TWI783836B - 壓力烤箱的溫度調整方式以及壓力烤箱 - Google Patents

Abstract

一種壓力烤箱的溫度調整方式，包括：提供壓力烤箱。壓力烤箱包括腔體、設置於腔體內的冷卻器及連通於腔體的進氣單元。運作進氣單元，以對腔體充氣，而使腔體內的氣壓大於一大氣壓。腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量。在腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量下，運作位於腔體內的冷卻器，以對腔體進行降溫程序，以降低腔體內的溫度。

Description

壓力烤箱的溫度調整方式以及壓力烤箱

本發明是有關於一種烤箱以及一種溫度調整方式，且特別是有關於一種壓力烤箱以及用於壓力烤箱的溫度調整方式。

在半導體製程之中，經常需要在不同的溫度環境中進行作業，若加熱和/或冷卻速率愈快，則製程效率愈高。習知的壓力腔的冷卻方式是將腔體內的高溫氣體流入外部管路中，且在外部管路中設置冷卻裝置以冷卻氣體，之後再經由外部管路將冷卻後的氣體再次流入腔體內以冷卻腔體。由於需要將氣體引導至外部的管路進行冷卻，因此需要額外的空間以容納冷卻用的管路及冷卻裝置而使機體的體積增加。如何改善腔體的冷卻效率為本領域亟需解決的問題。

本發明提供一種壓力烤箱的溫度調整方式，在壓力烤箱的腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量下，藉由腔體內的冷卻器使腔體內的溫度快速下降，以達到使腔體快速降溫的目標。

本發明提供一種壓力烤箱，腔體內設有冷卻器，以在腔體內的氣壓大於一大氣壓下，透過腔體內的冷卻器使壓力烤箱具備在高壓環境下進行降溫的功能，且縮短腔體的降溫所需的時間。

本發明的壓力烤箱的溫度調整方式包括：提供一壓力烤箱。壓力烤箱包括一腔體、設置於腔體內的一冷卻器及連通於腔體的一進氣單元。運作進氣單元，以對腔體充氣，而使腔體內的氣壓大於一大氣壓。腔體內的一氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量。在腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量下，運作位於腔體內的冷卻器，以對腔體進行一降溫程序，以降低腔體內的溫度。

在本發明的一實施例中，壓力烤箱更包括設置於腔體內的一加熱器。在使腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量的步驟之後，且在降溫程序之前，運作加熱器，以使腔體內的溫度由一第一溫度增加至一第二溫度，且在降溫程序之後，腔體內的溫度由第二溫度降低至一第三溫度。

在本發明的一實施例中，壓力烤箱更包括設置於腔體外的加熱器。加熱器對進入腔體前的一氣體加熱，且加熱後的氣體充入腔體後，腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量，腔體內的溫度由第一溫度增加至第二溫度，且在降溫程序之後，腔體內的溫度由第二溫度降低至第三溫度。

在本發明的一實施例中，在使腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量的步驟中，腔體內的氣體分子數量為一第一氣體分子數量，且在降溫程序中，腔體內的氣體分子數量保持在第一氣體分子數量。

在本發明的一實施例中，在使該腔體內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量的步驟中，腔體內的氣體分子數量為第一氣體分子數量。在腔體內的氣體分子數量為第一氣體分子數量下，且在降溫程序之前，還包括：使腔體內的氣體的一部分洩出，而使腔體內的氣體分子數量下降至一第二氣體分子數量，其中第二氣體分子數量大於等於一大氣壓的氣體分子數量。

在本發明的一實施例中，第二氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量，在降溫程序中，腔體內的氣體分子數量保持在第二氣體分子數量。

在本發明的一實施例中，在腔體內的氣體分子數量下降至第二氣體分子數量之後，且於降溫程序之前，還包括：對腔體填充一外部氣體，以使腔體內的氣體分子數量提高至一第三氣體分子數量。外部氣體的溫度低於第二溫度。

本發明的壓力烤箱包括：一腔體、一冷卻器、一風扇、以及一進氣單元。冷卻器設置於腔體內，以使腔體降溫。風扇設置於腔體內。進氣單元連通於腔體，以對腔體充氣而增壓。進氣單元對腔體充氣，而使腔體內的氣壓大於一大氣壓。冷卻器對腔體進行一降溫程序，以降低腔體內的溫度。

在本發明的一實施例中，壓力烤箱更包括一洩壓閥，設置於腔體，以將腔體內的氣體排出而減壓。

在本發明的一實施例中，壓力烤箱更包括一加熱器，設置於腔體內以使腔體升溫。

在本發明的一實施例中，壓力烤箱更包括加熱器，設置於該腔體外，以對進入腔體前的氣體加熱。

在本發明的一實施例中，壓力烤箱不具有將腔體內的氣體導出腔體外，再回流至腔體內的冷卻回流管路。

基於上述，在本發明的壓力烤箱的溫度調整方式中，腔體內的氣體分子數量保持大於或等於一大氣壓的氣體分子數量，而使腔體內的氣壓保持大於或等於一大氣壓，且腔體直接透過腔體內的冷卻器執行降溫程序，以使腔體內的溫度從第二溫度快速下降至第三溫度，以達到使腔體快速降溫的目標。另外，在本發明的壓力烤箱中，透過進氣單元對腔體增壓，在腔體內的氣壓大於一大氣壓下，藉由腔體內的加熱器對腔體執行升溫程序且藉由腔體內的冷卻器對腔體執行降溫程序，而使壓力烤箱具備在高壓環境下進行降溫的功能，且縮短升溫及降溫程序所需的時間。

為了讓本發明的上述特徵及優點能夠更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。相同或相似之標號表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1是根據本發明的一實施例的壓力烤箱的示意圖。為了清楚表示壓力烤箱200a的元件設置關係，圖1的壓力烤箱200a的各構件未依比例繪製，且省略部分元件。

請參閱圖1，本實施例的壓力烤箱200a包括一腔體210、一加熱器220a、一冷卻器230、一風扇240以及一進氣單元250a。加熱器220a、冷卻器230以及風扇240設置於腔體210內，但加熱器220a的位置不以本實施例為限。例如，在其他實施例中，加熱器220a可設置在腔體210外。加熱器220a適於使腔體210升溫，冷卻器230適於使腔體210降溫。進氣單元250a連通於腔體210，進氣單元250a適於對腔體210充入一氣體310而使腔體210內的氣壓上升。

圖2是根據本發明的一實施例的加熱器及冷卻器的裝設的正視示意圖。請參閱圖1及圖2，圖1的加熱器220a及冷卻器230可視為圖2的加熱器220a及冷卻器230的側視示意圖。加熱器220a例如是電阻式加熱器，但本發明不限於此。加熱器220a包括一主體224a、多個線圈226a以及貫通主體224a的一開口222a，而使加熱器220a呈現O字形。線圈226a纏繞於主體224a，在升溫程序期間，藉由一外部裝置(未示出)施加一電流以使線圈226a發熱，而使腔體210的溫度上升。

冷卻器230例如是水冷式冷卻器，但本發明不限於此。冷卻器230包括多個鰭片232與至少一個水冷管234，水冷管234穿設於這些鰭片232之間。水冷管234還包括與一外部循環裝置(未示出)連通的一進水口235及一出水口236。藉由外部循環裝置使一液體(未示出)從進水口235流入水冷管234，液體透過鰭片232與腔體210進行熱交換後，具有高熱能的液體從出水口236被排出腔體210外。

在升溫程序期間，水冷管234內的液體被排出腔體210外，此時冷卻器230不具備冷卻功能而不影響加熱器220a的散熱。在降溫程序期間，藉由外部循環裝置使低溫的液體流入冷卻器230的水冷管234中以執行降溫程序。

值得一提的是，在其他實施例中，加熱器220a及冷卻器230的位置可相互調換，意即冷卻器230在加熱器220a的外部。換言之，本發明的加熱器220a及冷卻器230的設置方式不以本實施例為限，而是可以使腔體210升溫及降溫的任意的設置方式。

請回到圖1，本實施例的風扇240還包括一轉軸246以及一驅動馬達248。轉軸246連接風扇240及驅動馬達248，以驅動風扇240的轉動。風扇240適於吹動腔體210內的氣體310。氣體310在腔體210內流動，而使腔體210內的溫度均勻分布。

本實施例的加熱器220a與冷卻器230錯開地配置於風扇240的前側，且風扇240的尺寸小於或等於加熱器220a的尺寸。當然，加熱器220a、冷卻器230及風扇240的形式、尺寸及設置方式不以本實施例為限。在本實施例中，加熱器220a與冷卻器230對風扇240所在的平面上的投影至少部分重疊於風扇240。

如圖1所示，壓力烤箱200a可選擇地包括一洩壓閥260、一壓力感應裝置270、一溫度控制器280以及一壓力控制器290，但本發明不限於此。洩壓閥260設置於腔體210，以將腔體210內的氣體310排出而減壓。壓力感應裝置270適於感測腔體210內的氣壓。溫度控制器280適於確認腔體210內的溫度，以監測腔體210的降溫速率。壓力控制器290適於控制充入腔體210內的氣體310。

本實施例的壓力烤箱200a可應用於需要快速升溫及降溫的製程，例如除泡製程。透過壓力烤箱200a在高溫下去除腔體210內的元件(未示出)在晶粒黏著(die attached)、灌注封膠(potting)、底部填膠(underfill)、印刷塗膠(printing)以及光學膜貼附(OCA lamination)等製程工藝中產生的氣泡(void)，且透過一種溫度調整方式使得壓力烤箱200a的腔體210快速降溫，以增進製程效率。

圖3是根據本發明的一實施例的壓力烤箱的溫度調整方式的流程圖。請同時參閱圖1及圖3，圖1對應於圖3的步驟S110。進氣單元250a透過一管路252a將氣體310充入腔體210中，而使腔體210內的一氣體分子數量為一第一氣體分子數量N1，且腔體210內的溫度為一第一溫度T1(步驟S110)。此處的第一氣體分子數量N1大於一大氣壓的一氣體分子數量，而使腔體210內的氣壓為一第一壓力P1。第一壓力P1大於一大氣壓。本實施例的第一壓力P1例如是9大氣壓，但本發明不以此為限。

圖4A是圖1的壓力烤箱在一升溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。請同時參閱圖3及圖4A，圖4對應於圖3的步驟S122。在腔體210內的氣體分子數量為第一氣體分子數量N1下，運作加熱器220a及風扇240以對腔體210進行升溫程序，而使腔體210內的溫度由第一溫度T1增加至一第二溫度T2(步驟S122)。在升溫程序期間，腔體210內的氣體310被風扇240吹動而沿著箭頭方向流動，經由加熱器220a加熱而使具有高熱能的氣體310均勻散布至腔體210內，而使腔體210內的溫度均勻分布。在此階段，位於腔體210內的待加熱元件(未示出)便可快速地被加熱。

圖4B是根據本發明的另一實施例的壓力烤箱的示意圖。請同時參閱圖4A及圖4B，本實施例的壓力烤箱200b與上述實施例的壓力烤箱200a相似，兩者的差別在於：本實施例的加熱器220b設置在腔體210外，且加熱器220b與進氣單元250b的管路252b連接。加熱器220b適於在氣體310在管路252b中流動且在氣體310進入腔體210前，加熱氣體310。本實施例的加熱器220b的設置僅為一種範例而非限制，例如在其他實施例中，加熱器220b可環繞管路252b。此外，本實施例的壓力烤箱200b的設置方式不以本實施例為限。例如，在其他實施例中，腔體210內可設有額外的加熱器220b以提升腔體210的升溫效率。

請同時參閱圖3及圖4B，圖4B對應於圖3的步驟S110以及步驟S124。圖4B示出了壓力烤箱200b的另一升溫程序。本實施例的壓力烤箱200b的升溫程序是透過腔體210外的加熱器220b在腔體210外加熱氣體310。

如圖4B所示，壓力烤箱200b透過進氣單元250b向腔體210充入氣體310(步驟S110)，在氣體310被充入腔體210前，透過與管路252b連接的加熱器220b使氣體310在管路252b中被加熱。加熱後具有高熱能的氣體310藉由管路252b被充入腔體210內，而使腔體210內的溫度上升至第二溫度T2，腔體210內的氣體分子數量為第一氣體分子數量N1。此時腔體210內的壓力大於一大氣壓。

簡言之，請參閱圖3，步驟S122及步驟S124的差異在於腔體210的升溫方式。步驟S122是藉由設置在腔體210內的加熱器220a(圖4A)使腔體210升溫。步驟S124是藉由設置在腔體210外的加熱器220b(圖4B)使氣體310在腔體210外升溫後，再將氣體310通入腔體210內，而使腔體210升溫。

步驟S122或步驟S124均可使腔體210內的溫度上升至第二溫度T2，且使腔體210內的氣體分子數量為第一氣體分子數量N1。值得一提的是，由於步驟S122是在腔體210內的氣體分子數量為第一氣體分子數量N1下才開啟加熱器220a以執行增溫程序(圖4A)，因此步驟S122還包括等待氣體310充入腔體210內的等候時間，操作者可視需求選擇所需操作的步驟。

以下將以圖4A的壓力烤箱200a為範例，說明壓力烤箱200a在升溫程序(S122)之後的後續程序(例如，加壓程序、洩壓程序及降溫程序)的實施方式。需要注意的是，以下實施方式也適用於圖4B的壓力烤箱200b，而使壓力烤箱200b的腔體210內的溫度從第二溫度T2下降至一第三溫度T3。

圖5是圖4A的壓力烤箱在降溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。請同時參閱圖3及圖5，圖5對應於圖3的步驟S130、S140。在升溫程序(步驟S122)之後而需要降溫時，在腔體210內的氣體分子數量保持第一氣體分子數量N1下，關閉加熱器220a且運作冷卻器230(步驟S130)，以對腔體210進行降溫程序。

在降溫程序期間，風扇240持續開啟，腔體210內的氣體310沿箭頭方向流動，與冷卻器230進行熱交換。藉此，腔體210內的溫度快速的下降，直到腔體210內的溫度從第二溫度T2降低至第三溫度T3(步驟S140)。此時腔體210內的氣壓大於一大氣壓。

由於在本實施例的升溫程序及降溫程序期間(步驟S110、S122、S130、S140)，壓力烤箱200a的腔體210內的氣體分子數量保持在第一氣體分子數量N1。換言之，在腔體210內的氣壓大於一大氣壓(正壓狀態)下執行升溫程序及降溫程序。由於壓力烤箱200a的腔體210內的氣體分子數量大於一大氣壓的氣體分子數量，而可增加升溫與降溫的速率及效能。

此外，由於本實施例的降溫程序中的氣體310不會被排出，因此可縮短下一次的升溫程序的準備時間，例如，不需要再次充入氣體310而可直接進行升溫程序，以增進壓力烤箱200a的製程效率。

另外，由於本實施例的壓力烤箱200a不具有將腔體210內的氣體310導出腔體210外，再回流至腔體210內的冷卻回流管路。因此，腔體210內的降溫速率不會受到需流經整個管路才能冷卻的影響，而可更快速的降溫。例如，習知的具有冷卻回流管路的壓力烤箱的腔體的溫度從200度下降至80度大約需要15分鐘。本實施例的壓力烤箱200a的腔體210的溫度從200度降溫至80度大約需要7分鐘。

圖6為圖4A的壓力烤箱在洩壓程序期間的管路內的氣體流動方式的示意圖。請同時參閱圖3及圖6，圖6對應於圖3的步驟S150。本實施例的壓力烤箱200a的溫度調整方式還包括一洩壓程序。在升溫程序(步驟S122)結束並關閉加熱器220a之後且在降溫程序(步驟S130)之前，開啟洩壓閥260以將氣體310(圖4)的一部分洩出。

如圖6所示，氣體310的一部分沿箭頭方向在一管線262中流動，以藉由洩壓閥260將氣體310的一部分從腔體210內洩出，而使腔體210內的氣體分子數量從第一氣體分子數量N1下降至一第二氣體分子數量N2(步驟S150)，第二氣體分子數量N2大於或等於一大氣壓的氣體分子數量。此時腔體210內的氣壓為第二壓力P2，第二壓力P2大於或等於一大氣壓。本實施例的第二壓力P2例如是6大氣壓，但本發明不以此為限。

在洩出部分氣體310的同時，腔體210內的部分熱能隨部分氣體310洩出，而使腔體210內的熱能稍微下降。由於腔體210內還存在具有高熱能的元件(未示出)，因此仍需要進行降溫程序(步驟S130)以使腔體210內的溫度進一步下降。

圖7為圖6的壓力烤箱在降溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。請同時參閱圖3及圖7，圖7對應於圖3的步驟S130、140。此時腔體210內的氣體320為氣體310(圖4)在被洩壓閥260洩出之後的剩餘部分，腔體210內的氣體分子數量為第二氣體分子數量N2。

運作風扇240及冷卻器230以進行降溫程序(步驟S130)。如圖7所示，腔體210內的氣體320沿箭頭方向流動，以使腔體210內的溫度下降至第三溫度T3(步驟S140)，此時腔體210內的壓力大於或等於一大氣壓。

值得一提的是，請回到圖3，本實施例在降溫程序之前還包括了洩壓程序(步驟S150)，步驟S150的腔體210(圖6)內的部分熱能隨氣體310的一部分被排出腔體210外，因此，相較於前一實施例所描述地由步驟S122直接到步驟S130的降溫方法，本實施例在執行降溫程序前(步驟S130)，先執行洩壓程序(步驟S150)，而使得具有第二氣體分子數量N2的腔體210(圖6)內的熱能小於步驟S122中所提到的具有第一氣體分子數量N1的腔體210(圖5)內的熱能。因此，在降溫程序之前，實施步驟S150的腔體210內具有較少的熱能，以利後續降溫。

當然，由於降溫程序是依靠腔體210內的氣體310、320的循環，因此氣體310、320的分子數量將會影響腔體210的降溫效能。也就是說，由於第一氣體分子數量N1大於第二氣體分子數量N2，在降溫程序中，腔體210內若有第一氣體分子數量N1會比第二氣體分子數量N2還有較多的氣體分子可與冷卻器230進行熱交換，而可具有較佳的降溫效能。因此，無論是由步驟S122直接到步驟S130或是由步驟S122、S150到步驟S130，均具有有助於降溫的優點，操作者可視需求選擇所需操作的步驟。

圖8A為圖6的壓力烤箱在加壓程序期間的管路內的氣體流動方式的示意圖。請同時參閱圖3及圖8A，圖8A對應於圖3的步驟S152。在洩壓程序(步驟S150)之後且在降溫程序(步驟S130)之前，執行一加壓程序(步驟S152)。

開啟進氣單元250a以將一外部氣體330經由管路252a充入腔體210內，而使腔體210內的氣體分子數量從第二氣體分子數量N2上升至一第三氣體分子數量N3(步驟S152)，腔體210內的氣壓上升至第三壓力P3，第三壓力P3大於一大氣壓。本實施例的第三壓力P3例如是9大氣壓，但本發明不以此為限。外部氣體330的溫度低於第二溫度T2，而使腔體210內的溫度稍微下降。

圖8B為圖8A的壓力烤箱在降溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。此時腔體210內的氣體340包括外部氣體330與氣體310(圖4)在被洩壓閥260洩出之後的剩餘部分，且腔體210內的氣體分子數量保持第三氣體分子數量N3。運作風扇240及冷卻器230以執行降溫程序(步驟S130)。如圖7所示，腔體210內的氣體340沿箭頭方向流動，以使腔體210內的溫度下降至第三溫度T3(步驟S140)。此時腔體210內的氣壓為大於一大氣壓。

值得一提的是，請回到圖3，本實施例在洩壓程序(步驟S150)之後且在降溫程序(S130)之前，還包括了加壓程序(步驟S152)。由於步驟S152將外部氣體330充入腔體210(圖8A)內，因此相較於前一實施例所描述地由步驟S150直接到步驟S130的降溫方法，步驟S152的腔體210內的氣體分子數量(第三氣體分子數量N3)大於步驟S150中所提到的腔體210內的氣體分子數量(第二氣體分子數量N2)，因此步驟S152的腔體210具有較多的氣體分子可與冷卻器230進行熱交換，而可具有較佳的降溫效能。無論是由步驟S122、S150直接到步驟S130或是由步驟S122、S150、S152到步驟S130，均具有有助於降溫的優點，操作者可視需求選擇所需操作的步驟。

綜上所述，在本發明的壓力烤箱的溫度調整方式中，降溫程序期間的腔體的氣體分子數量(例如，第一氣體分子數量、第二氣體分子數量及第三氣體分子數量)大於或等於一大氣壓的氣體分子數量，而使腔體內的壓力大於或等於一大氣壓。換言之，腔體在正壓狀態下執行降溫程序。降溫程序結束後，腔體內的氣壓大於或等於一大氣壓，而使腔體可快速的再次執行升溫程序，以增進壓力烤箱的製程效率。在降溫程序期間，腔體僅透過腔體內的風扇及冷卻器進行降溫，而不需要使用額外的冷卻回流管路，因此本發明的壓力烤箱的降溫製程的降溫效率不會受到外部管路的影響，而使腔體可更快速的降溫以縮短降溫製程所需的時間。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

N1:第一氣體分子數量 N2:第二氣體分子數量 N3:第三氣體分子數量 P1:第一壓力 P2:第二壓力 P3:第三壓力 S110、S122、S124、S130、S140、S150、S152:步驟 T1:第一溫度 T2:第二溫度 T3:第三溫度 200a、200b:壓力烤箱 210:腔體 220a、220b:加熱器 222a:開口 224a:主體 226a:線圈 230:冷卻器 232:鰭片 234:水冷管 235:進水口 236:出水口 240:風扇 246:轉軸 248:驅動馬達 250a、252b:進氣單元 252a、252b、262:管路 260:洩壓閥 270:壓力感應裝置 280:溫度控制器 290:壓力控制器 310、320、340:氣體 330:外部氣體

圖1是根據本發明的一實施例的壓力烤箱的示意圖。 圖2是根據本發明的一實施例的加熱器及冷卻器的裝設的正視示意圖。 圖3是根據本發明的一實施例的壓力烤箱的溫度調整方式的流程圖。 圖4A是圖1的壓力烤箱在升溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。 圖4B是根據本發明的另一實施例的壓力烤箱的示意圖。 圖5是圖4A的壓力烤箱在降溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。 圖6為圖4A的壓力烤箱在洩壓程序期間的管路內的氣體流動方式的示意圖。 圖7為圖6的壓力烤箱在降溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。 圖8A為圖6的壓力烤箱在加壓程序期間的管路內的氣體流動方式的示意圖。 圖8B為圖8A的壓力烤箱在降溫程序期間的腔體內的氣體流動方式的示意圖。

N1:第一氣體分子數量

P1:第一壓力

T1:第一溫度

200a:壓力烤箱

210:腔體

220a:加熱器

222a:開口

224a:主體

230:冷卻器

240:風扇

246:轉軸

248:驅動馬達

250a:進氣單元

252a、262:管路

260:洩壓閥

270:壓力感應裝置

280:溫度控制器

290:壓力控制器

310:氣體

Claims (12)

1. 一種壓力烤箱的溫度調整方式，包括：提供一壓力烤箱，其中該壓力烤箱包括一腔體、設置於該腔體內的一冷卻器及連通於該腔體的一進氣單元；運作該進氣單元，以對該腔體充氣，而使該腔體內的氣壓大於一大氣壓，其中該腔體內的一氣體分子數量大於一大氣壓的一氣體分子數量；以及在該腔體內的該氣體分子數量大於一大氣壓的該氣體分子數量下，運作位於該腔體內的該冷卻器，以對該腔體進行一降溫程序，以降低該腔體內的溫度。
2. 如請求項1所述的壓力烤箱的溫度調整方式，其中該壓力烤箱更包括設置於該腔體內的一加熱器，在使該腔體內的該氣體分子數量大於一大氣壓的該氣體分子數量的步驟之後，且在該降溫程序之前，運作該加熱器，以使該腔體內的溫度由一第一溫度增加至一第二溫度，且在該降溫程序之後，該腔體內的溫度由該第二溫度降低至一第三溫度。
3. 如請求項1所述的壓力烤箱的溫度調整方式，其中該壓力烤箱更包括設置於該腔體外的一加熱器，該加熱器對進入該腔體前的一氣體加熱，且加熱後的該氣體充入該腔體後，該腔體內的該氣體分子數量大於一大氣壓的該氣體分子數量，該腔體內的溫度由一第一溫度增加至一第二溫度，且在該降溫程序之後，該腔體內的溫度由該第二溫度降低至一第三溫度。
4. 如請求項1所述的壓力烤箱的溫度調整方式，其中在使該腔體內的該氣體分子數量大於一大氣壓的該氣體分子數量的步驟中，該腔體內的該氣體分子數量為一第一氣體分子數量，且在該降溫程序中，該腔體內的該氣體分子數量保持在該第一氣體分子數量。
5. 如請求項1所述的壓力烤箱的溫度調整方式，其中在使該腔體內的該氣體分子數量大於一大氣壓的該氣體分子數量的步驟中，該腔體內的該氣體分子數量為一第一氣體分子數量，在該腔體內的該氣體分子數量為該第一氣體分子數量下，且在該降溫程序之前，還包括：使該腔體內的該氣體的一部分洩出，而使該腔體內的該氣體分子數量下降至一第二氣體分子數量，其中該第二氣體分子數量大於等於一大氣壓的該氣體分子數量。
6. 如請求項5所述的壓力烤箱的溫度調整方式，其中該第二氣體分子數量大於一大氣壓的該氣體分子數量，在該降溫程序中，該腔體內的該氣體分子數量保持在該第二氣體分子數量。
7. 如請求項5所述的壓力烤箱的溫度調整方式，其中在該腔體內的該氣體分子數量下降至該第二氣體分子數量之後，且於該降溫程序之前，還包括：對該腔體填充一外部氣體，以使該腔體內的該氣體分子數量提高至一第三氣體分子數量，其中該外部氣體的溫度低於一第二溫度。
8. 一種壓力烤箱，包括：一腔體；一冷卻器，設置於該腔體內，以使該腔體降溫；一風扇，設置於該腔體內；以及一進氣單元，連通於該腔體，以對該腔體充氣而增壓，其中該進氣單元對該腔體充氣，而使該腔體內的氣壓大於一大氣壓，該冷卻器對該腔體進行一降溫程序，以降低該腔體內的溫度。
9. 如請求項8所述的壓力烤箱，更包括一洩壓閥，設置於該腔體，以將該腔體內的氣體排出而減壓。
10. 如請求項8所述的壓力烤箱，更包括一加熱器，設置於該腔體內以使該腔體升溫。
11. 如請求項8所述的壓力烤箱，更包括一加熱器，設置於該腔體外，以對進入該腔體前的該氣體加熱。
12. 如請求項8所述的壓力烤箱，其中該壓力烤箱不具有將該腔體內的該氣體導出該腔體外，再回流至該腔體內的冷卻回流管路。

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