TWI780428B

TWI780428B - 具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件及超音波鍍膜方法

Info

Publication number: TWI780428B
Application number: TW109113883A
Authority: TW
Inventors: 陳裕龍
Original assignee: 華貿電機股份有限公司
Priority date: 2019-04-25
Filing date: 2020-04-24
Publication date: 2022-10-11
Also published as: TW202120743A

Abstract

一種具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件，其包括本體以及超音波鍍覆膜層。超音波鍍覆膜層覆蓋於本體上。超音波鍍覆膜層為導體。一種超音波鍍膜方法亦被提供。

Description

具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件及超音波鍍膜方法

本發明是有關於一種鍍覆件及鍍膜方法，且特別是有關於一種具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件及超音波鍍膜方法。

一般而言，常藉由電鍍的方式將金屬鍍覆於被鍍物上。然而，傳統電鍍過程中常會產生對人體有害的氣體，且電解液在電鍍過程或完成後會有化學廢棄固態及液態廢棄物的排放問題。另外，電鍍層與被鍍物之附著性會受電鍍的化學(如：電解)反應或條件之影響，而造成電鍍品質之不穩定。

本發明提供一種具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件及超音波鍍膜方法，其較為環保。

本發明的具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件包括本體以及超音波鍍覆膜層。超音波鍍覆膜層覆蓋於本體上，且超音波鍍覆膜層為導體。

在本發明的一實施例中，超音波鍍覆膜層的外表面的粗糙度大於或等於2微米。

在本發明的一實施例中，超音波鍍覆膜層的外表面的粗糙度小於或等於30微米。

在本發明的一實施例中，超音波鍍覆膜層的外表面具有多個凹陷，且各個凹陷的底部基本上為圓角。

本發明的超音波鍍膜方法包括以下步驟：提供超音波鍍膜設備，其包括超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器以及腔體，腔體具有被鍍物放置區及對應於被鍍物放置區的超音波產生區，超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器耦接於腔體的超音波產生區；將硬質顆粒置於超音波鍍膜設備的腔體內；將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區，且於將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區之前，將鍍覆材置於超音波鍍膜設備的腔體內或將鍍覆材覆蓋於本體上，其中鍍覆材為導體，且硬質顆粒的硬度大於鍍覆材的硬度；以及致能超音波鍍膜設備的超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器，以於本體上形成超音波鍍覆膜層。

在本發明的一實施例中，形成超音波鍍覆膜層的步驟包括：致能超音波鍍膜設備的超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器，以產生傳遞至腔體的超音波產生區的超音波；以及藉由超音波使鍍覆材及硬質顆粒撞擊本體，以於本體上形成超音波鍍覆膜層。

在本發明的一實施例中，超音波的頻率介於5KHz至1000KHz。

在本發明的一實施例中，超音波鍍膜設備包括聲波產生器，且超音波鍍膜方法包括致能聲波產生器，且聲波產生器的振幅小於或等於100微米。

在本發明的一實施例中，致能超音波鍍膜設備的超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器的時間大於或等於0.1分且小於或等於30分。

在本發明的一實施例中，鍍覆材的粒徑大於或等於0.5微米且小於或等於3000微米，且硬質顆粒的粒徑大於或等於0.5毫米且小於或等於10毫米。

基於上述，本發明可以藉由超音波鍍膜方法形成具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件，其製造過程不會有如電鍍製程般地化學廢棄固態及液態廢棄物的排放問題。

900:鍍覆件

910:本體

920:超音波鍍覆膜層

921:外表面

922:凹陷

S1、S2、S3、S4:步驟

100、200、300:超音波鍍膜設備

120:腔體

110:超音波產生器或高壓氣體產生器

210:高壓氣體產生器

310:聲波產生器

311:訊號產生件

312:傳感件及/或增壓件

313:揚聲件

620:鍍覆材

610:硬質顆粒

710:壓力板

圖1是依照本發明的一實施例的一種具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件的部分剖視示意圖。

圖2是依照本發明的一實施例的一種超音波鍍膜方法的流程示意圖。

圖3是依照本發明的第一實施例的一種超音波鍍膜設備及對應的超音波鍍膜方法的示意圖。

圖4是依照本發明的第二實施例的一種超音波鍍膜設備及對應的超音波鍍膜方法的示意圖。

圖5是依照本發明的第三實施例的一種超音波鍍膜設備及對應的超音波鍍膜方法的示意圖。

圖6是依照本發明的一實施例的一種具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件的使用方式的示意圖。

圖7A是[實驗例1]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡照片。

圖7B是[實驗例2]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡照片。

圖8A是[實驗例3]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡電腦造影影像立體圖。

圖8B是[實驗例3]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡剖面分析圖。

圖9A是[實驗例4]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的掃描電子顯微鏡照片。

圖9B是[實驗例4]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡照片。

圖10A是[實驗例5]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的掃描電子顯微鏡照片。

圖10B是[實驗例5]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡照片。

圖11A是[實驗例6]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡暨色散X射線譜分析的電腦造影影像剖面圖。

圖11B是[實驗例7]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡暨色散X射線譜分析的電腦造影影像剖面圖。

以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。

請參照圖1，具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件900包括本體910以及超音波鍍覆膜層920。超音波鍍覆膜層920覆蓋於本體910上。超音波鍍覆膜層920為導體。

值的注意的是，本發明並未限定本體910為導體或非導體。在一實施例中，本體910可以包括銅材、鋁材或其他類似的導體材。在一實施例中，本體910可以是導體材，且超音波鍍覆膜層920的抗氧化力可以大於本體910的抗氧化力。

在一實施例中，本體910可以包括塑膠材、陶瓷材或其他類似的非導體材。

在本實施例中，超音波鍍覆膜層920的外表面921的粗糙度(以常用的算術平均粗糙度(arithmetical mean height of a line；Ra)表示)可以大於或等於2微米(micrometer；μm)。在一實施例中，超音波鍍覆膜層920的外表面921的粗糙度可以大於或等於2微米，且可以小於或等於30微米。

在一實施例中，超音波鍍覆膜層920具有鉛筆硬度為3H或以上。鉛筆硬度可例如根據ASTM D 3363標準使用依KS G 2603規定的鉛筆心來測量。

一般而言，藉由電鍍的方式所形成的電鍍覆膜層的外表面可能較為光滑。舉例而言，電鍍覆膜層的粗糙度基本上小於或等於1微米。甚至，可以將電鍍覆膜層以研磨或拋光的方式，可能使其粗糙度基本上等於0。因此，或許可以藉由覆膜層的外表面的粗糙度來區分一般的電鍍覆膜層以及相同或相似於本發明的鍍覆件900上的超音波鍍覆膜層920。

在本實施例中，超音波鍍覆膜層920的外表面921具有多個凹陷922，且各個凹陷922的底部基本上為圓角。位於凹陷922底部的圓角可以是在形成超音波鍍覆膜層920的過程中，藉由撞擊的方式(如：硬質顆粒的撞擊)所形成的痕跡。也就是說，這些凹陷922的大小、深度或位置基本上會呈不同的分佈而可能不一致。舉例而言，超音波鍍覆膜層920的外表面921的所有凹陷922的底部基本上可以為圓角。

一般而言，藉由蒸鍍或濺鍍的方式所形成的堆疊覆膜層可以是結晶形態(單晶、多晶或非晶等)的堆疊。舉例而言，可以藉由加熱原材或電漿轟擊靶材的方式形成欲鍍的蒸氣分子或原子，而前述的蒸氣分子或原子可以沉積於被鍍物上成膜。如此一來，蒸鍍或濺鍍覆膜層的外表面可能較為光滑；或是，其下凹處可能會有因晶格邊界(lattice boundary)而有類似的夾角。因此，藉由顯微鏡觀察覆膜層的結晶形態來區分一般的蒸鍍/濺鍍覆膜層以及相同或相似於本發明的鍍覆件900上的超音波鍍覆膜層920。

請參照圖2，超音波鍍膜方法可以如下。

步驟1：提供超音波鍍膜設備(如：相同或相似於後續實施例的超音波鍍膜設備100、超音波鍍膜設備200或超音波鍍膜設備300；詳述如後)。提供超音波鍍膜設備包括超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器的至少其中之一以及腔體。腔體具有被鍍物放置區及對應於被鍍物放置區的超音波產生區。超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器耦接於腔體的超音波產生區。

在本實施例中，被鍍物放置區基本上不位於腔體的下方(此處為重力方向的下方)。舉例而言，在本實施例中，被鍍物放置區基本上可以位於腔體的最上方(此處為重力方向的最上方)。如此一來，可以使超音波鍍膜設備適於進行超音波鍍膜鍍覆，或更可以提升鍍覆的均勻度。

舉例而言，超音波產生器可以藉由元件(如：石英)震盪的方式產生對應的超音波，故於此不加以贅述。

舉例而言，可以藉由高壓氣體流經狹縫的方式產生對應的超音波，故於此不加以贅述。

舉例而言，聲波產生器可以包括可發出超音波的揚聲件(又可被稱為喇叭或音響)，故於此不加以贅述。

步驟2：將硬質顆粒(如：相同或相似於後續實施例的硬質顆粒610；詳述如後)置於超音波鍍膜設備的腔體內。

在一實施例中，硬質顆粒的粒徑大於或等於0.5毫米且小於或等於10毫米。

若硬質顆粒的粒徑小於0.5毫米，則可能(但，不限於)會因為體積或對應的質量過小，而較難撞擊鍍覆材；或是可能(但，不限於)會因為體積或對應的質量過小，而在進行超音波鍍覆時會沾附於本體。

若硬質顆粒的粒徑大於10毫米，則可能(但，不限於)會因為體積或對應的質量過大，而較難藉由超音波的方式被帶動。

在一實施例中，硬質顆粒的材質可以包括鋼珠，但本發明不限於此。

在一實施例中，硬質顆粒的材質可以白陶珠(如：氧化鋯(ZrO₂)珠或氧化鋁(Al₂O₃)珠)、黑陶珠(如：氮化矽(Si₃N₄)珠或碳化矽(SiC)珠)或其他類似的陶瓷珠，但本發明不限於此。

在一實施例中，硬質顆粒的尺寸或質量大於鍍覆材的的尺寸或質量，但本發明不限於此。

步驟3：將本體(即，被鍍物)置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區，且於將本體(即，被鍍物)置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區之前，將鍍覆材(如：相同或相似於後續實施例的鍍覆材620；詳述如後)置於腔體內或將鍍覆材覆蓋於本體上，其中鍍覆材為導體，且硬質顆粒的硬度大於鍍覆材的硬度。

在一實施例中，鍍覆材的粒徑大於或等於0.5微米且小於或等於3000微米

若鍍覆材的粒徑小於0.5微米，則可能(但，不限於)會因為鍍覆材的粒子過小，而較難鍍覆於本體(如：本體910；即，被鍍物)上。

若鍍覆材的粒徑大於3000微米，則可能(但，不限於)會因為鍍覆材的粒子過大，而較難較難藉由硬質顆粒撞擊而被鍍覆於本體(即，被鍍物)上。

在一實施例中，鍍覆材的材質可以包括錫、銅、銀、鋁或其他適宜的金屬，但本發明不限於此。

在一實施例中，鍍覆材的外型可以包括片狀或粒狀，但本發明不限於此。

在一實施例中，硬質顆粒與本體之間的結合力小於鍍覆材與本體之間的結合力。

在一實施例中，可以將鍍覆材置於超音波鍍膜設備的腔體內。舉例而言，可以在將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區之前，先將鍍覆材置於超音波鍍膜設備的腔體內。然後，將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區。

在一實施例中，可以將鍍覆材覆蓋於本體上。舉例而言，可以在將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區之前，先藉由介質(如：酒精，但不限)將鍍覆材塗覆於本體上。然後，將本體具有已覆蓋鍍覆材的一側面向腔體的方式將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區。

在一實施例中，可以將鍍覆材塗覆於本體上，且將鍍覆材置於超音波鍍膜設備的腔體內。然後，將本體具有已覆蓋鍍覆材的一側面向腔體的方式將本體置於超音波鍍膜設備的被鍍物放置區。

步驟4：致能(enable)超音波鍍膜設備的超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器，以於本體上形成超音波鍍覆膜層(如：超音波鍍覆膜層920)。

在一實施例中，步驟4可以包括：致能超音波鍍膜設備的超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器，以產生傳遞至腔體的超音波產生區的超音波；以及藉由超音波使鍍覆材及硬質顆粒撞擊本體，以於本體上形成超音波鍍覆膜層。

在一實施例中，超音波的頻率大於或等於5KHz，且小於或等於1000KHz。

若超音波的頻率小於5KHz，則可能(但，不限於)較難使鍍覆材及硬質顆粒產生有效的撞擊；或是，較難有效率地形成鍍膜。

若超音波的頻率大於1000KHz，則可能(但，不限於)較難使鍍覆材及硬質顆粒產生對應的振動。

在一實施例中，超音波鍍膜設備可以包括聲波產生器，且超音波鍍膜方法包括致能聲波產生器，且聲波產生器的振幅小於或等於100微米。

在一實施例中，在步驟4中致能超音波鍍膜設備的超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器的時間大於或等於0.1分鐘且小於或等於30分鐘。

在一實施例中，於進行超音波鍍覆以形成超音波鍍覆膜層時，腔體內可以具有氣體(如：大氣或保護性氣體)或具有低壓狀態。前述的氣體可以為大氣，但本發明不限於此。前述的氣體也可以包括二氧化碳、氮氣、氬氣或其他基本上不會與鍍覆材及硬質顆粒反應的保護性氣體。前述的低壓狀態可以為真空狀態，但本發明不限於此。

前述的超音波鍍膜設備及對應的超音波鍍膜方法舉例如下。

請參照圖1、圖2及圖3，在本實施例中，超音波鍍膜設備100可以包括超音波產生器或高壓氣體產生器110的至少其中之一以及腔體120。腔體120具有被鍍物放置區及對應於被鍍物放置區的超音波產生區。

然後，相同或相似於步驟2中所描述的內容，將硬質顆粒610置於超音波鍍膜設備100的腔體120內。

在一實施例中，可以將鍍覆材620置於超音波鍍膜設備100的腔體120內。舉例而言，可以在將本體910置於超音波鍍膜設備100的被鍍物放置區之前，先將鍍覆材620置於超音波鍍膜設備100的腔體120內。然後，相同或相似於步驟3中所描述的內容，將本體910置於超音波鍍膜設備100的被鍍物放置區。

在一實施例中，可以將鍍覆材620覆蓋於本體910上。舉例而言，可以在將本體910置於超音波鍍膜設備100的被鍍物放置區之前，先將鍍覆材620塗覆於本體910上。然後，將本體910具有已塗覆鍍覆材620的一側面向腔體120的方式將本體910置於超音波鍍膜設備100的被鍍物放置區。

在一實施例(如：本實施例)中，可以將鍍覆材620塗覆於本體910上，且將鍍覆材620置於超音波鍍膜設備100的腔體120內。然後，將本體910具有已覆蓋鍍覆材620的一側面向腔體120的方式將本體910置於超音波鍍膜設備100的被鍍物放置區。

然後，相同或相似於步驟4中所描述的內容，致能超音波鍍膜設備100的超音波產生器或高壓氣體產生器110，以於本體910上形成超音波鍍覆膜層920。

超音波產生器或高壓氣體產生器110的振動可產生對應的超音波，鍍覆材620及/或硬質顆粒可以藉由能量的傳遞(如：鍍覆材620及/或硬質顆粒直接接觸超音波產生器或高壓氣體產生器110；或是經由氣體的傳遞間接接觸超音波產生器或高壓氣體產生器110)，而使鍍覆材620被鍍覆於本體910上。

藉由上述的方式所形成的具有超音波鍍覆膜層920的鍍覆件900的部分剖面可以相同或相似於圖1所示，故於此不加以贅述。

圖4是依照本發明的第二實施例的一種超音波鍍膜設備及對應的超音波鍍膜方法的示意圖。第二實施例的超音波鍍膜設備200及對應的超音波鍍膜方法與第一實施例的超音波鍍膜設備100及對應的超音波鍍膜方法類似，相同或相似的標號表示相同或相似的構件、材料或元件，故針對圖3中說明過的構件於此不再贅述。

請參照圖1、圖2及圖4，在本實施例中，超音波鍍膜設備200可以包括超音波產生器210以及腔體120。

在本實施例中，於將本體910置於腔體120的被鍍物放置區之後可以再以壓力板710壓制欲被超音波鍍覆的本體910。如此一來，在致能超音波鍍膜設備200的超音波產生器210以於本體910上形成超音波鍍覆膜層920時，可能可以降低因振動而使本體910產生偏移的可能。

圖5是依照本發明的第三實施例的一種超音波鍍膜設備及對應的超音波鍍膜方法的示意圖。第三實施例的超音波鍍膜設備300及對應的超音波鍍膜方法與第二實施例的超音波鍍膜設備 200及對應的超音波鍍膜方法類似，相同或相似的標號表示相同或相似的構件、材料或元件，故針對圖4中說明過的構件於此不再贅述。

請參照圖1、圖2及圖5，在本實施例中，超音波鍍膜設備300可以包括聲波產生器310以及腔體120。聲波產生器310可以包括訊號產生件(signal generation)311、傳感件(transducer)及/或增壓件(booster)312、音極(horn)313。

在一實施例中，藉由聲波產生器310可以較容易地控制或調整超音波的頻率或音量大小。

圖6是依照本發明的一實施例的一種具有超音波鍍覆膜層920的鍍覆件900的使用方式的示意圖。

如圖6所示，可以使多個鍍覆件900的超音波鍍覆膜層920互相直接接觸，而可用於電力的傳輸。

[實驗例]

為表示前述實施例的超音波鍍膜方法可以形成具有超音波鍍覆膜層920的鍍覆件900，且鍍覆件900的超音波鍍覆膜層920可以與電鍍、蒸鍍或濺鍍的方式所形成的覆膜層有所區別，特別藉由以下實驗例進行說明。值得注意的是，以下各實驗例僅為示例性的舉例，而本發明並不受到下述實驗例限定。

[實驗例1]及[實驗例2]

圖7A是[實驗例1]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡照片。圖7B是[實驗例2]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡照片。

實驗例1的超音波鍍膜方法與實驗例2的超音波鍍膜方法基本相似，差別在於：實驗例1的超音波鍍膜方法的鍍膜時間小於實驗例2的超音波鍍膜方法的鍍膜時間。另外，實驗例1的超音波鍍膜方法的鍍膜時間與實驗例2的超音波鍍膜方法的鍍膜時間皆大於或等於0.1分且小於或等於30分。

請參照圖7A及圖7B，若鍍膜時間較短，則超音波鍍覆膜層920的外表面921的凹陷922分布較為分明；若鍍膜時間較長，則凹陷922邊界較為模糊或呈現粗糙狀。

[實驗例3]

圖8A是[實驗例3]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡電腦造影影像立體圖。圖8A是[實驗例3]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的數位顯微鏡剖面分析圖。

在[實驗例3]中，超音波鍍覆膜層920可以是藉由前述實施例的超音波鍍膜方法所形成。

如圖8A及圖8B所示，超音波鍍覆膜層920的外表面921的粗糙度(以常用的算術平均粗糙度(arithmetical mean height of a line；Ra)表示)大於或等於2微米。

[實驗例4]

圖9A是[實驗例4]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的掃描電子顯微鏡照片。圖9B是[實驗例4]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡照片。

在[實驗例4]中所使用的超音波鍍膜方法包括致能聲波產生器(如：前述實施例的聲波產生器310)，且聲波產生器的振幅介於30微米至50微米，鍍膜時間介於15分鐘至30分鐘。並且，所使用的硬質顆粒包括粒徑介於0.5毫米至2毫米的鋼珠。

如圖9A及圖9B所示，超音波鍍覆膜層920的外表面921具有多個凹陷922，且各個凹陷922的底部基本上為圓角。

[實驗例5]

圖10A是[實驗例5]的鍍覆件的超音波鍍覆膜層的外表面的掃描電子顯微鏡照片。圖10B是[實驗例5]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡照片。

在[實驗例5]中所使用的超音波鍍膜方法包括致能聲波產生器(如：前述實施例的聲波產生器310)，且聲波產生器的振幅介於70微米至100微米，鍍膜時間介於5分鐘至10分鐘。並且，所使用的硬質顆粒包括粒徑介於0.5毫米至2毫米的鋼珠。

如圖10A及圖10B所示，超音波鍍覆膜層920的外表面921具有多個凹陷922，且各個凹陷922的底部基本上為圓角。

[實驗例6]

圖11A是[實驗例6]的鍍覆件的部分剖面的掃描電子顯微鏡暨色散X射線譜(Energy-dispersive X-ray spectroscopy；EDS or EDX)分析的電腦造影影像剖面圖。

在[實驗例6]中，為將包括片狀或粒狀的錫質鍍覆材(如：前述實施例的鍍覆材620)，藉由超音波鍍膜方法鍍覆於包括鋁材的本體910上。也就是說，超音波鍍覆膜層920的材質可以包括錫。

如圖11A所示，藉由超音波鍍膜方法可適於形成包括鋁材本體910及錫質超音波鍍覆膜層920的鍍覆件900。

[實驗例7]

在[實驗例7]中，為將包括片狀或粒狀的錫質鍍覆材(如：前述實施例的鍍覆材620)，藉由超音波鍍膜方法鍍覆於包括銅材的本體910上。也就是說，超音波鍍覆膜層920的材質可以包括錫。

如圖11B所示，藉由超音波鍍膜方法可適於形成包括銅材本體910及錫質超音波鍍覆膜層920的鍍覆件900。

綜上所述，本發明可以藉由超音波鍍膜方法形成具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件，其製造過程不會有如電鍍製程般地化學廢棄固態及液態廢棄物的排放問題。

900:鍍覆件

910:本體

920:超音波鍍覆膜層

921:外表面

922:凹陷

Claims

一種具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件，包括：本體；以及超音波鍍覆膜層，覆蓋於所述本體上，且所述超音波鍍覆膜層為導體，其中所述超音波鍍覆膜層為藉由硬質顆粒撞擊所述本體，以將鍍覆材覆蓋於本體上而形成的鍍覆膜，且所述超音波鍍覆膜層的外表面的粗糙度大於或等於2微米。
如請求項1所述的具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件，其中所述超音波鍍覆膜層的所述外表面的粗糙度小於或等於30微米。
如請求項1所述的具有超音波鍍覆膜層的鍍覆件，其中所述超音波鍍覆膜層的外表面具有多個凹陷。
一種超音波鍍膜方法，包括：提供超音波鍍膜設備，包括：腔體，具有被鍍物放置區及對應於所述被鍍物放置區的超音波產生區；以及超音波產生器、高壓氣體產生器或聲波產生器，耦接於所述腔體的所述超音波產生區；將硬質顆粒置於所述超音波鍍膜設備的所述腔體內；將本體置於所述超音波鍍膜設備的所述被鍍物放置區，且於將所述本體置於所述超音波鍍膜設備的所述被鍍物放置區之前，將鍍覆材置於所述超音波鍍膜設備的所述腔體內或將所述鍍覆材覆蓋於所述本體上，其中所述鍍覆材為導體，且所述硬質顆粒的硬度大於所述鍍覆材的硬度；以及致能所述超音波鍍膜設備的所述超音波產生器、所述高壓氣體產生器或所述聲波產生器，以於所述本體上形成超音波鍍覆膜層。
如請求項4所述的超音波鍍膜方法，其中形成所述超音波鍍覆膜層的步驟包括：致能所述超音波鍍膜設備的所述超音波產生器、所述高壓氣體產生器或所述聲波產生器，以產生傳遞至所述腔體的所述超音波產生區的超音波；以及藉由所述超音波使所述鍍覆材及所述硬質顆粒撞擊所述本體，以於所述本體上形成超音波鍍覆膜層。
如請求項5所述的超音波鍍膜方法，其中所述超音波的頻率介於5KHz至1000KHz。
如請求項4所述的超音波鍍膜方法，其中所述超音波鍍膜設備包括所述聲波產生器，且所述超音波鍍膜方法包括致能所述聲波產生器，且所述聲波產生器的振幅小於或等於200微米。
如請求項4所述的超音波鍍膜方法，其中致能所述超音波鍍膜設備的所述超音波產生器、所述高壓氣體產生器或所述聲波產生器的時間大於或等於0.1分且小於或等於30分。
如請求項4所述的超音波鍍膜方法，其中：所述鍍覆材的粒徑大於或等於0.5微米且小於或等於3000微米；且所述硬質顆粒的粒徑大於或等於0.5毫米且小於或等於10毫米。