TWI790864B

TWI790864B - 多饋入天線

Info

Publication number: TWI790864B
Application number: TW110147669A
Authority: TW
Inventors: 翁金輅; 李偉宇; 鍾蔿
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2021-12-20
Filing date: 2021-12-20
Publication date: 2023-01-21
Also published as: CN116315600A; TW202327174A

Abstract

本發明提出一種多饋入天線，包含一第一導體層、一第二導體層、四個支撐導體部以及四個饋入導體線。該第二導體層具有一第一中心位置。該第二導體層與該第一導體層之間具有一第一間距。該四個支撐導體結構各自電氣連接該第一導體層以及該第二導體層，並且於該第二導體層形成四個電氣連接區域。該四個電氣連接區域分別各自從該第二導體層之不同邊緣往該第一中心位置延伸，使得該第二導體層形成四個相連的輻射導體平板。該四個饋入導體線均位於該第一導體層以及該第二導體層之間。該四個饋入導體線以及該四個支撐導體結構形成交錯環狀排列。各該饋入導體線各自具有一端電氣連接一耦合導體片。各該耦合導體片各自與不同的其中一該輻射導體平板之間具有一耦合間距。各該饋入導體線並各自具有另一端電氣連接一訊號源。該四個饋入導體線激發該第二導體層產生至少四個共振模態。該至少四個共振模態涵蓋至少一相同的第一通訊頻段。

Description

多饋入天線

本發明所屬之技術領域係關於一種多饋入天線設計，特別是關於一種能達成多天線整合的多饋入天線設計架構。

為了要能夠提升無線通訊品質與資料傳輸速率，導致了場型可變化多天線陣列架構以及多輸入多輸出(MIMO, Multi-Input Multi-Output System)多天線架構的應用普及。具有多天線單元整合優勢的天線設計已成為熱門的研究主題之一。然而，複數個相鄰相同頻段操作的天線，可能會產生相互耦合干擾以及鄰近環境耦合干擾的問題，因此可能會造成多天線間隔離度變差，而導致天線輻射特性衰減的情形發生。因此造成資料傳輸速度的下降，並增加了多天線整合的實現困難。因此，要如何才能夠成功將寬頻天線單元設計成高整合度的多天線陣列，並且同時達成良好匹配以及良好隔離度的優勢，是一項不易克服的技術挑戰。

部分的先前技術文獻已提出在多天線間接地面上設計週期性結構作為能量隔離器，來提升多天線間能量隔離度以及抗鄰近環境干擾能力的設計方式。然而這樣的設計方法，卻有可能造成製程不穩定因素，進而可能造成量產成本提高。並且可能導致激發額外的耦合電流，進而造成多天線間的相關係數增加。此外也有可能增加多天線陣列的整體尺寸，因此較不易應用實現於各種不同的無線裝置或設備當中。

因此需要一種可以解決上述這些問題的設計方式，以滿足未來高資料傳輸速度通訊裝置或設備的實際應用需求。

有鑑於此，本揭露的實施範例揭露一種多饋入天線。依據範例之一些實作例能解決上述等技術問題。

根據一實施範例，本揭露提出一種多饋入天線。該多饋入天線，包含一第一導體層、一第二導體層、四個支撐導體結構以及四個饋入導體線。該第二導體層其具有一第一中心位置，並且該第二導體層與該第一導體層之間具有一第一間距。該四個支撐導體結構均位於該第一導體層以及該第二導體層之間，並且各自電氣連接該第一導體層以及該第二導體層。該四個支撐導體結構於該第二導體層形成四個電氣連接區域，並且該四個電氣連接區域分別各自從該第二導體層之不同邊緣往該第一中心位置延伸，使得該第二導體層形成四個相連的輻射導體平板。該四個饋入導體線均位於該第一導體層以及該第二導體層之間，並且該四個饋入導體線以及該四個支撐導體結構形成交錯環狀排列。

各該饋入導體線各自具有一端電氣連接一耦合導體片之電氣連接點，各該耦合導體片各自與不同的其中一該輻射導體平之間具有一耦合間距。各該饋入導體線並各自具有另一端電氣連接一訊號源。該四個饋入導體線激發該第二導體層產生至少四個共振模態，該至少四個共振模態涵蓋至少一相同的第一通訊頻段。

為了對本案之上述及其他內容有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

圖1A為本揭露一實施例多饋入天線1之結構圖。如圖1A所示，該多饋入天線1，包含一第一導體層11、一第二導體層12、四個支撐導體結構131、132、133、134以及四個饋入導體線141、142、143、144。該第二導體層12其具有一第一中心位置121，並且該第二導體層11與該第一導體層12之間具有一第一間距d1。該四個支撐導體結構131、132、133、134均位於該第一導體層11以及該第二導體層12之間，並且各自電氣連接該第一導體層11以及該第二導體層12。該四個支撐導體結構131、132、133、134於該第二導體層12形成四個電氣連接區域1311、1321、1331、1341。並且該四個電氣連接區域1311、1321、1331、1341分別各自從該第二導體層12之不同邊緣1211、1212、1213、1214往該第一中心位置121延伸，使得該第二導體層12形成四個相連的輻射導體平板122、123、124、125。該支撐導體結構131、132、133、134由複數個導體線所組成。該四個饋入導體線141、142、143、144均位於該第一導體層11以及該第二導體層12之間。該四個饋入導體線141、142、143、144以及該四個支撐導體結構131、132、133、134，於該第一導體層11以及該第二導體層12之間形成交錯環狀排列。各該饋入導體線141、142、143、144各自具有一端電氣連接一耦合導體片1411、1421、1431、1441之電氣連接點14111、14211、14311、14411(如圖1B所示)。各該耦合導體片1411、1421、1431、1441各自與不同的其中一該輻射導體平板122、123、124、125之間具有一耦合間距s1、s2、s3、s4。各該饋入導體線141、142、143、144並各自具有另一端電氣連接一訊號源1412、1422、1432、1442。該四個饋入導體線141、142、143、144激發該第二導體層12產生至少四個共振模態14121、14221、14321、14421(如圖1C所示)，該至少四個共振模態14121、14221、14321、14421涵蓋至少一相同的第一通訊頻段15。其中，該耦合導體片1411、1421、1431、1441與該第二導體層12位於共同平面。該耦合間距s1、s2、s3、s4之距離介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。該四個支撐導體結構131、132、133、134使得該第一導體層11以及該第二導體層12之間的區域形成四個不同的共振空間161、162、163、164，並且該四個饋入導體線141、142、143、144分別位於不同的共振空間161、162、163、164中。該第一間距d1之距離介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.01波長到0.38波長之間。該第二導體層12之面積介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.25波長平方到0.99波長平方之間。圖1A為本揭露一實施例多饋入天線1之該四個耦合導體片1411、1421、1431、1441之四個電氣連接點14111、14211、14311、14411連線構成之封閉區域17結構圖。該四個電氣連接點14111、14211、14311、14411之連線構成一封閉區域17，該封閉區域17之面積介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.1波長平方到0.49波長平方之間。該封閉區域17之面積小於該第二導體層12之面積。該第一導體層11以及該第二導體層12也能實現於單層或多層介質基板上。本揭露一實施例多饋入天線1之該第二導體層12之形狀為圓形，該第二導體層12之形狀也可為方形、矩形、橢圓形、菱形、多邊形或其他不規則形狀或槽孔形狀之組合。該訊號源1412、1422、1432、1442係為傳輸線、阻抗匹配電路、放大器電路、饋入網路、開關電路、連接器元件、濾波器電路、積體電路晶片或射頻前端模組。該多饋入天線1可配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。

圖1A中本揭露一實施例多饋入天線1，其藉由設計該四個支撐導體結構131、132、133、134於該第二導體層12形成四個電氣連接區域1311、1321、1331、1341。並且該四個電氣連接區域1311、1321、1331、1341分別各自從該第二導體層12之不同邊緣1211、1212、1213、1214往該第一中心位置121延伸，使得該第二導體層12形成四個相連的輻射導體平板122、123、124、125。來成功達成該四個共振模態14121、14221、14321、14421共構共存激發機的多天線縮小化技術功效(如圖1C所示)。該多饋入天線1也藉由設計該四個饋入導體線141、142、143、144與該四個支撐導體結構131、132、133、134，於該第一導體層11以及該第二導體層12之間形成交錯環狀排列。並且設計該四個支撐導體結構131、132、133、134使得該第一導體層11以及該第二導體層12之間的區域形成四個不同的共振空間161、162、163、164，並且該四個饋入導體線141、142、143、144分別位於不同的共振空間161、162、163、164中。來成功使得該四個共振模態14121、14221、14321、14421達成良好的能量隔離程度(如圖1D所示)。該多饋入天線1藉由設計各該耦合導體片1411、1421、1431、1441各自與不同的其中一該輻射導體平板122、123、124、125之間具有一耦合間距s1、s2、s3、s4。以及設計該耦合間距s1、s2、s3、s4之距離介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。來成功使得該四個共振模態14121、14221、14321、14421達成良好的阻抗匹配程度(如圖1C所示)。該多饋入天線1並藉由設計該第一間距d1之距離介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.01波長到0.38波長之間，該第二導體層12之面積介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.25波長平方到0.99波長平方之間。以及設計該四個耦合導體片1411、1421、1431、1441之該四個電氣連接點14111、14211、14311、14411之連線構成一封閉區域17，該封閉區域17之面積介於該第一通訊頻段15的最低操作頻率之0.1波長平方到0.49波長平方之間，並且該封閉區域17之面積小於該第二導體層12之面積。來成功激發該多饋入天線1產生良好的輻射效率特性(如圖1E所示)。該多饋入天線1可配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。因此本揭露一實施例多饋入天線1能夠功達成多天線相容整合的技術功效。

圖1C為本揭露一實施例多饋入天線1之返回損失曲線圖。其選擇下列尺寸進行實驗：該第一間距d1之距離約為11 mm；該第二導體層12之面積約為2500 mm ²；封閉區域17之面積約為733 mm ²；該耦合間距s1、s2、s3、s4之距離均約為2 mm。如圖1C所示，該訊號源1412、1422、1432、1442激發該多饋入天線1產生四個匹配良好的共振模態14121、14221、14321、14421，該四個共振模態14121、14221、14321、14421涵蓋至少一第一通訊頻段15。在本實施例中，該第一通訊頻段15之頻段範圍為3300 MHz~5000 MHz，該第一通訊頻段15之最低操作頻率為3300 MHz。圖1D為本揭露一實施例多饋入天線1之隔離度曲線圖。如1D圖所示，該訊號源1412與該訊號源1422之間的隔離度曲線為141222，該訊號源1412與該訊號源1442之間的隔離度曲線為141242，該訊號源1412與該訊號源1432之間的隔離度曲線為141232。如圖1D所示，該多饋入天線1之多饋入訊號源1412與該訊號源1422、該訊號源1432、該訊號源1442之間均能夠達成良好的隔離度。圖1E為本揭露一實施例多饋入天線1之輻射效率曲線圖。如圖1E所示，相鄰兩訊號源1412、1422所激發該共振模態14121、14221均具有良好的輻射效率14122、14222。相鄰兩訊號源1432、1442與訊號源1412、1422位置大致對稱，該共振模態14321、14421同樣能達成良好的輻射效率特性。

圖1C、圖1D、圖1E所涵蓋之通訊頻段操作、實驗數據，僅是為了實驗證明圖1A中本揭露一實施例多饋入天線1之技術功效。並未用來限制本揭露多饋入天線1於實際應用情況所能涵蓋的通訊頻段操作、應用與規格。該多饋入天線1可配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。

圖2A為本揭露一實施例多饋入天線2之結構圖。如圖2A所示，該多饋入天線2，包含一第一導體層21、一第二導體層22、四個支撐導體結構231、232、233、234以及四個饋入導體線241、242、243、244。該第二導體層22其具有一第一中心位置221，並且該第二導體層21與該第一導體層22之間具有一第一間距d1。該四個支撐導體結構231、232、233、234均位於該第一導體層21以及該第二導體層22之間，並且各自電氣連接該第一導體層21以及該第二導體層22。該四個支撐導體結構231、232、233、234於該第二導體層22形成四個電氣連接區域2311、2321、2331、2341。並且該四個電氣連接區域2311、2321、2331、2341分別各自從該第二導體層22之不同邊緣2211、2212、2213、2214往該第一中心位置221延伸，使得該第二導體層22形成四個相連的輻射導體平板222、223、224、225。該支撐導體結構231、232、234均由單一導體片所組成。該支撐導體結構233由兩個導體片所組成。該第二導體層22之不同邊緣2212、2214並配置槽孔結構22121、22141來減少該第二導體層22之面積。該四個饋入導體線241、242、243、244均位於該第一導體層21以及該第二導體層22之間。該四個饋入導體線241、242、243、244以及該四個支撐導體結構231、232、233、234形成交錯環狀排列。各該饋入導體線241、242、243、244各自具有一端電氣連接一耦合導體片2411、2421、2431、2441之電氣連接點24111、24211、24311、24411(如圖2B所示)。各該耦合導體片2411、2421、2431、2441各自與不同的其中一該輻射導體平板222、223、224、225之間具有一耦合間距s1、s2、s3、s4。各該饋入導體線241、242、243、244並各自具有另一端電氣連接一訊號源2412、2422、2432、2442。該四個饋入導體線241、242、243、244激發該第二導體層22產生至少四個共振模態24121、24221、24321、24421(如圖2C所示)，該至少四個共振模態24121、24221、24321、24421涵蓋至少一相同的第一通訊頻段25。其中，該耦合導體片2411、2421、2431、2441位於該第一導體層21以及該第二導體層22之間。該耦合間距s1、s2、s3、s4之距離介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。該四個支撐導體結構231、232、233、234使得該第一導體層21以及該第二導體層22之間的區域形成四個不同的共振空間261、262、263、264，並且該四個饋入導體線241、242、243、244分別位於不同的共振空間261、262、263、264中。該第一間距d1之距離介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.01波長到0.38波長之間。該第二導體層22之面積介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.25波長平方到0.99波長平方之間。圖2B為本揭露一實施例多饋入天線2之該四個耦合導體片2411、2421、2431、2441之四個電氣連接點24111、24211、24311、24411連線構成之封閉區域27結構圖。該四個電氣連接點24111、24211、24311、24411之連線構成一封閉區域27，該封閉區域27之面積介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.1波長平方到0.49波長平方之間。該封閉區域27之面積小於該第二導體層22之面積。該槽孔結構22121、22141之間距介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。該第一導體層21以及該第二導體層22也能實現於單層或多層介質基板上。本揭露一實施例多饋入天線2之該第二導體層22之形狀為方形，該第二導體層12之形狀也可為矩形、圓形、橢圓形、菱形、多邊形或其他不規則形狀或槽孔形狀之組合。該訊號源2412、2422、2432、2442係為傳輸線、阻抗匹配電路、放大器電路、饋入網路、開關電路、連接器元件、濾波器電路、積體電路晶片或射頻前端模組。該多饋入天線2可配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。

圖2A中本揭露一實施例多饋入天線2，雖然其設計該支撐導體結構231、232、234由單一導體片所組成，該支撐導體結構233由兩個導體片所組成。並且該第二導體層22之不同邊緣2212、2214並配置槽孔結構22121、22141來減少該第二導體層之面積。以及設計該耦合導體片2411、2421、2431、2441位於該第一導體層21以及該第二導體層22之間。因此該實施例多饋入天線2與該實施例多饋入天線1之結構並不完全相同。然而該多饋入天線2其同樣藉由設計該四個支撐導體結構231、232、233、234於該第二導體層22形成四個電氣連接區域2311、2321、2331、2341。並且同樣設計該四個電氣連接區域2311、2321、2331、2341分別各自從該第二導體層22之不同邊緣2211、2212、2213、2214往該第一中心位置221延伸，使得該第二導體層22形成四個相連的輻射導體平板222、223、224、225。來成功達成該四個共振模態24121、24221、24321、24421共構共存激發機的多天線縮小化技術功效(如圖2C所示)。該多饋入天線2也同樣藉由設計該四個饋入導體線241、242、243、244與該四個支撐導體結構231、232、233、234，於該第一導體層21以及該第二導體層22之間形成交錯環狀排列。並且設計該四個支撐導體結構231、232、233、234使得該第一導體層21以及該第二導體層22之間的區域形成四個不同的共振空間261、262、263、264，並且該四個饋入導體線241、242、243、244分別位於不同的共振空間261、262、263、264中。來成功使得該四個共振模態24121、24221、24321、24421達成良好的能量隔離程度(如圖2D所示)。該多饋入天線2同樣藉由設計各該耦合導體片2411、2421、2431、2441各自與不同的其中一該輻射導體平板222、223、224、225之間具有一耦合間距s1、s2、s3、s4。以及設計該耦合間距s1、s2、s3、s4之距離介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。來成功使得該四個共振模態24121、24221、24321、24421達成良好的阻抗匹配程度(如圖2C所示)。該多饋入天線2並同樣藉由設計該第一間距d1之距離介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.01波長到0.38波長之間，該第二導體層22之面積介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.25波長平方到0.99波長平方之間。以及設計該四個耦合導體片2411、2421、2431、2441之該四個電氣連接點24111、24211、24311、24411之連線構成一封閉區域27(如圖2B所示)，該封閉區域27之面積介於該第一通訊頻段25的最低操作頻率之0.1波長平方到0.49波長平方之間，並且該封閉區域27之面積小於該第二導體層22之面積。來成功激發該多饋入天線2產生良好的輻射效率特性(如圖2E所示)。該多饋入天線2可配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。因此本揭露一實施例多饋入天線2同樣能夠功達成與該實施例多饋入天線1相同之多天線相容整合的技術功效。

圖2C為本揭露一實施例多饋入天線2之返回損失曲線圖。其選擇下列尺寸進行實驗：該第一間距d1之距離約為10 mm；該第二導體層22之面積約為1521 mm ²；封閉區域27之面積約為450 mm ²；該耦合間距s1、s2、s3、s4之距離均約為1 mm；該槽孔結構22121、22141之間距均約為3 mm。如圖2C所示，該訊號源2412、2422、2432、2442激發該多饋入天線2產生四個匹配良好的共振模態24121、24221、24321、24421，該四個共振模態24121、24221、24321、24421涵蓋至少一第一通訊頻段25。在本實施例中，該第一通訊頻段25之頻段範圍為3300 MHz~5000 MHz，該第一通訊頻段25之最低操作頻率為3300 MHz。圖2D為本揭露一實施例多饋入天線2之隔離度曲線圖。如2D圖所示，該訊號源2412與該訊號源2422之間的隔離度曲線為241222，該訊號源2412與該訊號源2442之間的隔離度曲線為241242，該訊號源2412與該訊號源2432之間的隔離度曲線為241232。如圖2D所示，該多饋入天線2之多饋入訊號源2412與該訊號源2422、該訊號源2432、該訊號源2442之間均能夠達成良好的隔離度。圖2E為本揭露一實施例多饋入天線2之輻射效率曲線圖。如圖2E所示，相鄰兩訊號源2412、2422所激發該共振模態24121、24221均具有良好的輻射效率24122、24222。另外相鄰兩訊號源2432、2442與訊號源2412、2422之配置大致對稱，因此該共振模態24321、24421同樣能達成良好的輻射效率特性。

圖2C、圖2D、圖2E所涵蓋之通訊頻段操作、實驗數據，僅是為了實驗證明圖2A中本揭露一實施例多饋入天線2之技術功效。並未用來限制本揭露多饋入天線2於實際應用情況所能涵蓋的通訊頻段操作、應用與規格。該多饋入天線2可配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。

綜上所述，雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案。本案所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1、2:多饋入天線 11、21:第一導體層 12、22:第二導體層 121、221:第一中心位置 131、132、133、134、231、232、233、234:支撐導體結構 1311、1321、1331、1341、2311、2321、2331、2341:電氣連接區域 1211、1212、1213、1214、2211、2212、2213、2214:第二導體層之不同邊緣 22121、22141:槽孔結構 122、123、124、125、222、223、224、225:輻射導體平板 141、142、143、144、241、242、243、244:饋入導體線 1411、1421、1431、1441、2411、2421、2431、2441:耦合導體片 14111、14211、14311、14411、24111、24211、24311、24411:電氣連接點 1412、1422、1432、1442、2412、2422、2432、2442:訊號源 14121、14221、14321、14421、24121、24221、24321、24421:共振模態 141222、141232、141242、241222、241232、241242:隔離度曲線 14122、14222、24122、24222:輻射效率曲線 15、25:第一通訊頻段 161、162、163、164、261、262、263、264:共振空間 17、27:封閉區域 d1:第一間距 s1:耦合間距 s2:耦合間距 s3:耦合間距 s4:耦合間距

圖1A為本揭露一實施例多饋入天線1之結構圖。圖1B為本揭露一實施例多饋入天線1之該四個耦合導體片之四個電氣連接點連線構成之封閉區域結構圖。圖1C為本揭露一實施例多饋入天線1之返回損失曲線圖。圖1D為本揭露一實施例多饋入天線1之隔離度曲線圖。圖1E為本揭露一實施例多饋入天線1之輻射效率曲線圖。圖2A為本揭露一實施例多饋入天線2之結構圖。圖2B為本揭露一實施例多饋入天線2之該四個耦合導體片之四個電氣連接點連線構成之封閉區域結構圖。圖2C為本揭露一實施例多饋入天線2之返回損失曲線圖。圖2D為本揭露一實施例多饋入天線2之隔離度曲線圖。圖2E為本揭露一實施例多饋入天線2之輻射效率曲線圖。

1:多饋入天線

11:第一導體層

12:第二導體層

121:第一中心位置

131、132、133、134:支撐導體結構

1311、1321、1331、1341:電氣連接區域

1211、1212、1213、1214:第二導體層之不同邊緣

122、123、124、125:輻射導體平板

141、142、143、144:饋入導體線

1411、1421、1431、1441:耦合導體片

1412、1422、1432、1442:訊號源

161、162、163、164:共振空間

d1:第一間距

s1:耦合間距

s2:耦合間距

s3:耦合間距

s4:耦合間距

Claims

一種多饋入天線，包含：一第一導體層；一第二導體層，其具有一第一中心位置，該第二導體層與該第一導體層之間具有一第一間距；四個支撐導體結構，均位於該第一導體層以及該第二導體層之間，各自電氣連接該第一導體層以及該第二導體層，該四個支撐導體結構於該第二導體層形成四個電氣連接區域，並且該四個電氣連接區域分別各自從該第二導體層之不同邊緣往該第一中心位置延伸，使得該第二導體層形成四個相連的輻射導體平板；以及四個饋入導體線，均位於該第一導體層以及該第二導體層之間，該四個饋入導體線以及該四個支撐導體結構形成交錯環狀排列，各該饋入導體線各自具有一端電氣連接一耦合導體片之電氣連接點，各該耦合導體片各自與不同的其中一該輻射導體平板之間具有一耦合間距，各該饋入導體線並各自具有另一端電氣連接一訊號源，該四個饋入導體線激發該第二導體層產生至少四個共振模態，該至少四個共振模態涵蓋至少一相同的第一通訊頻段。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該四個支撐導體結構使得該第一導體層以及該第二導體層之間的區域形成四個不同的共振空間，並且該四個饋入導體線分別位於不同的該共振空間中。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該第一間距d1之距離介於該第一通訊頻段的最低操作頻率之0.01波長到0.38波長之間。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該第二導體層之面積介於該第一通訊頻段的最低操作頻率之0.25波長平方到0.99波長平方之間。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該四個電氣連接點之連線構成一封閉區域，該封閉區域之面積介於該第一通訊頻段的最低操作頻率之0.1波長平方到0.49波長平方之間。
如請求項5所述之多饋入天線，其中，該封閉區域之面積小於該第二導體層之面積。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該耦合間距之距離介於該第一通訊頻段的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該訊號源係為傳輸線、阻抗匹配電路、放大器電路、饋入網路、開關電路、連接器元件、濾波器電路、積體電路晶片或射頻前端模組。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該支撐導體結構由複數個導體線所組成。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該支撐導體結構由單一或複數個導體片所組成。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該第二導體層之不同邊緣配置槽孔結構來減少該第二導體層之面積。
如請求項11所述之多饋入天線，其中，該槽孔結構之間距介於該第一通訊頻段的最低操作頻率之0.005波長到0.088波長之間。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該耦合導體片位於該第一導體層以及該第二導體層之間。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該耦合導體片與該第二導體層位於共同平面。
如請求項1所述之多饋入天線，其中，該多饋入天線配置單一組或配置多組應用於多輸入多輸出天線系統、場形切換天線系統或波束成型天線系統。