TWI774264B - 監測氣態分子污染物的方法與系統 - Google Patents

Abstract

一種監測氣態分子污染物的方法與系統包括冷凝衝擊瓶與加溫衝擊瓶，其分別裝填採樣液體。冷卻器用以冷卻冷凝衝擊瓶低於室溫。加熱器用以加熱加溫衝擊瓶高於室溫。第一管體連接於冷凝衝擊瓶與加溫衝擊瓶之間。第二管體插入加溫衝擊瓶所裝填的採樣液體內。氣泵連接至冷凝衝擊瓶並抽氣，促使第二管體吸入待監測氣體並導入加溫衝擊瓶的採樣液體內。

Description

監測氣態分子污染物的方法與系統

本揭露涉及一種監測氣態分子污染物的方法與系統。

半導體積體電路(Integrated Circuit, IC)行業已經歷了指數式的增長。IC材料及設計的技術進步已產生數代IC，其中每一代具有比前一代更小且更複雜的電路。在IC演進的過程中，功能密度（亦即，每晶片面積的互連元件的數目）通常增大，而幾何大小（亦即，可形成的最小元件（或接線））通常減小。這種縮小通常可以增大生產效率並降低相關聯的成本，但同時也增加了處理及製造IC的複雜性。

依據本揭露之部分實施例，一種監測氣態分子污染物的方法包括以下步驟。分別添加一第一採樣液體與一第二採樣液體至一加溫衝擊瓶與一冷凝衝擊瓶內，其中一第一管體自該加溫衝擊瓶外延伸至加溫衝擊瓶內，並進一步延伸至第一採樣液體內，一第二管體串聯加溫衝擊瓶與冷凝衝擊瓶。使用一氣泵連接冷凝衝擊瓶抽氣，促使第一管體吸入一待監測氣體並導入第一採樣液體內。加熱加溫衝擊瓶，使得第一採樣液體蒸發並通過第二管體被冷凝衝擊瓶所蒐集。

依據本揭露之部分實施例，一種監測氣態分子污染物的方法包括以下步驟。分別添加一第一採樣液體與一第二採樣液體至一第一衝擊瓶與一第二衝擊瓶內，其中一第一管體自該第一衝擊瓶外延伸至第一衝擊瓶內，並進一步延伸至第一採樣液體內，一第二管體串聯第一衝擊瓶與該第二衝擊瓶。冷卻第二衝擊瓶。使用一氣泵連接第二衝擊瓶抽氣，促使第一管體吸入一待監測氣體並導入該第一採樣液體內。

依據本揭露之部分實施例，一種監測氣態分子污染物的系統包含以下元件。一加溫衝擊瓶用以裝填一第一採樣液體。一冷凝衝擊瓶用以裝填一第二採樣液體。一加熱器用以加熱加溫衝擊瓶至高於室溫。一第一管體連接於加溫衝擊瓶與冷凝衝擊瓶之間。一第二管體插入加溫衝擊瓶內。一氣泵連接至冷凝衝擊瓶。

以下揭示內容提供用於實施所提供標的之不同特徵的許多不同實施例或實例。以下描述元件及佈置之特定實例以簡化本揭示案。當然，此些僅為實例，且並不意欲為限制性的。舉例而言，在如下描述中第一特徵在第二特徵之上或在第二特徵上方形成可包括其中第一特徵與第二特徵形成為直接接觸之實施例，且亦可包括其中額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成而使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本揭示案可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡化及清楚目的，且其自身並不表示所論述之各種實施例及/或配置之間的關係。

另外，為了便於描述，可在本文中使用諸如「在……下面」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「上部」及其類似術語之空間相對術語，以描述如諸圖中所繪示之一個元件或特徵與另一（其他）元件或特徵的關係。除了諸圖中所描繪之定向以外，此些空間相對術語意欲涵蓋元件在使用中或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向，且可同樣相應地解釋本文中所使用之空間相對描述詞。

一些實施方式中所描述之監測氣態分子污染物方法與系統用以監測酸(acid)、鹼(base)、凝結物 (condensable)、摻雜物 (dopant) 以及金屬污染物 (metal)等五大類氣態分子污染物。酸為腐蝕性物質，例如：氫氟酸、硫酸、氫氯酸、硝酸、磷酸、氫溴酸。鹼為腐蝕性物質，例如氨、氫氧化銨、 甲基氨、二甲基氨、二乙醇氨。摻雜物為一種化學元素、可以改變半導體物質的電性者，例如硼（B）、磷（P）、砷（S）等。凝結物為除水之外的物質，在大氣壓下沸點大於室溫，具有凝結在乾淨表面能力者。金屬污染物可來自於銅製程的使用，以氣態型式存在或粒徑小於高效率空氣微粒(high efficiency particulate air, HEPA)濾網可捕捉範圍之金屬化合物亦可能成為污染物。

由於目前半導體積體電路製程已微縮小至奈米級，且還在不斷的微縮，氣態分子污染物對於半導體積體電路的品質、可靠性及良率的影響不斷增大。例如，製作完成的晶圓因表面長時間接觸含氟/氯之空氣造成表面鋁腐蝕；而銅製程晶圓表面則可能遭硫化物腐蝕；機台之不鏽鋼表面受長時期氟/氯之空氣腐蝕而產生微粒；氣態分子互相反應產生微粒沉積在光罩表面，或造成投影機透鏡長霾 (hazing)，影響曝光功率或造成圖形變異；氣態分子污染物吸附在晶圓表面，藉由後續熱製程擴散至底部，進而改變產品之電性。因此，本揭示案一些實施例提出以下解決方案以監控氣態分子污染物。

請參照第1圖，其繪示根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。監測氣態分子污染物系統400包含冷凝衝擊瓶402、冷卻器412、加溫衝擊瓶413、加熱器418與氣泵410等。冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶413均用以裝填採樣液體（404、414）。管體406用以連接於冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶413之間，例如管體406的一端406a穿過加溫衝擊瓶413的頂蓋415而插入加溫衝擊瓶413內（管體406的該端406a不插入採樣液體414內），管體406的另一端406b穿過冷凝衝擊瓶402的頂蓋403而插入冷凝衝擊瓶402的採樣液體404內。管體416的一端416b穿過加溫衝擊瓶413的頂蓋415而插入採樣液體414內，管體416的另一端416a則置於加溫衝擊瓶413外，藉以導入待監測氣體。氣泵410利用管體408穿過頂蓋403而連接至冷凝衝擊瓶402的內部（管體408的底端408a不插入採樣液體404內）開始抽氣，促使冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶413的內部氣壓降低，而使管體416將待監測氣體導入採樣液體414內，再藉管體406將待監測氣體導入採樣液體404內。在一些實施例中，管體416的一端416b接近加溫衝擊瓶413內的底部，使得採樣液體414經加熱蒸發液面逐漸降低時仍能將待監測氣體不斷導入。在一些實施例中，管體416的一端416b抵接加溫衝擊瓶413內的底部，使得採樣液體414經加熱蒸發液面逐漸降低時仍能將待監測氣體不斷導入。在一些實施例中，上述冷凝衝擊瓶、加溫衝擊瓶以及各管體的材質可包含塑膠、金屬、玻璃或其類似物。在一些實施例中，管體406、408與頂蓋403之間是氣密接合的，以防止漏氣而影響抽氣、採樣的效率。在一些實施例中，管體406、416與頂蓋415之間是氣密接合的，以防止漏氣而影響抽氣、採樣的效率。

監測氣態分子污染物系統400增加了加溫衝擊瓶413與加熱器418，藉以加熱加濕增加採樣的效率。在監測氣態分子污染物系統400採樣的過程中，冷卻器412用以將冷凝衝擊瓶402冷卻低於室溫，加熱器418用以將加溫衝擊瓶413加熱高於室溫，增加採樣液體對氣態分子污染物的溶解飽和比。在一些實施例中，冷卻器412用以將冷凝衝擊瓶402冷卻至採樣液體的凝固點溫度，加熱器418用以將加溫衝擊瓶413加熱至60℃～65℃。

監測氣態分子污染物系統400設計成兩階段採樣，第一階段使用加溫衝擊瓶413與加熱器418，藉以提高樣液體的焓值(enthalpy)。第二階段使用冷凝衝擊瓶402與冷卻器412，藉以絕熱冷卻採樣水汽，使採樣水汽以過飽和方式以氣態分子污染物為凝結核轉化為液態。採樣時程結束時，第一階段之加溫衝擊瓶413內的採樣液體經加熱蒸發並移轉至第二階冷凝衝擊瓶402內。換言之，採樣時程結束時，加溫衝擊瓶413的採樣液體已蒸發殆盡，直接以第二階段之冷凝衝擊瓶402的所蒐集的採樣液體供給感應耦合電漿質譜儀作後續分析。

在一些實施例中，加熱器418的種類可以是電磁式加熱器、紅外線加熱器、電阻式加熱器、陶瓷加熱器、熱風加熱器（風扇型加熱器或鼓風機型加熱器）、電熱管加熱器（熱流板行加熱器、法藍型加熱器、鰭片型加熱器或侵入型加熱器等）、電熱輻射加熱器（例如石英鹵素加熱器、白色石英輻射管、黑體輻射管或鍍金8字管）、電熱片加熱器（例如雲母電熱片、矽膠電熱片、陶瓷電熱片、玻纖加熱帶或蝕刻電熱片等）或鑄造式電熱器（例如鑄銅或鑄鋁電熱器）或類似的加熱裝置。加熱器418可直接加熱加溫衝擊瓶413以獲得較高的加熱效率，抑或加熱器418可隔水升溫加溫衝擊瓶413以獲得較平穩的溫度。在一些實施例中，冷卻器412可以是包含不同規格熱電致冷晶片的致冷器或類似的冷卻裝置。冷卻器412可直接降溫冷凝衝擊瓶402以獲得較高的致冷效率，抑或冷卻器412可隔水降溫冷凝衝擊瓶402以獲得較平穩的溫度。

在一些實施例中，加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402應分離足夠的距離，及/或冷卻器412與加熱器418分離足夠的距離，藉以避免彼此加熱與致冷的過程互相影響。

經實驗證實，於相同的潔淨室條件下，使用監測氣態分子污染物系統400與採樣晶圓採樣潔淨室內的氣態分子污染物作比較。採樣晶圓採樣一預定時間後，再以氫氟酸酸洗採樣晶圓以擷取採樣水樣，再以感應耦合電漿質譜儀分析（同時採測空白背景晶圓控片作為比較）。若比較監測氣態分子污染物系統400之採樣效率與採樣晶圓之採樣效率（ppb/hr），就硼元素而言提升超過約32倍，就磷元素而言提升超過約5倍，就而言砷元素提升超過約7倍。監測氣態分子污染物系統400不但提升採樣的濃度值，且於較短的時間完成採樣，有利於即時因應控制過高濃度氣態分子污染物所造成的影響。

請參照第2圖，其繪示根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。監測氣態分子污染物系統400a不同於監測氣態分子污染物系統400主要在於增加隔熱板450位於加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402之間，及/或位於冷卻器412與加熱器418之間，藉以避免彼此加熱與致冷的過程互相影響。在監測氣態分子污染物系統400a中，加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402之間距離，及/或位於冷卻器412與加熱器418之間距離，相較於監測氣態分子污染物系統400中的對應距離短，隔熱板450用以阻絕加熱與致冷的互相影響。本系統之其他組態與設置皆與監測氣態分子污染物系統400相同，因此不再贅述。在一些實施例中，隔熱板450的材質可包含雲母、矽纖維、玻璃纖維、耐高溫高分子材料或類似的材料。

請參照第3圖，其繪示根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。監測氣態分子污染物系統400b不同於監測氣態分子污染物系統400主要在於增加隔熱箱452用以包圍加溫衝擊瓶413與加熱器418，藉以避免彼此加熱與致冷的過程互相影響。在監測氣態分子污染物系統400b中，加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402之間距離，及/或位於冷卻器412與加熱器418之間距離，相較於監測氣態分子污染物系統400中的對應距離短，隔熱箱452用以阻絕加熱與致冷的互相影響因而能縮短冷、熱源之間的距離。本系統之其他組態與設置皆與監測氣態分子污染物系統400相同，因此不再贅述。在一些實施例中，隔熱箱452的材質可包含雲母、矽纖維、玻璃纖維、耐高溫高分子材料或類似的材料。

請參照第4圖，其繪示根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。監測氣態分子污染物系統400c不同於監測氣態分子污染物系統400主要在於增加隔熱箱452用以包圍加溫衝擊瓶413與加熱器418，且增加隔熱箱454用以包圍冷凝衝擊瓶402與冷卻器412，藉以避免彼此加熱與致冷的過程互相影響。在監測氣態分子污染物系統400c中，加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402之間距離，及/或位於冷卻器412與加熱器418之間距離，相較於監測氣態分子污染物系統400中的對應距離短，隔熱箱452與隔熱箱454共同用以阻絕加熱與致冷的互相影響，因而能縮短冷、熱源之間的距離。本系統之其他組態與設置皆與監測氣態分子污染物系統400相同，因此不再贅述。在一些實施例中，隔熱箱452與隔熱箱454的材質可包含雲母、矽纖維、玻璃纖維、耐高溫高分子材料或類似的材料。

請同時參照第1～5圖，第5圖為根據本揭示案之一些實施例之監測氣態分子污染物的方法流程圖。方法500包含以下操作以監測氣態分子污染物。

在操作502中，添加採樣液體（例如去離子水）至冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶413中。在一些實施例中，添加等量的去離子水至冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶413中。在一些實施例中，添加不等量的去離子水至冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶413中。加溫衝擊瓶413中的採樣液體用量會與採樣時間成比例，越長的採樣時間可能需添加越多的採樣液體到冷加溫衝擊瓶413內，以拉長採樣液體蒸發殆盡的終止點。

在操作504中，使用管體406串聯冷凝衝擊瓶402與加溫衝擊瓶402。管體406用以將未溶入加溫衝擊瓶402之採樣液體414的待監測氣體引導至冷凝衝擊瓶402之採樣液體404內。因此，管體406的一端406a插入加溫衝擊瓶413內，但不插入採樣液體414內以接收加溫衝擊瓶413內的待監測氣體，管體406的另一端406b則插入冷凝衝擊瓶402的採樣液體404內，將待監測氣體導入採樣液體404內，增加待監測氣體的溶解度。

在操作506中，插入管體416至加溫衝擊瓶413的採樣液體414內。管體416用以將外界的待監測氣體導入採樣液體414中。因此，管體416的一端416a則置於加溫衝擊瓶413外，接收外部待監測氣體，管體416的另一端416b插入採樣液體414的液面下，增加待監測氣體的溶解度。因採樣過程中加溫衝擊瓶413的採樣液體414因蒸發而液面逐漸降低，在一些實施例中，為了增加氣體的溶解度，管體416的底端416b應儘可能接近或抵接加溫衝擊瓶413內的底部表面，使得管體416仍能位於液面逐漸降低的採樣液體414內。在採樣過程中，冷凝衝擊瓶402之採樣液體404因接收來自加溫衝擊瓶413蒸發後採樣液體414的凝結，使其液面逐漸升高。在一些實施例中，採樣管體406的底端406b可接近或抵接冷凝衝擊瓶402內的底部表面。

在操作508中，氣泵410利用管體408連接至冷凝衝擊瓶402開始抽氣，藉以提供待監測氣體流動的驅動源。因管體408插入冷凝衝擊瓶402內但不插入採樣液體404內，促使冷凝衝擊瓶402的內部氣壓降低，使待監測氣體從加溫衝擊瓶413流動至冷凝衝擊瓶402內。此時加溫衝擊瓶413內部氣壓亦同時降低，使管體416將外部待監測氣體不斷導入加溫衝擊瓶413之採樣液體414內。未溶解的待監測氣體會被管體406再導引至冷凝衝擊瓶402的採樣液體404內。

在操作510中，使用冷卻器412將冷凝衝擊瓶402冷卻低於室溫或接近採樣液體的凝固點溫度，使用加熱器418將加溫衝擊瓶413加熱高於室溫的預定溫度。在一些實施例中，冷卻器412用以將冷凝衝擊瓶402冷卻至採樣液體的凝固點溫度，加熱器418用以將加溫衝擊瓶413加熱至約60℃～65℃。在另一些實施例中，將冷凝衝擊瓶402冷卻至採樣液體的凝固點溫度，並將加溫衝擊瓶413加熱至約60℃～65℃，使冷凝衝擊瓶的採樣液體對加熱加濕後氣態分子污染物之過飽和比達到約28～32。當加熱器418所加熱的溫度低於約60℃時，對氣態分子污染物之過飽和比增加的效益較不明顯，當加熱器418所加熱的溫度高於約65℃時，採樣液體蒸發殆盡的時間過短會影響氣態分子污染物採樣效率。加熱器418所加熱的溫度會影響加溫衝擊瓶413的採樣液體蒸發殆盡的時間，加熱的溫度越高，採樣液體蒸發殆盡的時間越短。當加溫衝擊瓶413內的採樣液體蒸發殆盡時，即降低將待監測氣體加熱加濕的功效，亦會減低對氣態分子污染物採樣效率。因此，操作者可依據採樣液體的量、欲採樣的時間等條件，調整冷卻器412欲冷卻的溫度與加熱器418欲加熱的溫度，以達到所需的監控時效。在採樣終止時，加溫衝擊瓶413內的採樣液體完全蒸發傳送至冷凝衝擊瓶402，只需將冷凝衝擊瓶402內的採樣液體404取出供分析儀量測分析。在其他操作中，使加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402之間距離加大，或設置隔熱板450位於加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402之間，藉以避免彼此加熱與致冷的過程互相影響。在其他操作中，設置隔熱箱（452或454）用以包圍加溫衝擊瓶413與冷凝衝擊瓶402其中至少一者，藉以避免彼此加熱與致冷的過程互相影響。

藉由上述方式量測分析出氣態分子污染物的濃度後，可藉化學濾網濾除空氣中的氣態分子污染物。化學濾網中包含大量的吸附劑。當空氣穿過化學濾網時，氣體分子從氣流中擴散至吸附劑的外表面或孔洞外部。氣體分子接著進入孔洞內部，並吸附於吸附劑表面上。吸附於表面氣體分子之進行表面擴散至更深層之內孔洞表面。因此，吸附劑的材料有利於氣態分子污染物在吸附劑表面進行吸附或離子交換反應。化學濾網可包含多種不同濾料可針對前述酸、鹼、凝結物、摻雜物以及金屬污染物等五大類氣態分子污染物，進行吸附或離子交換反應。一種化學濾網通常無法同時濾除所有氣態分子污染物的問題。化學濾網可針對欲濾除的氣態分子污染物之種類，調整其濾料的組成。化學濾網壽命取決於環境中氣態分子污染物平均濃度與峰值、出口濃度限值。化學濾網的壽命可能也取決濾網的壓損、釋氣、效率及其濾料容量。藉由上述方式量測分析出氣態分子污染物的濃度後，可用於決定化學濾網的更換或再生的頻率，亦可用於調整化學濾網內濾料的組成。

藉由上述方式量測分析出氣態分子污染物的濃度後，可將全廠控制限縮成局部控制（微環境系統），嚴格控制晶圓盒內潔淨程度。微環境系統僅局部地增大晶圓周圍的清潔度。微環境系統包括用於傳輸晶圓和將晶圓保持在高度潔淨的環境中的稱為前開式統集盒(FOUP, Front Opening Unified Pod)的儲存容器。FOUP在前部具有開口門，通過該開口門將半導體晶圓插入夾具或從夾具取出。FOUP包括由殼和門構成的室，殼是用於接收半導體晶圓的保持件，門是打開或關閉殼的部件。FOUP將半導體晶圓保持在氣密封閉空間以保護半導體晶圓免受外來物質或大氣中的化學污染的影響。FOUP通常由塑膠模製，並且通過由橡膠等製成的密封件保持殼和門之間的氣密性。密封件會引起洩漏並且塑膠和橡膠會脫氣氣態分子污染物。當將晶圓傳輸到FOUP或從FOUP傳輸出時，外部空氣容易地闖入FOUP。因此，FOUP中的濕氣和氧濃度趨於隨時間的推移而增加。此外，在FOUP中儲存其上沉積有光刻膠的半導體晶圓的情況下，從光刻膠蒸發的有機溶劑沉積在殼的內壁上。因此，即使在去除其上沉積有光刻膠的半導體晶圓之後，沉積在殼的內壁上的光刻膠再次蒸發而污染FOUP中的氣氛。FOUP中的濕氣、氧氣和污染物可以污染半導體晶圓並且引起成品率損失。以抽真空與灌氮氣循環模式來稀釋污染濃度的累積，可防止氣流死角，淨化氣體速率較快，是常見的FOUP中提升潔淨程度的方式。

藉由上述方式量測分析出氣態分子污染物的濃度後，可建立常態背景監測資料，在產品良率正常下，對製程環境做定點及定時之檢測，建立製程環境之氣態分子污染物背景值，以供日後製程出問題或更換設備時參考用。亦可適時的執行緊急採樣監測，當製程出現問題或懷疑環境有不當氣態分子污染物洩漏時，則須做立即採樣的程序。檢測之數據可與背景值做比較，以便採取正確處置解決問題。將污染物濃度變化量之監測標準化，即針對疑似對產品良率有重要影響之特定污染物做定期定量檢測，以查明其影響並做適當之控制。濾氣設備效率之評估，當製程環境濾材之選用及更換時，可依對氣態分子污染物之檢測值做參考依據，不致因過當之更換造成浪費。

常用解決氣態分子污染物之方法包含移除污染源，如果為室外氣體所造成之氣態分子污染物，找出污染源並移除為最佳改善方式，但一般機台所使用之化學物質原料通常也會造成無塵室環境內之污染。所以移除污染源方式就不適合針對機台所產生的污染源。故針對機台或其他無法移除氣態分子污染物污染源之處理方式為隔離污染源，例如前述的FOUP即為一種隔離污染源的方式。以過濾方式消除或稀釋以減少環境污染，常用方式例如前述的化學濾網安裝於該區域之空調箱及機台，但化學濾網通常只能過濾單一化學污染源，且濾網有其壽命限制，須要定期測量、更換。

儘管並不意欲限制，但本揭示案之一或更多個實施例為積體電路之微影曝光系統及其相關製程提供了許多益處。舉例而言，本揭示案之實施例於監測氣態分子污染物的方法與系統，提供針對氣態分子污染物採樣效率更高的採樣效率，藉以監控改善體電路晶圓的生產環境，進而提升積體電路晶圓之良率與產出。

根據本揭示案之一些實施例，一種監測氣態分子污染物的方法包括以下步驟。分別添加一第一採樣液體與一第二採樣液體至一加溫衝擊瓶與一冷凝衝擊瓶內，其中一第一管體自該加溫衝擊瓶外延伸至加溫衝擊瓶內，並進一步延伸至第一採樣液體內，一第二管體串聯加溫衝擊瓶與冷凝衝擊瓶。使用一氣泵連接冷凝衝擊瓶抽氣，促使第一管體吸入一待監測氣體並導入第一採樣液體內。加熱加溫衝擊瓶，使得第一採樣液體蒸發並通過第二管體被冷凝衝擊瓶所蒐集。在一些實施例中，加熱該加溫衝擊瓶的溫度為約60℃～約65℃。在一些實施例中，此方法還包括冷卻冷凝衝擊瓶。在一些實施例中，加熱加溫衝擊瓶並冷卻冷凝衝擊瓶還包含使冷凝衝擊瓶的採樣液體對氣態分子污染物之過飽和比範圍介於28與32之間。在一些實施例中，監測氣態分子污染物的方法還包括插入第二管體，使其底端接近或抵接加溫衝擊瓶內的底部。在一些實施例中，設置隔熱板位於冷凝衝擊瓶與加溫衝擊瓶之間。

根據本揭示案之一些實施例，一種監測氣態分子污染物的方法包括以下步驟。分別添加一第一採樣液體與一第二採樣液體至一第一衝擊瓶與一第二衝擊瓶內，其中一第一管體自該第一衝擊瓶外延伸至第一衝擊瓶內，並進一步延伸至第一採樣液體內，一第二管體串聯第一衝擊瓶與該第二衝擊瓶。冷卻第二衝擊瓶。使用一氣泵連接第二衝擊瓶抽氣，促使第一管體吸入一待監測氣體並導入該第一採樣液體內。在一些實施例中，加熱加溫衝擊瓶並冷卻冷凝衝擊瓶還包含加熱加溫衝擊瓶至約60℃～約65℃並冷卻冷凝衝擊瓶至去離子水的凝固點溫度。在一些實施例中，加熱加溫衝擊瓶並冷卻冷凝衝擊瓶還包含使冷凝衝擊瓶的採樣液體對氣態分子污染物之過飽和比範圍介於約28與約32之間。在一些實施例中，監測氣態分子污染物的方法還包括使用感應耦合電漿質譜儀檢測冷凝衝擊瓶的去離子水所採樣硼、磷或砷的濃度。在一些實施例中，監測氣態分子污染物的方法還包括使用感應耦合電漿質譜儀檢測第二採樣液體。

根據本揭示案之一些實施例，一種監測氣態分子污染物的系統包含以下元件。一加溫衝擊瓶用以裝填一第一採樣液體。一冷凝衝擊瓶用以裝填一第二採樣液體。一加熱器用以加熱加溫衝擊瓶至高於室溫。一第一管體連接於加溫衝擊瓶與冷凝衝擊瓶之間。一第二管體插入加溫衝擊瓶內。一氣泵連接至冷凝衝擊瓶。在一些實施例中，監測氣態分子污染物的系統還包含一隔熱板位於冷凝衝擊瓶與加溫衝擊瓶之間。在一些實施例中，監測氣態分子污染物的系統還包含一隔熱箱用以包圍冷凝衝擊瓶或加溫衝擊瓶。在一些實施例中，第二管體的底端接近或抵接加溫衝擊瓶內的底部。在一些實施例中，監測氣態分子污染物的系統還包含一冷卻器用以冷卻冷凝衝擊瓶至低於室溫。

前文概述了若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可較佳地理解本揭示案之態樣。熟習此項技術者應瞭解，他們可容易地使用本揭示案作為設計或修改用於實現相同目的及/或達成本文中所介紹之實施例之相同優勢的其它製程及結構的基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此些等效構造不脫離本揭示案之精神及範疇，且他們可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下在本文中作出各種改變、代替及變更。

400:監測氣態分子污染物系統

400a:監測氣態分子污染物系統

400b:監測氣態分子污染物系統

400c:監測氣態分子污染物系統

402:冷凝衝擊瓶

403:頂蓋

404:採樣液體

406:管體

406a:端

406b:端

408:管體

408a:端

410:氣泵

412:冷卻器

413:加溫衝擊瓶

414:採樣液體

415:頂蓋

416:管體

416a:端

416b:端

418:加熱器

450:隔熱板

452:隔熱箱

454:隔熱箱

500:方法

502:操作

504:操作

506:操作

508:操作

510:操作

當結合隨附諸圖閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭示案之態樣。應注意，根據行業上之標準實務，各種特徵未按比例繪製。事實上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特徵之尺寸。 第1圖為根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。 第2圖為根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。 第3圖為根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。 第4圖為根據本揭示案之一些實施例的監測氣態分子污染物系統之示意圖。 第5圖為根據本揭示案之一些實施例之監測氣態分子污染物的方法流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

500:方法

502:操作

504:操作

506:操作

508:操作

510:操作

Claims (10)

1. 一種監測氣態分子污染物的方法，包括：分別添加一第一採樣液體與一第二採樣液體至一加溫衝擊瓶與一冷凝衝擊瓶內，其中一第一管體自該加溫衝擊瓶外延伸至該加溫衝擊瓶內，並進一步延伸至該第一採樣液體內，一第二管體串聯該加溫衝擊瓶與該冷凝衝擊瓶；使用一氣泵連接該冷凝衝擊瓶抽氣，促使該第一管體吸入一待監測氣體並導入該第一採樣液體內；以及加熱該加溫衝擊瓶，使得該第一採樣液體蒸發並通過該第二管體被該冷凝衝擊瓶所蒐集。
2. 如請求項1所述之方法，其中加熱該加溫衝擊瓶的溫度為約60℃~約65℃。
3. 如請求項1所述之方法，還包括：冷卻該冷凝衝擊瓶。
4. 如請求項1之所述之方法，還包括：設置隔熱板位於該加溫衝擊瓶與該冷凝衝擊瓶之間。
5. 一種監測氣態分子污染物的方法，包括：分別添加一第一採樣液體與一第二採樣液體至一加溫衝擊瓶與一冷凝衝擊瓶內，其中一第一管體自該加溫衝擊瓶外延伸至該加溫衝擊瓶內，並進一步延伸至該第一採樣液 體內，一第二管體串聯該加溫衝擊瓶與該冷凝衝擊瓶；加熱該加溫衝擊瓶；冷卻該冷凝衝擊瓶；以及使用一氣泵連接該冷凝衝擊瓶抽氣，促使該第一管體吸入一待監測氣體並導入該第一採樣液體內。
6. 如請求項5之所述之方法，還包括：使用一感應耦合電漿質譜儀檢測該第二採樣液體。
7. 一種監測氣態分子污染物的系統，包括：一加溫衝擊瓶，用以裝填一第一採樣液體；一冷凝衝擊瓶，用以裝填一第二採樣液體；一加熱器，用以加熱該加溫衝擊瓶至高於室溫；一第一管體，連接於該加溫衝擊瓶與該冷凝衝擊瓶之間；一第二管體，插入該加溫衝擊瓶內；以及一氣泵，連接至該冷凝衝擊瓶。
8. 如請求項7之所述之系統，還包括：一隔熱板位於該加溫衝擊瓶與該冷凝衝擊瓶之間。
9. 如請求項7之所述之系統，還包括：一隔熱箱包圍該加溫衝擊瓶。
10. 如請求項7之所述之系統，還包括：一冷卻器用以冷卻該冷凝衝擊瓶至低於室溫。

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