TWI768779B - 電漿處理裝置及基片處理方法 - Google Patents

電漿處理裝置及基片處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI768779B
TWI768779B TW110110007A TW110110007A TWI768779B TW I768779 B TWI768779 B TW I768779B TW 110110007 A TW110110007 A TW 110110007A TW 110110007 A TW110110007 A TW 110110007A TW I768779 B TWI768779 B TW I768779B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reaction chamber
ring
radio frequency
side wall
capacitor
Prior art date
Application number
TW110110007A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202201527A (zh
Inventor
涂樂義
如彬 葉
Original Assignee
大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 filed Critical 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Publication of TW202201527A publication Critical patent/TW202201527A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI768779B publication Critical patent/TWI768779B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明揭露了一種電漿處理裝置及基片處理方法，電漿處理裝置包含：反應腔；上電極，設置在反應腔的頂壁；下電極，位於反應腔內；射頻功率源，用於在下電極和上電極間形成射頻電流；電漿約束環，設置為環繞下電極；中位接地環，設置在電漿約束環下方，中位接地環靠近反應腔的側壁的一端與反應腔的側壁之間具有一定間隙；以及阻抗調節裝置，阻抗調節裝置的一端連接反應腔的側壁，且另一端接地。透過阻抗調節裝置使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，以對流經第一射頻電流路徑和第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配。本發明能夠調節蝕刻速率和準直性的均勻性。

Description

電漿處理裝置及基片處理方法
本發明涉及半導體處理設備技術領域，特別涉及一種電漿處理裝置及基片處理方法。
在電漿蝕刻過程中，晶圓全域蝕刻準直性高度依賴於以下兩個因素： 1）     晶圓(Wafer)表面鞘層電場分佈準直性； 2）     電漿濃度分佈均勻性。
對於晶圓全域蝕刻均勻性而言，特別是晶圓中心和中間位置，因素1也與電漿濃度分佈有關。通常電漿濃度以晶圓中心點呈現由內向外逐漸下降的趨勢，導致整個晶圓表面鞘層電場準直性由中心點向外由垂直變得逐漸傾斜，表現出的電漿濺射速度呈現帽子型，具體如圖1所示。
上述效應會隨著電漿射頻功率源頻率的增加而變得更加嚴重，射頻功率源頻率越高，腔內諧波效應越明顯。研究顯示，對於高頻電漿而言，高次諧波是由電漿非線性駐波效應產生。
典型地，越靠近晶圓中心點，駐波效應越明顯，高次諧波疊加越嚴重，電漿濃度越高。頻率越高，腔內高次諧波的產生量越多，電漿濃度分佈在中心位置越集中。
上述效應在高深寬比蝕刻製程中更為明顯，蝕刻越深，非準直效應(Global tilting)越明顯。並且對於特定的腔體，射頻電流分配是固定的，無法進行靈活調控。
本發明目的在於提供一種電漿處理裝置及基片處理方法，以實現對高頻或者低頻射頻電流在腔內兩個分佈路徑的大小進行靈活調控，從而實現對蝕刻速率和準直性的均勻性進行實時調節的目的。
為了實現以上目的，本發明透過以下技術方案實現：
一種電漿處理裝置，包含：反應腔；上電極，設置在反應腔的頂壁；下電極，位於反應腔內，並設置為與上電極相對；射頻功率源，施加於下電極及/或上電極，以在下電極和上電極間形成射頻電流；電漿約束環，設置為環繞下電極；中位接地環，設置在電漿約束環下方，中位接地環靠近反應腔的側壁的一端與反應腔的側壁之間具有一間隙；阻抗調節裝置，阻抗調節裝置的一端連接反應腔的側壁，另一端接地。上電極透過反應腔的側壁以及阻抗調節裝置接地，形成使射頻電流通過上電極的第一射頻電流路徑。電漿約束環和中位接地環形成使射頻電流通過電漿約束環的第二射頻電流路徑。透過阻抗調節裝置使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，以對流經第一射頻電流路徑和第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配。
較佳地，中位接地環下方設置有下位接地環，下位接地環與中位接地環電連接。
較佳地，阻抗調節裝置包含接地電感，接地電感的一端與中位接地環連接，其另一端與反應腔的側壁連接。
較佳地，阻抗調節裝置進一步包含可調電容，可調電容的一端與下位接地環或中位接地環連接，其另一端與反應腔的側壁連接。
較佳地，可調電容為電控馬達電容。
較佳地，接地電感的數量至少為2個，各個接地電感之間進行串聯。
較佳地，中位接地環與反應腔的側壁之間形成第四電容，透過改變中位接地環靠近反應腔的側壁的一端的形狀或尺寸以及調整中位接地環與反應腔的側壁之間的間隙大小以實現第四電容的調節。
較佳地，射頻功率源的頻率大於等於27MHz。
較佳地，進一步包含射頻偏置功率源，射頻偏置功率源用於施加頻率小於等於20MHz的偏置射頻訊號至下電極。
另一方面，本發明進一步提供一種電漿處理裝置，包含反應腔，反應腔內包含：下電極，用於承載待處理基片；電漿約束環，環繞設置於下電極的外圍；中位接地環，位於電漿約束環下方，中位接地環與反應腔的側壁之間形成第四電容；接地電感，一端與反應腔的側壁電連接，另一端接地；以及可調電容，一端與反應腔的側壁電連接，另一端接地；其中，第四電容、接地電感以及可調電容並行聯接。
較佳地，可調電容為馬達電容。
再另一方面，本發明進一步提供一種基片處理方法，所述方法在上文所述的電漿處理裝置內進行，所述方法包含如下步驟：將基片移入反應腔。向反應腔內輸送製程氣體，並將製程氣體解離為電漿。調節阻抗調節裝置的阻抗，使得經過阻抗調節裝置的射頻電流發生改變。
本發明與先前技術相比至少具有以下優點：本發明設置有阻抗調節裝置，透過阻抗調節裝置使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，以對流經第一射頻電流路徑和第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配。由此實現了高頻的射頻電流在基片中間和邊緣方向的分配比例，且對於低頻的射頻電流在基片中間和邊緣方向的分配比例保持不變，從而實現對蝕刻速率和準直性的均勻性進行實時調節。
以下結合圖1至圖6和具體實施方式對本發明提出的一種電漿處理裝置及基片處理方法作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，附圖採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用於方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭露的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義。並且，任何結構的修飾或比例關係的改變或大小的調整在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的前提下，均應仍落在本發明所揭露的技術內容所涵蓋的範圍內。
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何實際的關係或者順序。而且，術語「包含」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包含一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包含所列要素，而且進一步包含沒有明確列出的其他要素，或者是進一步包含為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包含一個……」限定的要素，並不排除在包含要素的過程、方法、物品或者設備中進一步存在另外的相同要素。
結合圖1至圖6所示，本實施例提供一種電漿處理裝置，包含：反應腔；上電極7，設置在反應腔的頂壁9；下電極1，位於反應腔內，並設置為與上電極7相對；射頻功率源，施加於下電極1及/或上電極7，以在下電極1和上電極7間形成射頻電流；電漿約束環5，環繞下電極1設置；中位接地環，設置在電漿約束環5下方，中位接地環靠近反應腔的側壁10一端與反應腔的側壁10之間具有一定間隙；阻抗調節裝置，包含並聯的接地電感12和可調電容13，阻抗調節裝置的一端連接反應腔的側壁10，另一端接地。上電極7透過反應腔的側壁10以及阻抗調節裝置接地，形成使射頻電流通過上電極7的第一射頻電流路徑Loop1。電漿約束環5和中位接地環形成使射頻電流通過電漿約束環5的第二射頻電流路徑Loop2。透過阻抗調節裝置使第一射頻電流路徑Loop1的阻抗可調節，以對流經第一射頻電流路徑Loop1和第二射頻電流路徑Loop2的射頻電流進行分配。
上述中位接地環靠近反應腔的側壁10一端與反應腔的側壁10之間所具有間隙，由此可知此間隙的存在使得中位接地環和反應腔側壁之間形成第四電容C4。第四電容C4、接地電感12和可調電容13並聯設置，對於高頻射頻電流，接地電感12產生的阻抗較大，高頻射頻電流難以通過，因此大部分射頻電流透過第四電容C4和可調電容13進入地線，此時，透過調節可調電容C0的大小，可以實現對第一射頻電流路徑Loop1上的阻抗進行調節，進而調節流經第一射頻電流路徑Loop1上的射頻電流大小，以對流經第一射頻電流路徑Loop1和第二射頻電流路徑Loop2的射頻電流進行分配。
對於低頻射頻電流，由於電容對低頻電流有阻擋作用，大部分低頻射頻電流透過接地電感12進入地線，因此，調節可調電容13不會對低頻電流造成影響。
在本實施例中，可調電容13為電控馬達電容，可以從反應腔外部控制可調電容13的大小，因此可以對第一射頻電流路徑Loop1上的阻抗實現在線的調節，以滿足同一片晶圓在不同製程時反應腔內高頻射頻電流的分佈調節。
本實施例中透過改變中位接地環靠近反應腔的側壁10一端的形狀或尺寸以及調整中位接地環與反應腔的側壁10之間的間隙大小，以實現第四電容C4的調節。
在本實施例中，中位接地環下方設置有下位接地環6，下位接地環6與中位接地環電連接。接地電感12的一端與中位接地環連接，其另一端與反應腔的側壁10連接。可調電容13的一端與下位接地環6或中位接地環連接，其另一端與反應腔的側壁10連接。
在一些實施例中，接地電感12的數量至少為2個，各個接地電感12之間進行串聯。可調電容13可以為1個或多個(2個以上)，多個可調電容13可以並聯。
射頻功率源的頻率大於等於27MHz。在本實施例中，進一步包含射頻偏置功率源，射頻偏置功率源用於施加頻率小於等於20MHz的偏置射頻訊號至下電極1。
請繼續參考圖1至圖3所示，第一射頻電流路徑Loop1(中間路徑)至少包含：上電極7與下電極1之間的電漿、上部接地環11、安裝基板8、腔體內壁(包含頂壁9和側壁10)、阻抗調節裝置以及中位接地環及/或下位接地環6。
第二射頻電流路徑Loop2(邊緣路徑)至少包含：上電極7與下電極1之間的電漿、電漿約束環5、中位接地環以及下位接地環6。
其中，結合圖3和圖6所示，第一射頻電流路徑Loop1包含第一電容C1、第一電阻R1和阻抗調節裝置。第一電容C1與第一電阻R1並聯，並且之後與阻抗調節裝置的一端連接，阻抗調節裝置的另一端接地。在本實施例中，阻抗調節裝置中的可調電容C0、接地電感L1和第四電容C4彼此之間進行並聯連接。
上電極7和下電極1之間形成第一電容C1，反應腔的側壁10和中位接地環之間形成第四電容C4。其中第一電阻R1為反應腔內電漿產生的電阻與第一射頻電流路徑Loop1上傳輸射頻電流的零部件(上部接地環11、安裝基板8、腔體內壁、阻抗調節裝置以及中位接地環及/或下位接地環6)產生的電阻之和。接地電感L1是採用具有銅皮等導電結構構成。
具體來說，第四電容C4耦合至中位接地環和下位接地環6構成第一子射頻電流路徑Loop1-1。接地電感L1、中位接地環和下位接地環6構成第二子射頻電流路徑Loop1-2。可調電容C0耦合至下位接地環6構成第三子射頻電流路徑Loop1-3。
第二射頻電流路徑Loop2包含第二電容C2、第二電阻R2和第三電容C3。第二電容C2與第二電阻R2並聯，並且之後第二電容C2與第二電阻R2的一端均接入射頻電流，而另一端均與第三電容C3的一端連接，並且第三電容C3的另一端接地。
下電極和電漿約束環5之間形成第二電容C2。電漿約束環5和中位接地環之間形成第三電容C3，第三電容C3的電容值由電漿約束環5與中位接地環之間的接觸面的面積及間隙確定。其中，第二電阻R2為反應腔內電漿產生的電阻與電漿約束環5產生的電阻之和。
具體來說，結合圖3至圖6所示，以具體說明實現對第一射頻電流路徑Loop1的阻抗可調節，以對流經第一射頻電流路徑Loop1和第二射頻電流路徑Loop2的射頻電流進行分配的目的的過程。
透過調節第三子射頻電流路徑Loop1-3中的可調電容C0大小以調節第一射頻電流路徑Loop1整體的射頻阻抗，從而實現射頻電流在第一射頻電流路徑Loop1和第二射頻電流路徑Loop2之間的分配和調控。圖6提供了第一射頻電流路徑Loop1對不同頻率的阻抗調節情況。顯而易見的是，對於高頻的射頻電流而言，例如60MHz，控制可調電容C0大小可以實現第一射頻電流路徑Loop1的阻抗調控。此外，以第四電容C4的電容值為50pF為例，則可調電容C0的電容值的調節範圍為10pF~60pF時，對應的第一射頻電流路徑Loop1的阻抗為33.0Ohm~262.7Ohm，且呈單調連續變化。對於低頻的射頻電流而言，例如2MHz和400kHz，第一射頻電流路徑Loop1的阻抗對可調電容C0沒有任何響應，即絕大部分低頻射頻電流從第二子射頻電流路徑Loop1-2通過，由於電容對低頻是阻斷的，此時阻抗調節裝置對於低頻射頻電流分佈路徑等效，如圖5和圖4所示。
透過上述分析可知，透過可調電容C0的控制可以實現高頻的射頻電流在基片2的中間和邊緣方向的射頻電流的分佈比例，而低頻的射頻電流在基片2的中間和邊緣方向的射頻電流的分佈比例保持不變，從而能夠實現對反應腔內的蝕刻速率和準直性的均勻性進行實時調節。
另一方面，基於同一發明思想，請繼續參考圖1，本發明進一步提供一種電漿處理裝置，包含反應腔，反應腔內包含：下電極1，用於承載待處理基片2；電漿約束環5，環繞設置於下電極1外圍；中位接地環，位於電漿約束環5下方，中位接地環與反應腔的側壁10之間形成第四電容C4；接地電感L1，一端與反應腔的側壁10電連接，另一端接地；以及可調電容13，一端與反應腔的側壁10電連接，另一端接地。其中，第四電容C4、接地電感12以及可調電容13並行聯接。較佳地，可調電容13為馬達電容。由此可知，透過可調電容13的控制可以實現高頻的射頻電流在基片2的中間和邊緣方向的射頻電流的分佈比例，而低頻的射頻電流在基片2的中間和邊緣方向的射頻電流的分佈比例保持不變，從而能夠實現對反應腔內的蝕刻速率和準直性的均勻性進行實時調節。
電漿處理裝置進一步包含邊緣環4和製程套件3(process kit)，邊緣環4環繞設置在下電極1(靜電吸盤)外側，製程套件3設置在邊緣環4上，且環繞基片2設置。製程套件3為例如聚焦環和隔離環。
圖1和圖2是本發明一個實施例的電漿處理裝置的結構示意圖，主要用來顯示上電極7、下電極1與側壁10的位置關係以及高頻的射頻電流在反應腔內的傳遞路徑，因此，圖1和圖2並未顯示不相關的具體結構(例如，聚焦環和隔離環等)。
再另一方面，基於同一發明思想，本發明進一步提供一種基片處理方法，所述方法在上文所述的電漿處理裝置內進行，所述方法包含如下步驟：將基片移入反應腔。向反應腔內輸送製程氣體，並將製程氣體解離為電漿。調節阻抗調節裝置的阻抗，使得經過阻抗調節裝置的射頻電流發生改變。
綜上所述，本發明設置有阻抗調節裝置，透過阻抗調節裝置使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，以對流經第一射頻電流路徑和第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配。由此實現了高頻的射頻電流在基片中間和邊緣方向的分配比例，對於低頻的射頻電流在基片中間和邊緣方向的分配比例保持不變，從而實現對蝕刻速率和準直性的均勻性進行實時調節。
儘管本發明的內容已經透過上述較佳實施例作了詳細說明，但應當認識到上述的說明不應被認為是對本發明的限制。在本領域具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
1:下電極 2:基片 3:製程套件 4:邊緣環 5:電漿約束環 6:下位接地環 7:上電極 8:安裝基板 9:頂壁 10:側壁 11:上部接地環 12:接地電感 13:可調電容 Loop1:第一射頻電流路徑 Loop2:第二射頻電流路徑 Loop1-1:第一子射頻電流路徑 Loop1-2:第二子射頻電流路徑 Loop1-3:第三子射頻電流路徑 C0:可調電容 C1:第一電容 C2:第二電容 C3:第三電容 C4:第四電容 R1:第一電阻 R2:第二電阻 L1:接地電感
圖1為本發明一實施例提供的電漿處理裝置的結構示意圖； 圖2為本發明一實施例提供的電漿處理裝置中的射頻電流分佈的示意圖； 圖3為本發明一實施例提供的電漿處理裝置的射頻電流分佈的等效電路圖； 圖4為本發明一實施例提供的電漿處理裝置的低頻射頻電流分佈的示意圖； 圖5為本發明一實施例提供的電漿處理裝置的低頻射頻電流分佈的等效電路圖； 圖6為本發明一實施例提供的電漿處理裝置的第一射頻電流路徑對不同頻率源的阻抗調節情況。
1:下電極
2:基片
3:製程套件
4:邊緣環
5:電漿約束環
6:下位接地環
7:上電極
8:安裝基板
9:頂壁
10:側壁
11:上部接地環
12:接地電感
13:可調電容
Loop1:第一射頻電流路徑
Loop2:第二射頻電流路徑

Claims (11)

  1. 一種電漿處理裝置，其中包含：一反應腔；一上電極，設置在該反應腔的頂壁；一下電極，位於該反應腔內，並設置為與該上電極相對；一射頻功率源，施加於該下電極及/或該上電極，以在該下電極和該上電極間形成射頻電流；一電漿約束環，設置為環繞該下電極；一中位接地環，設置在該電漿約束環下方，該中位接地環靠近該反應腔的側壁的一端與該反應腔的側壁之間具有一間隙；以及一阻抗調節裝置，該阻抗調節裝置的一端連接該反應腔的側壁，且另一端接地，該阻抗調節裝置包含一接地電感，該接地電感的一端與該中位接地環連接，其另一端與該反應腔的側壁連接；其中：該上電極透過該反應腔的側壁以及該阻抗調節裝置接地，形成使射頻電流通過該上電極的一第一射頻電流路徑；該電漿約束環和該中位接地環形成使射頻電流通過該電漿約束環的一第二射頻電流路徑；以及透過該阻抗調節裝置使該第一射頻電流路徑的阻抗可調節，以對流經該第一射頻電流路徑和該第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配。
  2. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該中位接地環下方設置一下位接地環，該下位接地環與該中位接地環電連接。
  3. 如請求項2所述之電漿處理裝置，其中該阻抗調節裝置進一步包含：一可調電容，該可調電容的一端與該下位接地環或該中位接地環連接，其另一端與該反應腔的側壁連接。
  4. 如請求項3所述之電漿處理裝置，其中該可調電容為電控馬達電容。
  5. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該接地電感的數量至少為2個，各該接地電感之間進行串聯。
  6. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該中位接地環與該反應腔的側壁之間形成一第四電容，透過改變該中位接地環靠近該反應腔的側壁的一端的形狀或尺寸以及調整該中位接地環與該反應腔的側壁之間的間隙大小以實現該第四電容的調節。
  7. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該射頻功率源的頻率大於等於27MHz。
  8. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中進一步包含一射頻偏置功率源，該射頻偏置功率源用於施加頻率小於等於20MHz的一偏置射頻訊號至該下電極。
  9. 一種電漿處理裝置，其包含一反應腔，該反應腔內包含：一下電極，用於承載待處理的一基片；一電漿約束環，環繞設置於該下電極的外圍； 一中位接地環，位於該電漿約束環下方，該中位接地環與該反應腔的側壁之間形成一第四電容；一接地電感，一端與該反應腔的側壁電連接，另一端接地；一可調電容，一端與該反應腔的側壁電連接，另一端接地；一該第四電容、該接地電感以及該可調電容並行聯接。
  10. 如請求項9所述之電漿處理裝置，其中該可調電容為馬達電容。
  11. 一種基片處理方法，該方法在如請求項1至請求項8中的任意一項所述之電漿處理裝置內進行，其中該方法包含如下步驟：將一基片移入該反應腔；向該反應腔內輸送一製程氣體，並將該製程氣體解離為電漿；調節該阻抗調節裝置的阻抗，使得經過該阻抗調節裝置的射頻電流發生改變。
TW110110007A 2020-06-24 2021-03-19 電漿處理裝置及基片處理方法 TWI768779B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010586822.8A CN113838734B (zh) 2020-06-24 2020-06-24 等离子体处理装置及基片处理方法
CN202010586822.8 2020-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202201527A TW202201527A (zh) 2022-01-01
TWI768779B true TWI768779B (zh) 2022-06-21

Family

ID=78964448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110110007A TWI768779B (zh) 2020-06-24 2021-03-19 電漿處理裝置及基片處理方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113838734B (zh)
TW (1) TWI768779B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106920731A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种限制等离子体泄露的接地环以及反应腔
TW201841199A (zh) * 2016-12-30 2018-11-16 中微半導體設備（上海）有限公司 電容耦合電漿處理裝置與電漿處理方法
TW201946150A (zh) * 2018-04-28 2019-12-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 可調節邊緣射頻等離子體分佈的ｃｃｐ刻蝕裝置及其方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8674255B1 (en) * 2005-12-08 2014-03-18 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling etch uniformity
JP5160802B2 (ja) * 2007-03-27 2013-03-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN107305830B (zh) * 2016-04-20 2020-02-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
CN109961997B (zh) * 2017-12-22 2021-11-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法
CN111199860A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 江苏鲁汶仪器有限公司 一种刻蚀均匀性调节装置及方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106920731A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种限制等离子体泄露的接地环以及反应腔
TW201841199A (zh) * 2016-12-30 2018-11-16 中微半導體設備（上海）有限公司 電容耦合電漿處理裝置與電漿處理方法
TW201946150A (zh) * 2018-04-28 2019-12-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 可調節邊緣射頻等離子體分佈的ｃｃｐ刻蝕裝置及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202201527A (zh) 2022-01-01
CN113838734A (zh) 2021-12-24
CN113838734B (zh) 2023-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100416773C (zh) 等离子体处理方法和装置
CN100380605C (zh) 等离子体处理装置和方法以及等离子体处理装置的电极板
CN100459059C (zh) 等离子体处理装置和方法
US8080126B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101839776B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP4454718B2 (ja) プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極
US20100294433A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2010524156A (ja) ウエハに面する電極に直流電圧を誘導するための方法および装置
EP2538432A2 (en) Plasma processing apparatus
TWI658488B (zh) Plasma processing device
CN108269728A (zh) 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
CN211507566U (zh) 一种具有射频功率分布调节功能的等离子体处理装置
TWI553693B (zh) An inductance coil and inductively coupled plasma processing device
TWI768779B (zh) 電漿處理裝置及基片處理方法
TWM469617U (zh) 法拉第遮罩裝置
KR100391063B1 (ko) 유도결합으로 보강된 축전결합형 플라즈마 발생장치 및플라즈마 발생방법
CN107305830A (zh) 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
JP5489803B2 (ja) 高周波プラズマ発生装置およびこれを用いた薄膜製造方法
TWI847417B (zh) 一種感應耦合線圈、射頻提供裝置、射頻控制方法、設備
TWI769464B (zh) 電容耦合電漿處理裝置及其方法
KR101990577B1 (ko) 필드 조절 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치
CN101442873A (zh) 等离子体加工设备和方法
JP2001244248A (ja) プラズマ処理装置および方法
JP4528418B2 (ja) プラズマ処理装置
JPS62280378A (ja) プラズマ制御装置