TWI770149B - 導電性膜、觸控面板、及影像顯示裝置 - Google Patents

Abstract

根據本發明之一態樣，提供一種導電性膜10，其具備透光性基材11、設置於透光性基材11之一面11A側之多個透光性導電部12、及位於導電部12間之透光性非導電部13，其特徵在於：各導電部12含有透光性樹脂15及配置於透光性樹脂15中之導電性纖維16，非導電部13含有透光性樹脂15，且非導電部13之表面13A之算術平均粗糙度為3nm以上。

Description

導電性膜、觸控面板、及影像顯示裝置 [相關申請案之參照]

本案享有作為在先日本申請之日本特願2017-59384(申請日：2017年3月24日)之優先權，其全部揭示內容藉由引用而成為本說明書之一部分。

本發明係關於一種導電性膜、觸控面板、及影像顯示裝置。

自先前以來，導電性膜被廣泛地利用於觸控面板之感測器等。導電性膜具備設置於透光性基材上之由氧化銦錫(ITO)構成之透光性導電層(例如參照日本特開2015-95070號公報)。

然而，由於ITO不具有柔軟性，故而於使用可撓性基材作為透光性基材之情形時，存在透光性導電層容易產生裂紋之問題。

根據此種情況，目前業界正研究對導電性膜使用銀奈米線等金屬奈米線代替ITO。包含金屬奈米線之導電層之圖案化亦能夠藉由濕式蝕刻而進行，但由於濕式蝕刻會受到藥液之影響，故而較佳為不受藥液影響且可選擇 性地去除金屬奈米線之雷射蝕刻。

然而，本發明者人等發現，若利用雷射蝕刻進行導電層之圖案化，則有金屬奈米線殘存於非導電部之虞，若於非導電部殘存該金屬奈米線，則該殘存之金屬奈米線與金屬離子自導電部之遷移會相互發生作用，而容易產生導電部間之電性短路。

本發明係為了解決上述問題而完成者。即，其目的在於提供一種可抑制導電部間之電性短路之導電性膜、觸控面板及影像顯示裝置。

根據本發明之一態樣，提供一種導電性膜，其具備透光性基材、設置於上述透光性基材之一面側之多個透光性導電部、及位於上述導電部間之透光性非導電部，其特徵在於：上述各導電部含有透光性樹脂及配置於上述透光性樹脂中之導電性纖維，且上述非導電部含有透光性樹脂，上述非導電部表面之三維算術平均粗糙度為3nm以上。

於上述導電性膜中，上述三維算術平均粗糙度可為80nm以下。

於上述導電性膜中，上述導電性纖維之纖維長度可為1μm以上。

於上述導電性膜中，上述導電性纖維之纖維直徑可為200nm以下。

於上述導電性膜中，上述導電性膜之霧度值(haze value)可為5%以下。

於上述導電性膜中，上述導電性膜之全光線穿透率可為80%以上。

根據本發明之另一態樣，提供一種觸控面板，其具備上述導電性膜。

根據本發明之另一態樣，提供一種影像顯示裝置，其具備上述導電性膜或上述觸控面板。

根據本發明之一態樣，可提供一種導電性膜，其非導電部表面之算術平均粗糙度為3nm以上，故而可抑制導電部間之電性短路。另外，根據本發明之另一態樣，可提供一種具備此種導電性膜之觸控面板及影像顯示裝置。

10、80‧‧‧導電性膜

10A‧‧‧表面

11‧‧‧透光性基材

12‧‧‧導電部

12A‧‧‧表面

13‧‧‧非導電部

13A‧‧‧表面

14‧‧‧透光性功能層

15‧‧‧透光性樹脂

16‧‧‧導電性纖維

40‧‧‧影像顯示裝置

50‧‧‧顯示面板

65‧‧‧顯示元件

70‧‧‧觸控面板

圖1係實施形態之導電性膜之概略構成圖。

圖2係實施形態之導電性膜之示意性俯視圖。

圖3係圖1所示之導電性膜之一部分之放大圖。

圖4係測定電阻值時之試樣之俯視圖。

圖5(A)~圖5(C)係示意性表示摺疊試驗情況之圖。

圖6(A)及圖6(B)係示意性表示實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。

圖7(A)及圖7(B)係示意性表示實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。

圖8(A)及圖8(B)係示意性表示實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。

圖9係實施形態之影像顯示裝置之概略構成圖。

圖10係實施形態之觸控面板之示意性俯視圖。

以下，一面參照圖示一面對本發明之實施形態之導電性膜、觸控面板、及影像顯示裝置進行說明。本說明書中之所謂「透光性」意指使光穿 透之性質。另外，「透光性」未必需要為透明，亦可為半透明。圖1係本實施形態之導電性膜之概略構成圖，圖2係本實施形態之導電性膜之示意性俯視圖，圖3係圖1所示之導電性膜之一部分之放大圖。圖4係測定電阻值時之試樣之俯視圖，圖5係示意性表示摺疊試驗之情況之圖。圖6~圖8係示意性表示本實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。

<<<導電性膜>>>

圖1所示之導電性膜10具備透光性基材11、設置於透光性基材11之一面11A側之多個透光性導電部12、設置於透光性基材11之一面11A側且位於導電部12間之透光性非導電部13、及設置於透光性基材11之與導電部12及非導電部13側之面為相反側之面即另一面11B側之透光性功能層14。其中，導電性膜10具備透光性基材11、導電部12、及非導電部13即可，亦可不具備透光性功能層14。透光性功能層14設置於另一面11B側，透光性功能層亦可設置於透光性基材11與導電部12及非導電部13之間，另外，透光性功能層不僅可設置於透光性基材11之另一面11B側，亦可設置於導電部12及非導電部13之間。另外，於圖1所示之導電性膜10中，僅於單面側設置有導電部12及非導電部13，但亦可於導電性膜之兩面側設置有導電部。導電性膜10之表面10A係由導電部12之表面12A及非導電部13之表面13A構成。

導電性膜10較佳為霧度值(總霧度值)成為5%以下。若導電性膜10之霧度值超過5%，則有光學性能變得不充分之虞。霧度值可依據JIS K7136：2000，使用霧度計(製品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造)而求出。霧度值係以導電性膜整體進行測定時之值，另外，將其設為於切成50mm×100mm之大小後在無捲曲或褶皺且不存在指紋或灰塵等之狀態下以導電部側成為非光源側之方式進行設置(兩面均形成有導電部之情形不限於此)，對1片導電性膜測定3次而獲得之值之算術平均值。本說明書中之所謂「測定3 次」意指測定3處不同部位而非測定3次相同部位。關於導電性膜10，所目視之表面10A平坦，且導電部12等所積層之層亦平坦，另外，膜厚之偏差亦落於±10%之範圍內。因此，認為藉由在切出之導電性膜之3處不同部位測定霧度值，可獲得大致導電性膜之整個面內之霧度值之平均值。此外，於未將導電性膜切成上述大小之情形時，例如HM-150於測定時之入口開口為20mmΦ，故而必須成為直徑21mm以上之大小之試樣。因此，亦可將導電性膜適當地切成22mm×22mm以上之大小。於導電性膜之大小較小之情形時，於未脫離光源點之範圍內逐步略微地偏移、或改變角度等而將測定點設為3處。導電性膜10之霧度值依序較佳為3%以下、2%以下、1.5%以下、1.2%以下、1.1%以下(數值越小越佳)。關於所獲得之霧度值之偏差，即便測定對象為1m×3000m之長條抑或5吋之智慧型手機般之大小，均為±10%以內，於成為上述較佳之範圍之情形時，更容易獲得低霧度值及低電阻值。

導電性膜10較佳為全光線穿透率為80%以上。若導電性膜之全光線穿透率未達80%，則有光學性能變得不充分之虞。全光線穿透率可依據JIS K7361-1：1997，使用霧度計(製品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造)而求出。全光線穿透率係以導電性膜整體進行測定時之值，另外，將其設為於切成50mm×100mm之大小後在無捲曲或褶皺且不存在指紋或灰塵等之狀態下以導電部側成為非光源側之方式進行設置(兩面均形成有導電部之情形不限於此)，對1片導電性膜測定3次而獲得之值之算術平均值。關於導電性膜10，所目視之表面10A平坦，且導電部12等所積層之層亦平坦，另外，膜厚之偏差亦落於±10%之範圍內。因此，認為藉由在切出之導電性膜之3處不同部位測定全光線穿透率，可獲得大致導電性膜之整個面內之全光線穿透率之平均值。此外，於未將導電性膜切成上述大小之情形時，例如HM-150於測定時之入口開口為20mmΦ，故而必須成為直徑21mm以上般之大小之試樣。因此，亦 可將導電性膜適當地切成22mm×22mm以上之大小。於導電性膜之大小較小之情形時，於未脫離光源點之範圍內逐步略微地偏移、或改變角度等而將測定點設為3處。導電性膜10之全光線穿透率依序進而較佳為85%以上、88%以上、89%以上(數值越大越佳)。關於所獲得之全光線穿透率之偏差，即便測定對象為1m×3000m之長條抑或5吋之智慧型手機般之大小，均為±10%以內，於成為上述較佳之範圍之情形時，更容易獲得低霧度值及低電阻值。此外，於搭載有導電性膜之觸控面板感測器等重疊多層而成之整個積層體中，亦較佳為與上述相同之全光線穿透率。

導電性膜10較佳為具有可撓性。具體而言，即便於對導電性膜10反覆進行2萬次之以導電性膜10之相對向之邊部之間隔成為6mm之方式摺疊180°之試驗(摺疊試驗)之情形時，亦較佳為摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部12之表面12A之下述電阻值比為3以下。於對導電性膜反覆進行2萬次摺疊試驗之情形時，若摺疊試驗前後之導電性膜之導電部表面之電阻值比超過3，則有使導電性膜產生破裂等之虞，故而導電性膜之可撓性變得不充分。此處，若因摺疊試驗而使導電性膜產生破裂等，則導電性會降低，故而摺疊試驗後之導電性膜之導電部表面之電阻值會較摺疊試驗前之導電性膜之導電部表面之電阻值上升。因此，藉由求出摺疊試驗前後之導電性膜之導電部表面之電阻值比，可判斷導電性膜是否產生破裂等。於反覆進行上述次數之摺疊試驗之情形之任一情形時，摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部12之表面12A之電阻值比均更佳為1.5以下。摺疊試驗可以導電部12成為內側之方式將導電性膜10摺疊而進行，另外，亦可以導電部12成為外側之方式將導電性膜10摺疊而進行，於任一情形時，均較佳為摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部12之表面12A之電阻值比為3以下。

於進行摺疊試驗時，首先自摺疊試驗前之導電性膜10之任意部 位以包含導電部12之方式切出特定之大小(例如縱125mm×橫50mm之長方形形狀)之試樣S(參照圖4)。此外，於不將試樣切成125mm×50mm之大小之情形時，例如亦可將試樣切成110mm×50mm之大小。於自摺疊試驗前之導電性膜切出試樣S後，對於摺疊試驗前之各試樣S測定導電部12之表面12A之電阻值。具體而言，如圖4所示般，於試樣S之長邊方向之兩端部(例如各縱10mm×橫50mm之部分)上塗佈銀漿(製品名「DW-520H-14」，Toyobo公司製造)以防止電阻值之測定距離發生變動，於130℃加熱30分鐘，而於各試樣上之兩端部設置硬化之銀漿20，於該狀態下使用試驗機(製品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機公司製造)測定試樣S之電阻值。此外，銀漿20間之距離(未設置銀漿20之部分之距離)成為試樣S之電阻值之測定距離(例如100mm)。於測定電阻值時，使試驗機之探針端子與設置於兩端部之硬化之銀漿20各自接觸。對於摺疊試驗前之試樣S測定導電部12之表面12A之電阻值後，對試樣S進行摺疊試驗。

摺疊試驗係以如下方式進行。如圖5(A)所示之摺疊試驗中，首先利用平行配置之固定部25分別將所選擇之試樣S之邊部S1及與邊部S1相對向之邊部S2固定。另外，如圖5(A)所示，固定部25變得能夠於水平方向上滑動移動。

其次，如圖5(B)所示，藉由使固定部25以彼此靠近之方式移動，而使試樣S之中央部S3如摺疊般發生變形，進而如圖5(C)所示，使固定部25移動直至試樣S之經固定部25固定之相對向之2個邊部S1、S2之間隔成為6mm之位置，然後使固定部25於反方向上移動，而消除試樣S之變形。

藉由如圖5(A)~(C)所示般使固定部25移動，可將試樣S於中央部S3摺疊180°。另外，以不使試樣S之彎曲部S4自固定部25之下端伸出之方式進行摺疊試驗，且將固定部25最接近時之間隔控制為6mm，藉此可使試樣 S之相對向之2個邊部S1、S2之間隔成為6mm。於該情形時，將彎曲部S4之外徑視為6mm。此外，試樣S之厚度由於與固定部25之間隔(6mm)相比為充分小之值，故而可視為試樣S之摺疊試驗結果不因試樣S厚度差異而受到影響。

於進行摺疊試驗後，對於摺疊試驗後之試樣S以與摺疊試驗前之試樣S同樣之方式測定導電部表面之電阻值。然後，求出所選擇之摺疊試驗後之試樣S之電阻值相對於摺疊試驗前之試樣S之電阻值的比(所選擇之摺疊試驗後之試樣之電阻值/摺疊試驗前之試樣之電阻值)。此外，電阻值比設為測定3次而獲得之值之算術平均值。

包含導電性膜10之本發明之導電性膜之用途並無特別限定，例如可用於利用透明導電膜之各種用途。另外，本發明之導電性膜可用於影像顯示裝置(包括智慧型手機、平板終端、隨身終端、個人電腦、電視、數位標牌、公共信息顯示器(PID)、車載顯示器等)相關製品，此外亦可用於住宅或車輛(包括電車或車輛建設用機械等所有車輛)所採用之電器或窗。尤其是本發明之導電性膜可適宜地使用於重視透明性之部分。另外，本發明之導電性膜亦可適宜地使用於不僅要求透明性等技術性觀點而且亦要求創意性或設計性之電器。作為本發明之導電性膜之具體用途，例如可列舉：除霜器、天線、太陽電池、音頻系統、揚聲器、電扇、電子白板或半導體用承載膜等。

本發明之導電性膜可切割為所需之大小，亦可為捲狀。於將本發明之導電性膜切割為所需大小之情形時，導電性膜之大小並無特別限制，可根據影像顯示裝置之顯示面大小而適當決定。具體而言，導電性膜之大小例如可成為5吋以上且500吋以下。關於本說明書中之「吋」，於導電性膜為四邊形之情形時意指對角線之長度，於圓形之情形時意指直徑，於楕圓形之情形時意指短徑與長徑之和之平均值。此處，於導電性膜為四邊形之情形時，求出上述吋時之導電性膜之縱橫比只要影像顯示裝置之顯示畫面無問題則無特別限定。 例如可列舉縱：橫=1：1、4：3、16：10、16：9、2：1等。其中，尤其對於富於設計性之車載用途或數位標牌而言，並不限定於此種縱橫比。另外，於導電性膜10之大小較大之情形時，自任意位置切成A4尺寸(210mm×297mm)或A5尺寸(148mm×210mm)等容易適宜操作之大小後，再切成各測定項目之大小。

<<透光性基材>>

作為透光性基材11，可列舉由具有透光性之樹脂構成之基材。作為此種樹脂，只要具有透光性則無特別限定，例如可列舉：聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、芳香族聚醚酮系樹脂、聚醚碸系樹脂、乙醯纖維素系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、或將2種以上之該等樹脂加以混合而成之混合物等。

於獲得可摺疊之導電性膜作為導電性膜之情形時，作為構成透光性基材之樹脂，就摺疊性良好之方面而言，較佳為使用聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚酯系樹脂、或該等之混合物。另外，該等中，就不僅具有優異之摺疊性而且具有優異之硬度及透明性，另外，耐熱性亦優異，藉由進行焙燒亦可賦予更優異之硬度及透明性之方面而言，較佳為聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、或該等之混合物。

作為聚烯烴系樹脂，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、環狀聚烯烴基材等。作為環狀聚烯烴系樹脂，例如可列舉具有降莰烯骨架者。

作為聚碳酸酯系樹脂，例如可列舉：以雙酚類(雙酚A等)為基礎之芳香族聚碳酸酯、二乙二醇雙烯丙基碳酸酯等脂肪族聚碳酸酯等。

作為聚丙烯酸酯系樹脂，例如可列舉：聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物等。

作為聚酯系樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯 (PET)、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)之至少1種。

作為芳香族聚醚酮系樹脂，例如可列舉聚醚醚酮(PEEK)等。

作為乙醯纖維素系樹脂，例如可列舉三乙醯纖維素(TAC)、二乙醯纖維素。三乙醯纖維素係於可見光區域380~780nm中能夠使平均透光率成為50%以上之樹脂。三乙醯纖維素之平均透光率較佳為70%以上，進而較佳為85%以上。

此外，作為三乙醯纖維素，除純粹之三乙醯纖維素以外，亦可為如乙酸丙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素般亦併用乙酸以外之成分作為與纖維素形成酯之脂肪酸而獲得者。另外，該等三乙醯纖維素系樹脂中亦可視需要添加二乙醯纖維素等其他纖維素低級脂肪酸酯、或塑化劑、紫外線吸收劑、易滑劑等各種添加劑。

聚醯亞胺系樹脂係使四羧酸成分與二胺成分反應而獲得者。作為聚醯亞胺系樹脂，並無特別限定，例如就具有優異之透光性及優異之剛性之方面而言，較佳為具有選自由下述通式(1)及下述通式(3)所表示之結構所組成之群中之至少1種結構。

上述通式(1)中，R¹表示作為四羧酸殘基之四價基，R²表示選自由反式環己烷二胺殘基、反式1,4-雙亞甲基環己烷二胺殘基、4,4'-二胺基二苯基碸殘基、3,4'-二胺基二苯基碸殘基、及下述通式(2)所表示之二價基所組成 之群中之至少1種二價基。n表示重複單元個數，且為1以上。於本說明書中，「四羧酸殘基」係指自四羧酸去除4個羧基後之殘基，表示與自四羧酸二酐去除酸二酐結構後之殘基相同之結構。另外，「二胺殘基」係指自二胺去除2個胺基後之殘基。

上述通式(2)中，R³及R⁴分別獨立表示氫原子、烷基、或全氟烷基。

上述通式(3)中，R⁵表示選自由環己烷四羧酸殘基、環戊烷四羧酸殘基、二環己烷-3,4,3',4'-四羧酸殘基、及4,4'-(六氟亞異丙基)雙鄰苯二甲酸殘基所組成之群中之至少1種四價基，R⁶表示作為二胺殘基之二價基。n'表示重複單元個數，且為1以上。

上述通式(1)中之R¹為四羧酸殘基，可設為如上述例示之自四羧酸二酐去除酸二酐結構後之殘基。作為上述通式(1)中之R¹，其中就提高透光性且提高剛性之方面而言，較佳為包含選自由4,4'-(六氟亞異丙基)雙鄰苯二甲酸殘基、3,3',4,4'-聯苯四羧酸殘基、均苯四甲酸殘基、2,3',3,4'-聯苯四羧酸殘基、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸殘基、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸殘基、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸殘基、環己烷四羧酸殘基、及環戊烷四羧酸殘基所組成之群中之至 少1種，進而較佳為包含選自由4,4'-(六氟亞異丙基)雙鄰苯二甲酸殘基、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸殘基、及3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸殘基所組成之群中之至少1種。

R¹中，較佳為含有該等適宜之殘基合計50莫耳%以上，進而較佳為含有70莫耳%以上，進而更佳為含有90莫耳%以上。

另外，作為R¹，亦較佳為將如選自由3,3',4,4'-聯苯四羧酸殘基、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸殘基、及均苯四甲酸殘基所組成之群中之至少1種之適於提高剛直性的四羧酸殘基群(組A)、與如選自由4,4'-(六氟亞異丙基)雙鄰苯二甲酸殘基、2,3',3,4'-聯苯四羧酸殘基、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸殘基、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸殘基、環己烷四羧酸殘基、及環戊烷四羧酸殘基所組成之群中之至少1種之適於提高透明性的四羧酸殘基群(組B)進行混合而使用。

於該情形時，關於上述適於提高剛直性之四羧酸殘基群(組A)與適於提高透明性之四羧酸殘基群(組B)的含有比率，相對於適於提高透明性之四羧酸殘基群(組B)1莫耳，上述適於提高剛直性之四羧酸殘基群(組A)較佳為0.05莫耳以上且9莫耳以下，進而較佳為0.1莫耳以上且5莫耳以下，進而更佳為0.3莫耳以上且4莫耳以下。

作為上述通式(1)中之R²，其中就提高透光性且提高剛性之方面而言，較佳為選自由4,4'-二胺基二苯基碸殘基、3,4'-二胺基二苯基碸殘基、及上述通式(2)所表示之二價基所組成之群中之至少1種二價基，進而較佳為選自由4,4'-二胺基二苯基碸殘基、3,4'-二胺基二苯基碸殘基、以及R³及R⁴為全氟烷基之上述通式(2)所表示之二價基所組成之群中之至少1種二價基。

作為上述通式(3)中之R⁵，其中就提高透光性且提高剛性之方面而言，較佳為包含4,4'-(六氟亞異丙基)雙鄰苯二甲酸殘基、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸殘基、及氧雙鄰苯二甲酸殘基。

R⁵中，較佳為含有該等適宜之殘基50莫耳%以上，進而較佳為 含有70莫耳%以上，進而更佳為含有90莫耳%以上。

上述通式(3)中之R⁶為二胺殘基，可設為如上述例示之自二胺去除2個胺基後之殘基。作為上述通式(3)中之R⁶，其中就提高透光性且提高剛性之方面而言，較佳為包含選自由2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺殘基、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸殘基、4,4-二胺基二苯基碸殘基、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷殘基、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸殘基、4,4'-二胺基-2,2'-雙(三氟甲基)二苯醚殘基、1,4-雙[4-胺基-2-(三氟甲基)苯氧基]苯殘基、2,2-雙[4-(4-胺基-2-三氟甲基苯氧基)苯基]六氟丙烷殘基、4,4'-二胺基-2-(三氟甲基)二苯醚殘基、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺殘基、N,N'-雙(4-胺基苯基)對苯二甲醯胺殘基、及9,9-雙(4-胺基苯基)茀殘基所組成之群中之至少1種二價基，進而較佳為包含選自由2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺殘基、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸殘基、及4,4'-二胺基二苯基碸殘基所組成之群中之至少1種二價基。

R⁶中，較佳為含有該等適宜之殘基合計50莫耳%以上，進而較佳為含有70莫耳%以上，進而更佳為含有90莫耳%以上。

另外，作為R⁶，亦較佳為將如選自由雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸殘基、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺殘基、N,N'-雙(4-胺基苯基)對苯二甲醯胺殘基、對苯二胺殘基、間苯二胺殘基、及4,4'-二胺基二苯基甲烷殘基所組成之群中之至少1種之適於提高剛直性的二胺殘基群(組C)、與如選自由2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺殘基、4,4'-二胺基二苯基碸殘基、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷殘基、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸殘基、4,4'-二胺基-2,2'-雙(三氟甲基)二苯醚殘基、1,4-雙[4-胺基-2-(三氟甲基)苯氧基]苯殘基、2,2-雙[4-(4-胺基-2-三氟甲基苯氧基)苯基]六氟丙烷殘基、4,4'-二胺基-2-(三氟甲基)二苯醚殘基、及9,9-雙(4-胺基苯基)茀殘基所組成之群中之至少1種之適於提高透明性的二胺殘基群(組D)進行混合而使用。

於該情形時，關於上述適於提高剛直性之二胺殘基群(組C)與適於提高透明性之二胺殘基群(組D)的含有比率，相對於適於提高透明性之二胺殘基群(組D)1莫耳，上述適於提高剛直性之二胺殘基群(組C)較佳為0.05莫耳以上且9莫耳以下，進而較佳為0.1莫耳以上且5莫耳以下，進而更佳為0.3莫耳以上且4莫耳以下。

於上述通式(1)及上述通式(3)所表示之結構中，n及n'分別獨立表示重複單元個數，且為1以上。聚醯亞胺之重複單元個數n只要以顯示出下述較佳之玻璃轉移溫度之方式根據結構適當選擇即可，並無特別限定。平均重複單元個數通常為10~2000，進而較佳為15~1000。

另外，聚醯亞胺系樹脂其一部分亦可包含聚醯胺結構。作為可包含之聚醯胺結構，例如可列舉：包含如偏苯三甲酸酐之類的三羧酸殘基之聚醯胺醯亞胺結構、或包含如對苯二甲酸之類的二羧酸殘基之聚醯胺結構。

聚醯亞胺系樹脂就耐熱性之方面而言，玻璃轉移溫度較佳為250℃以上，進而較佳為270℃以上。另一方面，就易延伸性或烘烤溫度降低之方面而言，玻璃轉移溫度較佳為400℃以下，進而較佳為380℃以下。

聚醯胺系樹脂係不僅包含脂肪族聚醯胺而且亦包含芳香族聚醯胺(aramid)之概念。聚醯亞胺系樹脂或聚醯胺系樹脂之重量平均分子量較佳為3000以上且50萬以下之範圍，更佳為5000~30萬之範圍，進而較佳為1萬以上且20萬以下之範圍。若重量平均分子量未達3000，則存在無法獲得充分之強度之情形，若超過50萬，則存在黏度上升，溶解性降低，故而無法獲得表面平滑且膜厚均勻之基材之情形。本說明書中之「重量平均分子量」係溶解於四氫呋喃(THF)等溶劑中，並利用以往公知之凝膠滲透層析法(GPC)藉由聚苯乙烯換算而獲得之值。

聚醯亞胺系樹脂及聚醯胺系樹脂之中，就具有優異之透明性之 方面而言，較佳為具有不易產生分子內或分子間之電荷轉移之結構之聚醯亞胺系樹脂或聚醯胺系樹脂，具體而言，可列舉：氟化聚醯亞胺系樹脂、具有脂環結構之聚醯亞胺系樹脂、具有鹵素基之聚醯胺系樹脂。

另外，氟化聚醯亞胺系樹脂由於具有經氟化之結構，故而具有高耐熱性，不會因製造由聚醯亞胺系樹脂構成之基材時之熱而著色，故而具有優異之透明性。

由聚醯亞胺系樹脂構成之基材及由聚醯胺系樹脂構成之基材亦可使用市售者。作為由聚醯亞胺系樹脂構成之基材之市售品，例如可列舉三菱瓦斯化學公司製造之Neoprim等，作為由聚醯胺系樹脂構成之基材之市售品，例如可列舉Toray公司製造之Mictron等。

透光性基材11之厚度並無特別限定，可設為3μm以上且500μm以下，透光性基材11之厚度之下限就操作性等觀點而言，依序較佳為10μm以上、20μm以上(數值越大越佳)。透光性基材11之厚度之上限就薄膜化之觀點而言，依序較佳為250μm以下、100μm以下、80μm以下、60μm以下、40μm以下(數值越小越佳)。透光性基材之厚度可藉由與下述導電部之膜厚之測定方法相同之方法進行測定。

對於透光性基材11之表面，為了提高接著性，亦可對表面實施電暈放電處理、氧化處理等物理性處理。另外，透光性基材11亦可於至少一面側具有基底層，該基底層用以提高與其他層之接著性，防止捲取時之貼附及/或抑制形成其他層之塗佈液之未濡濕。其中，於本說明書中，將存在於透光性基材之至少一面側且與透光性基材相接之基底層視作透光性基材之一部分，且不包括於透光性功能層。

基底層例如含有增黏劑或底塗劑。作為增黏劑或底塗劑，例如可使用聚胺酯樹脂、聚酯樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、氯乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、乙烯與乙酸乙烯酯或丙烯酸等之共聚物、乙烯與苯乙烯及/或丁二烯等之共聚物、烯烴樹脂等熱塑性樹脂及/或其改質樹脂、游離放射線聚合性化合物之聚合物、及熱聚合性化合物之聚合物等之至少任一者。

為了如上述般防止捲取時之貼附，基底層亦可含有易滑劑等粒子。作為粒子，可列舉二氧化矽粒子等。

<<透光性功能層>>

透光性功能層14配置於透光性基材11之另一面11B側。本說明書中之所謂「透光性功能層」係具有透光性且於導電性膜中意圖發揮某些功能之層。具體而言，作為透光性功能層，例如可列舉：用以發揮硬塗功能、折射率調整功能、溶出抑制功能及/或色調調整功能之層。透光性功能層不僅可為單層，亦可為積層有2層以上者。於透光性功能層為積層有2層以上者之情形時，各層所具有之功能可相同亦可不同。於本實施形態中，對透光性功能層14為發揮硬塗功能之層、即硬塗層之情形進行說明。

透光性功能層14由於如上述般作為硬塗層發揮功能，故而透光性功能層14成為於JIS K5600-5-4：1999中規定之鉛筆硬度試驗(4.9N荷重)中具有「H」以上之硬度之層。藉由將鉛筆硬度設為「H」以上，導電性膜10變硬，可提高耐久性。此外，就透光性功能層之韌性及防止捲曲之觀點而言，透光性功能層14之表面之鉛筆硬度之上限較佳為設為4H左右。

透光性功能層14之膜厚較佳為0.5μm以上且15μm以下。若透光性功能層14之膜厚為該範圍，則可獲得所需之硬度。透光性功能層之膜厚可藉由與下述導電部之膜厚之測定方法相同之方法進行測定。透光性功能層14之膜厚之下限就抑制捲曲產生之觀點而言，依序進而較佳為1μm以上、1.5μm以上、2μm以上(數值越大越佳)。另外，透光性功能層14之膜厚之上限就抑制 透光性功能層之破裂之觀點而言，依序進而進而較佳為12μm以下、10μm以下、7μm以下、5μm以下(數值越小越佳)。另外，就實現透光性功能層之薄膜化，另一方面抑制捲曲產生之觀點而言，透光性功能層14之膜厚進而較佳為0.5μm以上且10μm以下。

透光性功能層14由於作為硬塗層發揮功能，故而透光性功能層14之膜厚較佳為上述範圍，於透光性功能層作為抑制低聚物等自透光性基材之溶出之溶出抑制層而發揮功能之情形時，透光性功能層之膜厚較佳為10nm以上且400nm以下，更佳為50nm以上且150nm以下。

透光性功能層14可至少由透光性樹脂構成。此外，透光性功能層14除樹脂以外，亦可含有無機粒子、有機粒子及調平劑。

<透光性樹脂>

作為透光性功能層14中之透光性樹脂，可列舉含有聚合性化合物之聚合物(硬化物、交聯物)者。透光性樹脂除聚合性化合物之聚合物以外，亦可含有溶劑乾燥型樹脂。作為聚合性化合物，可列舉游離放射線聚合性化合物及/或熱聚合性化合物。

游離放射線聚合性化合物係於1分子中具有至少一個游離放射線聚合性官能基之化合物。本說明書中之所謂「游離放射線聚合性官能基」係藉由游離放射線照射而能夠進行聚合反應之官能基。作為游離放射線聚合性官能基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和基。此外，「(甲基)丙烯醯基」係包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」之兩者之含義。另外，作為使游離放射線聚合性化合物聚合時所照射之游離放射線，可列舉：可見光、紫外線、X射線、電子束、α射線、β射線、及γ射線。

作為游離放射線聚合性化合物，可列舉游離放射線聚合性單體、游離放射線聚合性低聚物、或游離放射線聚合性預聚物，可將該等進行適 當調整而使用。作為游離放射線聚合性化合物，較佳為游離放射線聚合性單體與游離放射線聚合性低聚物或游離放射線聚合性預聚物之組合。

作為游離放射線聚合性單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯等含羥基單體、或乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯類。

作為游離放射線聚合性低聚物，較佳為二官能以上之多官能低聚物，較佳為具有3個(三官能)以上之游離放射線聚合性官能基之多官能低聚物。作為上述多官能低聚物，例如可列舉：聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺酯、聚酯-(甲基)丙烯酸胺酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、多元醇(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、異氰尿酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。

游離放射線聚合性預聚物例如亦可具有1萬之重量平均分子量。作為游離放射線聚合性預聚物之重量平均分子量，較佳為1萬以上且8萬以下，更佳為1萬以上且4萬以下。於重量平均分子量超過8萬之情形時，有黏度較高，故而塗佈適性會降低，所獲得之透光性功能層之外觀變差之虞。作為多官能預聚物，可列舉(甲基)丙烯酸胺酯、異氰尿酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯-(甲基)丙烯酸胺酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。

熱聚合性化合物係於1分子中具有至少一個熱聚合性官能基者。本說明書中之所謂「熱聚合性官能基」係藉由加熱能夠於相同官能基彼此或與 其他官能基之間發生聚合反應之官能基。作為熱聚合性官能基，可列舉：羥基、羧基、異氰酸酯基、胺基、環狀醚基、巰基等。

作為熱聚合性化合物，並無特別限定，例如可列舉：環氧化合物、多元醇化合物、異氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、脲化合物、酚化合物等。

溶劑乾燥型樹脂為熱塑性樹脂等僅藉由將用以於塗佈時調整固體成分而添加之溶劑乾燥便可成為被膜般之樹脂。於添加有溶劑乾燥型樹脂之情形時，於形成透光性功能層14時可有效地防止塗佈液之塗佈面之被膜缺陷。作為溶劑乾燥型樹脂，並無特別限定，通常可使用熱塑性樹脂。

作為熱塑性樹脂，例如可列舉：苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、乙烯基醚系樹脂、含鹵素樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、纖維素衍生物、聚矽氧系樹脂及橡膠或彈性體等。

熱塑性樹脂較佳為非晶性且可溶於有機溶劑(尤其能夠溶解多種聚合物或硬化性化合物之共通溶劑)中。尤其就透明性或耐候性之觀點而言，較佳為苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、纖維素衍生物(纖維素酯類等)等。

<無機粒子>

無機粒子係用以提高透光性功能層14之機械強度或鉛筆強度之成分，作為無機粒子，例如可列舉：二氧化矽(SiO₂)粒子、氧化鋁粒子、氧化鈦粒子、氧化錫粒子、摻銻氧化錫(簡稱：ATO)粒子、氧化鋅粒子等無機氧化物粒子。該等之中，就進一步提高硬度之觀點而言，較佳為二氧化矽粒子。作為二氧化矽粒子，可列舉球形二氧化矽粒子或異形二氧化矽粒子，該等之中，較佳為異形二氧化矽粒子。本說明書中之「球形粒子」意指例如真球狀、楕球狀等 之粒子，「異形粒子」意指馬鈴薯狀之表面具有無規凹凸之形狀之粒子。上述異形粒子由於其表面積大於球狀粒子，故而藉由含有此種異形粒子，與上述聚合性化合物等之接觸面積變大，可使透光性功能層14之鉛筆硬度更優異。透光性功能層14所含有之二氧化矽粒子是否為異形二氧化矽粒子可藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)觀察透光性功能層14之剖面而確認。於使用球形二氧化矽粒子之情形時，球形二氧化矽粒子之粒徑越小，則透光性功能層之硬度越高。相對於此，異形二氧化矽粒子即便未如市售之粒徑最小之球形二氧化矽粒子般微小，亦可達成與該球形二氧化矽同等之硬度。

異形二氧化矽粒子之平均一次粒徑較佳為1nm以上且100nm以下。即便異形二氧化矽粒子之平均一次粒徑為該範圍，亦可達成與平均一次粒徑為1nm以上且45nm以下之球形二氧化矽同等之硬度。異形二氧化矽粒子之平均一次粒徑係自使用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)拍攝透光性功能層之剖面而得之透光性功能層剖面之影像測定粒子外周之2點間距離之最大值(長徑)與最小值(短徑)，並取平均而求出粒徑，設為20個粒子之粒徑之算術平均值。另外，球形二氧化矽粒子之平均粒徑係自使用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)拍攝之粒子剖面之影像測定20個粒子之粒徑，設為20個粒子之粒徑之算術平均值。使用掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)(製品名「S-4800(II型)」，Hitachi High-Technologies公司製造)拍攝剖面照片時，將檢測器(選擇信號)設為「TE」、加速電壓設為「30kV」、發射電流設為「10μA」來進行觀察。利用STEM之剖面照片之其他拍攝條件可參照下述條件。此外，平均一次粒徑測定亦可將下述般之影像資料進行二值化處理而算出。

透光性功能層14中之無機粒子之含量較佳為20質量%以上且70 質量%以下。若無機粒子之含量未達20質量%，則難以確保充分之硬度，另外，若無機粒子之含量超過70質量%，則充填率會過度提高，無機粒子與樹脂成分之密接性劣化，反而會使透光性功能層之硬度降低。

作為無機粒子，較佳為使用表面具有游離放射線聚合性官能基之無機粒子(反應性無機粒子)。此種表面具有游離放射線聚合性官能基之無機粒子可藉由利用矽烷偶合劑等對無機粒子進行表面處理而製作。作為對無機粒子之表面利用矽烷偶合劑進行處理之方法，可列舉對無機粒子噴霧矽烷偶合劑之乾式法、或使無機粒子分散於溶劑後再添加矽烷偶合劑使之反應之濕式法等。

<有機粒子>

有機粒子亦為使透光性功能層14之機械強度或鉛筆強度提高之成分，作為有機粒子，例如可列舉塑膠珠。作為塑膠珠，具體例可列舉：聚苯乙烯珠、三聚氰胺樹脂珠、丙烯酸珠、丙烯酸-苯乙烯珠、聚矽氧珠、苯并胍胺珠、苯并胍胺．甲醛縮合珠、聚碳酸酯珠、聚乙烯珠等。

<<導電部>>

如圖3所示，導電部12含有透光性樹脂15、及配置於透光性樹脂15中之導電性纖維16。本說明書中之所謂「導電部」意指於使用掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)或穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察剖面時含有導電性纖維之層。於不易確認導電部之界面之情形時，宜進行於導電部之表面藉由濺鍍法形成Pt-Pd或Au等金屬層等之電子顯微鏡觀察時所通常使用的預處理。另外，若利用四氧化鋨、四氧化釕、磷鎢酸等實施染色處理，則容易觀察到有機層間之界面，於利用樹脂將導電性膜整體包埋後，亦可進行染色處理。另外，「導電部」意指含有透光性樹脂與配置於透光性樹脂中之導電性纖維且能夠自表面導通之部分，且為包含層狀者及層狀以外者之兩者之概念。另外，本說明書中之所謂 「導電性纖維」係指具有導電性且具有長度相較於粗度(例如直徑)充分長之形狀者，例如長度約為粗度之5倍以上者包含於導電性纖維。另外，如圖3所示，導電部12之透光性樹脂15亦可與非導電部13之透光性樹脂15相接。導電部12較佳為進而含有存在於透光性樹脂15中之反應抑制劑。

導電部12能夠自導電部12之表面12A電性導通。導電部是否能夠自導電部之表面電性導通可藉由測定導電部之表面電阻值進行判斷。導電部之表面電阻值之測定方法由於下文中進行敘述，故而此處省略說明。若導電部之表面電阻值之算術平均值未達1×10⁶/□，則可判斷能夠自導電部之表面獲得電性導通。此外，如下所述，大部分之導電性纖維16存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側，但其他導電性纖維16堆積於存在於透光性基材11側之導電性纖維16上，藉此亦存在於自導電部12之膜厚之一半位置HL靠近表面12A側，另外，由於亦存在於導電部12之表面12A，故而導電部12能夠自表面12A電性導通。

於導電部12中，較佳為如圖3所示般導電性纖維16偏集存在於較導電部12(透光性樹脂15)之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側。導電性纖維16是否偏集存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側可以如下方式進行判斷。首先，自導電性膜製作剖面觀察用試樣。詳細而言，將切成2mm×5mm之導電性膜嵌入至聚矽氧系包埋板中，流入環氧系樹脂，將整個導電性膜利用樹脂進行包埋。然後，將包埋樹脂於65℃放置12小時以上使之硬化。然後，使用超薄切片機(製品名「Ultramicrotome EM UC7」，Leica Microsystems公司製造)，將送出厚度設定為100nm而製作超薄切片。利用附膠棉膜之網(150目)採集所製作之超薄切片，設為STEM用試樣。此外，若該試樣中無法實現導通，則存在不易利用STEM看到觀察影像之情形，故而較佳為濺鍍Pt-Pd 20秒左右。濺鍍時間可適當調整，10秒過短，100秒過長，故而所 濺鍍之金屬會成為粒子狀之異物像，因此需加以注意。然後，使用掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)(製品名「S-4800(II型)」，Hitachi High-Technologies公司製造)，拍攝STEM用試樣之導電部之剖面照片。於該剖面照片之拍攝時，將檢測器(選擇信號)設為「TE」、加速電壓設為30kV、發射電流設為「10μA」，關於進行STEM觀察之倍率，以5000倍~20萬倍調節焦距，並以辨別各層之方式適當調節對比度及亮度。較佳之倍率為1萬倍~10萬倍，進而較佳之倍率為1萬倍~5萬倍，最佳之倍率為2.5萬倍~5萬倍。此外，於拍攝剖面照片時，亦可進而將光圈設為射束偵測光圈3、物鏡光圈設為3，另外，將W.D.設為8mm。並且，準備如此拍攝之10處之上述剖面照片。拍攝導電部之剖面照片後，於各剖面照片中求出導電部之膜厚之一半位置。然後，判斷剖面照片中出現之導電性纖維是否存在於較該一半位置更靠透光性基材側。具體而言，首先，於上述電子顯微鏡下之導電部之剖面照片中，導電性纖維由於以較透光性樹脂顏色更深(例如黑色)地映現，故而於導電部之剖面照片中可確認導電性纖維。另一方面，若將該剖面照片放大，則顯現出像素。像素為相同大小並且為方格狀(格子狀)，故而於各剖面照片中，計數表示位於較上述一半位置更靠透光性基材側之導電性纖維的像素個數及表示位於較上述一半位置更靠導電部之表面側之導電性纖維的像素個數，求出表示位於較上述一半位置更靠透光性基材側之導電性纖維之像素個數相對於表示導電性纖維之像素總個數的比率。此處，於表示導電性纖維之像素跨及上述一半位置之情形時，於各像素中，分為自上述一半位置存在於透光性基材側之部分、及自該位置存在於導電部之表面側之部分，基於所劃分之部分之面積比區分1個像素。並且，將自該剖面照片求出之上述比率設為位於較導電部之膜厚之一半位置更靠透光性基材側之導電性纖維之存在比率，將該存在比率為55%以上之情形判斷為導電性纖維偏集存在於較導電部之膜厚之一半位置更靠透光性基材側。該存在比率設為 自各剖面照片求出之存在比率之算術平均值。此外，認為於表面電阻值較低之情形時，導電性纖維均勻地存在於導電部中，故而即便使用導電部局部之剖面照片求出導電性纖維之存在比率，亦表示導電部整體之導電性纖維之存在比率。自上述剖面照片求出之位於較導電部之膜厚之一半位置更靠透光性基材側之導電性纖維之存在比率更佳為70%以上，進而較佳為80%以上。

導電性纖維16是否偏集存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側亦可藉由以下方式進行判斷。首先，準備於導電性膜之導電部之表面藉由濺鍍法形成有Pt-Pd、Pt或Au等金屬層之第1試樣、及未於導電性膜之表面形成金屬層之第2試樣。然後，使用第1試樣，利用下述測定方法測定導電部12之膜厚。另外，使用第2試樣，利用上述方法拍攝導電部之剖面照片，利用影像解析-計測軟體(製品名「WinROOF版本7.4」，三谷商事股份有限公司製造)讀取剖面照片資料，進行二值化處理。STEM觀察係基於電子束穿透之差異而賦予對比度，故而密度較高之金屬因不易使電子束穿透而成為黑色系，密度低於金屬之有機物成為白色系，因此，可將資料之黑色部分設為導電性纖維，將不為黑色部分之白色至灰色之部分判斷為透光性樹脂。因此，於較導電部之膜厚之一半位置更靠透光性基材側之區域中黑色部分所占之比率高於位於較上述一半位置更靠導電部之表面側之區域中黑色部分所占之比率之情形時，可判斷為導電性纖維16偏集存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側。此外，黑色部分之抽取可藉由亮度進行。另外，關於面積之計測，由於金屬與有機物之對比度明顯不同，故而僅憑自動面積計測便可進行。

上述利用二值化處理之面積計測係藉由以下之順序進行。首先，利用上述軟體讀取剖面照片之影像，調用軟體之影像視窗。然後，於影像視窗內於作為影像處理對象之區域ROI(處理範圍)，自膜厚之一半分別選擇 下部、上部，並分別進行二值化，算出導電性纖維部分之總面積。處理範圍之設定係藉由自影像工具帶選擇所描繪之長方形ROI按鈕，於影像視窗內設定長方形ROI而進行。利用上述軟體時，計測值係以像素單位輸出，可藉由校準，將計測值換算為實際長度而輸出。於以面積比率進行計算之情形時，為了判斷導電性纖維是否偏集存在於透光性基材側，而必須換算為實際長度，於導電性膜中，為了表像出表面電阻值或霧度值、及纖維之存在狀態而進行校準。STEM影像中有標度表示，故而可利用其實施ROI區域內之校準。具體而言，自影像工具帶使用Line ROI按鈕，劃出STEM影像之標度之長度部分之線，顯示校準對話框，檢查所設定之線，設定STEM影像之相當於標度之長度及單位。二值化處理中，將欲計測之導電性纖維部分之區域與其他區域分離。具體而言，自二值化處理選單選擇基於2個閾值之二值化。導電性纖維之濃度較深而看似黑色，其他部分看似白色~灰色，故而適當地輸入該2個濃度(亮度)閾值(例如0與80等)，利用2個閾值實施二值化處理。於實際之STEM影像之導電性纖維與經閾值雙色表示(導電性纖維成為綠色等)之二值化處理影像之導電性纖維不一致之情形時，適當變更閾值之數值，進行修正直至最接近STEM影像。例如STEM影像與二值化處理影像之差係自二值化處理選單選擇填補或刪除而適當進行修正。若與導電性纖維相比，二值化之導電性纖維之著色不足，則進行填補，反之則將多餘之著色部分刪除。此外，填補或刪除可利用面積之閾值設定來填補抽取區域，或可刪除抽取區域。若點選欲刪除之部分，則獲得用以刪除該部分之閾值。此外，視需要於二值化處理選單內之項目中，儘可能對STEM影像與二值化處理影像進行修正，使該等一致。另外，亦可使用橡皮工具按鈕，手動地選擇刪除二值化處理影像之無需部分。另外，亦可使用筆工具按鈕，手動地塗繪出視窗，並進行著色修正。當該作業結束時，選擇計測選單之形狀特徵，選擇欲測定之項目之面積。計測每一導電性纖維之面積， 從而亦可計測合計值等。藉由上述作業，分別計測自導電層膜厚之一半之下部總合面積、上部總合面積，進而，分別手動計測自膜厚之一半的下部區域ROI與上部區域ROI之面積，算出比率。手動計測可自計測選單中選擇手動計測中之線長計測，並選擇線長之全部測定項目。適當使用線長工具面板內之工具，用滑鼠拖曳起點、終點，如此可進行線測定，可算出ROI面積。此外，上述作業內容係依據WinROOF版本7.4使用者指南。

導電部12之表面12A之電阻值(表面電阻值)較佳為成為1000Ω/□以下。若導電部12之表面12A之表面電阻值超過1000Ω/□，則尤其於觸控面板用途中，有產生響應速度變慢等不良情況之虞。表面電阻值使用依據JIS K7194：1994(導電性塑膠之利用四探針法之電阻率試驗方法)之接觸式電阻率計(製品名「LorestaAX MCP-T370型」，Mitsubishi Chemical Analytech公司製造，端子形狀：ASP探針)及非破壞式(渦電流法)之電阻率計(製品名「EC-80P」，Napson公司製造，<URL：https：//www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2016/08/Napson_EC80P_

_160614.pdf〉)均可進行測定，但就不論導電部之膜厚如何均可準確測定之方面而言，較佳為使用非破壞式電阻率計進行測定。非破壞式電阻率計之探針係僅憑簡便地接觸試樣便可測定者，能夠不對試樣造成損傷而測定任意位置。於該含義層面上，有時亦稱為非接觸式。利用非破壞式電阻率計之導電部表面電阻值之測定係將切成80mm×50mm之大小之導電性膜以導電部側成為上表面之方式配置於平坦之玻璃板上，並使探針接觸導電部而進行。於使用EC-80P測定表面電阻值之情形時，選擇SW2，選擇模式M-H之薄片電阻測定Ω/□。另外，根據測定範圍可容易地更換探針類型，於本實施形態中，使用測定範圍為10~1000Ω/□範圍之探針、0.5~10Ω/□範圍之探針。此外，使用EC-80P-PN(Napson公司製造)代替EC-80P亦可同樣地測定，於該機種之情形時，P/N宜選擇P。另外，利用接觸式電 阻率計之導電部之表面電阻值之測定係藉由如下方式進行：將切成80mm×50mm之大小之導電性膜以導電部側成為上表面之方式配置於平坦之玻璃板上，將ASP探針配置於導電部之中心，將全部電極接腳均勻地壓抵至導電部。於利用接觸式電阻率計測定表面電阻值時，選擇測定薄片電阻之模式即Ω/□。然後按下開始按鈕並保持，如此表示測定結果。表面電阻值之測定不論電阻率計之種類如何，均於23℃及相對濕度55%之環境下進行。另外，於測定表面電阻值時，不論電阻率計之種類如何，均將導電性膜配置於水平桌上，於均勻之平面狀態下進行測定，但於導電性膜捲曲等無法維持平面狀態之情形時，在將導電性膜利用膠帶等貼附於玻璃板之狀態下進行。測定部位設為導電性膜之中心部之3處，表面電阻值設為3處之表面電阻值之算術平均值。此處，若全部按照JIS K7194：1994，則測定點為1個點、5個點、或9個點，但若實際上將導電性膜切成80mm×50mm之大小，如JIS K7194：1994之圖5般進行測定，則存在測定值不穩定之情形。因此，關於測定點，不同於JIS K7194：1994，設為於導電部之中央部3處進行測定。例如於JIS K7194：1994之圖5之第1位置、第1及第7之間之位置(較佳為靠近第1之位置)、及第1與第9之間之位置(較佳為靠近第1之位置)進行測定。較理想為於試樣之中心附近測定表面電阻值，該見解於井阪大智及其他1人、「利用四探針法之導電性薄膜之電阻率測定」2008年電子資訊通信學會東京支部學生研究發表會<URL：https：//www.ieice.org/tokyo/gakusei/kenkyuu/14/pdf/120.pdf>)中亦有所報告。導電性膜10之表面電阻值之下限依序較佳為1Ω/□以上、5Ω/□以上、10Ω/□以上(數值越大越佳)，另外，導電性膜10之表面電阻值之上限依序進而較佳為200Ω/□以下、100Ω/□以下、70Ω/□以下、60Ω/□以下、50Ω/□以下(數值越小越佳)。

導電部12之膜厚較佳為未達300nm。若導電部之膜厚為300nm 以上，則透光性樹脂之膜厚相應地變得過厚，全部導電性纖維會掩埋於透光性樹脂，因此導致一部分導電性纖維不會露出至導電部之表面，而有無法自導電部之表面獲得電性導通之虞。導電部之膜厚變得越大，則導電性纖維彼此重疊之部分越增加，故而亦能夠達成1Ω/□以上且10Ω/□以下之低表面電阻值，但若導電性纖維過度重疊，則亦存在不易維持低霧度值之情形。因此，膜厚較佳為300nm以下。此外，只要能夠維持低表面電阻值，則導電部為薄膜時就光學特性、薄膜化之觀點而言較佳。導電部12之膜厚之上限就實現薄型化之觀點及獲得低霧度值等良好之光學特性之觀點而言，依序進而較佳為145nm、140nm以下、120nm以下、110nm以下、80nm以下、50nm以下(數值越小越佳)。另外，導電部12之膜厚之下限較佳為10nm以上。若導電部之膜厚未達10nm，則透光性樹脂15之膜厚相應地變得過薄，故而有產生導電性纖維自導電部之脫離、導電部耐久性之變差、耐擦傷性降低之虞。另外，為了消除導電性纖維容易斷裂等不穩定性，較佳為導電性纖維之纖維直徑有某種程度之大小。作為導電性纖維可穩定地維持形態之纖維直徑，認為該纖維直徑為10nm以上或15nm以上。另一方面，為了獲得穩定之電性導通，較理想為導電性纖維重疊2根以上而接觸，故而導電部12之膜厚之下限更佳為20nm以上或30nm以上。

導電部12之膜厚係自使用掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)或穿透式電子顯微鏡(TEM)所拍攝之導電部之剖面照片隨機地測定10處之厚度，並算出所測得之10處之厚度之算術平均值。以下記載剖面照片之具體拍攝方法。首先，利用與上述相同之方法由導電性膜製作剖面觀察用試樣。此外，若該試樣未實現導通，則存在不易利用STEM見到觀察影像之情形，故而較佳為濺鍍Pt-Pd 20秒左右。濺鍍時間可適當調整，10秒過短，100秒過長，故而所濺鍍之金屬會成為粒子狀之異物像，因此需加以注意。然後，使用掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)(製品名「S-4800(II型)」，Hitachi High-Technologies 公司製造)拍攝STEM用試樣之剖面照片。於該剖面照片之拍攝時，將檢測器(選擇信號)設為「TE」、加速電壓設為30kV、發射電流設為「10μA」，進行STEM觀察。關於倍率，調節焦距並以能否辨別各層一面進行觀察一面以5000倍~20萬倍適當調節對比度及亮度。較佳之倍率為1萬倍~10萬倍，進而較佳之倍率為1萬倍~5萬倍，最佳之倍率為2.5萬倍~5萬倍。此外，於拍攝剖面照片時，亦可進而將光圈設為射束偵測光圈3、物鏡光圈設為3，另外，將W.D.設為8mm。測定導電部之膜厚時，在進行剖面觀察時，重要的是能夠儘可能明確地觀察到導電部與其他層(透光性功能層或包埋樹脂等)之界面對比度。假設若對比度不足而難以觀察到該界面之情形時，亦可進行於導電部之表面藉由濺鍍法形成Pt-Pd、Pt或Au等金屬層等之電子顯微鏡觀察時通常採用之預處理。另外，若利用四氧化鋨、四氧化釕、磷鎢酸等實施染色處理，則容易觀察到有機層間之界面，故而亦可進行染色處理。另外，存在界面之對比度於高倍率時更難分辨之情形。於該情形時，亦以低倍率同時進行觀察。例如於2.5萬倍與5萬倍、或5萬倍與10萬倍等高低2種倍率下進行觀察，於兩種倍率下求出上述算術平均值，進而將該平均值設為導電部膜厚之值。

導電部12較佳為不含具有超過透光性樹脂15之膜厚之粒徑的無機粒子等粒子。若導電部含有此種粒子，則粒子會自透光性樹脂之表面突出，導致導電部之膜厚變大。此處，於粒子自透光性樹脂之表面突出之情形時，導電部之膜厚設為導電部之透光性基材側之面至粒子之頂點之距離。另外，導電部12更佳為不論粒徑如何，均不含無機粒子等粒子本身。其中，例如於用以形成導電性纖維16之中間步驟中獲得之金屬系核粒子之殘渣或於導電性纖維本身修飾有某些物質之情形時，其被視作導電性纖維之一部分，故而該等不包括於粒子。此外，導電部12亦可含有與導電性纖維14材質不同之無機纖維。

於自製品測定導電部12之表面電阻值之情形時，由於導電性能 於任何部分皆均勻，於製品之中央部與端部表面電阻值可視為相同，故而表面電阻值之測定部位不限於製品之中央部而亦可為端部。另外，於自製品測定導電部12之表面電阻值之情形時，亦可適宜地實施以下預處理。由於只要為能夠進行測定之狀態即可，故而並不限定於以下之方法，重要的是不對導電性纖維造成影響。即，於已明確觀察到導電部，黏著層極薄而可推測為薄膜之情形時，亦可直接進行測定，因此宜不強制地剝離全部。其中，較佳為進行儘可能將其減薄之預處理。例如於使用導電性膜作為觸控面板之感測器之情形時，於導電性膜上經由黏著層而存在覆蓋膜或玻璃。因此，首先利用切割刀切入端部而將覆蓋膜或覆蓋玻璃剝離。於不易剝離之情形時，不強制地剝離而移至下一步驟。其次，反覆進行3次於40℃之溫水中浸漬10秒後取出之操作。然後確認利用切割刀等所進行之黏著層之剝離情況，視情形進一步反覆進行3次於40℃之溫水中浸漬10秒後取出之操作。然後，對於黏著層，利用如不傷害導電部之工具(薄平但無刃者)緩慢地剝離黏著層。此外，即便無法整面剝離，只要能夠於欲測定之部位剝離即可。此外，該預處理亦可於表面電阻值以外之其他測定時使用。

導電部12例如係作為投影型靜電電容方式之觸控面板之X方向之電極而發揮功能者，如圖2所示，其具備沿X方向上延伸之多個感測器部12B、及連結於各感測器部12B之端子部(未圖示)。各感測器部12B設置於能夠檢測觸控位置之區域即矩形之有效區(active area)內，端子部設置於相鄰於有效區且自四周包圍有效區之區域即非有效區內。

各感測器部12B具有以直線狀延伸之線部12C與自線部12C鼓出之鼓出部12D。圖2中，線部12C係沿與感測器部12B之排列方向交叉之方向以直線狀延伸。鼓出部12D係沿透光性基材11之表面自線部12C鼓出之部分。因此，各感測器部12B之寬度於設置有鼓出部12D之部分變寬。於本實施形態中， 鼓出部12D具有俯視大致正方形狀之外輪廓。此外，鼓出部12D並不限於俯視大致正方形狀，亦可為菱形狀、或條紋狀。

<透光性樹脂>

透光性樹脂15係為了防止導電性纖維16自導電部12之脫離且提高導電部12之耐久性或耐擦傷性，而覆蓋導電性纖維16者，且係以能夠自導電部12之表面12A電性導通之程度覆蓋導電性纖維16者。具體而言，如上所述般若一部分導電性纖維未露出至導電部之表面，則有無法自導電部之表面獲得電性導通之虞，因此透光性樹脂15較佳為以一部分導電性纖維16自導電部12之表面12A露出之方式覆蓋導電性纖維16。為了以一部分導電性纖維16露出至導電部12之表面12A之方式利用透光性樹脂15覆蓋導電性纖維16，例如調整透光性樹脂15之膜厚即可。即，若透光性樹脂之膜厚過厚，則全部導電性纖維會掩埋至透光性樹脂中，導致不會使一部分導電性纖維露出至導電部之表面，而有無法自導電部之表面獲得電性導通之虞。另外，若透光性樹脂之膜厚過薄，則有產生導電性纖維自導電部之脫離、導電部耐久性之變差、耐擦傷性降低之虞，進而有導電性纖維整體於導電部中不會偏集存在於較導電部之膜厚之一半位置更靠透光性基材側之虞。因此，必須將透光性樹脂之膜厚調節為適度之厚度。

就上述觀點而言，透光性樹脂15之膜厚較佳為設為未達300nm。透光性樹脂15之膜厚可藉由與導電部12之膜厚之測定方法相同之方法進行測定。透光性樹脂15之膜厚之上限依序進而較佳為145nm以下、140nm以下、120nm以下、110nm以下、80nm以下、50nm以下(數值越小越佳)。另外，透光性樹脂15之膜厚之下限較佳為10nm以上。

透光性樹脂15只要為具有透光性之樹脂，則無特別限定，作為透光性樹脂，可列舉聚合性化合物之聚合物或熱塑性樹脂等。作為聚合性化合物，可列舉與透光性功能層14之欄中說明之聚合性化合物相同者，故而此處省 略說明。

<反應抑制劑>

反應抑制劑係用以於透光性樹脂用組成物之塗佈後抑制因導電性纖維16與氣體環境下之物質之反應而導致導電性降低者。作為反應抑制劑，例如可列舉：苯并唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、異三聚氰酸系化合物、苯胺系化合物等含氮化合物等。作為用作反應抑制劑之含氮化合物，例如可列舉：1-胺基苯并唑、5-甲基苯并三唑、1,2,3-苯并三唑、1-甲基-1H-四唑-5-胺、DL-α-生育酚、1-十八硫醇、2-巰基-5-(三氟甲基)吡啶、異三聚氰酸二烯丙基酯、異三聚氰酸二烯丙基丙基酯、6-苯胺基-1,3,5-三

-2,4-二硫醇、三聚硫氰酸、3,5-二甲基-1H-1,2,4-三唑、4-(1,2,4-三唑-1-基甲基)苯胺、6-(二丁基胺基)-1,3,5-三

-2,4-二硫醇、4-(1,2,4-三唑-1-基)苯胺、2-甲硫基苯并噻唑、1-苯基-5-巰基-1H-四唑、5-巰基-1-甲基四唑、5-(甲硫基)-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、1-(2-二甲基胺基乙基)-5-巰基四唑、1-(2-二甲基胺基乙基)-5-巰基四唑、1-(4-羥基苯基)-5-巰基-1H-四唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑。

導電部12中之反應抑制劑之含量較佳為0.01質量%以上且10質量%以下。若反應抑制劑之含量未達0.01質量%，則有導電性纖維會與氣體環境下之物質進行反應，導致導電性降低之虞。另外，反應抑制劑係藉由與導電性纖維之表面反應而使導電性纖維之表面失活，而形成導電性纖維不易與氣體環境下之物質反應之狀態者，若反應抑制劑之含量超過10質量%，則有導電性纖維與反應抑制劑之反應不僅與導電性纖維之表面反應而且亦會進行至內部，導致導電性降低之虞。

<導電性纖維>

導電性纖維16較佳為於導電部12中存在多根。導電性纖維16由於能夠自導電部12之表面12A電性導通，故而於導電部12之厚度方向上導電性纖維16彼此 接觸。

較佳為於導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側導電性纖維16彼此接觸，藉此，於導電部12之俯視方向(二維方向)上形成網狀結構(network)。藉由使導電性纖維16形成網狀結構，而即便為少量導電性纖維16亦可效率良好地形成導電路徑。

一部分導電性纖維16較佳為露出至導電部12之表面12A。此外，本說明書中之所謂「一部分導電性纖維露出至導電部之表面」只要導電性纖維之一部分以導電性纖維被固定至導電部之程度露出即可，亦包括導電性纖維自導電部之表面突出之情形。若一部分導電性纖維未露出至導電部之表面，則有無法自導電部之表面獲得電性導通之虞，故而只要藉由上述測定方法可自導電部12之表面12A獲得電性導通，則可判斷一部分導電性纖維16露出至導電部12之表面12A。

導電性纖維16之纖維直徑較佳為200nm以下。若導電性纖維之纖維直徑超過200nm，則有導電性膜之霧度值變高，或透光性能變得不充分之虞。導電性纖維16之纖維直徑之更佳之下限就導電部12之導電性之觀點而言，為10nm以上，導電性纖維16之纖維直徑之更佳之範圍為15nm以上且50nm以下。導電性纖維16之纖維直徑最佳為30nm以下。

導電性纖維16之纖維直徑例如使用穿透式電子顯微鏡(TEM)(製品名「H-7650」，Hitachi High-Technologies公司製造)，以10萬倍~20萬倍拍攝50張，藉由TEM附帶之軟體，於拍攝畫面上實測100根導電性纖維之纖維直徑，求出其算術平均值。於使用上述H-7650測定纖維直徑時，將加速電壓設為「100kV」、發射電流設為「10μA」、聚焦透鏡光圈設為「1」、物鏡光圈設為「0」、觀察模式設為「HC」、光點(Spot)設為「2」。另外，亦可藉由掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)(製品名「S-4800(II型)」，Hitachi High-Technologies公司製造)測定導電性纖維之纖維直徑。於使用STEM之情形時，以10萬倍~20萬倍拍攝50張，藉由STEM附帶之軟體，於拍攝畫面上實測100根導電性纖維之纖維直徑，求出其算術平均值。於使用上述S-4800(II型)測定纖維直徑時，將信號選擇設為「TE」、加速電壓設為「30kV」、發射電流設為「10μA」、探針電流設為「Norm」、焦點模式設為「UHR」、聚光透鏡1設為「5.0」、W.D.設為「8mm」、傾斜(Tilt)設為「0°」。

於測定導電性纖維16之纖維直徑時，使用藉由以下方法製作之測定用試樣。此處，TEM測定由於為高倍率，故而重要的是以儘可能不使導電性纖維重疊之方式儘量降低含導電性纖維組成物之濃度。具體而言，較佳為將含導電性纖維組成物利用組成物之分散介質以及水或醇將導電性纖維之濃度稀釋為0.05質量%以下、或稀釋為固體成分0.2質量%以下。進而，將該稀釋之含導電性纖維組成物於TEM或STEM觀察用附碳支持膜之格網上滴1滴，於室溫進行乾燥，以上述條件進行觀察，設為觀察影像資料。以該資料為基礎求出算術平均值。作為附碳支持膜之格網，較佳為Cu網格型號「#10-1012 Elastic carbon ELS-C10 STEM Cu100P網格規格」，另外，較佳為耐受較強之電子束照射量，電子束穿透率更優於塑膠支持膜故適於高倍率，且耐受有機溶劑者。另外，於滴下時，若僅為格網，則過於微小而不易滴下，故而宜將格網載置於載玻片上。

上述纖維直徑可基於照片進行實測而求出，另外，亦可基於影像資料進行二值化處理而算出。於進行實測之情形時，亦可將照片進行印刷而適當放大。此時，導電性纖維係與其他成分相比以更黑之濃度拍入。測定點係以輪廓外側作為起點、終點進行測定。導電性纖維之濃度係以導電性纖維之質量相對於含導電性纖維組成物之總質量的比率求出，另外，固體成分係由分散介質以外之成分(導電性纖維、樹脂成分、其他添加劑)之質量相對於含導電 性纖維組成物之總質量的比率而求出。

導電性纖維16之纖維長度較佳為1μm以上。若導電性纖維16之纖維長度未達1μm，則存在無法形成具有充分之導電性能之導電部之情形，有產生凝集導致霧度值上升或透光性能降低之虞。導電性纖維16之纖維長度之上限可設為500μm以下、300μm以下、30μm以下、或20μm以下，另外，導電性纖維16之纖維長度之下限可設為3μm以上、或10μm以上。

導電性纖維16之纖維長度例如可使用掃描式電子顯微鏡(SEM)(製品名「S-4800(II型)」，Hitachi High-Technologies公司製造)之SEM功能，以500~2000萬倍拍攝10張，藉由附帶之軟體於拍攝畫面上測定100根導電性纖維之纖維長度，求出該100根導電性纖維之纖維長度之算術平均值。使用上述S-4800(II型)測定纖維長度時，使用傾斜45°之試樣台，將信號選擇設為「SE」、加速電壓設為「3kV」、發射電流設為「10μA~20μA」、SE檢測器設為「混合」、探針電流設為「Norm」、焦點模式設為「UHR」、聚光透鏡1設為「5.0」、W.D.設為「8mm」、傾斜(Tilt)設為「30°」。此外，SEM觀察時，不使用TE檢測器，故而於SEM觀察前必須卸除TE檢測器。上述S-4800可選擇STEM功能及SEM功能，於測定上述纖維長度時，使用SEM功能。

於測定導電性纖維16之纖維長度時，使用藉由以下方法製作之測定用試樣。首先，將含導電性纖維組成物以塗佈量成為10mg/m²之方式塗佈於B5尺寸之厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之未處理面，使分散介質乾燥，於PET膜表面配置導電性纖維，而製作導電性膜。自該導電性膜之中央部切出10mm×10mm之大小。然後，使用銀漿，將該切出之導電性膜相對於台面平坦地貼附於具有45°傾斜之SEM試樣台(型號「728-45」，日新EM公司製造，傾斜型試樣台45°，Φ15mm×10mm M4鋁製)。進而，濺鍍Pt-Pd 20秒 ~30秒，而實現導通。若不具有適度之濺鍍膜則存在不易觀察到像之情形，因此，於該情形時適當進行調整。

上述纖維長度可基於照片進行實測而求出，另外，亦可基於影像資料進行二值化處理而算出。於基於照片進行實測之情形時，藉由與上述相同之方法進行。

作為導電性纖維16，較佳為選自由導電性碳纖維、金屬奈米線等金屬纖維、金屬被覆有機纖維、金屬被覆無機纖維、及奈米碳管所組成之群中之至少1種纖維。

作為上述導電性碳纖維，例如可列舉：氣相生長法碳纖維(VGCF)、奈米碳管、鋼絲杯(wire cup)、鋼絲絨(wire wool)等。該等導電性碳纖維可使用1種或2種以上。

作為上述金屬纖維，例如可使用：藉由使不鏽鋼鋼絲、鐵、金、銀、銅、鋁、鈷、鎳、鈦、或該等之合金等細長地延伸之拉線法或切削法所製作之纖維。此種金屬纖維可使用1種或2種以上。金屬纖維較佳為纖維直徑為200nm以下、較佳為50nm以下、更佳為30nm以下，且纖維長度為1μm以上、較佳為15μm以上、更佳為20μm以上的金屬奈米線。

作為上述金屬被覆有機纖維，例如可列舉：對丙烯酸纖維塗覆金、銀、鋁、鎳、鈦等而獲得之纖維等。此種金屬被覆合成纖維可使用1種或2種以上。

<<非導電部>>

非導電部13係位於導電部12間且不顯示導電性之部分。於本說明書中，只要非導電部表面之電阻值(表面電阻值)為1500Ω/□以上，則判斷非導電部不顯示導電性。如圖3所示，非導電部13含有透光性樹脂，且實質上不含導電性纖維16。本說明書中之所謂「非導電部實質上不含導電性纖維」意指即便於因 金屬離子自導電部之遷移而使金屬離子析出至非導電部側之情形時，只要為不產生導電部間之電性短路之程度，則亦可略微含有導電性纖維。非導電部13較佳為完全不含導電性纖維16。此外，於如下述般藉由雷射光使導電性纖維16昇華，而自非導電部13去除導電性纖維16時，有構成導電性纖維16之導電性材料殘存之虞，但該導電性材料不為纖維狀，故而不將其視作導電性纖維。於本說明書中，將利用雷射光之蝕刻稱為乾式蝕刻。

非導電部13之表面13A之三維算術平均粗糙度SRa成為3nm以上。若非導電部13之表面13A之SRa為3nm以上，則導電性纖維16不會殘存於非導電部13中，或導電性纖維16即便殘存於非導電部13中亦僅略微殘存，因此，於因金屬離子自導電部12之遷移導致金屬離子析出至非導電部13側之情形時，可抑制導電部12間之電性短路。三維算術平均粗糙度SRa係將JIS B0601：1994中記載之作為二維粗糙度參數之算術平均粗糙度Ra擴充為三維者。上述SRa可根據藉由接觸式表面粗糙度計或非接觸式表面粗糙度計(例如干涉顯微鏡、聚焦顯微鏡、原子力顯微鏡等)之測定而獲得之三維粗糙度曲面算出。上述三維粗糙度曲面之資料係以於基準面(將橫方向設為x軸、將縱方向設為y軸)中以間隔d呈格子狀配置之點、及於該點之位置處之高度所表示。即，若將x軸方向上第i個點、y軸方向上第j個點之位置(以下記作(i，j))處之高度設為Z_i，j，則上述SRa係以下述式算出。

式中，N為總點數。

就簡便性而言，上述三維粗糙度曲面較佳為使用干涉顯微鏡進行測定。作為此種干涉顯微鏡，例如可列舉：Zygo公司製造之「New View」系 列等白色干涉顯微鏡。

另外，關於SRa，若於基準面設置正交座標軸X、Y軸，將粗糙度曲面設為Z(x，y)、將基準面之大小設為Lx、Ly，則亦可由下述式算出。

式中，A=Lx×Ly。

於使用白色干涉顯微鏡(製品名「New View7300」，Zygo公司製造)求出非導電部表面之上述SRa之情形時，首先，自導電性膜獲得包含非導電部之大小218μm見方以上之1個以上之試樣。各試樣之大小若考慮到操作性，則為1cm見方左右便充分，另外，各試樣係自導電性膜上未附著污垢或指紋等之任意部位切出者。然後，於以下之測定條件及解析條件下，於非導電部之表面對各試樣測定5處之SRa，將合計5處以上之SRa之算術平均值設為SRa。於上述New View7300中，SRa表示為「Ra」，由New View 7300測定之Ra為三維算術平均粗糙度，與JIS B0601：2013中規定之二維算術平均粗糙度Ra不同。此外，測定-解析軟體使用MetroPro版本9.0.10之Microscope Application進行。另外，下述低波長(Low wavelength)相當於粗糙度參數中之臨界值λc。

(測定條件)

‧物鏡：50倍

‧變焦(Zoom)：1倍

‧測定區域：218μm×218μm

‧解像度(每1點之間隔)：0.22μm

‧掃描長度(scan Length)：5μm

‧min mod：0.001%

(解析條件)

‧刪除(Removed)：平面(Plane)

‧濾波器(Filter)：高通(High Pass)

‧濾波器類型(Filter Type)：高斯樣條(Gauss Spline)

‧低波長(Low wavelength)：250μm

‧高波長(High wavelength)：3μm

‧刪除尖點(Remove spikes)：on

‧尖點高度(Spike Height)(xRMS)：2.5

‧解析範圍：非導電部寬度(μm)×218μm

具體而言，於使用上述New View7300求出例如非導電部之寬度為30μm且與該非導電部相鄰之2個導電部之寬度分別為3mm以上的導電性膜之非導電部表面之上述SRa之情形時，首先，以導電部之寬度成為3mm且導電部及非導電部之長度成為45mm之方式切出導電性膜，獲得具有由寬度3mm之導電部夾持之寬度30μm之非導電部的1~3個試樣。然後，於以下之測定條件及解析條件下，於非導電部之表面對各試樣測定5處之SRa，將合計5處~15處之SRa之算術平均值設為SRa。

(測定條件)

‧物鏡：50倍

‧變焦(Zoom)：1倍

‧測定區域：218μm×218μm

‧解像度(每1點之間隔)：0.22μm

‧掃描長度(scan Length)：5μm

‧min mod：0.001%

(解析條件)

‧刪除(Removed)：平面(Plane)

‧濾波器(Filter)：高通(High Pass)

‧濾波器類型(Filter Type)：高斯樣條(Gauss Spline)

‧低波長(Low wavelength)：250μm

‧高波長(High wavelength)：3μm

‧刪除尖點(Remove spikes)：on

‧尖點高度(Spike Height)(xRMS)：2.5

‧解析範圍：30μm×218μm

非導電部13之表面13A之SRa之下限較佳為成為4nm以上，更佳為成為5nm以上。另外，非導電部13之表面13A之SRa之上限就抑制視認出導電部或非導電部之圖案形狀(即所謂結構顯現現象)之方面而言，SRa宜有某種程度之大小，若SRa過大，則成為產生白濁感之原因，故而較佳為成為80nm以下。上述SRa之上限更佳為50nm以下，進而較佳為35nm以下。

關於非導電部13之膜厚，由於與導電部12形成為一體，故而較佳為未達300nm。非導電部13之膜厚之上限依序進而較佳為145nm以下、140nm以下、120nm以下、110nm以下、80nm以下、50nm以下、30nm以下、10nm以下(數值越小越佳)。另外，非導電部13之膜厚之下限較佳為10nm以上。非導電部13之膜厚係藉由與導電部12之膜厚相同之方法進行測定。

如圖3所示，非導電部13係由透光性樹脂15構成。此外，非導電部13係藉由乾式蝕刻形成，且亦可具有不存在導電性纖維16之空腔部13B。於該情形時，形成非導電部13時導電性纖維16藉由昇華，穿破應設為非導電部13之區域而釋出至外部，故而非導電部13之表面13A被粗面化。非導電部13之透光性樹脂15由於與導電部12之透光性樹脂15相同，故而此處省略說明。

<<導電性膜之製造方法>>

導電性膜10例如可以如下方式製作。首先，如圖6(A)所示，於透光性基材11之另一面11B塗佈透光性功能層用組成物並進行乾燥，而形成透光性功能層用組成物之塗膜31。

透光性功能層用組成物含有聚合性化合物，此外亦可視需要添加上述無機粒子、上述調平劑、溶劑、聚合起始劑。進而，根據提高透光性功能層之硬度、抑制硬化收縮、或控制折射率等目的，於透光性功能層用組成物中亦可添加以往公知之分散劑、界面活性劑、矽烷偶合劑、增黏劑、防著色劑劑、著色劑(顏料、染料)、消泡劑、難燃劑、紫外線吸收劑、接著賦予劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、表面改質劑、易滑劑等。

<溶劑>

作為溶劑，例如可列舉：醇類(甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、苄醇、PGME(Propylene glycol mono-methyl ether，丙二醇單甲醚)、乙二醇等)、酮類(丙酮、甲基乙基酮(MEK)、環己酮、甲基異丁基酮、二丙酮醇、環庚酮、二乙基酮等)、醚類(1,4-二

烷、二

(dioxolane)、二異丙醚二

烷、四氫呋喃等)、脂肪族烴類(己烷等)、脂環式烴類(環己烷等)、芳香族烴類(甲苯、二甲苯等)、鹵化烴類(二氯甲烷、二氯乙烷等)、酯類(甲酸甲酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等)、賽璐蘇類(甲基賽璐蘇、乙基賽璐蘇、丁基賽璐蘇等)、乙酸賽璐蘇類、亞碸類(二甲基亞碸等)、醯胺類(二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等)、或該等之混合物。

<聚合起始劑>

聚合起始劑係藉由光或熱而分解，產生自由基或離子種而使聚合性化合物之聚合(交聯)開始或進行之成分。作為透光性功能層用組成物所使用之聚合起始劑，可列舉：光聚合起始劑(例如光自由基聚合起始劑、光陽離子聚合起 始劑、光陰離子聚合起始劑)或熱聚合起始劑(例如熱自由基聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、熱陰離子聚合起始劑)、或該等之混合物。

作為上述光自由基聚合起始劑，例如可列舉：二苯甲酮系化合物、苯乙酮系化合物、醯基氧化膦系化合物、二茂鈦系化合物、肟酯系化合物、安息香醚系化合物、9-氧硫

等。

作為上述光自由基聚合起始劑中之市售者，例如可列舉：IRGACURE 184、IRGACURE 369、IRGACURE 379、IRGACURE 651、IRGACURE 819、IRGACURE 907、IRGACURE 2959、IRGACURE OXE01、Lucirin TPO(均為BASF Japan公司製造)、NCI-930(ADEKA公司製造)、SPEEDCURE EMK(日本SiberHegner公司製造)、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚(均為東京化成工業公司製造)等。

作為上述光陽離子聚合起始劑，例如可列舉：芳香族重氮鹽、芳香族錪鹽、芳香族鋶鹽等。作為上述光陽離子聚合起始劑中之市售者，例如可列舉：Adeka Optomer SP-150、Adeka Optomer SP-170(均為ADEKA公司製造)等。

作為上述熱自由基聚合起始劑，例如可列舉過氧化物或偶氮化合物等。該等之中，較佳為由高分子偶氮化合物構成之高分子偶氮起始劑。作為高分子偶氮起始劑，例如可列舉具有經由偶氮基鍵結有多個聚環氧烷或聚二甲基矽氧烷等單元之結構者。

作為上述具有經由偶氮基鍵結有多個聚環氧烷等單元之結構之高分子偶氮起始劑，例如可列舉：4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)與聚伸烷基二醇之縮聚物或4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)與具有末端胺基之聚二甲基矽氧烷之縮聚物等。

作為上述過氧化物，例如可列舉：過氧化酮、過氧縮酮、過氧化氫、過氧化二烷基、過氧酯、過氧化二醯基、過氧化二碳酸酯等。

作為上述熱自由基聚合起始劑中之市售者，例如可列舉：Perbutyl O、Perhexyl O、Perbutyl PV(均為日油公司製造)、V-30、V-501、V-601、VPE-0201、VPE-0401、VPE-0601(均為和光純藥工業公司製造)等。

作為上述熱陽離子聚合起始劑，例如可列舉：四級銨鹽、鏻鹽、鋶鹽等各種鎓鹽類等。作為上述熱陽離子聚合起始劑中之市售者，例如可列舉：Adekaopton CP-66、Adekaopton CP-77(均為ADEKA公司製造)、San-Aid SI-60L、San-Aid SI-80L、San-Aid SI-100L(均為三新化學工業公司製造)、CI系列(日本曹達公司製造)等。

透光性功能層用組成物中之聚合起始劑之含量相對於聚合性化合物100質量份，較佳為0.5質量份以上且10.0質量份以下。藉由將聚合起始劑之含量設為該範圍內，可充分保持硬塗性能，且可抑制硬化阻礙。

作為塗佈透光性功能層用組成物之方法，可列舉：旋轉塗佈法、浸漬法、噴霧法、斜板式塗佈法、棒式塗佈法、輥塗法、凹版塗佈法、模嘴塗佈法等公知之塗佈方法。

其次，如圖6(B)所示，對塗膜31照射紫外線等游離放射線或進行加熱，使聚合性化合物進行聚合(交聯)，藉此使塗膜31硬化而形成透光性功能層14。

於使用紫外線作為使透光性功能層用組成物硬化時之游離放射線之情形時，可利用自超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧、氙弧、金屬鹵素燈等發出之紫外線等。另外，作為紫外線之波長，可使用190~380nm之波長區域。作為電子束源之具體例，可列舉柯克勞夫-沃耳吞(Cockcroft Walton)型、凡德格拉夫(Vande Graaff)型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型、或直線型、高頻高壓加速器(Dynamitron)型、高頻型等各種電子束加速器。

於透光性基材11之另一面11B上形成透光性功能層14後，於透光性基材11之一面11A塗佈含有導電性纖維16及有機系分散介質之含導電性纖維組成物，並進行乾燥，如圖7(A)所示般於一面11A配置多個導電性纖維16。有機系分散介質亦可含有未達10質量%之水。此外，亦可使用水系分散介質代替有機系分散介質。水系分散介質係含有10質量%以上之水者。另外，含導電性纖維組成物除導電性纖維16及有機系分散介質以外，亦可含有熱塑性樹脂或由聚合性化合物構成之樹脂成分。但是，若含導電性纖維組成物中之樹脂成分之含量過多，則樹脂成分會進入導電性纖維間，導致導電部之導通變差，故而必須調節樹脂成分之含量。本說明書中之所謂「樹脂成分」係除樹脂(其中，不包括用以防止覆蓋導電性纖維之導電性纖維彼此之自融合或與氣體環境中之物質之反應等之於導電性纖維合成時構成形成於導電性纖維周邊之有機保護層的樹脂(例如聚乙烯吡咯啶酮等))以外還包含如聚合性化合物般進行聚合而能夠成為樹脂之成分的概念。另外，含導電性纖維組成物中之樹脂成分於形成導電部12後，構成透光性樹脂15之一部分。

作為有機系分散介質，並無特別限定，較佳為親水性有機系分散介質。作為有機系分散介質，例如可列舉：己烷等飽和烴類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮、二異丁基酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；四氫呋喃、二

烷、二乙基醚等醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；氯化乙烯、氯苯等鹵化烴等。該等之中，就含導電性纖維組成物之穩定性之觀點而言，較佳為醇類。

作為含導電性纖維組成物可包含之熱塑性樹脂，可列舉：丙烯酸系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺等芳香族系樹脂；聚胺酯系 樹脂；環氧系樹脂；聚烯烴系樹脂；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)；纖維素系樹脂；聚氯乙烯系樹脂；聚乙酸酯系樹脂；聚降莰烯系樹脂；合成橡膠；氟系樹脂等。

作為含導電性纖維組成物可包含之聚合性化合物，可列舉與透光性功能層14之欄中說明之聚合性化合物相同者，故而此處省略說明。

於透光性基材11上配置多個導電性纖維16後，塗佈含有聚合性化合物及溶劑之透光性樹脂用組成物，並進行乾燥，如圖7(B)所示般形成透光性樹脂用組成物之塗膜32。透光性樹脂用組成物含有聚合性化合物及溶劑，此外，亦可視需要添加聚合起始劑或上述反應抑制劑。此處，亦可將反應抑制劑添加至含導電性纖維組成物，但若向含導電性纖維組成物中添加反應抑制劑，則有導電性纖維於形成網狀結構前導電性纖維之表面會被反應抑制劑被覆，導致導電性變差之虞，因此，較佳為將反應性抑制劑添加至透光性樹脂用組成物。

其次，如圖8(A)所示，對塗膜32照射紫外線等游離放射線，使聚合性化合物聚合(交聯)，藉此使塗膜32硬化，形成透光性樹脂15，而形成導電層33。

形成導電層33後，如圖8(B)所示，於導電層33之成為非導電部之區域藉由乾式蝕刻(例如紅外線雷射等雷射光之照射)將導電層33圖案化。若對成為非導電部之區域照射雷射光，則藉由雷射光之熱，使該區域所包含之導電性纖維16昇華。昇華之導電性纖維16穿破透光性樹脂15而釋出至透光性樹脂15外部。因此，於非導電部13之表面13A(於本實施形態中，為存在於非導電部13之透光性樹脂15之表面)形成孔或碎片，故而非導電部13之表面13A被粗面化。另外，若增大雷射光之輸出，則不僅導電性纖維16而且透光性樹脂15亦昇華，故而非導電部13之表面13A得到進一步粗面化。藉此，可獲得 圖1所示之具有導電部12及非導電部13之導電性膜10。

根據本實施形態，非導電部13之表面13A之三維算術平均粗糙度SRa成為3nm以上，故而可抑制導電部12間之電性短路。即，若如上述般使導電性纖維16昇華，則非導電部13之表面13A被粗面化，故而非導電部13之表面13A之三維算術平均粗糙度變大。此處，昇華之導電性纖維16越多，則形成於非導電部13之表面13A之孔或碎片變得越多，故而有非導電部13之表面13A之三維算術平均粗糙度變大之傾向。若非導電部13之表面13A之三維算術平均粗糙度SRa為3nm以上，則非導電部13實質上不含導電性纖維16，因此，藉由將非導電部13之表面13A之算術平均粗糙度設為3nm以上，即便於因導電性材料自導電部12之遷移而使導電性材料析出至非導電部13側之情形時，亦可抑制導電部12間之電性短路。

若非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa未達3nm，則亦存在產生視認出導電部或非導電部之圖案形狀(即所謂結構顯現現象)之情形，但由於非導電部13之表面13A之三維算術平均粗糙度SRa成為3nm以上，故而可抑制視認出導電部或非導電部之圖案形狀。

於本實施形態中，於導電部12中導電性纖維16以導電性纖維16整體偏集存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側之情形時，可增加導電性纖維16彼此之接點。藉此，即便於導電性纖維16之含量較少之情形時，亦可確保自導電部12之表面12A之電性導通，故而能夠實現更低之表面電阻值。另外，由於可減少導電性纖維16之含量，故而可實現更低之霧度值。進而，於導電性纖維16於導電部12中偏集存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側之情形時，導電性纖維16之大部分被透光性樹脂15覆蓋。藉此，可抑制與氣體環境之空氣中之硫、氧、及/或鹵素之反應導致導電性降低。

於對導電層進行乾式蝕刻(利用雷射光照射之蝕刻)之情形時，雷射光之寬度於焦點處最窄。因此，若使雷射光之焦點對準導電層與透光性基材之界面附近，則於導電層之表面附近所照射之雷射光之寬度變得寬於焦點。因此，即便於導電層中均勻地存在導電性纖維之情形時，欲照射雷射光而以微間距形成非導電部，而導電層之表面附近相較於導電部與透光性基材之界面附近，非導電部之寬度亦會增大。相對於此，於本實施形態中，於導電層33中導電性纖維16以導電性纖維16整體偏集存在於較導電層33之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側之情形時，若照射雷射光，則導電層33之表面附近之導電性纖維16較少，故而可抑制相較於導電層33與透光性基材11之界面附近，非導電部13之寬度變大，藉此可以微間距形成非導電部13。

即便為以往之導電性膜，亦存在導電部由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之導電性纖維構成之導電性膜，但於該導電性膜之導電部中，使用含有導電性纖維與樹脂成分之含導電性纖維組成物形成有導電部。此處，於以往之導電部所使用之含導電性纖維組成物中，作為分散介質，主要使用水系分散介質。於使用水系分散介質之情形時，就保管穩定性或塗佈時之塗膜均勻性之觀點而言，存在含導電性纖維組成物中之樹脂成分之含量變多之情形。於該情形時，即便使用含導電性纖維組成物形成導電部，亦不易使導電性纖維以導電性纖維整體偏集存在於較導電部之膜厚之一半位置更靠透光性基材側。因此，藉由以該樹脂成分減少之方式控制樹脂成分之含量，可使導電性纖維16於導電部12中偏集存在於較導電部12之膜厚之一半位置HL更靠透光性基材11側。

根據本實施形態，由於導電部12之透光性樹脂15含有反應抑制劑，故而可進一步抑制因與氣體環境之空氣中之硫、氧、及/或鹵素之反應導致導電性纖維16之導電性降低。

於將導電性膜組入至影像顯示裝置時，導電部與透光性黏著層 相接，若於導電部與透光性黏著層相接之狀態下，進行例如於60℃、相對濕度90%之環境下、85℃、相對濕度85%之環境下、或該等以上之高溫高濕環境下放置240小時的耐濕熱性試驗，則有根據透光性黏著層之種類，導電性纖維與透光性黏著層中之成分(例如構成黏著層本身之酸成分或添加至黏著層中之添加物)反應，導致導電部之表面電阻值上升之虞。相對於此，根據本實施形態，由於導電部13中含有反應抑制劑，故而即便於導電部12與透光性黏著層相接之狀態下進行耐濕熱性試驗之情形時，亦可抑制導電性纖維16與透光性黏著層中之成分之反應。藉此，可擴大透光性黏著層之選項。

根據本實施形態，由於使用導電性纖維16，故而可提供一種不同於ITO，即便彎曲亦不易破裂之導電性膜10。因此，亦可將導電性膜10組入至能夠摺疊(摺疊式)之影像顯示裝置而使用。

本實施形態之導電性膜之用途並無特別限定，本實施形態之導電性膜10例如可組入至影像顯示裝置而使用。此外，導電性膜10例如亦可用作電磁波屏蔽。圖9係本實施形態之影像顯示裝置之概略構成圖，圖10係本實施形態之觸控面板之示意性俯視圖。此外，圖9及圖10中，賦予與圖1相同符號之構件由於與圖1所示之構件相同，故而省略說明。

<<<影像顯示裝置>>>

如圖9所示，影像顯示裝置40主要具備用以顯示影像之顯示面板50、配置於顯示面板50之背面側之背光裝置60、配置於較顯示面板50更靠觀察者側之觸控面板70、及介置於顯示面板50與觸控面板70之間之透光性接著層90。於本實施形態中，由於顯示面板50為液晶顯示面板，故而影像顯示裝置40具備背光裝置60，但根據顯示面板(顯示元件)之種類，亦可不具備背光裝置60。

<<顯示面板>>

如圖9所示，顯示面板50具有自背光裝置60側朝觀察者側依序積層有三乙 醯纖維素膜(TAC膜)或環烯烴聚合物膜等保護膜51、偏光元件52、保護膜53、透光性黏著層54、顯示元件55、透光性黏著層56、保護膜57、偏光元件58、保護膜59之結構。顯示面板50只要具備顯示元件55即可，亦可不具備保護膜51等。

顯示元件55為液晶顯示元件。但顯示元件55並不限定於液晶顯示元件，例如亦可為使用有機發光二極體(OLED)、無機發光二極體及/或量子點發光二極體(QLED)之顯示元件。液晶顯示元件係於2片玻璃基材間配置液晶層、配向膜、電極層、彩色濾光片等而成者。

<<背光裝置>>

背光裝置60係自顯示面板50之背面側對顯示面板50進行照明者。作為背光裝置60，可使用公知之背光裝置，另外，背光裝置60為邊緣照明型或直下型之背光裝置均可。

<<觸控面板>>

觸控面板70具備導電性膜80、配置於較導電性膜80更靠觀察者側之導電性膜10、配置於較導電性膜10更靠觀察者側之覆蓋玻璃等透光性覆蓋構件71、介置於導電性膜10與導電性膜80之間之透光性黏著層72、及介置於導電性膜10與透光性覆蓋構件71之間之透光性黏著層73。

<導電性膜>

導電性膜80成為與導電性膜10相同之結構。即，如圖10所示，導電性膜80具備透光性基材81、設置於透光性基材81之一面側之多個透光性導電部82、設置於透光性基材81之一面側且位於導電部82間之透光性非導電部83、及設置於透光性基材81之與導電部82及非導電部83側之面為相反側之面側之透光性功能層84。透光性基材81係與透光性基材11相同者，透光性功能層84係與透光性功能層14相同者，故而此處省略說明。

(導電部及非導電部)

導電部82成為與導電部12相同之結構。即，導電部82係由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之導電性纖維構成。非導電部83係由透光性樹脂構成，且實質上不含導電性纖維。

導電部82係作為投影型靜電電容方式之觸控面板之Y方向電極而發揮功能者，如圖10所示，其具備多個感測器部82B、及連結於各感測器部82B之端子部(未圖示)。感測器部82B成為與感測器部12B相同之結構，但於Y方向上延伸。此外，導電部82成為與導電部12相同之結構，故而此處省略詳細說明。

非導電部83係位於導電部82間且不顯示導電性之部分。非導電部83與非導電部13同樣地，非導電部83之表面之算術平均粗糙度成為3nm以上。非導電部83成為與非導電部13相同之結構，故而此處省略詳細說明。

<透光性黏著層>

透光性黏著層72、73例如可列舉OCA(Optical Clear Adhesive，光學透明黏著劑)之類的黏著片。亦可使用透光性接著層代替透光性黏著層72、73。

<<透光性接著層>>

透光性接著層90介置於顯示面板50與觸控面板70之間且與顯示面板50及觸控面板70兩者接著。藉此，顯示面板50與觸控面板70得到固定。透光性接著層90例如係由OCR(Optically Clear Resin，光學透明樹脂)之類的含有聚合性化合物之液狀硬化性接著層用組成物之硬化物構成。

透光性接著層90之膜厚較佳為10μm以上且50μm以下。若透光性接著層之膜厚未達10μm，則因過薄而容易產生異物之咬入、或階差追隨不足等不良情況，另外，若透光性接著層之膜厚超過150μm，則會耗費過多之製造成本。透光性接著層之膜厚係自使用光學顯微鏡拍攝之透光性接著層之剖面 照片隨機測定10處之膜厚，並求出所測得之10處之膜厚之算術平均值。亦可使用透光性黏著層代替透光性接著層90。

[實施例]

為了詳細說明本發明，以下列舉實施例進行說明，但本發明並不限定於該等記載。

<硬塗層用組成物之製備>

首先，以成為下述所示之組成摻合各成分，而獲得硬塗層用組成物1。

(硬塗層用組成物1)

‧新戊四醇三丙烯酸酯與新戊四醇四丙烯酸酯之混合物(製品名「KAYARAD-PET-30」，日本化藥公司製造)：30質量份

‧聚合起始劑(製品名「Irgacure 184」，BASF Japan公司製造)：1.5質量份

‧甲基乙基酮(MEK)：50質量份

‧環己酮：18.5質量份

<含銀奈米線之組成物之製備>

(含銀奈米線之組成物1)

使用乙二醇(EG)作為還原劑，使用聚乙烯吡咯啶酮(PVP：平均分子量130萬，Aldrich公司製造)作為有機保護劑，將下述所示之核形成步驟及粒子成長步驟分開實施而進行粒子形成，從而製備含銀奈米線之組成物。

1.核形成步驟

於反應容器內一面對保持為160℃之EG液100mL進行攪拌，一面以一定之流量歷時1分鐘添加硝酸銀之EG溶液(硝酸銀濃度：1.0莫耳/L)2.0mL。然後，一面於160℃保持10分鐘一面將銀離子還原，而形成銀之核粒子。反應液因奈米尺寸之銀微粒子之表面電漿子吸收而呈現黃色，確認到銀離子被還原而 形成有銀之微粒子(核粒子)。繼而，以一定之流量歷時10分鐘添加PVP之EG溶液(PVP濃度：3.0×10^-1莫耳/L)10.0mL。

2.粒子成長步驟

將結束上述核形成步驟後之包含核粒子之反應液一面攪拌一面保持為160℃，使用雙噴射法，以一定之流量歷時120分鐘添加硝酸銀之EG溶液(硝酸銀濃度：1.0×10^-1莫耳/L)100mL與PVP之EG溶液(PVP濃度：3.0×10^-1莫耳/L)100mL。於該粒子成長步驟中，每隔30分鐘採集反應液，利用電子顯微鏡進行確認，結果核形成步驟中所形成之核粒子隨著時間經過而成長為線狀之形態，未確認到粒子成長步驟中生成新的微粒子。對最終獲得之銀奈米線之纖維直徑及纖維長度進行測定，結果銀奈米線之纖維直徑為30nm，纖維長度為15μm。銀奈米線之纖維直徑係使用穿透式電子顯微鏡(TEM)，以1000~50萬倍測定50根導電性纖維之纖維直徑，並求出該50根導電性纖維之纖維直徑之算術平均值。另外，銀奈米線之纖維長度係使用掃描式電子顯微鏡(SEM)，以1000~50萬倍測定50根導電性纖維之纖維長度，並求出該50根導電性纖維之纖維長度之算術平均值。此外，以下之銀奈米線之纖維直徑及纖維長度亦藉由相同方式求出。

3.脫鹽水洗步驟

將結束粒子成長步驟後之反應液冷卻至室溫後，使用區分分子量0.2μm之超濾膜而實施脫鹽水洗處理，並且將溶劑置換為乙醇。最後將液量濃縮至100mL，而製備銀奈米線分散液。最後，以使銀奈米線濃度成為0.1質量%之方式利用乙醇進行稀釋，而獲得含銀奈米線之組成物1。

<透光性樹脂用組成物之製備>

以成為下述所示之組成之方式摻合各成分，獲得透光性樹脂用組成物1。

(透光性樹脂用組成物1)

‧新戊四醇三丙烯酸酯與新戊四醇四丙烯酸酯之混合物(製品名「KAYARAD-PET-30」，日本化藥公司製造)：5質量份

‧聚合起始劑(製品名「Irgacure 184」，BASF Japan公司製造)：0.25質量份

‧甲基乙基酮(MEK)：70質量份

‧環己酮：24.75質量份

<實施例1>

首先，準備於作為透光性基材之單面具有基底層之厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(製品名「COSMOSHINE A4100」，Toyobo公司製造)，於聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面塗佈硬塗層組成物而形成塗膜。其次，對於所形成之塗膜，以0.5m/s之流速流通50℃之乾燥空氣15秒後，進而以10m/s之流速流通70℃之乾燥空氣30秒而進行乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100mJ/cm²之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成作為透光性功能層之膜厚2μm之硬塗層。

形成硬塗層之後，於聚對苯二甲酸乙二酯膜之與形成有硬塗層之面為相反側之未處理面上以成為10mg/m²之方式塗佈含銀奈米線之組成物1。其次，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1以0.5m/s之流速流通50℃之乾燥空氣15秒後，進而以10m/s之流速流通70℃之乾燥空氣30秒，使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此，於硬塗層之表面配置有多根銀奈米線。

其次，以覆蓋銀奈米線之方式塗佈上述透光性樹脂用組成物1而形成塗膜。然後，對於所形成之塗膜，以0.5m/s之流速流通50℃之乾燥空氣15秒後，進而以10m/s之流速流通70℃之乾燥空氣30秒而進行乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100mJ/cm²之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中 之銀奈米線構成之導電層。

形成導電層之後，對成為非導電部之區域於以下之條件下照射雷射光，使存在於該區域之銀奈米線昇華而去除，藉此將導電層圖案化。藉此，獲得具有位於導電部及導電部間之寬度30μm之線狀之非導電部的導電性膜。

(雷射光照射條件)

‧種類：YVO₄

‧波長：1064nm

‧脈衝寬度：8~10ns

‧頻率：100kHz

‧點徑：30μm

‧脈衝能量：16μJ

‧加工速度：1200mm/s

<實施例2>

於實施例3中，將雷射光之脈衝能量設為10μJ，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。

<實施例3>

於實施例3中，將雷射光之脈衝能量設為24μJ，且加工速度設為800mm/s，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。

<實施例4>

於實施例4中，將雷射光之脈衝能量設為24μJ，且加工速度設為400mm/s，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。

<比較例1>

於比較例1中，將雷射光之脈衝能量設為10μJ，且將加工速度設為1500 mm/s，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。

<非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa之測定>

針對實施例及比較例之導電性膜之非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa，使用白色干涉顯微鏡(製品名「New View7300」，Zygo公司製造)，求出非導電部表面之上述三維算術平均粗糙度SRa。具體而言，首先，以與寬度30μm之非導電部相鄰之2個導電部之寬度分別成為3mm、且長度成為45mm之方式切出導電性膜，而獲得具有由寬度3mm之導電部所夾持之寬度30μm之非導電部的3個試樣。各試樣係自未附著污垢或指紋等之任意部位切出。然後，於以下之測定條件及解析條件下，於各試樣之非導電部之表面測定5處之SRa，將合計15處之SRa之算術平均值設為SRa。測定-解析軟體使用MetroPro版本9.0.10之Microscope Application。另外，下述低波長(Low wavelength)相當於粗糙度參數中之臨界值λc。另外，進行解析時，為了自觀察區域僅算出非導電部之SRa，按照以下之順序於對非導電部覆蓋遮罩之狀態下僅進行非導電部之解析。

(測定條件)

‧物鏡：50倍

‧變焦(Zoom)：1倍

‧測定區域：218μm×218μm

‧解像度(每1點之間隔)：0.22μm

‧掃描長度(scan Length)：5μm

‧min mod：0.001%

(解析條件)

‧刪除(Removed)：平面(Plane)

‧濾波器(Filter)：高通(High Pass)

‧濾波器類型(Filter Type)：高斯樣條(Gauss Spline)

‧低波長(Low wavelength)：250μm

‧高波長(High wavelength)：3μm

‧刪除尖點(Remove spikes)：on

‧尖點高度(Spike Height)(xRMS)：2.5

‧解析範圍：30μm×218μm

(僅進行非導電部之解析之順序)

首先，自Microscope Application上之Load Data，讀取欲覆蓋遮罩之試樣之資料(dat檔案)。其次，按下上述畫面上之Mask data按鈕，顯示Mask Editor畫面。確認於Mask Editor畫面上顯示出Auto Incl按鈕，於未顯示之情形時，點選Auto Excl按鈕使之顯示。點選同一畫面上之Rectance按鈕，於width、height輸入所要解析之區域之遮罩尺寸(寬度(width)0.03mm，高度(height)0.218mm)，點選顯示於其左方之Apply按鈕。當點選Apply按鈕時，於顯示於同一畫面上之觀察影像上顯示指定尺寸之白框。按下Move按鈕後，拖曳白框則可於觀察影像上之任意位置進行移動，故而使之於非導電部上移動。然後按下同一畫面上之BG Incl按鈕，並按下Microscope Application畫面上之Analyze按鈕，自解析範圍排除導電部。於該狀態下在同一畫面上顯示「Ra」，設為非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa。

<電性短路評價>

對實施例及比較例之導電性膜之電性短路進行評價。具體而言，首先，以與寬度30μm之非導電部相鄰之2個導電部之寬度分別成為3mm、且長度成為45mm之方式切出導電性膜，獲得具有由寬度3mm之導電部夾持之寬度30μm之非導電部的試樣。其次，使用試驗機(製品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機公司製造)，對於一導電部與另一導電部之間是否流通電流進 行評價。然後，進行於65℃及相對濕度95%之環境下對試樣之一導電部施加32V電壓100小時之耐久性試驗。耐久性試驗後，使用試驗機(製品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機公司製造)，對於一導電部與另一導電部之間是否流通電流進行評價，藉此對是否產生電性短路進行評價。評價基準如下所述。

○：不僅耐久性試驗前，而且於耐久性試驗後導電部間均未流過電流。

×：於耐久性試驗前，導電部間未流過電流，但於耐久性試驗後導電部間流過電流。

<圖案形狀視認評價>

於實施例及比較例之導電性膜中，對於利用光照射導電性膜之表面時是否視認出導電部或非導電部之圖案形狀進行評價。具體而言，首先，於水平台上放置黑色壓克力板，於其上以導電部側成為上側之方式放置導電性膜。導電性膜係切成50mm×100mm之大小，於無捲曲或褶皺且不存在指紋或灰塵等之狀態下配置於黑色壓克力板上。然後，將導電性膜之四角進而利用膠帶(製品名「Sellotape(註冊商標)」，Nichiban公司製造)固定。然後，以導電性膜表面之照度成為1000lux之方式利用來自三波長螢光燈(製品名「Akarin bar」，Hitachi Appliances公司製造)之光來照射導電性膜之表面，於距導電性膜表面30cm之距離(視認距離)自所有角度進行目視，對是否視認出導電部及非導電部之圖案形狀進行評價。另外，同樣地以導電性膜表面之照度成為10000lux之方式利用來自LED光源(製品名「MG-286R」，GENTOS公司製造)之光來照射導電性膜之表面，於距導電性膜表面30cm之距離(視認距離)自所有角度亦進行目視，對是否視認出導電部及非導電部之圖案形狀進行評價。評價基準如下所述。

○：以照度10000lux進行觀察時未視認出導電部及非導電部之圖案形狀。

△：以照度1000lux進行觀察時未視認出導電部及非導電部之圖案形狀，但以照度10000lux進行觀察時視認出導電部或非導電部之圖案形狀。

×：以照度1000lux進行觀察時視認出導電部及非導電部之圖案形狀。

<白濁感評價>

於實施例及比較例之導電性膜中，利用光照射導電性膜之表面時，對是否於非導電部觀察到白濁感進行評價。具體而言，首先，於水平台上放置黑色壓克力板，於其上以導電部側成為上側之方式放置導電性膜。導電性膜係切成50mm×100mm之大小，於無捲曲或褶皺且不存在指紋或灰塵等之狀態下配置於黑色壓克力板上。然後，將導電性膜之四角進而利用膠帶(製品名「Sellotape(註冊商標)」，Nichiban公司製造)固定。然後，以導電性膜表面之照度成為1000lux之方式利用來自三波長螢光燈(製品名「Akarin bar」，Hitachi Appliances公司製造)之光來照射導電性膜之表面，於距導電性膜表面30cm之距離(視認距離)自所有角度進行目視，對是否於非導電部觀察到白濁感進行評價。另外，同樣地以導電性膜表面之照度成為10000lux之方式利用來自LED光源(製品名「MG-286R」，GENTOS公司製造)之光來照射導電性膜之表面，於距導電性膜表面30cm之距離(視認距離)自所有角度亦進行目視，對是否於非導電部觀察到白濁感進行評價。評價基準如下所述。

○：以照度10000lux進行觀察時未於非導電部觀察到白濁感。

△：以照度1000lux進行觀察時未於非導電部觀察到白濁感，但以照度10000lux進行觀察時於非導電部觀察到白濁感。

×：以照度1000lux進行觀察時於非導電部觀察到白濁感。

以下，將結果示於表1。

於比較例1之導電性膜中，由於非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa未達3nm，故而於耐久性試驗後導電部間產生電性短路。認為其原因在於：殘存於非導電部之銀奈米線較多，導電部之銀離子因耐久性試驗而發生遷移，使銀離子析出至非導電部側。相對於此，於實施例1~4之導電性膜中，非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa為3nm以上，故而於耐久性試驗前後未於導電部間產生電性短路。認為其原因在於：於非導電部實質上未殘存銀奈米線，故而即便於導電部之銀離子因耐久性試驗而發生遷移，使銀離子析出至非導電部側之情形時，亦未於導電部間產生電性短路。

於實施例1~3之導電性膜中，非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa為80nm以下，故而未視認出導電部及非導電部之圖案形狀，且於非導電部亦未產生白濁感。認為其原因在於：由於銀奈米線略微發白，故而藉由使非導電部之表面略粗糙，而非導電部亦略微發白，但並未發白至產生白濁感之程度。相對於此，於實施例4之導電性膜中，非導電部表面之三維算術平均粗糙度SRa超過80nm，故而未視認出導電部及非導電部之圖案形狀，但由於使非導電部之表面過於粗糙，故而非導電部產生白濁感。此外，認為於比較例1之導電性膜中，於非導電部殘存銀奈米線，幾乎不存在導電部與非導電部之色調差，故而未視認出導電部及非導電部之圖案形狀。另外，上述圖案形狀或白濁感與三維算術平均粗糙度SRa有相關關係，故而使用三維算術平均粗糙度SRa進行評價，但於表面粗糙度之參數中，與SRa以外之二維算術平均粗糙度Ra等參 數不存在相關關係，故而無法使用SRa以外之參數進行評價。

此外，於實施例1~4之導電性膜中，使用接觸式電阻率計(製品名「LorestaAX MCP-T370型」，Mitsubishi Chemical Analytech公司製造，端子形狀：ASP探針)，依據JIS K7194：1994(導電性塑膠之利用四探針法之電阻率試驗方法)，對導電部表面之電阻值分別進行測定，結果均為50Ω/□。利用接觸式電阻率計之表面電阻值之測定係藉由如下方式進行：將切成80mm×50mm之大小之導電性膜以導電部側成為上表面且導電性膜成為均勻之平面狀態之方式配置於平坦之玻璃板上，將ASP探針配置於導電部之中心，將全部電極接腳均勻地壓抵至導電部。於利用接觸式電阻率計進行測定時，選擇測定薄片電阻之模式即Ω/□。然後按下開始按鈕並保持，獲得測定結果。表面電阻值之測定部位設為導電性膜之中心部之3處，表面電阻值設為3處之表面電阻值之算術平均值。表面電阻值之測定係於23℃及相對濕度55%之環境下進行。

另外，於實施例1~4之導電性膜中，使用霧度計(製品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造)，依據JIS K7361分別對全光線穿透率進行測定，結果均為91%。全光線穿透率係以導電性膜整體進行測定時之值，另外，於切成50mm×100mm之大小後，在無捲曲或褶皺且不存在指紋或灰塵等之狀態下以導電部側成為非光源側之方式設置，設為對1片導電性膜測定3次而獲得之值之算術平均值。

另外，於實施例1~4之導電性膜中，使用霧度計(製品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造)，依據JIS K7136分別對導電性膜之霧度值(總霧度值)進行測定，結果均為1.0%。霧度值係以導電性膜整體進行測定時之值，另外，於切成50mm×100mm之大小後，在無捲曲或褶皺且不存在指紋或灰塵等之狀態下以導電部側成為非光源側之方式設置，設為對1片導電性膜測定3次而獲得之值之算術平均值。

於實施例1~4之導電性膜中，對銀奈米線是否整體於導電部中偏集存在於較導電部之膜厚之一半位置更靠聚對苯二甲酸乙二酯膜側進行研究，結果於全部導電性膜中銀奈米線均偏集存在。銀奈米線是否整體於導電部中偏集存在於較導電部之膜厚之一半位置更靠聚對苯二甲酸乙二酯膜側之判斷係藉由以下方式進行。具體而言，首先，自導電性膜製作剖面觀察用試樣。詳細而言，將切成2mm×5mm之導電性膜嵌入至聚矽氧系包埋板中，流入環氧系樹脂，將整個導電性膜利用樹脂進行包埋。然後，將包埋樹脂於65℃放置12小時以上使之硬化。然後，使用超薄切片機(製品名「Ultramicrotome EM UC7」，Leica Microsystems公司製造)，將送出厚度設定為100nm，而製作超薄切片。利用附膠棉膜之網(150目)採集所製作之超薄切片，設為STEM用試樣。然後，使用掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)(製品名「S-4800(II型)」，Hitachi High-Technologies公司製造)，拍攝STEM用試樣之剖面照片。於該剖面照片之拍攝時，將檢測器(選擇信號)設為「TE」、加速電壓設為「30kV」、發射電流設為「10μA」，關於進行STEM觀察之倍率，以倍率2.5萬倍~5萬倍調節焦距，並以辨別各層之方式適當調節對比度及亮度。另外，於拍攝剖面照片時，亦可進而將光圈設為「射束偵測光圈3」、物鏡光圈設為「3」，另外，將W.D.設為「8mm」。並且，準備如此拍攝之10處之上述剖面照片。其次，將各剖面照片放大至像素等級，各剖面照片中，計數表示位於較導電部之膜厚之一半位置更靠聚對苯二甲酸乙二酯膜側之銀奈米線的像素個數及表示位於較導電部之膜厚之一半位置更靠導電部之表面側之銀奈米線的像素個數，求出表示位於較上述一半位置更靠聚對苯二甲酸乙二酯膜側之銀奈米線之像素個數相對於表示銀奈米線之像素總個數的比率。此外，於表示銀奈米線之像素跨及上述一半位置之情形時，於各像素中，分為自上述一半位置存在於聚對苯二甲酸乙二酯膜側之部分、及自該位置存在於導電部之表面側之部 分，基於所劃分之部分之面積比區分1個像素。並且，將自各剖面照片求出之上述比率設為位於較導電部之膜厚之一半位置更靠聚對苯二甲酸乙二酯膜側之導電性纖維之存在比率，求出根據各剖面照片求出之存在比率之算術平均值，將該算術平均值為55%以上時設為偏集存在於聚對苯二甲酸乙二酯膜側。

於實施例1~4之導電性膜中，進行摺疊試驗，對可撓性進行評價，結果於下述任一摺疊試驗中，電阻值比均為1.5以下。具體而言，首先，以包含導電部之方式自導電性膜切出縱125mm×橫50mm之1片長方形狀之試樣。自導電性膜切出試樣後，於試樣之長邊方向之表面之兩端部之縱10mm×橫50mm之部分塗佈銀漿(商品名「DW-520H-14」，Toyobo公司製造)，於130℃加熱30分鐘而獲得兩端部設置有硬化之銀漿之試樣。然後，使用試驗機(製品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機公司製造)，對兩端部設置有硬化之銀漿之試樣之電阻值進行測定。具體而言，Digital MΩ Hitester 3454-11由於具備2個探針端子(紅色探針端子及黑色探針端子，兩者均為接腳形)，故而使紅色探針端子接觸設置於一端部之硬化之銀漿，並且使黑色探針端子接觸設置於另一端部之硬化之銀漿，而測定電阻值。然後，將該選擇之試樣之短邊(50mm)側以固定部分別固定於耐久試驗機(製品名「DLDMLH-FS」，Yuasa System機器公司製造)，如圖5(C)所示，以相對向之2個邊部之最小間隔成為6mm(彎曲部之外徑6mm)之方式進行安裝，進行2萬次之將該試樣之導電部側之面摺疊180°之試驗(以導電部成為內側且基材成為外側之方式進行摺疊之試驗)。進行摺疊試驗後，於摺疊試驗後之試樣中，以與摺疊試驗前之試樣相同之方式測定導電部表面之電阻值。並且，求出所選擇之摺疊試驗後之試樣之電阻值相對於摺疊試驗前之試樣之電阻值的比即電阻值比(所選擇之摺疊試驗後之試樣之電阻值/摺疊試驗前之試樣之電阻值)。另外，自實施例1~4之導電性膜與上述同樣地切取並同樣地測定電阻值，藉此選擇新試樣，將所選 擇之新試樣與上述同樣地安裝於上述耐久試驗機，進行2萬次之將試樣之基材側之面摺疊180°之試驗(以導電部成為外側且基材成為內側之方式進行摺疊之試驗)，同樣地測定摺疊試驗後之試樣之導電部表面之電阻值，求出電阻值比。此外，電阻值比設為測定3次獲得之值之算術平均值。

Claims (7)

1. 一種導電性膜，其具備透光性基材、設置於上述透光性基材之一面側之多個透光性導電部、及位於上述導電部間之透光性非導電部，其特徵在於：上述各導電部含有透光性樹脂及配置於上述透光性樹脂中之導電性纖維，上述非導電部含有透光性樹脂，上述非導電部表面之三維算術平均粗糙度為3nm以上且80nm以下。
2. 如請求項1所述之導電性膜，其中，上述導電性纖維之纖維長度為1μm以上。
3. 如請求項1所述之導電性膜，其中，上述導電性纖維之纖維直徑為200nm以下。
4. 如請求項1所述之導電性膜，其中，上述導電性膜之霧度值(haze value)為5%以下。
5. 如請求項1所述之導電性膜，其中，上述導電性膜之全光線穿透率為80%以上。
6. 一種觸控面板，其具備請求項1所述之導電性膜。
7. 一種影像顯示裝置，其具備請求項1所述之導電性膜或請求項6所述之觸控面板。

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