體供給至內側反應管222內，而處理基板S。該步驟中之處理係指，例如使第一氣體與第二氣體進行反應，而在基板S上形成既定之膜的處理。在本實施形態中，例如供給HCDS作為第一氣體，供給NH
3氣體作為第二氣體，而形成氮化矽(SiN)膜。
在本步驟中，例如以如下之條件進行處理。
第一氣體：HCDS
第一氣體之氣體供給量5 sccm～5000 sccm
第二氣體：NH
3第二氣體之氣體供給量10 sccm～10000 sccm
處理室之壓力：133 Pa～13332 Pa
處理溫度：300℃～500℃
經過既定時間後，停止第一氣體供給部224、第二氣體供給部225。進而，自惰性氣體供給部226供給惰性氣體，排出處理室222c內之環境氣體。
[基板搬出步驟]
說明基板搬出步驟。經過既定時間後，升降部241使基板支撐具240下降。基板支撐具240下降後，以與搬入基板S相反之方法搬出基板S。
其次，針對本實施形態之效果進行說明。
本實施形態之基板處理裝置100具備有在第一容器移動部120與第二容器移動部180之間搬送收納容器102之第三容器移動部160。因此，在基板處理裝置100中，基板S在被收納於收納容器102之狀態(收納容器102之狀態)下藉由第三容器移動部160而被搬送至第二容器移動部180。藉此，基板處理裝置100例如相較於自第一容器移動部120向第二容器移動部180而以基板S之狀態來進行搬送之構成，其可提高產能。又，為了由第三容器移動部160以基板S之狀態來進行搬送，需要在惰性氣體環境下搬送基板S，維護頻率或零件成本會上升。與此相對，在本實施形態中，收納有基板S之收納容器102藉由第三容器移動部160而在收納容器102之狀態下被搬送至第二容器移動部180，因此可降低成本。
即，本實施形態之基板處理裝置100可達成低成本化與產能提高。
又，在本實施形態之基板處理裝置100中，由於設置有複數個收納容器102之搬送路線，故可避免污染(例如基板之成分附著於其他基板之現象)並同時搬送不同種類之基板。
本實施形態之基板處理裝置100可將由裝載埠110收取之收納容器102載置於台125及台127。即，在基板處理裝置100中，由於可將收納容器102自裝載埠110直接搬送至台125及台127，故可提高基板S之搬送效率。又，由於使用升降機123，故可抑制涵蓋面變大。
在本實施形態之基板處理裝置100中，控制器400可控制升降機123及機器人124，以使由裝載埠110支撐之收納容器102移動至台125或台127。
在本實施形態之基板處理裝置100中，由於可將自第三容器移動部160收取之收納容器102直接搬送至台185及台186，故可提高基板S之搬送效率。又，由於使用升降機183，故可抑制涵蓋面變大。
本實施形態之基板處理裝置100可在第三容器移動部160與基板搬送部140分開獨立之環境氣體下搬送收納容器102。因此，在基板處理裝置100中，藉由使第三容器移動部160與基板搬送部140成為分開獨立之環境，而無需在第三容器移動部160設置如基板搬送部140般之減壓構造，可使零件件數降低。
在本實施形態之基板處理裝置100中，第一容器移動部120之機器人124係以收納容器102之蓋朝向基板搬送部140之方式將收納容器102載置於台127。而且，第二容器移動部180之機器人184係以收納容器102之蓋朝向基板搬送部140之方式將收納容器102載置於台186。換言之，載置於台127之收納容器102的蓋與載置於台186之收納容器102的蓋彼此相對向。因此，在基板處理裝置100中，基板搬送部140之搬送機器人144可收取基板S，故而提高基板S之搬送效率。
在本實施形態之基板處理裝置100中，在第三容器移動部160設置旋轉部之情形時，由於可使第一容器移動部120及第二容器移動部180成為簡單之構成，故而維護頻率變低。
在本實施形態之基板處理裝置100中，基板搬送部140具備複數個搬送機器人144，且分別設定有負責之製程模組。如此，在基板處理裝置100中，藉由對搬送機器人144設定負責之製程模組，可控制污染。
在本實施形態之基板處理裝置100中，前側搬送機器人144a負責被配置於前側之反應器200、後側搬送機器人144b負責備配置於後側之反應器200之情形時，可設定每製程之專用路線、專用機器人，故可進一步抑制污染。
在本實施形態之基板處理裝置100中，複數個反應器200各者可進行不同之基板處理之情形時，前側搬送機器人144a與後側搬送機器人144b亦可根據基板處理之種類而設定搬送區域。該情形下，由於可作為搬送空間(搬送區域)來抑制污染，故可更確實地抑制污染。
在本實施形態之基板處理裝置100中，前側搬送機器人144a與後側搬送機器人144b亦可根據基板處理之時間而設定搬送區域。此處，若製程時間不同則會發生搬送機器人144之待機等待(例如，由於搬入目的地之反應器200擁擠而無法搬入基板S之情形)，故有搬送效率降低之虞。與此相對，在基板處理裝置100中，藉由配合處理時間而設定搬送區域，可消除搬送機器人144之待機等待。
在本實施形態之基板處理裝置100中，複數個搬送機器人144在軌道143上移動。此處，藉由將複數個搬送機器人144配置於軌道143上，而可順暢地進行搬送，其結果為，即便在移動長距離之情形下，亦可使基板S不滑動而穩定地進行搬送。
在本實施形態之基板處理裝置100中，複數個反應器200各者可進行不同之處理，搬送機器人144於某反應器200進行處理之後，移動至不同之反應器200之情形時，可實現連續處理。具體而言，例如，亦可在某反應器200形成SiN膜，其後在另一製程模組進行改質處理。
＜第二實施形態＞
其次，針對本發明之第二實施形態之基板處理裝置600進行說明。
本實施形態之基板處理裝置600除了基板搬送部500及反應器300之構成以外，與第一實施形態之基板處理裝置100為同樣之構成。因此，在本實施形態中，主要針對基板搬送部500與反應器300之構成進行說明。此外，關於與第一實施形態之基板處理裝置100同樣之構成，省略其說明。
圖7係顯示本發明之第二實施形態之基板處理裝置之構成例的橫剖視圖。圖8顯示本發明之第二實施形態之基板處理裝置之構成例，且為圖7之α-α線的縱剖視圖。
(基板搬送部)
如圖7所示，基板搬送部500配置於第一容器移動部120與第二容器移動部180之間且於下部側。基板搬送部500為將收納容器102在第一容器移動部120與各反應器200之間搬送，且將收納容器102在第二容器移動部180與各反應器200之間搬送的部分。該基板搬送部500亦稱為下部搬送室。
基板搬送部500係自前方起依序具備大氣搬送部510、裝載鎖定室520、真空搬送部530、裝載鎖定室540及大氣搬送部550。
-前側大氣搬送部-
大氣搬送部510具有框體511。框體511內為搬送收納容器102之搬送空間512。此外，亦將本實施形態之大氣搬送部510稱為前側大氣搬送部。
在框體511之前側，設置有搬入搬出口128，在搬入搬出口128之附近設置有開啟器514。
在框體511之後側，設置有用於將自收納容器102取出之基板S自框體511內至裝載鎖定室520之框體521內進行搬入搬出之搬入搬出口515。在搬入搬出口515設置有閘閥524。此外，閘閥524被設置於裝載鎖定室520側。
大氣搬送部510在框體511內具有大氣搬送機器人513。該大氣搬送機器人513自台127上之收納容器102將基板S取出，而載置於裝載鎖定室520之基板載置台523。此外，大氣搬送機器人513亦可自基板載置台523向收納容器102返還基板S。即，大氣搬送機器人513可在第一容器移動部120與裝載鎖定室520之間搬送基板S。
-前側裝載鎖定室-
裝載鎖定室520具有框體521。框體521內為搬送收納容器102之搬送空間522。此外，亦將本實施形態之裝載鎖定室520稱為前側裝載鎖定室。
在框體521之前側，設置有搬入搬出口515，在搬入搬出口515設置有閘閥524。
在框體521之後側，設置有用於將基板S自框體521內至真空搬送部530之框體531內進行搬入搬出之搬入搬出口525。在搬入搬出口525設置有閘閥534。此外，閘閥534被設置於真空搬送部530側。
-後側大氣搬送部-
大氣搬送部550具有框體551。框體551內為搬送收納容器102之搬送空間552。此外，亦將本實施形態之大氣搬送部550稱為後側大氣搬送部。
在框體551之後側，設置有搬入搬出口555，在搬入搬出口555之附近設置有開啟器554。
在框體551之前側，設置有用於將自收納容器102取出之基板S自框體551內至裝載鎖定室540之框體541內進行搬入搬出之搬入搬出口545。在搬入搬出口545設置有閘閥544。此外，閘閥544被設置於裝載鎖定室540側。
大氣搬送部550在框體551內具有大氣搬送機器人553。該大氣搬送機器人553自台186上之收納容器102將基板S取出，而載置於裝載鎖定室540之基板載置台543。此外，大氣搬送機器人553亦可自基板載置台543向收納容器102返還基板S。即，大氣搬送機器人553可在第二容器移動部180與裝載鎖定室540之間搬送基板S。
-後側裝載鎖定室-
裝載鎖定室540具有框體541。框體541內為搬送收納容器102之搬送空間542。此外，亦將本實施形態之裝載鎖定室540稱為後側裝載鎖定室。
在框體541之後側，設置有搬入搬出口545，在搬入搬出口545設置有閘閥544。
在框體541之前側，設置有用於將基板S自框體541內至真空搬送部530之框體531內進行搬入搬出之搬入搬出口537。在搬入搬出口537設置有閘閥536。此外，閘閥536被設置於真空搬送部530側。
-真空搬送部-
在真空搬送部530之寬度方向兩側，分別配置有複數個反應器300。又，真空搬送部530構成為可與複數個反應器300連通。此外，在本實施形態中，作為一例，在真空搬送部530之寬度方向的一側設置有5個反應器300，在真空搬送部530之寬度方向的另一側設置有5個反應器300。此外，在個別地指定反應器300時，將寬度方向之一側的反應器300自前方起依序稱為反應器300a、反應器300b、反應器300c、反應器300d、反應器300e。又，將寬度方向之另一側的反應器300自前方起依序稱為反應器300f、反應器300g、反應器300h、反應器300i、反應器300j。
此外，本實施形態之真空搬送部530亦稱為下部真空搬送室。
真空搬送部530具有框體531。框體531內為搬送收納容器102之搬送空間532。
在框體531之前側，設置有搬入搬出口525，在搬入搬出口525設置有閘閥534。
在框體521之後側，設置有用於將基板S自裝載鎖定室540之框體541內至真空搬送部530之框體531內進行搬入搬出之搬入搬出口537。在搬入搬出口537設置有閘閥536。
又，在框體531，設置有供後述之真空搬送機器人535移動之軌道533。具體而言，軌道533被設置於框體531之下部，在前後方向延伸。換言之，軌道533自搬入搬出口525向搬入搬出口537、或自搬入搬出口537向搬入搬出口525延伸。
在真空搬送部530，設置有作為可將基板S搬送至各反應器300之基板搬送機器人之一例的真空搬送機器人535。換言之，真空搬送部530在框體521內具備真空搬送機器人535。又，在本實施形態中，真空搬送部530具備複數個真空搬送機器人535。
真空搬送機器人535可在軌道533上沿軌道533移動。該真空搬送機器人535構成為可搭載複數片基板S。即，真空搬送機器人535可在搭載(保持)有複數片基板S之狀態下在軌道533上移動，而將基板S搬送至目的之反應器300。
又，在本實施形態中，真空搬送部530具備複數個真空搬送機器人535。在該複數個真空搬送機器人535，分別設定有負責之反應器300。具體而言，真空搬送部530具備2個真空搬送機器人535，一真空搬送機器人535較另一真空搬送機器人535在軌道143上設置於更前方。以下，將被配置於前側之真空搬送機器人535稱為前側真空搬送機器人535a，將被配置於後側之真空搬送機器人535稱為後側真空搬送機器人535b。此外，本實施形態之前側真空搬送機器人535a為本發明中之第一基板搬送機器人之一例，本實施形態之後側真空搬送機器人535b為本發明中之第二基板搬送機器人之一例。
本實施形態之前側真空搬送機器人535a負責複數個反應器300中、被配置於前側之反應器300。具體而言，前側真空搬送機器人535a負責反應器300a、反應器300b、反應器300f、反應器300g。此外，在本實施形態中，由於在單側各配置5個反應器300，故而位於前後方向之正中間的反應器300c、反應器300h亦由前側真空搬送機器人535a負責。換言之，前側真空搬送機器人535a將基板S搬送至該等反應器300a、反應器300b、反應器300c、反應器300f、反應器300g、反應器300h。
本實施形態之後側真空搬送機器人535b負責複數個反應器300中、被配置於後側之反應器300。具體而言，後側真空搬送機器人535b負責反應器300d、反應器300e、反應器300i、反應器300j。換言之，後側真空搬送機器人535b將基板S搬送至該等反應器300d、反應器300e、反應器300i、反應器300j。
又，於複數個反應器300可分別進行不同之基板處理之情形時，前側真空搬送機器人535a與後側真空搬送機器人535b亦可根據反應器300之基板處理的種類而設定搬送區域(負責之反應器300)。
進而，前側真空搬送機器人535a與後側真空搬送機器人535b亦可根據反應器300之基板處理的時間而設定搬送區域(負責之反應器300)。
更進一步，於複數個反應器300可分別進行不同之基板處理之情形時，真空搬送機器人535亦可設定為在某反應器300處理基板S之後，移動至不同之反應器(別的反應器)200。
又，如圖9所示，真空搬送部530具備惰性氣體供給部148、及排氣部149。惰性氣體供給部148為將惰性氣體供給至框體531內之部分。藉由惰性氣體被供給至框體531內，搬送空間532成為惰性氣體之環境。又，排氣部149為將框體531內之環境氣體進行排氣之部分。
基板搬送部140之各部位的動作係由控制器400所控制。作為一例，控制器400設定複數個真空搬送機器人535之搬送區域(負責之反應器300)。
(反應器：單片)
其次，使用圖11說明反應器300。如圖11所示，反應器300具備容器302。在容器302內，形成有構成處理基板S之處理空間305的處理室301、及具有在將基板S搬送至處理空間305時供基板S通過之搬送空間的搬送室306。容器302係由上部容器302a與下部容器302b構成。在上部容器302a與下部容器302b之間設置有分隔板308。
在下部容器302b之側面，設置有鄰接於閘閥341之搬入搬出口340，基板S經由搬入搬出口340在與真空搬送部530之間移動。在下部容器302b之底部設置有複數個升降銷307。
在處理空間305配置有支撐基板S之基板支撐部310。基板支撐部310具有載置基板S之基板載置面311、在表面具有基板載置面311之基板載置台312、及作為設置於基板載置台312內之加熱部的加熱器313。在基板載置台312，升降銷307所貫通之貫通孔314係分別設置於與升降銷307對應之位置。
加熱器313連接有用於供給電力之配線322。配線322連接於加熱器控制部323。加熱器控制部323電性連接於控制器400。控制器400控制加熱器控制部323而使加熱器313運轉。
基板載置台312係由軸317支撐。軸317貫通容器302之底部，並進一步在容器302之外部連接於升降部318。
藉由使升降部318作動而使軸317及基板載置台312升降，基板載置台312可使被載置於基板載置面311上之基板S升降。
處理室301具備基板載置台312。此外，處理室301只要可確保處理基板S之處理空間305即可，亦可由其他構造來構成。
基板載置台312在搬送基板S時，基板載置面311下降至與搬入搬出口340對向之搬送位置P0，在處理基板S時，如圖11所示般上升至基板S到達處理空間305內之處理位置。
在處理室301之蓋331設置有氣體導入孔331a。在該氣體導入孔331a連接有第一氣體供給部224、第二氣體供給部225、惰性氣體供給部226。藉此，第一氣體、第二氣體、惰性氣體被供給至處理室301。
繼而，說明排氣部391。在處理空間305連通排氣管392。排氣管392以連通處理空間305之方式連接於上部容器302a。在排氣管392設置有將處理空間305內控制為既定壓力之壓力控制器即APC 393。APC 393具有可調整開度之閥體(省略圖示)，根據來自控制器400之指示來調整排氣管392之傳導度。在排氣管392中APC 393之下游側設置閥394。在排氣管392之上游設置有乾式泵395。乾式泵395係經由排氣管392而將處理空間305之環境氣體進行排氣。
其次，使用本實施形態之基板處理裝置600說明基板處理步驟。此外，關於與第一實施形態之基板處理裝置100同樣之步驟，省略其說明。
[容器移動步驟]
說明容器移動步驟。
首先，基板處理裝置600以第一容器移動部120之機器人124收取被支撐於裝載埠110之支撐台111的收納容器102。藉此，收納容器102自裝載埠110向第一容器移動部120移動。
其次，基板處理裝置600自第一容器移動部120經由基板搬送部500而將被收容於收納容器102之基板S向搬送目的之反應器300搬送。具體而言，向負責搬送目的之反應器300的真空搬送機器人535輸送收納容器102(基板S)，自該搬送機器人144向反應器300搬送基板S。
例如，搬送目的之反應器300之負責者為前側真空搬送機器人535a之情形時，使用機器人124與升降機123而將收納容器102載置於台127。其次，用開啟器145將收納容器102之蓋打開。而後，大氣搬送機器人513自收納容器102將基板S取出並載置於基板載置台523。被載置於基板載置台523之基板S由前側真空搬送機器人535a收取並向搬送目的之反應器300搬送。其後，搬送目的之反應器300之閘閥341打開，前側真空搬送機器人535a將基板S向搬送目的之反應器300之基板載置台312交接。即，搬送目的之反應器300之負責者為前側真空搬送機器人535a之情形時，經由第一容器移動部120及基板搬送部500而將基板S搬入至搬送目的之反應器300。
另一方面，搬送目的之反應器300之負責者為後側真空搬送機器人535b之情形時，使用機器人124與升降機123而將收納容器102載置於台125。其次，利用第三容器移動部160之容器搬送部162而將由台125支撐之收納容器102載置於第二容器移動部180之台185。其次，使用機器人184與升降機183而使收納容器102自台185向台186移動。其次，用開啟器554而將收納容器102之蓋打開。而後，後側真空搬送機器人535b自收納容器102將基板S取出並載置於基板載置台543。被載置於基板載置台543之基板S係由後側真空搬送機器人535b收取並向搬送目的之反應器300搬送。其後，搬送目的之反應器300之閘閥341打開，後側真空搬送機器人535b將基板S向搬送目的之反應器300之基板載置台312交接。即，搬送目的之反應器300之負責者為後側真空搬送機器人535b之情形時，經由第一容器移動部120、第三容器移動部160、第二容器移動部180及基板搬送部500而將基板S搬入至搬送目的之反應器300。此外，在本實施形態中，在向基板搬送部500搬入基板S時，調節惰性氣體供給部148與排氣部149，以使裝載鎖定室520、真空搬送部530、裝載鎖定室540各者之環境氣體成為惰性氣體環境。
[基板搬入步驟]
其次，說明基板搬入步驟。在基板搬入步驟中，使支撐基板S之基板載置台312上升，並如圖11所示般搬入至處理室301內。此外，加熱器313處於運轉狀態，維持在基板S之處理溫度。
繼而，藉由惰性氣體供給部226與排氣部391之協同運轉，使處理室301內之壓力成為既定之壓力。
[膜處理步驟]
繼而，說明膜處理步驟。膜處理步驟為在反應器300內，處理形成於基板S之膜的步驟。當處理室301成為所期望之壓力時，控制第一氣體供給部224、第二氣體供給部225，將第一氣體與第二氣體供給至處理室301內，而處理基板S。該步驟中之處理係指，例如使第一氣體與第二氣體進行反應，而在基板S上形成既定膜之處理。在本實施形態中，例如供給HCDS而作為第一氣體，供給NH
3氣體而作為第二氣體，而形成氮化矽(SiN)膜。
此外，本步驟之條件與第一實施形態同樣。因此，省略詳細之記載。
經過既定時間後，停止第一氣體供給部224、第二氣體供給部225。進而，自惰性氣體供給部226供給惰性氣體，排出處理室301內之環境氣體。
[基板搬出步驟]
說明基板搬出步驟。經過既定時間後，使基板載置台312下降。基板載置台312下降後，以與搬入基板S相反之方法搬出基板S。
由於本實施形態之基板處理裝置600可獲得與第一實施形態之基板處理裝置100同樣之作用效果，故而省略作用效果之詳細說明。
在本實施形態之基板處理裝置600中，反應器300全部作為成膜用來使用，但本發明不限定於此。例如，如圖10所示，亦可將反應器300之一者作為冷卻專用。即，基板處理裝置600亦可在反應器300之至少一者具備冷卻模組370。又，亦可在冷卻模組370設置監視基板S之溫度的溫度感測器372。藉由在反應器300之至少一者具備冷卻模組370，將處理後之基板S由冷卻模組370進行冷卻，而可緩和基板S之處理的擁擠，並提高裝置整體之處理效率。
＜第三實施形態＞
其次，針對本發明之第三實施形態之基板處理裝置700，基於圖12而進行說明。
本實施形態之基板處理裝置700之不同點在於，在第一實施形態之基板處理裝置100中，針對複數個搬送機器人144之每一者而在橫向(寬度方向)上設置軌道143，而其他部分為相同之構成。因此，關於與第一實施形態之基板處理裝置100同樣之構成，省略其說明。
基板處理裝置700之基板搬送部140具備複數根軌道143。具體而言，基板搬送部140具備搬送機器人144a用之軌道143a、及搬送機器人144b用之軌道143b。
基板處理裝置700之控制器400構成為，以如下之方式設定，即，在任一之搬送機器人144發生故障時，其他搬送機器人144亦會負責發生故障之搬送機器人144所負責之反應器200。
其次，針對本實施形態之作用效果進行說明。
在基板處理裝置700中，就複數個搬送機器人144之每一者而具備有專用路，即專用之軌道143，故可防止搬送機器人144之擁擠。
進而，在基板處理裝置700中，即便任一搬送機器人144發生故障之情形時，亦可由未發生故障之其他搬送機器人144繼續進行基板S之搬送處理。
針對第三實施形態之複數個搬送機器人144之每一者而在橫向(寬度方向)上設置專用路，即專用之軌道143，對於該構成，在前述之第二實施形態中亦可適用。
＜第四實施形態＞
其次，針對本發明之第四實施形態之基板處理裝置800，基於圖13及圖14進行說明。
本實施形態之基板處理裝置800之不同點在於，在第一實施形態之基板處理裝置100中，針對複數個搬送機器人144之每一者而上下地設置有軌道143，其他部分為相同之構成。因此，關於與第一實施形態之基板處理裝置100同樣之構成，省略其說明。
基板處理裝置800之基板搬送部140的框體141內係藉由分隔部802而被上下分隔。即，藉由分隔部802而將搬送空間142劃分為下方之下部搬送空間142a、及上方之上部搬送空間142b。
基板處理裝置800之基板搬送部140具備複數根軌道143。具體而言，基板搬送部140具備搬送機器人144a用之軌道143a、及搬送機器人144b用之軌道143b。又，軌道143a與軌道143b在上下方向隔離地配置。在本實施形態中，軌道143a被配置於下部搬送空間142a，軌道143b被配置於上部搬送空間142b。即，在軌道143a之上方配置有軌道143b。此外，軌道143a與軌道143b設置為在上下方向(鉛直方向)不重疊。
又，如圖13所示，反應器200之搬入搬出口被設定為各自之軌道143之高度。具體而言，反應器200之搬入搬出口設置為，在軌道143a上移動之搬送機器人144a可將基板S交接至反應器200的高度。又，反應器200之搬入搬出口設置為，在軌道143b上移動之搬送機器人144b可將基板S交接至反應器200的高度。在本實施形態中，在下部搬送空間142a及上部搬送空間142b，分別設置有與反應器200相同個數之搬入搬出口。
其次，針對本實施形態之作用效果進行說明。
在基板處理裝置800中，針對複數個搬送機器人144之每一者，具備有專用路，即專用之軌道143，故可防止搬送機器人144之擁擠。
進而，在基板處理裝置700中，即便任一搬送機器人144發生故障之情形時，亦可由未發生故障之其他搬送機器人144繼續進行基板S之搬送處理。
而且，在基板處理裝置700中，藉由在上下方向設置軌道143，而可減少涵蓋面。
在前述之第四實施形態中，框體141內係藉由分隔部802而被上下地分隔，但本發明並非限定於此構成。例如，亦可為不以分隔部802來將框體141內加以分隔，而是在軌道143a之上方配置軌道143b的構成。即便在該情形下，亦可獲得與第四實施形態同樣之作用效果。
針對前述之第四實施形態之複數個搬送機器人144之每一者，在上下方向(鉛直方向)上設置軌道143，對於此構成，在前述之第二實施形態中亦可適用。
＜第五實施形態＞
其次，針對本發明之第五實施形態之基板處理裝置900，基於圖15而進行說明。
本實施形態之基板處理裝置900除了將反應器300之至少一者作為冷卻專用以外，其為與第二實施形態之基板處理裝置600同樣之構成。因此，在本實施形態中，針對冷卻專用之反應器300進行說明。此外，關於與第二實施形態之基板處理裝置100同樣之構成，省略其說明。
如圖15所示，在本實施形態之基板處理裝置900中，將反應器300之一作為冷卻專用。即，基板處理裝置900在反應器300之至少一者具備冷卻模組370。如此，藉由在反應器300之至少一者具備冷卻模組370，而可將處理後之基板S以冷卻模組370進行冷卻。此外，作為一例，本實施形態之冷卻模組370係具有內側之冷卻機構、及構成外側而放置有基板S的外殼。
在冷卻專用之反應器300，設置有作為升降機之一例的升降單元902。藉由該升降單元902，複數段冷卻模組370在上下方向移動。此外，各段之冷卻模組370在上下方向隔離地配置。又，在各冷卻模組370安裝溫度感測器904，利用該溫度感測器904來監視基板S之溫度狀態。
在本實施形態中，由於具備複數段冷卻模組370，而將處理後之基板S以冷卻模組370效率良好地進行冷卻，藉此而可緩和基板S之處理的擁擠，並提高裝置整體之處理效率。
又，在本實施形態中，由於在未儲存真空搬送機器人535之處對處理完成之基板S進行冷卻，故可不降低真空搬送機器人535之搬送效率。
在本實施形態中，將至少一個反應器300作為冷卻專用，但本發明並非限定於該構成。例如，亦可在框體541之基板載置台543設置冷卻機構等來冷卻載置之基板S。又，亦可設置與反應器300不同之冷卻專用的腔室。進而，亦可在台127、台186設置冷卻機構來冷卻基板S。
(其他實施形態)
又，在上述之實施形態中，作為基板處理裝置100，針對使用寬度方向之每一側各5台、合計10台之反應器200之例進行了說明，但並非限於此，亦可為使用寬度方向之每一側各6台、合計12台或以上之反應器200的基板處理裝置，亦可為使用寬度方向之每一側各4台、合計8台或以下之反應器200的基板處理裝置。
又，在上述之各實施形態中，列舉了以下之例，即，在基板處理裝置所進行之成膜處理中，使用HCDS氣體作為含第一元素氣體(第一氣體)，使用NH
3氣體作為含第二元素氣體(第二氣體)，而在基板S上形成SiN膜之情形，但本發明並非限定於此。即，成膜處理所使用之處理氣體並非限於HCDS氣體或NH
3氣體等，即便使用其他種類之氣體來形成其他種類之薄膜亦無妨。進而，亦可為使用3種以上之處理氣體之情形。又，作為第一元素，可非為Si，而為例如鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)等各種元素。又，作為第二元素，可非為H，而為例如氮(N)等。
又，例如，在上述各實施形態中，雖列舉了成膜處理為例來作為基板處理裝置所進行之處理，但本發明並非限定於此。即，本發明除了適用於各實施形態中列舉之成膜處理以外，亦可適用於各實施形態中所例示之薄膜以外之成膜處理、改質處理。又，不限基板處理之具體性內容，不僅適用於成膜處理、改質處理，亦可適用於進行退火處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影處理等其他基板處理之情形。進而，本發明亦可適用於其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、蝕刻裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿之處理裝置等其他基板處理裝置。又，可將某實施形態之構成的一部分置換為其他實施形態之構成，又，亦可在某實施形態之構成中添加其他實施形態之構成。又，針對各實施形態之構成的一部分，亦可進行其他構成之追加、刪除、置換。
以下，將本實施形態之其他形態作為附記來表示。
(附記1)
一種基板處理裝置，其具備有：
第一容器移動部，其可移動容器；
第二容器移動部，其被配置於與前述第一容器移動部不同之位置，而可移動前述容器；
複數個製程模組，其等可處理前述容器內之基板；
基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板；
基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組；
第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及
控制部；
該基板處理裝置係構成為，配置於前述第二容器台之前述容器的蓋與配置於前述第四容器台之前述容器的蓋相對向。
(附記2)
一種基板處理裝置，其具備有：
第一容器移動部，其可移動容器；
第二容器移動部，其被配置於與前述第一移動部不同之位置，而可移動前述容器；
製程模組，其可處理前述容器內之基板；
基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板；
基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組；
第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及
控制部；
前述基板搬送機器人被設定為，於以某製程模組進行處理之後，移動至不同之製程模組。
(附記3)
一種基板處理裝置，其具備有：
第一容器移動部，其可移動容器；
第二容器移動部，其被配置於與前述第一移動部不同之位置，而可移動前述容器；
製程模組，其可處理前述容器內之基板；
基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板；
基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組；
第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及
控制部；
該基板處理裝置進一步具備有基板冷卻模組。
(附記4)
如附記3之基板處理裝置，其中，前述基板冷卻模組被設置於前述基板搬送部中、與前述基板搬送機器人所儲存之空間不同之空間，或被設置於前述容器移動部，或被設置於前述製程模組。
100,600,700,800,900:基板處理裝置
101:地板
102:收納容器
110:裝載埠
111,244:支撐台
112,126,128,147,163,340,515,525,537,545,555:搬入搬出口
120:第一容器移動部
121,141,181,201,511,521,531,541,551:框體
122,142,182,512,522,532,542,552:搬送空間
123,183:升降機
124,184:機器人
124a,184a:固定部
124b,184b:旋轉部
124c,184c:支撐部
125,127,185,186:台
129:閘門
140,500:基板搬送部
142a:下部搬送空間
142b:上部搬送空間
143,143a,143b,161,533:軌道
144:搬送機器人(基板搬送部)
144a:前側搬送機器人
144b:後側搬送機器人
145,146,514,554:開啟器
148,226,271:惰性氣體供給部
149:排氣部
160:第三容器移動部
162:容器搬送部
180:第二容器移動部
200,200a～200j,300,300a～300j:反應器(製程模組)
210:反應管儲存室
211,313:加熱器
221:外側反應管
221a,222a:凸緣部
221b:內側反應管儲存室
222:內側反應管
222b:爐口部
222c,301:處理室
223,223a～223c:噴嘴
224:第一氣體供給部
224a,224e,225a,225e,226a,271a:氣體供給管
224b:第一氣體源
224c,224g,241c,241g,225c,225g,226c,271c:質量流量控制器(MFC)
224d,224h,225d,225h,226d,232,271d,282,394:閥
224f,225f,226b,271b:惰性氣體源
225:第二氣體供給部
225b:第二氣體源
230,391:排氣部
231,392:排氣管
233,283:APC閥
240:基板支撐具
241:升降部
242,242b:旋轉驅動部
243,317:軸
245:隔熱蓋
246:支撐柱
247:蓋體
247a:固定部
247b:加熱器
248:O形環
249:頂板
270:移載室
280:排氣部
281:排氣管
302:容器
302a:上部容器
302b:下部容器
305:處理空間
306:搬送室
307:升降銷
308:分隔板
310:基板支撐部
311:基板載置面
312,523,543:基板載置台
314:貫通孔
318:升降部
322:配線
323:加熱器控制部
331:蓋
331a:氣體導入孔
341,524,534,536,544:閘閥
370:冷卻模組
372,904:溫度感測器
393:APC
395:乾式泵
400:控制器(控制部)
401:CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)
402:RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)
403:記憶部
404:I/O埠
405:內部匯流排
406:收發指示部
410:配方
411:控制程式
420:上位裝置
421:網路收發部
422:外部記憶裝置
423:輸入輸出裝置
510,550:大氣搬送部
513,553:大氣搬送機器人
520,540:裝載鎖定室
530:真空搬送部
535:真空搬送機器人(基板搬送部)
535a:前側真空搬送機器人
535b:後側真空搬送機器人
802:分隔部
902:升降單元
FR:前方
LF:左方
UP:上方
P0:搬送位置
S:基板
圖1係顯示本發明之第一實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖(橫剖視圖)。
圖2係圖1所示之基板處理裝置的α-α線剖視圖。
圖3係圖1所示之基板處理裝置的β-β線剖視圖。
圖4係顯示圖1所示之反應器之概略構成例的說明圖(縱剖視圖)。
圖5A係顯示圖4所示之反應器所具備之第一氣體供給部之概略構成例的說明圖。
圖5B係顯示圖4所示之反應器所具備之第二氣體供給部之概略構成例的說明圖。
圖5C係顯示圖4所示之反應器所具備之惰性氣體供給部之概略構成例的說明圖。
圖5D係顯示圖4所示之反應器所具備之惰性氣體供給部之概略構成例的說明圖。
圖6係說明本發明之第一實施形態之基板處理裝置之控制器的說明圖。
圖7係顯示本發明之第二實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖(橫剖視圖)。
圖8係圖7所示之基板處理裝置的α-α線剖視圖。
圖9係圖7所示之基板處理裝置的β-β線剖視圖。
圖10係圖7所示之基板處理裝置之變形例的剖視圖(與圖9之剖視圖對應)。
圖11係顯示圖7所示之反應器之概略構成例的說明圖(縱剖視圖)。
圖12係顯示本發明之第三實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖(橫剖視圖)。
圖13係顯示本發明之第四實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖(橫剖視圖)。
圖14係圖13所示之基板處理裝置的β-β線剖視圖。
圖15係顯示本發明之第五實施形態之基板處理裝置之概略構成例的說明圖(縱剖視圖)。
100:基板處理裝置
101:地板
102:收納容器
110:裝載埠
111:支撐台
112,126,128,147,163:搬入搬出口
120:第一容器移動部
121,141,181:框體
122,142,182:搬送空間
123,183:升降機
124,184:機器人
124a,184a:固定部
124b,184b:旋轉部
124c,184c:支撐部
125,127,185,186:台
129:閘門
140:基板搬送部
143,161:軌道
144:搬送機器人(基板搬送部)
144a:前側搬送機器人
144b:後側搬送機器人
145,146:開啟器
160:第三容器移動部
162:容器搬送部
180:第二容器移動部
200,200a,200b,200c,200d,200e:反應器(製程模組)
400:控制器(控制部)
FR:前方
UP:上方
S:基板
Claims (20)
- 一種基板處理裝置，其具備有： 第一容器移動部，其可移動容器； 第二容器移動部，其被配置於與前述第一容器移動部不同之位置，而可移動前述容器； 複數個製程模組，其等可處理前述容器內之基板； 基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板； 基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組； 第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及 控制部。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述第一容器移動部具備有： 第一容器搬送部； 第一容器台，其鄰接於前述第三容器移動部；及 第二容器台，其鄰接於前述基板搬送部。
- 如請求項2之基板處理裝置，其中，在前述第一容器移動部鄰接有裝載埠， 前述控制部可對前述第一容器搬送部進行控制，以將被支撐於前述裝載埠之前述容器移動至前述第一容器台或前述第二容器台。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中， 前述第二容器移動部具備有： 第二容器搬送部； 第三容器台，其鄰接於前述第二容器移動部；及 第四容器台，其鄰接於前述基板搬送部。
- 如請求項4之基板處理裝置，其中，前述控制部對前述第二容器搬送部進行控制，以使前述第一容器移動部中之前述容器經由前述第三容器移動部移動至前述第三容器台，其後，使其被支撐於前述第四容器台。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述第三容器移動部可在與前述基板搬送部分開獨立之環境氣體下搬送前述容器。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述第一容器移動部具備有： 第一容器搬送部； 第一容器台，其鄰接於前述第二容器移動部；及 第二容器台，其鄰接於前述基板搬送部； 前述第二容器移動部具備有： 第二容器搬送部； 第三容器台，其鄰接於前述第二容器移動部；及 第四容器台，其鄰接於前述基板搬送部； 在前述第二容器台中，以使前述容器之蓋與前述基板搬送部相對向之方式配置前述容器，在前述第四容器台中，以使前述容器之蓋與前述基板搬送部相對向之方式配置前述容器。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，具有將前述容器在水平方向旋轉之旋轉部。
- 如請求項8之基板處理裝置，其中，前述旋轉部設置於前述第三容器移動部。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述基板搬送部具備有複數個前述基板搬送機器人，且分別設定有負責之製程模組。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述基板搬送部具備有被配置於前側之第一前述基板搬送機器人、及被配置於後側之第二前述基板搬送機器人， 前述第一基板搬送機器人負責被配置於前側之前述製程模組， 前述第二基板搬送機器人負責被配置於後側之前述製程模組。
- 如請求項11之基板處理裝置，其中，複數個前述製程模組之各者可進行不同之處理， 前述第一基板搬送機器人與前述第二基板搬送機器人根據前述處理之種類而被設定搬送區域。
- 如請求項12之基板處理裝置，其中，前述第一基板搬送機器人與前述第二基板搬送機器人根據前述處理之時間而被設定搬送區域。
- 如請求項12或13之基板處理裝置，其中，前述控制部設定為，在任一前述基板搬送機器人發生故障時，其他前述基板搬送機器人亦負責發生故障之前述基板搬送機器人所負責之製程模組。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述基板搬送部具備有： 軌道，其可供前述基板搬送機器人移動；及 複數個前述基板搬送機器人，其被支撐於前述軌道。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述基板搬送部具備有： 前述複數個前述基板搬送機器人；及 複數條軌道，其等與每個前述基板搬送機器人相對應，而可支撐前述基板搬送機器人。
- 如請求項16之基板處理裝置，其中，前述軌道設置成在鉛直方向不重疊， 前述製程模組之基板搬入搬出口被設定為各自之前述軌道的高度。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，在與儲存有前述基板搬送機器人之空間不同的空間，具備有基板冷卻模組， 在前述基板冷卻模組中具備有升降機，而可使複數片前述基板升降地進行冷卻。
- 一種半導體裝置之製造方法，其係使用基板處理裝置者；上述基板處理裝置具備有： 第一容器移動部，其可移動容器； 第二容器移動部，其被配置於與前述第一容器移動部不同之位置，而可移動前述容器； 複數個製程模組，其等可處理前述容器內之基板； 基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板； 基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組； 第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及 控制部； 上述半導體裝置之製造方法係將前述基板經由前述第一容器移動部及前述基板搬送部而搬入至前述製程模組，並處理前述基板；或是，將前述基板經由前述第一容器移動部、前述第三容器移動部、前述第二容器移動部、前述基板搬送部而搬入至前述製程模組，並處理前述基板。
- 一種由基板處理裝置執行之程式，上述基板處理裝置具備有： 第一容器移動部，其可移動容器； 第二容器移動部，其被配置於與前述第一容器移動部不同之位置，而可移動前述容器； 複數個製程模組，其等可處理前述容器內之基板； 基板搬送部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，且構成為可連通於前述複數個製程模組，而可搬送前述基板； 基板搬送機器人，其被設置於前述基板搬送部，而可將前述基板搬送至前述製程模組； 第三容器移動部，其被配置於前述第一容器移動部與前述第二容器移動部之間，而可將前述容器自前述第一容器移動部移動至前述第二容器移動部；及 控制部； 上述程式係使前述基板經由前述第一容器移動部及前述基板搬送部而搬入至前述製程模組，並使前述基板進行處理；或是，使前述基板經由前述第一容器移動部、前述第三容器移動部、前述第二容器移動部、前述基板搬送部而搬入至前述製程模組，並使前述基板進行處理。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022049740 | 2022-03-25 | ||
| JP2022-049740 | 2022-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202403087A true TW202403087A (zh) | 2024-01-16 |
| TWI855540B TWI855540B (zh) | 2024-09-11 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN118696405A (zh) | 2024-09-24 |
| JPWO2023181454A1 (zh) | 2023-09-28 |
| WO2023181454A1 (ja) | 2023-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11203488B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
| US20230016879A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| WO2007018139A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| JP5093078B2 (ja) | 成膜装置 | |
| TWI792051B (zh) | 基板處理裝置、昇降機構、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| CN107851594A (zh) | 基板处理装置以及半导体装置的制造方法 | |
| WO2021033461A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 | |
| JP2022191369A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
| TWI578384B (zh) | A semiconductor device manufacturing method, a substrate processing method, and a substrate processing apparatus | |
| JP2017069330A (ja) | 半導体装置の製造方法、ガス供給方法及び基板処理装置並びに基板保持具 | |
| TWI720335B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| TWI855540B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| TW202403087A (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| JP6994060B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| JP2013045884A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR102652334B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
| JP6680895B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| TWI850694B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| CN216049147U (zh) | 作业用保护件 | |
| WO2023047499A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| TWI769629B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| WO2022195886A1 (ja) | 基板保持具、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| JP2003163252A (ja) | 基板処理装置 | |
| US12018373B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2006261309A (ja) | 基板処理装置 |