TWI779511B - 低壓降穩壓器及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
一種低壓降穩壓器,包含放大器、第一電晶體、第二電晶體以及交換器。第二電晶體耦接於放大器以及第一電晶體。交換器耦接於第一電晶體,其中當低壓降穩壓器的供電電壓值低於供電電壓閾值,交換器的第一路徑被選擇且第一交換器電壓值被傳送至第一電晶體以完全導通第一電晶體,且低壓降穩壓器的輸出電壓值相等於供電電壓值,其中當供電電壓值不低於供電電壓閾值,交換器的第二路徑被選擇且第二交換器電壓值被傳送至第一電晶體以關閉第一電晶體,且輸出電壓值係由第二電晶體以及放大器所調整。
Description
本揭示中所述實施例內容是有關於一種低壓降穩壓器及其控制方法,特別關於一種用以維持低壓降穩壓器的輸出電壓值的低壓降穩壓器及其控制方法。
低壓降穩壓器的通用供電電壓值為1.2V。但是,當供電電壓值變得低於默認值時,會引起較大的低壓降穩壓器輸出電壓值誤差並提供較小的驅動電流。當電源電壓值接近目標低壓降穩壓器輸出電壓值時,例如,當電源電壓值與目標低壓降穩壓器輸出電壓值之間存在差異較小時,先前的設計很難維持目標低壓降穩壓器的輸出電壓值。
在一些設計中,透過類比交換器的實施,以控制輸入到低壓降穩壓器的通路電晶體的閘極端的電壓值,並且通過控制通路電晶體的電導率來調節輸出電壓值。然而,在先前的設計中,當存在類比交換器的控制信號上有一個轉換時,會造成低壓降穩壓器的大輸出壓降,並且當造成低壓降穩壓器的大輸出壓降時,需要很長的響應時間才能達到目標輸出電壓。
本揭示之一些實施方式是關於一種低壓降穩壓器。此低壓降穩壓器包含放大器、第一電晶體、第二電晶體以及交換器。第二電晶體耦接於放大器以及第一電晶體。交換器耦接於第一電晶體,其中當低壓降穩壓器的供電電壓值低於供電電壓閾值,交換器的第一路徑被選擇且第一交換器電壓值被傳送至第一電晶體以完全導通第一電晶體,且低壓降穩壓器的輸出電壓值相等於供電電壓值,其中當供電電壓值不低於供電電壓閾值,交換器的第二路徑被選擇且第二交換器電壓值被傳送至第一電晶體以關閉第一電晶體,且輸出電壓值係由第二電晶體以及放大器所調整。
本揭示之一些實施方式是關於一種控制方法。此控制方法適用於低壓降穩壓器。此控制方法包含以下步驟:當供電電壓值低於供電電壓閾值時,傳送第一交換器電壓值至第一電晶體以完全導通第一電晶體,以使輸出電壓值相等於供電電壓值;以及當供電電壓值不低於供電電壓閾值時,傳送第二交換器電壓值至第一電晶體以關閉第一電晶體,以使輸出電壓值被第二電晶體以及放大器調整。
在本文中所使用的用詞『耦接』亦可指『電性耦接』,且用詞『連接』亦可指『電性連接』。『耦接』及『連接』亦可指二個或多個元件相互配合或相互互動。
請參閱第1圖。第1圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種低壓降穩壓器(LDO)100的示意圖低壓降穩壓器100包含放大器110、交換器150、電晶體130A以及電晶體130B。於連接關係上,放大器110耦接於電晶體130B,且電晶體130A耦接於電晶體130B以及交換器150。如第1圖所繪示的低壓降穩壓器100係作為例示說明之用,本案的實施方式不以此為限制。
於部分實施例中,當電晶體130A和130B的供電電壓值VDD低於供電電壓閾值時,交換器150的路徑P1被選擇,且包含電壓值VSS的交換器電壓值VSEL經由路徑P1被傳送至電晶體130A。於部分實施例中,當電晶體130A係為P型電晶體且電壓值VSS係為0,電晶體130A被完全導通,且輸出電壓值VOUT相等於供電電壓值VDD。
另一方面,於部分實施例中,當電晶體130A和130B的供電電壓值VDD不低於供電電壓閾值時,交換器150的路徑P0被選擇,且包含供電電壓值VDD的交換器電壓值VSEL經由路徑P0被傳送至電晶體130A。於部分實施例中,當電晶體130A係為P型電晶體,電晶體130A被關閉,且輸出電壓值VOUT係由放大器110以及電晶體130B調整。
請參閱第2圖。第2圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種低壓降穩壓器200的示意圖。
如第2圖所繪示,於部分實施例中,交換器150包含路徑P1以及路徑P0。路徑P1接收電壓值VSS,且路徑P0接收供電電壓值VDD。交換器150輸出交換器電壓值VSEL。交換器150由控制電壓值VCON控制。於部分實施例中,交換器150可實施為類比多工器。然而,本發明的實施方式不以此為限制。
如第2圖所繪示,於部分實施例中,電晶體130A係為P型電晶體。需注意的是,於本發明的實施例中,P型電晶體僅為例示說明之用,其他電晶體,例如N型電晶體,均在本公開的範圍內。
電晶體130A的第一端接收供電電壓值VDD,電晶體130A的第二端輸出輸出電壓值VOUT,且電晶體130A的控制端接收交換器電壓值VSEL。
當包含電壓值VSS的交換器電壓值VSEL被輸入至電晶體130A的控制端且電壓值VSS係為0時,電晶體130A完全導通,且輸出電壓值VOUT相等於供電電壓值VDD。另一方面,當包含供電電壓值VDD的交換器電壓值VSEL被傳送至電晶體130A時,電晶體130A關閉,且輸出電壓值VOUT由放大器110以及電晶體130B所調整。
請參閱第3圖。第3圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種控制電路170的示意圖。於部分實施例中,低壓降穩壓器200更包含控制電路170。控制電路170耦接於交換器150,且控制電路170用以輸出控制電壓值VCON至交換器150。
如第3圖所繪示,於部分實施例中,控制電路170包含比較器175、電阻R2以及電阻R3。比較器175的第一輸入端接收供電電壓值VDD的電壓分壓值VDIV。比較器175的第二輸入端接收內部參考電壓值VDIVR。
於部分實施例中,當電壓分壓值VDIV低於內部參考電壓值VDIVR,比較器175輸出值為1的控制電壓值VCON,如第2圖所繪示的交換器150的路徑P1被導通。另一方面,當電壓分壓值VDIV不低於內部參考電壓值VDIVR時,比較器175輸出值為0的控制電壓值VCON,且如第2圖所繪示的交換器150的路徑P0被導通。
請再次參閱第2圖。於部分實施例中,當供電電壓值VDD低於供電電壓閾值時,如第3圖所繪示的控制電路170輸出值為1的控制電壓值VCON,且交換器150的路徑P1被導通,交換器150的路徑P0不導通。另一方面,當供電電壓值VDD不低於供電電壓閾值時,控制電路170輸出值為0的控制電壓值VCON,且交換器150的路徑P0被導通,而交換器150的路徑P1不被導通。
如第2圖所繪示,於部分實施例中,放大器110的第一輸入端接收輸出電壓閾值VOUTR,放大器110的第二輸入端接收輸出電壓值VOUT,放大器110的輸出端輸出放大器輸出值VAO。
於部分實施例中,電晶體130B係為P型電晶體。需注意的是,本發明的實施例中,P型電晶體僅為例示說明之用,其他的電晶體,例如N型電晶體,均在本公開的範圍內。
電晶體130B的第一端接收供電電壓值VDD,電晶體130B的第二端輸出輸出電壓值VOUT,且電晶體130B的控制端接收放大器輸出值VAO。
於部分實施例中,當輸出電壓值VOUT低於輸出電壓閾值VOUTR時,由放大器110輸入至電晶體130B的放大器輸出值VAO降低,接著輸出電壓值VOUT升高。另一方面,當輸出電壓值VOUT高於輸出電壓閾值VOUTR時,由放大器110輸入至電晶體130B的放大器輸出值VAO升高,接著輸出電壓值VOUT降低。
於部分實施例中,電晶體130B的導通程度係反比例於放大器輸出值VAO,以達到上述的特徵。詳細而言,當放大器輸出值VAO降低,電晶體130B的導通程度較高。另一方面,當放大器輸出值VAO升高,電晶體130B的導通程度較低。
此外,於部分實施例中,低壓降穩壓器200更包含連接於放大器110以及電晶體130B之間的電容C。於部分實施例中,低壓降穩壓器200更包含連接於電晶體130B的第二端的電阻R1。於部分實施例中,低壓降穩壓器200更包含連接於放大器110的電流源CS。
請參閱第4圖。第4圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種控制方法400的流程圖。需注意的是,控制方法400可以應用於具有與第1圖所示的低壓降穩壓器100和低壓降穩壓器200相同或結構相似的電器裝置。為了簡化以下的描述,以第1圖所示的實施例為例,對本發明實施例中的控制方法400進行描述。然而,本案的實施方式不以上述第1圖和第2圖為限制。如第4圖所示,控制方法400包含步驟S410以及S430。
於步驟S410中,當供電電壓值低於供電電壓閾值時,傳送第一交換器電壓值至第一電晶體以完全導通第一電晶體,以使輸出電壓值相等於供電電壓值。於部分實施例中,步驟S410可由如第2圖所示之交換器150執行。
舉例而言,請一併參閱第1圖。當電晶體130A和130B的供電電壓值VDD低於供電電壓閾值,交換器150的路徑P1被選擇,包含電壓值VSS的交換器電壓值VSEL經由路徑P1被傳送至電晶體130A。於部分實施例中,當電晶體130A係為P型電晶體且電壓值VSS係為0,電晶體130A係完全導通,且輸出電壓值VOUT相等於供電電壓值VDD。
於步驟S430中,當供電電壓值不低於供電電壓閾值時,傳送第二交換器電壓值至第一電晶體以關閉第一電晶體,以使輸出電壓值由第二電晶體以及放大器調整。於部分實施例中,步驟S430可由如第2圖所繪示的交換器150執行。
舉例而言,請一併參閱第1圖。當電晶體130A和130B的供電電壓值VDD不低於供電電壓閾值時,交換器150的路徑P0被選擇,且包含供電電壓值VDD的交換器電壓值VSEL經由路徑P0被傳送至電晶體130A。於部分實施例中,當電晶體130A係為P型電晶體,電晶體130A被關閉,且輸出電壓值VOUT由放大器110以及電晶體130B調整。
綜上所述,本案之實施例藉由提供一種低壓降穩壓器及其控制方法,以便在供電電壓值接近目標低壓降穩壓器輸出電壓值時維持低壓降穩壓器輸出電壓值。透過使用交換器以控制輸入至低壓降穩壓器的通路電晶體的閘極端的電壓值,例如第1圖中的電晶體130A,通路電晶體130A可被完全導通,且當供電電壓值VDD接近目標輸出電壓值時,輸出電壓值VOUT相等於供電電壓值VDD。當低壓降穩壓器的負載條件很重時,通路電晶體還能夠提供誤差很小的輸出電壓值VOUT。此外,當交換器150的控制電壓值VCON改變且所選擇的路徑由路徑P1改變為路徑P0時,通路電晶體130A被關閉且輸出電壓值VOUT由放大器110以及通路電晶體130B調節,因此,在路徑改變期間可能不會引起輸出電壓值VOUT的大幅下降。
另外,上述例示包含依序的示範步驟,但該些步驟不必依所顯示的順序被執行。以不同順序執行該些步驟皆在本揭示內容的考量範圍內。在本揭示內容之實施例的精神與範圍內,可視情況增加、取代、變更順序及/或省略該些步驟。
雖然本揭示已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本揭示,任何本領域具通常知識者,在不脫離本揭示之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:低壓降穩壓器
110:放大器
130A,130B:電晶體
150:交換器
VSS:電壓值
VDD:電壓值
VOUT:輸出電壓值
VOUTR:輸出電壓閾值
P0,P1:路徑
VSEL:交換器電壓值
200:低壓降穩壓器
VAO:放大器輸出值
C:電容
CS:電流源
R1,R2,R3:電阻
175:比較器
VCON:控制電壓值
VDIV:電壓分壓值
VDIVR:內部參考電壓值
400:控制方法
S410,S430:步驟
為讓本揭示之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能夠更明顯易懂,所附圖式之說明如下:
第1圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種低壓降穩壓器的示意圖;
第2圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種低壓降穩壓器的示意圖;
第3圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種控制電路的示意圖;以及
第4圖是依照本揭示一些實施例所繪示的一種控制方法的流程圖。
100:低壓降穩壓器
110:放大器
130A,130B:電晶體
150:交換器
VSS:電壓值
VDD:電壓值
VOUT:輸出電壓值
VOUTR:輸出電壓閾值
P0,P1:路徑
VSEL:交換器電壓值
Claims (13)
- 一種低壓降穩壓器,包含:一放大器;一第一電晶體;一第二電晶體,耦接於該放大器以及該第一電晶體;以及一交換器,耦接於該第一電晶體,其中當該低壓降穩壓器的一供電電壓值低於一供電電壓閾值,該交換器的一第一路徑被選擇且一第一交換器電壓值被傳送至該第一電晶體以完全導通該第一電晶體,且該低壓降穩壓器的一輸出電壓值相等於該供電電壓值,其中當該供電電壓值不低於該供電電壓閾值,該交換器的一第二路徑被選擇且一第二交換器電壓值被傳送至該第一電晶體以關閉該第一電晶體,且在該第一電晶體關閉的情形下,該輸出電壓值係由該第二電晶體以及該放大器所調整。
- 如請求項1所述的低壓降穩壓器,其中該第一交換器電壓值係為0,且該第二交換器電壓值係為該供電電壓值。
- 如請求項1所述的低壓降穩壓器,其中該第一電晶體以及該第二電晶體係為PMOS電晶體。
- 如請求項1所述的低壓降穩壓器,其中當該 輸出電壓值低於一輸出電壓閾值,輸入至該第二電晶體的一放大器輸出值降低,其中當該輸出電壓值不低於該輸出電壓閾值,輸入至該第二電晶體的該放大器輸出值升高。
- 如請求項4所述的低壓降穩壓器,其中該放大器的一第一輸入端接收該輸出電壓閾值,該放大器的一第二輸入端接收該輸出電壓值,且該放大器的一輸出端輸出該放大器輸出值。
- 如請求項4所述的低壓降穩壓器,其中當輸入至該第二電晶體的該放大器輸出值降低,該輸出電壓值升高,且當輸入至該第二電晶體的該放大器輸出值升高,該輸出電壓值降低。
- 一種控制方法,適用於一低壓降穩壓器,包含:當一供電電壓值低於一供電電壓閾值時,傳送一第一交換器電壓值至一第一電晶體以完全導通該第一電晶體,以使一輸出電壓值相等於該供電電壓值;以及當該供電電壓值不低於該供電電壓閾值時,傳送一第二交換器電壓值至該第一電晶體以關閉該第一電晶體,且在該第一電晶體關閉的情形下,該輸出電壓值由一第二電晶體以及一放大器調整。
- 如請求項7所述的控制方法,其中該第一交換器電壓值係為0且該第二交換器電壓值係為該供電電壓值。
- 如請求項7所述的控制方法,更包含:選擇一交換器的一第一路徑以傳送該第一交換器電壓值至該第一電晶體;以及選擇該交換器的一第二路徑以傳送該第二交換器電壓值至該第一電晶體。
- 如請求項7所述的控制方法,其中由該第二電晶體以及該放大器調整該輸出電壓值更包含:當該輸出電壓值低於一輸出電壓閾值時,降低輸入至該第二電晶體的一放大器輸出值;以及當該輸出電壓值不低於一輸出電壓閾值時,升高輸入至該第二電晶體的該放大器輸出值。
- 如請求項10所述的控制方法,其中該第一電晶體的一導通程度係反比例於該放大器輸出值。
- 如請求項10所述的控制方法,更包含:由該放大器的一第一端接收該輸出電壓閾值;由該放大器的一第二端接收該輸出電壓值;以及依據該輸出電壓值以及該輸出電壓閾值輸出該放大器 輸出值。
- 如請求項12所述的控制方法,更包含:當該放大器輸出值降低時升高該輸出電壓值;以及當該放大器輸出值升高時降低該輸出電壓值。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200825651A (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-16 | System General Corp | Low dropout (LDO) regulator and regulating method thereof |
TW201333659A (zh) * | 2012-01-10 | 2013-08-16 | Monolithic Power Systems Inc | 低壓差電壓調節器及電壓轉換方法 |
US20150168969A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | Joseph Shor | Accurate power-on detector |
US20160085284A1 (en) * | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Rohm Co., Ltd. | Power supply device |
US20160085251A1 (en) * | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Rohm Co., Ltd. | Power supply device |
US20160202714A1 (en) * | 2013-09-26 | 2016-07-14 | Intel Corporation | Low dropout voltage regulator integrated with digital power gate driver |
US20160291619A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Qualcomm Incorporated | Ultra low power low drop-out regulators |
US20180150090A1 (en) * | 2016-11-29 | 2018-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Low-dropout regulator circuit |
US20180284826A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Voltage regulator circuit, corresponding device, apparatus and method |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001147726A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-05-29 | Seiko Instruments Inc | ボルテージ・レギュレータ |
JP4869839B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-02-08 | 株式会社リコー | ボルテージレギュレータ |
US7723969B1 (en) * | 2007-08-15 | 2010-05-25 | National Semiconductor Corporation | System and method for providing a low drop out circuit for a wide range of input voltages |
TW201017359A (en) * | 2008-10-20 | 2010-05-01 | Advanced Analog Technology Inc | Low dropout regulator having a current-limiting mechanism |
US9146570B2 (en) * | 2011-04-13 | 2015-09-29 | Texas Instruments Incorporated | Load current compesating output buffer feedback, pass, and sense circuits |
JP6228769B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2017-11-08 | ローム株式会社 | 電源回路 |
WO2015094252A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | Intel Corporation | Digital synthesizable low dropout regulator with adaptive gain |
JP6491520B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-27 | ローム株式会社 | リニア電源回路 |
US9600007B2 (en) * | 2015-07-28 | 2017-03-21 | National Taipei University Of Technology | Low dropout regulator with wide input voltage range |
US9684325B1 (en) * | 2016-01-28 | 2017-06-20 | Qualcomm Incorporated | Low dropout voltage regulator with improved power supply rejection |
US9977444B1 (en) * | 2017-02-20 | 2018-05-22 | Beken Corporation | Power management system and method of the same |
TWI657328B (zh) * | 2017-11-28 | 2019-04-21 | 立積電子股份有限公司 | 低壓降穩壓器及電源輸出裝置 |
JP7042117B2 (ja) * | 2018-03-08 | 2022-03-25 | ローム株式会社 | リニアレギュレータ |
CN110658880B (zh) * | 2018-06-28 | 2020-12-04 | 晶豪科技股份有限公司 | 低压降电压稳压器 |
US10545523B1 (en) * | 2018-10-25 | 2020-01-28 | Qualcomm Incorporated | Adaptive gate-biased field effect transistor for low-dropout regulator |
US11474548B2 (en) * | 2020-04-03 | 2022-10-18 | Wuxi Petabyte Technologies Co, Ltd. | Digital low-dropout regulator (DLDO) with fast feedback and optimized frequency response |
-
2020
- 2020-08-24 US US17/000,383 patent/US11329559B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-08 TW TW110108213A patent/TWI779511B/zh active
- 2021-05-07 CN CN202110493249.0A patent/CN114089799B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200825651A (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-16 | System General Corp | Low dropout (LDO) regulator and regulating method thereof |
TW201333659A (zh) * | 2012-01-10 | 2013-08-16 | Monolithic Power Systems Inc | 低壓差電壓調節器及電壓轉換方法 |
US20160202714A1 (en) * | 2013-09-26 | 2016-07-14 | Intel Corporation | Low dropout voltage regulator integrated with digital power gate driver |
US20150168969A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | Joseph Shor | Accurate power-on detector |
US20160085284A1 (en) * | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Rohm Co., Ltd. | Power supply device |
US20160085251A1 (en) * | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Rohm Co., Ltd. | Power supply device |
US20160291619A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Qualcomm Incorporated | Ultra low power low drop-out regulators |
US20180150090A1 (en) * | 2016-11-29 | 2018-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Low-dropout regulator circuit |
US20180284826A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Voltage regulator circuit, corresponding device, apparatus and method |
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