TWI793790B - 面板級封裝的精確重構方法 - Google Patents

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Abstract

具有晶粒的高定位精度的面板級封裝(PLP)。PLP 將晶粒準確地綁定到對準面板的晶粒綁定區域。通過提供帶有局部對準標記的晶粒綁定區域來實現高精度。對準載體上的晶粒精確地綁定會產生具有精確晶粒定位的重構晶圓。可以通過基於晶粒子塊的晶粒位置檢查(DLC)掃描來掃描重構晶圓的晶粒，從而實現DLC 的高產量。DLC 掃描生成一個DLC 文件，其中包含重構晶圓的子塊的座標點。此外，可以使用與DLC 文件對齊的子塊電路文件生成雷射直接成像(LDI)文件。由於使用具有局部對準標記的對準載體形成重構晶圓，因此子塊電路文件的使用促進了高精度生成LDI 文件的高產量。

Description

面板級封裝的精確重構方法
本申請涉及面板級封裝裝置的精確重構。特別地，本申請涉及用於高精度面板級封裝的面板上的晶粒的綁定。
近年來，設備的面板級封裝(PLP)引起了極大的興趣。這是因為與傳統的晶圓級或基板級封裝技術相比，可以並行封裝的晶粒體積更大。PLP 涉及在大面板或載體上連接或綁定單個晶粒以進行晶粒綁定。例如，晶粒以矩陣形式排列在面板或載體上，具有晶粒的行和列。模塑膠包裹晶粒，形成模具面板或重構晶圓。根據其尺寸，載體可以容納比晶圓上明顯更多的晶粒，例如，是比晶圓的3到5倍或更多晶粒。這增加了封裝產量並降低了成本。在晶粒被封裝之後，重構晶圓被鋸切或切塊以分割晶粒。
然而，用於形成重構晶圓的常規技術導致晶粒在重構晶圓內的定位不準確。不準確可能是因為，例如，因為晶粒與載體的對位不準確。此外，綁定的晶粒可能在處理，例如模制，過程中移動，進一步加劇了重構晶圓內晶粒定位的不準確性。由於重構晶圓中的晶粒未對準，下游處理，例如形成跡線以完成封裝過程和鋸切重構晶圓以將其分割成單個封裝，可能未對準。下游工藝的這種錯位導致產量降低。
因此，基於前述討論，期望在重構晶圓中提供晶粒的準確定位以增加產量。
本申請的實施例一般涉及面板級封裝裝置。特別地，本申請涉及用於面板級封裝的精確重構。
在一個實施例中，一種用於晶粒位置檢查(DLC)的方法包括：提供具有封裝在模塑膠中的晶粒塊的重構晶圓。晶粒塊包括按行和列佈置的多個晶粒以形成塊的晶粒矩陣。多個晶粒包括對準晶粒和活動晶粒。該方法還包括掃描重構晶圓。所述掃描包括掃描所述晶粒塊。該方法還包括處理晶粒塊的掃描資訊。該處理包括識別晶粒塊的對準晶粒的位置，將所述晶粒塊的其中一對準晶粒分配為所述晶粒塊的笛卡爾坐標系的原點，其中掃描所述晶粒塊包括按照一次一個子塊的掃描方式掃描晶粒塊，其中每個子晶粒塊包括排列在子塊矩陣中的晶粒，所述子塊矩陣包括比所述晶粒塊的矩陣更少的晶粒，並在所述笛卡爾坐標系中為所述晶粒的子塊分配座標點。
在另一個實施例中，一種用於為面板級處理綁定晶粒的方法包括：提供具有綁定面的對準面板，所述綁定面包括用於將晶粒綁定到其上的晶粒綁定區域。所綁定面包括局部對準標記。所綁定面包括面板粘合膜，用於促進將所述晶粒綁定到所述晶粒綁定區域。該方法還包括將選定晶粒綁定到選定晶粒綁定區域，包括使用選定晶粒綁定區域的局部對準標記將所述選定晶粒與所述選定晶粒綁定區域對準，並且當所述選定晶粒與所述選定晶粒綁定區域對齊時，將所述選定晶粒綁定到所述選定晶粒綁定區域。
通過參考以下描述和圖式，本文公開的實施例的這些和其他優點和特徵將變得顯而易見。此外，應當理解，這裡描述的各種實施例的特徵不是相互排斥的並且可以以各種組合和排列存在。
實施例一般涉及面板級封裝裝置，例如面板級封裝半導體裝置或積體電路(IC)。特別地，本申請涉及用於面板級封裝的面板上晶粒或裝置的高精度綁定。
圖1示出了半導體晶圓100的簡化俯視圖。所述晶圓可以是輕摻雜的p 型矽晶圓。也可以採用其他類型的晶圓。例如，晶圓可以是碳化矽（SiC）晶圓、氮化鎵（GaN）晶圓、砷化鎵（GaAs）晶圓或磷化銦（InP）晶圓。裝置110 平行地形成在晶圓100 的主動表面上。主動表面可以是晶圓100 的上表面。被動表面可以是晶圓的下表面。
裝置110 沿第一方向(x)排列成行，沿第二方向(y)排列成列。在完成對晶圓的處理之後，使用晶圓鋸沿著切割線或鋸線180 對晶圓進行切割。例如，沿著x方向上的第一切割線180 1和沿著y 方向上的第二切割線180 2切割晶圓以將晶圓100 的裝置110 分割成單獨的裝置或晶粒110。
圖2a至2d 示出了用於處理一加工晶圓200 的工藝的簡化截面圖。參考圖2a，示出了加工晶圓200 的截面圖。加工晶圓200 包括頂部或主動的晶圓表面201和底部或被動的晶圓表面202。舉例說明，為簡化描述，加工晶圓200的橫截面圖包括3 個晶粒210。應當理解，橫截面圖可以包括其他數量的晶粒210 以及未示出的其他元件，例如，晶圓邊緣處的晶粒部分。加工晶圓200 可以是來自外部供應商的導入的加工晶圓。例如，封裝供應商可以從諸如晶圓處理廠的外部供應商處接收經加工晶圓200。
在一個實施例中，處理裸晶圓以形成加工晶圓200。例如，處理包括在晶圓的表面上形成晶粒210 的電路元件或元件。電路元件可以包括主動和被動的電路元件。主動元件可以包括例如電晶體、二極體和三極體，而被動元件包括電壓元件、電容器、電阻器和電感器。還可以包括其他類型的主動和被動元件。電路元件可以使用一系列工藝形成，例如摻雜（例如，注入或擴散）、沉積（例如，氧化、化學氣相沉積（CVD）、電鍍和濺射）和圖案化（例如，光刻和蝕刻）。也可以採用其他技術來形成電路元件。
在晶粒基板上形成具有多個互連層級的BEOL 電介質，該互連層級具有耦合到通孔觸點的導線。例如，BEOL 電介質覆蓋帶有電路元件的晶粒基板表面。在一實施例中，BEOL 電介質包括隔離不同互連層級的導線的低k 電介質或電介質層。低k 電介質層還可包括超低k 電介質層。低k 電介質或電介質層可以統稱為低k 電介質或電介質層和超低k 電介質或電介質層。其他類型的電介質層也可能有用。電路元件和BEOL 電介質被簡單地示為加工晶圓200 的一部分。BEOL 的頂部可以是主動處理晶圓表面201。
BEOL 電介質的頂部可以包括墊層。在一實施例中，墊層包括晶粒綁定墊240。晶粒綁定墊240 例如可以是鋁(Al)晶粒綁定墊240。其他類型的晶粒綁定墊240，例如銅(Cu)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、鉻(Cr)或其組合或合金，包括Al-Cu，也可能有用。
晶粒綁定墊240 可以被鈍化層242 覆蓋。鈍化層242可以是具有多個電介質層的鈍化疊層。例如，鈍化疊層可以包括電介質層的組合，例如氧化矽和氮化矽層。其他類型的電介質層也可能有用。
鈍化層242 可以包括墊盤開口244 以暴露晶粒綁定墊240。如圖所示，墊盤開口244 小於晶粒綁定墊240。舉例來說，鈍化層242 的頂面位於晶粒綁定墊240的頂面之上，且墊盤開口244 小於晶粒綁定墊240。如圖所示，鈍化層242 覆蓋晶粒綁定墊240 的邊緣部分。例如，墊盤開口244 可以通過諸如反應離子蝕刻(RIE)之類的各向異性蝕刻來形成。也可以使用其他類型的蝕刻來形成墊盤開口。BEOL 電介質頂部的暴露部分、鈍化層242 和綁定墊240 可以統稱為主動處理晶圓表面201。在一些情況下，主動處理晶圓表面201 可以包括BEOL 電介質的頂部和晶粒綁定墊240，但沒有鈍化層242。
在圖2b 中，加工晶圓200 被進一步處理。在一實施例中，經處理的晶圓200的進一步處理包括在主動處理晶圓表面201 上形成緩衝層260。例如，緩衝層260 為形成於主動處理晶圓表面201 上的晶圓級緩衝層260。晶圓級緩衝層260是介電緩衝層。緩衝層260 例如可以包括環氧樹脂、聚醯亞胺、聚苯並惡唑或其他類型的介電材料。緩衝層260 的厚度可為約10-100um、約15-100um、約20-100um、約25-100um、約45-100um 或約60-100um。緩衝層260 的其他厚度也可以是有用的。
在優選實施例中，緩衝層260 防止或減少來自晶圓分割工藝的BEOL 電介質的碎裂或破裂，例如切割以將晶圓200 分成單獨的晶粒210。緩衝層260 可以被調整為具有或具有楊氏模量和斷裂強度，以減少或防止晶圓分割過程中BEOL電介質的碎裂或破裂。在一個實施例中，緩衝層260 的楊氏模量是約10,000-25,000MPa 、約14,000-25,000MPa 、約15,000-25,000MPa 、約16,000-25,000MPa、約15,000-25,000MPa，或者，約20,000-25,000MPa。至於斷裂強度，它可以是約45-150MPa、約70-150MPa、約70-120MPa、約70-105MPa、約80-120MPa 或約90-120MPa。緩衝層260 的熱膨脹係數(CTE)，例如，可以是大約6-20ppm/K。緩衝層260可以在-65-+300℃範圍內具有溫度穩定性。
在一個實施例中，緩衝層260 是複合緩衝層260，其包括具有填料顆粒的基礎緩衝層。在一個實施例中，基礎緩衝層包括有機聚合物基質材料。例如，基礎緩衝層可以包括熱固性塑膠或熱塑性塑膠，例如聚醯亞胺、環氧樹脂以及其他類型的聚合物。在一個實施例中，基礎緩衝層包括樹脂，例如環氧樹脂或氰酸酯。優選地，基礎緩衝層是低粘度樹脂，例如聯苯環氧樹脂。當然，其他類型的基礎緩衝層也可能有用。
在一個實施例中，填料是無機基的。例如，填料可以是二氧化矽(SiO 2)、無定形氧化鋁(α-Al 2O 3)或其組合。也可以是其他類型的填料。例如，填料可以是有機基或無機基或有機基填料的組合。例如，填料可以是球形填料。複合緩衝層260 的填料是直徑範圍從約0.5-12 um 或約0.5-10 um 的不均勻尺寸的填料。其他尺寸的填料或成型填料也可以是有用的。
可以使用各種技術在主動處理晶圓表面201 上形成緩衝層260。例如，緩衝層260 可以通過旋塗或層壓形成。其他技術，例如縫合塗布也可能有用。用於形成緩衝層260 的技術可取決於緩衝層的類型。
參考圖2c，將加工晶圓201 的主動處理晶圓表面201 上的緩衝層260 圖案化以形成通孔開口262。通孔開口262 暴露晶粒綁定墊240。在一個實施例中，通孔開口262 通過雷射蝕刻形成。通孔開口262 還可以通過其它工藝形成。如圖所示，通孔開口262 可以具有傾斜的或錐形的側壁輪廓。通孔開口262 的側壁還可以是非傾斜的。此外，如圖所示，通孔開口262 的底部小於晶粒綁定墊240。優選地，通孔開口262 的底部位於大約或盡可能靠近晶粒綁定墊240 的中心部分。
如圖2d 所示，在緩衝層260 中形成通孔開口262 之後，加工晶圓200 被分割成單獨的晶粒210。例如，加工晶圓200 在切割線280處被鋸切以將晶圓200 分割成單獨的晶粒210。
圖3a 示出了在PLP 中使用的對準載體或面板304 的實施例的簡化俯視圖。例如，俯視圖可以是對準載體的頂面305，其上為PLP 綁定了晶粒。例如，頂面305 可以被稱為對準面板304 的綁定面。頂面305 的相對表面是對準載體304的底面306。底面306 可以被稱為對準面板304 的非綁定面。如圖所示，對準面板304 為矩形。對準面板304 可以形成為其他形狀。
在優選實施例中，對準面板304 由具有低膨脹係數(CTE)的材料形成以最小化溫度變化期間的線性變化。例如，對準面板304 可以由具有等於或低於8 ppm/K的CTE 的材料形成。此外，材料應該足夠堅固以承受粘合過程中的處理。此外，該材料應該優選地是磁性的，使得在作為整個結合過程的一部分的研磨過程中能夠牢固地保持對準面板304 。例如， 低CTE 材料可以包括合金42（CTE 3-4.5 ppm/K）和合金46（CTE 7-8 ppm/K）。也可以使用其他類型的低CTE材料來形成對準面板304。使用其他材料以及具有其他CTE 的材料（包括具有高於8 ppm/K 的CTE 的材料）形成對準面板304 也是有用的。對準面板304 的尺寸可以是大約700 mm×700 mm。提供具有其他尺寸（更大或更小）的對準面板304也可能是有用的。
在一個實施例中，對準面板304 的綁定面305 包括具有晶粒綁定區域330的主動區314。晶粒綁定區域330 可以佈置成矩陣形式，具有晶粒綁定區域330在第一（行）和第二（列）方向的行和列。例如，行方向是x 方向，列方向是y方向。
如圖所示，主動區314 中的晶粒綁定區域330 被佈置為一個塊或矩陣。一個區塊內晶粒綁定區域的間距是相同的。例如，相鄰的晶粒綁定區域330 在區塊的行方向上的間距(行距)相同；相鄰的晶粒綁定區域330 在區塊的列方向上的間距(列間距)相同。行距和列距可以彼此相同或不同。
在一些實施例中，對準面板304 的晶粒綁定區域330 可以佈置在多個塊中。例如，對準面板304 的晶粒綁定區域330 可以佈置在晶粒綁定區域330 的4 個單獨塊中，例如2x2 塊矩陣或佈置。其他數量的塊或塊的排列也可能有用。例如，對準面板304 可以包括以行或列的格式佈置的奇數個塊。例如，這些塊通過塊間距在物理上分開。例如，相鄰塊由塊間距隔開。塊間距大於塊內的晶粒間距（晶粒之間的行和列的間距）。在對準面板304僅包括一個塊的情況下，塊可以用於指對準面板304的所有晶粒綁定區域330，或者指具有多個塊的對準面板304的一個塊內的所有晶粒綁定區域330。
晶粒綁定到塊的晶粒綁定區域330。在一個實施例中，晶粒綁定區域330 包括局部對準標記或基準點350。局部對準標記350有助於對準晶粒以將它們綁定到晶粒綁定區域330 的晶粒附接區域338。例如，每個晶粒綁定區域330 包括其自身的局部對準標記350，局部對準標記350 用於將一個或多個晶粒對準和綁定到晶粒附接區域338。晶粒附接區域338 例如可以是晶粒或晶粒在結合到其上時的輪廓。如圖所示，局部對準標記350 具有圓形形狀。局部對準標記350 也可以是其它形狀的。優選地，所有局部對準標記350具有相同的形狀。然而，可以理解，並非所有的局部對準標記350 都需要具有相同的形狀。
在一個實施例中，局部對準標記350 優選地位於晶粒附接區域338 之外。例如，局部對準標記350，如圖所示，圍繞晶粒附接區域338。在一些情況下，局部對準標記350 設置在晶粒附接區域338 內。在這種情況下，局部對準標記350 在晶粒綁定之後不可見，因為晶粒將覆蓋它們。在其他實施例中，局部對準標記350 可以設置在晶粒附接區域338 的內部和外部。在晶粒附接區域338 的外部提供局部對準標記350 有利於焊接後檢查，因為它們在晶粒焊接之後是可見的。
晶粒綁定區域330 可以容納單個晶粒或多個晶粒，例如多晶片模組(MCM)。例如，每個晶粒綁定區域330 可以包括多個晶粒附接區域338。在MCM 的情況下，在多個晶粒的晶粒附接區域之外提供局部對準標記350，有利地使局部對準標記350 能夠共同用於將多個晶粒綁定到晶粒綁定區域330 上。如果局部對準標記350 設置在晶粒之一的晶粒附接區域338內，可能需要提供額外的局部對準標記350 以用於將MCM 的其它晶粒結合到晶粒綁定區域330 內的它們各自的晶粒附接區域338內。
在一個實施例中，局部對準標記350 可由共線視覺相機檢測用於對準。此類照相機可在例如美國專利16/814,961 中進行描述，該專利出於所有目的通過引用併入本文。可以使用例如雷射鑽孔在對準面板304 的晶粒綁定區域330上形成局部對準標記350。用於形成局部對準標記350 的其他技術也可以是有用的。優選地，局部對準標記350 是淺標記，便於通過研磨去除以回收對準面板304。例如，當一晶粒不再生產時，局部對準標記350 可以被去除並且形成新的用於另一種或不同類型的晶粒的晶粒綁定。
與傳統上所做的基於全域對準標記計算晶粒綁定位置相比，為每個晶粒綁定區域330 提供局部對準標記350 提高了晶粒綁定的位置精度。此外，通過提供局部對準標記350，面板變形或其他定位誤差的影響被最小化，提高了晶粒在對準面板304 上的定位精度，從而提高了產量和可擴展性。
塊的晶粒綁定區域330 包括對準晶粒綁定區域336 和活動晶粒綁定區域331。活動晶粒綁定區域331 容納活動晶粒。例如，活動晶粒是出售使用的普通晶粒。對準晶粒綁定區域336 類似於活動晶粒綁定區域331，除了它們被指定用於對準晶粒。例如，對準晶粒綁定區域336 容納用於對準目的的對準晶粒。對準晶粒可以是普通晶粒或活動晶粒，例如在活動晶粒綁定區域331 中綁定的晶粒。例如，對準晶粒可以是用於對準目的的活動晶粒。
可選擇地，對準晶粒可以專門用於對準目的。提供特定的對準晶粒可能是有利的，因為它們可以很容易地與普通晶粒或活動晶粒區分開來。在這種情況下，對準晶粒不能用於正常使用。優選地，對準晶粒的主動表面被處理有容易被對準照相機檢測到的特徵。對準晶粒的這些特徵在對準圖像中產生對比度，使其易於檢測或與活動晶粒區分。
在一個實施例中，塊包括至少2 個對準晶粒綁定區域336。為塊提供其他數量的對準晶粒綁定區域336 也可以是有用的。如圖所示，該塊包括4 個對準晶粒綁定區域336 1-4。對準晶粒綁定區域的數量可取決於例如應用。對準晶粒綁定區域336 位於塊中以有助於通過晶粒位置檢查(DLC)工藝確定晶粒在重構晶圓的塊中的晶粒位置以用於進一步處理。
在一個實施例中，對準晶粒綁定區域336 1-4位於塊的角晶粒綁定區域。例如，對準晶粒綁定區域336 1-4對應於塊的第一行和最後一行以及第一列和最後一列的第一和最後一個晶粒綁定區域330。在塊的其他位置提供對準晶粒綁定區域336 也可能是有用的。在對準面板304 包括多個塊的情況下，每個塊優選地具有相同排列的對準晶粒綁定區域336。然而，可以理解的是，對準面板304 的不同塊可以具有不同排列的對準晶粒綁定區域336，包括對準晶粒綁定區域336 的數量和位置。
圖3b 示出了對準面板304 的另一實施例的一部分的簡化俯視圖。如圖所示，對準面板304 的相鄰晶粒綁定區域330 彼此鄰接。這種佈置使得局部對準標記350 能夠被相鄰的晶粒綁定區域330 共用。在相鄰晶粒綁定區域330 之間共用局部對準標記350 減少了晶粒綁定區域336的佔用面積，使得對準面板304 能夠裝配更多的晶粒綁定區域330。
如上所述，對準面板304由具有局部對準標記350的金屬材料形成。使用金屬材料是有利的，因為它允許使用磁性台將對準面板304牢固地保持在適當位置以進行處理。例如，可以使用磁性台將對準面板304牢固地保持在適當位置以研磨模塑膠。
在其他實施例中，對準面板304 可以由玻璃或其他類型的透明材料形成。局部對準標記350 可以形成在透明對準面板304 上。在其它情況下，局部對準標記350 可以獨立於透明對準面板304。例如，局部對準標記350可以形成在單獨的標記片，例如紙或樹脂，並且可以附接到透明對準面板304的底部或被動表面上。採用獨立的局部對準標記350 消除了對對準面板304上的標記過程的需求，從而顯著降低製造成本。
來自晶粒綁定機的相機模組的光可以穿透透明對準面板304 以檢測標記片上的局部對準標記350。可以容易地實現採用獨立的局部對準標記350，消除對對準面板304 上的標記工藝的需要。此外，提供獨立於透明對準面板304的局部對準標記350 是有利的，因為它避免了以批量生產具有局部對準標記350 的玻璃對準面板304的需求。由於玻璃對準面板304 易碎且標記過程昂貴，因此可顯著的降低成本。
圖4a至4d 示出了製備對準面板的工藝的實施例。參考圖4a，提供了裸露的對準面板404。對準面板404 包括相對的頂面405 和底面406。對準面板404 可以由低CTE 材料形成，例如合金42 或合金46。也可以使用其他類型的材料來形成對準面板404。對於700 mm X 700 mm 的面板，對準面板404 的厚度可以是大約2 mm。對準面板404還可以是其他厚度。例如，厚度可以取決於對準面板404的尺寸和材料。
在圖4b 中，對準面板404 的頂面或綁定面405 被製備好。在一個實施例中，面板製備包括研磨頂面405 以產生平行於對準面板404 的厚度。研磨過程確保對準面板404 的平坦性以及產生無劃痕的頂部或主動表面405。在一些實施例中，底部或非綁定面406 可以類似地被研磨以確保它沒有凹痕和毛刺。在一些實施例中，對準面板404 的綁定面405 可以被硬化以防止形成劃痕或面板變色。
參照圖4c，局部對準標記450 形成在對準面板404 上。局部對準標記450 可以基於對準面板404的CAD 設計文件形成。在一實施例中，局部對準標記450 通過雷射鑽孔形成。局部對準標記450 還可以通過其他技術形成。例如，可以使用機械鑽孔、蝕刻或其他材料去除工藝來形成局部對準標記450。在優選實施例中，局部對準標記450 使用高精度系統形成以確保精確的孔對孔投擲。孔到孔的間距取決於例如對準面板404 的晶粒尺寸和佈局。優選地，局部對準標記450 是淺的以便於通過，例如，研磨，去除它們來回收。局部對準標記450 可以是大約25 um 深。局部對準標記450 還可以是其它深度。
如圖4d 所示，膠帶422 被施加在對準面板404 的主動表面405 上。例如，膠帶422 可以被稱為面板膠帶。面板膠帶422 被施加在對準面板404 的主動表面405 上以籌備用於晶粒綁定。例如，面板膠帶422 覆蓋主動表面405。在一個實施例中，面板膠帶422 是熱敏或熱釋放膠帶。其他類型的面板膠帶也可用於促進晶粒綁定。面板膠帶422 應該足夠透明以使得綁定工具的相機能夠檢測到局部對準標記450。例如，面板膠帶422 可以是透明的或半透明的以使得相機的光能夠穿透面板膠帶422 並檢測局部對準標記450。此外，面板膠帶422 的粘性應該足夠強使得晶粒一旦對準並通過綁定工具放置在其上就將晶粒保持在適當位置。在使用面板膠帶422 之後，對準載體404 準備好用於晶粒綁定。
圖5a至5b 示出了將AutoCAD(CAD)文件的圖案匹配到晶粒和對準面板的實施例。參照圖5a，示出了例如由綁定工具的對準模組捕獲的對準面板的晶粒510的圖像和晶粒綁定區域530 的圖像。
關於晶粒510，主動表面包括晶粒特徵512。晶粒510 的主動表面的晶粒特徵512 可以是緩衝層中的通孔開口。示出了晶粒510的相應CAD 晶粒文件513。例如，CAD 晶粒文件513 包含與晶粒510 相關的資訊。例如，CAD 晶粒文件513包括對應於晶粒510 上的晶粒特徵512 的CAD 晶粒特徵514。包含在CAD 晶粒文件513中的資訊是基於綠色資料。例如，綠色資料是指設計資料。在一實施例中，CAD 晶粒文件包括晶粒特徵512的座標位置。晶粒特徵512的座標位置可以是晶粒特徵512的中心點。例如，該文件可以是包括對應於晶粒特徵512中心的座標位置的文字文件。
在一些情況下，可能存在包含晶粒特徵資訊的不同文件。例如，可能有一個包含特徵形狀的設計文件和一個包含晶粒內晶粒特徵座標的座標文件。例如，座標文件可以是包含對應於晶粒特徵512的中心點的座標的文字文件。座標文件可以被稱為CAD 晶粒文件513。
在一個實施例中，定義了CAD 晶粒參考點516。優選地，定義至少2 個CAD晶粒參考點516。如圖所示，CAD 晶粒參考點516 包括2 個晶粒參考點。例如，第一和第二CAD 晶粒參考點豎直對齊。CAD 晶粒參考點516還可以呈其他佈置或數量。CAD 晶粒參考點516 用於對準目的。通過使用2 個或更多個CAD 晶粒參考點516，可以實現平移和角度（旋轉）對準。CAD 晶粒參考點516 的位置可以由例如晶粒510 的設計者任意選擇。CAD 晶粒參考點516 的位置可以基於它們與CAD 晶粒特徵514 的相對位置來識別，包括晶粒510的輪廓或角落。
至於晶粒綁定區域530，它包括局部對準標記550。對準面板上晶粒綁定區域530 的對應CAD 面板文件533 被示出。例如，CAD 面板文件533 是用於面板目標的CAD 文件，其是晶粒綁定區域530。例如，CAD 面板文件533 包含與晶粒綁定區域530 相關的資訊。CAD 面板文件533 包括CAD 面板特徵537。CAD 面板特徵537 位於CAD 晶粒綁定區域內，該區域對應於晶粒綁定區域530的局部對準標記550 的位置。
類似地，可能存在包含面板特徵資訊的不同文件。例如，可能有一個包含特徵形狀的設計文件和一個包含晶粒綁定區域內面板特徵座標的座標文件。座標文件例如是包含對應於面板特徵的中心點的座標的文字文件，例如局部對準標記550。座標文件可以被稱為CAD 面板文件533。
在一個實施例中，定義了CAD 面板參考點539。優選地，定義至少2 個CAD面板參考點539。CAD 面板參考點539 用於對齊目的。如圖所示，CAD 面板文件533包括2 個CAD 面板參考點539。通過使用2 個或更多個CAD 面板參考點539，可以實現平移和角度（旋轉）對齊。在一實施例中，CAD 面板參考點539 的位置被選擇為對應於用於晶粒綁定對準的CAD 晶粒參考點516的位置。CAD 面板參考點539 的位置可以基於它們與CAD 面板特徵537 的相對位置來識別。
在圖5b 中，CAD 晶粒文件513 最適合於晶粒510。例如，CAD 晶粒特徵514 是最適合晶粒510 的晶粒特徵512。這導致具有CAD晶粒參考點516 的晶粒510 基於CAD 晶粒文件513 定位在晶粒510 上。類似地，CAD 面板文件533 是最匹配對準面板上的晶粒綁定區域530 的。例如，CAD 面板特徵537 最適合對準面板上的局部對準標記550。這導致晶粒綁定區域530 具有CAD面板參考點539。CAD面板參考點539 基於CAD 面板文件533 定位在對準面板的晶粒綁定區域530 上。當CAD晶粒參考點516 與CAD面板參考點539 對齊時，晶粒510與晶粒綁定區域530 對齊。
圖5c 示出了晶粒綁定器對準用於綁定到對準載體上的晶粒的簡化圖。如圖所示，對準載體504 安裝在晶粒綁定器(未示出)的工作臺上。晶粒綁定器的綁定頭(未示出)拾取用於綁定到對準載體504 上的晶粒510。晶粒綁定器的照相機596 延伸到用於將晶粒510 對準對準載體504的位置。在一個實施例中，照相機596 是共線的向上和向下照相機。例如，相機596 在相同的視線下向上看和成像晶粒510的主動表面並且向下看和成像對準載體504。晶粒510和對準載體504的相機圖像被示出。例如，晶粒510 的相機圖像顯示晶粒特徵510，而對準載體504的相機圖像顯示具有局部對準標記550 的晶粒綁定區域530。
晶粒綁定器包括記憶體，其存儲CAD 晶粒文件513和CAD 面板文件533。CAD 晶粒文件513最適配晶粒510 的圖像，而CAD 面板文件533最適配對准面板的晶粒綁定區域530（如圖5b 所示）。在一個實施例中，晶粒綁定器的綁定頭將晶粒510定位在對準面板504的上方，使得CAD 晶粒參考點516與CAD 面板參考點539對齊，表明晶粒510與對準面板504 上的晶粒綁定區域530 對齊。當晶粒510 對準晶粒綁定區域530時，照相機596 縮回，使綁定頭能夠垂直向下移動以將晶粒510 綁定到晶粒綁定區域530。
在一個實施例中，對準面板504 的一個塊以一次一個晶粒的方式與晶粒綁定到晶粒綁定區域上。例如，第一晶粒被綁定到對準面板504 的塊的第一晶粒綁定區域。第一晶粒和第一晶粒綁定區域可以被稱為選定晶粒和選定晶粒綁定區域。綁定所選晶粒包括晶粒綁定器拾取所選晶粒、將所選晶粒對準所選晶粒綁定區域並將所選晶粒綁定到所選晶粒綁定區域。在選定的晶粒綁定至選定的晶粒綁定區域後，晶粒綁定器會判斷該區塊是否還有其他晶粒綁定區域需要處理。如果有，晶粒綁定器拾取下一個選定的晶粒以綁定到塊的下一個選定的晶粒綁定區域。下一個選定的晶粒和下一個選定的晶粒綁定區域成為選定的晶粒和選定的晶粒綁定區域。將所選晶粒綁定到所選晶粒綁定區域的過程重複進行，直到塊的所有晶粒綁定區域都被處理。在塊處理完成後，晶粒綁定器會判斷是否有對準面板504 的其他區塊需要處理。如果有，則晶粒綁定器處理剩餘的塊直到對準面板504 的所有塊都被處理。
如上所述，對準面板504包括以高精度形成在其上的預定位置的局部對準標記550。局部對準標記550和晶粒特徵512（例如通孔開口）用作基準點，並與相應的CAD 文件（CAD 晶粒文件513和CAD 面板文件533）匹配，用於晶粒510和對準面板504的參考。綁定器帶有仰視和俯視相機，以相同的視線將晶粒510對準對準面板504。各種特徵使晶粒510能夠以高產量和3 um 的高貼裝精度、+/-0.5 um 的XY 重複性和+/-004 o的θ 重複性精確綁定到對準面板。此外，可以輕鬆執行綁定前和綁定後檢查。此外，高精度和高產量增加了產量並簡化了重構晶圓的下游處理，從而降低了製造成本和提高了產量。
圖6a至6e 是描繪用於形成重構晶圓和準備重構晶圓以用於進一步處理的工藝的實施例的簡化截面圖。參考圖6a，對準面板604 包括面板綁定面605 和面板非綁定面606。面板綁定面605包括用於其上的晶粒綁定區域的局部對準標記650。面板膠帶622 被貼到面板綁定面605。晶粒610 通過晶粒綁定器被綁定到對準面板604 的晶粒綁定區域。如前所述，晶粒綁定器使用局部對準標記650將晶粒610 對準和綁定到晶粒綁定區域。面板膠帶622將晶粒610附接到對準面板604的晶粒綁定區域。
如圖所示，對準面板604 包括一塊晶粒610。晶粒610 包括對準晶粒612 和活動晶粒611。例如，對準晶粒612 可以位於塊的角落晶粒綁定區域處。因此，簡化截面圖圖示了塊的晶粒610 的第一行、最後一行、第一列或最後一列。
參照圖6b，與晶粒610 結合的對準面板604受制模制工藝。例如，模塑膠670形成在對準面板604 上方，覆蓋它和晶粒610。模塑膠670 和晶粒610 可被稱為模制面板或重構晶圓665，而模制面板665和對準面板604 可被稱為面板組件或重構晶圓組件。模塑膠670 可以是粉末/顆粒、液體或薄膜的形式。在一個實施例中，執行壓縮成型以形成模塑膠670。用於形成模塑膠670 的其他技術也可以是有用的。成型過程是一個高溫過程。例如，具有晶粒610 的對準面板604 經受高溫和高壓，例如約150-180℃和240-320TF。對準載體604 的材料可以承受模制工藝的條件而不會變形、翹曲或損壞。此外，由於對準載體604 的低CTE 材料，使得溫度變化而產生的線性變化最小。
如圖6c 所示，使用例如研磨機608 研磨重構晶圓665 的模塑膠670 的上表面。研磨機608例如包括用於研磨模塑膠670 的頂面的研磨輪。模塑膠670 的表面可以被研磨使得重構晶圓665 具有期望的或限定的高度以及確保均勻的厚度以減輕應力。
參照圖6d，從對準面板604 釋放重構晶圓665。在一個實施例中，從對準面板604 釋放重構晶圓665 包括使重構晶圓元件經受高溫工藝，例如大約210攝氏度。高溫剝離工藝使面板膠帶622 失去其粘合性能，從而使重構晶圓665能夠與膠帶622 和對準面板604 分離。例如，剝離工藝可包括從對準面板604上剝離面板膠帶622，接著將面板膠帶622 從重構晶圓665 上剝離。或者，釋放工藝可從面板膠帶622 上釋放重構晶圓665，接著將面板膠帶622 從對準面板604上剝離。用於從重構晶圓元件釋放重構晶圓665 的其他技術也可能是有用的。
在一個實施例中，釋放的重構晶圓665 被安裝到載體基板694 上，如圖6e所示。載體基板694 用作用於重構晶圓665 的下游處理的基板。例如，載體基板694應該足夠剛性以支撐用於下游處理的重構晶圓665，例如在重構晶圓665 上形成互連或導電跡線，載體基板694 可以由金屬形成。例如，除了不需要局部對準標記650之外，載體基板694可以類似於對準面板604。也可以使用其他類型的材料來形成載體基板694。
載體膠帶623 被設置到一表面，例如頂面。例如，載體膠帶623可以是熱敏或熱剝離帶。也可以使用其他類型的膠帶來促進將重構晶圓665 綁定到載體基板694。使用載體膠帶623 將重構晶圓665附接到載體基板694。在一個實施例中，重構晶圓665 的主動表面是暴露的（面朝上）。例如，重構晶圓665 的被動表面綁定到載體基板694。具有重構晶圓665 的載體基板694 可以被稱為載體重構晶圓元件。
圖7a至7c 描繪了重構晶圓上的晶粒位置檢查(DLC)工藝的實施例。參考圖7a，示出了載體重構晶圓組件。載體重構晶圓組件包括面朝上安裝在載體基板（未示出）上的重構晶圓765。重構晶圓765包括具有模塑膠770 的晶粒710。晶粒710的主動表面是可見的。如圖所示，重構晶圓765 的晶粒710 被佈置在4 個塊715中。塊715被佈置在2×2 塊矩陣佈置中。每個塊715 的晶粒710 包括對準晶粒712和活動晶粒711。對準晶粒712 可以僅用於對準目的或者可以是用於對準目的的活動晶粒711。每個塊715 可以包括4 個對準晶粒712 1-4。在一個實施例中，對準晶粒712 1-4位於塊715 的拐角處。對準晶粒712 也可以設置在其它位置上。
參考圖7b，DLC 工藝掃描重構晶圓765。在一個實施例中，DLC 採用多個照相機來掃描重構晶圓765。在一個實施例中，DLC 掃描採用第一和第二照相機（照相機A 和相機B)來掃描重構晶圓765。如圖所示，相機A 掃描重構晶圓765（左半部分）的第一相機區域792；相機B 掃描重構晶圓765(右半部分)的第二相機區域794。例如，相機A 掃描重構晶圓765 左半部分上的第一和第二塊715 1-2的全部，並且相機B 掃描重構晶圓765 右半部分上的第三和第四塊715 3-4的全部。
DLC 掃描識別每個塊715的對準晶粒712 以確定笛卡爾坐標系上的零或原點(0,0)。在一個實施例中，零點是位於塊715 左上角的對準晶粒712 1。例如，零點是位於每個塊715 左上角的對準晶粒712 1。零點也可以設置在塊715 的其他位置上。優選地，每個塊715的零點位於相同位置。將不同塊715的零點或原點定位在不同位置也可能很有用。
在一個實施例中，零點是基於對準晶粒712 1上的點。零點可以對應於例如對準晶粒712 1的中心點。例如，掃描可以確定對準晶粒712 1的角，並且角的中心可以是零點。提供對應於對準晶粒712 1的其他位置或特徵的零點也可能是有用的。
如圖7c 所示，DLC 工藝掃描重構晶圓765 的每個塊715 的全部。例如，在這種情況下，每個相機以一次掃描一個塊715 的速度掃描在其各自的相機區域中的塊715，相機區域包括多個塊715。在每個塊715 中，相機一次對多個晶粒710成像。例如，每個相機每次對塊715 的晶粒710 的一個子塊718 成像。例如，塊715 的掃描模式可以是從左到右和從上到下。用於掃描塊的其它掃描模式也可能有用。掃描產生每個塊715的完整圖像。
子塊718 的圖像尺寸例如可以是大約14×10mm。顯示子塊718 1的圖像被提供。該圖像更詳細地顯示了子塊718 1。說明性地，子塊718 1包括以3×4 矩陣排列的12 個晶粒710。子塊718 的其他圖像尺寸也可能有用。例如，可以選擇圖像尺寸以容納其他數量的晶粒710。子塊718 1包括位於塊715 1左上角的原點對準晶粒712 1。例如，子塊718 1是第一個塊715 1的第一個子塊。
如圖所示，對準晶粒712 1不同於活動晶粒711。例如，對準晶粒特徵不同於活動晶粒特徵。如圖所示，對準晶粒712 1包括2 個大對準晶粒特徵（大通孔），其間沿一條線佈置了較小的對準晶粒特徵（較小通孔）。對準晶粒特徵的其他佈置也可能是有用的。至於活動晶粒711，它們各自包括2 列活動晶粒特徵（通孔）。活動晶粒711的通孔小於對準晶粒712 1的通孔。晶粒或晶粒特徵的其他佈置也可以是有用的。
原點對準晶粒712 1形成塊715 1的零點。例如，對準晶粒712 1的零點的x 和y 座標是對應於塊715 1的笛卡爾系統的(0,0)。在一個實施例中，零點對應於對準晶粒712 1的中心點。提供對應於對準晶粒712 1的其他位置的零點也是有用的。例如，可以通過使用其他對準晶粒特徵或對準晶粒712 1的對準晶粒特徵的偏移來確定零點。
子塊718 1包括子塊參考點719。子塊參考點719 可以使用CAD 子塊文件來定義，類似於圖5a 中描述的CAD 晶粒文件，除了CAD 子塊文件包括子塊718的多個晶粒710 的晶粒特徵。晶粒710 的晶粒特徵基於綠色資料定位在CAD 晶粒文件中。例如，晶粒的間距、晶粒的尺寸和晶粒特徵的位置的定位都是基於綠色資料的。例如，子塊參考點719 是子塊718 1的虛擬子塊參考點。子塊參考點719 的位置可以預先定義在CAD 子塊文件中。子塊參考點719的位置可以基於子塊718 1的一個或多個晶粒的一個或多個特徵。如圖所示，子塊參考點719偏離零點或位於子塊718 1的左上角的對準晶粒712 1。
在一個實施例中，子塊718 1的子塊參考點719 包括第一和第二參考點。如圖所示，第一和第二參考點豎直排列。例如，第二參考點偏離第一參考點。使用至少兩個子塊參考點719能夠實現平移和角度對齊。第一和第二參考點的其他佈置也可能是有用的。與晶粒參考點類似，子塊參考點719是虛擬子塊參考點。
在一個實施例中，定義了子塊712 1的座標點。子塊座標點可以任意定義。例如，子塊座標點可以通過選擇子塊718 1的其中一晶粒710的一個晶粒特徵來定義。子塊座標點可以從塊715 的零點偏移。在一些情況下，子塊座標點可以是子塊718 1的子塊參考點719 之一。在其他情況下，子塊座標點可以是子塊718 1的零點。在這種情況下，子塊718 1的子塊座標點不偏離子塊 718 1的零點。
如所討論的，掃描生成塊715 的子塊718 的圖像。塊715 的其他子塊718的座標點是相對於零點或原點生成的。確定其他子塊的座標點類似於生成第一個子塊718 1的座標點。
在一個實施例中，基於第一子塊718 1，確定零點。基於零點，可以確定其他子塊的位置。例如，使用綠色資料，可以確定其他子塊的間距。例如，每個子塊的左上角晶粒的中心可以是該塊的每個子塊的子塊座標點。為子塊座標點選擇其他位置也可能有用。子塊座標點可以被稱為索引標稱座標點，因為它們是基於關於零點的綠色資料確定的。
在一個實施例中，CAD 子塊文件是最適合子塊的圖像。對每個子塊執行最佳擬合。最佳擬合可導致相對於每個子塊的索引標稱座標點的偏移。虛擬子塊參考點也被偏移。這會生成一個DLC 文件，它是塊的地圖，包含子塊座標點及其虛擬子塊參考點。
在一個實施例中，為每個塊生成一個DLC 文件。DLC 文件中包含的資料可能是DLC 格式。例如，塊715 的DLC 文件用於生成用於下游雷射直接成像(LDI)處理的LDI 文件，例如在重構晶圓765的塊715 上形成跡線。例如，LDI 文件可由LDI 工具，例如雷射直接成像儀，讀取。
圖7c 所示的子塊718 1的圖像是第一個塊715 1的第一個子塊。特別地，第一子塊718 1包括作為第一個塊715 1的零點的對準晶粒712 1。塊的其他子塊可以有不同的排列。例如，對準晶粒712 可以位於子塊的不同位置或者子塊可以不包括對準晶粒。
圖7d 示出了塊的子塊718 的不同佈置的圖像。如圖所示，子塊718 的每個排列是3×4 矩陣。常規子塊718 G的圖像和第一、第二、第三和第四角子塊718 1-4被示出。第一個角子塊718 1包括設置在子塊左上角的第一對齊晶粒712 1，並且活動晶粒711 設置在子塊的其他位置。第二個角子塊718 2包括設置在子塊矩陣的左下角的第二對準晶粒712 2和設置在子塊的其他位置的活動晶粒711。第三角子塊718 3包括設置在子塊矩陣右上角的第三對準晶粒712 3和設置在子塊的其他位置的活動晶粒711。第四個角子塊718 4包括設置在子塊矩陣右下角的第四對準晶粒712 4和設置在子塊的其他位置的活動晶粒711。至於一般子塊718 G，它不包括任何對準晶粒712，只有活動晶粒711。
選擇角子塊718 1-4中的其中一個對準晶粒712作為塊715的零點。例如，第一角子塊718 1的第一對準晶粒712 1可為被選為塊715的零點。其他子塊718 的座標點是相對於零點的。
如圖7d 中所描述的，該塊715包括在該塊715的拐角處的對準晶粒712。然而，用於塊715的對準晶粒712的其他佈置也可能是有用的。在這樣的在一些情況下，子塊718的晶粒710的佈置可以基於塊715的對準晶粒712 的佈置，按照圖7d 中所描述的進行變化。
圖8a至8c 示出了生成用於在重構晶圓上形成導電跡線的電路文件的實施例。在圖8a 中，示出了重構晶圓的第一子塊818 1的圖像。例如，子塊818 1包括晶粒810 的3×4 矩陣。說明性地，子塊818 1包括原點對準晶粒812 1和活動晶粒811。如圖所示，原點對準晶粒812 1是專用對準晶粒812，具有與活動晶粒811不同的特徵。或者，對準晶粒812 1可以是活動晶粒811。如上所述，塊的所有子塊的座標點都是相對於原點生成的，並提供在DLC 文件中。此外，虛擬子塊參考點819 可以從子塊CAD 文件提供。
參照圖8b，示出了對應於晶粒的第一子塊的電路文件817 1。例如，電路文件對應於具有原點對齊晶粒的第一個子塊。電路文件包括用於子塊的晶粒的電路。在其中一實施例中，電路文件是基於綠色或設計資料。例如，電路的放置是基於設計的晶粒間距和位置以及子塊的晶粒特徵。
第一子塊的電路文件包括對準晶粒的位置813。如圖所示，沒有為對準晶粒提供電路圖案。對於子塊的電路文件，沒有對準晶粒，在對準晶粒位置會有晶粒的電路圖案。在一些情況下，對準晶粒的位置813可以在子塊的其他位置。在這種情況下，在對準晶粒的位置813沒有提供電路。用於子塊的晶粒的電路文件的電路是不適應的。例如，根據綠色資料，電路定位在電路文件中。電路文件包括子塊電路參考點849。如圖所示，子塊電路參考點849 包括第一和第二子塊參考點。提供其他數量的子塊電路參考點849 也可能是有用的。子塊電路參考點849對應於DLC 文件上的子塊參考點。
在圖8c 中，生成LDI 文件。如圖所示，第一子塊的電路文件被對齊並附加到第一子塊818 1。例如，第一角子塊電路文件817 1的子塊電路參考點849 被對齊到DLC 文件的第一子塊818 1的第一子塊參考點819。對塊的所有子塊執行子塊的電路文件的對齊和附加。例如，根據DLC 文件中的子塊座標點對齊並附加相應的電路文件。這會生成LDI 文件，該文件用於下游處理，例如，在對齊載體上生成跡線。LDI 文件採用LDI 工具可讀的格式。
圖8d 示出了子塊電路文件817 的不同佈置。如圖所示，子塊電路文件817包括通用子塊電路文件817 G和角子塊電路文件817 1-4。第一角子塊電路文件817 1包括位於左上角的第一對準晶粒位置813 1。第二角子塊電路文件817 2包括位於左下角的第二對準晶粒位置813 2。第三角子塊電路文件817 3包括位於右上角的第三對準晶粒位置813 3。第四角子塊電路文件817 4包括位於右下角的第四對準晶粒位置813 4。 沒有為子塊電路文件817 1-4的對齊晶粒位置提供電路圖案。對於通用的子塊電路文件817 G，它包括所有晶粒位置的電路圖案。
如圖8d 中所述，子塊電路文件817 用於在塊的拐角處包括對準晶粒的塊。然而，塊的對準晶粒的其它佈置也可能有用。在這種情況下，子塊電路文件817的電路佈置可能與圖8d 中描述的有所不同，這取決於塊的對準晶粒的佈置。
圖9a至9e 示出了載體重構晶圓組件的簡化截面圖，圖示了用於在重構晶圓上形成跡線的工藝的實施例。參考圖9a，示出了載體重構晶圓組件。載體重構晶圓組件包括用載體膠帶923 附接到載體基板994 的重構晶圓965。重構晶圓包括封裝在模塑膠970 中的晶粒910。如圖所示，重構晶圓965 的簡化截面圖是晶粒910 的塊的行或列，其包括對準晶粒912 和活動晶粒911。例如，行或列可以是塊的最後或第一行或列。對準晶粒912 位於塊的行或列的末端位置。晶粒910包括作為緩衝層960 中的通孔962 以暴露晶粒910 的晶粒綁定墊的特徵。說明性地，對準晶粒912 的特徵與活動晶粒911 的特徵不同。在其他實施例中，對準晶粒912 可以與活動晶粒911 相同。
在圖9b 中，形成導電層或金屬層980。例如，導電層980 可以是銅(Cu)層。也可以形成其他類型的導電層。如圖所示，導電層980 填充晶粒910 的通孔962。導電層980例如可以通過電鍍工藝形成。也可以採用其他技術來形成導電層980。導電層980 可以被稱為導電填充層980。
在一個實施例中，在重構晶圓965 上形成金屬種子層981，導電填充層980填充通孔962。種子層例如可以是通過濺射形成的鈦(Ti)層。其他類型的種子層或用於形成種子層的技術也可能有用。
參考圖9c，在形成種子層981 之後，在去除多餘的導電層980 之後，在重構晶圓965 的表面上方形成薄膜982。例如，薄膜982 覆蓋種子層981。在一個實施例中，薄膜是雷射可成像薄膜，例如光刻膠。在一個實施例中，雷射可成像薄膜982 是層壓到重構晶圓965 的表面上的薄膜982。用於形成雷射可成像薄膜982 的其他類型或技術也可以是有用的。
如圖9d 所示，薄膜982被圖案化以形成開口984。在一個實施例中，圖案化的乾膜982 的圖案對應於要在重構晶圓965 上形成的電路圖案或跡線。在一個實施例中，乾膜982 通過LDI 工具使用雷射直接成像(LDI)圖案化。例如，LDI 工具使用雷射曝光乾膜。曝光具有所需的圖案。例如，所需的圖案基於LDI 文件。例如，LDI 文件是如圖8c 中所述生成的。在一個實施例中，LDI 文件被用來形成塊的活動晶粒911 的跡線。LDI 文件可用於為塊的活動晶粒911形成其他類型的互連，例如重新分佈層(RDL)。曝光的乾膜982 被顯影以在其中形成開口984。
參照圖9e，該工藝繼續形成填充乾膜982 中的開口984 的導電跡線986。導電跡線986例如包括Cu 或Cu 合金。其他類型的導電跡線986 也可以是有用的。在一實施例中，導電跡線986 通過電鍍形成。鍍覆工藝填充乾膜982 中的開口984。鍍覆工藝在乾膜982 的高度以下緩慢停止。鍍覆工藝在乾膜982 的開口984中形成導電跡線986。如圖所示，乾膜982被圖案化以暴露種子層981，例如，在重構晶圓965的邊緣附近。這有利於電鍍過程。
在形成導電跡線986 之後，去除乾膜982，如圖9f 所示。去除種子層981的暴露部分。例如，可以使用乾蝕刻去除種子層981。也可以採用其他類型的蝕刻工藝來去除種子層981的暴露部分。在去除種子層981的暴露部分之後，該工藝可以繼續。例如，該過程可以繼續將重構晶圓965 分割成單獨的封裝。
或者，該工藝可以繼續以在晶粒910上方形成RDL 結構的附加金屬層。例如，可以重複乾膜、曝光和電鍍工藝，直到完成RDL 結構。重構晶圓965 可以被分割成單獨的封裝。
圖10a至10b 示出了具有導電跡線的封裝的示例性實施例的簡化截面圖和俯視圖。參考圖10a，示出了封裝1007 的俯視圖1007a 和沿A-A’的截面圖1007b。如圖所示，封裝1007 包括單個晶粒1011。例如，封裝1007 是具有一個晶粒1011的單個晶粒封裝。晶粒1011 被模塑膠1070 包裹。如圖所示，晶粒1011 的被動表面（沒有緩衝層1060)以及側表面和緩衝層1060 的側表面由模塑膠1070 保護。至於晶粒1011 的主動表面，其由緩衝層1060 保護。封裝1007的其他佈置也可以有用。
緩衝層1060 包括填充有導電填充物1080 的通孔開口。導電填充通孔開口可以被稱為通孔觸點。在一實施例中，導電跡線1086 設置在通孔觸點上方。例如，導電跡線1086 的圖案由LDI 文件定義。在一實施例中，導電通路上方的導電跡線1086 的部分形成環形圈1089。環形圈1089 圍繞通孔觸點的圓周。在一實施例中，環形圈1089 的寬度W 以高精度或公差形成。例如，環形圈1089 的寬度W 可以是大約15 um。環形圈1089的其他寬度也可能是有用的。這使得晶粒1011的佈局更加緊湊，從而具有更小的封裝占位面積。
圖10b 示出了封裝1007 的另一個實施例的俯視圖1007a 和沿A-A’截面圖1007b。封裝1007 是多晶粒封裝。如圖所示，多晶粒封裝1007 包括第一和第二晶粒1011 1-2。為多晶粒封裝1007 提供其他數量的晶粒1011 也可能是有用的。晶粒1011 1-2被模塑膠1070 包裹。如圖所示，晶粒1011 的被動表面和側表面和緩衝層1060 受到模塑膠1070 的保護。至於晶粒1011 1-2的主動表面，它由緩衝層1060 保護。封裝的其他佈置也可以是有用的。
緩衝層1060 包括填充有導電填充物1080 的通孔開口。導電填充通孔可以被稱為通孔觸點。在一實施例中，導電跡線1086 設置在通孔觸點上方。例如，導電跡線1086 的圖案由LDI 文件定義。導電跡線的圖案包括第一和第二晶粒1011 1-2之間的互連。例如，導電跡線1086可以通過第一和第二晶粒1011 1-2的觸點互連。在一實施例中，通孔觸點上方的導電跡線1086部分形成環形圈1089。環形圈1089圍繞通孔觸點的圓周。在一實施例中，環形圈1089 的寬度W 以高精度或公差形成。例如，環形圈1089 的寬度W 約為15 um。這實現了晶粒1011 1-2的更緊湊佈局，從而導致更小的封裝佔用空間。
圖11a至11b 示出了為重構晶圓定義切割或鋸切線的實施例。參考圖11a，為重構晶圓的晶粒塊生成切割或鋸線網格1173。
鋸線網格1173 是使用塊1115的每行和每列晶粒1110的晶粒1110的平均x 和y 值創建的。例如，使用塊1115的晶粒1110的相鄰行和列的平均x 和y 值來創建鋸線網格1173。在一個實施例中，平均x 和y 值基於塊1115的晶粒1110的行和列的x 和y 測量值。x 鋸線1187基於相鄰晶粒行的晶粒1110的測量y 值並且y 鋸線1188 基於相鄰晶粒列的晶粒1110的測量x 值。在一個實施例中，x 鋸線基準點1177 基於相鄰晶粒行的晶粒1110的測量y值並且y 鋸線基準點1178 基於相鄰晶粒列的晶粒1110的測量x 值。x 基準1177 和和y 基準1178 定義塊1115的x 鋸線1187 和y 鋸線1188，形成鋸線網格1173。鋸線網格1173 例如可以被稱為動態鋸線網格，因為間距可能會根據晶粒1110的行和列的測量值而有所不同。
在一個實施例中，鋸線網格1173 是最好適配晶粒1110 的塊1115。在一個實施例中，鋸線網格1173 是最好適配塊1115 的。x 鋸線基準點1177 和y 鋸線基準點1178 是相對於塊1115 的原點確定的。x 和y 鋸線基準點1177、1178提供在塊1115的e-map 文件中。e-map 文件可與電路圖案合併到LDI 文件中以形成跡線製作過程中的鋸線基準點。 重構晶圓上的物理鋸線基準點可能在重構晶圓的分割過程中，由鋸工具識別。
在另一個實施例中，鋸線網格1173可以基於塊1115的子塊的測量值。例如，基於每個子塊的子塊座標點，每行和每列的平均x 和y 值可以外推以生成鋸線網格1173。然後將鋸線網格1173最佳地擬合到塊1115 生成x 和y 鋸線基準點1177、1178，這些基準點在塊1115 的e-map 文件中提供。
參考圖11b，為確定重構晶圓的塊1115 的鋸線的另一個實施例。塊1115 包括排列成行和列的晶粒1110。例如，塊1115 的晶粒1110 以3×4 矩陣排列。其他大小的矩陣也可能有用。如圖所示，晶粒1110 包括設置在塊1115 的拐角位置處的對準晶粒1112。塊1115 的其餘位置包括活動晶粒1111。
在一個實施例中，鋸線是基於平均技術確定的。例如，當一條鋸線位於晶粒的相鄰行或相鄰列之間時，採用平均技術。平均技術包括為晶粒的每一列和每一行產生x 平均線1197 和y 平均線1198。使用所有晶粒1110 的中心生成平均線。例如，每行中的晶粒1110 的中心在行或x 方向上連接以形成行或x 平均線1197；每列中的晶粒1110 的中心在列或y 方向上連接以形成列或y 平均線1198。
在一個實施例中，x 鋸線1187的數量等於塊1115中的行數加1，而y 鋸線1188的數量等於塊1115中的列數加1。在一個實施例中，x 鋸線1187彼此平行，y 鋸線1188彼此平行。由於平均x 和y 線基於塊1115 的晶粒1110 的實際測量位置，x 和y 鋸線1187、1188可以具有可變節距。x 和y 鋸線基準點1177 和1178 在e-map 文件中提供。e-map 文件可以與電路圖案一起合併到 LDI 文件中，以在跟蹤製作期間形成鋸線基準點。重構晶圓上的物理鋸線基準點可以在重構晶圓的分割過程期間由切割工具識別。
在另一個實施例中，鋸線網格1173可以基於塊1115 的子塊的測量值。例如，基於每個子塊的子塊座標點，可以外推晶粒1110的平均線1197 和1198 以生成鋸線基準點1177 和1178。
在不脫離本公開的精神或本質特徵的情況下，本公開可以其他具體形式實施。因此，前述實施例在所有方面都被認為是說明性的，而不是限制在此描述的本發明。因此，本發明的保護範圍由申請專利範圍所界定，並且包括申請專利範圍的文義以及均等範圍所能涵蓋的所有變化。
100:半導體晶圓 110:裝置/晶粒 180:切割線/鋸線 180 1:第一切割線 180 2:第二切割線 200:加工晶圓 201:頂部或主動的晶圓表面 202:底部或被動的晶圓表面 210:晶粒 240:晶粒綁定墊 242:鈍化層 244:墊盤開口 260:緩衝層 262:通孔開口 280:切割線 304:對準面板/對準載體 305:頂面/綁定面 306:底面 314:主動區 330:晶粒綁定區域 331:活動晶粒綁定區域 336:晶粒綁定區域 336 1-4:對準晶粒綁定區域 338:晶粒附接區域 350:局部對準標記 404:對準面板/對準載體 405:頂面/綁定面/主動表面 406:底面 42:合金 422:膠帶/面板膠帶 450:局部對準標記 46:合金 504:對準載體/對準面板 510:晶粒 512:晶粒特徵 513:CAD晶粒文件 514:CAD晶粒特徵 516:CAD晶粒參考點 530:晶粒綁定區域 533:CAD面板文件 537:CAD面板特徵 539:CAD面板參考點 550:局部對準標記 596:照相機 604:對準面板 605:面板綁定面 606:面板非綁定面 608:研磨機 610:晶粒 611:活動晶粒 612:對準晶粒 622:面板膠帶 623:載體膠帶 650:局部對準標記 665:重構晶圓/模制面板 670:模塑膠 694:載體基板 710:晶粒 711:活動晶粒 712,712 1,712 2,712 3,712 4:對準晶粒 715,715 1,715 2,715 3,715 4:塊 718,718 1,718 2,718 3,718 4,718 G:子塊 719:子塊參考點 765:重構晶圓 770:模塑膠 792:第一相機區域 794:第二相機區域 810:晶粒 811:活動晶粒 812:對準晶粒 812 1:原點對準晶粒 813:對準晶粒的位置 813 1:第一對準晶粒位置 813 2:第二對準晶粒位置 813 3:第三對準晶粒位置 813 4:第四對準晶粒位置 817:子塊電路文件 817 1:第一角子塊電路文件 817 2:第二角子塊電路文件 817 3:第三角子塊電路文件 817 4:第四角子塊電路文件 817 G:通用子塊電路文件 818 1:子塊/第一子塊 819:子塊參考點 849:子塊電路參考點 910:晶粒 911:活動晶粒 912:對準晶粒 923:載體膠帶 960:緩衝層 962:通孔 965:重構晶圓 970:模塑膠 980:導電層/導電填充層 981:種子層/金屬種子層 982:薄膜/乾膜 984:開口 986:導電跡線 994:載體基板 1007:封裝 1007a:俯視圖 1007b:截面圖 1011,1011 1,1011 2:晶粒 1060:緩衝層 1070:模塑膠 1080:導電填充物 1086:導電跡線 1089:環形圈 1110:晶粒 1111:活動晶粒 1112:對準晶粒 1115:塊 1173:鋸線網格 1177:x鋸線基準點 1178:y鋸線基準點 1187:x鋸線 1188:y鋸線 1197:x平均線 1198:y平均線
圖1示出了半導體晶圓的簡化俯視圖； 圖2a至2d示出了處理一加工晶圓的實施例； 圖3a示出了一對準面板在一實施例中的簡化俯視圖； 圖3b示出了對準面板在另一個實施例的一部分的簡化俯視圖； 圖4a至4d示出了製備對準面板的工藝的實施例； 圖5a至5b示出了將CAD 文件的圖案與晶粒和對準面板匹配的實施例； 圖5c是將晶粒與對準面板對準以用於綁定的實施例的簡化圖解； 圖6a至6e示出用於形成一重構晶圓和製備所述重構晶圓以用於進一步處理的工藝的實施例的簡化截面圖； 圖7a至7c示出描繪重構晶圓上的晶粒位置檢查(DLC)工藝的實施例的圖像； 圖7d顯示了子塊的不同排列的圖像； 圖8a至8c示出了生成用於在所述重構晶圓上形成跡線的雷射直接成像文件的實施例； 圖8d示出了子塊電路文件的不同排列； 圖9a至9f示出了表明用於在重構晶圓上形成跡線的工藝的實施例的簡化截面圖； 圖10a至10b示出了具有跡線的封裝的實施例的簡化俯視圖；和 圖11a至11b示出了生成用於切割重構晶圓的鋸線基準點的實施例。
710:晶粒
711:活動晶粒
7121:對準晶粒
715,7151,7152,7153,7154:塊
718,7181:子塊
719:子塊參考點
765:重構晶圓
770:模塑膠
792:第一相機區域
794:第二相機區域

Claims (15)

  1. 一種用於晶粒位置檢查(DLC)的方法，包括：提供封裝在模塑膠中的晶粒塊的重構晶圓，所述晶粒塊包括按行和列佈置的多個晶粒以形成所述晶粒塊的晶粒矩陣，其中多個所述晶粒包括對準晶粒和活動晶粒；掃描所述重構晶圓，其中所述掃描包括掃描所述晶粒塊；和處理所述晶粒塊的掃描資訊，其中所述處理包括：識別所述晶粒塊的對準晶粒的位置，將所述晶粒塊的其中一對準晶粒確定為所述晶粒塊的笛卡爾坐標系的原點，其中掃描所述晶粒塊包括按照一次掃描一個子塊的方式掃描晶粒子塊，其中每個晶粒子塊包括排列在子塊矩陣中的晶粒，所述子塊矩陣包括比所述晶粒塊的晶粒矩陣較少數量的晶粒，以及在所述笛卡爾坐標系中為所述晶粒子塊分配座標點。
  2. 如請求項1所述的方法，其中晶粒的子塊的座標點是相對於原點的。
  3. 如請求項2所述的方法，其中晶粒的每個子塊的子塊矩陣是相同的。
  4. 如請求項1所述的方法，其中，所述晶粒子塊包括局部對準晶粒，並且所述局部對準晶粒在所述笛卡爾坐標系中的位置是所述晶粒子塊的座標點。
  5. 如請求項1所述的方法，其中所述重構晶圓包括封裝在所述模塑膠中的多個晶粒塊。
  6. 如請求項1所述的方法，其中所述重構晶圓包括封裝在所述模塑膠中的多個晶粒塊，所述晶粒塊以塊矩陣排列。
  7. 如請求項1所述的方法，其中所述重構晶圓包括以2×2塊矩陣排列的4個塊。
  8. 如請求項6所述的方法，其中掃描所述重構晶圓包括：用至少覆蓋所述重構晶圓的第一和第二區域的第一和第二照相機掃描所述重構晶圓，其中所述第一照相機覆蓋具有塊矩陣的第一塊的第一區域，並且所述第二照相機覆蓋具有塊矩陣的第二塊的第二區域；和並行處理所述第一塊和所述第二塊的掃描資訊識別所述第一塊和所述第二塊的對準晶粒的位置，將所述第一塊和所述第二塊的一個對準晶粒指定為所述第一塊和第二塊的笛卡爾坐標系的原點，其中掃描第一塊和第二塊包括按照一次一個子塊的方式掃描所述第一塊和所述第二塊中晶粒的子塊，以及在笛卡爾坐標系中為晶粒的子塊分配座標點。
  9. 如請求項1所述的方法，其中為晶粒的子塊分配座標點包括為晶粒的子塊定義子塊參考點，其中：所述子塊參考點位於每個晶粒子塊的預定位置，並且所述子塊參考點是所述晶粒子塊相對於原點的座標點。
  10. 如請求項1所述的方法，還包括生成雷射直接成像(LDI)文件用於所述重構晶圓的跡線的下游處理。
  11. 如請求項9所述的方法，其中生成LDI文件包括：提供一CAD電路子塊文件，其包括：一CAD子塊的晶粒的CAD電路資訊，根據所述重構晶圓的晶粒子塊的晶粒的設計位置，以及一CAD子塊參考點，所述CAD子塊參考點對應晶粒的各子塊的座標點；和將所述CAD電路子塊文件的CAD子塊參考點與所述晶粒子塊的座標點對齊，以生成LDI文件。
  12. 如請求項1所述的方法，其中提供所述重構晶圓包括：提供具有綁定面的對準面板，該綁定面包括用於綁定晶粒的晶粒綁定區域，其中該綁定面包括局部對準標記，其中該綁定面包括用於促進晶粒綁定至晶粒綁定區域的面板粘合膜；使用所選晶粒綁定區域的局部對準標記將所選晶粒與所選晶粒綁定區域對齊；當所選擇的晶粒對準到所選擇的晶粒綁定區域時，將所選擇的晶粒綁定到所選擇的晶粒綁定區域；和用模塑膠封裝所述與對準面板結合的晶粒，以形成所述重構晶圓。
  13. 如請求項1所述的方法，其中掃描所述重構晶圓還包括： 確定所述重構晶圓的所有晶粒相對於笛卡爾坐標系中的原點的位置；計算相鄰兩行晶粒之間在所述笛卡爾坐標系的x方向上的x鋸線；和計算相鄰兩列晶粒之間在所述笛卡爾坐標系的y方向上的y鋸線。
  14. 如請求項13所述的方法，其中確定重構晶圓的所有晶粒的位置包括：計算所述晶粒塊中中每一行晶粒的x平均線；在兩條相鄰的x平均線的中點處設置x鋸線基準點，該x鋸線基準點對應於所述重構晶圓的x鋸線；計算所述晶粒塊中每列晶粒的y平均線；和在兩條相鄰y平均線的中點佈置y鋸線基準點，所述y鋸線基準點對應於所述重構晶圓的y鋸線。
  15. 如請求項13所述的方法，其中確定所述重構晶圓的所有晶粒的位置包括：使用笛卡爾坐標系中所有晶粒的平均x值和所有晶粒的平均y值生成動態鋸線網格；和通過晶粒位置將動態鋸線網格最佳地擬合到所述重構晶圓。
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