TWI756601B - 載物台設備 - Google Patents
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 54
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 49
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005483 Hooke's law Effects 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G11/00—Arrangements of electric cables or lines between relatively-movable parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
- H01J2237/0262—Shields electrostatic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2007—Holding mechanisms
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接;及一電場屏蔽件,其經組態以屏蔽至少該電連接之一部分。
Description
本發明係關於一種載物台設備,特定言之,一種包含經組態以將電極電連接至電壓源之電連接的載物台設備。
本發明係關於一種可例如為微影設備之部分之載物台設備、一種度量衡設備、一種粒子束設備、一種電子束設備、一種電子束檢測設備,或一種檢測設備。
在半導體製程中,不可避免地產生缺陷。此等缺陷可影響器件效能,甚至會導致故障。因此可影響器件良率,從而導致成本增加。為了控制半導體製程良率,缺陷監測至關重要。用於缺陷監測之一種工具為掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope;SEM),其使用一或多個電子束掃描試樣之目標部分。
為了避免或至少減少藉由電子束輻照至試樣上而對試樣之損壞,可將高的負電壓施加於電子束之路徑中以在電子束導降於試樣上之前使電子束減速。
可例如將高電壓施加至物件台以在監測期間支撐及固持試樣。較佳經由粗導線提供此高電壓,此可干擾物件台之準確定位。
本發明之一目標為提供一種具有有限最大電場強度而同時具有有限機械剛度的電連接,或至少提供一種具有經組態以將電極連接至端子之電連接的替代載物台設備。
本發明係關於一種包含一創新的電連接之載物台設備,其可以若干方式被描述或定義。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接,及一電場屏蔽件,其經組態以屏蔽至少該電連接之一部分。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,其包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接,其中該電連接包含配置於一圓形圓周上之一或多個線圈或一或多個導線。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接。該電連接包含一或多個導線之一空間配置,該一或多個導線具有一直徑,且跨越在該電連接之一第一末端與一第二末端之間在一第一方向上的一距離。該電連接經組態以在使用中產生一電場,該電場部分地由一等效電直徑判定,該等效電直徑係由該一或多個導線之空間配置界定,且在經配置為大體上筆直的且用於跨越在該第一方向上之該距離時等於一等效電線之一直徑,其中該等效電線將產生具有大體上相同的最大強度的一電場。該等效電直徑大於該一或多個導線
之任何直徑。
在一實施例中,該電連接進一步包含一機械剛度,該機械剛度表示在該第一方向上壓縮或拉伸該電連接一單位長度所需之一力,針對該機械剛度之一等效機械直徑被判定。該等效機械直徑在經配置為大體上筆直的且用於跨越在該第一方向上之該距離時等於一機械等效導線之一直徑,其中該機械等效導線將包含與該電連接相同的機械剛度。該等效電直徑大於該等效機械直徑。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接。在此實施例中,該電連接包含一或多個導線,該一或多個導線各自具有一長度及一直徑,其經配置成使得在使用中,針對沿著每一導線之該長度之至少例如75%、80%、85%、90%、95%或99%的部位,該等導線中之一者之至少一個導線區段配置於該導線之該部位附近。配置於附近例如被定義為在垂直於該導線之一方向上在該部位處以小於或等於該導線之該直徑的例如4倍、5倍或6倍的一距離而配置。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接。該電連接包含一導電物質,且跨越在該電連接之一第一末端與一第二末端之間在一第一方向上的一距離。在此實施例中,該電連接進一步包含一虛擬包封體積,該虛擬包封體積被
定義為包含大體上所有導電物質,其中該電連接之外部部分界定該虛擬包封體積中之外部邊界,且該虛擬包封體積包含一空隙,該空隙之一體積為其中之該虛擬包封體積之一體積的至少例如1%、5%或10%。針對該虛擬包封體積之每一橫截面,該橫截面內之該導電物質之一總面積小於該橫截面之一面積。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接。該電連接包含一或多個導線,該一或多個導線具有一直徑且跨越在該電連接之一第一末端與一第二末端之間的一距離,且該電連接經配置成使得由該電連接產生之最大電場強度小於由具有相同直徑且跨越相同距離之一筆直導線所產生的最大電場強度。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接。在此實施例中,該電連接包含至少一個導線,該至少一個導線包含該電連接之一第一末端與一第二末端之間的複數個環圈,該複數個環圈經配置成彼此大體上平行,使得在使用期間,鄰近環圈之對應部分以小於或等於例如該導線之一直徑的4倍、5倍或6倍之一距離間隔開。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電
連接至該電源之一第二端子的一電連接。在此實施例中,該電連接包含經配置為一聚束連接器且並非配置於一單一平面中的複數個導線,該聚束連接器之鄰近導線之間的一標稱距離小於或等於例如該等導線之該直徑的4倍、5倍或6倍。
在一實施例中,本發明係關於一種載物台設備,該載物台設備包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接。該電連接包含由導電物質製成之一圓筒,其包含複數個孔隙。
本發明進一步係關於一種設備,其包含根據本發明之一載物台設備,其中該設備係一微影設備、一度量衡設備、一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備或一檢測設備。
100:電子束檢測(EBI)系統
110:殼體
120:裝載埠
130:設備前端模組EFEM
140:處置器機器人
150:裝載鎖
160:真空腔室
170:電子光學系統
180:定位器件
190:物件
200:電子光學系統
202:電子束
210:電子槍
212:電子源
214:抑制器
216:陽極
218:可調孔徑
220:聚光器
240:成像系統
242:孔徑
244:偵測器
246:濾光片
248:消隱器
250:偏轉器
252:偏轉器
254:偏轉器
256:偏轉器
260:磁軛
262:線圈
270:透鏡電極
300:樣本
301:電連接
301.1:第一部分
301.2:第二部分
302:導線
303:第一末端
304:第二末端
305:距離
306:導線直徑
307:等效電直徑/環圈直徑
308:等效機械直徑
321:等效電線
325:機械等效導線
331:部位
332:導線區段
333:距離
341:虛擬包封體積
341.1:空隙
342:中心線
361:可選電場屏蔽件
361.1:第一包圍體積
361.1a:內表面
361.2:第二包圍體積
361.2a:外表面
361.3:導電可撓性導線
401:電連接
402.1:導線/外部導線
402.2:導線/外部導線
402.3:導線/外部導線
402.4:導線/外部導線
402.5:導線/外部導線
402.6:導線/外部導線
403:第一末端
404:第二末端
405:距離
406:導線直徑
407:等效電直徑
408:等效機械直徑
421:等效電線
425:機械等效導線
431:部位
432:導線區段
433:距離
441:虛擬包封體積
441.1:空隙
501:電連接
502:導電物質
509:孔隙
521:虛擬包封體積
601:電連接
602.1:導線
602.2:可選第二導線
602.1a:第一環圈
602.1b:第二環圈
603:第一末端
604:第二末端
701:電連接
702a:第一環圈
702b:第二環圈
702c:第三環圈
704:第二末端
801:電連接
802:導線
802a:環圈
802b:環圈
901:電連接
902a:第一環圈
902b:第二環圈
902c:第三環圈
903:第一末端
904:第二末端
1001:載物台設備
1002:物件台
1003:電連接
1004:第二端子
1005:第一端子
1011:第一定位模組
1012:第二定位模組
1111:電源
1112:電極
1201:電場屏蔽件
AA:橫截面
BB:橫截面
CC:橫截面
DD:橫截面
EE:橫截面
藉由結合隨附圖式之以下詳細描述,將易於理解本發明,在該等圖式中類似元件符號指示類似結構元件,且在該等圖式中:
圖1a及圖1b為根據本發明之一實施例之電子束檢測工具的示意性說明。
圖2及圖3為如可應用於本發明之一實施例中的電子光學系統之示意性說明。
圖4示意性地描繪根據本發明之EBI系統之可能的控制架構。
圖5a展示作為導線之直徑之函數的由導線產生之電場強度的曲線圖。
圖5b說明圖6a至圖6e中所展示之實施例對電場強度之影響。
圖6a至圖6e說明電連接之實施例。
圖7a至圖7e說明電連接之另一實施例。
圖8a至圖8c說明電連接之另一實施例。
圖9描繪根據本發明之載物台設備。
圖10說明電場屏蔽件之實施例。
圖11a說明電連接之另一實施例。
圖11b說明電連接之另一實施例。
圖11c說明電連接之另一實施例。
圖11d至圖11f說明電連接之另一實施例。
圖12說明電場屏蔽件之配置之實施例。
雖然本發明易受各種修改及替代形式影響,但在圖式中作為實例展示其特定實施例,且可在本文中對其進行詳細描述。該等圖式可能並非按比例。然而,應理解,該等圖式及對其之詳細描述並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式,而正相反,本發明意欲涵蓋屬於如由附加申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。
現在將參考隨附圖式來更全面地描述本發明之各種實例實施例,在該等圖式中,展示了本發明之一些實例實施例。在該等圖式中,為了清楚起見可誇示層及區之厚度。
本文中揭示本發明之詳細說明性實施例。然而,出於描述
本發明之實例實施例之目的,本文所揭示之特定結構及功能細節僅僅係代表性的。然而,本發明可以許多替代形式體現且不應被解釋為僅限於本文中所闡述之實施例。
因此,雖然本發明之實例實施例能夠具有各種修改及替代形式,但在圖式中作為實例展示且將在本文中詳細描述本發明之實施例。然而,應理解,不欲將本發明之實例實施例限於所揭示之特定形式,然而相反地,本發明之實例實施例用以涵蓋屬於本發明之範疇的所有修改、等效者及替代方案。貫穿圖之描述,類似編號係指類似元件。
如本文中所使用,術語「試樣」一般係指晶圓或可定位有所關注缺陷(DOI)的任何其他試樣。儘管術語「試樣」及「樣本」在本文中可互換使用,但應理解,可針對任何其他試樣(例如,倍縮光罩、光罩(mask/photomask))組態及/或使用本文中關於晶圓所描述之實施例。
如本文中所使用,術語「晶圓」一般係指由半導體材料或非半導體材料形成的基板。此半導體或非半導體材料之實例包括但不限於單晶矽、砷化鎵及磷化銦。通常可在半導體製造設施中發現及/或處理此等基板。
術語交越係指電子束聚焦之點。
術語虛擬源意謂自陰極發射之電子束可被追蹤回至「虛擬」源。
根據本發明之檢測工具係關於帶電粒子源,尤其係關於可經施加至SEM、電子束檢測工具或EBDW之電子束源。在此技術中,電子束源亦可被稱作電子槍(e-gun/Electron Gun)。
關於圖式,應注意,該等圖並不按比例繪製。詳言之,可
能會極大地誇示圖中一些元件的比例以強調該等元件的特性。亦應注意,該等圖未按相同比例繪製。多於一個圖中展示之可以相似方式組態的元件已使用相同元件符號指示。
在圖式中,為了清楚起見可誇示每一組件及每一組件之間的相對尺寸。在以下圖式描述內,相同或類似參考數字係指相同或類似組件或實體,且僅描述關於個別實施例之差異。
因此,雖然本發明之實例實施例能夠具有各種修改及替代形式,但在圖式中作為實例展示且將在本文中詳細描述本發明之實施例。然而,應理解,不欲將本發明之實例實施例限於所揭示之特定形式,然而相反地,本發明之實例實施例用以涵蓋屬於本發明之範疇的所有修改、等效者及替代方案。
圖1a及圖1b示意性地描繪根據本發明之一實施例的電子束(electron beam/e-beam)檢測(EBI)系統100的俯視圖及橫截面視圖。如所展示之實施例包含殼體110、充當界面以收納待檢查之物件並輸出已檢查之物件的一對裝載埠120。如所展示之實施例進一步包含被稱作設備前端模組EFEM 130之物件轉移系統,其經組態以處置物件及/或將物件輸送至裝載埠及自裝載埠輸送物件。在如所展示之實施例中,EFEM 130包含處置器機器人140,該處置器機器人經組態以在EBI系統100之裝載埠與裝載鎖150之間輸送物件。裝載鎖150係在殼體110外部且在EFEM中存在的大氣條件與在EBI系統100之真空腔室160中存在的真空條件之間的界面。在如所展示之實施例中,真空腔室160包含電子光學系統170,該電子光學系統經組態以將電子束投影至待檢測之物件,例如半導體基板或晶圓上。EBI系統100進一步包含定位器件180,該定位器件經組態以使物件190相
對於由電子光學系統170產生之電子束位移。
在一實施例中,該定位器件可包含多個定位器之級聯式配置,諸如用於在大體上水平平面中定位物件之XY載物台及用於在豎直方向上定位物件之Z載物台。
在一實施例中,定位器件可包含粗略定位器與精細定位器之組合,該粗略定位器經組態以遍及比較大距離提供物件之粗略定位,該精細定位器經組態以遍及比較小距離提供物件之精細定位。
在一實施例中,定位器件180進一步包含物件台,該物件台用於在由EBI系統100執行之檢測製程期間固持物件。在此實施例中,藉助於諸如靜電夾具之夾具,可將物件190夾持至物件台上。此夾具可整合於物件台中。
在一實施例中,定位器件180包含用於定位物件台之第一定位器及用於定位第一定位器及物件台之第二定位器。另外,如應用於電子束檢測工具100中之定位器件180可包含經組態以在物件台中產生熱負荷之加熱器件。
圖2示意性地描繪如可應用於根據本發明之電子束檢測工具或系統中的電子光學系統200之實施例。該電子光學系統200包含被稱作電子槍210及成像系統240之電子束源。
電子槍210包含電子源212、抑制器214、陽極216、一組孔徑218及聚光器220。電子源212可為肖特基(Schottky)發射器。更具體言之,在一實施例中,電子源212包括陶瓷基板、兩個源電極、鎢絲及鎢銷。該兩個電極並行固定至陶瓷基板,且該兩個源電極之另一側分別連接至鎢絲之兩端。鎢稍微彎曲以形成用於置放鎢銷之尖端。接下來,ZrO2被
塗佈於鎢銷之表面上,且被加熱至1300℃從而熔融並覆蓋鎢銷,但露出鎢銷之銷尖。熔融ZrO2可使降低鎢之功函數並減小發射電子之能量障壁,且因此有效地發射電子束202。接著,藉由向抑制器214施加負電,電子束202被抑制。因此,具有大散佈角之電子束被抑制成初級電子束202,且因此,電子束202之亮度得以增強。藉由陽極216之正電荷,可提取電子束202,且接著藉由使用具有不同孔徑大小之可調孔徑218以消除在孔徑外部的不必要的電子束,可控制電子束202之庫侖強迫力。為了聚集電子束202,將聚光器220應用至電子束202,此亦提供放大率。圖2中所展示之聚光器220可例如為靜電透鏡,其可聚集電子束202。另一方面,聚光器220亦可為磁透鏡。
如圖3中所展示之成像系統240包含:消隱器248;一組孔徑242;偵測器244;四組偏轉器250、252、254及256;一對線圈262;磁軛260;濾光片246;及透鏡電極270。透鏡電極270用以延遲及偏轉電子束202,且歸因於上部磁極片及樣本300之組合而進一步具有靜電透鏡功能。此外,線圈262及磁軛260經組態為磁物鏡。
藉由加熱電子針及向陽極216施加電場,產生上文所描述之電子束202,使得為了使電子束202穩定,必須長時間加熱電子針。對於用戶端而言,此肯定為耗時且不便的。因此,將消隱器248應用至經聚光電子束202,以使電子束202在時間上偏離樣本而非將其切斷。
應用偏轉器250及256以使電子束202在大視場內進行掃描,且偏轉器252及254用於使電子束202在小視場內進行掃描。所有偏轉器250、252、254及256皆可控制電子束202之掃描方向。偏轉器250、252、254及256可為靜電偏轉器或磁偏轉器。磁軛260之開口面向樣本
300,從而將磁場浸沒至樣本300中。另一方面,透鏡電極270置放於磁軛260之開口之下,且因此樣本300將不會受損。為了校正電子束202之色像差,透鏡電極270、樣本300及上部磁極片形成透鏡以消除電子束202之色像差。
此外,當電子束202轟擊至樣本300中時,二次電子將自樣本300之表面發出。接下來,二次電子係由濾光片246導向至偵測器244。
圖4示意性地描繪根據本發明之EBI系統之可能的控制架構。如圖1中所指示,EBI系統包含裝載鎖、晶圓轉移系統、裝載/鎖定件、電子光學系統及定位器件,例如包括z載物台及x-y載物台。如所說明,EBI系統之此等各種組件可配備有各別控制器,亦即,連接至晶圓轉移系統之晶圓輸送器系統控制器、裝載/鎖定控制器、電子光學控制器、偵測器控制器、載物台控制器等等。此等控制器可例如經由通信匯流排通信地連接至系統控制器電腦及影像處理電腦。在如所展示之實施例中,系統控制器電腦及影像處理電腦可連接至工作站。
裝載埠將晶圓裝載至晶圓轉移系統,諸如EFEM 130,且晶圓轉移系統控制器控制晶圓轉移以將晶圓轉移至裝載/鎖定件,諸如裝載鎖150。裝載/鎖定控制器控制至腔室之裝載/鎖定,使得將為檢查件之物件(例如晶圓)可固定於夾具(例如靜電夾具,亦被稱作電子夾具)上。定位器件,例如z載物台及x-y載物台使晶圓能夠由載物台控制器移動。在一實施例中,z載物台之高度可例如使用諸如壓電致動器之壓電組件進行調整。電子光學控制器可控制電子光學系統之所有條件,且偵測器控制器可自電子光學系統接收電信號且將來自電子光學系統之電信號轉換成影像信號。系統控制器電腦用以將命令發送至對應的控制器。在接收到影像信
號之後,影像處理電腦可處理該等影像信號以識別缺陷。
隨著對電子束檢測工具之需求增加,控制發射之電子束所需之施加電壓或電壓電位亦增加。因此,必須亦將較高電壓電位提供至(源及/或透鏡)電極及偏轉器中之至少一些。在習知的電子束工具中,在電子束工具之操作之前對此等組件進行充電可能係足夠的,但此對於高電壓電位係不切實際的。因此,需要電連接以對該等組件進行充電且將該等組件維持處於所要電壓電位。應注意,在本發明之內容背景中,較高電壓電位意謂絕對值,亦即,其可為正或負電壓。
電連接帶來若干結果。首先,在使用期間,電連接處於高電壓電位且產生電場。該電場可影響電子束工具中之組件,諸如可充電元件(諸如電容器)的正確工作。圖5a展示導線之表面處之作為導線之直徑D之函數的電場強度E之曲線圖。隨著直徑D增加,電場強度E減小。由於導線之表面處之電場強度E判定自導線發射之電子之量,故該電場較佳係低的。因此自此視角,直徑D較佳被選擇為儘可能大。
電連接之第二結果為:其形成至物件台之機械連接,從而藉由在此移動期間對物件台施加力而影響物件台之任何移動。該力取決於電連接之機械剛度,該機械剛度較佳儘可能小使得第一定位器之工作儘可能小地失真。對於導線,機械剛度隨著直徑D增加而增加。因此自此視角,直徑D較佳被選擇為儘可能小。
上述結果對電連接之設計或選擇提出相衝突的要求,此通常將導致在電連接之電場強度與機械剛度之間進行取捨。本發明人藉由應用其導體之電場之知識,已發現了對此之改良。在靜電平衡中,導體內部之電場為零,此係因為所有多餘電荷皆在導體之外表面上。即使導體具有
非導電空腔或空隙,例如填充有空氣或真空,此情形亦成立。亦即,在空腔中或在包圍此空腔之導體之表面上不存在電荷。導體之外表面愈大,電場之最大強度愈小,如例如由圖5a中作為較大直徑D之函數的減小之電場強度E所說明。
使用此知識,可設計眾多配置,其中電連接經配置成使得該電連接之例如一導線或多個導線之多個區段彼此相互作用以使表現得類似導體,針對電場之視角,該導體與導線自身相比具有較大直徑,藉此導致最大電場強度減小。換言之,電連接可經配置成使得該電連接之該或該等導線之導線區段彼此足夠接近,使得出於判定所得電場之目的,其可被認為係單一導體,其中在該等導線區段或導線之間具有空腔。由於電連接之所有導電物質被電連接,故電荷自身可在電連接之外表面上方進行分配以形成靜電平衡。同時,實際導線之直徑可保持為小的,藉此維持相對較低機械剛度。此構造之實例在圖6a中加以展示,該圖描繪電連接301,該電連接包含經配置為包含環圈之線圈的導線302。
圖5b展示說明此配置對電場之影響的三個曲線圖。上部曲線圖展示作為線圈之環圈之直徑之函數的電場強度,左下方曲線圖展示作為後續環圈之間的距離對導線之直徑之比率之函數的電場強度,且右下方曲線圖展示作為導線之直徑之函數的電場強度。如可看到,電場之最大強度隨著環圈之直徑增加且隨著環圈經配置成彼此更接近而減小。可進一步提及,只要環圈之直徑及環圈之間的距離對導線直徑之比率保持恆定,導線自身之直徑就對電場具有有限的影響。然而,導線之直徑對機械剛度具有大的影響,且因此可有利地保持為小的,從而在此配置中不過多影響最大電場強度。
此外,本發明人已發現,藉由將多個導線用作電連接,有可能達成減小之電場強度之相同的效應,該多個導線經配置為彼此足夠接近且視情況彼此平行,且亦在使用中處於相同或至少大體上相同的電位。此構造之實例在圖7a中加以展示,該圖描繪包含平行地配置之六個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6的電連接401。
本發明係關於特別可用於載物台設備之創新的電連接。該創新的電連接應用以上所解釋之見解且可以不同方式來界定或描述,如將關於以下圖所展示。
參看圖6a,示意性地展示根據本發明之電連接301,且給出用以描述或界定如本發明中所應用之電連接301的第一方式。該電連接301包含導線302之空間配置,該導線302具有直徑306且跨越在該電連接301之第一末端303與第二末端304之間在第一方向X上的距離305。該電連接301經組態以在使用中產生電場,該電場部分地由等效電直徑307判定。根據本發明,等效電直徑307係由導線302之空間配置界定,且等於圖6b中所描繪之等效電線321之直徑,該等效電線321經配置為筆直的且跨越在第一方向X上之距離305。根據本發明,當向等效電線321及電連接301施加相同電壓時,等效電線321被認為產生具有與由電連接301產生之電場相同最大強度的電場。根據本發明,等效電直徑307大於導線302之直徑306。
在圖7a中所示意性地展示之另一實施例中,根據本發明之電連接可被描述為包含多個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之空間配置的電連接401,該多個導線具有直徑406且跨越在電連接401之第一末端403與第二末端404之間在第一方向X上的距離405。該電
連接401在使用中產生電場,該電場部分地由等效電直徑407判定。根據本發明,等效電直徑407係由導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之空間配置界定,且等於圖7b中所描繪之等效電線421之直徑,該等效電線421經配置為筆直的且跨越在第一方向X上之距離405。根據本發明,當向等效電線421及電連接401施加相同電壓時,等效電線421被認為產生具有與電連接401之電場相同最大強度的電場。根據本發明,等效電直徑407大於導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之直徑406。應注意,儘管在所展示實例中,導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6中之每一者具有相同的直徑406,但此並非嚴格需要,或甚至導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之不同的直徑亦可為可能的。
在圖7a中所展示之實施例中,第一末端403及第二末端404視情況與導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6電連接使得電荷可自導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6中之一者移動至一個或其他導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6。
如上文所描述之電連接301、401包含一或多個導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6,該一或多個導線經配置使得其相互作用且形成最大強度等於將由等效電線321、421產生之電場之最大強度的電場,該等效電線321、421具有大於一或多個導線之直徑306、406的等效電直徑407。因此,與具有相同直徑306、406之一個導線將在第一末端303、403與第二末端304、404之間配置為筆直的情形相比,導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之空間配置導致最大電場強度減小。該最大電場,亦即電場之最高強度,通常位於該
等導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6中之一或多者之表面處,且可特別位於亦與等效電線321、421之表面對應的部位處。
返回參看圖6a,在一實施例中,電連接301進一步包含機械剛度,該機械剛度表示在第一方向X上壓縮或拉伸電連接301一單位長度所需的力。如圖6c中所展示,判定等效機械直徑308,其中該等效機械直徑308等於跨越在第一方向X上之距離305的機械等效導線325之直徑308,且經配置為大體上筆直的且跨越在第一方向X上之距離305,藉以該機械等效導線325將具有與電連接301相同的機械剛度。在此實施例中,等效電直徑307大於等效機械直徑308。當電連接301包含確切一個導線302時,等效機械直徑308主要藉由該導線302之空間配置判定。
與圖7a中所展示之配置相似地,在一實施例中,電連接401進一步包含機械剛度,該機械剛度表示在第一方向X上壓縮或拉伸電連接401一單位長度所需的力。判定等效機械直徑408,其在圖7c中進行描繪。該等效機械直徑408等於跨越在第一方向X上之距離405的機械等效導線425之直徑408,且經配置為大體上筆直的且跨越在第一方向X上之距離405,其中該機械等效導線425將具有與電連接401相同的機械剛度。在此實施例中,等效電直徑407大於等效機械直徑408。當電連接401包含多於一個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6時,等效機械直徑主要由直徑406及該等導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之空間配置兩者予以判定。
有利地,該導線302或該等導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6經配置成使得等效電直徑307、407大於等效機械直徑308、408。因此與機械剛度之可能增加相比,電場強度之減小可具有
更高的影響。
每一導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之機械剛度係取決於直徑,以及諸如空間配置及材料之因素。用於在大多數空間配置中計算導線之剛度的公式係為吾人所知。為了在電連接包含多於一個導線時判定等效機械直徑,該等導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6可例如被認為係平行的彈簧。可接著藉由對每一導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之剛度求和來判定等效剛度。然而,若計算將證實為困難或不切實際的,則亦可使用虎克(Hooke)定律藉由測試設置來憑經驗判定等效機械剛度:
其中F表示壓縮或延伸電連接達與其平衡狀態相隔一定距離Δx所需之力。
其中k eq 表示等效剛度、L表示導線之長度、E表示楊氏模數,且A eq 表示等效橫截面面積,可自該A eq 導出等效直徑。應注意,較佳地,假定等效機械直徑係針對相同材料(亦即,具有與用於電連接中之一或若干導線相同的楊氏模數E)之導線予以判定。
用以描述或界定如應用於本發明中之電連接301、401之第二方式係參考圖6a及圖7a兩者給出。根據此描述或定義,電連接301、401被定義為包含各自具有長度及直徑306、406的一或多個導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6。導線302、402.1、402.2、
402.3、402.4、402.5、402.6經配置成使得在使用中,針對沿著每一導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之長度之至少例如75%(例如至少80%、85%、90%、95%或99%)的部位,該等導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6中之一者之至少一個導線區段配置於該部位附近。根據本發明,導線區段之特徵配置於導線附近可例如被定義為導線區段在垂直於導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之方向上在該部位處以小於或等於導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之直徑306、406的例如四倍、五倍或六倍(例如小於三倍、兩倍或一倍)的距離而配置。較佳地,配置於導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6附近之導線區段處於與導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6大體上相同的電壓電位。
舉例而言,在圖6a中,導線302之部位331被指示說明上述定義。對於此部位331,在垂直於導線302之方向上在該部位331附近存在至少一個導線區段332。此外,導線區段332經配置成與導線302之直徑306相隔小於例如四倍、五倍或六倍的距離333。
舉例而言,在圖7a中,導線402.6之部位431被指示說明上述定義。對於此部位431,在垂直於導線402.6之方向上在該部位431附近存在至少一個導線區段432,在此狀況下來自導線402.5。此外,導線區段432經配置成與導線402.6之直徑406相隔小於例如四倍、五倍或六倍的距離433。應注意,為清楚起見,在圖7a中,導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之直徑及其之間的距離可並未按比例。
藉由配置導線302或導線402.1、402.2、402.3、402.4、
402.5、402.6使得在該導線302或該等導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之部位331、431附近存在導線區段332、432,該部位331、431處之導線以及導線區段332、432可被認為合作且形成在其間具有空隙的導體。因此,其促成所得電場,與在無其他導線區段332、432將在附近的情況下將由導線302、402單獨產生的電場相比,該所得電場之最大強度較小。換言之,電場之最大強度減小,同時維持相同的導線直徑306、406且因此維持有限的機械剛度。
實務上,在導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之第一及/或第二末端及/或電連接301、401之第一及/或第二末端處在該導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6附近提供導線區段可能不方便,此係由於其亦可需要連接至例如端子。因此,在一實施例中,電場屏蔽件1201可在此等部位處之導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6及/或電連接301、401附近而配置。電場屏蔽件1201防止由此等部位處之導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6產生的電場影響在該電場屏蔽件1201後面的組件。電場屏蔽件1201可例如為導體,其可例如接地。
在一實施例中,針對每一導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之大體上所有長度,該等導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6中之一者之至少一個導線區段配置於附近,及/或電場屏蔽件1201配置於導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6及/或電連接301、401附近。舉例而言,電場屏蔽件1201可經配置為在電連接301、401之一或多個末端處與電連接301、401相鄰,且針對電連接301、401之剩餘部分,針對每一導線302、402.1、
402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之大體上所有長度,該等導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6中之一者之至少一個導線區段配置於附近。對於熟習此項技術者應清楚的是,電場屏蔽件1201屏蔽由任何其他形狀之導線(例如單個筆直導線或一系列筆直導線)產生之電場。因此,導線或電連接301、401之特定形狀對於由電場屏蔽件對電場之屏蔽而言無關緊要。電場屏蔽件1201可經配置為與單個筆直導線或一系列筆直導線之一或多個末端相鄰,且該單個筆直導線或該系列筆直導線之剩餘部分係針對每一導線之大體上所有長度。
在一實施例中,在圖12中,電場屏蔽件1201可配置於電連接301、401與一物件之間。可由電源經由該電連接向電極施加第一電壓。該物件處於與第一電壓不同的第二電壓。配置於電連接與物件之間的電場屏蔽件1201可屏蔽電場且防止在電連接與物件之間放電或發出火花。該物件可例如為腔室之內部壁之部分或本文件中隨後引入之長衝程定位器之部分。第二電壓可大體上等於0,亦即電接地位準,或為任何其他非零電壓。
用以描述或界定如應用於本發明中之電連接301、401的又一第三方式係參看圖6d及圖7d來給出,該等圖分別展示圖6a及圖7a之電連接。根據此第三定義,電連接301、401被定義為包含導電物質,其可例如為導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6,且跨越在第一末端303、403與第二末端304、404之間在第一方向X上的距離305、405。界定包含大體上全部導電物質的虛擬包封體積341、441。電連接之外部部分界定虛擬包封體積之外部邊界,且虛擬包封體積包含至少一個空隙341.1、441.1,該至少一個空隙之體積為虛擬包封體積之體積的
至少例如1%、5%或10%。針對虛擬包封體積341、441之分別在圖6e及圖7e中所描繪的每一橫截面AA、BB,橫截面AA、BB內之導電物質之總面積小於該橫截面AA、BB之面積。舉例而言,導電物質之總面積可能小於橫截面AA、BB之面積的例如99%、95%、90%、75%或50%。
在所展示之實例中,進一步說明視情況,虛擬包封體積341、441之中心線342、442平行於第一方向X,且橫截面AA、BB在垂直於第一方向X之平面YZ中的外部邊界係由電連接301、401之外部部分界定。
虛擬包封體積341、441可被認為表示或至少相似於對應於電連接301、401的導體,但其不具有空隙。換言之,較佳地導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之外表面處之最大電場強度等於將具有虛擬包封體積341、441之形狀且將處於相同電壓電位的導體之相同部位處之電場強度。然而,電連接301、401與具有虛擬包封體積341、441之形狀的此導體之間的重要差異在於,橫截面AA、BB內之導電物質之總面積小於該橫截面AA、BB之面積。因此,與此導體相比,電連接301、401之機械剛度減小,同時維持了電場之相同的相對較低之最大強度。
應注意,例如(諸如)圖6a至圖6e中所展示之實施例的作為線圈之單一導線302之配置導致具有空隙341.1之虛擬包封體積341,但單一筆直或稍微彎曲之導線將導致不具有空隙之虛擬包封體積。應注意,在本發明之內容背景中,應忽略可能存在於導線之材料中的微小空隙。
在一實施例中,例如其中電連接301包含單一導線302,虛擬包封體積341可進一步被定義為在垂直於第一方向X之平面YZ中之至少
一個或視情況所有橫截面中在垂直於第一方向X之每一方向YZ上大於該導線302之直徑,或視情況大於例如該直徑的1.5倍、2倍或3倍。此定義表示在多個方向上彎曲之導線比僅在一個方向上或至少主要在一個方向上彎曲之筆直導線或單一導線更高效。
在一實施例中,虛擬包封體積341、441可經界定使得該虛擬包封體積341、441在垂直於第一方向X之平面YZ中的任何橫截面AA、BB具有相同的形狀。虛擬包封體積341、441在垂直平面YZ中之外部邊界係由在第一方向X上之任何點處在彼方向上的電連接之外部部分界定。
舉例而言,在圖6d至圖6e中所展示之實施例中,電連接301包含單一導線302,該單一導線包含在電連接301之第一末端303與第二末端304之間的複數個曲線,該單一導線302藉此在垂直於第一方向X之複數個方向上自第一方向X偏離。在此實施例中,虛擬包封體積341之外部邊界在每一方向上在平面ZY中之每一橫截面AA中對應於在電連接301中之任何位置在該方向上自中心線342偏離的最遠單導線302。在所展示實例中,橫截面AA為圓形,此係由於根據此定義,導線302係以圓形環圈配置。
在圖6e中所展示之橫截面AA中,為簡單起見將導線302描繪為圓形。然而應注意,實務上,取決於電連接301之環圈配置成彼此的接近程度,在此橫截面中,導線302可具有更細長形狀。
在一實施例中,例如圖7d至圖7e中所展示之實施例,電連接401包含並不配置於單一平面中之複數個平行導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6。虛擬包封體積441可接著被界定成使得虛擬包封體積441在垂直於第一方向X之平面XY中的橫截面BB具有多邊形
形狀,其中複數個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之外部導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6形成該多邊形之隅角,且該多邊形之側面係藉由將該等外部導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6與直線區段連接來界定。在所展示實例中,多邊形之隅角及側面之數目與導線之數目(亦即六個)對應,此係因為所有導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6皆作為外部導線而配置。然而應注意,一或多個導線配置於多邊形內(例如在中心)亦係可能的。
在用以描述或界定如應用於本發明中之電連接的又一第四方式中,再次參考圖6a及圖7a。電連接301、401包含一或多個導線302、402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6,該一或多個導線具有直徑306、406且跨越在該電連接301、401之第一末端303、403與第二末端304、404之間的距離305、405,其中該電連接301、401經配置成使得由該電連接所產生之最大電場強度小於由具有相同直徑306、406且跨越相同距離305、405之筆直導線所產生的電場強度。
舉例而言,在圖6a之配置中,導線302係以環圈配置,使得環圈之不同部分及/或後續環圈彼此影響且一起形成或產生電場。由於此相互作用,與導線302將為處於相同電壓電位之筆直導線的情形相比,最大電場強度較小。
舉例而言,在圖7a之配置中,多個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6彼此相互作用以形成電場。結果,與電連接401將為單一筆直導線的情形相比,平均及最大電場強度較小。
針對一些實施例,例如圖6a中所展示之實施例,可使用用以描述或界定如應用於本發明中之電連接的第五方式。根據此第五定義,
電連接301包含至少一個導線302,該至少一個導線包含電連接301之第一末端303與第二末端304之間的複數個環圈,該複數個環圈經配置成彼此大體上平行,使得在使用期間,鄰近環圈之對應部分331、332以小於或等於例如導線302之直徑306的四倍、五倍、六倍(例如小於直徑306的三倍、兩倍或一倍)的距離333間隔開。
針對一些實施例,例如圖7a中所展示之實施例,可使用用以描述或界定如應用於本發明中之電連接的第六方式。根據該第六定義,電連接401包含經配置為聚束連接器且並非配置於單一平面中的複數個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6,該聚束連接器之鄰近導線402.5、402.6之間的標稱距離433小於或等於例如該等導線402.5、402.6之直徑406的四倍、五倍或六倍,例如小於直徑406的三倍、兩倍或一倍。
用以界定如本發明中所使用之電連接之第五及第六方式反映出,藉由將導線302或導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6配置成使得在附近存在導線302之另一部分或另一導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6,其可被認為形成在其間具有空腔的導體。因此其兩者促成所得電場,與將由導線302、402.5單獨產生之電場相比,該所得電場之最大強度較小。換言之,電場之最大強度減小,同時維持相同的導線直徑306、406且因此維持有限的機械剛度。
圖8a至圖8c展示如應用於本發明中之電連接之另一實施例,其可以以下方式被描述或定義。在此實施例中,電連接501包含由導電物質502製成之圓筒,且包含複數個孔隙509。舉例而言,孔隙509之總體積可至少例如為圓筒之體積的1%、5%或10%。應注意,在本發明之內
容背景中,應忽略可能存在於導電物質502之材料中的微小孔隙。在另一實施例中,圓筒可為中空的,其具有由導電物質502製成之表面區域。
然而應注意,亦可以替代方式界定圖8a中所展示之電連接。舉例而言,在圖8b中,展示虛擬包封體積521,且在圖8c中,描繪其橫截面CC。如可看到,在橫截面CC內導電物質502之總面積小於該橫截面CC之面積。
圖8a至圖8c中所展示之實施例中的孔隙509有利地減小電連接501之機械剛度,而不增加最大電場強度。
應注意,儘管此處分別加以描述,但上文所揭示之用以描述或界定電連接之方式中的每一者亦可彼此組合以界定電連接。
在一實施例中,例如如圖6a至圖6e中所展示,其中電連接301包含導線302,該導線包含環圈,環圈直徑307係介於例如導線302之直徑306的三倍與六倍之間,例如介於直徑306的四倍與五倍之間。環圈直徑307愈大,電場之該最大強度減小得愈多。然而,同時在可用空間方面可存在實際限制。介於例如導線302之直徑306的三倍與六倍之間的環圈直徑307實現了上述兩種要求。
在一實施例中,例如如圖7a至圖7e中所展示,其中電連接401包含經配置為聚束連接器之複數個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6,該聚束連接器包含至少四個平行導線。在所展示之實施例中,聚束連接器包含六個平行導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6。
在一實施例中,例如如圖7a至圖7e中所展示,其中電連接401包含經配置為聚束連接器之複數個導線402.1、402.2、402.3、
402.4、402.5、402.6,該複數個導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6之第一末端及第二末端配置於圓形圓周上。在圖7a中,該圓形圓周與電連接401之第一末端403及第二末端404對應。視情況,該等導線402.1、402.2、402.3、402.4、402.5、402.6在該等圓形周邊上等距地配置。
圖9描繪根據本發明之載物台設備1001之一部分。該載物台設備1001包含經組態以固持物件之物件台1002,該物件可例如為基板。該物件台1002包含:示意性展示之電極1112,其經組態以由示意性展示之電源1111充電;及電連接1003,其經組態為連接至第一端子1005,該第一端子1005電連接至待連接至第二端子1004之電極,該第二端子1004電連接至電源。根據本發明,電連接1003為創新的電連接之實施例,本文中描述了該創新的電連接之若干實例。在所展示實例中,電連接1003包含與關於圖6a至圖6e所描述之實施例相似的複數個環圈。
返回參看圖9,在一實施例中,電極1112經組態以被充電至至少-100V、-1kV、-10kV或-100kV。電連接1003經組態以在使用期間處於相同的電壓電位。電連接1003所處於之電壓電位愈大,由其產生之電場強度愈大。因此,藉由使用根據本發明之電連接1003來儘可能地減小該電場強度變得更重要。
在一實施例中,載物台設備1001包含一定位器,該定位器包含第一定位模組1011及第二定位模組1012。該第一定位模組1011經組態以定位物件台1002,且該第二定位模組1012經組態以定位物件台1002及第一定位模組1011。電連接1003在該第一定位模組1011與該第二定位模組1012之間形成連接。第一定位模組1011可例如與圖1中所展示之定位
器件180的第一定位器對應,且第二定位模組可與圖1中所展示之定位器件180的第二定位器對應。第一定位模組1011亦可被稱作短衝程模組,且第二定位模組1012亦可被稱作長衝程模組。
返回參看圖9,第一定位模組1011較佳能夠與第二定位模組1012儘可能獨立地,儘可能精確地定位物件台1002。由電連接1003形成之連接因此應具有低機械剛度,該低機械剛度係由根據本發明之電連接1003提供。
在另一實施例中,物件台1002經配置於第一定位模組1011中且電源經配置於第二定位模組1012中。
在一實施例中,載物台設備1001包含以與電連接1003相似之方式體現的至少另一電連接1003。在所展示實施例中,載物台設備1001包含六個相似的電連接1003。視情況,該等電連接1003中之每一者經組態以對另一電極(圖9中未繪示)充電,及/或電連接1003中之一或多者可在使用期間處於相互不同的電壓電位。
圖10說明如下一實施例:其中載物台設備進一步包含用於屏蔽電連接301之至少一部分之可選電場屏蔽件361,其可例如與電連接301之至少一部分相鄰地配置,該電連接301在所展示實例中為亦如圖6a至圖6e中所描繪之電連接301。該電場屏蔽件361防止由電連接301產生之電場影響在該電場屏蔽件361後面之組件。該電場屏蔽件361可例如為導體,其可例如接地。
在所展示實例中,電場屏蔽件361包含:第一包圍體積361.1,其包圍電連接301之包括第一末端303的第一部分301.1;及第二包圍體積361.2,其包圍電連接301之包括第二末端304的第二部分301.2。在
所展示實例中,第二包圍體積361.2之至少一部分之外表面361.2a小於第一包圍體積361.1之至少一部分之內表面361.1a,第一包圍體積361.1及第二包圍體積361.2之該等部分經組態為徑向地鄰近,藉此允許該第一包圍體積361.1及該第二包圍體積361.2相對於彼此軸向移動。在一替代實施例中,第二包圍體積361.2之至少部分之內表面可大於第一包圍體積361.1之至少部分之外表面。
在所展示實例中,第一包圍體積361.1及第二包圍體積361.2在所展示實例中經由導電可撓性導線361.3彼此電耦合,且第一包圍體積361.1及第二包圍體積361.2中之至少一者可例如接地。然而,亦有可能運用或不運用導電可撓性導線361.3將第一包圍體積361.1電連接至第一末端303及/或將第二包圍體積361.2電連接至第二末端304。
在此實施例中,電連接301始終由電場屏蔽件361完全包圍,同時仍允許電連接之一末端相對於另一末端移動,此係由於第一包圍體積361.1及第二包圍體積361.2能夠該軸向方向X上相對於彼此移動。
在所展示實施例中,第一包圍體積361.1及第二包圍體積361.2被塑形為中空圓柱。然而,其他配置係可能的。舉例而言,第二包圍體積361.2可被部分塑形為具有與第一包圍體積361.1相同的徑向大小但具有變窄部分的中空圓柱,在該變窄部分中,第一包圍體積361.1與第二包圍體積361.2重疊。另一實例為:電場屏蔽件361僅包含幾乎延伸通過電連接301之整個長度的第一包圍體積361.1,其中在電連接301之一末端處具有某些間隙,因此大體上包圍第一部分301.1及第二部分301.2兩者,但仍未在第一末端303與第二末端304之間引入剛性連接,且允許在第一末端303與第二末端304之間相對移動。圖11a進一步展示電連接901之實施
例,其中複數個環圈包含至少第一環圈902a、第二環圈902b及第三環圈902c,其中該第一環圈902a經配置為在第一環圈902a、第二環圈902b及第三環圈902c當中最接近第一末端903。該第三環圈902c經配置為在第一環圈902a、第二環圈902b及第三環圈902c當中最接近第二末端904。第二環圈902b配置於第一環圈902a與第三環圈902c之間,該複數個環圈以遞增直徑配置而配置,其中第一環圈902a之直徑小於第二環圈902b之直徑且第二環圈902b之直徑小於第三環圈902c之直徑。替代地,複數個環圈可以遞減直徑配置而配置,其中第一環圈902a之直徑大於第二環圈902b之直徑,且第二環圈902b之直徑大於第三環圈902c之直徑。
圖11b展示根據本發明之電連接601之另一實施例,該電連接在此狀況下包含以線圈形狀配置之導線602.1,其包含複數個環圈,該複數個環圈之第一環圈602.1a及第二環圈602.1b由圖11b中之元件符號指示。視情況,第一環圈602.1a之直徑與第二環圈602.1b之直徑不同,例如該複數個環圈包括具有相互不同直徑之環圈,且另外視情況,環圈之直徑當在電連接601之第一末端603與第二末端604之間在第一方向X上查看時單調地遞增或遞減。舉例而言,在所展示之實施例中,第一環圈602.1a之直徑大於第二環圈602.1b之直徑,且當在第一方向X上查看時,直徑遞減。
在所展示實施例中,電連接601進一步包含以線圈形狀配置之可選第二導線602.2,其包含複數個環圈,其中該等環圈之直徑當在第一方向X上查看時單調地遞增或遞減。特定言之,在垂直於第一方向X之方向Y上彼此鄰近地配置之導線602.1、602.2替代地具有具單調地遞增及遞減之直徑的環圈。因此在所展示實例中,導線602.1具有具遞減之直徑
的環圈,且導線602.2具有具遞增之直徑的環圈。藉由如此配置導線602.1、602.2,該等導線可被置放成在方向Y上彼此更接近且因而消耗較少空間。應注意,亦有可能提供兩個電連接,其包含與圖11b中所展示之電連接601之兩個導線602.1、602.2相似地配置之每一個導線。
換言之,電連接601包含以線圈形狀配置之複數個導線602.1、602.2,其包含以遞增配置或遞減配置而配置之複數個環圈,其中在大體上垂直於第一方向X之方向Y上彼此鄰近地配置之導線替代地以遞增配置及遞減配置而配置。應注意,可藉由彼此鄰近地配置之複數個電連接達成相同的效應,該複數個電連接各自包含以線圈形狀配置之至少一個導線,該至少一個導線包含以遞增直徑或遞減直徑配置而配置的複數個環圈。
圖11c展示電連接701之另一實施例,其中複數個環圈包含至少第一環圈702a、第二環圈702b及第三環圈702c。第一環圈702a經配置為在第一環圈、第二環圈及第三環圈當中最接近第一末端103。第三環圈702c經配置為在第一環圈、第二環圈及第三環圈當中最接近第二末端704。第二環圈702b配置於第一環圈702a與第三環圈702c之間,且第二環圈702b具有小於第一環圈702a且小於第三環圈702c的直徑。
圖11d至圖11f說明電連接801之實施例,其中複數個環圈之至少一個環圈802a與該複數個環圈之至少另一環圈802b相比在相反方向上被捲繞。此分別在圖11e及圖11f中所描繪之橫截面DD、EE中加以說明。藉由使環圈802a、802b在相反方向上彎曲,針對每一環圈802a、802b,當電流流經導線802時所產生之磁場係相反的。因此,該等磁場至少部分地彼此相消且所得磁場減小,藉此降低影響例如載物台設備或電子
束檢測工具中之其他周圍組件之風險。
在一實施例中,根據本發明之電連接可包含具有非圓形橫截面之一或多個導線。舉例而言,該等導線可具有橢圓形橫截面,例如沿著電連接之外表面之切線較長。
在一實施例中,可使電連接之例如線圈形之一或多個導線預張緊。此可在發生加速時減小非想要的偏轉(例如側向),且增加遍歷諧振模式之頻率。
可在以下條項中描述另外實施例:
1.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,該電連接:‧包含一或多個導線之一空間配置,該一或多個導線具有一直徑,且跨越在該電連接之一第一末端與一第二末端之間在一第一方向上的一距離,‧經組態以在使用中產生一電場,該電場部分地由一等效電直徑判定,該等效電直徑:‧係由該一或多個導線之該空間配置界定,且‧在經配置為大體上筆直的且用於跨越在該第一方向上之該距離時等於一等效電線之一直徑,其中該等效電線將產生具有大體上相同的最大強度的一電場,其中該等效電直徑大於該一或多個導線之任何直徑。
2.如條項1之載物台設備,其中該電連接進一步包含:
‧一機械剛度,‧其表示在該第一方向上壓縮或拉伸該電連接一單位長度所需之一力,‧判定針對該機械剛度之一等效機械直徑,其中該等效機械直徑:‧在經配置為大體上筆直的且用於跨越在該第一方向上之該距離時等於一機械等效導線之一直徑,其中該機械等效導線將包含與該電連接相同的機械剛度,其中該等效電直徑大於該等效機械直徑。
3.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,其中該電連接包含一或多個導線,該一或多個導線各自具有一長度及一直徑,其經配置成使得在使用中,針對沿著每一導線之該長度之至少75%、80%、85%、90%、95%或99%的部位,該等導線中之一者之至少一個導線區段配置於該導線之該部位附近,其中配置於附近被定義為在垂直於該導線之一方向上在該部位處以小於或等於該導線之該直徑的4倍、5倍或6倍的一距離而配置。
4.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,其中該電連接:‧包含一導電物質,且‧跨越在該電連接之一第一末端與一第二末端之間在一第一方向上
的一距離,‧其中該電連接進一步包含一虛擬包封體積,該虛擬包封體積被定義為包含大體上所有的導電物質,其中‧該電連接之外部部分界定該虛擬包封體積之外部邊界,且‧該虛擬包封體積包含至少一個空隙,該至少一個空隙之一體積為該虛擬包封體積之一體積的至少1%、5%或10%,其中,針對該虛擬包封體積之每一橫截面,該橫截面內之該導電物質之一總面積小於該橫截面之一面積。
5.如條項4之載物台設備,其中該虛擬包封體積經界定使得該虛擬包封體積在垂直於該第一方向之一平面中的任何橫截面具有相同的形狀。
6.如條項4或條項5之載物台設備,其中該電連接包含並不配置於一單一平面中之複數個平行導線,其中該虛擬包封體積經界定成使得該虛擬包封體積在垂直於該第一方向之一平面中的一橫截面具有一多邊形形狀,其中該複數個導線之外部導線形成該多邊形之隅角且該多邊形之側面係藉由將該等外部導線與直線區段連接來界定。
7.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,其中該電連接包含一或多個導線,該一或多個導線具有一直徑且跨越在該電連接之一第一末端與一第二末端之間的一距離,且其中該電連接經配置成使得由該電連接產生之最大電場強度小於由具有相同直徑且跨越相同距離之一筆直導線所產生的最大電場強度。
8.如條項1至6中一或多項之載物台設備,其中該電連接包含至少一
個導線,該至少一個導線包含該電連接之該第一末端與該第二末端之間的複數個環圈,該複數個環圈經配置成彼此大體上平行,使得在使用期間,鄰近環圈之對應部分以小於或等於該導線之該直徑的4倍、5倍或6倍之一距離間隔開。
9.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,該電連接包含至少一個導線,該至少一個導線包含該電連接之一第一末端與一第二末端之間的複數個環圈,該複數個環圈經配置成彼此大體上平行,使得在使用期間,鄰近環圈之對應部分以小於或等於該導線之一直徑的4倍、5倍或6倍之一距離間隔開。
10.如條項8或條項9之載物台設備,其中一環圈直徑係介於該導線之該直徑的3倍與6倍之間。
11.如前述條項中一或多項之載物台設備,其中該電連接包含經配置為一聚束連接器且並非配置於一單一平面中的複數個導線,該聚束連接器之鄰近導線之間的一標稱距離小於或等於該等導線之該直徑的4倍、5倍或6倍。
12.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,其中該電連接包含經配置為一聚束連接器且並非配置於一單一平面中的複數個導線,該聚束連接器之鄰近導線之間的一標稱距離小於或等於該等導線之直徑的4倍、5倍或6倍。
13.如條項11或條項12之載物台設備,其中該聚束連接器包含至少4個平行導線。
14.如條項11至13中一或多項之載物台設備,其中該複數個導線之第一末端及第二末端經配置於一圓形圓周上。
15.一種載物台設備,其包含經組態以固持一基板之一物件台,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極,及經組態以將電連接至該電極之一第一端子連接至電連接至該電源之一第二端子的一電連接,其中該電連接包含由導電物質製成之一圓筒,且包含複數個孔隙。
16.如前述條項中一或多項之載物台設備,其中該電極經組態以由該電源且經由該電連接充電至至少-100V、-1kV、-10kV或-100kV。
17.如前述條項中一或多項之載物台設備,其進一步包含用於屏蔽至少該電連接之一部分之一電場屏蔽件。
18.如條項17之載物台設備,其中該電場屏蔽件包含:一第一包圍體積,其包圍該電連接之包括該第一末端的一第一部分;及一第二包圍體積,其包圍該電連接之包括該第二末端的一第二部分,其中該第二包圍體積之至少一部分之一外表面小於該第一包圍體積之至少一部分之一內表面,或該第二包圍體積之該至少部分之一內表面大於該第一包圍體積之該至少部分之一外表面,該第一包圍體積及該第二包圍體積之該等部分經組態為徑向鄰近的,藉此允許該第一包圍體積及該第二包圍體積相對於彼此軸向移動。
19.如條項18之載物台設備,其中該第一包圍體積及/或該第二包圍體積經塑形為一空心圓柱。
20.如前述條項中一或多項之載物台設備,其包含至少另一電連
接,該至少另一電連接包含經配置為與該電連接之該一或多個導線大體上相同的一或多個導線。
21.如前述條項中一或多項之載物台設備,其包含‧一定位器,該定位器包含一第一定位模組及一第二定位模組,其中‧該第一定位模組經組態以定位該物件台,且‧該第二定位模組經組態以定位該物件台及該第一定位模組,其中該第一定位模組包含電連接至該電極之第一端子且該第二定位模組包含電連接至該電源之第二端子。
22.如條項21之載物台設備,其中該物件台配置於該第一定位模組中且該電源配置於該第二定位模組中。
23.如前述條項中一或多項之載物台設備,其中該電連接包含以一線圈形狀配置且包含複數個環圈的至少一個導線。
24.如條項23之載物台設備,其中該複數個環圈包含至少一第一環圈及一第二環圈,其中該第一環圈之一直徑不同於該第二環圈之一直徑。
25.如條項24之載物台設備,該複數個環圈包含至少該第一環圈、該第二環圈及一第三環圈,其中‧該第一環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該第一末端,‧該第三環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該第二末端,‧該第二環圈配置於該第一環圈與該第三環圈之間,‧該複數個環圈以一遞增配置而配置,其中該第一環圈具有小於該
第二環圈的一直徑且該第二環圈具有小於該第三環圈的一直徑,或該複數個環圈以一遞減配置而配置,其中該第一環圈具有大於該第二環圈的一直徑且該第二環圈具有大於該第三環圈的一直徑。.
26.如條項25之載物台設備,‧其中該電連接包含複數個導線,該複數個導線以一線圈形狀而配置且包含複數個環圈,該複數個環圈以該遞增配置或該遞減配置而配置,‧其中在大體上垂直於該第一方向之一方向上彼此鄰近地配置之導線替代地以該遞增配置及該遞減配置而配置。
27.如條項24之載物台設備,其中該複數個環圈包含至少該第一環圈、該第二環圈及一第三環圈,其中‧該第一環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該第一末端,‧該第三環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該第二末端,‧該第二環圈配置於該第一環圈與該第三環圈之間,且‧其中該第二環圈具有小於該第一環圈的且小於該第三環圈的一直徑。
28.如條項8至10、23至27中一或多項之載物台設備,其中該複數個環圈之至少一個環圈與該複數個環圈之至少另一環圈相比在一相反方向上被捲繞。
29.一種設備,其包含一如前述條項中一或多項之載物台設備,其中該設備係一微影設備、一度量衡設備、一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備或一檢測設備。
30.一種載物台設備,其包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接,及一電場屏蔽件,其經組態以屏蔽至少該電連接之一部分。
31.如條項30之載物台設備,其中該電場屏蔽件配置於該電連接與一物件之間,且其中該電極由該電源施加一第一電壓,且該物件處於與該第一電壓不同的一第二電壓。
32.如條項30或31之載物台設備,其中該電連接包含一或多個導線。
33.如條項30至32中任一項之載物台設備,其中該電連接包含一或多個線圈。
34.如條項30至33中任一項之載物台設備,其進一步包含一定位器,該定位器包含一第一定位模組及一第二定位模組,其中‧該第一定位模組經組態以定位該物件台,且‧該第二定位模組經組態以定位該物件台及該第一定位模組。
35.如條項34之載物台設備,其中該第一定位模組係一精細定位模組且該第二定位模組係一粗略定位模組。
36.如條項35之載物台設備,其中該電連接連接該電極及該第二定位模組,或其中該電連接連接該第一定位模組及該第二定位模組。
37.如條項36之載物台設備,其中該電場屏蔽件配置於該電連接與該第二定位模組之一部分之間,且其中該電極由該電源施加一第三電壓,且該第二定位模組之該部分處於與該第三電壓不同的一第四電壓。
38.一種載物台設備,其包含:
一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接,且其中該電連接包含配置於一圓形圓周上之一或多個線圈或一或多個導線。
39.如條項38之載物台設備,其中該一或多個線圈包含複數個環圈,且其中該複數個環圈包含至少一第一環圈及一第二環圈,其中該第一環圈之一直徑不同於該第二環圈之一直徑。
40.如條項39之載物台設備,該複數個環圈包含至少該第一環圈、該第二環圈及一第三環圈,其中‧該第一環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之一第一末端,‧該第三環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之一第二末端,‧該第二環圈配置於該第一環圈與該第三環圈之間,‧該複數個環圈以一遞增配置而配置,其中該第一環圈具有小於該第二環圈的一直徑且該第二環圈具有小於該第三環圈的一直徑,或該複數個環圈以一遞減配置而配置,其中該第一環圈具有大於該第二環圈的一直徑且該第二環圈具有大於該第三環圈的一直徑。
41.如條項40之載物台設備,‧其中該一或多個線圈中之至少兩者之該複數個環圈以該遞增配置及該遞減配置中之一者而配置,‧其中在大體上垂直於該電連接之一方向的一方向上彼此鄰近的該一或多個線圈中之該至少兩者替代地以該遞增配置及該遞減配置而配置。
42.如條項39之載物台設備,其中該複數個環圈包含至少該第一環圈、該第二環圈及一第三環圈,其中‧該第一環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之該第一末端,‧該第三環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之該第二末端,‧該第二環圈配置於該第一環圈與該第三環圈之間,且‧其中該第二環圈具有小於該第一環圈的且小於該第三環圈的一直徑。
43.如條項39至42中任一項之載物台設備,其中該複數個環圈之至少一個環圈與該複數個環圈之至少另一環圈相比在一相反方向上被捲繞。
44.一種設備,其包含一如條項30至43中任一項之載物台設備,其中該設備係一微影設備、一度量衡設備、一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備或一檢測設備。
應注意,儘管在本文中說明了若干實施例,但在不背離本發明之範疇的情況下一或多個導線之眾多其他配置係可能的。舉例而言,代替環圈,可將導線以曲折或其他彎曲形狀配置。
應注意,儘管本文中之電連接及載物台設備主要關於電子束檢測工具加以描述,但其亦可應用於其他應用中。
本發明亦關於一種包含根據本發明之載物台設備的設備,其中該設備係微影設備、度量衡設備、粒子束設備、粒子束檢測設備或檢測設備。
儘管已關於本發明之較佳實施例解釋本發明,但應理解,
可以在不背離本發明之如下文所主張之精神及範疇的情況下作出其他修改及變化。
301:電連接
401:電連接
1001:載物台設備
1002:物件台
1011:第一定位模組
1012:第二定位模組
1201:電場屏蔽件
Claims (13)
- 一種載物台設備,其包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接,一電場屏蔽件(electric field shield),其經組態以屏蔽至少該電連接之一部分,及一定位器,該定位器包含一第一定位模組及一第二定位模組,其中該第一定位模組經組態以定位該物件台且該第二定位模組經組態以定位該物件台及該第一定位模組,其中該電場屏蔽件配置於該電連接與該第二定位模組之一部分之間,且其中該電極由該電源施加一第三電壓,且該第二定位模組之該部分處於與該第三電壓不同的一第四電壓。
- 如請求項1之載物台設備,其中該電場屏蔽件配置於該電連接與一物件之間,且其中該電極由該電源施加一第一電壓,且該物件處於與該第一電壓不同的一第二電壓。
- 如請求項1之載物台設備,其中該電連接包含一或多個導線。
- 如請求項1之載物台設備,其中該電連接包含一或多個線圈。
- 如請求項1之載物台設備,其中該第一定位模組係一精細定位模組且 該第二定位模組係一粗略定位模組。
- 如請求項5之載物台設備,其中該電連接連接該電極及該第二定位模組,或其中該電連接連接該第一定位模組及該第二定位模組。
- 一種載物台設備,其包含:一物件台,其經組態以固持一基板,該物件台包含經組態以由一電源充電之一電極及經組態以將該電極電連接至該電源之一電連接,及一定位器,該定位器包含一第一定位模組及一第二定位模組,其中該第一定位模組經組態以定位該物件台且該第二定位模組經組態以定位該物件台及該第一定位模組,其中一電場屏蔽件配置於該電連接與該第二定位模組之一部分之間,且其中該電極由該電源施加一第三電壓,且該第二定位模組之該部分處於與該第三電壓不同的一第四電壓,其中該電連接包含配置於一圓形圓周上之一或多個線圈或一或多個導線。
- 如請求項7之載物台設備,其中該一或多個線圈包含複數個環圈,且其中該複數個環圈包含至少一第一環圈及一第二環圈,其中該第一環圈之一直徑不同於該第二環圈之一直徑。
- 如請求項8之載物台設備,該複數個環圈包含至少該第一環圈、該第二環圈及一第三環圈,其中 該第一環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之一第一末端,該第三環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之一第二末端,該第二環圈配置於該第一環圈與該第三環圈之間,該複數個環圈以一遞增配置而配置,其中該第一環圈具有小於該第二環圈的一直徑且該第二環圈具有小於該第三環圈的一直徑,或該複數個環圈以一遞減配置而配置,其中該第一環圈具有大於該第二環圈的一直徑且該第二環圈具有大於該第三環圈的一直徑。
- 如請求項9之載物台設備,其中該一或多個線圈中之至少兩者之該複數個環圈以該遞增配置及該遞減配置中之一者而配置,其中在大體上垂直於該電連接之一方向的一方向上彼此鄰近的該一或多個線圈中之該至少兩者替代地以該遞增配置及該遞減配置而配置。
- 如請求項8之載物台設備,其中該複數個環圈包含至少該第一環圈、該第二環圈及一第三環圈,其中該第一環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之一第一末端,該第三環圈經配置為在該第一環圈、該第二環圈及該第三環圈當中最接近該電連接之一第二末端,該第二環圈配置於該第一環圈與該第三環圈之間,且 其中該第二環圈具有小於該第一環圈的且小於該第三環圈的一直徑。
- 如請求項8之載物台設備,其中該複數個環圈之至少一個環圈與該複數個環圈之至少另一環圈相比在一相反方向上被捲繞。
- 一種設備,其包含一如請求項1之載物台設備,其中該設備係一微影設備、一度量衡設備、一粒子束設備、一電子束設備、一電子束檢測設備或一檢測設備。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18214915 | 2018-12-20 | ||
EP18214915.3 | 2018-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202032613A TW202032613A (zh) | 2020-09-01 |
TWI756601B true TWI756601B (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=64755304
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108146589A TWI756601B (zh) | 2018-12-20 | 2019-12-19 | 載物台設備 |
TW110142069A TWI798930B (zh) | 2018-12-20 | 2019-12-19 | 載物台設備 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110142069A TWI798930B (zh) | 2018-12-20 | 2019-12-19 | 載物台設備 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11694870B2 (zh) |
KR (1) | KR102533089B1 (zh) |
CN (1) | CN113424291B (zh) |
TW (2) | TWI756601B (zh) |
WO (1) | WO2020126768A2 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113424291B (zh) * | 2018-12-20 | 2024-03-22 | Asml荷兰有限公司 | 平台装置 |
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-
2019
- 2019-12-11 CN CN201980091986.9A patent/CN113424291B/zh active Active
- 2019-12-11 KR KR1020217018890A patent/KR102533089B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-11 WO PCT/EP2019/084733 patent/WO2020126768A2/en active Application Filing
- 2019-12-19 TW TW108146589A patent/TWI756601B/zh active
- 2019-12-19 TW TW110142069A patent/TWI798930B/zh active
-
2021
- 2021-06-17 US US17/351,043 patent/US11694870B2/en active Active
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2023
- 2023-05-11 US US18/196,296 patent/US11996263B2/en active Active
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Also Published As
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---|---|
TW202032613A (zh) | 2020-09-01 |
TW202223964A (zh) | 2022-06-16 |
WO2020126768A2 (en) | 2020-06-25 |
US11694870B2 (en) | 2023-07-04 |
KR20210090266A (ko) | 2021-07-19 |
TWI798930B (zh) | 2023-04-11 |
KR102533089B1 (ko) | 2023-05-17 |
US20210375580A1 (en) | 2021-12-02 |
US11996263B2 (en) | 2024-05-28 |
US20230360879A1 (en) | 2023-11-09 |
CN113424291B (zh) | 2024-03-22 |
WO2020126768A3 (en) | 2020-08-06 |
CN113424291A (zh) | 2021-09-21 |
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