TWI797637B - 光源、用於光源之光學量測裝置、用於判定標準具中之量測誤差的方法及用於校準標準具之方法 - Google Patents

光源、用於光源之光學量測裝置、用於判定標準具中之量測誤差的方法及用於校準標準具之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI797637B
TWI797637B TW110120707A TW110120707A TWI797637B TW I797637 B TWI797637 B TW I797637B TW 110120707 A TW110120707 A TW 110120707A TW 110120707 A TW110120707 A TW 110120707A TW I797637 B TWI797637 B TW I797637B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
value
etalon
wavelength
calibration parameter
spatial information
Prior art date
Application number
TW110120707A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202202825A (zh
Inventor
羅素 亞倫 包迪特
約翰 席歐多 麥席歐
鄧國泰
Original Assignee
美商希瑪有限責任公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商希瑪有限責任公司 filed Critical 美商希瑪有限責任公司
Publication of TW202202825A publication Critical patent/TW202202825A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI797637B publication Critical patent/TWI797637B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
    • G01J9/0246—Measuring optical wavelength
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02055—Reduction or prevention of errors; Testing; Calibration
    • G01B9/0207—Error reduction by correction of the measurement signal based on independently determined error sources, e.g. using a reference interferometer
    • G01B9/02072—Error reduction by correction of the measurement signal based on independently determined error sources, e.g. using a reference interferometer by calibration or testing of interferometer
    • G01B9/02074—Error reduction by correction of the measurement signal based on independently determined error sources, e.g. using a reference interferometer by calibration or testing of interferometer of the detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

本發明提供與一標準具相關的資訊，該標準具與具有一預設既定值之一校準參數相關聯，該標準具經組態以自一所接收光束產生包括複數個邊緣之一干涉圖案，且與該標準具相關的該資訊包括與該複數個邊緣中之一第一邊緣相關的第一空間資訊及與該複數個邊緣中之一第二邊緣相關的第二空間資訊。基於與該第一邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該所接收光束之一第一波長值。基於與該第二邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該初始值來判定該所接收光束之一第二波長值。比較該第一波長值與該第二波長值以判定一量測誤差值。

Description

光源、用於光源之光學量測裝置、用於判定標準具中之量測誤差的方法及用於校準標準具之方法
本揭示係關於判定標準具中之量測誤差。標準具可用於深紫外線(DUV)光學系統中。
標準具為由兩個部分反射光學表面製成之光學腔。標準具產生干涉圖案且可用於量測或估計入射於標準具上之光的波長。
在一個態樣中，一種方法包括：存取與一標準具相關的資訊，該標準具與具有一預設既定值之一校準參數相關聯，該標準具經組態以自一所接收光束產生包括複數個邊緣之一干涉圖案，且與該標準具相關的該資訊包括與該複數個邊緣中之一第一邊緣相關的第一空間資訊及與該複數個邊緣中之一第二邊緣相關的第二空間資訊；基於與該第一邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該所接收光束之一第一波長值；基於與該第二邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該初始值來判定該所接收光束之一第二波長值；及比較該第一波長值與該第二波長值以判定一量測誤差值。
實施可包括以下特徵中之一或多者。
該方法可進一步包括基於該量測誤差值來判定是否調整該校準參數之該預設既定值。該量測誤差值可包括該第一波長值與該第二波長值之間的一差值，且可將該預設既定值調整為使得該量測誤差值之一量值小於一臨限值之一值。可將該預設既定值調整為使得該量測誤差值為零之一值。
該校準參數可包括在該標準具之一輸出處的一透鏡之一焦距，且該量測誤差可包括該第一波長值與該第二波長值之間的一差值。
該第一空間資訊可包括該第一邊緣之一直徑，且該第二空間資訊可包括該第二邊緣之一直徑。
該方法可進一步包括朝向該標準具導引一光束。該第一邊緣可由該光束之一第一部分產生，且該第二邊緣可由該光束之一第二部分產生。該光束可包括複數個脈衝，且該光束之該第一部分可包括該複數個脈衝中之一第一者，且該光束之該第二部分可包括該複數個脈衝中之一第二者。該光束可包括一連續波光束，該光束之該第一部分可包括該光束之一第一樣本，且該光束之該第二部分可包括該光束之一第二樣本。該方法可進一步包括：將該校準參數之該初始值改變為該校準參數之一更新值；致動一光學元件以藉此改變該所接收光束之該波長；基於與該第一邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該更新值來判定該所接收光束之一第一波長值；基於與該第二邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該更新值來判定該所接收光束之一第二波長值；及比較該第一波長值與該第二波長值以基於該校準參數之該更新值來判定一量測誤差值。在判定該第二波長值之前，可致動該光學元件以增大該波長或減小該波長。每次致動該光學元件時，該第一波長值及該第二波長值可經判定超過一次。該方法可進一步包括藉由比較基於該校準參數之該初始值判定的該誤差量測值與基於該校準參數之該更新值判定的該誤差量測值來判定是否調整該校準參數之該預設既定值。
該校準參數之該初始值可為該預設既定值。
該第一邊緣及該第二邊緣可同時位於該干涉圖案中。
在另一態樣中，一種用於校準一標準具之方法包括：存取與該標準具相關的資訊，該標準具與具有一預設既定值之一校準參數相關聯，該標準具經組態以自一所接收光束產生包括複數個邊緣之一干涉圖案，且與該標準具相關的該資訊包括與該複數個邊緣中之一第一邊緣相關的第一空間資訊及與該複數個邊緣中之一第二邊緣相關的第二空間資訊；基於該第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該標準具之一量測誤差值；及分析該量測誤差值以判定是否調整該預設既定值。
實施可包括以下特徵中之一或多者。
該校準參數可包括該標準具之一輸出處的一透鏡之一焦距。該方法可進一步包括：基於該第一空間資訊判定一第一波長值；及基於該第二空間資訊判定一第二波長值。該量測誤差可包括該第一波長值與該第二波長值之間的一差值。
該校準參數可包括複數個初始值。判定一量測誤差值可包括為該複數個初始值中之每一者模擬複數個量測誤差值。各量測誤差值可基於該第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之該複數個初始值中之一者。分析該量測誤差值可包括分析該等經模擬量測誤差值。
在另一態樣中，一種用於一光源之光學量測裝置包括：一標準具，其包括經組態以將光聚焦於一影像平面處之一聚焦透鏡；一光學偵測器，其經組態以偵測由該標準具產生之一干涉圖案且產生與該標準具相關的資訊；及一控制系統，其耦合至該光學偵測器。該標準具與一校準參數相關聯，該校準參數與該聚焦透鏡相關，且該校準參數具有一預設既定值。該資訊包括一第一邊緣之第一空間資訊及一第二邊緣之第二空間資訊。該控制系統經組態以：基於來自該偵測器之第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該標準具之一量測誤差值；且分析該量測誤差值以判定是否調整該預設既定值。
實施可包括以下特徵中之一或多者。
該光源可包括一深紫外線(DUV)光源。
在另一態樣中，一種光源包括：一光產生裝置；及一光學量測裝置。該光學量測裝置包括：一標準具，其包括經組態以將光聚焦於一影像平面處之一聚焦透鏡；一光學偵測器，其經組態以偵測由該標準具產生之一干涉圖案且產生與該標準具相關的資訊；及一控制系統，其耦合至該光學偵測器。該標準具與一校準參數相關聯，該校準參數與該聚焦透鏡相關，該校準參數具有一預設既定值。該資訊包括一第一邊緣之第一空間資訊及一第二邊緣之第二空間資訊。該控制系統經組態以：基於來自該偵測器之第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該標準具之一量測誤差值；且分析該量測誤差值以判定是否調整該預設既定值。
實施可包括以下特徵中之一或多者。
該光產生裝置可包括一深紫外線(DUV)光源。該光產生裝置可包括一主控振盪器。該光產生裝置可進一步包括一功率放大器。該光產生裝置可包括複數個主控振盪器。
該光源可進一步包括一光學元件，該光學元件經組態以自該光產生裝置接收光且將光導引至該標準具。該光學元件可為一色散光學元件。
上文所描述之技術中之任一者的實施可包括系統、方法、程序、器件或裝置。在隨附圖式及以下描述中闡述一或多個實施之細節。其他特徵將自描述及圖式且自申請專利範圍而顯而易見。
圖1A為系統100之方塊圖。在圖1A中，元件之間的虛線表示光沿其行進之光學路徑，且元件之間的實線表示資訊及/或資料沿其行進之信號路徑。系統100包括產生光束116之光產生模組110。光束116在路徑114上傳播至器件180。器件180為使用光束116之任何器件。器件180可為光學微影裝置(諸如圖8A及圖10中之掃描器裝置880)或功率放大器，諸如(圖10之功率放大器1012_2)。
系統100亦包括將光束116之部分116'導引至光學量測裝置160之光束分離器117。光束分離器117可為例如將部分116'導引至光學量測裝置160，同時允許光束116中之剩餘光繼續傳播至器件180之光束分光器。光學量測裝置160用於量測光束116之波長。光學量測裝置160包括標準具130、偵測器140及控制系統150。標準具130包括間隔距離136之兩個平行的光學元件133A、133B及輸出透鏡134。另外參考圖1C，輸出透鏡134具有焦距163，且輸出透鏡134將入射光聚焦於影像平面137處。影像平面137與偵測器140之主動區域142一致。圖1C為主動區域142及影像平面137之方塊圖。
亦參考圖1B，標準具130之輸出為聚焦於影像平面137處之干涉圖案139。圖1B展示影像平面137中之干涉圖案139。在圖1B之實例中，干涉圖案139為形成於影像平面137處之複數個同心環。圖1B中展示兩個邊緣139_1及139_2。邊緣139_1為第一階邊緣，且邊緣139_2為第二階邊緣。第一及第二階邊緣139_1、139_2為兩個連續的邊緣。根據等式1，部分116'中之光的波長與干涉圖案139中之邊緣的直徑有關：
Figure 02_image001
等式(1)， 其中λ為入射於標準具130上之光的波長(此實例中之部分116')，ND為光學元件133A、133B之間的光學路徑長度(此實例中之距離136)，m為邊緣中之一特定者的階，d為邊緣中之一特定者的直徑，且FD為輸出透鏡134之焦距。邊緣之階m為整數，且可為例如相對較大數，諸如等於或大於10,000之整數。
標準具130用於量測部分116'中之光的波長。標準具130與可在特定波長下為絕對的或可隨波長而變化之量測誤差相關聯。當影像平面137中之固定偵測器(諸如偵測器140)使用與先前波長判定相比不同的階邊緣判定波長之值時，可出現依賴於波長之量測誤差的一個源。換言之，當由相同干涉圖案中之不同階邊緣量測同一光之波長時，基於第一階邊緣139_1及/或第二階邊緣139_2之波長的量測值可為不準確的。具體言之，此量測誤差使得波長之經判定值在兩個不同的量測之間人工地改變，即使入射光之真實波長未改變。
標準具130與至少一個校準參數131相關聯。FD之值為校準參數131。在製造標準具130時，判定FD之值。然而，FD之值可隨著標準具130之壽命而移位或改變。FD之值可例如由於在標準具130之使用期間可發生之熱循環(加熱及/或冷卻)所引起之對準移位而改變。對準移位可由於FD之值變化而出現。下文論述用於判定在標準具130之使用期間及/或在標準具130的壽命期間的FD之值的技術。在論述與判定校準參數131之值相關的技術之前，論述光學量測裝置160的實例實施之細節。
圖2A為光學量測裝置260之方塊圖。光學量測裝置260為光學量測裝置160 (圖1A)之實施的一實例。光學量測裝置260包括輸入透鏡232、標準具230、輸出透鏡234 (或聚焦透鏡234)及偵測器240。部分116'擴散且穿過光學量測裝置260之孔徑235。可由置放於光束分離器117與孔徑235之間的平面237處之光學擴散器(未展示)有意地擴散部分116'。孔徑235位於輸入透鏡232之聚焦平面處。輸入透鏡232在部分116'進入標準具230之前使部分116'準直。輸出透鏡234具有焦距263且將光聚焦至影像平面。偵測器240經定位而使得偵測器240之主動區域242與影像平面一致。
在圖2A中展示之實例中，標準具230包括一對部分反射光學元件233A及233B。光學元件233A及233B位於輸入透鏡232與輸出透鏡234之間。光學元件233A及233B具有間隔開距離236之各別反射表面238A及238B。距離236可為相隔相對較短的距離(例如，數毫米至數公分)。光學元件233A及233B為楔形狀以阻止後表面(與表面238A及238B相對之表面)產生干涉邊緣。後表面可具有抗反射塗層。標準具230之其他實施係可能的。舉例而言，在其他實施中，光學元件233A及233B為平行板且不為楔形的。在又一實例中，標準具230可僅包括具有兩個平行的部分反射表面之單個板。
亦參考圖2B，標準具230與部分116'相互作用且輸出干涉圖案239。圖2B展示在時間例項處之透鏡234的影像平面中之干涉圖案239。干涉圖案239包括複數個邊緣。複數個邊緣中之兩者(239_1及239_2)展示於圖2B中。干涉圖案239包括不具有由部分116'之破壞性干涉產生之光的區域及具有由部分116'的建設性干涉產生之光的區域。建設性干涉之區域為邊緣239_1及239_2。不具有光之區域展示為具有灰色陰影且位於光之區域之間。邊緣239_1及239_2為輸出透鏡234之影像平面中的光之同心環。邊緣集合中之各環為干涉圖案之階(m)，其中m為等於或大於一之整數。邊緣239_1為第一階邊緣，且邊緣239_2為第二階邊緣。
在偵測器240之主動區域242處感測到干涉圖案239。偵測器240為能夠感測干涉圖案239中之光的任何類型之偵測器。舉例而言，主動區域242可為線性光電二極體陣列，其包括在一個封裝中以相等間隔沿單個維度配置之相同大小的多個元件。光電二極體陣列中之各元件對部分116'之波長靈敏。作為另一實例，偵測器240可為二維感測器，諸如二維電荷耦合器件(CCD)或二維互補金屬氧化物半導體(CMOS)感測器。
經由資料連接254將偵測器240連接至控制系統250。控制系統250包括電子處理模組251、電子儲存器252及I/O介面253。電子處理模組251包括適合於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如通用或專用微處理器，及任何種類之數位電腦的任何一或多個處理器。一般而言，電子處理器自唯讀記憶體、隨機存取記憶體(RAM)或兩者接收指令及資料。電子處理模組251可包括任何類型之電子處理器。電子處理模組251之一或多個電子處理器執行指令，且存取儲存於電子儲存器252上之資料。一或多個電子處理器亦能夠將資料寫入至電子儲存器252。
電子儲存器252為任何類型之電腦可讀或機器可讀媒體。舉例而言，電子儲存器252可為諸如RAM之揮發性記憶體，或非揮發性記憶體。在一些實施中，且電子儲存器252包括非揮發性及揮發性部分或組件。電子儲存器252可儲存用於控制系統250之操作的資料及資訊。電子儲存器252亦可儲存使得控制系統250與光學量測裝置260相互作用之指令(例如，呈電腦程式之形式)。舉例而言，指令可為使得電子處理模組251實施相對於圖3、圖4及圖6論述之程序的指令。電子儲存器252亦儲存關於標準具230之資訊，諸如預定校準參數231之初始值或校準參數231之預設值。預定或預設值可為工廠校準期間判定的值或使用諸如下文論述的程序300、400或600之程序判定的值。校準參數231可為例如透鏡234之焦距。在另一實例中，電子儲存器252亦可儲存指示值範圍或與標準具230之量測誤差的可接受之量相關的值之規格。
I/O介面253為允許控制系統250與操作者、其他器件及/或在另一電子器件上運行之自動程序交換資料及信號的任何種類之介面。舉例而言，在可編輯儲存於電子儲存器252上之資料或指令的實施中，可經由I/O介面253進行編輯。I/O介面253可包括視覺顯示器、鍵盤及諸如並列埠、通用串列匯流排(USB)連接之通信介面及/或諸如乙太網路之任何類型的網路介面中之一或多者。I/O介面253亦可允許在無實體接觸的情況下經由例如IEEE 802.11、藍牙或近場通信(NFC)連接進行通信。
經由資料連接254將控制系統250耦合至裝置260之各種組件。資料連接254為允許資料、信號及/或資訊之傳輸的任何類型之連接。舉例而言，資料連接254可為實體纜線或其他實體資料管道(諸如支援基於IEEE 802.3之資料傳輸的纜線)、無線資料連接(諸如經由IEEE 802.11或藍牙提供資料之資料連接)或有線資料連接與無線資料連接之組合。
圖3為程序300之流程圖。程序300用於判定量測誤差值。程序300可由控制系統250 (圖2A)執行。舉例而言，程序300可由處理模組251中之一或多個電子處理器執行。關於量測裝置260 (圖2A)論述程序300。
存取與標準具230相關的資訊(310)。可自電子儲存器252或經由I/O介面253存取資訊。與標準具230相關的資訊包括與第一邊緣相關的第一空間資訊及與第二邊緣相關的第二空間資訊。第一邊緣及第二邊緣可為同間形成的兩個不同邊緣。舉例而言，第一邊緣可為邊緣239_1且第二邊緣可為邊緣239_2。如上文所論述，邊緣239_1及邊緣239_2為由單個光脈衝或由連續波光束之同一樣本形成之兩個不同的邊緣。關於圖4論述之程序400為此類方法之一實例。在其他實施中，第一邊緣為在第一時間例項處形成之干涉圖案中之邊緣，且第二邊緣為在第二時間例項處形成之干涉圖案中之邊緣。舉例而言，在此等實施中，第一邊緣可為由入射於標準具230上之第一光脈衝形成的邊緣，且第二邊緣可為由第一光脈衝之後入射於標準具230上之第二光脈衝形成的邊緣。關於圖6論述之程序600為此類方法之一實例。第一空間資訊可為第一邊緣之直徑。第二空間資訊可為第二邊緣之直徑。
與標準具230相關聯之資訊亦包括校準參數231之初始值。校準參數231之初始值可為在裝配標準具230時判定之工廠校準值。在一些實施中，校準參數231之初始值為在程序300之先前執行中判定之值。校準參數231之預設既定值可儲存於電子儲存器252上且自電子儲存器252存取。
基於與第一邊緣相關的空間資訊及校準參數231之初始值來判定第一波長值(320)。基於與第二邊緣相關的空間資訊及校準參數231之初始值來判定第二波長值(330)。
比較第一波長值與第二波長值以判定量測誤差值(340)。量測誤差值為表示第一波長值與第二波長值之間的差值之值。量測誤差值可例如藉由自第二波長值減去第一波長值來判定，或反之亦然。其他實施為可能的。舉例而言，量測誤差值可為第一波長值與第二波長值的比率。
圖4為程序400之流程圖。程序400為用於判定量測誤差值及校準參數231之值的程序之另一實例。關於干涉圖案239 (圖2B及圖2C)論述程序400，該干涉圖案為標準具230在一時間例項處之輸出。程序400可藉由控制系統250執行。
存取校準參數231之初始值(410)。校準參數231之值可自電子儲存器252存取或經由I/O介面253提供至控制系統250。在此實例中，校準參數231為FD。校準參數231之初始值可為在製造標準具230時判定之預定及既定值。校準參數231之初始值可為在程序400之先前反覆中判定之校準參數之值。
判定第一邊緣239_1之直徑(邊緣直徑d1)。舉例而言，且參考圖2B及圖2C，可基於由偵測器240產生之資料來判定邊緣直徑d1。在此實例中，邊緣直徑d1可為如根據由偵測器240產生之影像資料判定的第一邊緣239_1之相對側上的兩個點之間的像素計數。其他實施為可能的，且可以任何方式判定邊緣直徑d1及d2。
基於經判定的邊緣直徑d1及校準值之初始值來判定第一波長值(λ1) (420)。舉例而言，可使用參數231之初始值、等式1中之第一邊緣239_1之階數(m)、ND之已知值及邊緣直徑d1來判定第一波長(λ1)。類似地，判定第二邊緣239_2之直徑(邊緣直徑d2)。基於經判定的邊緣直徑d2及校準值之初始值來判定第二波長值(λ2) (430)。可使用參數231之初始值、等式1中之第二邊緣239_2之級數(m)、ND之已知值以及邊緣直徑d2來判定第二波長值(λ2)。第一邊緣239_1及第二邊緣239_2具有連續階。舉例而言，若第一邊緣239_1之階(m)為10,001，則第二邊緣239_2之階(m)為10,002。
比較第一波長值(λ1)與第二波長值(λ2)以判定量測誤差(440)。可藉由發現第一波長值(λ1)與第二波長值(λ2)之間的差值來判定量測誤差。在不存在量測誤差之情況下，第一波長值與第二波長值為相同的，此係因為用於產生第一邊緣239_1及第二邊緣239_2之光為相同的。因此，第一波長值(λ1)與第二波長值(λ2)之間的差值為量測誤差之特徵。可藉由自第二波長值(λ2)減去第一波長值(λ1)來判定差值，或反之亦然。此外，量測誤差可為差值之絕對值。因此，量測誤差可為正數、負數或零(在無量測誤差之情況下)。
比較量測誤差與規格以判定是否應調整校準參數231 (此實例中之FD)。規格可為包括正值及負值的值範圍或為正的單一臨限值。比較量測誤差與規格以判定是否調整校準參數231之值(450)。若校準參數231之值在規格內或小於臨限值，則校準參數231之值為準確的，且程序400返回至(410)以繼續監測量測誤差。若校準參數231之值在規格之外，則調整校準參數231之值(460)。調整校準參數231之值，直至第一波長值(λ1)及第二波長值(λ2)在規格內為止。舉例而言，若規格為零，則調整校準參數231之值直至等式1為第一邊緣239_1及第二邊緣239_2產生相同的波長值。
在已調整校準參數231之值後，程序400返回至(410)以繼續監測標準具之量測誤差，或程序400可結束。可將校準參數231之調整值儲存於電子儲存器252 (470)上。在儲存校準參數231之調整值的實施中，校準參數231之調整值可在程序400之後續執行中用作校準參數231之初始值。在一些實施中，經調整校準參數231未儲存及/或未用於程序400之後續執行中。在此等實施中，校正參數231之工廠判定值始終用作校準參數231之初始值。
圖5為展示隨校準參數231之值(FD)而變化之量測誤差的實例資料之曲線圖。在圖5之實例中，量測誤差為(420)中判定之第一波長值(λ1)與(430)中判定之第二波長值(λ2)之間的差值。校準參數231之工廠判定值為18352像素。然而，如圖5中所展示，使用校準參數231之工廠判定值產生約2.5飛米(fm)之量測誤差。校準參數231之值在圖5中所展示之值的範圍內變化，且在校準參數231之多個值處判定量測誤差。如圖5中所展示，當校準參數231之值為18353像素時，量測誤差為零。校準參數231之值經調整為等於18353像素，且使用由標準具130輸出之干涉圖案及等式1 (具有FD之更新值)來量測部分116'之波長。藉由調節校準參數231之值，移除量測誤差，使得根據標準具230之輸出判定的波長值為準確的。
圖6為程序600之流程圖。程序600為用於判定標準具(諸如標準具130或標準具230)之量測誤差的程序之另一實例。關於標準具230及控制系統250論述程序600。
將校準參數231之初始值改變為更新值(610)。校準參數231之初始值可為工廠校準值、在標準具230之先前操作使用期間判定之值、由自動程序(諸如隨機程序)產生之值或由控制系統250之操作者提供之值。可藉由將預定恆定量添加至校準參數231之初始值來改變校準參數231之初始值。在一些實施中，校準參數231之初始值改變了由控制系統250之操作者或由預程式化配方或公式指定的特定量。
改變部分116'中之光的波長(620)。部分116'中之光的波長改變了已知量。舉例而言，可藉由致動與光源110相關聯之光學元件(諸如圖9A之稜鏡922、923、924或925)使部分116'中之光的波長改變了已知量，使得離開光學元件之光的波長相對於入射於光學元件上之光改變了已知量。接著，程序600使用由標準具230輸出之干涉圖案239的一或多個例項來估計部分116'中之光的波長值，其中兩個例項中之每一者在不同時間輸出。舉例而言，光束116 (及部分116')可為包括光脈衝之脈衝光束，該等光脈衝各自與鄰接脈衝間隔有限時間量，在此期間光產生模組110不發射光。在此實例中，干涉圖案239之第一例項藉由用部分116'中之第一脈衝輻照標準具230產生，且干涉圖案239之第二例項藉由用部分116'中之第二脈衝輻照標準具230產生。
使用來自干涉圖案239之第一例項的邊緣判定第一波長值(λ1) (630)。使用等式1判定第一波長值(λ1)，其中m為邊緣之階，FD為(610)中判定之校準參數231的更新值,且d為邊緣之直徑。可根據干涉圖案239之超過一個例項判定第一波長值(λ1)。舉例而言，可根據干涉圖案239之50個或更多個例項判定第一波長值(λ1)。第一波長值(λ1)之多個值可一同求平均值或另外經濾波以移除或減小雜訊，且平均值或經濾波之值可用作第一波長值(λ1)。
再次改變部分116'中之光的波長(640)。部分116'中之光的波長可與(620)中改變相同已知量。使用來自干涉圖案239之一或多個例項之邊緣判定第二波長值(λ2) (650)。藉由使用等式1以(630)中所論述之相同方式判定第二波長值(λ2)，其中m為邊緣之階，FD為(610)中判定之校準參數231的更新值,且d為邊緣之直徑。可根據干涉圖案239之超過一個例項判定第二波長值(λ2)。舉例而言，第二波長值(λ2)可經判定10、50或100次,且接著求平均值以減輕雜訊及機械振動之影響。
判定與校準參數231之更新值相關聯的量測誤差(660)。考慮到控制部分116'之實際波長的系統(此實例中之致動光學元件)之標稱靈敏度(NS)，量測誤差為經判定第一波長值(λ1)與經判定第二波長值(λ2)之間的差值。標稱靈敏度為恆定值，且可由製造商判定，且儲存於電子儲存器252上。標稱靈敏度為關於判定入射於標準具230上之光的波長之光學元件中的單位改變的波長改變量。舉例而言，若光學元件為耦合至PZT致動器之稜鏡，則標稱靈敏度為針對稜鏡位置之各單位改變之波長改變量。可根據等式2判定量測誤差(ME)：
Figure 02_image003
等式(2)， 其中ME為量測誤差，S為電流靈敏度，NS為標稱靈敏度，且OA為以距離為單位之光學元件的致動之量測。可藉由等式3判定OA：
Figure 02_image005
等式(3)， 其中P2為在由光學元件提供具有第二波長之光時光學元件之位置，且P1為在由光學元件提供具有第一波長之光時光學元件的位置。電流靈敏度(S)係基於量測波長及光學元件之位置改變來計算，且可根據等式4判定：
Figure 02_image007
等式(4)， 其中λ1為(630)中判定之第一波長值，λ2為(650)中判定之第二波長值，P2為在向標準具230提供具有第二波長值(λ2)之光時光學致動器之位置，且P1為在向標準具230提供具有第一波長值(λ1)之光時光學致動器之位置。儘管與等式2、3及4相關的以上實例論述光學元件之位置，但可使用與光學元件之位置相關的其他距離度量。舉例而言，在致動器之位置與光學元件之位置之間的關係已知的實施中，致動器之位置可用作光學元件之位置。
量測誤差(ME)儲存於電子儲存器252上或經由I/O介面253輸出。
程序600可返回至(610)以使用如上文所論述之(610)-(660)來判定校準參數231之不同更新值及部分116'之另一波長的量測誤差(ME)。舉例而言，與(610)-(660)之先前反覆相比較，波長可在(620)中增大或減小。在一些實施中，每當程序600返回至(610)時，增加(665)計數器以追蹤量測誤差已被判定多少次。
在已判定校準參數231之超過一個值或校準參數231之超過指定數目之值的量測誤差之後，分析經判定校準值(670)。舉例而言，可判定量測誤差之絕對值，且根據絕對值發現最小誤差量測值。判定與最小誤差量測相關聯之校準參數231的值。
舉例而言，圖7展示隨呈像素值形式之校準參數231的更新值而變化之以飛米(fm)為單位的經量測誤差值之兩個集合。第一集合中之各量測誤差值用實心圓形符號展示。第二集合中之各量測誤差值用空心圓符號展示。藉由對校準參數231之多個不同值執行(610)-(660)來判定量測誤差值之第一集合。每當在(610)處將校準參數231之值更新為校準參數231之不同值時，光學元件(諸如稜鏡)經致動以增大部分116'中之光的波長，且在(660)處判定量測誤差。第二集合經展示為曲線圖754。藉由對校準參數231之多個不同值執行(610)-(660)來判定量測誤差值之第二集合。每當在(610)處將校準參數231之值更新為校準參數231之不同值時，光學元件(諸如稜鏡)經致動以減小部分116'中之光的波長。
將量測值之第一集合擬合為線性關係753，且將量測值之第二集合擬合為線性關係754。對應於線性關係753與關係754相交之情況的FD之值為最小量測誤差。如圖7中所展示，關係753及關係753之斜率在量值上相反，且在絕對值上亦可不同。絕對值之差值可源自移動光學元件之致動器的滯後。在圖7之實例中，致動器為壓電致動器，其首先自其標稱尺寸壓縮以致動稜鏡從而增加波長(來產生量測誤差值之第一集合)，且接著擴展回至其標稱尺寸以減小波長(來產生量測誤差值之第二集合)。源自壓縮及膨脹之機械影響使得關係754之斜率的絕對值與關係753之斜率的絕對值相比較略微不同。
在圖7中展示之實例中，對應於最小量測誤差之校準參數231的值為約18369。相比之下，校準參數231之預設既定值為約18362，且與較高量測誤差相關聯。
若使用既定值產生大於規格之量測誤差，則調整校準參數231之預設既定值(680)。在圖7之實例中，校準參數231之預設既定值產生超出規格之量測誤差值，且校準參數231之值經調整為對應於量測誤差之最小值的校準參數231的值(690)。程序600隨後結束。
圖8A及圖10展示可使用光學量測裝置160或260之深紫外線(DUV)光學系統的實例。在下文之實例中，光學量測裝置260經展示為與DUV光學系統一起使用。
參考圖8A及圖8B，系統800包括光產生模組810，其將曝光光束(或輸出光束) 816提供至掃描器裝置880。光產生模組810及掃描器裝置880分別為光產生模組110及器件180 (圖1A)之實施。
系統800亦包括光束分離器117、光學量測裝置260及控制系統250。光束分離器117將曝光光束816之一部分導引至用於量測曝光光束816之波長的光學量測裝置260。控制系統250耦合至光學量測裝置260。在圖8A之實例中，控制系統250亦耦合至光產生模組810，且耦合至與光產生模組810相關聯之各種組件。
光產生模組810包括光學振盪器812。光學振盪器812產生輸出光束816。光學振盪器812包括放電腔室815，該放電腔室包圍陰極813-a及陽極813-b。放電腔室815亦含有氣態增益介質819。陰極813-a與陽極813-b之間的電位差在氣態增益介質819中形成電場。可藉由控制電壓源897以將電壓施加至陰極813-a及/或陽極813-b來產生電位差。電場將足以引起粒子數反轉並能夠經由受激發射產生光脈衝的能量提供至增益介質819。重複產生此電位差會形成作為光束816發射之脈衝串。藉由將電壓施加至電極813-a及813-b之速率來判定脈衝光束816之重複率。
藉由將電壓施加至電極813-a及813-b來泵浦增益介質819。藉由將電壓施加至電極813-a及813-b之持續時間及重複率來判定脈衝光束816中之脈衝的持續時間及重複率。脈衝之重複率可介於例如約500與6,000 Hz之間。在一些實施中，重複率可大於6,000 Hz，且可為例如12,000 Hz或更大。自光學振盪器812發射之各脈衝可具有例如大致1毫焦耳(mJ)之脈衝能量。
氣態增益介質819可為適用於產生處於應用所需之波長、能量及頻寬下之光束的任何氣體。氣態增益介質819可包括超過一種類型之氣體，且各種氣體被稱作氣體組分。對於準分子源，氣態增益介質819可含有惰性氣體(稀有氣體)，諸如氬氣或氪氣；或鹵素，諸如氟或氯。在鹵素為增益介質之實施中，除了緩衝氣體(諸如氦氣)之外，增益介質亦包括微量的氙氣。
氣態增益介質819可為發射在深紫外線(DUV)範圍內之光的增益介質。DUV光可包括例如約100奈米(nm)至約400 nm之波長。氣態增益介質819之特定實例包括發射處於約193 nm之波長的光之氟化氬(ArF)、發射處於約248 nm之波長的光之氟化氪(KrF)或發射處於約351 nm之波長的光之氯化氙(XeCl)。
諧振器形成於放電腔室815之一側上的光譜調整裝置895與放電腔室815之第二側上的輸出耦合器896之間。光譜調整裝置895可包括微調放電腔室815之光譜輸出的繞射光學器件，諸如光柵及/或稜鏡。繞射光學器件可為反射的或折射的。在一些實施(諸如圖9A中所展示)中，光譜調整裝置895包括複數個繞射光學元件。舉例而言，光譜調整裝置895可包括四個稜鏡，該等稜鏡中的一些經組態以控制光束816之中心波長，而另一些經組態以控制光束816之光譜頻寬。
亦參看圖9A，展示光譜調整裝置995之方塊圖。光譜調整裝置995可在光產生模組810中用作光譜調整裝置895。
光譜調整裝置995包括經配置以與光束816光學地相互作用的光學特徵或組件921、922、923、924、925之集合。將控制系統250連接至實體耦合至各別光學組件921、922、923、924、925之一或多個致動系統921A、922A、923A、924A、925A。致動系統921A、922A、923A、924A、925A可包括軸(諸如軸926A)，該等致動系統使耦合至軸之組件圍繞平行於軸之軸線旋轉。致動系統921A、922A、923A、924A、925A亦包括用於與控制系統250通信及用於接收電力之電子及機械器件，諸如馬達及電子介面。
光學組件921為色散光學元件，例如光柵或稜鏡。在圖9A之實例中，光學組件921為包括繞射表面902之反射光柵。光學組件922、923、924及925為折射光學元件且可為例如稜鏡。光學組件922、923、924及925形成具有光學放大率OM 965之光束擴展器901。通過光束擴展器901之光束816的OM 965為離開光束擴展器901之光束816的橫向寬度Wo與進入光束擴展器901之光束816的橫向寬度Wi的比率。
光柵921之表面902由反射及繞射光束816之波長的材料製成。稜鏡922、923、924及925中之每一者為用以在光束816穿過稜鏡之主體時分散且重新導引該光束之稜鏡。稜鏡922、923、924及925中之每一者由透射光束816中之波長的材料製成。舉例而言，若光束816在DUV範圍內，則稜鏡922、923、924及925由透射在DUV範圍內之光的材料(諸如氟化鈣)製成。
稜鏡925經定位成離光柵921最遠，而稜鏡922經定位成最接近光柵921。光束816經由孔徑955進入光譜調整裝置，且接著行進穿過稜鏡925、稜鏡924、稜鏡923及稜鏡922 (按彼次序)。隨著光束816每一次穿過連續稜鏡925、924、923、922，光束816經光學放大且朝向下一個光學組件重新引導(以一角度折射)。在穿過稜鏡925、924、923及922之後，光束816自表面902反射。光束816接著穿過稜鏡922、稜鏡923、稜鏡924及稜鏡925 (按彼次序)。隨著每一次穿過連續稜鏡922、923、924、925，光束816在其朝向孔徑955行進時經光學壓縮。在穿過稜鏡922、923、924及925之後，光束816經由孔徑955離開光譜調整裝置995。在離開光譜調整裝置995之後，光束816穿過腔室815且反射離開輸出耦合器896以返回至腔室815及光譜調整裝置995。
可藉由改變光學組件921、922、923、924及/或925之相對定向來調整光束816之光譜屬性。參考圖9B，稜鏡P (其可為稜鏡922、923、924或925中之任一者)圍繞垂直於頁面之平面的軸線的旋轉改變光束816入射在彼旋轉稜鏡P之入射表面H(P)上的入射角。此外，穿過彼旋轉稜鏡P之光束816之兩個區域光學品質(亦即，光學放大率OM(P)及光束折射角δ(P))隨入射在彼旋轉稜鏡P之入射表面H(P)上的光束816之入射角而變。通過稜鏡P之光束816之光學放大率OM(P)為離開彼稜鏡P之光束816A的橫向寬度Wo(P)與進入彼稜鏡P之光束816的橫向寬度Wi(P)的比率。
光束擴展器901內之稜鏡P中之一或多者處的光束816之局部光學放大率OM(P)的改變會引起通過光束擴展器901之光束816的光學放大率OM 965之總體改變。另外，通過光束擴展器901內之稜鏡P中之一或多者的局部光束折射角δ(P)的改變會引起光柵921之表面902處的光束816A之入射角962 (圖9A)的總體改變。光束816之波長可藉由改變光束816入射在光柵921之表面902上之入射角962 (圖9A)來調整。光束816之光譜頻寬可藉由改變光束816之光學放大率965來調整。
因此，光束816之光譜屬性可藉由經由各別致動器921A、922A、923A、924A、925A控制光柵921及/或稜鏡922、923、924、925中之一或多者的定向來改變或調整。致動器921A、922A、923A、924A、925A可為例如回應於施加電壓而改變形狀之壓電致動器。光譜調整裝置之其他實施為可能的。
再次參考圖8A，可以其他方式調整光束816之光譜屬性。舉例而言，可藉由控制腔室815之氣態增益介質的壓力及/或氣體濃度來調整光束816之光譜屬性，諸如光譜頻寬及中心波長。對於光產生模組810為準分子源之實施，可藉由控制腔室815中之例如氟、氯、氬、氪、氙及/或氦之壓力及/或濃度來調整光束816之光譜屬性(例如，光譜頻寬或中心波長)。
氣態增益介質819之壓力及/或濃度可藉由氣體供應系統890來控制。氣體供應系統890經由流體管道889流體地耦合至放電腔室815之內部。流體管道889為能夠在無流體損耗或最少流體損耗之情況下輸送氣體或其他流體之任何管道。舉例而言，流體管道889可為由不與流體管道889中所輸送的一或多種流體反應之材料製成或塗佈有該材料的導管。氣體供應系統890包括腔室891，該腔室891含有及/或經組態以接收用於增益介質819之一或多種氣體的供應。氣體供應系統890亦包括使得氣體供應系統890能夠自放電腔室815移除氣體或將氣體注入至放電腔室815中之器件(諸如泵、閥及/或流體開關)。氣體供應系統890耦合至控制系統250。
光學振盪器812亦包括光譜分析裝置898。光譜分析裝置898為可用於量測或監測光束816之波長的量測系統。在圖8A中所展示之實例中，光譜分析裝置898自輸出耦合器896接收光。在一些實施中，光譜分析裝置898為光學量測裝置260之一部分。
光產生模組810可包括其他組件及系統。舉例而言，光產生模組810可包括光束製備系統899。光束製備系統899可包括脈衝伸展器，該脈衝伸展器及時伸展與脈衝伸展器相互作用之各脈衝。光束製備系統亦可包括能夠作用於光之其他組件，諸如反射及/或折射光學元件(諸如透鏡及鏡面)及/或濾光器。在所展示的實例中，光束製備系統899定位於曝光光束816之路徑中。然而，光束製備系統899可置放於系統800內之其他位置處。
系統800亦包括掃描器裝置880。掃描器裝置880藉由經塑形曝光光束816A曝光晶圓882。經塑形曝光光束816A藉由使曝光光束816穿過投影光學系統881而形成。掃描器裝置880可為液體浸潤系統或乾式系統。掃描器裝置880包括投影光學系統881及感測器系統或度量衡系統870，曝光光束816在到達晶圓882之前穿過該投影光學系統。晶圓882經固持或容納於晶圓固持器883上。掃描器裝置880亦可包括例如溫度控制器件(諸如空氣調節器件及/或加熱器件)及/或用於各種電組件之電源。
度量衡系統870包括感測器871。感測器871可經組態以量測經塑形曝光光束816A之屬性，諸如頻寬、能量、脈衝持續時間及/或波長。感測器871可為例如攝影機或能夠捕捉晶圓882處之經塑形曝光光束816A的影像之其他器件，或能夠捕捉描述x-y平面中晶圓882處之光學能量之量的資料之能量偵測器。
亦參考圖8B，投影光學系統881包括狹縫884、遮罩885及包括透鏡系統886之投影物鏡。透鏡系統886包括一或多個光學元件。曝光光束816進入掃描器裝置880且入射於狹縫884上，且輸出光束816中之至少一些穿過狹縫884以形成經塑形曝光光束816A。在圖8A及圖8B之實例中，狹縫884為矩形，且將曝光光束816塑形成細長矩形的經塑形光束，該經塑形光束為經塑形曝光光束816A。遮罩885包括決定經塑形光束中之哪些部分由遮罩885傳輸且哪些部分由遮罩885阻擋的圖案。藉由用曝光光束816A來曝光晶圓882上之輻射敏感光阻材料層而在晶圓882上形成微電子特徵。藉由所需之特定微電子電路特徵來判定遮罩上之圖案的設計。
圖8A中所展示之組態為DUV系統之組態的一實例。其他實施為可能的。舉例而言，光產生模組810可包括光學振盪器812之N個例項，其中N為大於一之整數。在此等實施中，各光學振盪器812經組態以朝向形成曝光光束816之光束組合器發射各別光束。
圖10展示DUV系統之另一實例組態。圖10為微影系統1000之方塊圖，該微影系統1000包括產生經提供至掃描器裝置880之脈衝光束1016的光產生模組1010。微影系統1000亦包括光束分離器117、光學量測裝置260及控制系統250。控制系統250耦合至光學量測裝置260、光產生模組1010之各種組件及掃描器裝置1080來控制系統1000之各種操作。在圖10之實例中，光束分離器117將輸出光束1016之一部分導引至光學量測裝置260。其他實施為可能的。舉例而言，光束分離器117可經定位以與種子光束1018相互作用。
光產生模組1010為兩級雷射系統，其包括將種子光束1018提供至功率放大器(PA) 1012_2之主控振盪器(MO) 1012_1。PA 1012_2自MO 1012_1接收種子光束1018，且放大種子光束1018以產生用於掃描器裝置880之光束1016。舉例而言，在一些實施中，MO 1012_1可發射種子脈衝能量大致為每脈衝1毫焦耳(mJ)之脈衝種子光束，且此等種子脈衝可藉由PA 1012_2放大至約10至15 mJ，但其他能量可用於其他實例中。
MO 1012_1包括放電腔室1015_1，其具有兩個細長電極1013a_1及1013b_1、作為氣體混合物之增益介質1019_1及用於在電極1013a_1、1013b_1之間循環氣體混合物之風扇(未展示)。諧振器形成於放電腔室1015_1之一側上的線窄化模組1095與放電腔室1015_1之第二側上的輸出耦合器1096之間。
放電腔室1015_1包括第一腔室窗1063_1及第二腔室窗1064_1。第一腔室窗1063_1及第二腔室窗1064_1位於放電腔室1015_1之相對側上。第一腔室窗1063_1及第二腔室窗1064_1透射DUV範圍內之光，且允許DUV光進入及離開放電腔室1015_1。
線窄化模組1095可包括繞射光學器件，諸如精細地調諧放電腔室1015_1之光譜輸出的光柵。光產生模組1010亦包括自輸出耦合器1096接收輸出光束之線中心分析模組1068及光束耦合光學系統1069。線中心分析模組1068為可用於量測或監測種子光束1018之波長之量測系統。線中心分析模組1068可置放於光產生模組1010中之其他位置處，或其可置放於光產生模組1010之輸出處。
作為增益介質1019_1之氣體混合物可為適用於產生處於應用所需波長及頻寬之光束的任何氣體。對於準分子源，除諸如氦氣之緩衝氣體之外，氣體混合物可含有諸如氬氣或氪氣之惰性氣體(稀有氣體)、諸如氟或氯之鹵素及微量的氙。混合氣體之特定實例包括發射處於約193 nm之波長的光之氟化氬(ArF)、發射處於約248 nm之波長的光之氟化氪(KrF)或發射處於約351 nm之波長的光之氯化氙(XeCl)。因此，在此實施中，光束1016及1018包括DUV範圍內之波長。藉由將電壓施加至細長電極1013a_1、1013b_1，在高電壓放電中用較短(例如，奈秒)電流脈衝泵浦準分子增益介質(混合氣體)。
PA 1012_2包括光束耦合光學系統1069，該光束耦合光學系統自MO 1012_1接收種子光束1018且將種子光束1018導向通過放電腔室1015_2，且導向至光束轉向光學元件1092，該光束轉向光學元件修改或改變種子光束1018之方向，使得將該種子光束發送回至放電腔室1015_2。光束轉向光學元件1092及光束耦合光學系統1069形成循環及閉合環路光學路徑，其中至環狀放大器中之輸入與該環狀放大器之輸出在光束耦合光學系統1069處相交。
放電腔室1015_2包括一對細長電極1013a_2、1013b_2、增益介質1019_2及用於在電極1013a_2與1013b_2之間循環增益介質1019_2之風扇(未展示)。形成增益介質1019_2之氣體混合物可與形成增益介質1019_1之氣體混合物相同。
放電腔室1015_2包括第一腔室窗1063_2及第二腔室窗1064_2。第一腔室窗1063_2及第二腔室窗1064_2位於放電腔室1015_2之相對側上。第一腔室窗1063_2及第二腔室窗1064_2透射DUV範圍內之光，且允許DUV光進入及離開放電腔室1015_2。
當藉由將電壓分別施加至電極1013a_1、1013b_1或1013a_2、1013b_2來泵浦增益介質1019_1或1019_2時，增益介質1019_1及/或1019_2發射光。當以規則時間間隔將電壓施加至電極時，光束1016為脈衝式的。因此，藉由將電壓施加至電極之速率來判定脈衝光束1016之重複率。對於各種應用，脈衝之重複率可介於約500與6,000 Hz之間。在一些實施方案，重複率可大於6,000 Hz，且可為例如12,000 Hz或更大，但其他重複率可用於其他實施中。
輸出光束1016可在到達掃描器裝置880之前經導引穿過光束製備系統1099。光束製備系統1099可包括量測光束1016之各種參數(諸如頻寬或波長)之頻寬分析模組。光束製備系統1099亦可包括脈衝伸展器，該脈衝伸展器及時地伸展輸出光束1016之各脈衝。光束製備系統1099亦可包括能夠作用於光束1016之其他組件，諸如反射及/或折射光學元件(諸如透鏡及鏡面)、濾光器及光學孔徑(包括自動快門)。
DUV光產生模組1010亦包括氣體管理系統1090，該氣體管理系統與DUV光產生模組1010之內部1078流體連通。
在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。 1. 一種用於光源之光學量測裝置，該光學量測裝置包含： 標準具，其包含經組態以將光聚焦於影像平面處之聚焦透鏡，其中標準具與校準參數相關聯，該校準參數與聚焦透鏡相關，且校準參數具有預設既定值； 光學偵測器，其經組態以偵測由標準具產生之干涉圖案且產生與標準具相關的資訊，資訊包含第一邊緣之第一空間資訊及第二邊緣之第二空間資訊；及 控制系統，其耦合至光學偵測器，控制系統經組態以： 基於來自偵測器之第一空間資訊、第二空間資訊及校準參數之初始值來判定標準具之量測誤差值；且 分析量測誤差值以判定是否調整預設既定值。 2. 如條項1之光學量測裝置，其中光源包含深紫外線(DUV)光源。 3. 一種光源，其包含： 光產生裝置；及 光學量測裝置，其包含： 標準具，其包含經組態以將光聚焦於影像平面處之聚焦透鏡，標準具與校準參數相關聯，該校準參數與聚焦透鏡相關，且校準參數具有預設既定值； 光學偵測器，其經組態以偵測由標準具產生之干涉圖案且產生與標準具相關的資訊，資訊包含第一邊緣之第一空間資訊及第二邊緣之第二空間資訊；及 控制系統，其耦合至光學偵測器，控制系統經組態以： 基於第一空間資訊、第二空間資訊及校準參數之初始值來判定標準具之量測誤差值；且 分析量測誤差值以判定是否調整預設既定值。 4. 如條項3之光源，其中光產生裝置包含深紫外線(DUV)光源。 5. 如條項4之光源，其中光產生裝置包含主控振盪器。 6. 如條項4之光源，其中光產生裝置進一步包含功率放大器。 7. 如條項4之光源，其中光產生裝置包含複數個主控振盪器。 8. 如條項3之光源，其進一步包含光學元件，該光學元件經組態以自光產生裝置接收光且將光導引至標準具。 9. 如條項8之光源，其中光學元件為色散光學元件。 10.   一種方法，其包含： 存取與標準具相關的資訊，其中標準具與具有預設既定值之校準參數相關聯，標準具經組態以自所接收光束產生包含複數個邊緣之干涉圖案，且與標準具相關的資訊包含與複數個邊緣中之第一邊緣相關的第一空間資訊及與複數個邊緣中之第二邊緣相關的第二空間資訊； 基於與第一邊緣相關的空間資訊及校準參數之初始值來判定所接收光束之第一波長值； 基於與第二邊緣相關的空間資訊及校準參數之初始值來判定所接收光束之第二波長值；及 比較第一波長值與第二波長值以判定量測誤差值。 11.    如條項10之方法，其進一步包含基於量測誤差值來判定是否調整校準參數之預設既定值。 12.   如條項11之方法，其中量測誤差值包含第一波長值與第二波長值之間的差值，且將預設既定值調整為使得量測誤差值之量值小於臨限值之值。 13.   如條項12之方法，其中將預設既定值調整為使得量測誤差值為零之值。 14.   如條項10之方法，其中校準參數包含在標準具之輸出處的透鏡之焦距，且量測誤差包含第一波長值與第二波長值之間的差值。 15.   如條項10之方法，其中第一空間資訊包含第一邊緣之直徑，且第二空間資訊包含第二邊緣之直徑。 16.   如條項10之方法，其進一步包含朝向標準具導引光束；且其中第一邊緣由光束之第一部分產生，且第二邊緣由光束之第二部分產生。 17.   如條項16之方法，其中光束包含複數個脈衝，且光束之第一部分包含複數個脈衝中之第一者，且光束之第二部分包含複數個脈衝中之第二者。 18.   如條項16之方法，其中光束包含連續波光束，且光束之第一部分包含光束之第一樣本，且光束之第二部分包含光束之第二樣本。 19.   如條項16之方法，其進一步包含： 將校準參數之初始值改變為校準參數之更新值； 致動光學元件以藉此改變所接收光束之波長； 基於與第一邊緣相關的空間資訊及校準參數之更新值來判定所接收光束之第一波長值； 基於與第二邊緣相關的空間資訊及校準參數之更新值來判定所接收光束之第二波長值；及 比較第一波長值與第二波長值以基於校準參數之更新值來判定量測誤差值。 20.   如條項19之方法，其中光學元件經致動以在判定第二波長值之前增大波長或減小波長。 21.   如條項19之方法，其中每當致動光學元件時，第一波長值及第二波長值經判定超過一次。 22.   如條項20之方法，其進一步包含藉由比較基於校準參數之初始值判定的誤差量測值與基於校準參數之更新值判定的誤差量測值來判定是否調整校準參數之預設既定值。 23.   如條項10之方法，其中校準參數之初始值為預設既定值。 24.   如條項10之方法，其中第一邊緣及第二邊緣同時位於干涉圖案中。 25.   一種用於校準標準具之方法，該方法包含： 存取與標準具相關的資訊，其中標準具與具有預設既定值之校準參數相關聯，標準具經組態以自所接收光束產生包含複數個邊緣之干涉圖案，且與標準具相關的資訊包含與複數個邊緣中之第一邊緣相關的第一空間資訊及與複數個邊緣中之第二邊緣相關的第二空間資訊； 基於第一空間資訊、第二空間資訊及校準參數之初始值來判定標準具的量測誤差值；及 分析量測誤差值以判定是否調整預設既定值。 26.   如條項25之方法，其中校準參數包含在標準具之輸出處的透鏡之焦距。 27.   如條項26之方法，其進一步包含： 基於第一空間資訊判定第一波長值；及 基於第二空間資訊判定第二波長值，其中量測誤差包含第一波長值與第二波長值之間的差值。 28.   如條項25之方法，其中 校準參數包含複數個初始值； 判定量測誤差值包含為複數個初始值中之每一者模擬複數個量測誤差值，各量測誤差值係基於第一空間資訊、第二空間資訊及校準參數之複數個初始值中之一者；且 分析量測誤差值包含分析經模擬量測誤差值。
其他實施在申請專利範圍之範疇內。
100:系統 110:光產生模組 114:路徑 116:光束 116':部分 117:光束分離器 130:標準具 131:校準參數 133A:光學元件 133B:光學元件 134:輸出透鏡 136:距離 137:影像平面 139:干涉圖案 139_1:邊緣 139_2:邊緣 140:偵測器 142:主動區域 150:控制系統 160:光學量測裝置 163:焦距 180:器件 230:標準具 231:校準參數 232:輸入透鏡 233A:光學元件 233B:光學元件 234:輸出透鏡/聚焦透鏡 235:孔徑 236:距離 237:平面 238A:反射表面 238B:反射表面 239:干涉圖案 239_1:邊緣 239_2:邊緣 240:偵測器 242:主動區域 250:控制系統 251:電子處理模組 252:電子儲存器 253:I/O介面 254:資料連接 260:光學量測裝置 263:焦距 300:程序 310:步驟 320:步驟 330:步驟 340:步驟 400:程序 410:步驟 420:步驟 430:步驟 440:步驟 450:步驟 460:步驟 470:步驟 600:程序 610:步驟 620:步驟 630:步驟 640:步驟 650:步驟 660:步驟 665:步驟 670:步驟 680:步驟 690:步驟 753:關係 754:曲線圖/關係 800:系統 810:光產生模組 812:光學振盪器 813-a:陰極 813-b:陽極 815:放電腔室 816:曝光光束/輸出光束 816A:光束 819:氣態增益介質 870:度量衡系統 871:感測器 880:掃描器裝置 881:投影光學系統 882:晶圓 883:晶圓固持器 884:狹縫 885:遮罩 886:透鏡系統 889:流體管道 890:氣體供應系統 891:腔室 895:光譜調整裝置 896:輸出耦合器 897:電壓源 898:光譜分析裝置 899:光束製備系統 901:光束擴展器 902:繞射表面 921:光學組件/光柵 921A:致動系統 922:稜鏡 922A:致動系統 923:稜鏡 923A:致動系統 924:稜鏡 924A:致動系統 925:稜鏡 925A:致動系統 926A:軸 955:孔徑 962:入射角 965:光學放大率 995:光譜調整裝置 1000:微影系統 1010:光產生模組 1012_1:主控振盪器 1012_2:功率放大器 1013a_1:電極 1013a_2:電極 1013b_1:電極 1013b_2:電極 1015_1:放電腔室 1015_2:放電腔室 1016:輸出光束/脈衝光束 1018:種子光束 1019_1:增益介質 1019_2:增益介質 1063_1:第一腔室窗 1063_2:第一腔室窗 1064_1:第二腔室窗 1064_2:第二腔室窗 1068:線中心分析模組 1069:光束耦合光學系統 1078:內部 1080:掃描器裝置 1090:氣體管理系統 1092:光束轉向光學元件 1095:線窄化模組 1096:輸出耦合器 1099:光束製備系統 d1:邊緣直徑 d2:邊緣直徑 H(P):入射表面 P:稜鏡 Wi:橫向寬度 Wi(P):橫向寬度 Wo:橫向寬度 Wo(P):橫向寬度 δ(P):光束折射角
圖1A為系統之一實例的方塊圖。
圖1B展示干涉圖案之一實例。
圖1C為圖1A之系統的一態樣之方塊圖。
圖2A為光學量測裝置之一實例的方塊圖。
圖2B及圖2C係關於干涉圖案之另一實例。
圖3及圖4為用於判定標準具之量測誤差的程序之實例的流程圖。
圖5展示標準具之量測誤差之實例曲線圖。
圖6為用於判定標準具之量測誤差的程序之一實例的流程圖。
圖7展示標準具之量測誤差的實例曲線圖。
圖8A展示可使用光學量測裝置之深紫外線(DUV)光學系統之一實例。
圖8B為投影光學系統之一實例。
圖9A為光譜調整裝置之一實例的方塊圖。
圖9B展示稜鏡之一實例。
圖10展示可使用光學量測裝置之深紫外線(DUV)光學系統的一實例。
250:控制系統
815:放電腔室
816:曝光光束/輸出光束
896:輸出耦合器
901:光束擴展器
902:繞射表面
921:光學組件
921A:致動系統
922:稜鏡
922A:致動系統
923:稜鏡
923A:致動系統
924:稜鏡
924A:致動系統
925:稜鏡
925A:致動系統
926A:軸
955:孔徑
962:入射角
995:光譜調整裝置
Wi:橫向寬度
Wo:橫向寬度

Claims (28)

  1. 一種用於一光源之光學量測裝置，該光學量測裝置包含：一標準具(etalon)，其包含經組態以將光聚焦於一影像平面處之一聚焦透鏡，其中該標準具與一校準參數相關聯，該校準參數與該聚焦透鏡相關，且該校準參數具有一預設既定值；一光學偵測器，其經組態以偵測由該標準具產生之一干涉圖案且產生與該標準具相關的資訊，該資訊包含一第一邊緣(fringe)之第一空間資訊及一第二邊緣之第二空間資訊；及一控制系統，其耦合至該光學偵測器，該控制系統經組態以：基於來自該偵測器之第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該標準具之一量測誤差值；且分析該量測誤差值以判定是否調整該預設既定值。
  2. 如請求項1之光學量測裝置，其中該光源包含一深紫外線(DUV)光源。
  3. 一種光源，其包含：一光產生裝置；及一光學量測裝置，其包含：一標準具，其包含經組態以將光聚焦於一影像平面處之一聚焦透鏡，該標準具與一校準參數相關聯，該校準參數與該聚焦透鏡相關，且該校準參數具有一預設既定值； 一光學偵測器，其經組態以偵測由該標準具產生之一干涉圖案且產生與該標準具相關的資訊，該資訊包含一第一邊緣之第一空間資訊及一第二邊緣之第二空間資訊；及一控制系統，其耦合至該光學偵測器，該控制系統經組態以：基於該第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該標準具之一量測誤差值；及分析該量測誤差值以判定是否調整該預設既定值。
  4. 如請求項3之光源，其中該光產生裝置包含一深紫外線(DUV)光源。
  5. 如請求項4之光源，其中該光產生裝置包含一主控振盪器。
  6. 如請求項4之光源，其中該光產生裝置進一步包含一功率放大器。
  7. 如請求項4之光源，其中該光產生裝置包含複數個主控振盪器。
  8. 如請求項3之光源，其進一步包含一光學元件，該光學元件經組態以自該光產生裝置接收光且將光導引至該標準具。
  9. 如請求項8之光源，其中該光學元件為一色散光學元件。
  10. 一種用於判定標準具中之量測誤差的方法，其包含：存取與一標準具相關的資訊，其中該標準具與具有一預設既定值之 一校準參數相關聯，該標準具經組態以自一所接收光束產生包含複數個邊緣之一干涉圖案，且與該標準具相關的該資訊包含與該複數個邊緣中之一第一邊緣相關的第一空間資訊及與該複數個邊緣中之一第二邊緣相關的第二空間資訊；基於與該第一邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該所接收光束之一第一波長值；基於與該第二邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該初始值來判定該所接收光束之一第二波長值；及比較該第一波長值與該第二波長值以判定一量測誤差值。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含基於該量測誤差值來判定是否調整該校準參數之該預設既定值。
  12. 如請求項11之方法，其中該量測誤差值包含該第一波長值與該第二波長值之間的一差值，且將預設既定值調整為使得該量測誤差值之一量值小於一臨限值之一值。
  13. 如請求項12之方法，其中將該預設既定值調整為使得該量測誤差值為零之一值。
  14. 如請求項10之方法，其中該校準參數包含在該標準具之一輸出處的一透鏡之一焦距，且該量測誤差包含該第一波長值與該第二波長值之間的一差值。
  15. 如請求項10之方法，其中該第一空間資訊包含該第一邊緣之一直徑，且該第二空間資訊包含該第二邊緣之一直徑。
  16. 如請求項10之方法，其進一步包含朝向該標準具導引一光束；且其中該第一邊緣由該光束之一第一部分產生，且該第二邊緣由該光束之一第二部分產生。
  17. 如請求項16之方法，其中該光束包含複數個脈衝，且該光束之該第一部分包含該複數個脈衝中之一第一者，且該光束之該第二部分包含該複數個脈衝中之一第二者。
  18. 如請求項16之方法，其中該光束包含一連續波光束，且該光束之該第一部分包含該光束之一第一樣本，且該光束之該第二部分包含該光束之一第二樣本。
  19. 如請求項16之方法，其進一步包含：將該校準參數之該初始值改變為該校準參數之一更新值；致動一光學元件以藉此改變該所接收光束之該波長；基於與該第一邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該更新值來判定該所接收光束之一第一波長值；基於與該第二邊緣相關的該空間資訊及該校準參數之該更新值來判定該所接收光束之一第二波長值；及 比較該第一波長值與該第二波長值以基於該校準參數之該更新值來判定一量測誤差值。
  20. 如請求項19之方法，其中該光學元件經致動以在判定該第二波長值之前增大該波長或減小該波長。
  21. 如請求項19之方法，其中每次致動該光學元件時，該第一波長值及該第二波長值經判定超過一次。
  22. 如請求項20之方法，其進一步包含藉由比較基於該校準參數之該初始值判定的該誤差量測值與基於該校準參數之該更新值判定的該誤差量測值來判定是否調整該校準參數之該預設既定值。
  23. 如請求項10之方法，其中該校準參數之該初始值為該預設既定值。
  24. 如請求項10之方法，其中該第一邊緣及該第二邊緣同時位於該干涉圖案中。
  25. 一種用於校準一標準具之方法，該方法包含：存取與一標準具相關的資訊，其中該標準具與具有一預設既定值之一校準參數相關聯，該標準具經組態以自一所接收光束產生包含複數個邊緣之一干涉圖案，且與該標準具相關的該資訊包含與該複數個邊緣中之一第一邊緣相關的第一空間資訊及與該複數個邊緣中之一第二邊緣相關的第 二空間資訊；基於該第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之一初始值來判定該標準具的一量測誤差值；及分析該量測誤差值以判定是否調整該預設既定值。
  26. 如請求項25之方法，其中該校準參數包含在該標準具之一輸出處的一透鏡之一焦距。
  27. 如請求項26之方法，其進一步包含：基於該第一空間資訊判定一第一波長值；及基於該第二空間資訊判定一第二波長值，其中該量測誤差包含該第一波長值與該第二波長值之間的一差值。
  28. 如請求項25之方法，其中該校準參數包含複數個初始值；判定一量測誤差值包含為該複數個初始值中之每一者模擬複數個量測誤差值，各量測誤差值係基於該第一空間資訊、該第二空間資訊及該校準參數之該複數個初始值中之一者；且分析該量測誤差值包含分析該等經模擬量測誤差值。
TW110120707A 2020-06-24 2021-06-08 光源、用於光源之光學量測裝置、用於判定標準具中之量測誤差的方法及用於校準標準具之方法 TWI797637B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063043312P 2020-06-24 2020-06-24
US63/043,312 2020-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202202825A TW202202825A (zh) 2022-01-16
TWI797637B true TWI797637B (zh) 2023-04-01

Family

ID=76523468

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112107753A TWI843463B (zh) 2020-06-24 2021-06-08 控制系統及用於判定量測誤差之系統
TW110120707A TWI797637B (zh) 2020-06-24 2021-06-08 光源、用於光源之光學量測裝置、用於判定標準具中之量測誤差的方法及用於校準標準具之方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112107753A TWI843463B (zh) 2020-06-24 2021-06-08 控制系統及用於判定量測誤差之系統

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11860036B2 (zh)
JP (2) JP7419570B2 (zh)
KR (1) KR20230014762A (zh)
CN (1) CN115720624A (zh)
TW (2) TWI843463B (zh)
WO (1) WO2021262373A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320663B1 (en) * 1999-01-22 2001-11-20 Cymer, Inc. Method and device for spectral measurements of laser beam
US20030137672A1 (en) * 2002-01-21 2003-07-24 Masato Moriya Wavelength detecting apparatus, laser apparatus, and wavelength detecting method
CN102057269A (zh) * 2008-11-26 2011-05-11 齐戈股份有限公司 用低相干扫描干涉测量法的扫描误差校正
US20130182259A1 (en) * 2009-12-01 2013-07-18 Mark Brezinski System and method for calibrated spectral domain optical coherence tomography and low coherence interferometry

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0436622A (ja) * 1990-06-01 1992-02-06 Mitsui Petrochem Ind Ltd レーザ光の波長検出方法及び装置
US5243614A (en) 1990-11-28 1993-09-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wavelength stabilizer for narrow bandwidth laser
JP2997956B2 (ja) 1991-06-27 2000-01-11 株式会社小松製作所 波長検出装置
US5991324A (en) 1998-03-11 1999-11-23 Cymer, Inc. Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser
US5978391A (en) 1997-07-18 1999-11-02 Cymer, Inc. Wavelength reference for excimer laser
US6359693B2 (en) 1999-02-04 2002-03-19 Cymer, Inc. Double pass double etalon spectrometer
JP2001007007A (ja) 1999-06-23 2001-01-12 Ushio Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk 半導体露光用エキシマレーザ光のための波長モニタ装置
US6317448B1 (en) 1999-09-23 2001-11-13 Cymer, Inc. Bandwidth estimating technique for narrow band laser
US6750972B2 (en) * 2000-11-17 2004-06-15 Cymer, Inc. Gas discharge ultraviolet wavemeter with enhanced illumination
US6744524B1 (en) 2002-06-03 2004-06-01 Nortel Networks Limited Method and apparatus for calibrating a fabry-perot interferometer based measurement system
JP4343559B2 (ja) 2003-03-07 2009-10-14 キヤノン株式会社 収差測定装置
US9983060B1 (en) 2016-11-28 2018-05-29 Cymer, Llc Calibration of a spectral analysis module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320663B1 (en) * 1999-01-22 2001-11-20 Cymer, Inc. Method and device for spectral measurements of laser beam
US20030137672A1 (en) * 2002-01-21 2003-07-24 Masato Moriya Wavelength detecting apparatus, laser apparatus, and wavelength detecting method
CN102057269A (zh) * 2008-11-26 2011-05-11 齐戈股份有限公司 用低相干扫描干涉测量法的扫描误差校正
US20130182259A1 (en) * 2009-12-01 2013-07-18 Mark Brezinski System and method for calibrated spectral domain optical coherence tomography and low coherence interferometry

Also Published As

Publication number Publication date
TW202328663A (zh) 2023-07-16
TWI843463B (zh) 2024-05-21
JP2023532413A (ja) 2023-07-28
JP2024050593A (ja) 2024-04-10
US11860036B2 (en) 2024-01-02
JP7419570B2 (ja) 2024-01-22
CN115720624A (zh) 2023-02-28
WO2021262373A1 (en) 2021-12-30
KR20230014762A (ko) 2023-01-30
TW202202825A (zh) 2022-01-16
US20230142333A1 (en) 2023-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI427878B (zh) 光源之主動光譜控制技術
KR102058492B1 (ko) 펄스형 광 빔의 스펙트럼 특징 계측
TWI664491B (zh) 檢測裝置、電腦程式產品及監測輻射源配置之操作條件之方法
TWI678600B (zh) 用於操作光束的方法及裝置
KR102282932B1 (ko) 광빔의 코히어런스의 양의 조정 방법
TWI797637B (zh) 光源、用於光源之光學量測裝置、用於判定標準具中之量測誤差的方法及用於校準標準具之方法
TWI829430B (zh) 光學屬性判定之設備、系統及方法
TWI832247B (zh) 光學系統及主動控制光學總成之腔室長度的系統
TWI814147B (zh) 具有增加之波長分離之多焦點成像
TWI773023B (zh) 用於深紫外線（ｄｕｖ）光學微影之系統及方法、控制光學源裝置之方法、及用於光學源裝置之控制模組
US20220385031A1 (en) Controlling a spectral property of an output light beam produced by an optical source