TWI793356B - 訊號傳輸用扁平電纜及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

扁平電纜10於兩端或一端上具備接頭部11，其形成有可電連接至電子電路基板之接地層的接頭導體15。訊號導體12,13係被保護遮蔽層20覆蓋，保護遮蔽層20內側具金屬層而外側具絕緣塑料層。保護遮蔽層之金屬層電連接至接頭部之接頭導體15，且保護遮蔽層之金屬層之局部17a暴露於保護遮蔽層20之外部而發揮接地層之作用。

Description

訊號傳輸用扁平電纜及其製造方法
本發明關於薄型且具有良好電特性的訊號傳輸用扁平電纜，特別是關於適用於行動電話或筆記型電腦等的內部排線的訊號傳輸用電纜及其製造方法。
使用於如行動電話或是筆記型電腦的高密度線路電子機器中的訊號傳輸用扁平電纜，為了要能在狹窄空間中配線，要求其為薄型且於高頻帶範圍中具有低傳輸損耗。
作為此種訊號傳輸用扁平電纜，已有提出一種同軸電纜(專利文獻1)，其係針對層疊了訊號導體的電絕緣基體，藉著以電絕緣薄膜層由上下進行覆蓋，並且以內側為金屬層且外側為電絕緣塑料層的保護遮蔽層來將其包圍，並且透過金屬層來進行與接地之間的電連接。
此外，已知一種配置，其係將包圍屏蔽電纜之外部導體延伸，以發揮作為高頻電路之接地層之作用(專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] WO2016/104066號公報
[專利文獻2] 日本特開2014-011047號公報
然而，於專利文獻1,2所記載的配置當中，電纜當中並未設置連接至電子電路基板的接頭部，並未進行於接頭部的接地連接，因此無法充分地去除雜訊，導致訊躁比(S/N比)降低之問題。
本發明係為解決這些問題而完成，並且設定欲解決問題為提供一種可確實地去除雜訊，並可提升S/N比的訊號傳輸用扁平電纜及其製造方法。
為了要解決上述問題的本發明(請求項1)係為一種訊號傳輸用扁平電纜，其特徵為：所述訊號傳輸用扁平電纜係於兩端或是一端上具備接頭部，所述接頭部形成有可電連接至電子電路基板之接地層的接頭導體，且所述訊號扁平電纜具備：一或複數個訊號導體，其為延伸於電纜長度方向的金屬薄膜所形成；上部絕緣薄膜層及下部絕緣薄膜層，其由電纜厚度方向的上下將所述訊號導體覆蓋；保護遮蔽層，其係由金屬層及絕緣塑料層所形成且包圍所述上部絕緣薄膜層及所述下部絕緣薄膜層之外周並使得金屬層位於內側且絕緣塑料層位於外側，其中，所述保護遮蔽層之金屬層係電連接至接頭部之接頭導體。
此外，本發明(請求項3)係為一種訊號傳輸用扁平電纜，其特徵為：所述訊號傳輸用扁平電纜係於兩端或是一端上具備接頭部，所述接頭部形成有可電連接至電子電路基板之接地層的接頭導體，且所述訊號扁平電纜具備：一或複數個訊號導體，其為延伸於電纜長度方向的金屬薄膜所形成； 上部絕緣薄膜層及下部絕緣薄膜層，其由電纜厚度方向的上下將所述訊號導體覆蓋；保護遮蔽層，其係由金屬層及絕緣塑料層所形成且包圍所述上部絕緣薄膜層及所述下部絕緣薄膜層之外周，並使得金屬層位於內側且絕緣塑料層位於外側，其中，所述保護遮蔽層之金屬層之局部係暴露於絕緣塑料層之外部。
此外，本發明(請求項7)係一種訊號傳輸用扁平電纜的製造方法，其特徵為：所述訊號傳輸用扁平電纜係於兩端或是一端上具備接頭部，所述接頭部形成有可電連接至電子電路基板之接地層的接頭導體，所述製造方法包括：蝕刻製程，將層疊銅箔的絕緣液晶聚合物膜所形成的下部絕緣薄膜層進行蝕刻並使作為訊號導體的部分殘留，以於下部絕緣薄膜層上形成訊號導體；層疊製程，於所述訊號導體之上部層疊上部絕緣薄膜層；將由金屬層及絕緣塑料層所形成的保護遮蔽層配置成金屬層在內側、絕緣塑料層在外側，用所述保護遮蔽層包圍所述上部絕緣薄膜層與下部絕緣薄膜層之外周，並使得所述保護遮蔽層之金屬層之局部暴露於絕緣塑料層之外部；及一體化製程，藉著對所述保護遮蔽層進行加熱、加壓，以使下部絕緣薄膜層、上部絕緣薄膜層及保護遮蔽層一體化。
於本發明當中，由於可使設置在訊號傳輸用扁平電纜之端部的接頭部；或是使所述扁平電纜之外部發揮接地功能，因此能夠確實地去除雜訊，提升S/N比。
10:扁平電纜(訊號傳輸用扁平電纜)
11:接頭部
12:訊號導體
12a:端子(訊號導體)
13:訊號導體
13a:端子(訊號導體)
14:下部絕緣薄膜層
15:接頭導體
16:上部絕緣薄膜層
17:金屬層
17a:金屬層(金屬層之局部，即暴露的金屬層)
17b-17f:彎折部
18:絕緣塑料層
20:保護遮蔽層
20a,20b,20c:端部(保護遮蔽層)
A-A':剖面線
B-B':剖面線
D:電纜長度方向
d1:長度(扁平電纜中接頭部以外的部分)
d2:長度(接頭部)
d3:長度(金屬層17a)
H:電纜厚度方向
h1:厚度(金屬配件邊)
W:電纜寬度方向
w1:寬度(金屬配件邊)
〔圖1a〕係為本發明的訊號傳輸用扁平電纜的俯視圖。
〔圖1b〕係為訊號傳輸用扁平電纜的接頭部的擴大圖。
〔圖1c〕係為將訊號傳輸用扁平電纜的接頭部的保護遮蔽層展開來表示的俯視圖。
〔圖2a〕係為沿著圖1a當中A-A’線的剖面圖。
〔圖2b〕係為沿著圖1a當中B-B’線的剖面圖。
〔圖3a〕係為沿著圖1b當中C-C’線的剖面圖。
〔圖3b〕係為沿著圖1b當中D-D’線的剖面圖。
〔圖4〕係為說明製造訊號傳輸用扁平電纜的流程的說明圖。
〔圖5〕係為表示保護遮蔽層之金屬層表面的俯視圖。
〔圖6〕係為將保護遮蔽層彎折狀態下顯示的斜視立體圖。
〔圖7〕係為將訊號傳輸用扁平電纜配置於電子機器中時的說明圖。
以下基於圖式所示的實施例來詳細地說明本發明。
[實施例]
圖1係表示本實施例之訊號傳輸用扁平電纜(以下稱為扁平電纜)10。扁平電纜10係如圖1b、圖1c所示，於兩端上具有連接至電子電路基板且具相同構成的接頭部11。
扁平電纜10的外表面係如同後述般，藉著內側由金屬層、外側由絕緣塑料層所形成的保護遮蔽層20，以電纜寬度方向上的一端部20a重疊於另一端部的形式來包圍住扁平電纜10的外表面。保護遮蔽層20之金屬層之局部17a係於電纜長度方向上暴露於複數處(例如3個地方)，此等暴露的金屬層17a係如同後述般，發揮作為接地層的作用，使得扁平電纜10係為多點接地結構。
於本說明書當中，電纜長度方向係指扁平電纜10縱向延伸並於圖1a中D所表示的方向；電纜寬度方向係指與D垂直並以W所表示的方向；電纜厚度方向係指與D、W垂直，並於圖2a中以H所表示的方向。
扁平電纜10係配置為多芯同軸電纜，如同圖2a、圖2b所示般，兩個訊號導體12,13係配置於與電纜長度方向互為平行的平面上。訊號導體12,13係藉著將下部絕緣薄膜層14蝕刻並留下作為訊號導體的部分而形成，其中下部絕緣薄膜層14係由層疊了例如銅箔之良好導電性之金屬的厚度87μ的絕緣液晶聚合物膜所形成。於本實施例當中設置有兩個訊號導體12,13，但訊號導體並不限於兩個，可設置更多個訊號導體(多芯)，亦可僅設置一個(單芯)。
訊號導體12,13係如圖1b、圖1c所示般，延伸至接頭部11之內部，其端子12a,13a係被引導至接頭導體15的空隙內。接頭導體15係與訊號導體12,13同樣地，係將下部絕緣薄膜層14蝕刻並留下成為接頭導體15的部分而形成。
接頭部11亦然，如圖1b所示，保護遮蔽層20的電纜寬度方向之一端部20b重疊於接頭導體15上，且另一端部20c重疊於整個電纜寬度方向上，以使接頭導體15的一部分及訊號導體之端子12a,13a暴露於扁平電纜10之外表面。圖1c係為將接頭部11之保護遮蔽層20展開表示的圖，保護遮蔽層20的內側 係為金屬層17，將保護遮蔽層20之端部20b,20c如圖1b所示般疊合，可使得保護遮蔽層20之金屬層17電連接至接頭導體15。
形成於下部絕緣薄膜層14上的訊號導體12,13除了接頭部11以外，係被上部絕緣薄膜層16所覆蓋，其由例如厚度75μ的絕緣液晶聚合物膜所形成。此外，訊號導體12,13亦可如專利文獻1所示般地形成於電絕緣基體(未示出)的一側表面(上側面)，以液晶聚合物膜所形成的絕緣薄膜層由上下將此電絕緣基體覆蓋。不管是何種作法，訊號導體12,13都係以絕緣的薄膜層由上下進行覆蓋。
由上下將訊號導體12,13覆蓋的整個下部絕緣薄膜層14及上部絕緣薄膜層16，係受到保護遮蔽層20的覆蓋且使得絕緣塑料層18處於外側，其中保護遮蔽層20可為例如由厚度6μ的銅箔所形成的金屬層17；以及層疊金屬層17的例如厚度12μ的聚醯亞胺的絕緣塑料層18所形成。
扁平電纜10當中，接頭部以外的部份的電纜長度方向之長度係為d1(例如約84.0mm)，接頭部11的長度係為d2(例如約7.0mm)，發揮接地層作用的金屬層17a的長度係為d3(例如約5.8mm)；於電纜寬度方向上具有w1(例如約2.6mm)之寬度；並於電纜厚度方向上具有h1(例如約0.2mm)之厚度(圖2b)。此外，圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4係為示意說明圖，因此各部分的尺寸比與實際尺寸不同，尤其是電纜厚度方向之尺寸係以誇張放大之方式描繪。
圖5係將保護遮蔽層20展開展示並使金屬層17顯現於頁面上。保護遮蔽層20當中，於電纜長度方向的複數個部分處係有局部往寬度方向伸長，而伸長的金屬層之局部17a係如圖1a所示般，作為接地層而暴露於扁平電纜10的外表面。
保護遮蔽層20係彎折而包圍扁平電纜10，因此彎折部係使用元件符號17b-17f以虛線來示於圖5中。此外，彎折部17b-17f實際上具有對應電纜厚度方向的厚度h1的寬度，惟難以將其以圖表示，因此以一條虛線來表示。此外，於圖2a、圖2b、圖3a、圖3b當中，電纜厚度方向係以誇張放大方式來表示，因此並未在圖中示出彎折部係對應到哪個部分。
保護遮蔽層20的彎折部17b,17c之間的寬度、彎折部17b,17d之間的寬度，以及彎折部17d與金屬層17a的前端部間的寬度係相當於扁平電纜10的電纜寬度方向的寬度w1，保護遮蔽層20係沿著彎折部17b,17c往內側彎折成直角。此外，接頭部的保護遮蔽層20係沿著彎折部17e,17f往內側彎折，以此方式彎折的保護遮蔽層20係於圖6中作為斜視立體圖呈現。於圖6當中，保護遮蔽層20的絕緣塑料層18為可視，相當於金屬層之局部17a的部分係以元件符號18a來表示。
保護遮蔽層20係以圖6所示狀態下，沿著彎折部17b而摺疊於保護遮蔽層20內部的上部絕緣薄膜層16(未示於圖6中)上，於金屬層之局部17a的部分當中，係沿著彎折部17d往相反方向折疊；金屬層之局部17a暴露於絕緣塑料層18上。此暴露的金屬層17a係如後述般，可直接地或是透過夾子等金屬配件來電連接至電子電路基板的接地層。於此狀態下，保護遮蔽層20之一端部20a係沿著彎折部17c而彎折，並重疊於另一端部上。如此般整個受到保護遮蔽層20覆蓋之狀態且金屬層之局部17a並未暴露之部份的剖面圖係如圖2a所示；另金屬層之局部17b暴露出之部份的剖面圖係如圖2b所示。
由於接頭部11當中並未設置上部絕緣薄膜層16，因此保護遮蔽層20的電纜寬度方向上的一端部20b係沿著彎折部17f而於接頭導體15上彎折， 接著端部20c沿著彎折部17e而彎折。以此方式受到保護遮蔽層20c所覆蓋的狀態下係如圖3a-即沿著圖1b中C-C’線的剖面圖；圖3b-即沿著圖1b中D-D’線的剖面圖所示。如同此等圖式所示般，接頭導體15係與保護遮蔽層20之金屬層17接觸且電連接。
受到保護遮蔽層20所覆蓋的扁平電纜10係於保護遮蔽層20從上下方向進行加熱加壓(熱壓)，藉此使得下部絕緣薄膜層14及上部絕緣薄膜層16軟化熔融並且黏接至金屬層17，並使下部絕緣薄膜層14、上部絕緣薄膜層16、保護遮蔽層20一體化。
接著，根據將暴露的金屬層17a所形成的部分以剖面圖呈現的圖4來說明扁平電纜10的製造方法。
如圖4的左側所示，將下部絕緣薄膜層14蝕刻，使得留下作為訊號導體12,13的部分，其中下部絕緣薄膜層14係由層疊了銅箔的絕緣液晶聚合物膜所形成，藉此以於下部絕緣薄膜層14上形成訊號導體12,13。
接著，於訊號導體12,13的上部層疊上部絕緣薄膜層16，並且將上部絕緣薄膜層16及下部絕緣薄膜層14配置於保護遮蔽層20之金屬層17的彎折部17b,17c之間，並如圖4的左下方所示般，將保護遮蔽層20於彎折部17b,17c處垂直地彎折並配置為金屬層17於內側，絕緣塑料層18於外側。此外，於圖4當中，扁平電纜的厚度係誇張表示，於圖4所表示的彎折部並未表示出正確的位置。
接著，如圖4的右側所示般，沿著彎折部17b將保護遮蔽層20往內側彎折，接著沿著彎折部17d往相反方向彎折，使得金屬層17a顯現於絕緣塑 料層18上。於此狀態下，如同圖4於右下所示般，保護遮蔽層20之一端部20a係沿著彎折部17c而彎折，並且如圖4中右下所示般重疊於另一端部上。
另一方面，於接頭部11當中，雖然未以圖表示出，但保護遮蔽層20的電纜寬度方向的一端部20b沿著彎折部17f而彎折於接頭導體15上，接著端部20c沿著彎折部17e而彎折。
接著，由保護遮蔽層20的上下方向進行加熱、加壓，藉此使下部絕緣薄膜層14、上部絕緣薄膜層16、保護遮蔽層20一體化，以製作扁平電纜10。
圖7係示意性表示將扁平電纜10應用於例如智慧型手機等電子機器時的例子。圖7係將扁平電纜10於電纜厚度方向H上擴大，並功能性地表示出金屬層17,17a如何地電連接。
扁平電纜10的一端的接頭部11係插進電子電路基板30，使得接頭部11之接頭導體15電連接至電子電路基板30的接地層30a。此外，扁平電纜10之另一端的接頭部11係插進電子電路基板31，使得此接頭部11之接頭導體15電連接至電子電路基板31之接地層31a。
訊號導體13係透過其端子13a(圖1b、圖1c)而連接至電子電路基板30當中，例如與天線單元(圖未示)相接的端子30b，且訊號導體13的另一個端子13a係連接至端子31b，其係接到電子電路基板31的高頻電路(圖未示)。以天線元件所接收的訊號係透過訊號導體13以電子電路基板31的高頻電路接收並進行訊號處理。
於此，接頭導體15係如圖3a、圖3b所示般，電連接至保護遮蔽層20之金屬層17，且接頭導體15係電連接至電子電路基板30,31的接地層30a, 31a，因此，訊號導體12,13在跨越電纜長度方向的整個範圍中，受到在電性上發揮作為接地層作用的金屬層17的包圍。因此，可顯著地抑制訊號傳輸時的雜訊，並提升S/N比。
此外，如同圖7所示般，扁平電纜10係可配置為靠近其他的電子電路基板32之接地層32a，以使暴露於扁平電纜之外表面的金屬層17a電連接至電子電路基板32之接地層32a。此電連接係如同以虛線圓表示於上方般，使用例如夾子狀的金屬配件33來進行。金屬配件33具有金屬配件邊33a，其尺寸於電纜寬度方向W上為w1；於厚度方向H上為h1，並於一邊上具有插銷33b。將扁平電纜夾住，使插銷33b接觸或是插刺電子電路基板32之接地層32a，以使金屬層17a電連接至接地層32a。包圍扁平電纜10的金屬層17係透過金屬層17a而電連接至電子電路基板32之接地層32a，因此，訊號導體12,13係在跨越整個電纜長度方向的整個範圍中，受到在電性上發揮作為接地層作用的金屬層17的包圍。因此，可顯著地抑制訊號傳輸時的雜訊，並可提升S/N比。
此外，雖然於此係透過金屬配件33來使金屬層17a電連接至電子電路基板32之接地層32a，但是在允許使扁平電纜10接觸接地層32a的情況中，亦可藉著該接觸來進行電連接。
此外，於本實施例當中，雖然於扁平電纜10的兩端設置接頭部，然而亦可僅將接頭部設置在一邊的端部上。於此情況下，另一邊的訊號導體端子係不透過接頭而是直接地連接至電子電路基板之連接端子等。
此外，本實施例的扁平電纜雖然主要以使用於如智慧型手機般的高密度線路電子機器中為例進行說明，但本發明並不限於此，亦可適用於例 如用於汽車或其他電子機器之電源供給或訊號通訊中，將複數個訊號導體線綑綁成束的線束(wire harness)。
10:扁平電纜(訊號傳輸用扁平電纜)
11:接頭部
17a:金屬層(金屬層之局部，即暴露的金屬層)
20:保護遮蔽層
20a,20b,20c:端部(保護遮蔽層)
A-A':剖面線
B-B':剖面線
D:電纜長度方向
W:電纜寬度方向
w1:寬度(金屬配件邊)
d1:長度(扁平電纜中接頭部以外的部分)
d2:長度(接頭部)
d3:長度(金屬層17a)

Claims (5)

  1. 一種訊號傳輸用扁平電纜，其特徵為：該訊號傳輸用扁平電纜係於兩端或是一端上具備接頭部，所述接頭部形成有可電連接至電子電路基板之接地層的接頭導體，且所述訊號傳輸用扁平電纜具備：一或複數個訊號導體，其為延伸於電纜長度方向的金屬薄膜所形成；上部絕緣薄膜層及下部絕緣薄膜層，其由電纜厚度方向的上下將所述訊號導體覆蓋；及保護遮蔽層，其係由金屬層及絕緣塑料層所形成且包圍所述上部絕緣薄膜層及所述下部絕緣薄膜層之外周，並使得金屬層位於內側且絕緣塑料層位於外側，其中，所述保護遮蔽層之電纜寬度方向上的一端部係重疊至另一端部之外側上，以包圍所述外周，所述保護遮蔽層之金屬層之局部由保護遮蔽層部的重疊部分朝向未重疊部分而於電纜寬度方向上暴露至絕緣塑料層之外部。
  2. 如請求項1所述之訊號傳輸用扁平電纜，所述保護遮蔽層之金屬層之局部係直接或是透過金屬配件電連接至電子電路基板之接地層。
  3. 如請求項1或2所述之訊號傳輸用扁平電纜，所述保護遮蔽層之金屬層之局部係於電纜長度方向上的複數處暴露至絕緣塑料層之外部。
  4. 如請求項1或2所述之訊號傳輸用扁平電纜，所述保護遮蔽層之金屬層係電連接至接頭部之接頭導體。
  5. 一種訊號傳輸用扁平電纜的製造方法，其特徵為：所述訊號傳輸用扁平電纜係於兩端或是一端上具備接頭部，所述接頭部形成有可電連接至電子電路基板之接地層的接頭導體，所述製造方法包括：蝕刻製程，將層疊銅箔的絕緣液晶聚合物膜所形成的下部絕緣薄膜層進行蝕刻並使作為訊號導體的部分殘留，以於下部絕緣薄膜層上形成訊號導體；層疊製程，於所述訊號導體之上部層疊上部絕緣薄膜層；將由金屬層及絕緣塑料層所形成的保護遮蔽層配置成金屬層在內側、絕緣塑料層在外側，所述保護遮蔽層之電纜寬度方向上的一端部係重疊至另一端部之外側上，所述保護遮蔽層之金屬層之局部由保護遮蔽層部的重疊部分朝向未重疊部分而於電纜寬度方向上用所述保護遮蔽層包圍所述上部絕緣薄膜層及下部絕緣薄膜層之外周，並使得所述保護遮蔽層之金屬層之局部暴露於絕緣塑料層之外部；及一體化製程，藉著對所述保護遮蔽層進行加熱、加壓，以使下部絕緣薄膜層、上部絕緣薄膜層及保護遮蔽層一體化。
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