TWI796655B - 流體截止閥 - Google Patents
流體截止閥 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI796655B TWI796655B TW110110001A TW110110001A TWI796655B TW I796655 B TWI796655 B TW I796655B TW 110110001 A TW110110001 A TW 110110001A TW 110110001 A TW110110001 A TW 110110001A TW I796655 B TWI796655 B TW I796655B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mentioned
- shielding
- injection
- fluid
- gas
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K1/00—Lift valves or globe valves, i.e. cut-off apparatus with closure members having at least a component of their opening and closing motion perpendicular to the closing faces
- F16K1/32—Details
- F16K1/34—Cutting-off parts, e.g. valve members, seats
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K17/00—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K17/00—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves
- F16K17/006—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves specially adapted for shelters
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
- F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Fluid-Driven Valves (AREA)
- Infusion, Injection, And Reservoir Apparatuses (AREA)
- Temperature-Responsive Valves (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
Abstract
本發明揭露流體截止閥,上述流體截止閥包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道使流體流入並流動,上述收容空間形成於流體通道的外側;第一屏蔽模組,包括第一屏蔽板,上述第一屏蔽板位於收容空間的第一等待位置,向屏蔽位置移動來屏蔽流體通道;第二屏蔽模組,包括第二屏蔽板,上述第二屏蔽板位於收容空間的第二等待位置,向屏蔽位置移動來與第一屏蔽模組交替屏蔽流體通道;第一噴射模組,用於向第一屏蔽板噴射清潔氣體;以及第二噴射模組,用於向第二屏蔽板噴射清潔氣體。
Description
本發明關於如下的流體截止閥,即,設置於半導體生產線或顯示器生產線的製程腔或製程用配管,暫時阻隔包括廢氣和反應副產物的流體的流動。
半導體生產線或顯示器生產線具備製程裝置、製程用配管及真空泵,製程裝置和真空泵可通過製程用配管相連接。製程裝置包括製程腔,製程腔的內部通過真空泵形成真空。上述製程腔的內部維持真空狀態,進行如蒸鍍或蝕刻的工序處理。當維護製程裝置、維護製程用配管或維護真空泵時,上述製程腔可通過阻隔流體截止閥來維持與大氣體阻隔的狀態。
上述流體截止閥需要維持進行阻隔時的遮蔽力。在上述流體截止閥中發生洩漏的情況下,有可能導致製程腔內部的污染和維護過程的延遲。
並且,在進行上述製造工序的過程中,存在需要使製程腔反復維持真空狀態和大氣壓狀態的情況,頻頻發生需要維護結合在製程腔與真空泵之間的部件的情況。在上述情況下,密閉位於真空泵的上部的流體截止閥,從而可以將流體截止閥的上部和下部的壓力分別以大氣壓或真空狀態維持。
並且,與上述情況不同,當更換及維護真空泵時,需要阻隔流體截止閥來將流體截止閥的上部以真空狀態繼續維持。在這種情況下,上述
流體截止閥需要反復執行遮蔽,尤其,當進行遮蔽時,不能發生洩漏。即,上述流體截止閥的遮蔽功能極為重要。
並且,上述流體截止閥也將用於發生大量的製程反應副產物(製程粉末)的工序。在上述流體截止閥執行遮蔽的過程中,以防止發生洩漏的方式確切地完成遮蔽。但是,當將上述流體截止閥用於反應副產物多的工序時,有可能在阻隔流體的屏蔽板堆積或固著反應副產物。在這種情況下,上述流體截止閥未被確切地遮蔽而發生洩漏,從而導致製程效率的下降。
本發明的目的在於,提供如下的流體截止閥,即,可通過去除堆積在屏蔽板的上部面的反應副產物來維持遮蔽功能。
並且,本發明的目的在於,提供如下的流體截止閥,即,可通過構成交替移動來阻隔流體的流動的至少2個屏蔽板來延長流體截止閥的維護週期。
本發明的流體截止閥的特徵在於,包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道形成於外罩上部孔與外罩下部孔之間,用於使流體流入並流動,上述收容空間形成於上述流體通道的外側,與上述流體通道相連接;第一屏蔽模組,包括第一屏蔽板,上述第一屏蔽板位於上述收容空間的第一等待位置,向上述流體通道的屏蔽位置移動來屏蔽上述流體通道;第二屏蔽模組,包括第二屏蔽板,上述第二屏蔽板位於上述收容空間的第二等待位置,向上述屏蔽位置移動來與上述第一屏蔽模組交替屏
蔽上述流體通道;第一噴射模組,用於向上述第一屏蔽板的噴射清潔氣體;以及第二噴射模組,用於向上述第二屏蔽板噴射清潔氣體。
並且,本發明的流體截止閥的特徵在於,包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道形成於外罩上部孔與外罩下部孔之間,用於使流體流入並流動,上述收容空間形成於上述流體通道的外側,與上述流體通道相連接;第一屏蔽模組,包括第一屏蔽板,上述第一屏蔽板位於上述收容空間的第一等待位置,向上述流體通道的屏蔽位置移動來屏蔽上述流體通道;以及第一噴射模組,用於向上述第一屏蔽板噴射清潔氣體。
並且,本發明的流體截止閥的特徵在於,包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道形成於外罩上部孔與外罩下部孔之間,用於使流體氣體流入並流動,上述收容空間形成於上述流體通道的外側,與上述流體通道相連接;屏蔽模組,包括屏蔽板,上述屏蔽板位於上述收容空間的等待位置,向上述流體通道的屏蔽位置移動來屏蔽上述流體通道;以及噴射模組,用於向位於上述等待位置的上述屏蔽板噴射清潔氣體。
本發明的流體截止閥可通過去除堆積在屏蔽板的上部面的反應副產物來維持屏蔽板的屏蔽功能。
並且,本發明的流體截止閥向屏蔽板的上部面噴射清潔氣體或從其吸入清潔氣體,因此,在不從真空配管分離等情況下,可以去除堆積在屏蔽板的上部面的反應副產物。
並且,本發明的流體截止閥包括相互獨立動作的至少2個屏蔽板,因此,當一個屏蔽流體路徑時,另一個可以在屏蔽板的上部面去除反應副產物。
並且,本發明的流體截止閥可以在進行製造工序的過程中,在屏蔽板的上部面去除反應副產物,從而可以增加製程效率。
100、200、300、400、500、600、700、800:流體截止閥
110、210、310、410、510、610、710:閥外罩
110a:流體通道
110b:收容空間
110c:外罩上部孔
110d:外罩下部孔
110e、710e:第一屏蔽孔
110f:第二屏蔽孔
110g、510g:第一噴射孔
110h、510h:第二噴射孔
510i:第一噴射收容槽
510j:第二噴射收容槽
120:第一屏蔽模組
720:屏蔽模組
121:第一氣壓缸
122:第一氣動外罩
122a:第一活塞通道
122b:第一旋轉孔
123:第一氣動活塞
124:第一旋轉軸
125:第一移送體
126:第一移送桿
127:第一移送環
128:第一屏蔽板
129:第一O型環
728:屏蔽板
130:第二屏蔽模組
131:第二氣壓缸
132:第二氣動外罩
132a:第二活塞通道
132b:第二旋轉孔
133:第二氣動活塞
134:第二旋轉軸
135:第二移送體
136:第二移送桿
137:第二移送環
138:第二屏蔽板
139:第二O型環
140、540:第一噴射模組
740:噴射模組
141:第一噴射本體
141a:第一供氣孔
141b:第一氣體引導槽
141c:第一本體臺階
142、542:第一噴射板
742:噴射板
744:噴射支撐桿
142a、542a:第一氣體噴射孔
142b:第一結合槽
143:第一供氣管
544:第一噴射支撐桿
150、550:第二噴射模組
151:第二噴射本體
151a:第二供氣孔
151b:第二氣體引導槽
151c:第二本體臺階
152、552:第二噴射板
152a、552a:第二氣體噴射孔
152b:第二結合槽
153:第二供氣管
554:第二噴射支撐桿
160:防流入缸
160a:下部流體通道
161:流入防止外罩
161a:防止活塞通道
161b:防止通道開放孔
161c:第一防止通道
161d:第二防止通道
161e:阻隔氣體通道
162:流入防止活塞
163:防止活塞本體
164:防活塞桿
164a:桿O型環槽
165:活塞O型環
166:流入阻隔單元
167:流入阻隔環
167a:阻隔氣體流路
168:流入阻隔凸緣
170:下部流出管
170a:下部流出通道
200a:旁路氣體通道
200b:上部旁路通道
200c:下部旁路通道
280:旁路連接管
290:旁路通道阻隔單元
圖1為本發明一實施例的流體截止閥的俯視圖。
圖2a為圖1的A-A的垂直剖視圖。
圖2b為圖2a的B的放大圖。
圖3a為圖1的第一屏蔽模組的分離立體圖。
圖3b為圖3a的第一屏蔽模組的垂直剖視圖。
圖4為圖1的第一氣壓缸的水平剖視圖。
圖5為圖1的第一噴射模組的垂直剖視圖。
圖6為圖5的第一噴射模組仰視圖。
圖7為本發明再一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
圖8a、圖8b為示出圖7的實施例的流體截止閥動作的工序圖。
圖9a為本發明另一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
圖9b為圖9a的C-C的垂直剖視圖。
圖10為本發明另一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
圖11為示出圖10的實施例的流體截止閥的動作的工序圖。
圖12為本發明還有一實施例的流體截止閥的俯視圖。
圖13為圖12的D-D的垂直剖視圖。
圖14為圖13的“E”的放大圖。
圖15為圖14的F-F的水平剖視圖。
圖16為圖14的G-G的水平剖視圖。
圖17為本發明還有一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
圖18為本發明還有一實施例的流體截止閥的俯視圖。
圖19為圖18的G-G的垂直剖視圖。
圖20為在圖18的流體截止閥中,屏蔽板對流體通道進行屏蔽的狀態的垂直剖視圖。
圖21為本發明另一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
以下,參照圖式,詳細說明本發明較佳實施例的流體截止閥。
首先,說明本發明一實施例的流體截止閥。
圖1為本發明一實施例的流體截止閥的俯視圖。圖2a為圖1的A-A的垂直剖視圖。圖2b為圖2a的“B”的放大圖。圖3a為圖1的第一屏蔽模組的分離立體圖。圖3b為圖3a的第一屏蔽模組的垂直剖視圖。圖4為圖1的第一氣壓缸的水平剖視圖。圖5為圖1的第一噴射模組的垂直剖視圖。圖6為圖5的第一噴射模組仰視圖。
參照圖1至圖6,本發明一實施例的流體截止閥100可包括閥外罩110、第一屏蔽模組120、第二屏蔽模組130、第一噴射模組140、第二噴射模組150及防流入缸160。並且,上述流體截止閥100還可包括下部流出管170。另一方面,上述流體截止閥100僅可包括第一屏蔽模組120、第一噴射模組140或第二屏蔽模組130及第二噴射模組150。
上述流體截止閥100可包括流體通道110a,上述流體通道110a在閥外罩110的中心,從上部向下部貫通。上述流體截止閥100以使流體通道110a與製程用配管(未圖示)的內部通道相連通的方式與製程用配管相結合。
並且,上述流體截止閥100以在製程腔(未圖示)的下部與製程腔的內部相連通的方式與製程腔相結合。
上述流體截止閥100可包括第一屏蔽模組120和第二屏蔽模組130來暫時交替屏蔽流體通道110a。上述第一屏蔽模組120和第二屏蔽模組130可以交替屏蔽流體通道110a。在此情況下,上述第一屏蔽模組120屏蔽流體通道110a的結構可以在屏蔽位置a和第一等待位置b反復移動並屏蔽流體通道110a。並且,上述第二屏蔽模組130屏蔽流體通道110a的結構可以在屏蔽位置a和第二等待位置c反復移動並屏蔽流體通道110a。其中,上述屏蔽位置a是第一屏蔽模組120和第二屏蔽模組130的對應結構為了屏蔽流體通道110a而移動的位置,第一等待位置b和第二等待位置c是第一屏蔽模組120和第二屏蔽模組130的對應結構並不分別屏蔽流體通道110a時等待的位置。並且,上述第一等待位置b和第二等待位置c是第一屏蔽模組120和第二屏蔽模組130的對應結構分別通過在第一噴射模組140或第二噴射模組150中噴射的清潔氣體清洗的位置。
上述閥外罩110可包括;流體通道110a,內部上下延伸;以及收容空間110b,在流體通道110a的外周側,沿著圓周方向延伸。上述閥外罩110可包括外罩上部孔110c和外罩下部孔110d,上述外罩上部孔110c和外罩下部孔110d在上述閥外罩110的上部和下部分別開放。並且,上述閥外罩110可包括第一屏蔽孔110e、第二屏蔽孔110f、第一噴射孔110g及第二噴射孔110h。上述閥外罩110可以由沿著水平方向相互分離而成的上部外罩111與下部外罩112結合而成。並且,上述閥外罩110還可包括上部連接管115。
上述流體通道110a可以在閥外罩110的內部上下延伸,可形成於上部的外罩上部孔110c及下部的外罩下部孔110d。上述流體通道110a提供使包括半導體生產線中產生的廢氣和反應副產物粒子從上部向下部流動的路
徑。上述外罩上部孔110c提供使流體向流體通道110a流入的路徑,外罩下部孔110d提供使流體向流體通道110a的下部流出的路徑。上述外罩下部孔110d的直徑可大於外罩上部孔110c的直徑。上述外罩下部孔110d可提供與防流入缸160的上部相結合的空間。
並且,上述收容空間110b在閥外罩110的內部提供第一屏蔽模組120和第二屏蔽模組130的一部分或全部收容的空間。上述收容空間110b呈包圍流體通道110a的外側的形狀,可以與流體通道110a形成為一體來相互連通。
上述第一屏蔽孔110e以流體通道110a為基準,可從閥外罩110的一側的上部向收容空間110b貫通形成。上述第一屏蔽孔110e可提供與第一屏蔽模組120的一部分相結合的空間。
上述第二屏蔽孔110f以流體通道110a為基準,可從閥外罩110的另一側的上部向收容空間110b貫通形成。上述第二屏蔽孔110f可提供與第二屏蔽模組130的一部分相結合的空間。
上述第一噴射孔110g以流體通道110a為基準,可從閥外罩110的一側的上部向第一等待位置b的收容空間110b貫通。即,上述第一噴射孔110g可從上部外罩111的上部面向下部面貫通。上述第一噴射孔110g可形成於在收容空間110b中與第一等待位置b對應的位置。上述第一噴射孔110g可提供第一噴射模組140結合的空間。因此,上述第一噴射孔110g可呈與第一噴射模組140的形狀對應的形狀。例如,在上述第一噴射模組140呈圓柱形狀的情況下,第一噴射孔110g可呈圓桶形狀,內徑可以與第一噴射模組140的外徑對應。並且,上述第一噴射孔110g可根據第一噴射模組140的外側面形狀,在中間形成高度差。上述第一噴射孔110g可以更加穩定地支撐第一噴射模組140。
上述第二噴射孔110h以流體通道110a為基準,可從閥外罩110的另一側的上部向第二等待位置c的收容空間110b貫通。即,上述第二噴射孔110h可從上部外罩111的上部面向下部面貫通。上述第二噴射孔110h可以形成於在收容空間110b中與第二等待位置c對應的位置。上述第二噴射孔110h可提供第二噴射模組150結合的空間。與第一噴射孔110g相同,上述第二噴射孔110h可呈與第二噴射模組150的對應的形狀。雖然並未具體示出,與第一噴射孔110g相同,上述第二噴射孔110h可根據第二噴射模組150的外側面形狀,在中間形成高度差。上述第二噴射孔110h可以更加穩定地支撐第二噴射模組150。
上述上部連接管115以沿著上部方向延伸的方式與外罩上部孔110c相結合。上述上部連接管115可以與製程用配管相連接。上述上部連接管115可提供使流入向流體通道110a流入的路徑。
另一方面,雖然並未具體示出,上述閥外罩110還可包括用於排出從第一噴射模組140或第二噴射模組150噴射的清潔氣體的清潔氣體排出通道(未圖示)。即,上述清潔氣體排出通道可由從收容空間110b向閥外罩110的外部面貫通的通道形成。上述清潔氣體排出通道可通過額外的排出管(未圖示)與製程用配管或額外的氣體處理裝置連接。因此,從上述第一噴射模組140或第二噴射模組150噴射的清潔氣體通過清潔氣體排出通道向外部排出,並不增加收容空間110b的壓力。
上述第一屏蔽模組120可包括第一氣壓缸121、第一旋轉軸124、第一移送體125及第一屏蔽板128。上述第一屏蔽模組120可以在閥外罩110的上部,位於以流體通道110a為基準的一側。即,在上述第一屏蔽模組120中,第一氣壓缸121使第一旋轉軸124進行旋轉來使第一屏蔽板128從第一等待位置b沿著弧形路徑向屏蔽位置a移動。其中,上述第一等待位置b為當第
一屏蔽板128並不屏蔽流體通道110a時等待的位置,可以是在收容空間110b的內部,以流體通道110a為基準的一側位置。並且,述屏蔽位置a為第一屏蔽板128為了屏蔽流體通道110a而移動的位置,是從外罩上部孔110c的下部隔開的位置。
上述第一氣壓缸121包括第一氣動外罩122及第一氣動活塞123。上述第一氣壓缸121通過從外部供給的氣壓來使第一氣動活塞123直線移動,並使第一旋轉軸124進行旋轉。上述第一氣壓缸121可以在閥外罩110的外側,位於以流體通道110a為基準的一側。上述第一氣壓缸121可位於閥外罩110的外側上部。
上述第一氣動外罩122可包括第一活塞通道122a及第一旋轉孔122b。上述第一氣動外罩122可大致呈直六面體的塊形狀,第一活塞通道122a沿著水平方向形成,以使第一旋轉孔122b貫通閥外罩110的第一屏蔽孔110e的方式與閥外罩110的上部面相結合。
上述第一活塞通道122可呈U字形狀,可在第一氣動外罩122的內部沿著水平方向形成。上述第一活塞通道122a的兩端可以向第一氣動外罩122的一側面開放。在上述第一活塞通道122a的兩端可以與額外的氣動配管(未圖示)相連接,可通過氣動配管供給或排出氣壓。
上述第一旋轉孔122b可以由從第一氣動外罩122的下部面朝向上部方向以規定高度延伸的孔形成。較佳地,上述第一旋轉孔122b的延伸高度可大於第一活塞通道122a的高度。上述第一旋轉孔122b可以與閥外罩110的第一屏蔽孔110e相連接,可提供插入第一旋轉軸124的路徑。
上述第一氣動活塞123可以由剖面積小於第一活塞通道122a的垂直剖面積且具有規定長度的塊形成。上述第一氣動活塞123可以由使第一旋轉
軸124從第一等待位置b向屏蔽位置a旋轉所需要的長度形成。上述第一氣動活塞123可以在與第一旋轉孔122b相向的面,沿著長度方向形成齒部。
上述第一氣動活塞123可以在第一活塞通道122a的內部通過氣壓從一側向另一側移動。上述第一氣動活塞123可以形成1個或2個,可位於形成第一活塞通道122a的平行的位置。在上述第一氣動活塞123形成1個的情況下,可以在位於第一旋轉孔122b的一側或另一側的第一活塞通道122a的一個設置來移動。並且,在上述第一氣動活塞123形成2個的情況下,如圖4所示,位於第一旋轉孔122b的兩側來向相反方向移動。在上述第一氣動活塞123形成2個的情況下,使第一旋轉軸124進行旋轉的力增加,因此,可以輕鬆使第一旋轉軸124進行旋轉。
上述第一旋轉軸124可呈具有規定長度的圓柱形狀。並且,上述第一旋轉軸124可以在與第一氣動活塞123相向的上部的圓周面形成齒部。上述第一旋轉軸124的一側可以與第一氣壓缸121相連接來旋轉,另一側可以朝向閥外罩110的收容空間110b延伸。更具體地,上述第一旋轉軸124的上部可向第一旋轉孔122b和第一屏蔽孔110e插入來旋轉,下部可向收容空間110b露出。上述第一旋轉軸124的上部外周面的一部分可通過第一旋轉孔122b的一側和另一側向第一活塞通道122a露出。並且,在上述第一旋轉軸124的露出的外周面形成的齒部可以與第一氣動活塞123的齒部嚙合。上述第一旋轉軸124可以根據第一氣動活塞123的前進後退旋轉規定角度。即,上述第一旋轉軸124可以將第一氣動活塞123的直線運動轉換成旋轉運動。
上述第一移送體125可包括第一移送桿126及第一移送環127上述第一移送體125的一側可以與第一旋轉軸124相結合,另一側以具有弧形軌跡的方式進行旋轉。上述第一移送體125可通過第一旋轉軸124的旋轉使第一
移送環127在第一等待位置b與屏蔽位置a之間反復移動。上述第一移送桿126與第一移送環127可形成為一體。
上述第一移送桿126可呈具有規定長度的桿形狀,一側可以與第一旋轉軸124的下部相結合。並且,上述第一移送桿126的另一側可以沿著第一等待位置b的方向延伸。
上述第一移送環127可呈環形狀,可以由具有規定內徑的環形狀形成。上述第一移送環127可以在內周面,從上部向下部內側形成臺階。上述第一移送環127的外側可以與第一移送桿126相結合。
上述第一屏蔽板128可呈圓板形狀,外徑可小於第一移送環127的內徑。上述第一屏蔽板128可以在上部面,朝向外側形成環形狀的第一O型環槽128a。上述第一O型環槽128a的內徑可大於外罩上部孔110c的內徑。向上述第一O型環槽128a可插入固定第一O型環129。上述第一O型環129可以比第一屏蔽板128的上部面更突出。因此,當上述第一屏蔽板128屏蔽流體通道110a時,第一O型環129可以與閥外罩110的下部面相接觸來屏蔽流體通道110a。
上述第一屏蔽板128可向第一移送環127的內側插入。上述第一屏蔽板128可放置於在第一移送環127的內周面形成的臺階並被支撐。上述第一屏蔽板128的上部面以與第一移送環127的上部面形成相同平面或者高度低於第一移送環127的上部面的高度的方式與第一移送環127相結合。因此,上述第一屏蔽板128的厚度可等於或小於從第一移送環127的臺階至上部面的高度。
上述第一屏蔽板128可通過第一移送體125在第一等待位置b與屏蔽位置a之間移動。上述第一屏蔽板128被移送到屏蔽位置a之後,向第一移送環127的上部移動並與閥外罩110的外罩上部孔110c的周邊相接觸來屏蔽外
罩上部孔110c的下部。並且,上述第一屏蔽板128可從外罩上部孔110c分離來放置於第一移送體125的上部面並開放流體通道110a。
上述第二屏蔽模組130可包括第二氣壓缸131、第二旋轉軸134、第二移送體135及第二屏蔽板138。上述第二屏蔽模組130的結構可以與第一屏蔽模組120相同。只是,述第二屏蔽模組130與閥外罩110相結合的位置可以為以流體通道110a基準,與第一屏蔽模組120相反側的另一側。因此,以下,以上述第二屏蔽模組130與第一屏蔽模組120存在差異的部分為中心進行說明。
在上述第二屏蔽模組130中,第二氣壓缸131可以使第二旋轉軸134進行旋轉來使第二屏蔽板138從第二等待位置c向屏蔽位置a移動。其中,上述第二等待位置c為當第二屏蔽板138並不屏蔽流體通道110a時等待的位置,可以是在收容空間110b的內部,以流體通道110a為基準的另一側位置。上述第二屏蔽模組130可以使第二旋轉軸134向與第一旋轉軸124相反的方向旋轉,可以使第二移送體135和第二屏蔽板138向相反的方向旋轉。
上述第二氣壓缸131可包括第二氣動外罩132及第二氣動活塞133。上述第二氣壓缸131可以在閥外罩110的外側上部,位於以流體通道110a為基準的另一側。
上述第二氣動外罩132可包括第二活塞通道132a和第二旋轉孔132b。上述第二活塞通道132a可大致呈U字形狀,可以在第二氣動外罩132的內部沿著水平方向形成。上述第二旋轉孔132b可以與閥外罩110的第二屏蔽孔110f相連接,可提供插入第二旋轉軸134的路徑。
上述第二氣動活塞133可以由使第二旋轉軸134從第二等待位置c向屏蔽位置a進行旋轉所需要的長度形成。
上述第二旋轉軸134在與第二氣動活塞133相向的上部的圓周面形成齒部。上述第二旋轉軸134的上部以可旋轉的方式向第二旋轉孔132b和第二屏蔽孔110f插入,下部向收容空間110b露出。上述第二旋轉軸134的上部的外周面一部分可通過第二旋轉孔132b的一側和另一側向第二活塞通道132a露出。並且,在上述第二旋轉軸134的露出的圓周面形成的齒部與第二氣動活塞133的齒部可以嚙合。上述第二旋轉軸134可根據第二氣動活塞133的前進後退旋轉規定角度。即,上述第二旋轉軸134可以將第二氣動活塞133的直線運動轉換成旋轉運動。
上述第二移送體135可包括第二移送桿136及第二移送環137上述第二移送體135可通過第二旋轉軸134的來使第二移送環137在第二等待位置c與屏蔽位置a之間反復移動。上述第二移送桿136的一側可以與第二旋轉軸134的下部相結合。並且,上述第二移送桿136的另一側可沿著第二等待位置c的方向延伸。上述第二移送環137的外側可以與第二移送桿136相結合。
上述第二屏蔽板138可以在上部面,朝向外側形成環形狀的第二O型環槽138a。向上述第二O型環槽138a可插入固定第二O型環139。因此,當上述第二屏蔽板138屏蔽流體通道110a時,第二O型環139可以與閥外罩110的下部面相接觸來屏蔽流體通道110a。第二屏蔽板138可向第二移送環137的內側插入。上述第二屏蔽板138的上部面以與第二移送環137的上部面形成相同的平面或者高度低於第二移送環137的上部面的高度的方式與第二移送環137相結合。上述第二屏蔽板138可通過第二移送體135在第二等待位置c與屏蔽位置a之間移動。
上述第二屏蔽板138向屏蔽位置a移送之後,可向第二移送環137的上部移動並屏蔽閥外罩110的外罩上部孔110c。並且,上述第二屏蔽板138
可從外罩上部孔110c分離來放置於第二移送體135的上部面並開放流體通道110a。
上述第一噴射模組140可包括第一噴射本體141及第一噴射板142。並且,上述第一噴射模組140還可包括第一供氣管143。
上述第一噴射模組140可以在第一等待位置b的上部與閥外罩110相結合。即,上述第一噴射模組140可以與閥外罩110的第一噴射孔110g相結合。上述第一噴射模組140可向位於收容空間110b的第一等待位置b的第一屏蔽板128的上部面噴射清潔氣體來去除附著在第一屏蔽板128的上部面的反應副產物粒子。上述第一噴射模組140可以與供給清潔氣體的清潔氣體供給裝置(未圖示)相連接來接收清潔氣體。另一方面,上述第一噴射模組140可以與包括真空泵的吸入裝置(未圖示)相連接來吸入包括反應副產物粒子的流體來去除附著在屏蔽板的上部面的反應副產物粒子。因此,以下,第一噴射模組140噴射清潔氣體的含義可包括第一噴射模組140吸入包括反應副產物粒子的流體的含義。
當屏蔽流體通道110a或者與收容空間110b分離時,上述第一噴射模組140可向第一屏蔽板128的上部面噴射清潔氣體。例如,當上述第二屏蔽模組130屏蔽上述流體通道110a時,第一噴射模組140可向第一屏蔽板128噴射清潔氣體。當並且,上述防流入缸160分離流體通道110a與收容空間110b時,第一噴射模組140可向第一屏蔽板128噴射清潔氣體。
上述第一噴射本體141可包括第一供氣孔141a及第一氣體引導槽141b。上述第一噴射本體141可以與閥外罩110的第一噴射孔110g相結合。上述第一噴射本體141可呈具有規定厚度和直徑或寬度的塊形狀。上述第一噴射本體141可呈向第一噴射孔110g插入並結合的多種形狀。上述第一噴射本體141可呈圓柱形狀或如六面體和八面體的多面體形狀。並且,上述第一
噴射本體141可以朝向外周面或外側面,從下部面向上部方向以規定高度形成第一本體臺階141c。
上述第一供氣孔141a可從第一噴射本體141的上部面向下部面貫通。較佳地,上述第一供氣孔141a形成於以第一噴射本體141的平面為基準的中心。上述第一供氣孔141a能夠以適當的直徑形成,以供給第一屏蔽板128的清洗所需要的量的清潔氣體。
上述第一氣體引導槽141b可由從第一噴射本體141的向上部方向以規定深度的槽形成。上述第一氣體引導槽141b可以在上部底部面的中心形成第一供氣孔141a。即,上述第一氣體引導槽141b可在第一供氣孔141a的下端朝向外側形成。並且,上述第一氣體引導槽141b可呈越接近第一噴射本體141的外側,深度逐漸減少的形狀。即,上述第一氣體引導槽141b的上部面可從第一供氣孔141a朝向外側,向下側傾斜而成。上述第一氣體引導槽141b能夠以使從第一供氣孔141a供給的清潔氣體向外側流動的方式進行引導。
上述第一噴射板142可包括第一氣體噴射孔142a。並且,上述第一噴射板142還可包括第一集合槽142b。上述第一噴射板142還可以與第一噴射本體141的下部面相結合。上述第一噴射板142可以與第一噴射本體141的第一氣體引導槽141b一同形成使清潔氣體流動的清潔氣體通道d。上述清潔氣體通道d可呈從中心向外側,高度逐漸減少的形狀。
上述第一氣體噴射孔142a可從第一噴射板142的上部面向下部面貫通。多個上述第一氣體噴射孔142a可以相互隔開形成。上述第一氣體噴射孔142a可從第一噴射板142的中心向外側以放射狀隔開配置。在此情況下,雖然並未具體示出,上述第一噴射孔110g能夠以越靠近外側,直徑越大的方式形成。並且,上述第一氣體噴射孔142a可根據與位於下部的第一屏蔽
板128的第一O型環129的上部對應的位置以相對多的數量形成。通過上述第一供氣孔141a,清潔氣體可從清潔氣體通道d向第一噴射板142的外側流動,並通過位於外側的第一噴射孔110g可以更加順暢地噴射。並且,上述第一噴射板142可向第一O型環129的上部噴射更多的清潔氣體。上述第一O型環129為樹脂材質,因此,可以附著相對多的反應副產物粒子。並且,上述第一O型環129可以與閥外罩110的下部面直接接觸並屏蔽流體通道110a,因此,可以對屏蔽性能產生影響。上述第一噴射板142向第一O型環129噴射相對多的清潔氣體並有效地去除附著在第一O型環129的反應副產物粒子。
上述第一集合槽142b可以從第一噴射板142的上部面向下部方向以規定深度形成。並且,上述第一集合槽142b能夠以與第一噴射本體141的下部面對應的面積和形狀形成。隨著第一集合槽142b向第一噴射本體141的下部插入,上述第一噴射板142可以穩定地與第一噴射本體141相結合。在上述第一噴射本體141的下部形成第一本體臺階141c的情況下,第一集合槽142b能夠以與第一本體臺階141c的高度對應的深度形成。因此,上述第一集合槽142b可以與第一本體臺階141c相結合。
上述第一供氣管143可以與第一供氣孔141a相結合來向第一供氣孔141a供給清潔氣體。雖然並未具體示出,上述第一供氣管143可以與電磁閥及清潔氣體供給單元相連接。上述第一供氣管143可通過電磁閥及清潔氣體供給單元控制清潔氣體的供給。
上述第二噴射模組150可包括第二噴射本體151及第二噴射板152。並且,上述第二噴射模組150還可包括第二供氣管153。當屏蔽流體通道110a或者與收容空間110b分離時,上述第二噴射模組150可向第二屏蔽板138的上部面噴射清潔氣體。例如,當上述第一屏蔽模組120屏蔽流體通道110a
時,第二噴射模組150可向第二屏蔽板138噴射傾斜氣體。並且,當上述防流入缸160分離流體通道110a與收容空間110b時,第二噴射模組150可向第二屏蔽板138噴射清潔氣體。上述第二噴射模組150的結構可以與第一噴射模組140相同。只是,述第二噴射模組150與閥外罩110相結合的位置可以為以流體通道110a為基準,與第一噴射模組140相反的另一側。
以下,以上述第二噴射模組150與第一噴射模組140存在差異部分為中心進行說明。
上述第二噴射模組150可以在第二等待位置c的上部與閥外罩110相結合。即,上述第二噴射模組150可以與閥外罩110的第二噴射孔110h相結合。上述第二噴射模組150可向位於第二等待位置c的第二屏蔽板138的上部面噴射清潔氣體來去除附著在第二屏蔽板138的上部面的反應副產物粒子。
上述第二噴射本體151可包括第二供氣孔151a及第二氣體引導槽151b。上述第二噴射本體151可以與閥外罩110的第二噴射孔110h相結合。並且,上述第二噴射本體151沿著外周面或外側面,從下部面向上部方向以規定高度形成第二本體臺階151c。
上述第二供氣孔151a可從第二噴射本體151的上部面向下部面貫通。上述第二氣體引導槽151b可從第二噴射本體151的向上部方向以規定深度的槽形成。
上述第二噴射板152可包括第二氣體噴射孔152a。並且,上述第二噴射板152還可包括第二結合槽152b。上述第二氣體噴射孔152a可從第二噴射板152的上部面向下部面貫通。上述第二結合槽152b可從第二噴射板152的上部面向下部方向以規定深度形成。
上述第二供氣管153可以與第二供氣孔151a相結合來向第二供氣孔151a供給清潔氣體。
上述防流入缸160可包括流入防止外罩161及流入防止活塞162。並且,上述防流入缸160還可包括流入阻隔單元166。上述防流入缸160可包括從中心上部向下部貫通的下部流體通道160a。
上述防流入缸160可以與閥外罩110的外罩下部孔110d相結合。上述防流入缸160的下部流體通道160a可位於閥外罩110的流體通道110a的下部並相互連通。上述防流入缸160可支撐位於屏蔽位置a的第一屏蔽板128或第二屏蔽板138的下部面來使其上升並屏蔽流體通道110a。並且,當進行製造工序時,上述防流入缸160可以分離流體通道110a與收容空間110b。在此情況下,上述第一屏蔽板128和第二屏蔽板138可分別位於第一等待位置b和第二等待位置c。在製造工序中,上述防流入缸160可使在流體通道110a流動的流體通過下部流體通道160a向製程用配管排出,可防止包括反應副產物粒子的流體向收容空間110b流入。因此,上述防流入缸160可以防止收容於收容空間110b的第一屏蔽模組120、第二屏蔽模組130、第一噴射模組140、第二噴射模組150因反應副產物粒子而被污染。
上述流入防止外罩161可包括防止活塞通道161a、防止通道開放孔161b、第一防止通道161c及第二防止通道161d。並且,上述流入防止外罩161還可包括阻隔氣體通道161e。
上述流入防止外罩161整體上可呈環形狀,可在內側設置下部流體通道160a。上述流入防止外罩161可以與閥外罩110的中心下部相結合。上述下部流體通道160a可位於閥外罩110的流體通道110a的下部來連通。
上述防止活塞通道161a可以在流入防止外罩161的內部,以具有規定寬度或高度的環形狀形成。上述防止活塞通道161a能夠以比流入防止活塞162的上下移動距離更大的高度形成。
上述防止通道開放孔161b可以從防止活塞通道161a的上部向流入防止外罩161的上部以規定寬度開放來形成。上述防止通道開放孔161b整體可呈與防止活塞通道161a對應的形狀。
另一方面,上述流入防止外罩161可以從防止通道開放孔161b的上部向內側形成活塞移動空間161f。上述活塞移動空間161f可以提供流入防止活塞162的一部分上升或下降的空間。因此,上述活塞移動空間161f可呈與流入防止活塞162的形狀對應的形狀。
上述第一防止通道161c可從防止活塞通道161a的外周面上部向流入防止外罩161的側面開放形成。上述第一防止通道161c可提供向防止活塞通道161a的上部供給或排出氣壓的路徑。即,上述第一防止通道161c可供給用於使流入防止活塞162下降所需的氣壓。並且,上述第一防止通道161c提供當流入防止活塞162上升時,向防止活塞通道161a的上部供給的氣壓排出的路徑。上述第一防止通道161c可以與外部的氣壓供給單元相連接並接收氣壓。
上述第二防止通道161d可從防止活塞通道161a的外周面下部或下部面向流入防止外罩161的側面開放形成。上述第二防止通道161d可提供向防止活塞通道161a的下部供給或排出氣壓的路徑。上述第二防止通道161d可供給用於使流入防止活塞162上升所需的氣壓。並且,上述第二防止通道161d提供當流入防止活塞162下降時,排出向防止活塞通道161a的下部供給的氣壓的路徑。上述第二防止通道161d可以與外部的氣壓供給單元相連接並接收氣壓。
上述阻隔氣體通道161e在流入防止外罩161的下部,可從外側面向內側面貫通形成。上述阻隔氣體通道161e可防止反應副產物粒子向流入防止外罩161與流入防止活塞162之間流入,並可防止反應副產物粒子蒸鍍在流體通道110a或下部流體通道160a的內周面或者引發腐蝕。更具體地,上述流入防止外罩161和流入防止活塞162可包括沿著流體通道110a方向相互隔開的隔開間隙。因此,從上述阻隔氣體通道161e供給的空氣阻隔氣體向與隔開間隙垂直的方向流動並防止反應副產物粒子向隔開間隙流入,並可防止反應副產物粒子蒸鍍在閥外罩110的內周面或防流入缸160的內周面或引發腐蝕。
上述流入防止活塞162可包括防止活塞本體163及防活塞桿164。上述流入防止活塞162可以與流入防止外罩161相結合並上下移動,並可從流體通道110a屏蔽收容空間110b。上述流入防止活塞162在上升的過程中支撐第一屏蔽板128或第二屏蔽板138的下部面來使第一屏蔽板128或第二屏蔽板138更加堅固地與閥外罩110的流體通道110a的下部面相接觸。
上述防止活塞本體163可呈環形狀,能夠以與防止活塞通道161a的寬度對應的寬度和比防止活塞通道161a的高度小的高度形成。上述防止活塞本體163的高度可小於在防止活塞通道161a的高度去除流入防止活塞162的移動距離的高度。因此,上述防止活塞本體163可在防止活塞通道161a的上下移動。上述防止活塞本體163可借助通過第一防止通道161c和第二防止通道161d供給的氣壓來在防止活塞通道161a的內部上下移動。
上述防活塞桿164可呈環形狀,可從防止活塞本體163向上部延伸而成。上述防活塞桿164可通過反映從防止活塞本體163至閥外罩110的外罩上部孔110c的下部面的高度和流入防止活塞162的移動距離來以適當的高度形成。上述防活塞桿164可以與防止活塞本體163一同從下部向上部移動
來從流體通道110a屏蔽流體通道110a。上述防活塞桿164在上升的過程中可支撐第一屏蔽板128或第二屏蔽板138的下部面來使第一屏蔽板128或第二屏蔽板138與閥外罩110的流體流入通道的下部面相接觸。
上述防活塞桿164可呈具有彎曲區域或高度差區域的環形狀,且各個區域的厚度不同。上述防活塞桿164可呈厚度相同的環形狀。上述防活塞桿164可根據流入防止外罩161、防止活塞通道161a及防止通道開放孔161b的形狀以多種形狀形成。
在上述防活塞桿164的上部面,桿O型環槽164a可沿著圓周方向形成。上述桿O型環槽164a可以與活塞O型環165相結合。上述活塞O型環165可以與閥外罩110的內部上部面相接觸來增加防活塞桿164的屏蔽力。並且,上述活塞O型環165可以與第一屏蔽板128或第二屏蔽板138的相接觸來增加防活塞桿164的屏蔽力。
上述流入阻隔單元166可包括流入阻隔環167及流入阻隔凸緣168。上述流入阻隔單元166可位於防流入缸160的內側來防止反應副產物粒子向防流入缸160流入,並可防止反應副產物粒子蒸鍍在流體通道110a或下部流體通道160a的內周面或引發腐蝕。
上述流入阻隔環167可呈環形狀,高度可以與流入防止外罩161和流入防止活塞162的高度對應。上述流入阻隔環167可位於流入防止外罩161和流入防止活塞162的內側。上述流入阻隔環167的外徑可以使外周面與流入防止外罩161和流入防止活塞162的內周面隔開規定間隔。因此,上述流入阻隔環167可以在外周面與流入防止外罩161及流入防止活塞162的內周面之間形成使氣體流動的阻隔氣體流路167a。
上述阻隔氣體流路167a可沿著流入阻隔環167的外周面以環形狀形成,可以在下部與阻隔氣體通道161e相連接。上述阻隔氣體流路167a使從
阻隔氣體通道161e供給的阻隔氣體向流入防止活塞162的上部與流入阻隔環167的上部之間流動。上述阻隔氣體防止通過流體通道110a流動的反應副產物粒子向流入防止活塞162的上部與向流入阻隔環167的上部之間流入。並且,上述阻隔氣體可防止反應副產物粒子向流入防止外罩161與流入防止活塞162的之間流入,並可防止反應副產物粒子蒸鍍在流體通道110a或下部流體通道160a的內周面或引發腐蝕。
並且,上述流入阻隔環167的內徑可大於外罩上部孔110c的內徑。因此,上述流入阻隔環167的內周面並不比外罩上部孔110c更向內側突出,在不受到流體流動的影響的情況下提供流體通道110a。
上述流入阻隔凸緣168可由環形狀的凸緣形成,以從流入阻隔環167的下端朝向外周面方向延伸的方式與其現結合。上述流入阻隔凸緣168可以在流入防止外罩161的下部與阻隔氣體通道161e的下部相結合。上述流入阻隔凸緣168可通過對阻隔氣體流路167a的下端進行阻隔來使阻隔氣體流路167a的阻隔氣體向上部流動。
上述下部流出管170的內部可以為中空,可呈上下開放的管形狀。上述下部流出管170可以與防流入缸160的下部相結合。上述下部流出管170可以與製程用配管相連接。因此,上述下部流出管170使流體通道110a與製程用配管相連接。另一方面,上述下部流出管170可以與防流入缸160的流入防止外罩161形成為一體。
接著,說明本發明另一實施例的流體截止閥。
圖7為本發明另一實施例的逆壓截止閥的垂直剖視圖。
參照圖7,與圖1至圖6的流體截止閥100相比,本發明另一實施例的流體截止閥200可形成使流體流動的旁路氣體通道200a。即,上述流體截止閥200可包括圖1至圖6的流體截止閥100的第一屏蔽模組120、第二屏蔽模
組130、第一噴射模組140及第二噴射模組150及旁路氣體通道200a。因此,上述流體截止閥200還可包括形成旁路氣體通道200a的旁路連接管280及旁路通道阻隔單元290。
以下,以本發明另一實施例的流體截止閥200與圖1至圖6的流體截止閥100存在差異的結構為中心進行說明。
上述旁路氣體通道200a可貫通閥外罩210並通過旁路連接管280及下部流出管170形成。上述閥外罩210可包括形成旁路氣體通道200a的一部分的上部旁路通道200b及下部旁路通道200c。
當真空泵在通過第一屏蔽板128或第二屏蔽板138屏蔽流體通道110a的狀態下進行動作時,上述旁路氣體通道200a可提供使廢氣從真空腔向真空泵流動的旁路路徑。上述旁路氣體通道200a可提供在流體通道110a的上部旁路第一屏蔽板128或第二屏蔽板138來向流體通道110a的下部流動的路徑。即,上述旁路氣體通道200a可以在屏蔽位置a的上部與流體通道110a相連接,貫通收容空間110b來在屏蔽位置a的下部與流體通道110a相連接,與流體通道110a並聯來提供使流體流動的通道。在製造工序的初期或製程腔的組裝(set-up)過程中,當通過真空泵緩慢抽吸時,上述旁路氣體通道200a可以開放。因此,上述旁路氣體通道200a可以流入並不包括反應副產物粒子的氣體。例如,上述旁路氣體通道200a僅可流入清潔氣體或製程氣體來使其流動。
並且,上述旁路氣體通道200a可處於與收容空間110b相連接的狀態。在此情況下,上述流體截止閥200提供使通過第一噴射模組140或第二噴射模組150噴射的清潔氣體通過旁路氣體通道200a向收容空間110b的外部排出並向製程用配管排出的路徑,因此,無需設置圖1的實施例中提及的額外的排出通道。另一方面,上述旁路氣體通道200a在閥外罩210的收容空
間110b中,可由通過額外的連接配管(未圖示)來與收容空間110b阻隔的通道。即,上述連接配管的上端可以連接位於收容空間110b的上部的上部旁路通道200b和位於收容空間110b的下部的下部旁路通道200c之間。
上述上部旁路通道200b可從外罩上部孔110c的內周面向閥外罩210的內部延伸,可向收容空間110b貫通而成。上述上部旁路通道200b可呈沿著水平方向延伸之後,向下部方向延伸的直角形狀。並且,上述上部旁路通道200b可呈沿著水平方向延伸並再次向下部方向延伸的彎曲形狀。
上述下部旁路通道200c可從閥外罩210的收容空間110b向下部貫通而成。上述下部旁路通道200c可位於上部旁路通道200b的下部。
上述旁路連接管280的一端可以與下部旁路通道200c相連接,另一端可以與下部流出管170的下部流出通道170a下部流出管170的下部流出通道170a相連接。上述下部流出通道170a可在下部流出管170的外周面向內周面貫通而成。因此,上述旁路連接管280可連接閥外罩210的下部旁路通道200c與下部流出管170的下部流出通道170a來形成旁路氣體通道200a。另一方面,上述旁路連接管280可貫通下部流出管170來直接向流體通道110a的下部延伸而成。並且,上述旁路連接管280可貫通防流入缸160來向流體通道110a延伸。
上述旁路通道阻隔單元290可以為開閉旁路氣體通道200a的單元。例如,上述旁路通道阻隔單元290可以為板狀或塊,可設置於上部旁路通道200b。上述旁路通道阻隔單元290可在上部旁路通道200b的內部上下移動並阻隔上部旁路通道200b。雖然並未具體示出,上述旁路通道阻隔單元290可通過氣壓缸(未圖示)上下移動。並且,上述旁路通道阻隔單元290可包括葉片,可通過進行旋轉來阻隔上部旁路通道200b。在此情況下,上述旁
路通道阻隔單元290可通過電動馬達(未圖示)旋轉並阻隔上部旁路通道200b。
接著,說明本發明另一實施例的流體截止閥的動作。
圖8a和圖8b為示出圖7的實施例的流體截止閥的動作的工序圖。
以下,說明圖7的實施例的流體截止閥200的動作。如上所述,與圖1至圖6的流體截止閥100相比,上述流體截止閥200在包括旁路氣體通道200a的方面存在差異。因此,在上述流體截止閥200的動作過程中,除旁路氣體通道200a參與的動作之外的動作也可相同地適用於圖1至圖6的流體截止閥100。
首先,如圖8a的(a)部分所示,上述第一屏蔽模組120使第一氣壓缸121進行動作來使第一移送體125進行旋轉並使第一屏蔽板128位於外罩上部孔110c的下部的屏蔽位置a。在此情況下,上述第一氣壓缸121通過從外部供給的氣壓進行動作。上述防流入缸160通過從外部供給的氣壓來與流入防止活塞162一同使第一屏蔽板128上升。上述第一屏蔽板128從第一移送體125上升來與閥外罩210的底部面相接觸並屏蔽流體通道110a。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290維持屏蔽上部旁路通道200b的狀態。
另一方面,上述第二噴射模組150可通過第二氣體噴射孔152a向第二屏蔽板138的上部面噴射清潔氣體。上述清潔氣體可以清洗包括存在於第二屏蔽板138的上部面的反應副產物粒子的多個粒子來去除。上述流體通道110a處於被第一屏蔽板128屏蔽的狀態,因此,清潔氣體不會通過流體通道110a向製程腔流入。並且,上述清潔氣體不對製程腔的真空產生影響。上述清潔氣體可通過旁路氣體通道200a向流體通道110a的下側流入並向製程用配管排出。另一方面,在不形成上述旁路氣體通道200a的情況下,可通過形成額外的清潔氣體排出通道來向外部排出清潔氣體。上述第二噴射模
組150可通過噴射清潔氣體適當時間來清洗第二屏蔽板138的上部面之後,中斷清潔氣體的噴射。
接著,如圖8a的(b)部分所示,上述旁路通道阻隔單元290可以開放上部旁路通道200b。在此情況下,上述真空泵處於啟動的狀態,製程腔的真空度將會增加。更具體地,在上述製程腔的啟動之前,緩慢進行位於第一屏蔽板128的上部或前側的製程腔和製程用配管的排氣,在經過規定時間之後,與位於第一屏蔽板128的下部(或後側)的製程用配管及真空泵形成真空等壓。
接著,如圖8a的(c)部分所示,上述第一屏蔽模組120使第一氣壓缸121進行動作來使第一移送體125進行旋轉,使第一屏蔽板128向收容空間110b的第一等待位置b移動。在此情況下,上述防流入缸160預先與流入防止活塞162一同使第一屏蔽板128下降來將第一屏蔽板128放置於第一移送體125。上述流體通道110a使流體從上部向下部流動。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290阻隔上部旁路通道200b來防止流體向旁路氣體通道200a流入。
在上述第一屏蔽板128向第一等待位置b移送之後,防流入缸160使流入防止活塞162上升來使活塞O型環165與外罩上部孔110c的周邊相接觸。因此,上述流入防止活塞162從流體通道110a屏蔽收容空間110b,並防止流體的反應副產物粒子向收容空間110b流入。並且,通過上述阻隔氣體通道161e向阻隔氣體流路167a流入的阻隔氣體向上部流動並向流體通道110a排出。因此,上述阻隔氣體可以防止反應副產物粒子向流入防止外罩161與流入防止活塞162之間流入。
另一方面,在具有用於對上述旁路氣體通道200a與流體通道110a進行屏蔽的額外的旁路通道封閉單元(未圖示)的情況下,第一噴射模組
140和第二噴射模組150可分別向第一屏蔽板128和第二屏蔽板138噴射清潔氣體。在此情況下,從上述第一噴射模組140和第二噴射模組150噴射的清潔氣體可通過額外的清潔氣體排出通道排出。
更具體地,上述第一噴射模組140可通過第一氣體噴射孔142a向第一屏蔽板128的上部面噴射清潔氣體。並且,上述第二噴射模組150可通過第二氣體噴射孔152a向第二屏蔽板138的上部面噴射清潔氣體。上述清潔氣體可清洗包括存在於第一屏蔽板128或第二屏蔽板138的上部面的反應副產物粒子的多個粒子來去除。
接著,如圖8b的(d)部分所示,上述第二屏蔽模組130使第二氣壓缸131進行動作來使第二移送體135進行旋轉,並使第二屏蔽板138從第二等待位置c向屏蔽位置a移動。若發生上述流體通道110a的屏蔽情況,則第二屏蔽模組130進行動作。
上述防流入缸160與流入防止活塞162一同使第二屏蔽板138。上述第二屏蔽板138從第二移送體135上升來與閥外罩210的底部面相接觸並屏蔽流體通道110a。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290維持屏蔽上部旁路通道200b的狀態。
並且,上述第一屏蔽板128向第一等待位置b移送並設置。上述第一噴射模組140通過第一氣體噴射孔142a向第一屏蔽板128的上部面噴射清潔氣體。上述清潔氣體可清洗包括存在於第一屏蔽板128的上部面的反應副產物粒子的多個粒子來去除。上述流體通道110a處於通過第二屏蔽板138屏蔽的狀態,因此,清潔氣體不會通過流體通道110a向製程腔流入。並且,上述清潔氣體不會對製程腔的真空形成產生影響。上述清潔氣體可通過旁路氣體通道200a向流體通道110a的下側流入並向製程用配管排出。另一方
面,在未形成上述旁路氣體通道200a的情況下,可通過形成額外的清潔氣體排出通道來向外部排出清潔氣體。
上述第一噴射模組140可通過噴射清潔氣體適當時間來清洗第一屏蔽板128的上部面之後,可以終止清潔氣體的噴射。
接著,如圖8b的(e)部分所示,上述旁路通道阻隔單元290可以開放上部旁路通道200b。在此情況下,上述真空泵處於啟動的狀態,因此,製程腔的真空度將會增加。更具體地,在上述製程腔的啟動之前,可以緩慢進行位於第二屏蔽板138的上部(或前側)的製程腔和製程用配管的排氣,在經過規定時間之後,與位於第二屏蔽板138的下部或後側的製程用配管及真空泵形成真空等壓。
接著,如圖8b的(f)部分所示,上述第二屏蔽模組130使第二氣壓缸131進行動作來使第二移送體135旋轉並使第二屏蔽板138向收容空間110b的第二等待位置c移動。在此情況下,上述防流入缸160預先與流入防止活塞162一同使第二屏蔽板138下降來放置於第二移送體135。上述流體通道110a使流體從上部向下部流動。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290阻隔上部旁路通道200b來防止流體向旁路氣體通道200a流入。在上述第二屏蔽板138向第二等待位置c移送之後,防流入缸160使流入防止活塞162上升來使活塞O型環165與外罩上部孔110c的周邊相接觸。
接著,如圖8a的(a)部分所示,上述第一屏蔽模組120使第一屏蔽板128從第一等待位置b向屏蔽位置a移動。上述第一屏蔽板128從第一移送體125上升來屏蔽流體通道110a。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290維持屏蔽上部旁路通道200b的狀態。
並且,上述第二屏蔽板138向第二等待位置c移送並設置。上述第二噴射模組150通過第二氣體噴射孔152a向第二屏蔽板138的上部面噴射清
潔氣體。上述清潔氣體可洗滌包括存在於第二屏蔽板138的上部面的反應副產物粒子的多個粒子來去除。上述清潔氣體可通過旁路氣體通道200a向流體通道110a的下側流入並向製程用配管排出。另一方面,在並不形成為上述旁路氣體通道200a的情況下,可通過形成額外的清潔氣體排出通道來向外部排出清潔氣體。
接著,說明本發明另一實施例的流體截止閥。
圖9a為本發明另一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖,圖9b為圖9a的C-C的垂直剖視圖。
參照圖9a和圖9b,與圖1至圖6的流體截止閥100相比,本發明另一實施例的流體截止閥300僅包括第一屏蔽模組120和第一噴射模組140。上述流體截止閥300並不包括第二屏蔽模組130和第二噴射模組150。上述閥外罩310可在收容空間110b僅包括第一等待位置b。因此,上述流體截止閥300除改變閥外罩310的結構之外,可以與圖1至圖6的流體截止閥100相同或類似地形成。與圖1至圖6的閥外罩110相比,上述閥外罩310的直徑相對小。因此,上述閥外罩310能夠以使第一屏蔽模組120和第一噴射模組140結合或收容的方式形成。省略對上述流體截止閥300的其他部分的具體說明。
另一方面,在上述流體截止閥300僅包括第一屏蔽模組120、第一噴射模組140及第二屏蔽模組130、第二噴射模組150中的一個的情況下,可表現為屏蔽模組和噴射模組。在此情況下,在上述流體截止閥300中,屏蔽模組120可以使屏蔽板128沿著弧形路徑從等待位置b向屏蔽位置a移送。
上述流體截止閥300在第一噴射模組140進行動作的時期方面多少存在差異。上述第一噴射模組140當防流入缸160的流入防止活塞162將流體通道110a與收容空間110b空間分離時進行動作。即,當第一屏蔽板128位於第一等待位置b,收容空間110b從流體通道110a屏蔽時,上述第一噴射模組
140可以進行動作。上述第一噴射模組140可向第一屏蔽板128噴射清潔氣體來去除反應副產物粒子。
接著,說明本發明另一實施例的流體截止閥。
圖10為本發明另一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
參照圖10,與圖9a和圖9b的流體截止閥300相比,本發明另一實施例的流體截止閥400還可包括圖7的流體截止閥200的氣體旁路通道200a。即,上述流體截止閥400可在圖9a及圖9b的流體截止閥300追加包括圖7的流體截止閥200的氣體旁路通道200a。
上述流體截止閥400的閥外罩410可包括上部旁路通道200b及下部旁路通道200c。上述閥外罩410可以省略形成第二屏蔽模組130和第二噴射模組150的部分。並且,上述流體截止閥400可包括旁路連接管280及旁路通道阻隔單元290。上述流體截止閥400的結構已在圖7的流體截止閥200和圖9a及圖9b的流體截止閥300中說明,因此,將省略具體說明。
接著,說明本發明另一實施例的流體截止閥的動作。
圖11為示出圖10的流體截止閥的動作的垂直剖視圖。
以下,說明本發明另一實施例的流體截止閥400的動作。與圖9a和圖9b的流體截止閥300相比,上述流體截止閥400在包括旁路氣體通道200a的方面存在差異。因此,在上述流體截止閥400的作用過程中,除旁路氣體通道200a參與的作用之外的作用可以相同地適用於圖9a和圖9b的流體截止閥300。
並且,圖10的流體截止閥400可以與圖7的流體截止閥相同或類似地動作。
首先,如圖11的(a)部分所示,上述第一屏蔽模組120使第一氣壓缸121進行動作來使第一移送體125旋轉,並使第一屏蔽板128向外罩上部
孔110c的下部的屏蔽位置a移動。在此情況下,上述第一氣壓缸121通過從外部供給的氣壓進行動作。上述防流入缸160通過從外部供給的氣壓來與流入防止活塞162一同使第一屏蔽板128上升。上述第一屏蔽板128從第一移送體125上升來與閥外罩410的底部面相接觸並屏蔽流體通道110a。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290維持屏蔽上部旁路通道200b的狀態。
接著,如圖11的(b)部分所示,上述旁路通道阻隔單元290可以開放上部旁路通道200b。在此情況下,上述真空泵處於啟動的狀態,製程腔的真空度也將會增加。更具體地,在上述製程腔的啟動之前,緩慢進行位於第一屏蔽板128的上部(或前側)的製程腔和製程用配管的排氣,在經過規定時間之後,與位於第一屏蔽板128的下部(或後側)的製程用配管及真空泵形成真空等壓。
接著,如圖11的(c)所示,上述第一屏蔽模組120使第一氣壓缸121進行動作來使第一移送體125旋轉,並使第一屏蔽板128向收容空間110b的第一等待位置b移動。在此情況下,上述防流入缸160預先與流入防止活塞162一同使第一屏蔽板128下降來將第一屏蔽板128放置於第一移送體125。上述流體通道110a使流體從上部向下部流動。在此情況下,上述旁路通道阻隔單元290屏蔽上部旁路通道200b來防止流體向旁路氣體通道200a流入。
上述第一噴射模組140通過第一氣體噴射孔142a向第一屏蔽板128的上部面噴射清潔氣體。上述清潔氣體可洗滌包括存在於第一屏蔽板128的上部面的反應副產物粒子的多個粒子來去除。上述清潔氣體可通過旁路氣體通道200a向流體通道110a的下側流入並向製程用配管排出。
在圖10的實施例的流體截止閥400中,當第一屏蔽板128位於第一等待位置b,防流入缸160從收容空間110b屏蔽流體通道110a時,第一噴射
模組140可以噴射清潔氣體。因此,上述流體截止閥400在噴射清潔氣體的時期方面,與圖7的實施例的流體截止閥200存在差異。
接著,說明本發明還有一實施例的流體截止閥。
圖12為本發明還有一實施例的流體截止閥的俯視圖。圖13為圖12的D-D的垂直剖視圖。圖14為圖13的“E”的放大圖。圖15為圖14的F-F的水平剖視圖。圖16為圖14的G-G的水平剖視圖。
參照圖12至圖16,本發明還有一實施例的流體截止閥500可包括閥外罩510、第一屏蔽模組120、第二屏蔽模組130、第一噴射模組540、第二噴射模組550及防流入缸160。並且,上述流體截止閥500還可包括下部流出管170。
與圖1至圖6的流體截止閥100相比,本發明還有一實施例的流體截止閥500在第一噴射模組540、第二噴射模組550及收容它們的閥外罩510的結構方面不同。並且,上述流體截止閥500的剩餘結構可以與圖1至圖6的流體截止閥100相同或類似地形成。因此,以下,上述流體截止閥500以第一噴射模組540、第二噴射模組550及閥外罩510的結構為中心說明。並且,對上述流體截止閥500中與圖1至圖6的流體截止閥100相同或類似結構賦予相同的圖式標記並省略具體說明。
上述閥外罩510可包括外罩上部孔110c、外罩下部孔110d、第一屏蔽孔110e、第二屏蔽孔110f、第一噴射孔510g、第二噴射孔510h、第一噴射收容槽510i及第二噴射收容槽510j。上述閥外罩510可以由沿著水平方向相互分離的上部外罩511和下部外罩512結合而成。
上述第一噴射孔510g以流體通道110a為基準,從閥外罩510的一側的第一等待位置b向下部方向以規定深度形成。即,上述第一噴射孔510g可以在與第一等待位置b的中心對應的位置,從上部外罩511的上部面向下
部面方向以規定深度形成。上述第一噴射孔510g可提供使向第一噴射模組540供給的清潔氣體流入的路徑。因此,上述第一噴射孔510g與圖1至圖6的流體截止閥110的第一噴射孔110g不同,可以由相對小的直徑或寬度形成。例如,上述第一噴射孔510g的直徑可小於第一噴射模組540的直徑。上述第一噴射孔510g能夠以適當的直徑形成,以供給第一噴射模組540所需要的量的清潔氣體。
上述第二噴射孔510h以流體通道110a為基準,可從閥外罩510的另一側的第二等待位置c的中心向下部方向以規定深度形成。上述第二噴射孔510h可從上部外罩511的上部面向下部面方向以規定深度形成。上述第二噴射孔510h可提供使向第二噴射模組550供給的清潔氣體流入的路徑。上述第二噴射孔510h的形狀及大小可以與第一噴射孔510g相同。
上述第一噴射收容槽510i的上部底部面能夠以貫通第一噴射孔510g的下端的方式與其相連接,可呈向收容空間110b的上部開放的槽形狀。即,上述第一噴射收容槽510i可從上部外罩511的底部面朝向上部面方向延伸至第一噴射孔510g的下端,能夠以貫通第一噴射孔510g的方式與其相連接。上述第一噴射收容槽510i的中心可以與以流體通道110a為基準,閥外罩510的一側的第一等待位置b的中心相同。上述第一噴射收容槽510i的直徑可大於第一噴射孔510g的直徑。上述第一噴射收容槽510i能夠以收容第一噴射模組540所需要的大小形成。即,上述第一噴射收容槽510i的內徑可以與第一噴射模組540的外徑對應。上述第一噴射收容槽510i可呈傾斜面,使得上部底部面從中心越接近外側,其高度逐漸降低。
上述第二噴射收容槽510j的上端能夠以貫通第二噴射孔510h的下端的方式與其相連接,可呈向收容空間110b的上部開放的槽形狀。即,上述第二噴射收容槽510j可從上部外罩511的底部面朝向上部面方向延伸至
第二噴射孔510h的下端,能夠以貫通第二噴射孔510h的方式與其相連接。上述第二噴射收容槽510j的中心可以與以流體通道110a為基準,閥外罩510的一側的第二等待位置c的中心相同。上述第二噴射收容槽510j的直徑可大於第二噴射孔510h的直徑。上述第二噴射收容槽510j能夠以收容第二噴射模組550所需要的大小形成。即,上述第二噴射收容槽510j的內徑可以與第二噴射模組550的外徑相同。上述第二噴射收容槽510j可呈傾斜面,使得上部底部面從中心接近外側,其高度逐漸降低。
上述第一噴射模組540可包括第一噴射板542。並且,上述第一噴射模組540還可包括第一噴射支撐桿544。上述第一噴射模組540收容於第一噴射收容槽510i,向位於第一等待位置b的第一屏蔽板128的上部面供給通過第一噴射孔510g供給的清潔氣體。
上述第一噴射板542可包括第一氣體噴射孔542a。上述第一噴射板542可由具有規定厚度的板狀形成,可呈與第一噴射收容槽510i的平面形狀對應的形狀。上述第一噴射板542的上部面能夠以與第一噴射收容槽510i的上部底部面隔開的方式與第一噴射收容槽510i的內部相結合。上述第一噴射板542可以與第一噴射收容槽510i的上部底部面一同形成使清潔氣體流動的清潔氣體通道d。上述清潔氣體通道d可從第一噴射孔510g向第一噴射板542的外周面方向以圓盤形狀形成。上述第一噴射板542可向位於收容空間110b的屏蔽板128噴射通過第一噴射孔510g向第一噴射收容槽510i供給的清潔氣體。上述清潔氣體通道d可呈如下的形狀,即,從中心越接近外側,其高度逐漸減少。
上述第一氣體噴射孔542a可從第一噴射板542的上部面向下部面貫通形成。上述第一氣體噴射孔542a可在與第一噴射板542的中心和第一屏蔽板128的第一O型環129的上部對應的位置,沿著圓周方向隔開並以環形狀
配置而成。並且,上述第一氣體噴射孔542a也可以在中心與圓周環之間追加形成多個。雖然並未具體示出,在上述第一噴射孔510g中,位於圓周環的第一噴射孔510g的直徑相對較大。與第一屏蔽板128的中心區域相比,上述第一噴射板542可向第一O型環129噴射相對較多的清潔氣體,並可以有效地去除附著在第一O型環129的反應副產物粒子。
上述第一噴射支撐桿544可呈柱形狀,可以結合在第一噴射板542的上部面與第一噴射收容槽510i的上部底部面之間。上述第一噴射支撐桿544可至少形成2個,2個上述第一噴射支撐桿544以從第一噴射板542的上部面外側沿著圓周方向隔開而成。較佳地,上述第一噴射支撐桿544可形成3個或4個。上述第一噴射支撐桿544可以恆定維持第一噴射板542的上部面與第一噴射收容槽510i的上部底部面之間的間隔來使清潔氣體通道d以規定高度形成。並且,雖然並未具體示出,上述第一噴射支撐桿544可提供用於使第一噴射板542與閥外罩510相結合的螺栓所貫通的路徑。
上述第二噴射模組550可包括第二噴射板552。並且,上述第二噴射模組550還可包括第二噴射支撐桿554。上述第二噴射模組550收容於第二噴射收容槽510j,向位於第二等待位置c的第二屏蔽板138的上部面供給通過第二噴射孔510h供給的清潔氣體。
除收容於第二噴射收容槽510j來向位於第二等待位置c的第二屏蔽板138噴射清潔氣體方面之外,上述第二噴射模組550能夠以與第一噴射模組540相同或類似的結構形成。因此,上述第二噴射板552與第一噴射板542相同或類似地形成,可包括與第一氣體噴射孔542a相同或類似的第二氣體噴射孔552a。即,上述第二氣體噴射孔522a可在與第二噴射板552的中心和位於第二屏蔽板138的上部面的第二O型環139的上部對應的位置,沿著圓周方向隔開並以環形狀配置。並且,上述第二噴射支撐桿554可以與第一噴
射支撐桿544相同或類似地形成。即,上述第二噴射支撐桿554可呈柱形狀,且可至少形成2個,2個上述第二噴射支撐桿554在第二噴射板552的上部面與第二噴射收容槽510j的上部底部面之間,沿著圓周方向隔開結合。
接著,說明本發明又一實施例的流體截止閥。
圖17為本發明又一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
參照圖17,本發明又一實施例的流體截止閥600可包括閥外罩610、第一屏蔽模組120、第一噴射模組540。與圖12至圖16的流體截止閥500相比,上述流體截止閥600並不包括第二屏蔽模組130和第二噴射模組550。並且,上述閥外罩610在收容空間110b僅可包括第一等待位置b。除閥外罩610的結構的改變之外,上述流體截止閥600可以與圖12至圖16的流體截止閥500相同或類似地形成。因此,以下,以上述流體截止閥600與圖1至圖6的流體截止閥100存在差異的結構為中心說明。並且,在上述流體截止閥600中,對與圖1至圖6的流體截止閥100相同或類似的結構賦予相同的圖式標記並省略具體說明。
並且,上述流體截止閥600在第一噴射模組540動作的時期方面,與圖12至圖16的流體截止閥500存在差異。例如,當防流入缸160的流入防止活塞162空間分離流體通道110a與收容空間110b時,上述第一噴射模組540可以進行動作。即,當第一屏蔽板128位於第一等待位置b,收容空間110b從流體通道110a屏蔽時,上述第一噴射模組540可以進行動作。上述第一噴射模組540可向第一屏蔽板128噴射清潔氣體來去除反應副產物粒子。
並且,與圖12至圖16的閥外罩510相比,上述閥外罩610可以由相對小的直徑形成。因此,上述閥外罩610能夠以僅使第一屏蔽模組120與第一噴射模組540結合或收容的方式形成。
上述流體截止閥600的第一屏蔽模組120可以使第一屏蔽板128從等待位置b向屏蔽位置a旋轉移動。在此情況下,當第一屏蔽板128位於等待位置b時,上述第一噴射模組540可以噴射清潔氣體。
另一方面,,如上所述,在本發明實施例的流體截止閥中,以第一屏蔽模組120或第二屏蔽模組130使第一屏蔽板128和第二屏蔽板138以第一旋轉軸124或第二旋轉軸134為中心旋轉來從第一等待位置b或第二等待位置c向屏蔽位置a移動的結構為中心進行說明。
追加地,本發明實施例的流體截止閥也可適用於使屏蔽板從等待位置向屏蔽位置a直線移動的結構。在這種情況下,屏蔽模組可包括氣壓缸、彈簧或驅動馬達來使屏蔽板從等待位置向屏蔽位置a直線移動。在此情況下,當屏蔽板位於等待位置時,上述噴射模組可以噴射清潔氣體。
並且,與上述實施例相同,在上述流體截止閥中,屏蔽模組和噴射模組至少形成2個,多個屏蔽模組以屏蔽位置a為中心對稱設置或者隔開規定角度來設置。並且,上述噴射模組也可位於各個屏蔽板的上部。
以下,說明上述說明的屏蔽板具有從等待位置向屏蔽位置直線移動的結構的本發明又一實施例的流體截止閥。
接著,說明本發明又一實施例的流體截止閥。
圖18為本發明還有一實施例的流體截止閥的俯視圖。圖19為圖18的G-G的垂直剖視圖。圖20為在圖18的流體截止閥中,屏蔽板對流體通道110a進行屏蔽的狀態的垂直剖視圖。
參照圖18至圖19,本發明又一實施例的流體截止閥700可包括閥外罩710、屏蔽模組720及噴射模組740。並且,上述流體截止閥700還可包括下部流出管170。另一方面,雖然並未具體示出,上述流體截止閥700還可
包括圖7的實施例的流體截止閥200的旁路氣體通道200a、旁路連接管280及旁路通道阻隔單元290。
與圖17的流體截止閥600類似地,上述流體截止閥700可以使屏蔽流體通道110a的屏蔽模組720從等待位置向屏蔽位置直線移動。即,上述流體截止閥700可使屏蔽模組720的屏蔽板728在屏蔽位置a與等待位置b之間,通過直線路徑反復移動並屏蔽流體通道110a。由於屏蔽模組720的屏蔽板728直線移動,因此,上述流體截止閥700在閥外罩710和屏蔽模組720的結構中,與圖1至圖16的多個流體截止閥100、200、300、400、500存在一部分差異。
並且,上述流體截止閥700的噴射模組740可以與圖12至圖16的實施例的流體截止閥500的第一噴射模組540相同或類似地形成。即,上述噴射模組740可包括噴射板742及噴射支撐桿744。上述噴射板742可以與第一噴射模組540的第一噴射板542相同或類似地形成。上述噴射板742可包括氣體噴射孔742a。並且,上述噴射支撐桿744可以與第一噴射模組540的第一噴射支撐桿544相同或類似地形成。並且,上述流體截止閥700的噴射模組740可以與圖1至圖6的實施例的流體截止閥100的第一噴射模組140相同或類似地形成。省略對上述噴射模組740的具體說明。
以下,以上述流體截止閥700與圖12至圖16的實施例的流體截止閥500存在的差異為中心說明。並且,在上述流體截止閥700中,對與圖12至圖16的實施例的流體截止閥500或圖1至圖6的實施例的流體截止閥100相同的結構賦予相同的圖式標記並省略具體說明。並且,在上述流體截止閥700中,對與圖12至圖16的實施例的流體截止閥500或圖1至圖6的實施例的流體截止閥100相同的結構圖式圖式標記並省略具體說明。並且,在示出上述流
體截止閥700的圖18至圖19中,可對圖12至圖16或圖1至圖6所示的相同結構省略圖式標記。
上述閥外罩710可包括流體通道110a及收容空間110b,上述流體通道110a在上述閥外罩710的一側上下延伸,上述收容空間110b從流體通道110a向另一側延伸。在上述閥外罩710中,流體通道110a和收容空間110b分別位於一側和另一側,因此,可大致呈矩形形狀。
上述閥外罩710可包括外罩上部孔110c和外罩下部孔110d,上述外罩上部孔110c和外罩下部孔110d在流體通道110a分別向上部和下部開放。並且,上述閥外罩710可包括外罩屏蔽孔710e、噴射孔710g及噴射收容槽710i。並且,上述閥外罩710還可包括上部連接管115。
上述外罩屏蔽孔710e以流體通道110a為基準,可從閥外罩710的另一側側面向收容空間110b貫通而成。上述外罩屏蔽孔710e可提供屏蔽模組720的一部分結合的空間。
上述噴射孔710g和噴射收容槽710i可分別與圖13的第一噴射孔510g及第一噴射收容槽510i相同或類似地形成。即,上述噴射孔710g可從閥外罩710的一側的等待位置向下部方向以規定深度形成。並且,上述噴射收容槽710i的上部底部面能夠以貫通噴射孔710g的下端的方式與其相連接,可呈向收容空間110b的上部開放的槽形狀。
上述閥外罩710可以在屏蔽位置a中,在閥外罩710的上部底部面,即,屏蔽底部面區域d形成屏蔽O型環槽710f。上述屏蔽O型環槽710f可沿著流體通道110a的周圍以環形狀形成,可朝向屏蔽底部面區域d的下部方向開放。上述屏蔽O型環槽710f可以與屏蔽O型環719相結合。另一方面,如圖1至圖6的流體截止閥100所示,上述屏蔽O型環槽710f和屏蔽O型環719可形成於屏蔽模組220的屏蔽板128。
上述屏蔽模組720可包括屏蔽氣壓缸721、屏蔽移送環724及屏蔽板728。另一方面,如上所述,上述屏蔽模組720可包括彈簧或驅動馬達。
上述屏蔽模組720可位於以閥外罩710的流體通道110a為基準的另一側。如圖19和圖20所示,上述屏蔽模組720可包括通過外罩屏蔽孔710e與閥外罩710相結合的屏蔽氣壓缸721,可以使屏蔽移送環724和屏蔽板728直線移動。即,上述屏蔽模組720可以使屏蔽板728向屏蔽位置a和等待位置b反復直線移動。
上述屏蔽氣壓缸721可以由一般等氣壓缸形成。例如,上述屏蔽氣壓缸721可包括屏蔽氣動外罩722及屏蔽氣動活塞723。上述屏蔽氣動外罩722可呈在內部形成使氣壓流入及流出的空間的桶形狀。上述屏蔽氣動活塞723可呈桿形狀,一側可以在屏蔽氣動外罩722的內部流動,另一側可以向收容空間110b的內部流動。
上述屏蔽移送環724的一側可以與屏蔽氣動活塞723相結合,可從收容空間110b沿著流體通道110a方向直線移動。即,上述屏蔽移送環724可通過屏蔽氣動活塞723的前進後退移動在等待位置b與屏蔽位置a之間反復移動。上述屏蔽移送環724可呈具有規定的內徑的環形狀。上述屏蔽移送環724的內周面以具有高度差的方式形成。
上述屏蔽板728可成圓板形狀,外徑可與屏蔽移送環724的外徑對應。上述屏蔽板728的上部面能夠以平面形成。上述屏蔽板728的上部面可以與閥外罩710的屏蔽O型環719相接觸並密閉流體通道110a。另一方面,雖然並未具體示出,如圖1至圖6的屏蔽板128所示,在上述屏蔽板728在上部面可形成屏蔽O型環槽128a。並且,上述屏蔽O型環槽128a可以與屏蔽O型環719相結合。
接著,說明本發明還有一實施例的流體截止閥。
圖21為本發明還有一實施例的流體截止閥的垂直剖視圖。
參照圖21,本發明還有一實施例的流體截止閥800可包括閥外罩710、屏蔽模組720、噴射模組740及防流入缸160。並且,上述流體截止閥800還可包括下部流出管170。另一方面,雖然並未具體示出,上述流體截止閥800還可包括圖1至圖6的實施例的流體截止閥100的旁路氣體通道200a。
上述流體截止閥800可以由圖18之圖20的實施例的流體截止閥700與圖1至圖6的實施例的流體截止閥100的防流入缸160相結合而成。上述流體截止閥800的閥外罩710以可在下部結合防流入缸160的方式與圖2a所示的閥外罩110的下部結構相同或類似。在並且,上述流體截止閥800中,噴射模組740能夠以圖1至圖6的流體截止閥100的第一噴射模組140的結構形成。上述流體截止閥800的結構已在上述實施例中說明,因此,將省略對其的詳細說明。
以上,參照圖式,說明了本發明技術思想的實施例,本發明所屬技術領域的普通技術人員可以在不改變本發明的技術思想的必要特徵的情況下,可將本發明實施成其他具體形態。以上記述的實施例在所有方面均是例示性實施例,而並非用於限定本發明。
100:流體截止閥
110:閥外罩
110e:第一屏蔽孔
110f:第二屏蔽孔
110g:第一噴射孔
110h:第二噴射孔
120:第一屏蔽模組
121:第一氣壓缸
124:第一旋轉軸
130:第二屏蔽模組
131:第二氣壓缸
140:第一噴射模組
150:第二噴射模組
A-A:線
a:屏蔽位置
b:第一等待位置
c:第二等待位置
Claims (15)
- 一種流體截止閥,包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道形成於外罩上部孔與外罩下部孔之間,用於使流體流入並流動,上述收容空間形成於上述流體通道的外側,與上述流體通道相連接;第一屏蔽模組,包括第一屏蔽板,上述第一屏蔽板位於上述收容空間的第一等待位置,向上述流體通道的屏蔽位置移動來屏蔽上述流體通道;第二屏蔽模組,包括第二屏蔽板,上述第二屏蔽板位於上述收容空間的第二等待位置,向上述屏蔽位置移動來與上述第一屏蔽模組交替屏蔽上述流體通道;第一噴射模組,用於向上述第一屏蔽板的上部面噴射清潔氣體;以及第二噴射模組,用於向上述第二屏蔽板的上部面噴射清潔氣體,上述閥外罩包括第一噴射孔及第二噴射孔,上述第一噴射孔在上述流體通道的一側上部向上述收容空間的第一等待位置貫通,上述第二噴射孔在上述流體通道的另一側上部向上述收容空間的第二等待位置貫通,上述第一噴射模組包括:第一噴射本體,包括第一供氣孔及第一氣體引導槽,上述第一供氣孔從上部面向下部面貫通,用於使清潔氣體流入,上述第一氣體引導槽從下部面朝向上部方向形成,在中心形成上述第一供氣孔;以及第一噴射板,包括第一氣體噴射孔,從上部面向下部面貫通,用於向上述第一屏蔽板噴射上述清潔氣體,與上述第一氣體引導槽的下部相結合,上述第二噴射模組包括: 第二噴射本體,包括第二供氣孔及第二氣體引導槽,上述第二供氣孔從上部面向下部面貫通,用於使清潔氣體流入,上述第二氣體引導槽從下部面朝向上部方向形成,在中心形成上述第二供氣孔;以及第二噴射板,包括第二氣體噴射孔,從上部面向下部面貫通,用於噴射上述清潔氣體,與上述第二氣體引導槽的下部相結合。
- 如請求項1所述之流體截止閥,其中,上述第一屏蔽模組還包括:第一氣壓缸,在上述閥外罩的外側位於上述流體通道的一側;第一旋轉軸,一側與上述第一氣壓缸相連接並進行旋轉,另一側朝向上述閥外罩的收容空間延伸;以及第一移送體,一側與上述第一旋轉軸相結合,另一側以弧形軌跡進行旋轉來在上述第一等待位置與上述屏蔽位置之間反復進行移動,上述第一屏蔽板放置於上述第一移送體的另一側,在上述屏蔽位置上下移動並屏蔽上述流體通道,上述第二屏蔽模組還包括:第二氣壓缸,在上述閥外罩的外側位於上述流體通道的另一側;第二旋轉軸,一側與上述第二氣壓缸相連接並進行旋轉,另一側朝向上述閥外罩的收容空間延伸;以及第二移送體,一側與上述第二旋轉軸相結合,另一側以弧形軌跡進行旋轉來在上述第二等待位置與上述屏蔽位置之間反復進行移動,上述第二屏蔽板放置於上述第二移送體的另一側,在上述屏蔽位置上下移動並屏蔽上述流體通道。
- 如請求項1所述之流體截止閥,其中,上述第一氣體引導槽和第二氣體引導槽呈如下的形狀,即,越接近第一噴射本體和上述第二噴射本體的外側,其深度越減少,多個上述第一氣體噴射孔和多個第二氣體噴射孔分別在第一噴射板和第二噴射板的中心沿著朝向外側,以放射狀隔開形成。
- 如請求項1所述之流體截止閥,其中,當上述第二屏蔽板在上述屏蔽位置屏蔽上述流體通道,且上述第一屏蔽板位於上述第一等待位置時,上述第一噴射模組向上述第一屏蔽板的上部面噴射上述清潔氣體,當上述第一屏蔽板在上述屏蔽位置屏蔽上述流體通道,且上述第二屏蔽板位於上述第二等待位置時,上述第二噴射模組向上述第二屏蔽板的上部面噴射清潔氣體。
- 如請求項1所述之流體截止閥,其中,還包括防流入缸,上述防流入缸與上述閥外罩的外罩下部孔相結合,通過支撐位於上述屏蔽位置的第一屏蔽板或第二屏蔽板的下部面來使其上升並屏蔽上述流體通道,當上述第一屏蔽板和第二屏蔽板分別位於上述第一等待位置和第二等待位置時,分離上述流體通道與上述收容空間。
- 如請求項5所述之流體截止閥,其中,當上述防流入缸分離上述流體通道與上述收容空間時,上述第一噴射模組向位於上述第一等待位置的上述第一屏蔽板的上部面噴射上述清潔氣體,上述第二噴射模組向位於上述第二等待位置的上述第二屏蔽板的上部面噴射上述清潔氣體。
- 如請求項1所述之流體截止閥,其中,還包括:旁路氣體通道,在上述屏蔽位置的上部與上述流體通道相連接,貫通上述收容空間來在上述屏蔽位置的下部與上述流體通道相連接,與上述流體通道並列作為使上述流體流動的路徑;以及旁路通道阻隔單元,用於開閉上述旁路氣體通道。
- 如請求項7所述之流體截止閥,其中,上述旁路氣體通道提供在上述第一噴射模組和第二噴射模組噴射的清潔氣體向上述收容空間外部排出的路徑。
- 一種流體截止閥,包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道形成於外罩上部孔與外罩下部孔之間,用於使流體流入並流動,上述收容空間形成於上述流體通道的外側,與上述流體通道相連接;第一屏蔽模組,包括第一屏蔽板,上述第一屏蔽板位於上述收容空間的第一等待位置,向上述流體通道的屏蔽位置移動來屏蔽上述流體通道;第二屏蔽模組,包括第二屏蔽板,上述第二屏蔽板位於上述收容空間的第二等待位置,向上述屏蔽位置移動來與上述第一屏蔽模組交替屏蔽上述流體通道;第一噴射模組,用於向上述第一屏蔽板的上部面噴射清潔氣體;以及第二噴射模組,用於向上述第二屏蔽板的上部面噴射清潔氣體,上述閥外罩包括:第一噴射孔,從上述第一等待位置的上部面向下部方向以規定深度形成; 第一噴射收容槽,上部底部面以貫通上述第一噴射孔的下端的方式與其相連接,下部朝向上述收容空間的上部開放;第二噴射孔,從上述第二等待位置的上部面向下部方向以規定深度形成;以及第二噴射收容槽,上部底部面以貫通上述第二噴射孔的下端的方式與其相連接,下部朝向上述收容空間的上部開放,上述第一噴射模組包括第一噴射板,上述第一噴射板包括從上部面向下部面貫通的多個第一氣體噴射孔,上部面以與上述第一噴射收容槽的上部底部面相隔開的方式沿著水平方向與上述第一噴射收容槽相結合,上述第二噴射模組包括第二噴射板,上述第二噴射板包括從上部面向下部面貫通的多個第二氣體噴射孔,上部面以與上述第二噴射收容槽的上部底部面相隔開的方式沿著水平方向與上述第二噴射收容槽相結合。
- 如請求項9所述之流體截止閥,其中,上述第一氣體噴射孔在上述第一噴射板的中心和與位於上述第一屏蔽板的上部面的第一O型環的上部對應的位置沿著圓周方向隔開並以環形狀配置,上述第二氣體噴射孔在上述第二噴射板的中心和與位於上述第二屏蔽板的上部面的第二O型環的上部對應的位置沿著圓周方向隔開並以環形狀配置。
- 如請求項9所述之流體截止閥,其中,上述第一氣體噴射模組還包括至少2個第一噴射支撐桿,上述至少2個第一噴射支撐桿呈柱形狀,在上述第一噴射板的上部面與第一噴射收容槽的上部底部面之間沿著圓周方向隔開並結合, 上述第二氣體噴射模組還包括至少2個第二噴射支撐桿,至少2個第二噴射支撐桿呈柱形狀,在上述第二噴射板的上部面與第二噴射收容槽的上部底部面之間沿著圓周方向隔開並結合。
- 一種流體截止閥,包括:閥外罩,包括流體通道及收容空間,上述流體通道形成於外罩上部孔與外罩下部孔之間,用於使流體氣體流入並流動,上述收容空間形成於上述流體通道的外側,與上述流體通道相連接;屏蔽模組,包括屏蔽板,上述屏蔽板位於上述收容空間的等待位置,向上述流體通道的屏蔽位置移動來屏蔽上述流體通道;以及噴射模組,用於向位於上述等待位置的上述屏蔽板噴射清潔氣體,上述閥外罩包括:噴射孔,在一側的等待位置向下部方向以規定深度形成;以及噴射收容槽,上部底部面以貫通上述噴射孔的下端的方式與其相連接,下部朝向上述收容空間的上部開放,上述噴射模組包括噴射板,上述噴射板包括從上部面向下部面貫通的多個氣體噴射孔,上部面以與上述噴射收容槽的上部底部面隔開的方式沿著水平方向與上述噴射收容槽相結合。
- 如請求項12所述之流體截止閥,其中,上述屏蔽模組從上述等待位置向屏蔽位置沿著弧形路徑或沿著直線路徑移送上述屏蔽板。
- 如請求項12所述之流體截止閥,其中, 上述閥外罩還包括外罩屏蔽孔,從上述閥外罩的另一側側面向上述收容空間貫通而成,上述屏蔽模組包括通過上述外罩屏蔽孔與上述閥外罩相結合的屏蔽氣壓缸,上述屏蔽氣壓缸使上述屏蔽板直線移動。
- 如請求項12所述之流體截止閥,其中,還包括與上述閥外罩的下部相結合的防流入缸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20200034106 | 2020-03-19 | ||
KR10-2020-0034106 | 2020-03-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202146796A TW202146796A (zh) | 2021-12-16 |
TWI796655B true TWI796655B (zh) | 2023-03-21 |
Family
ID=77771563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110110001A TWI796655B (zh) | 2020-03-19 | 2021-03-19 | 流體截止閥 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102517263B1 (zh) |
TW (1) | TWI796655B (zh) |
WO (1) | WO2021187909A1 (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100043894A1 (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Limited | Valve element, particle entry preventive mechanism, exhaust control apparatus, and substrate processing apparatus |
TW201430218A (zh) * | 2013-01-18 | 2014-08-01 | You & I Solution Co Ltd | 滑動式反壓斷開關 |
CN206320326U (zh) * | 2016-12-12 | 2017-07-11 | 凯泰阀门(集团)有限公司 | 双截断耐磨闸阀 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180467A (ja) * | 2005-03-02 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 反射装置、連通管、排気ポンプ、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、基板処理装置及びパーティクル捕捉部品 |
TWI381470B (zh) * | 2007-05-08 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Ltd | And a treatment device provided with the valve |
KR101738681B1 (ko) * | 2015-02-23 | 2017-06-09 | (주) 유앤아이솔루션 | 파우더 흡착방지용 유체 차단 밸브 |
KR101597818B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2016-02-25 | 주식회사 퓨젠 | 사각 게이트 진공밸브 |
-
2021
- 2021-03-18 WO PCT/KR2021/003345 patent/WO2021187909A1/ko active Application Filing
- 2021-03-18 KR KR1020210035085A patent/KR102517263B1/ko active IP Right Grant
- 2021-03-19 TW TW110110001A patent/TWI796655B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100043894A1 (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Limited | Valve element, particle entry preventive mechanism, exhaust control apparatus, and substrate processing apparatus |
TW201430218A (zh) * | 2013-01-18 | 2014-08-01 | You & I Solution Co Ltd | 滑動式反壓斷開關 |
CN206320326U (zh) * | 2016-12-12 | 2017-07-11 | 凯泰阀门(集团)有限公司 | 双截断耐磨闸阀 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210117970A (ko) | 2021-09-29 |
TW202146796A (zh) | 2021-12-16 |
WO2021187909A1 (ko) | 2021-09-23 |
KR102517263B1 (ko) | 2023-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4732750B2 (ja) | 真空排気装置 | |
JP2019121798A (ja) | 半導体工程における副産物取込装置 | |
JP3837391B2 (ja) | ゲートバルブ | |
TWI796655B (zh) | 流體截止閥 | |
JP2014508940A (ja) | ポンプヘッドの出口ポート | |
TW200927309A (en) | High-pressure water cleaning system | |
CN106368871A (zh) | 脉冲衰减器 | |
CN1407277A (zh) | 高温排放气体的冷却方法与装置以及燃烧处理装置 | |
KR101776235B1 (ko) | 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 | |
CN111112186A (zh) | 一种晶圆片清洗设备 | |
KR102463092B1 (ko) | 도장용 집진 장치 | |
CN1636641A (zh) | 用于压力清洗机的容器和封盖组件 | |
TW201728377A (zh) | 晶圓清洗裝置 | |
TW202146795A (zh) | 流體截止閥 | |
JP6714013B2 (ja) | 容積式ポンプ用のカートリッジ型ボールチェックバルブ | |
JP7419115B2 (ja) | 処理装置と切換バルブユニット | |
JP7499265B2 (ja) | ダイヤフラムポンプ用の弁ユニット | |
KR100614656B1 (ko) | 밸브 어셈블리 및 이를 가지는 반도체 제조 장치, 그리고트랩을 세정하는 방법 | |
CN114121588A (zh) | 基板处理装置以及利用其的基板处理方法 | |
KR101458512B1 (ko) | 세정 장치 | |
CN109478494B (zh) | 扩散腔室内部的气流的设计 | |
KR101337303B1 (ko) | 세정장비의 세정유체 분리회수장치 | |
CN117181673A (zh) | 一种等离子刻蚀机用清洗机构 | |
CN115318767B (zh) | 半导体工艺设备与废气处理装置 | |
US20170357158A1 (en) | Removing photoresist from a wafer |