TWI778530B - 基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種技術，該技術具有：處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與處理室之下方連通，供複數片基板移載至基板支撐具；以及加熱裝置，其具備與配置於移載室內之基板支撐具之位置對應地將複數片基板加熱之加熱部、供來自加熱部之熱穿透之穿透窗、及使熱反射至基板支撐具與穿透窗之間的反射板。

Description

基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置之製造方法。
於半導體元件之製造步驟中之基板(晶圓)之熱處理中，例如使用立式基板處理裝置。於立式基板處理裝置中，由基板保持件將複數片基板沿垂直方向排列並保持，將基板保持件搬入至處理室內。其後，於已對處理室加熱之狀態下向處理室內導入處理氣體，對基板進行薄膜形成處理。例如記載於專利文獻1中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-100736號公報
(發明所欲解決之問題)
本發明提供一種能夠提高基板之加熱效率之技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種技術，該技術具有：處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與處理室之下方連通，供複數片基板移載至基板支撐具；以及加熱裝置，其具備與配置於移載室內之基板支撐具之位置對應地將複數片基板加熱之加熱部、供來自加熱部之熱穿透之穿透窗、及使熱反射至基板支撐具與穿透窗之間的反射板。 (對照先前技術之功效)
根據本發明，能夠提高基板之加熱效率。
＜本發明之實施形態＞ 以下，使用圖1至圖7對本發明之一實施形態之半導體製造裝置進行說明。
(1)基板處理系統之構成 本實施形態之半導體製造裝置構成為立式基板處理裝置(以下，稱為基板處理系統)1，其實施作為半導體裝置(元件)之製造方法中之製造步驟之一步驟的熱處理等基板處理步驟。如圖1所示，基板處理系統1對基板10進行處理，主要由IO平台61、大氣搬送室1200、裝載閉鎖室1300、真空搬送室170、基板處理裝置101所構成。
圖1表示支撐複數片基板10之晶舟200下降至移載室300之狀態，該移載室300設置於真空搬送室170側方之腔室180之下方，圖2係表示圖1之一部分之圖，表示作為基板支撐具之晶舟200上升而處於第1反應管110內部之狀態。再者，真空搬送室170亦稱為轉移模組。又，基板處理裝置101亦稱為製程模組。接下來，對各構成具體進行說明。
[大氣搬送室、IO平台] 於基板處理系統1之面前設置有IO平台(裝載埠)61。構成為於IO平台61上可搭載複數個作為收納容器之盒62。盒62用作搬送矽(Si)晶圓等基板10之載具，構成為於盒62內將複數片基板10分別以水平姿勢收納。再者，盒62內最多收納25片基板10。
於盒62上設置蓋60，藉由下述盒開啟器1210來開關。盒開啟器1210藉由將載置於IO平台61之盒62之蓋60開關，使基板搬入搬出口1280開放、封閉，而可實現基板10相對於盒62之進出。盒62藉由未圖示之步驟內搬送裝置(RGV)而相對於IO平台61供給及排出。
IO平台61與大氣搬送室1200鄰接。大氣搬送室1200在與IO平台61不同之面上連結下述裝載閉鎖室1300。
於大氣搬送室1200內設置有作為移載基板10之第1搬送機器人之大氣搬送機器人1220。大氣搬送機器人1220構成為藉由設置於大氣搬送室1200之升降機1230而升降，並且構成為藉由線性致動器1240而沿左右方向往返移動。
於大氣搬送室1200之上部設置有供給潔淨空氣之清潔單元1250。
於大氣搬送室1200之框體1270之前側設置有用於將基板10相對於大氣搬送室1200搬入搬出之基板搬入搬出口1280、及盒開啟器1210。於隔著基板搬入搬出口1280與盒開啟器1210相反之側，即框體1270之外側設置有IO平台(裝載埠)61。
於大氣搬送室1200之框體1270之後側設置有用於將基板10相對於裝載閉鎖室1300搬入搬出之基板搬入搬出口1290。基板搬入搬出口1290藉由下述閘閥1330而開放、封閉，藉此而可實現基板10之進出。
[裝載閉鎖(L/L)室] 裝載閉鎖室1300與大氣搬送室1200鄰接。於構成裝載閉鎖室1300之框體1310具有之面中與大氣搬送室1200不同之面，如下所示地配置有真空搬送室170。由於框體1310內之壓力係與大氣搬送室1200之壓力及真空搬送室170之壓力相應地發生變動，故而裝載閉鎖室1300構成為可承受負壓之構造。
框體1310中於與真空搬送室170鄰接之側設置有基板搬入搬出口1340。基板搬入搬出口1340藉由閘閥1350而開放、封閉，藉此而可實現基板10之進出。
進而，於裝載閉鎖室1300內設置有載置基板10之基板載置台1320。
[真空搬送室170] 基板處理系統1具備作為搬送室之真空搬送室(轉移模組)170，該搬送室成為於負壓下供基板10搬送之搬送空間。於真空搬送室170之各邊連結有裝載閉鎖室1300及對基板10進行處理之基板處理裝置101。於真空搬送室170之大致中央部，以凸緣35為基部而設置有移載機30，該移載機30作為於負壓下在裝載閉鎖室1300與腔室180之間移載(搬送)基板10之真空搬送機器人。
移載機30例如具有支撐1片基板10之鑷子31、可伸縮之臂32、旋轉軸33、基部34、凸緣35、升降機構部36等。真空搬送室170構成為藉由升降機構部36及凸緣35來維持氣密性。構成為可藉由利用該升降機構部36使移載機30進行動作，而可於裝載閉鎖室1300與晶舟200之間搬送基板10。
[基板處理裝置101] 基板處理裝置101具備：反應管，其由沿著鉛直方向延伸之圓筒形狀之第1反應管110、及配置於該第1反應管內側之第2反應管120構成；以及作為第1加熱手段(爐體)之加熱器100，其設置於第1反應管110之外周。構成反應管之第1反應管110及第2反應管120例如由石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)等材料形成。第1反應管110之內部相對於外部大氣藉由未圖示之手段而氣密地密封。第2反應管120之內部形成處理室115。此處，第1反應管110亦稱為外筒、外管、外部管。又，第2反應管120亦稱為內筒、內管、內部管。再者，此處，示出由第1反應管110及第2反應管120構成反應管之例，但不限於此。例如，即便僅由第1反應管110構成反應管，亦可應用本發明之技術。
再者，加熱器100亦可構成為區帶加熱器，該區帶加熱器於上下方向上具有複數個區帶，而能夠於上下方向上進行區帶控制。
[基板支撐具] 作為基板支撐具之晶舟200係經由隔熱部150而由支撐桿160支撐。晶舟200係構成為具備直立之複數個支柱202、隔開固定間隔而由複數個支柱202支撐之圓板201、及於圓板201之間由支柱202支撐之基板支撐部203。晶舟200藉由在由複數片圓板201分隔出之空間內將基板10載置於安裝在支柱202的基板支撐部203，而使複數片、例如5片基板10以水平姿勢且中心相互對齊之狀態沿垂直方向排列而分多段支撐。此處，基板10係隔開固定間隔地排列。晶舟200例如由石英或碳化矽等耐熱性材料形成。由隔熱部150及晶舟200構成基板保持體。基板處理時，晶舟200如圖2所示地被收容於第2反應管120之內部。再者，此處，示出由晶舟200支撐5片基板10之例，但並不限於此。例如，亦可以構成能支撐5～50片左右之基板10之晶舟200。再者，圓板201亦稱為隔板。
[隔熱部150] 隔熱部150具有上下方向之熱傳導或熱傳遞變小之構造。又，亦可構成為於隔熱部150之內部具有空洞。再者，亦可於隔熱部150之下表面形成孔。藉由設置該孔，隔熱部150之內部與外部不會產生壓力差，亦可不使隔熱部150之壁面變厚。再者，亦可於隔熱部150內設置蓋加熱器152。
[腔室180] 腔室180設置於第2反應管120之下部，具備作為移載室300之移載空間330及加熱空間340。於移載室300之內部收容有晶舟200及由支撐桿160支撐之隔熱部150。於移載室300之外部、例如外側下方，設置作為晶舟200之升降機構之晶舟升降機40。移載空間330構成為供基板10載置(搭載)於晶舟200及進行取出之空間。加熱空間340構成為對載置於晶舟200之基板10進行加熱之空間。
再者，移載空間330之垂直方向之長度構成為較加熱空間340之垂直方向之長度更短。換言之，加熱空間340之垂直方向之長度構成為較移載空間330之垂直方向長度更長。藉由構成為此種大小關係，能夠縮短下述將基板10載置於晶舟200後至加熱基板10為止之時間。
有時會於基板搬入口331設置冷卻流路190。於此情形時，來自經加熱之晶舟200、加熱器100及加熱部321之熱向冷卻流路190傳遞，由此導致新基板10之升溫速率下降。
藉由構成為此種大小關係，能夠使新基板10遠離冷卻流路190附近之低溫區域，從而可改善新基板10之升溫速率。再者，此種加熱空間340之垂直方向之長度亦可以說是包含隔熱部150及晶舟200之基板載置區域整體之長度。
此處，腔室180係由SUS(不鏽鋼)或Al(鋁)等金屬材料所構成。於此情形時，有可能因加熱空間340而導致腔室180之移載室300膨脹。於此情形時，亦可構成為如圖1所示，於腔室180之移載室300之外側設置冷卻流路191，而能夠冷卻移載室300。
進而，於腔室180之移載室300安裝有向內部供給惰性氣體之惰性氣體供給管301。可以自惰性氣體供給管301向移載室300之內部供給惰性氣體，以移載室300之內部壓力高於第1反應管110之內部壓力之方式進行調整。藉由如此構成，能夠抑制向第1反應管110內部之處理室115供給之處理氣體進入至移載室300之內部。
[加熱裝置320] 加熱空間340係藉由晶舟200及以下述加熱部321等所構成之加熱裝置320而對基板10進行加熱之空間，其設置於移載空間330之下方。如圖2所示，加熱裝置320係由設置於移載室300之外且供來自作為下述熱源之燈加熱器之紅外線(熱或光)穿透之窗(穿透窗)310、設置於窗310之外部且將基板10加熱之加熱部321、配置於設在移載室300內之晶舟200與窗310之間且反射來自加熱部321之熱或光之反射板322、及設置於與窗310對向之位置之反射板323所構成。亦可於加熱部321之外側設置利用冷卻水將加熱部321冷卻之冷卻部324。
如圖3、4所示，窗310較腔室180之壁181之開口更大，藉由安裝構件311而固定於壁181之外側。壁181與窗310藉由O形環182而氣密地密封。窗310由不會因溫度上升或大氣壓而變形之構件形成，其具有聚光功能，能夠控制加熱曲線，例如由以石英形成之板構成。
加熱部321係由棒狀之燈加熱器321a構成，該燈加熱器321a係與配置於移載室300內之晶舟200之位置對應地，相對於複數片基板10而沿水平方向延伸且於垂直方向上設置有複數個。複數個燈加熱器321a係自側面加熱由晶舟200保持之複數片基板10。燈加熱器321a由燈保持件321b保持，燈保持件321b係固定於窗310。燈加熱器321a例如使用直管之鹵素燈或紅外線燈為佳。再者，亦將燈加熱器321a稱為加熱部。又，加熱部321亦可相對於基板10而沿水平方向延伸且於水平方向上設置複數個棒狀之燈加熱器。
反射板322形成為筒狀長方體，安裝於壁181之矩形狀開口之端部，向晶舟200之方向延伸。反射板322係朝向燈光之照射範圍而加以圍繞之呈屋簷形狀之板，其具有光導功能。筒狀長方體之反射板322之上下表面之反射板322a、322b係與載置於晶舟200之基板10平行地設置，兩側面之反射板係與基板10垂直地設置。藉此，晶舟200與窗310之間由反射板322包圍。反射板322較佳為由表面粗度較少(表面粗度(Ra)為0.05 μ以下)之鋁形成。
[移載空間330] 於移載空間330中，使用移載機30經由基板搬入口331而將搭載於晶舟200之基板10自晶舟200中取出，並將新基板10載置於晶舟200。再者，於基板搬入口331設置有將移載空間330與腔室180之間隔開之閘閥(GV)332。
支撐桿160被支撐於晶舟升降機40。驅動晶舟升降機40而使支撐桿160上下移動，使晶舟200相對於第2反應管120搬入或搬出。支撐桿160連接於設置在晶舟升降機40上之旋轉驅動部42。藉由利用旋轉驅動部42而使支撐桿160旋轉，藉此而能夠使隔熱部150及晶舟200旋轉。
基板處理系統1中，由未圖示之氣體供給手段，自配置於第2反應管120內部之作為氣體供給部之噴嘴130供給用於基板處理之氣體。自噴嘴130供給之氣體可根據所形成之膜之種類而適當更換。自噴嘴130向第2反應管120之內部供給原料氣體、反應氣體及惰性氣體等。
另一方面，自噴嘴130向第2反應管120內部供給之氣體中，無助於成膜之反應氣體係通過第2反應管120與第1反應管110之上側之間隙121及下側之開口部122，藉由未圖示之排氣泵而自作為排氣部之排氣管140向外部排出。
於第1反應管110之下端部形成有泵抽部111。泵抽部111設置於較加熱器100更靠下側，藉此，能夠於第1反應管110之內部且較泵抽部111之更上部確保加熱器100之均熱區域。
第2反應管120之開口部122設置於泵抽部111之配置位置之周圍的複數個位置。藉由將開口部122設置於泵抽部111之配置位置之周圍，即靠近腔室180側之側，而能夠抑制自惰性氣體供給管301供給之惰性氣體過度地繞入處理室側。較理想為，第2反應管120具有能供晶舟200安全地搬入搬出之最小限度之內徑。
[控制器260] 如圖1及圖5所示，基板處理裝置101或基板處理系統1具有控制各部之動作之控制器260。
如圖5所示，作為控制部(控制手段)之控制器260構成為具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)260a、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)260b、記憶裝置260c、I/O埠260d之電腦。RAM 260b、記憶裝置260c、I/O埠260d構成為能夠經由內部匯流排260e而與CPU 260a進行資料交換。控制器260上構成為可連接例如構成為觸控面板等之輸入輸出裝置261或外部記憶裝置262。
記憶裝置260c例如由快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動機)等所構成。於記憶裝置260c內可讀出地儲存有控制基板處理裝置之動作之控制程式、或者記載有下述基板處理之程序或條件等之製程配方等。再者，製程配方係以能使控制器260執行下述基板處理步驟中之各程序並獲得既定結果之方式組合而成者，其作為程式而發揮功能。以下，亦將該程式配方或控制程式等統括地簡稱為程式。再者，於本說明書中使用程式一詞時，可能僅單獨包括程式配方，可能僅單獨包括控制程式，或者可能包括此兩者。又，RAM 260b構成為暫時保存由CPU 260a讀出之程式或資料等之記憶體區域(工作區)。
I/O埠260d連接於閘閥1330、1350、1490、升降機構部36、晶舟升降機40、加熱器100、加熱部321、壓力調整器(未圖示)、真空泵(未圖示)等。又，亦可進而連接於作為真空搬送機器人之移載機30、大氣搬送機器人1220、裝載閉鎖室1300、氣體供給部(質量流量控制器MFC(未圖示)、閥(未圖示))等。再者，本發明中之「連接」包括各部藉由物理纜線相連之含義，但亦包括可直接或間接發送/接收各部之信號(電子資料)之含義。例如，可於各部之間設置中轉信號之機件、或者轉換或運算信號之機件。
CPU 260a構成為讀出並執行來自記憶裝置260c之控制程式，並且根據來自控制器260之操作指令之輸入等而自記憶裝置260c讀出製程配方。而且，CPU 260a構成為按照讀出之製程配方之內容，控制閘閥1330、1350、332之開關動作、升降機構部36、晶舟升降機40之升降動作、旋轉驅動部42之旋轉動作、向加熱器100、加熱部321之電力供給動作、作為真空搬送機器人之移載機30、大氣搬送機器人1220。進而，亦進行氣體供給部(質量流量控制器MFC(未圖示)、閥(未圖示))之控制，但省略圖示。
再者，控制器260不限於構成為專用電腦之情形，亦可構成為通用電腦。例如，藉由準備儲存上述程式之外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD或DVD等光碟、MO等磁光碟、USB記憶體或記憶卡等半導體記憶體)262，使用該外部記憶裝置262將程式安裝於通用電腦等，而可構成本實施形態之控制器260。再者，用於向電腦提供程式之手段不限於經由外部記憶裝置262提供。例如，亦可使用網路263(網際網路或專用線路)等通訊手段，不經由外部記憶裝置262而提供程式。再者，記憶裝置260c或外部記憶裝置262構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，將其等統括地簡稱為記錄媒體。再者，於本說明書中使用記錄媒體一詞時，可能僅單獨包括記憶裝置260c，可能僅單獨包括外部記憶裝置262，或者可能包括此兩者。
(2)基板處理步驟 接下來，參照圖6及圖7，針對使用上述基板處理裝置來製造半導體裝置(半導體元件)之製造步驟中之一步驟，即，於基板上形成絕緣膜，例如作為含矽膜之氧化矽(SiO)膜之例進行說明。圖7中，示出於晶舟200支撐13片基板10之例。再者，於以下說明中，由控制器260控制構成基板處理裝置101之各部之動作。
再者，於本發明中，使用「基板」一詞時亦與使用「晶圓」一詞時相同，於此情形時，上述說明中，只要將「基板」替換成「晶圓」來考慮即可。
以下，作為半導體裝置之製造步驟中之一步驟，示出包括於基板10上成膜之成膜步驟S203之一系列基板處理步驟的流程例。
[環境氣體預先調整步驟：S200] 首先，利用加熱器100將處理室115內或晶舟200加熱至成膜步驟S203之既定溫度。此時，晶舟200係以配置於圖7(d)所示之處理位置之狀態進行加熱。達到既定溫度之後，利用未圖示之真空泵而以處理室115之內部成為所期望之壓力(真空度)之方式自排氣管140(參照圖1)進行真空排氣。再者，利用加熱器100進行之處理室115內之加熱、或者處理室115內之排氣係至少於對基板10之處理完成為止的期間持續進行。
又，亦可將加熱部321設為ON，以成為既定溫度之方式對加熱空間340內進行預加熱。
[基板搬入步驟：S201] 接著，進行基板搬入步驟S201。於基板搬入步驟中，至少進行基板載置步驟S201a及第1基板加熱步驟S201b。
[基板載置步驟：S201a、第1基板加熱步驟：S201b] 此處，並列進行基板載置步驟S201a與第1基板加熱步驟S201b。
[基板載置步驟：S201a] 首先，對基板載置步驟S201a進行說明。進行將基板10載置於晶舟200之步驟。具體而言，自圖7(d)之狀態，成為圖7(a)所示之設置於晶舟200之最下側之基板支撐部203插入至移載室300之移載空間330內的狀態。亦稱為於移載空間330內插入1個節距(pitch，載置一片基板之基板支撐部203)之狀態。此時，晶舟200之大部分成為與加熱器100對向，並被加熱之狀態。於此狀態下，經由移載空間330之基板搬入口331而自移載機30(參照圖1)將基板10載置於晶舟200之基板支撐部203。反覆進行如上操作，同時利用晶舟升降機40(參照圖1)使支撐桿160(參照圖1)以晶舟200之基板支撐部203的1節距為單位逐步下降(晶舟下降)，從而將基板10載置於晶舟200之所有段之基板支撐部203。
[第1基板加熱步驟：S201b] 接下來，使用圖7(a)對第1基板加熱步驟S201b進行說明。第1基板加熱步驟S201b係自上述基板載置步驟S201a中載置於晶舟200之基板10起依序進行。如圖7(a)所示，載置於自下數起第1個節距之基板10至少被經加熱之晶舟200加熱。如此，將加熱基板10之步驟稱為第1基板加熱步驟S201b。如圖7(b)所示，持續進行第1基板加熱步驟S201b直至基板10載置於晶舟200之所有段之基板支撐部203。於該步驟中，基板10例如被加熱至200～450℃左右之範圍之溫度帶。
又，於基板載置步驟S201a中，晶舟200之旋轉成為停止狀態。由於晶舟200之旋轉停止，故而於晶舟200之旋轉方向(基板10之圓周方向)上，可能會沿基板10或晶舟200之旋轉方向(圓周方向)形成溫度差(溫度分佈)。例如，面向基板搬入口331之部分之溫度可能會低於其他部分之溫度。為了消除此溫度差，在新基板10載置於晶舟200之最上部之基板支撐部203之後，使晶舟200旋轉為佳。
[第2基板加熱步驟：S202] 使晶舟200上升之前，進行第2基板加熱步驟S202。於第2基板加熱步驟S202中，在圖7(c)所示之狀態下待機既定時間，使晶舟200旋轉以消除基板10之圓周方向之溫度差，同時經由窗310，利用加熱部321將加熱空間340內之基板10加熱至既定溫度。例如加熱至200～450℃左右之範圍之溫度帶。
接下來，於晶舟200之所有段之基板支撐部203上載置有基板10之狀態下，利用晶舟升降機40使支撐桿160上升，將晶舟200搬入(晶舟裝載)至第2反應管120之內部(圖7(d)所示之狀態)。
再者，晶舟裝載時，處理室115下側之溫度可能會過度。於此情形時，將加熱器100構成為具有於上下方向上分割而成之區帶的區帶加熱器，使下部之區帶之加熱器之輸出小於其他區帶之加熱器之輸出即可。
於此狀態下，移載室300及處理室115之內部藉由未圖示之真空泵而自排氣管140進行真空排氣，故而晶舟於真空狀態下自移載室300被搬入至處理室115。藉此，當晶舟200自移載室300搬入至處理室115之後，無需對處理室115進行真空排氣之時間，而能夠縮短整體之處理時間。如此，藉由在真空狀態下將晶舟200自移載室300搬入至處理室115，而能夠抑制處理室115之溫度下降。又，能夠於將加熱後之基板10自移載室300之加熱空間340移動至處理室115之期間抑制基板10之溫度下降。
搬入晶舟200後，利用加熱器100而以處理室115內成為所期望溫度之方式進行加熱。此時，晶舟200及基板10於移載室300中已經被加熱，因此，與不在移載室300中進行加熱而於室溫之狀態下搬入至處理室115之內部之情形時相比，能夠大幅縮短上升至開始成膜處理所需之溫度之時間。藉此，能夠縮短基板處理之時間，從而能夠提高產能。
[成膜步驟：S203] 接著，自未圖示之氣體供給系統經由噴嘴130而向第2反應管120之內部供給原料氣體，通過第2反應管120與第1反應管110之上側之間隙121及下側之開口部122，藉由未圖示之排氣泵而自排氣管140向外部排出。
藉由反覆進行若干處理步驟，而在搭載於晶舟200之基板10之表面形成所期望厚度之薄膜，上述若干處理步驟包括經由該噴嘴130而向第2反應管120之內部供給原料氣體並利用排氣泵向外部排氣之步驟。例如，供給胺基矽烷系氣體或含氧氣體。作為胺基矽烷系氣體，例如有雙二乙基胺基矽烷(H2 Si(NEt2)2 、Bis(diethylamino)silane：BDEAS)氣體。作為含氧氣體，例如有氧氣(O2 )或臭氧氣體(O3 )、水(H2 O)、一氧化二氮氣體(N2 O)等。
[環境氣體調整步驟：S204] 於基板10之表面形成所期望厚度之薄膜之後，進行環境氣體調整步驟S204。自未圖示之氣體供給系統經由噴嘴130而向第2反應管120之內部供給N2 氣體，利用未圖示之排氣泵而自排氣管140向外部排氣，藉此，利用惰性氣體對處理室115內進行沖洗，自處理室115內去除殘留於處理室115內之氣體或副產物。
[判定步驟：S205] 接著，進行是否對未處理之新基板10反覆執行上述成膜步驟S203之判定步驟S205。當存在未處理之基板10時，判定為YES，進行基板更換步驟S206a及第1基板加熱步驟S206b。當不存在未處理之基板10時，判定為NO，進行基板搬出步驟S207。
[基板更換步驟：S206a、第1基板加熱步驟：S206b] 此處，並列進行基板更換步驟S206a與第1基板加熱步驟S206b。
[基板更換步驟：S206a] 其後，驅動晶舟升降機40而使支撐桿160下降，如圖7(a)所示，將晶舟200搬送至移載室300，該晶舟200搭載著表面形成有既定厚度之薄膜之基板10。
當將該搭載著形成有薄膜之基板10之晶舟200搬送至腔室180時，於本實施形態中，經由移載空間330之基板搬入口331，自晶舟200取出形成有薄膜之基板10，驅動晶舟升降機40而等節距饋送晶舟200，逐片地將新基板10搭載於晶舟200。
基板10之更換順序有數種，例如自晶舟200之上依序更換，自晶舟200之下依序更換，自晶舟200之中間附近依序更換等，其中，自晶舟200之下依序更換之順序能夠縮短基板10之升溫時間。但是，搭載於晶舟200之最上方及最下方之基板10有溫度較搭載於晶舟200中間附近之基板10變得更高之趨勢，因此，亦可自晶舟200之中間附近依序開始更換。
如圖7(b)所示，執行該動作直至將搭載於晶舟200之形成有薄膜之基板10全部替換成新基板10。
[第1基板加熱步驟：S206b] 於第1基板加熱步驟S206b中，與上述第1基板加熱步驟S201b同樣地進行基板10之加熱。其後，進行第2基板加熱步驟S202之後的步驟。
再者，於上述實施形態中，示出了驅動晶舟升降機40而等節距饋送晶舟200，逐片地自晶舟200取出形成有薄膜之基板10，並將新基板10搭載於晶舟200之例，但亦可同時將複數片基板10自晶舟200取出，同時將複數片新基板10搭載於晶舟200。於此情形時，晶舟升降機40以複數片基板10之量的節距饋送晶舟200。
又，亦可同時將複數片基板10自晶舟200取出，同時將複數片新基板10搭載於晶舟200，將新搭載於晶舟200之處理前之所有基板10一起加熱。
再者，當利用晶舟升降機40使晶舟200下降，將搭載於晶舟200之形成有薄膜之基板10替換成新基板10時，亦可持續利用基板處理裝置101之加熱器100進行加熱。藉此，能夠防止晶舟200之上部之溫度下降，從而能以某程度消除溫度差，該溫度差係調換新基板10後之晶舟200之上部之基板10因加熱空間340中之加熱時間較短而導致之與晶舟200下部之基板10的溫度差。
再者，亦可構成為於基板更換步驟S206a中，持續蓋加熱器152之ON，進行晶舟下降、晶舟裝載。藉由持續蓋加熱器152之ON，能夠抑制隔熱部150、或晶舟200下部之基板支撐部203之溫度下降。
[基板搬出步驟：S207] 基板搬出步驟S207係於不存在新基板10之情形時進行。基板搬出步驟S207之動作係以於基板更換步驟S206a中不載置新基板10之方式構成。
以此方式，進行本實施形態之基板處理步驟。
根據本實施形態，具有以下一個或複數個效果。
(1)加熱裝置具備與移載室內配置基板支撐具之位置對應地將基板加熱之加熱部、供來自加熱部之熱穿透之穿透窗、及將熱反射至基板支撐具與穿透窗之間之反射板。藉此，能夠減少光源洩漏，以等同於將加熱部(燈)放置於基板附近時之加熱效率對基板進行加熱。
(2)設置複數個加熱部。藉此，能夠效率良好地加熱複數片基板及基板保持件。
(3)複數個加熱部自側面加熱由基板保持件保持之複數片基板。藉此，能夠效率良好地加熱複數片基板及基板保持件。
(4)加熱部相對於基板水平且沿垂直方向設置複數個。藉此，能夠效率良好地加熱複數片基板及基板保持件。
(5)反射板形成為筒狀長方體(朝向燈光之照射範圍而加以圍繞之呈屋簷形狀之板：導光件)。藉此，能夠減少光源洩漏，效率良好地自側面加熱複數片基板。
(6)由反射板包圍基板支撐具與穿透窗之間。藉此，能夠減少光源洩漏，效率良好地自側面加熱複數片基板。
(7)於移載室內之與加熱裝置對向之位置設置反射板。藉此，能夠有效利用熱。
(8)於加熱裝置設置冷卻部。藉此，能夠防止燈與反射板之溫度過度上升。
(9)加熱部與穿透窗設置於移載室外。藉此便於維護。
[變形例1] 使用圖8及圖9對第1變形例之加熱裝置進行說明。如圖8及圖9所示，由反射板322c於平行方向(基板10之堆載方向)上進行分隔。藉此，能夠減少光源洩漏，自側面效率更佳地加熱複數片基板10。
於圖8所示之例中構成為，由反射板322c於基板10之堆載方向上將筒狀長方體之反射板322分隔成兩個區域。於此情形時，反射板322c配置於六個燈加熱器321a之高度方向上之中央。
於圖9所示之例中構成為，由反射板322c於基板10之堆載方向上將筒狀長方體之反射板322分隔成六個區域。於此情形時，五個反射板322c與六個燈加熱器321a之高度方向之節距相應地，與燈加熱器321a之每一個對應配置。即，在由複數片反射板分隔出之每個區域配備加熱部。又，由反射板322c將載置於晶舟200之五片基板10各自之上方及下方所對應之位置分隔。
[變形例2] 使用圖10對第2變形例之加熱裝置進行說明。如圖10所示構成為，利用複數片反射板322c將晶舟200與穿透窗310之間加以分隔，即，對於由反射板322a、322b、322d、322e而形成為筒狀長方體之反射板322加以分隔，並於分隔成之每個區域配備加熱部，針對每個區域控制加熱部之輸出(波長)。藉此，存在溫度根據基板10之載置位置而發生變化之情況，因此，能夠使加熱部321之輸出或波長不同，以複數片基板溫度均一之方式進行控制。圖10中，示出利用四片反射板322c分成五個區域之例。
例如，晶舟200之上部等處易積聚熱，故而與晶舟200上部對向之位置，如區域U，使區域變窄並減小加熱部之輸出，又，在與晶舟200中央部對向之位置，加熱溫度與上部相比為溫度較低，故而如區域UC、C、CL，使區域變寬，與區域U相比而設置較多之加熱部，或者大於區域U之加熱部之輸出，以此方式控制基板之溫度。又，當於晶舟200之下方之隔熱部150設置蓋加熱器152時，晶舟200之下部被蓋加熱器152加熱，因此，與晶舟200下部對向之位置如區域L，使區域變窄並減小加熱部之輸出。此處，於區域U、L配置2根燈加熱器321a，於區域UC、C、CL配置3根燈加熱器321a。又，當將區域U、UC、C、CL、L之高度分別設為HU 、HUC 、HC 、HCL 、HL 時，HU ＝HL ＜HUC ＝HC ＝HCL 。
亦可針對每個區域而控制加熱部之ON/OFF，針對各區域，當不存在基板時，使加熱部OFF，針對各區域，當存在基板時，使加熱部ON。例如，晶舟200上升、下降時針對加熱對象之基板控制加熱之ON/OFF。藉此，能夠減少能量消耗。
[變形例3] 作為第3變形例，如圖11所示，利用反射板針對晶舟200與穿透窗310之間，即由反射板322a、322b、322d、322e而形成為筒狀長方體之反射板322，將與載置於晶舟200之複數片基板10各自之上方和下方對應之位置加以分隔。藉此，能夠減少光源洩漏，效率良好地加熱基板。圖11中，示出利用十二片反射板322c分成十三個區域之例。於晶舟200載置有十三片基板10，於各區域配置有1根燈加熱器321a。
亦可與第2變形例同樣地構成為，在由複數片反射板分隔出之每個區域配備加熱部，針對每個區域控制加熱部之輸出(波長)。又，亦可與第2變形例同樣地，針對每個區域控制加熱部之ON/OFF，針對各區域，當不存在基板時，使加熱部OFF，針對各區域，當存在基板時，使加熱部ON。
[變形例4] 作為第4變形例，如圖12及圖13所示，於反射板322設置供給乾燥空氣或N2 氣體等乾燥氣體(以下，簡稱為「乾燥空氣」)之氣體供給系統。於加熱裝置320內沿著反射板322設置具有較多之孔325a之多孔噴嘴325，自多孔噴嘴325對反射板322噴出乾燥空氣。藉此，能夠防止反射板之反射特性劣化。
再者，乾燥空氣於下述時點流動。 (1)於移載室300中將基板10搬入至晶舟200時，有污物等附著於反射板322之風險，又，將移載室300恢復至大氣狀態時，有反射板322發生氧化之風險。於此類情形時使乾燥空氣流動。 (2)處於移載室300中不存在晶舟200之狀態，例如晶舟200於處理室115中進行處理之狀態、進行維護之狀態等之情形時，使乾燥空氣流動。
[變形例5] 由於以石英構成之窗310具有聚光功能，故而亦可於每個區域配置具有聚光功能之石英板。於此情形時，藉由在每個區域配置具有不同聚光功能之石英板，光會朝向基板10聚集，因此能夠改善指向性。
以上，基於實施形態及變形例對本發明具體進行了說明，當然本發明不限定於上述實施形態及變形例，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。例如，上述實施形態及變形例係為了容易理解本發明而詳細描述，未必限定於具備所說明之所有構成者。又，可對各實施形態及變形例之構成之一部分進行其他構成之追加、刪除、置換。
本發明至少包括以下實施形態。
(附記1) 一種基板處理裝置，其具有： 處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理； 移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；以及 加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板。
(附記2) 如附記1之基板處理裝置，較佳為設置複數個上述加熱部。
(附記3) 如附記1或2之基板處理裝置，較佳為上述複數個加熱部自側面加熱由上述基板保持件保持之上述複數片基板。
(附記4) 如附記2或3之基板處理裝置，較佳為上述加熱部相對於上述基板沿水平方向延伸，且沿垂直方向或水平方向設置複數個。
(附記5) 如附記1至4之基板處理裝置，較佳為上述加熱部為鹵素加熱器(鹵素燈)或紅外線加熱器(紅外線燈)。
(附記6) 如附記1之基板處理裝置，較佳為上述反射板形成為筒狀長方體。
(附記7) 如附記1之基板處理裝置，較佳為由上述反射板包圍上述基板支撐具與上述穿透窗之間。
(附記8) 如附記1、6、7之基板處理裝置，較佳為由複數片上述反射板於上述基板之堆載方向上，將上述基板支撐具與上述穿透窗之間加以分隔，即，將形成為筒狀長方體之上述反射板加以分隔。
(附記9) 如附記1之基板處理裝置，較佳為由複數片上述反射板將與由上述基板支撐具保持之上述複數片基板各自之上方及下方對應之位置加以分隔。
(附記10) 如附記8、9之基板處理裝置，較佳為在由複數片上述反射板分隔出之每個區域配備上述加熱部。
(附記11) 如附記10之基板處理裝置，較佳為具有對配備於每個上述區域之上述加熱部之輸出(波長)進行控制之控制部。
(附記12) 如附記11之基板處理裝置，較佳為具有控制部，該控制部構成為針對每個上述區域控制上述加熱部之ON、OFF。
(附記13) 如附記12之基板處理裝置，較佳為當與上述區域對應之位置上存在上述基板時，上述控制部以使上述加熱部ON之方式進行控制。
(附記14) 如附記12之基板處理裝置，較佳為當與上述區域對應之位置上不存在上述基板時，上述控制部使上述加熱部OFF。
(附記15) 如附記12之基板處理裝置，較佳為當上述基板保持件上升或下降時，上述控制部針對每個上述區域控制上述加熱部之ON、OFF。
(附記16) 如附記1之基板處理裝置，較佳為具備對上述反射板供給乾燥空氣(N2 氣體)之氣體供給系統。
(附記17) 如附記16之基板處理裝置，較佳為上述氣體供給系統具有噴嘴，該噴嘴具備供給上述乾燥空氣之複數個孔。
(附記18) 如附記17之基板處理裝置，較佳為上述噴嘴沿著上述反射板設置。
(附記19) 如附記1之基板處理裝置，較佳為上述反射板為表面粗度較少(表面粗度(Ra)為0.05 μ以下)之鋁。
(附記20) 如附記1之基板處理裝置，較佳為將反射板設置於上述移載室內之與上述加熱裝置對向之位置。
(附記21) 如附記1之基板處理裝置，較佳為於上述加熱裝置設置將上述加熱部冷卻之冷卻部。
(附記22) 如附記1之基板處理裝置，較佳為上述加熱部及上述穿透窗設置於上述移載室之外。
(附記23) 如附記1之基板處理裝置，較佳為於上述移載室內使上述基板支撐具旋轉而將上述基板加熱。
(附記24) 一種加熱裝置，其係構成為在移載室內設置於與支撐基板之基板支撐具之配置位置對應之位置者；其具備： 加熱部，其將上述基板加熱； 穿透窗，其供來自上述加熱部之熱穿透；及 反射板，其使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間。
(附記25) 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟： 將複數片基板移載至基板支撐具的步驟； 利用加熱裝置將複數片上述基板加熱的步驟，該加熱裝置具備與移載室內配置之上述基板支撐具之位置對應地將複數片上述基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板；以及 於處理室內對複數片上述基板進行處理的步驟。
(附記26) 一種程式，其利用電腦而使加熱裝置執行以下程序： 將複數片基板移載至基板支撐具的程序； 利用上述加熱裝置將上述複數片基板加熱的程序，該加熱裝置具備與移載室內配置之上述基板支撐具之位置對應地將複數片上述基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板；以及 於處理室內對上述複數片基板進行處理的程序。
1:基板處理系統 10:基板 30:移載機 31:鑷子 32:臂 33:旋轉軸 34:基部 35:凸緣 36:升降機構部 40:晶舟升降機 42:旋轉驅動部 60:蓋 61:IO平台 62:盒 100:加熱器 101:基板處理裝置 110:第1反應管 111:泵抽部 115:處理室 120:第2反應管 121:間隙 122:開口部 130:噴嘴 140:排氣管 150:隔熱部 152:蓋加熱器 160:支撐桿 170:真空搬送室 180:腔室 181:壁 182:O形環 190、191:冷卻流路 200:晶舟(基板支撐具) 201:圓板 202:支柱 203:基板支撐部 260:控制器 260a:CPU 260b:RAM 260c:記憶裝置 260d:I/O埠 260e:內部匯流排 261:輸入輸出裝置 262:外部記憶裝置 263:網路 300:移載室 301:惰性氣體供給管 310:窗 311:安裝構件 320:加熱裝置 321:加熱部 321a:燈加熱器 321b:燈保持件 322、322a、322b、322c、322d、322e、323:反射板 324:冷卻部 325:多孔噴嘴 325a:孔 330:移載空間 331:基板搬入口 332、1330、1350、1490:閘閥 340:加熱空間 1200:大氣搬送室 1210:盒開啟器 1220:大氣搬送機器人 1230:升降機 1240:線性致動器 1250:清潔單元 1270、1310:框體 1280、1290、1340:基板搬入搬出口 1300:裝載閉鎖室 1320:基板載置台 C、CL、L、U、UC:區域 HU 、HUC 、HC 、HCL 、HL :高度
圖1係表示實施形態中之基板處理系統之概略構成之方塊圖。 圖2係表示於實施形態之基板處理裝置中，已將搭載有基板之晶舟搬入至處理室之狀態的處理室及晶舟收容室之概略剖視圖。 圖3係實施形態中之加熱裝置之俯視圖。 圖4係實施形態中之加熱裝置之剖視圖。 圖5係表示使本發明之實施形態中之基板處理裝置之各部進行動作之控制部的概略構成之方塊圖。 圖6係表示本發明之實施形態中之半導體裝置製造步驟之流程的圖。 圖7(a)係表示於實施形態之基板處理裝置中，正將搭載有基板之晶舟自處理室搬出之狀態的處理室及移載室之概略剖視圖。圖7(b)係表示於實施形態之基板處理裝置中，已將搭載有基板之晶舟搬入至移載室之狀態的處理室及移載室之概略剖視圖。圖7(c)係表示於實施形態之基板處理裝置中，在移載室中將搭載有基板之晶舟加熱之狀態的處理室及移載室之概略剖視圖。圖7(d)係表示於實施形態之基板處理裝置中，已將搭載有基板之晶舟搬入至處理室之狀態的處理室及移載室之概略剖視圖。 圖8係變形例1中之加熱裝置之剖視圖。 圖9係變形例1中之加熱裝置之剖視圖。 圖10係變形例2中之加熱裝置之立體圖。 圖11係變形例3中之加熱裝置之立體圖。 圖12係變形例4中之加熱裝置之俯視圖。 圖13係變形例4中之加熱裝置之剖視圖。
1:基板處理系統
10:基板
30:移載機
31:鑷子
32:臂
33:旋轉軸
34:基部
35:凸緣
36:升降機構部
40:晶舟升降機
42:旋轉驅動部
60:蓋
61:IO平台
62:盒
100:加熱器
101:基板處理裝置
110:第1反應管
111:泵抽部
115:處理室
120:第2反應管
121:間隙
122:開口部
130:噴嘴
140:排氣管
150:隔熱部
152:蓋加熱器
160:支撐桿
170:真空搬送室
180:腔室
190、191:冷卻流路
200:晶舟(基板支撐具)
201:圓板
202:支柱
203:基板支撐部
260:控制器
301:惰性氣體供給管
320:加熱裝置
321:加熱部
323:反射板
330:移載空間
331:基板搬入口
332:閘閥
340:加熱空間
1200:大氣搬送室
1210:盒開啟器
1220:大氣搬送機器人
1230:升降機
1240:線性致動器
1250:清潔單元
1270:框體
1280:基板搬入搬出口
1290:基板搬入搬出口
1300:裝載閉鎖室
1310:框體
1320:基板載置台
1330:閘閥
1340:基板搬入搬出口
1350:閘閥

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其具有：處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；以及加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間且形成為筒狀長方體的反射板。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，設置複數個上述加熱部。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，複數個上述加熱部自側面加熱由上述基板支撐具支撐之上述複數片基板。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述加熱部相對於上述基板沿水平方向延伸，且沿垂直方向或水平方向設置複數個。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，由上述反射板包圍上述基板支撐具與上述穿透窗之間。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，沿上述基板之堆載方向設置複數片上述反射板。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，由複數片上述反射板於上述基板之堆載方向上將上述基板支撐具與上述穿透窗之間分隔。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中，在由複數片上述反射 板分隔出之每個區域配備上述加熱部。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，具有對配備於每個上述區域之上述加熱部之輸出進行控制之控制部。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述控制部針對每個上述區域控制上述加熱部之ON、OFF。
  11. 一種基板處理裝置，其具有：處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間且沿上述基板之堆載方向設置有複數片的反射板；以及控制部，其對上述加熱部之輸出進行控制；由複數片上述反射板於上述基板之堆載方向上將上述基板支撐具與上述穿透窗之間分隔，在由複數片上述反射板分隔出之每個區域配備上述加熱部，上述控制部針對每個上述區域控制上述加熱部之ON、OFF，當與上述區域對應之位置上存在上述基板時，使上述加熱部成為ON。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，當與上述區域對應之位置上不存在上述基板時，上述控制部使上述加熱部成為OFF。
  13. 一種基板處理裝置，其具有： 處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板；以及氣體供給系統，其對上述反射板供給乾燥空氣。
  14. 一種基板處理裝置，其具有：處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；以及加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板；將上述反射板設置於上述移載室內之與上述加熱裝置對向之位置。
  15. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述加熱部及上述穿透窗係設置於上述移載室之外側。
  16. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述移載室內使上述基板支撐具旋轉而將上述基板加熱。
  17. 一種加熱裝置，其係構成為在移載室內設置於與支撐基板之基板支撐具之配置位置對應之位置者；其具備： 加熱部，其將上述基板加熱；穿透窗，其供來自上述加熱部之熱穿透；及反射板，其使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間且形成為筒狀長方體。
  18. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟：將複數片基板移載至基板支撐具的步驟；利用加熱裝置將上述複數片基板加熱的步驟，該加熱裝置具備與移載室內配置之上述基板支撐具之位置對應地將複數片上述基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間且形成為筒狀長方體的反射板；以及於處理室內對上述複數片基板進行處理的步驟。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟：將基板處理裝置之基板複數片移載至基板支撐具的步驟；該基板處理裝置具有：處理室，其對由上述基板支撐具支撐之複數片上述基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間且沿上述基板之堆載方向設置有複數片的反射板；以及控制部，其對上述加熱部之輸出進行控制；由複數片上述反射板於上述基板之堆載方向上將上述基板支撐具與上述穿透窗之間分隔，在由複數片上述反射板分隔出之每個區域配備上述加熱部，上述控制部針對每個上述區域控 制上述加熱部之ON、OFF，當與上述區域對應之位置上存在上述基板時，使上述加熱部成為ON；將複數片之上述基板加熱的步驟；以及於上述處理室內對上述複數片基板進行處理的步驟。
  20. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟：將基板處理裝置之基板複數片移載至基板支撐具的步驟；該基板處理裝置具有：處理室，其對由上述基板支撐具支撐之複數片上述基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板；以及氣體供給系統，其對上述反射板供給乾燥空氣；將複數片之上述基板加熱的步驟；以及於上述處理室內對上述複數片基板進行處理的步驟。
  21. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟：將基板處理裝置之基板複數片移載至基板支撐具的步驟；該基板處理裝置具有：處理室，其對由基板支撐具支撐之複數片基板進行處理；移載室，其與上述處理室之下方連通，供複數片上述基板移載至上述基板支撐具；以及加熱裝置，其具備與配置於上述移載室內之上述基板支撐具之位置對應地將上述複數片基板加熱之加熱部、供來自上述加熱部之熱穿透之穿透窗、及使上述熱反射至上述基板支撐具與上述穿透窗之間的反射板；將上述反射板設置於上述移載室內之與上述加熱裝置對向之 位置；將複數片之上述基板加熱的步驟；以及於上述處理室內對上述複數片基板進行處理的步驟。
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