CN113838734A - 等离子体处理装置及基片处理方法 - Google Patents

等离子体处理装置及基片处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置及基片处理方法，所述装置包括：反应腔，上电极，设置在反应腔的顶壁；下电极，位于反应腔内，射频功率源，用于在下电极和上电极间形成射频电流；等离子体约束环，环绕下电极设置；中位接地环，设置在等离子体约束环下方，中位接地环靠近反应腔的侧壁一端与反应腔的侧壁之间具有一定间隙；阻抗调节装置，阻抗调节装置的一端连接反应腔的侧壁，另一端接地，通过阻抗调节装置使第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经第一射频电流路径和第二射频电流路径的射频电流进行分配。本发明能够调节刻蚀速率和准直性的均匀性。

Description

等离子体处理装置及基片处理方法
技术领域
本发明涉及半导体处理设备技术领域，特别涉及一种等离子体处理装置及基片处理方法。
背景技术
在等离子体刻蚀过程中，晶圆全局刻蚀准直性强烈依赖于以下两个因素：
1)晶圆(Wafer)表面鞘层电场分布准直性；
2)等离子体浓度分布均匀性。
对于晶圆全局刻蚀均匀性而言，特别是晶圆中心和中间位置，因素1)也与等离子体浓度分布有关。通常等离子体浓度以晶圆中心点呈现由内向外逐渐下降的趋势，导致整个晶圆表面鞘层电场准直性由中心点向外由垂直变得逐渐倾斜，表现出的等离子体溅射速度呈现帽子型，具体如图1所示。
上述效应会随着等离子体射频功率源频率的增加而变得更加严重，射频功率源频率越高，腔内谐波效应约明显。研究表明，对于高频等离子体而言，高次谐波是由等离子体非线性驻波效应产生。
典型地：越靠近晶圆中心点，驻波效应越明显，高次谐波叠加越严重，等离子体浓度越高。频率越高，腔内高次谐波的产生量越多，等离子体浓度分布在中心位置越集中。
上述效应在高深宽比刻蚀工艺中更为明显，刻蚀越深，非准直效应(Globaltilting)越明显。并且对于特定的腔体，射频电流分配时固定的，无法进行灵活调控。
发明内容
本发明目的在于提供一种等离子体处理装置及基片处理方法，实现对高频或者低频射频电流在腔内两个分布路径的大小进行灵活调控，从而实现对刻蚀速率和准直性的均匀性进行实时调节的目的。
为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种等离子体处理装置，包括：反应腔，上电极，设置在所述反应腔的顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极和/或所述上电极，以在所述下电极和所述上电极间形成射频电流；等离子体约束环，环绕所述下电极设置；中位接地环，设置在所述等离子体约束环下方，所述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁一端与所述反应腔的侧壁之间具有一间隙；阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述反应腔的侧壁，另一端接地，所述上电极通过所述反应腔的侧壁以及所述阻抗调节装置接地，形成使射频电流通过上电极的第一射频电流路径。所述等离子体约束环和所述中位接地环形成使射频电流通过所述等离子体约束环的第二射频电流路径。通过所述阻抗调节装置使所述第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经所述第一射频电流路径和所述第二射频电流路径的射频电流进行分配。
优选地，所述中位接地环下方设置一下位接地环，所述下位接地环与所述中位接地环电连接。
优选地，所述阻抗调节装置包括：
接地电感，所述接地电感的一端与所述中位接地环连接，其另一端与所述反应腔的侧壁连接。
优选地，所述阻抗调节装置还包括：可调电容，所述可调电容的一端与所述下位接地环或所述中位接地环连接，其另一端与所述反应腔的侧壁连接。
优选地，所述可调电容为电控马达电容。
优选地，所述接地电感的数量至少为2个，各个所述接地电感之间进行串联。
优选地，所述中位接地环与所述反应腔的侧壁之间形成第四电容，通过改变所述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁一端的形状或尺寸以及调整所述中位接地环与所述反应腔的侧壁之间的间隙大小以实现所述第四电容的调节。
优选地，所述射频功率源的频率大于等于27MHz。
优选地，还包括一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源用于施加一频率小于等于20MHz的偏置射频信号至所述下电极。
另一方面，本发明还提供一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内包括：下电极，用于承载待处理基片；等离子体约束环，环绕设置于所述下电极外围；中位接地环，位于所述等离子体约束环下方，所述中位接地环与所述反应腔的侧壁之间形成第四电容；接地电感，一端与所述反应腔的侧壁电连接，另一端接地；可调电容，一端与所述反应腔的侧壁电连接，另一端接地；所述第四电容、所述接地电感以及所述可调电容并行联接。
优选地，所述可调电容为马达电容。
再一方面，本发明还提供一种基片处理方法，所述方法在上文所述的等离子体处理装置内进行，所述方法包括如下步骤：将一基片移入所述反应腔。向所述反应腔内输送工艺气体，并将所述工艺气体解离为等离子体。调节所述阻抗调节装置的阻抗，使得经过所述阻抗调节装置的射频电流发生改变。
本发明与现有技术相比至少具有如下优点之一：
本发明通过设有的阻抗调节装置，通过所述阻抗调节装置使所述第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经所述第一射频电流路径和所述第二射频电流路径的射频电流进行分配。由此实现了高频的射频电流在基片中间和边缘方向的分配比例，对于低频的射频电流在基片中间和边缘方向的分配比例保持不变，从而实现对刻蚀速率和准直性的均匀性进行实时调节。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的等离子体处理装置的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的等离子体处理装置中的射频电流分布的示意图；
图3为本发明一实施例提供的等离子体处理装置的射频电流分布的等效电路图；
图4为本发明一实施例提供的等离子体处理装置的低频射频电流分布的示意图；
图5为本发明一实施例提供的等离子体处理装置的低频射频电流分布的等效电路图；
图6为本发明一实施例提供的等离子体处理装置的第一射频电流路径对不同频率源的阻抗调节情况。
具体实施方式
以下结合附图1～6和具体实施方式对本发明提出的一种等离子体处理装置及基片处理方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施方式的目的。为了使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容能涵盖的范围内。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
结合图1～图6所示，本实施例提供一种等离子体处理装置，包括：反应腔，上电极7，设置在所述反应腔的顶壁9；下电极1，位于所述反应腔内，并与所述上电极7相对设置；射频功率源，施加于所述下电极7和/或所述上电极1，以在所述下电极1和所述上电极7间形成射频电流；等离子体约束环5，环绕所述下电极1设置；中位接地环，设置在所述等离子体约束环5下方，所述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁10一端与所述反应腔的侧壁10之间具有一定间隙；阻抗调节装置，包括并联的接地电感12和可调电容13，所述阻抗调节装置的一端连接所述反应腔的侧壁10，另一端接地，所述上电极7通过所述反应腔的侧壁10以及所述阻抗调节装置接地，形成使射频电流通过上电极7的第一射频电流路径Loop 1。所述等离子体约束环5和所述中位接地环形成使射频电流通过所述等离子体约束环5的第二射频电流路径Loop 2。通过所述阻抗调节装置使所述第一射频电流路径Loop 1的阻抗可调节，以对流经所述第一射频电流路径Loop 1和所述第二射频电流路径Loop2的射频电流进行分配。
上述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁10一端与所述反应腔的侧壁10之间所具有间隙，由此可知该间隙的存在使得中位接地环和反应腔侧壁之间形成第四电容C4，第四电容C4、接地电感12和可调电容13并联设置，对于高频射频电流，接地电感12产生的阻抗较大，高频射频电流难以通过，因此大部分射频电流通过第四电容C4和可调电容13进入地线，此时，通过调节可调电容C0的大小，可以实现对第一射频电流路径Loop1上的阻抗进行调节，进而调节流经第一射频电流路径Loop1上的射频电流大小，以对流经所述第一射频电流路径Loop 1和所述第二射频电流路径Loop 2的射频电流进行分配。
对于低频射频电流，由于电容对低频电流有阻挡作用，大部分低频射频电流通过接地电感12进入地线，因此，调节可调电容13不会对低频电流造成影响。
在本实施例中，可调电容13为电控马达电容，可以从反应腔外部控制可调电容13的大小，因此可以对第一射频电流路径Loop1上的阻抗实现在线的调节，以满足同一片晶圆在不同工艺时反应腔内高频射频电流的分布调节。
本实施例中通过改变所述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁10一端的形状或尺寸以及调整所述中位接地环与所述反应腔的侧壁10之间的间隙大小用以实现所述第四电容C4的调节。
在本实施例中，所述中位接地环下方设置一下位接地环6，所述下位接地环6与所述中位接地环电连接。所述接地电感12的一端与所述中位接地环连接，其另一端与所述反应腔的侧壁10连接。所述可调电容13的一端与所述下位接地环6或所述中位接地环连接，其另一端与所述反应腔的侧壁10连接。
在一些实施例中，所述接地电感12的数量至少为2个，各个所述接地电感12之间进行串联。所述可调电容13可以为1个或多个(两个以上)，多个可调电容13可并联。
所述射频功率源的频率大于等于27MHz。在本实施例中，还包括一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源用于施加一频率小于等于20MHz的偏置射频信号至所述下电极1。
请继续参考图1～图3所示，所述第一射频电流路径(中间路径)Loop 1至少部分包括：上下电极之间的等离子体-上部接地环11-安装基板8-腔体内壁(包括顶壁9和侧壁10)-阻抗调节装置-中位接地环和/或下位接地环6。
所述第二射频电流路径(边缘路径)Loop 2至少部分包括：上下电极之间的等离子体-等离子体约束环5-中位接地环-下部接地环6。
其中，结合图3和图6所示，所述第一射频电流路径Loop 1包括：第一电容C1、第一电阻R1和所述阻抗调节装置；所述第一电容C1与第一电阻R1并联，之后与所述阻抗调节装置的一端连接，所述阻抗调节装置的另一端接地。在本实施例中，所述阻抗调节装置中的可调电容C0，接地电感L1和第四电容C4，且其互相之间进行并联连接。
所述上电极和所述下电极之间形成所述第一电容C1，所述反应腔的侧壁和所述中位接地环之间形成所述第四电容C4。其中所述第一电阻R1为反应腔内等离子体产生的电阻与第一射频电流路径Loop1上传输射频电流的零部件(上部接地环11-安装基板8-腔体内壁-阻抗调节装置-中位接地环和/或下位接地环6)产生的电阻之和。所述接地电感L1是采用具有铜皮等导电结构构成。
具体的，所述第四电容C4耦合至所述中位接地环和下位接地环6构成第一子射频电流路径Loop1-1。所述接地电感L1、中位接地环和下位接地环6构成第二子射频电流路径Loop1-2。所述可调电容C0耦合至下位接地环6构成第三子射频电流路径Loop1-3。
所述第二射频电流路径Loop 2包括：第二电容C2、第二电阻R2和第三电容C3，所述第二电容C2与所述第二电阻R2并联，之后所述第二电容C2与所述第二电阻R2的一端均接入射频电流，另一端均与所述第三电容C3的一端连接，所述第三电容C3的另一端接地。
所述下电极和所述等离子体约束环5之间形成所述第二电容C2；所述等离子体约束环5和所述中位接地环之间形成所述第三电容C3，所述第三电容C3的电容值由所述等离子体约束环5与所述中位接地环之间的接触面的面积及间隙确定。其中所述第二电阻R2为反应腔内等离子体产生的电阻与等离子体约束环5产生的电阻之和。
具体的，结合图3～图6所示，具体说明一下实现对所述第一射频电流路径Loop 1的阻抗可调节，以对流经所述第一射频电流路径Loop 1和所述第二射频电流路径Loop 2的射频电流进行分配的目的的过程。
通过调节第三子射频电流路径Loop 1-3中的可调电容C0大小以调节所述第一射频电流路径Loop 1整体的射频阻抗，从而实现射频电流在所述第一射频电流路径Loop 1和所述第二射频电流路径Loop 2之间的分配和调控。图6给出了第一射频电流路径Loop 1对不同频率的阻抗调节情况。显然，对于高频的射频电流而言，如60MHz控制可调电容C0大小可以实现第一射频电流路径Loop 1的阻抗调控；以第四电容C4的电容值为50pF为例，则可调电容C0的电容值的调节范围为10pF～60pF时，对应的第一射频电流路径Loop 1的阻抗为33.0Ohm～262.7Ohm，且呈单调连续变化。对于低频的射频电流而言，如2MHz和400kHz，第一射频电流路径Loop 1的阻抗对可调电容C0没有任何响应，即绝大部分低频射频电流从所述第二子射频电流路径Loop 1-2通过，由于电容对低频是阻断的，此时阻抗调节装置对于低频射频电流分布路径等效成图5和图4。
通过上述分析可知，通过可调电容C0的控制可以实现高频的射频电流在基片2的中间和边缘方向的射频电流的分布比例，而低频的射频电流在基片2的中间和边缘方向的射频电流的分布比例保持不变，从而能够实现对反应腔内的刻蚀速率和准直性的均匀性进行实时调节。
另一方面，基于同一发明构思，请继续参考图1，本发明还提供一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内包括：下电极1，用于承载待处理基片2；等离子体约束环5，环绕设置于所述下电极1外围；中位接地环，位于所述等离子体约束环5下方，所述中位接地环与所述反应腔的侧壁10之间形成第四电容；接地电感L1，一端与所述反应腔的侧壁10电连接，另一端接地；可调电容13，一端与所述反应腔的侧壁10电连接，另一端接地；所述第四电容、所述接地电感12以及所述可调电容13并行联接。优选地，所述可调电容13为马达电容。由此可知，通过可调电容13的控制可以实现高频的射频电流在基片2的中间和边缘方向的射频电流的分布比例，而低频的射频电流在基片2的中间和边缘方向的射频电流的分布比例保持不变，从而能够实现对反应腔内的刻蚀速率和准直性的均匀性进行实时调节。
所述等离子体处理装置还包括边缘环4和工艺套件(process kit)3，所述边缘环4环绕设置在所述下电极(静电吸盘)1外侧，所述工艺套件3设置在所述边缘环4上，且环绕所述基片2设置。所述工艺套件3例如为聚焦环和隔离环。
图1和图2是本发明一个实施例的等离子体处理装置的结构示意图，主要用来显示上、下电极与侧壁的位置关系以及高频的射频电流在反应腔内的传递路径，因而，它并未显示不太相关的具体结构(如聚焦环和隔离环等)。
再一方面，基于同一发明构思，本发明还提供一种基片处理方法，所述方法在上文所述的等离子体处理装置内进行，所述方法包括如下步骤：将一基片移入所述反应腔。向所述反应腔内输送工艺气体，并将所述工艺气体解离为等离子体。调节所述阻抗调节装置的阻抗，使得经过所述阻抗调节装置的射频电流发生改变。
综上所述，本发明通过设有的阻抗调节装置，通过所述阻抗调节装置使所述第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经所述第一射频电流路径和所述第二射频电流路径的射频电流进行分配。由此实现了高频的射频电流在基片中间和边缘方向的分配比例，对于低频的射频电流在基片中间和边缘方向的分配比例保持不变，从而实现对刻蚀速率和准直性的均匀性进行实时调节。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
反应腔，
上电极，设置在所述反应腔的顶壁；
下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；
射频功率源，施加于所述下电极和/或所述上电极，以在所述下电极和所述上电极间形成射频电流；
等离子体约束环，环绕所述下电极设置；
中位接地环，设置在所述等离子体约束环下方，所述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁一端与所述反应腔的侧壁之间具有一间隙；
阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述反应腔的侧壁，另一端接地，所述上电极通过所述反应腔的侧壁以及所述阻抗调节装置接地，形成使射频电流通过上电极的第一射频电流路径；
所述等离子体约束环和所述中位接地环形成使射频电流通过所述等离子体约束环的第二射频电流路径；
通过所述阻抗调节装置使所述第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经所述第一射频电流路径和所述第二射频电流路径的射频电流进行分配。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述中位接地环下方设置一下位接地环，所述下位接地环与所述中位接地环电连接。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗调节装置包括：
接地电感，所述接地电感的一端与所述中位接地环连接，其另一端与所述反应腔的侧壁连接。
4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗调节装置还包括：可调电容，所述可调电容的一端与所述下位接地环或所述中位接地环连接，其另一端与所述反应腔的侧壁连接。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述可调电容为电控马达电容。
6.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地电感的数量至少为2个，各个所述接地电感之间进行串联。
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述中位接地环与所述反应腔的侧壁之间形成第四电容，通过改变所述中位接地环靠近所述反应腔的侧壁一端的形状或尺寸以及调整所述中位接地环与所述反应腔的侧壁之间的间隙大小以实现所述第四电容的调节。
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频功率源的频率大于等于27MHz。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源用于施加一频率小于等于20MHz的偏置射频信号至所述下电极。
10.一种等离子体处理装置，其特征在于：包括一反应腔，所述反应腔内包括：
下电极，用于承载待处理基片；
等离子体约束环，环绕设置于所述下电极外围；
中位接地环，位于所述等离子体约束环下方，所述中位接地环与所述反应腔的侧壁之间形成第四电容；
接地电感，一端与所述反应腔的侧壁电连接，另一端接地；
可调电容，一端与所述反应腔的侧壁电连接，另一端接地；
所述第四电容、所述接地电感以及所述可调电容并行联接。
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述可调电容为马达电容。
12.一种基片处理方法，所述方法在如权利要求1-9中任一项所述的等离子体处理装置内进行，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将一基片移入所述反应腔；
向所述反应腔内输送工艺气体，并将所述工艺气体解离为等离子体；
调节所述阻抗调节装置的阻抗，使得经过所述阻抗调节装置的射频电流发生改变。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080236492A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8674255B1 (en) * 2005-12-08 2014-03-18 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling etch uniformity
CN106920731A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种限制等离子体泄露的接地环以及反应腔
CN107305830A (zh) * 2016-04-20 2017-10-31 中微半导体设备(上海)有限公司 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
CN108269727A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 中微半导体设备(上海)有限公司 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
CN109961997A (zh) * 2017-12-22 2019-07-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法
CN110416049A (zh) * 2018-04-28 2019-11-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 可调节边缘射频等离子体分布的ccp刻蚀装置及其方法
CN111199860A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 江苏鲁汶仪器有限公司 一种刻蚀均匀性调节装置及方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8674255B1 (en) * 2005-12-08 2014-03-18 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling etch uniformity
US20080236492A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN106920731A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种限制等离子体泄露的接地环以及反应腔
CN107305830A (zh) * 2016-04-20 2017-10-31 中微半导体设备(上海)有限公司 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
CN108269727A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 中微半导体设备(上海)有限公司 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法
CN109961997A (zh) * 2017-12-22 2019-07-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法
CN110416049A (zh) * 2018-04-28 2019-11-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 可调节边缘射频等离子体分布的ccp刻蚀装置及其方法
CN111199860A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 江苏鲁汶仪器有限公司 一种刻蚀均匀性调节装置及方法

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