TWI792120B - 用於單分子核酸檢測的設備與系統 - Google Patents

用於單分子核酸檢測的設備與系統 Download PDF

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Abstract

本申請揭示一種用於單分子核酸檢測的設備。所述設備包含一檢測模組，用以檢測由一定序晶片產生的螢光。所述檢測模組包含一感測器裝置、具有第一放大倍率的物鏡以及具有第二放大倍率的投射透鏡。所述物鏡與投射透鏡用以將螢光由定序晶片傳輸至感測器裝置。第二放大倍率小於1。

Description

用於單分子核酸檢測的設備與系統
本申請案主張2019年12月19日提申的美國臨時申請案第62/950,551號，在此將其全文引入作為參照。
本揭示內容是關於一種生物測定系統；特別是包含能夠檢測單分子核酸定序的檢測模組之系統。
連續單分子核酸定序方法是一種極具潛力的高速、長序列的定序方法，可用於定序DNA/RNA/mRNA/修飾DNA/修飾RNA。執行此方法時，需要利用一光學系統來連續監測複製模板DNA/RNA分子(欲定序之分子)的各個聚合酶，並鑑別出與引入事件相關的螢光訊號，並因此能夠讀出模板分子的核酸鹼基序列。《Science》雜誌(02 Jan 2009, Vol.323, Issue 5910, pp. 133-138)公開了一種定序方法，其使用染料測定法應用於DNA定序，以確定在DNA奈米結構陣列上特定反應位點之給定DNA片段的螢光標記核苷酸(A、T、G、C)序列。
定序位點是能夠將聚合酶複製複合物(即，聚合酶與模板和引子結合之複合物)固定、保持或限制在定位的位置。通常會將大量的定序位點在基板上排列成陣列的形式，這稱為定序晶片。
連續單分子定序系統包括激發光源、定序晶片、螢光光學裝置以及光學感測器。激發光源可向每個定序位點供應激發光。螢光光光學裝置用以將定由序晶片上的每個定序位點發射的螢光訊號收集和引導至光學感測器。所述的光學感測器由光電探測器形成陣列(也稱為圖像感測器或區域感測器)形成。感測器上的每個光電探測器稱為像素。由於需要區分四個核苷酸鹼基，因此光學感測器需要能夠區分經標記螢光團的多波長帶。
定序系統的性能。為了使定序系統能夠捕獲引入事件發出的螢光而不受聚合酶周圍漂浮的所有經標記dNTP的干擾，需要將複製複合物(又稱定序複合物，由聚合酶/模板/引物所形成)固定在一個位置(定序位點)。並且系統需要提供一光源與一感測器，所述光源僅激發足夠接近聚合酶的螢光團(受限的激發空間)，而所述感測器僅接收來自鄰近於聚合酶的訊號(受限的觀察空間)。為了提高系統的效率，優選具有多個並行作用的定序位點的系統。系統性能可被定義為「定序位點數量/系統成本」。
基於透鏡的定序系統。在實驗室中，可將高解析度全內反射螢光(total internal reflection fluorescence，TIRF)顯微鏡轉換為連續核酸DNA單分子定序儀。圖1是倒裝顯微鏡的示意圖，這是一種典型的TIRF顯微鏡。雷射光束從雷射光發射器90穿過濾光片91射入高NA(通常為1.5 NA)的60X或100X油浸物鏡92，該物鏡在蓋玻片93的上表面形成TIRF條件，以供進行連續核酸DNA單分子定序。物鏡92被無限遠校正。由物鏡92收集並通過濾光鏡立方體91的螢光圖像去除了雷射光波長，並且僅保留了感興趣的螢光。利用一些其他光學元件，例如鏡子、棱鏡和中繼透鏡(未示出)，圖像光束被投影到感測器裝置94上，以通過投影透鏡95(也稱為物鏡或管透鏡)形成放大的圖像。然後分析由感測器裝置94收集的螢光圖像，並將其轉換為定序數據。由於利用透鏡來提供激發光和收集螢光，因此這類系統稱為基於透鏡的定序系統。基於透鏡的系統的定序位點數量在數千到數萬之間，具體取決於透鏡和感測器的規格。
美國專利第8,318,094號和美國專利第7,170,050號公開了一種定序系統，提供了超過100,000個定序位點。這些系統晶片上的反應部位通常具有微透鏡或微鏡，以增加螢光收集效率。然而，這些微光學器件使得無法減小反應位點的間距，因此不能進一步提高密度。微光學器件增加了晶片製造程序與成本。而且，這樣的系統通常採用各種不同的光學元件來引導、修飾和以其他方式操縱被引導到和/或從反應部位接收的光。此類系統體積龐大且對環境震動敏感，因為其激發光點陣列需要與定序位點陣列精確地對齊。這些採用透鏡來收集來自定序晶片的螢光的系統，可以歸類為基於透鏡的定序系統的特例。現有最佳的基於透鏡的商業定序系統能夠監測的定序位點總數為150,000個。相比之下，基於透鏡的系統中的定序晶片則簡單且成本相對較低。
關於基於晶片的定序系統。在另一個實施例中，美國專利第7,767,441號公開了一種定序系統，其將定序位點陣列、激發光分佈波導和感測器整合到一個晶片中。此種將定序晶片和光學感測器整合在一起的系統可以稱為基於晶片的定序系統。定序位點的數目取決於晶片的尺寸，可以是數百萬或數千萬。然而，晶片的製造成本非常高，並且被設計為一次性使用，這使得操作成本高於大多數應用可能負擔的範圍。
於一例示性態樣中，揭示一種用於單分子核酸檢測的設備。所述設備包含一檢測模組，用以檢測由一定序晶片產生的螢光。所述檢測模組包含一感測器裝置、具有第一放大倍率的物鏡以及具有第二放大倍率的投射透鏡。所述物鏡與投射透鏡用以將螢光由定序晶片傳輸至感測器裝置。第二放大倍率小於1。
於另一例示性態樣中，揭示一種用於連續單分子核酸檢測的設備。所述設備包含一定序晶片，其具有多個定序位點以一間距排置；以及一檢測模組，用於檢測由定序位點產生的螢光。所述檢測模組包含一感測器裝置，其具有多個像素，每一該像素具有一像素尺寸；以及一透鏡組，其具有一物鏡及一投射透鏡。所述物鏡與投射透鏡用以將螢光由定序位點傳輸至感測器裝置，且所述透鏡組具有一整體放大倍率。所述間距與整體放大倍率的乘積等於或大於1倍像素尺寸，且等於或小於2倍像素尺寸。
於又一例示性態樣中，揭示一種用於連續單分子核酸定序的設備。所述設備包含一檢測模組，用於檢測由一定序晶片產生的一螢光。所述檢測模組包含一感測器裝置，其具有多個像素，每一該像素具有一像素尺寸；以及一透鏡組，其具有一物鏡及一投射透鏡，所述物鏡與投射透鏡用以將螢光由定序晶片傳輸至感測器裝置。所述螢光在感測器裝置上的一投影光點尺寸小於或等於該像素尺寸的1.5倍。
於又另一例示性態樣中，揭示一種用於連續單分子核酸定序的定序晶片。所述定序晶片包含一基板、一波導、一光耦合器、一定序位點及一光束調整機構。所述波導設於基板上。所述波導包含一核心層以及一上覆層，其設於核心層抗上。所述光耦合器自上覆層延伸進入核心層。所述定序位點位於該上覆層中。所述光束調整機構用以調整將來自光耦合器的一光束於朝向該定序位點傳遞時的一總投影面積。
以下揭示內容提供了多種不同的實施例或例示，其能用以實現所提供之本揭示內容的不同特徵。下文所述之元件與配置的具體例子係用以簡化本揭示內容。當可想見，這些敘述僅為例示，其本意並非用於限制本揭示內容。舉例來說，在以下詳述中，第一特徵形成在第二特徵上方或第二特徵之上可包含第一及第二特徵形成為直接接觸之實施例，且亦可包含第一特徵與第二特徵之間可形成額外特徵使得第一及第二特徵並未直接接觸之實施例。另外，本揭示內容可能會在多個實施例中重複使用元件符號和/或標號。此種重複使用乃是基於簡潔與清楚的目的，且其本身不代表所討論的不同實施例和/或組態之間的關係。
此外，在本文中使用空間相對術語(例如「在…下面(beneath)」、「在…下方(below)」、「較低(lower)」、「在…上面(above)」、「上方(upper)」及與其相似者，以利於描述圖中繪示的一元件或特徵與另一或多個元件或特徵之相對關係。這些空間相對術語旨在涵蓋除圖中所描繪之方位以外，該裝置於使用中或操作中的其他方位。可將該設備置於其他方位(旋轉90度或其他方位)，並可相對應地解釋此處所用的空間相對描述。
於本揭示內容中，運用諸如「第一」、「第二」和「第三」之類的術語來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但所述元件、組件、區域、層和/或部分不受其限制。這些術語僅是用來將一元件、組件、區域、層或部分和另一者加以區分。除非上下文另有明顯的指示，於本揭示內容中使用例如「第一」、「第二」和「第三」等術語並不表示特定的序列或順序。
圖2繪示根據本揭示內容某些實施例，基於透鏡的單分子定序系統的設計示意圖，此設計主要依循單分子檢測的設計原理。使用一無限遠校正的物鏡來收集來自定序位點10的螢光，並使用一投影透鏡11將定序位點10的訊號投影至一光學感測器組12。一般來說，物鏡是用來收集來自定序位點的螢光，投影透鏡(亦稱為像場透鏡或鏡筒透鏡)是用來將定序位點的訊號投影至光學感測器組。於某些實施例中，定序系統還包含一微流體結構，其耦接於奈米井，且樣本可透過此微流體結構而載入至定序晶片13上。所述微流體結構可使樣本在定序晶片13上均勻散布或可將樣本導引至指定的奈米井。
圖3繪示典型的顯微鏡物鏡14的示意圖。通常來說，物鏡14的放大倍率會標記於其本體，譬如圖中所示的「100X」。在普通的顯微鏡中，100X的物鏡會和預設或預置的1X投影透鏡搭配使用，如圖1所示，而此透鏡組的整體放大倍率為100X。由於顯微鏡是用來放大檢體的細部結構，投影透鏡的放大倍率永遠等於或大於1。因此，常見投影透鏡的放大倍率為1X，藉以實現物鏡本體上標示的放大倍率，但也可見到2X或更大的放大倍率。
圖4繪示物鏡14之數值孔徑(NA)的示意圖。物鏡14的NA是一種無因次的數，其描述了物鏡14對於所發出之螢光能夠收集的角度範圍，而NA較高的物鏡能夠收集更多光。通常來說，物鏡14的NA亦標示於其本體，譬如圖中所示的「1.5」。相關公式可表示為：NA = n × sinθ，其中n是浸潤媒介的折射率，而θ是物鏡的收集角度。為了實現較高的單分子靈敏度，物鏡14的NA必須高於一定程度。一般來說，最小NA會受到感測器效能規格與光學透鏡排列方式的影響。
在基於透鏡的單分子定序系統中，物鏡14的NA是小於1、0.9、0.8或0.7。
基於透鏡的光學模組的視野(FOV)是可由圖5所示系統成像之圓形區域的直徑。由於使用一感測器120來接收由光學模組投影的影像，可藉由透鏡FOV 150和感測器120的一對應區域間的重疊部分，來決定有效FOV 151。若感測器120的尺寸大於透鏡FOV 150於其上的投影，則有效FOV 151取決於透鏡。否則，有效FOV 151會受限於感測器120的尺寸。
有效晶片面積是指定序晶片13上對應於光學模組之有效FOV 151的面積。為了實現較高的效能，應盡可能將定序位點10排列於有效晶片面積內，以確保能夠容納定序位點10。間距可定義為每兩個相鄰定序位點10間的距離。有多種因素會使得定序位點10無法過於靠近。
舉例來說，光學空間解析度是光學模組能夠鑑別來自兩個鄰近定序位點10之訊號的最小間距。由於光的本質，來自不同定序位點10的訊號通常呈現高斯分布。如圖6所示，來自單分子定序位點A與位點B的螢光訊號被投影到感測器平面上。每一訊號光束點之間沒有明確的界線，而且始終互相重疊而無法完全分開。只要位點A與位點B的距離夠遠，且其訊號光束點的重疊部分並未超過可解析之程度，就能夠鑑別來自這兩個位點的訊號。因此，來自位點A與位點B之訊號間的最小距離稱為光學系統的空間解析度。
通常來說，物鏡的數值孔徑(NA)較大時，可提較高的空間解析度，這是基於相關方程式：解析度(r) = 0.61×波長(λ)/NA，故因此，能夠以較小的間距將定序位點10排置地更為接近或緊密，以解析較小的特徵，這意味著能夠在相同的面積中排置更多的定序位點10。因此，光學系統的設計在於提供一種透鏡模組與感測器的組合，其可用以識別更多定序位點，且因此能提供最佳效能。
下文提出一例子來說明傳統基於透鏡的單分子系統設計。在這個例子中，感測器具有2000 x 1500之像素陣列，且每一像素尺寸為3.45平方微米。表1是具有不同放大倍率與NA值之透鏡的空間解析度。
以60X油浸透鏡搭配NA 1.5時，空間解析度為0.24 μm，即，定序位點的最小間距為0.24 μm。60X物鏡搭配1X投影透鏡可將0.24 μm的間距在感測器平面上放大為14.4 μm的間距。可成像的最大定序位點總數為(3.45 x 2000)/14.4 x (3.45 x 1500)/14.4 = 479 x 359 = 171,961 (定序位點)。 表1
透鏡 100X油 60X油 40X油 20X空氣
放大倍率 100 60 40 20
NA 1.5 1.5 1.3 0.7
FOV (D，μm) 220 366 550 1100
SR (μm) 0.24 0.24 0.28 0.5
位點數目：1 61,705 171,961 284,592 356,730
位點數目：2 61,705 136,354 100,178 31,416
每一位點的像素數目 48 17 11 8.4
於表1中，「位點數目：1」該列的結果僅納入透鏡模組之光學空間解析度作為考量因素。
連續單分子定序需要一定的受質濃度值以保持聚合酶以合理的速度引入。如圖7所示，即使一些經標記的三磷酸核苷酸21不像正在定序的分子20一樣被引入，但是一旦被激發，附著在那些三磷酸核苷酸上的螢光團或螢光染料可能會發射出具有相同波長的不需要的螢光。即，進入觀察空間(即，定序奈米井)的所有螢光染料都可能產生螢光，因此成為不需要的「螢光背景」。後文將進一步描述奈米井的細節。可解析的且檢測到的引入事件應具有較高比率的「(引入訊號+螢光背景)/(螢光背景)」，其中，可以從受質濃度、激發場分布和相應像素的觀察體積估算出螢光背景。
對於這種情況，有意義的體積觀察是在於螢光可以穿過透鏡到達對應像素的空間。如果使用圖8A所示的epi激發，由於相當多的背景分子會被激發並壓過單分子訊號，因此上表1中列出的所有透鏡都無法檢測到1 μm受質量的單分子事件。為了克服此種干擾問題，單分子定序系統可以部署如圖8B所示的漸逝波，在不增加背景螢光訊號的情況下將激發能量提供給定序位點10。漸逝波可能以指數方式衰減，並迅速衰減到100 nm的範圍以外。
如圖9A所示之基於透鏡的全內反射(TIRF)或如圖9B所示的基於稜鏡的TIRF可將有效激發能量限制在距離反射表面100 nm的範圍內。受限於雷射光功率，基於透鏡的TIRF或基於稜鏡的TIRF只能激發較小的區域，例如直徑約為100微米。表1中的「位點數目：1」列僅考慮有效FOV。表1中的「位點數目：2」列是假設激發區域的尺寸約為100 μm的結果。表1顯示，基於傳統設計(即，通過使用60X油浸透鏡)的基於透鏡的系統之可用定序位點約為150,000個。有效FOV可以通過應用大面積感測器來提高，但系統的局限性是漸逝波激發場的面積。在本揭示內容中，雷射光功率是由250 nm的波導纖芯引導，並在100 nm的漸逝波範圍內，而不是在100 μm的光束尺寸範圍內，因此在整個定序晶片上產生了很強的場強度，進而延伸了2 mm的面積而不是100 μm。因此，可以在激發區域中排置更多的定序位點10。在一些實施例中，可以在2 mm×2 mm的面積中排置並觀察超過一百萬個定序位點10。
關於感測器的靈敏度，由於顯微鏡的放大性質，定序位點發射可散布到數個像素24上，例如圖10所示的「大光點」22。因此，訊號強度會被這些像素瓜分，這使得訊號太弱而不能被CMOS圖像感測器的每個像素24檢測到。雖然有些科研級的CCD、ICCD、EMCCD或經過特殊設計的科研級CMOS感測器可用於檢測微弱的訊號，但它們通常都是笨重且昂貴的組件，可能會顯著地增加系統的尺寸、重量和整體成本。理想地，當定序位點發射僅被投影到一個或兩個或至多四個像素24上，如圖10中所示的「小光點」23，此時訊號相對集中，並且可能大大增加檢測到的訊號強度。如此一來，價格合理的現代CMOS感測器就足以靈敏地檢測訊號。如今，高質量的CMOS感測器可實現60％的峰值量子效率，與90％的科研級相去不遠。本揭示內容可以採用現代工業或監視用等級的CMOS感測器，並且透過適當地佈置定序晶片和光學元件來避免使用昂貴的科研級感測器。實際上，儘管投影的光點尺寸可以跟像素24一樣小或小於像素24，但是投影可能會跟像素24的邊界重疊，從而導致兩個或最差時四個相鄰像素24共享來自一個定序位點的相同訊號。然而，在訊號被分為四份的情況下，分散在四個像素中的每個像素上的訊號強度仍然足夠強以被檢測到。
本揭示內容提供一種基於透鏡的連續單分子定序設備之設計規則。基於所揭示的設計規則，基於透鏡的連續單分子定序系統可具有超過150,000、300,000、500,000或1,000,000個定序位點。根據奈奎斯特採樣定理(Nyquist sampling theorem)，一個定序井可被感測器的2 x 2個像素解析。故此，5百萬個像素感測器將可解析超過一百萬個定序井。
如圖11所示，於某些實施例中，其包含一定序晶片31及一檢測模組32。於某些實施例中，所述檢測模組32包含一感測器裝置321、具有第一放大倍率的物鏡322以及具有第二放大倍率的投射透鏡323。於某些實施例中，所述物鏡322與投射透鏡323用於將來自定序晶片31的螢光傳輸至感測器裝置321。於某些實施例中，第二放大倍率小於1。於某些實施例中，一雷射光源33可透過一雷射耦合器34耦接於定序晶片31，故可利用定序晶片31的波導35將雷射光引導至定序位點10。雷射光源33與定序晶片31應盡可能接近，以避免不想要的散射光進入封閉的空間中。兩者間的距離小於1 mm、小於0.5 mm或小於0.3 mm。於某些實施例中，定序訊號經物鏡322收集後通過一濾光器36，以在投影透鏡322將定序訊號投影至感測器裝置321上之前，阻隔雷射光。
於某些實施例中，物鏡322的第一放大倍率用以收集螢光。於某些實施例中，投射透鏡323的第二放大倍率用以將來自物鏡的螢光投影至感測器裝置上。於某些實施例中，投射透鏡323的第二放大倍率小於1、小於0.5X或小於0.25X。
如圖12所示，於某些實施例中，定序晶片31包含一基板310、設於基板310上的一薄膜或一通道波導312、形成於波導312處之一光耦合器311。於某些實施例中，所述波導312包含上覆層313、下覆層314以及奈米井定序位點陣列315。於某些實施例中，所述奈米井定序位點陣列315包含多個奈米井316。於某些實施例中，上覆層313與下覆層314間夾設有一核心層317，其具有一下表面以及與下表面相對的一上表面。於某些實施例中，光耦合器311用以將激發光耦合至波導312中，且波導312可限制並引導此激發光到達奈米井定序位點陣列315並形成來自每一奈米井316底部的漸逝波激發場，如上圖8B所示。換句話說，光場強度在底部最強並以指數形式逐漸減弱，如圖8B所示。在較佳的應用場景中，上覆層313上的場強度較弱且可忽略不計或趨近於零。這使得在上覆層313的上表面上懸浮或未引入的螢光團可能不會產生不想要的螢光背景訊號。於某些實施例中，將奈米井定序位點陣列315製造為上覆層313中有一上開孔315A與一圓柱壁315B，而奈米井定序位點陣列315的底部位於或鄰近核心層317的上表面。於某些實施例中，所述圓柱壁315B形成於波導312的上覆層313中。於某些實施例中，每一奈米井316的底部可和核心層317的上表面共平面或具有一覆蓋核心層317上表面的薄底層(圖中未繪示)。可使用與上覆層313相同或不同的材質來製備上述奈米井316的薄底層。
於某些實施例中，奈米井316的形狀大致上為圓形，如圖13所示。於某些實施例中，可將奈米井316製成其他形狀，譬如由上視角度為方形、六角形等。於某些實施例中，奈米井316亦可側向延伸而形成溝槽狀而非一般的井狀。舉例來說，定序位點陣列可包含如圖14與圖15所示之數個平行排置的奈米溝槽318。
圖16繪示根據本揭示內容某些實施例，大致上為圓形之奈米井的概要上視圖。如圖所示，定序晶片的一光束調整機構41可設於點型光耦合器311以及奈米井定序位點陣列315的第一側之間，以調整來自光耦合器311之每一光束在朝向定序位點10傳遞的一總投影面積。舉例而言，光束調整機構41可將來自光耦合器311的較窄光束(如，所注入的雷射光)轉換為進入其中之定序位點的較寬光束，而條型光耦合器311則位於鄰近陣列315中定序位點的之第二側處。於某些實施例中，所述第二側相對於第一側，故定序位點陣列315實質上介於不同類型的光耦合器311間。
圖17繪示根據本揭示內容某些實施例，槽形奈米井的概要上視圖。如圖所示，一光束調整機構41可設於點型光耦合器311以及奈米溝槽318的側壁之間，而條型光耦合器311則位於鄰近另一奈米溝槽318的側壁處。於某些實施例中，數個奈米溝槽318是平行排置且平行於與條型光耦合器311。
圖18繪示根據本揭示內容某些實施例，槽形奈米井的概要上視圖。與圖17所示的實施例相似，一光束調整機構41可設於點型光耦合器311與數個奈米溝槽318間，而奈米溝槽318平行排置並與一條型光耦合器311平行。所述點型光耦合器311與光束調整機構41設於奈米溝槽318之陣列的第一側，而條型光耦合器311設於奈米溝槽318之陣列的第二側，其中第二側與第一側相對。在此種實施例中，光束調整機構41鄰近於每一奈米溝槽318的一端。
參照圖19A，於某些實施例中，可運用超過一個一光束調整機構41。舉例來說，光束調整機構41可設於每一光耦合器311與奈米井定序位點陣列315間，以調整來自光耦合器311之每一光束在朝向定序位點10傳遞的一總投影面積。舉例而言，光束調整機構41可將來自光耦合器311的較窄光束(如，所注入的雷射光)轉換為進入定序位點10的較寬光束。於某些實施例中，所述光耦合器311包含一奈米等級的光柵結構。於某些實施例中，所述光耦合器311為條型。某些實施例中，所述光耦合器311為點型。於某些實施例中，所述波導312為薄膜型。於某些實施例中，所述波導312為通道型。於某些實施例中，所述定序位點10形成定序位點陣列315，且所述較寬光束的光束寬度實質上涵蓋定序位點陣列315。於某些實施例中，所述光束調整機構41包含一奈米結構光束擴張器，設於光耦合器311與定序位點10間。於某些實施例中，所述奈米結構光束擴張器是波導312的至少一部份，故可為薄膜波導或通道波導。於某些實施例中，所述定序位點陣列315包含2000 x 2000個像素，而所述光耦合器311的直徑為約50 μm。於某些實施例中，定序晶片包含一對孔洞42，以供運載樣本的流體輸入與輸出。
在其他實施例中，光束調整機構可包含多個光束分光件，以加乘來自光耦合器311之光束之數量，從而允許數量加乘後的光束同步朝向定序位點10傳遞。相較於單一光束，數量加乘後的光束可於定序位點提供更大的覆蓋範圍。
如圖19B所示，於某些實施例中，一間隔件43可設於定序晶片上方。間隔件43可包含多個第一開孔44，與上圖19A所示的多個光耦合器311對齊，以供雷射光通過。間隔件43可包含一流體通道45，位於其中心且位於上圖19A所示的定序位點陣列315上方，以供儲存包括樣本的流體。於某些實施例中，開孔44的直徑大於光耦合器311的直徑。如圖19C所示，於某些實施例中，一覆蓋件46可設於間隔件43上方。覆蓋件46可包含多個第二開孔47，第二開孔47與間隔件43的第一開孔44對齊。於某些實施例中，間隔件43夾設於覆蓋件46與定序晶片間。
於某些實施例中，聚合酶複製複合物可透過連結物位點而固加至奈米井316的底部，如前圖7所示。於某些實施例中，可利用類似生物素-鏈霉素的複合方式或共價鍵結合或利用電荷吸引或物理限制等方式，將聚合酶複製複合物固加於連結物。
當定序位點陣列包含數個平行排置的奈米溝槽318時，可排置不同奈米溝槽318中的連結物部位，使其間具有實質上相同的區間。於某些實施例中，可考量此排列方式是否能夠防止由每一連結物位點產生的螢光是否會彼此干擾，因而可確保較佳的光學空間解析度。
於某些實施例中，相鄰奈米井316間的區間介於小於1 μm至約5 μm。於某些實施例中，連結物位點間的區間約為3 μm。雖然本揭示內容中並未繪示，於某些實施例中，定序晶片31上未形成奈米井。於此種實施例中，多個連結物位點以適當的區間配置於定序晶片31的平坦表面上。
在某些實施例中，如上圖7所示，每個奈米井316的寬度(沿Y軸)在約50 nm至約650 nm的範圍內。每個奈米井的高度(沿Z軸)在約20 nm至約600 nm範圍的內。在某些實施例中，兩個相鄰奈米井間的間距(沿Y軸)在小於1 μm至約5 μm的範圍內。在奈米井316的寬度小於約50 nm或奈米井316的高度大於約600 nm的情況下，由於毛細管力的緣故，樣本可能難以加載到奈米井316中並到達其底部。另一方面，在奈米井316的寬度大於約650 nm的情況下，奈米井316對樣品的空間限制可能不足。在一實施例中，兩個相鄰的奈米井316的間距小於約1 μm。在某些情況下，兩個相鄰奈米井的間距大於約5 μm，則奈米井316的密度太小，無法維持檢測通量。在某些實施例中，奈米井316的寬度為約80 nm且高度為約100 nm，並且兩個相鄰的奈米井316之間的間距為約1.3 μm。
於某些實施例中，為了提升定序複合物(如，聚合酶複製複合物)在定序晶片31的奈米井316中之安定性，奈米井316的下表面或側壁經化學修飾以加強定序複合物在連結物位點的吸附能力。舉例來說，可在奈米井316的下表面或側壁進行親水性處理。可任選地，可在界定奈米井316之覆蓋層(如，上覆層313)的上表面進行疏水性處理，因而可避免未引入的螢光團標記，且因此可降低不想要的背景螢光訊號。再者，上述疏水性處理亦可防止包含未引入的螢光團的流體流經非反應區域，因而減少不想要的螢光背景訊號。
於某些實施例中，圖12所示的基板310可以是不透明的矽晶圓、透明玻璃、石英、熔融石英、藍寶石等。
在某些實施例中，可以通過圖樣化上覆層313來限定奈米井316的空間。換句話說，定序晶片31上的兩個相鄰的奈米井被圖樣化的上覆層313隔開。上覆層313用以降低背景訊號，例如來自非訊息空間(即，相鄰連結物位點之間的空間)的散射光。在某些實施例中，上覆層313可以是透明的，但是在物理上能防止螢光染料標記的受質到達除了定序位點10(即，連接物部位)以外的激發場。圖樣化的覆蓋層可以是不透明的，進而部分或完全地阻擋來自非訊息空間的光。在某些實施例中，上覆層313是金屬片。在某些實施例中，上覆層313是經化學修飾的表面，其能夠降低螢光染料標記的受質更接近激發場的機會。在某些實施例中，上覆層313可以是塑膠膜。在某些實施例中，上覆層313可以是與核心層317相比具有低折射率的SiO2 或其他無機氧化物。
圖20繪示感測器裝置321上的奈米井316間距以及像素間距。於某些實施例中，定序位點的間距(S)可設計為： 2P ＞= S×F ＞= 1P 也就是說，間距與整體放大倍率的乘積等於或大於一倍間距且等於或小於兩倍間距，其中(F)為檢測模組32'的整體放大倍率，(P)為感測器裝置321之像素的間距，其等於像素尺寸。於某些實施例中，像素尺寸小於或等於約10 μm、約5 μm或約3 μm。於某些實施例中，兩個相鄰定序位點的間距小於或等於約5 μm、約3 μm或約1 μm。
於某些實施例中，來自一定序位點的螢光訊號首先經物鏡323收集後，被以小於1.5倍或1倍像素尺寸P的尺寸投影到感測器裝置321上。可將螢光訊號妥適地集中到一或至多四個像素上，同時重疊邊界，進而產生如而前圖10所示「小光點」23那樣可供良好地檢測的訊號強度。
依循上述設計規則之設備的一實施例包含一感測器裝置321，其具有2000 x 1500個像素，且每一像素的像素尺寸與間距為3.45 μm；一物鏡322，其NA為0.7且放大倍率為20X；一投影透鏡323，其放大倍率為0.25X；以及一定序晶片31，其奈米井定序位點間距為1.38 μm， 其中X1 × X2 = 5 (2 x 3.45 μm)/5 = 1.38 μm。 也就是說，定序位點的間距為1.38 μm，符合上述設計規則。於某些實施例中，有效定序位點的數目為750,000。
依循上述設計規則之設備的一實施例包含一感測器裝置321，其具有2000 x 1500個像素，且每一像素的像素尺寸與間距為3.45 μm；一物鏡322，其NA為0.7且放大倍率為20X；一投影透鏡323，其放大倍率為0.25X；以及一定序晶片31，其奈米井定序位點間距為1.04 μm， 其中X1 x X2 = 5 (2 x 3.45 μm)/5 = 1.38 μm (1 x 3.45 μm)/5 = 0.69 μm 也就是說，定序位點的間距為1.04 μm，而1.04μm大於0.69 μm且小於1.38 μm，符合上述設計規則。於某些實施例中，有效定序位點的數目為1,333,333。
依循上述設計規則之設備的一實施例包含一感測器裝置321，其具有2000 x 1500個像素，且每一像素的像素尺寸與間距為3.45 μm；一物鏡322，其NA為0.7且放大倍率為20X；一投影透鏡323，其放大倍率為0.25X；以及一定序晶片31，其奈米井定序位點間距為0.7 μm 其中X1 x X2 = 5 (1 x 3.45 μm)/5 = 0.69 μm 也就是說，定序位點的間距為0.7 μm，而0.7 μm大於0.69 μm，符合上述設計規則。於某些實施例中，有效定序位點的數目為3,000,000。
此處提出的設備與系統能夠用以高效地檢測單分子核酸，即，可利用基於透鏡的光學模組實現更多的定序位點數目。此外，通過使用更為簡單且可替換的定序晶片，還降低了檢測成本。來自一位點的定序訊號被投影到感測器裝置上小於1.5像素或甚至小於1像素的尺寸上，以將訊號強度集中在其上，並大大提高了檢測訊號強度。如此一來，不需使用笨重的高靈敏度和昂貴的科研級CCD或CMOS感測器，因此可以降低檢測模組的成本。
圖21繪示經標記螢光團的光譜頻帶。於某些實施例中，用於定序ATCG四種d-NTP的每個核苷酸序列可標記上能夠發射不同波長的不同螢光團(螢光染料)。如圖所示，通過計算不同通道的權重，可以使用三個光譜範圍的通道來解析這些不同的螢光團，並且可以對其進行分析並轉換為定序資料。例如，當使用雷射光作為激發能量並因此將其耦合到波導中並引導到定序位點時；位於陣列中特定定序位點的染料1將被漸逝地激發，而通道1和通道2可以收集由此發出的光。基於發射光譜的資訊，例如，只有通道1會顯示高於閾值的像素訊號值，因此權重(1,0,0)代表在該反應位點上被專一引入的核苷酸是經過染料1所標記。但是，如果將染料改為染料2，結果會顯示權重(1,1,0)，這意味著通道1和2顯示的像素值高於閾值，因此權重(1,1,0)代表被專一引入的核苷酸是經過染料2所標記。染料3也會被雷射光漸逝地激發，而其結果會顯示權重(0,1,1)。但是，如果將染料更改為染料4，其結果會顯示權重(0,0,1)。請注意，這些權重(1,0,0)、(1,1,0)、(0,1,1)和(0,0,1)只是用於說明目的，而不是確切的測量數字。
在一個實施例中，三色稜鏡被設計成使得通道1能夠接收從530 nm到610 nm的波長、通道2能夠接收從610 nm到675 nm的波長，並且通道3能夠接收從675 nm到800 nm的波長，以上僅為例示。可以藉由改變染料的類型或修改三向色分束稜鏡上每一通道的光譜範圍來調整這三個光學感測器的每一像素能收集的光強度，並因此調整其訊號值。
圖22繪示根據本揭示內容某些實施例的飛利浦型稜鏡。於某些實施例中，一分波器被用以將具有不同波長光譜範圍的該螢光指向該至少二感測器裝置。於某些實施例中，利用飛利浦型稜鏡50將定序訊號分到三個通道中。將感測器裝置321牢固地黏著(圖中未繪示黏著劑)在稜鏡上，且因此在操作環境中可保持極佳的機械穩定性。透過將數個元件黏著成一工作件，會使得此裝置更能耐受震動，且因此亦可固定三個感測器中的像素相關性。飛利浦型稜鏡50可商業購買，且很實用，但是其他類型的分色器也是可行的，例如十字分色稜鏡或更常用的立方分色分束器。與常見色彩感測器中使用的拜耳濾光片相比，飛利浦型稜鏡50可以分離顏色而不是濾光，因此它可以吸收不需要的顏色並提供更高的整體透射效率。實際上，使用稜鏡三色分束器不會浪費光子。
圖23繪示根據本揭示內容某些例方式，用於光譜檢測的色散裝置。於某些實施例中，並未使用多通道感測器裝置，而是運用一色散裝置51，譬如楔形稜鏡或光柵，將不同光譜範圍的光分到陣列中的不同像素中。舉例來說，可將不同光譜範圍分入排列為陣列的4、5或6個像素。
圖24為根據本揭示內容某些實施例，帶有奈米井316之定序晶片的剖面SEM影像。奈米井316係建置於上覆層313中，且奈米井底部鄰近核心層317的上表面。
圖25A與圖25B繪示根據本揭示內容某些實施例，定序原始資料的圖像框快照。圖25A是來自染料落地事件之影像框的快照的一部分。由圖中可以看到感測器裝置捕捉到的螢光團訊號。在這種光學排置方式下，訊號最多只會重疊四個相鄰像素，且可確保堅實的訊號強度。圖25B繪示一典型的像素。由圖中可以看到大多數的光線集中在一個像素，上只有一小部分散布在相鄰像素上。整體來說，定序位點訊號相當集中。
圖26繪示一通道之奈米井的定序時間軌跡。可以觀察到螢光訊號的起落伴隨著染料落地事件。透過依本揭示內容的光學元件排置方式，所得到的訊號/雜訊比(signal to noise ratio，SNR)相當理想(如，訊號/雜訊比 = 54976/2441 = 22.52)，且可藉由使用價格合理的工業級SMOS相機來實現商業化。
上文的敘述簡要地提出了本發明某些實施例之特徵，而使得本發明所屬技術領域具有通常知識者能夠更全面地理解本揭示內容的多種態樣。本發明所屬技術領域具有通常知識者當可明瞭，其可輕易地利用揭示內容作為基礎，來設計或更動其他製程與結構，以實現與此處所述之實施例相同的目的和/或達到相同的優點。本發明所屬技術領域具有通常知識者應當明白，這些均等的實施例仍屬於揭示內容之精神與範圍，且其可進行各種變更、替代與更動，而不會悖離揭示內容之精神與範圍。
主要元件符號如下： 10:定序位點 11:投影透鏡 12:光學感測器組 13:定序晶片 14:物鏡 20:正在定序的分子 21:三磷酸核苷酸 22:大光點 23:小光點 24:像素 31:定序晶片 32:檢測模組 32':檢測模組 33:雷射光源 34:雷射耦合器 35:波導 36:濾光器 41:光束調整機構 42:孔洞 43:間隔件 44:第一開孔 45:流體通道 46:覆蓋件 47:第二開孔 50:飛利浦型稜鏡 51:色散裝置 90:雷射光發射器 91:濾光片 92:油浸物鏡 93:蓋玻片 94:感測器裝置 95:投影透鏡 120:感測器 150:透鏡FOV 151:有效FOV 310:基板 311:光耦合器 312:薄膜或通道波導 313:上覆層 314:下覆層 315:奈米井定序位點陣列 315A:上開孔 315B:圓柱壁 316:奈米井 317:核心層 318:奈米溝槽 321:感測器裝置 322:物鏡 323:投射透鏡 S:間距 P:間距
圖1繪示習知TIRF顯微鏡的剖面示意圖。
圖2繪示根據本揭示內容某些實施例，基於透鏡的單分子定序系統的設計示意圖。
圖3繪示傳統顯微鏡物鏡的示意圖。
圖4繪示根據本揭示內容某些實施例，物鏡的數值孔徑(numerical aperture，NA)示意圖。
圖5繪示一透鏡系統的視野(field of view，FOV)。
圖6繪示一光學系統的空間解析度。
圖7繪示根據本揭示內容某些實施例，奈米井的示意圖。
圖8A與圖8B繪示epi激發與漸逝波激發的場強度分布。
圖9A與圖9B繪示根據本揭示內容某些實施例之透鏡型與稜鏡型TIRF。
圖10繪示根據本揭示內容某些實施例，投影光點尺寸可影響一像素上的訊號強度。
圖11繪示根據本揭示內容某些實施例，用於連續單分子核酸定序之設備的示意圖。
圖12繪示根據本揭示內容某些實施例，定序晶片的剖面示意圖。
圖13繪示根據本揭示內容某些實施例，大致上為圓形之奈米井的概要上視圖。
圖14繪示根據本揭示內容某些實施例，槽形奈米井的概要上視圖。
圖15繪示根據本揭示內容某些實施例，槽形奈米井的概要上視圖。
圖16繪示根據本揭示內容某些實施例，大致上為圓形之奈米井的概要上視圖。
圖17繪示根據本揭示內容某些實施例，槽形奈米井的概要上視圖。
圖18繪示根據本揭示內容某些實施例，槽形奈米井的概要上視圖。
圖19A繪示根據本揭示內容某些實施例，具有一光束調整機構之波導的概要上視圖。
圖19B繪示根據本揭示內容某些實施例之間隔件的概要上視圖。
圖19C繪示根據本揭示內容某些實施例之覆蓋件的概要上視圖。
圖20繪示根據本揭示內容某些實施例之奈米井的間距，且此一間距亦為感測器裝置上之像素的尺寸。
圖21繪示三個通道所檢測到的經標記螢光團的光譜頻帶。
圖22繪示根據本揭示內容某些實施例之飛利浦型稜鏡。
圖23繪示根據本揭示內容某些實施例之光譜檢測的色散裝置。
圖24為根據本揭示內容某些實施例，具有奈米井之定序晶片的SEM剖面影像。
圖25A與圖25B繪示定序原始資料之影像框的快照。
圖26繪示來自一通道之奈米井的定序時間軌跡。
無
10:定序位點
31:定序晶片
32:檢測模組
33:雷射光源
34:雷射耦合器
35:波導
36:濾光器
321:感測器裝置
322:物鏡
323:投射透鏡

Claims (22)

  1. 一種用於連續單分子核酸定序的設備，其包含：一檢測模組，用以檢測由一定序晶片產生的一螢光，該檢測模組包含：一感測器裝置；一物鏡，具有一第一放大倍率；以及一投射透鏡，具有一第二放大倍率，其中該物鏡與該投射透鏡用以將該螢光由該定序晶片傳輸至該感測器裝置；以及其中該第二放大倍率小於1。
  2. 如請求項1所述的設備，其中該定序晶片包含一光耦合器、一波導及多個定序位點。
  3. 如請求項2所述的設備，其中該定序晶片進一步包含一光束調整機構。
  4. 如請求項1所述的設備，其中該檢測模組包含至少二感測器裝置，且該檢測模組還包含一分波器，用以將具有不同波長光譜範圍的該螢光指向該至少二感測器裝置。
  5. 如請求項4所述的設備，其中該分波器為一十字分色稜鏡。
  6. 如請求項4所述的設備，其中該分波器為一飛利浦型稜鏡。
  7. 如請求項1所述的設備，其中該檢測模組進一步包含一楔形稜鏡或一光柵，其可用以將該螢光的不同光譜範圍分入排列為一陣列的4、5或6個像素。
  8. 如請求項4所述的設備，其中該檢測模組包含三個感測器裝置，且該分波器為一十字分色稜鏡、一飛利浦型稜鏡或一立方分色分束器，其中該感測器裝置與該分波器黏合為一堅固件，且該分波器將該感測器裝置接收到的該螢光分入三個通道中，其波長分別為小於610nm、介於610nm到675nm以及大於675nm。
  9. 如請求項4所述的設備，其中該至少二感測器裝置固加於該分波器。
  10. 如請求項2所述的設備，其中該光耦合器包含一光柵耦合器，且該波導包含一薄膜波導或一通道波導，其中該光柵耦合器用以接收來自一激發光源的光線，且該薄膜波導或該通道波導用以引導該光線至該定序位點，以便在定序位點的底部形成一漸逝波激發場。
  11. 如請求項10所述的設備，其中該定序位點位於該波導的一上覆層所界定的一奈米井或一奈米溝槽中。
  12. 如請求項10所述的設備，其中各該定序位點的一底部包含一經修飾 表面，用以選擇性地固加定序複合物。
  13. 如請求項11所述的設備，其中該奈米井或該奈米溝槽的一底部具親水性。
  14. 如請求項11所述的設備，其中該奈米井或該奈米溝槽包含一寬度，介於約50nm到約650nm，以及一高度，介於約20nm到約600nm。
  15. 如請求項11所述的設備，其中該上覆層的一上表面具疏水性。
  16. 如請求項10所述的設備，其中該定序位點位於一圖樣化覆蓋層所界定的一奈米井或一奈米溝槽中。
  17. 如請求項16所述的設備，其中該圖樣化覆蓋層的一上表面具疏水性。
  18. 如請求項1所述的設備，進一步包含：一激發光源，用以發出激發光；以及一濾光器，用以阻擋該激發光進入該感測器裝置。
  19. 如請求項2所述的設備，其中該定序位點的一數量超過約150,000、300,000、500,000或1,000,000。
  20. 如請求項1所述的設備，其中該物鏡之一數值孔徑小於1。
  21. 如請求項2所述的設備，進一步包含一微流體結構，耦接於該定序位點。
  22. 如請求項4所述的設備，其中該檢測模組包含三個感測器裝置。
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