TWI753625B - 輻射源測試 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的方法，其包含接收對應於該輻射源之複數個發射型樣之資料的一步驟。該方法進一步包含分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣之參數的步驟。該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該一或多個其他發射型樣時的一穩定性與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限內。此外，參數經判定，使得該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。

Description

輻射源測試
本發明係關於一種用於產生對輻射源之測試的方法及系統，以及一種相關聯之電腦程式、電腦可讀媒體及資料處理設備。該輻射源可為用於微影設備之輻射源。
微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，光罩)處之圖案投影至設置於基板上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。舉例而言，相比於使用例如具有193nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4至20nm之範圍內的波長(例如，6.7nm或13.5nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
電磁輻射可由輻射源提供，該輻射源可例如為EUV或深紫外線(DUV)輻射源。通常在整個微影製程中控制此等輻射源以提供具有所要特性之輻射，因此確保在基板處提供正確且及時的輻射劑量。準確且可靠的輻射源對微影製程為關鍵的。
為了確保輻射源之準確性及/或可靠性及/或穩定性，需要以一定間隔測試輻射源。然而，在生產環境中，在不顯著中斷生產製程之情況下測試輻射源的機會可能有限。
此外，需要以與用於生產環境中之使用設定檔(usage profile)儘可能類似的使用設定檔來測試輻射源。然而，用於生產環境中之使用設定檔可包含專屬資訊，且因此可能無法容易地獲得或存取與使用設定檔相關之資訊以用於測試輻射源之目的。
此背景技術用以設定場景，以允許熟練的讀者更好地瞭解以下描述。因此，以上論述均不應必定被視為確認彼論述為目前先進技術之部分或為公共常識。本發明之一或多個態樣/實施例可能解決或可能不解決背景技術問題中之一或多者。
本發明之至少一個態樣的至少一個實施例的目標為消除或至少緩解先前技術中之至少一個問題。
此外，本發明之至少一個態樣的至少一個實施例之目標為提供用於測試輻射源之技術上及商業上有效的方法。
根據本發明之第一態樣，提供一種產生對用於微影設備之輻射源之測試的方法，該方法包含以下步驟：接收對應於輻射源之複數個發射型樣的資料；及分析該資料以判定用於組態用於測試輻射源之一或多個其他發射型樣的參數；其中該等參數經判定，使得輻射源在執行使用該等參數組態之一或多個其他發射型樣時的穩定性與輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性實質上相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性在預定義界限內，且一或多個其他發射型樣在由輻射源執行時的 總持續時間將少於複數個發射型樣在由輻射源執行時的持續時間。
有利地，此方法使得能夠根據使用設定檔來測試輻射源，該使用設定檔對輻射源具有與在基板生產期間使用之使用設定檔實質上相同的效應。亦即，根據使用設定檔來測試輻射源，該使用設定檔對例如輻射源之穩定性具有與在基板生產期間使用之使用設定檔實質上相同的效應。藉由根據此方法測試輻射源且藉此以與在基板生產期間將對輻射源加應力大致相同的方式對輻射源加應力，可增加輻射源之準確性及/或可靠性及/或穩定性的信賴度。
輻射源之穩定性可為固有穩定性。
輻射源之穩定性可為主動控制穩定性。
輻射源之穩定性可為以下各者中之至少一者：波長穩定性；頻寬穩定性；能量穩定性；溫度穩定性。
預定義界限可對應於與來自輻射源之輻射的目標波長及/或頻寬及/或能量及/或輻射源之目標溫度中之至少一者的所定義偏差。
該等參數可包含以下各者中之至少一者：型樣之數量；獨特型樣之數量；獨特型樣之特性；型樣之頻率；每型樣叢發之數量；每叢發脈衝之數量；作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；時戳；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
該等參數可基於以下各者中之至少一者而判定：循環的相同發射型樣之數量；具有在預定義臨限值內之特性的發射型樣之數量；重複的相同或類似發射型樣之數量；重複的相同或類似發射型樣或序列之重複頻率；輻射之波長、頻寬及/或能量的所誘發變化；輻射源之溫度的所 誘發變化。
該方法可進一步包含組態用於運用該等參數控制輻射源之電腦之程式的步驟。
該方法可進一步包含控制輻射源以執行一或多個其他發射型樣之步驟。
當微影設備在離線組態中時，可測試該輻射源。
當輻射源在微影設備之控制下時，可產生對應於輻射源之複數個發射型樣的資料。
根據第一態樣之方法的所有步驟可在半導體製造設施內就地執行。
根據本發明之第二態樣，提供一種電腦程式，該電腦程式包含指令，當該程式由電腦執行時，該等指令使電腦進行根據第一態樣之方法。
該電腦程式可包含指令，當該程式由電腦執行時，該等指令使電腦控制輻射源以執行一或多個其他發射型樣。
該電腦程式可包含指令，當該程式由電腦執行時，該等指令使電腦將對應於參數之資料提供至另一程式。
該電腦程式可包含指令，當該程式由電腦執行時，該等指令使電腦產生對應於參數之指令碼以供另一電腦執行。
該電腦程式可包含指令，當該程式由電腦執行時，該等指令使電腦產生用於另一電腦上之指令碼或程式的對應於參數之資料。
根據本發明之第三態樣，提供一種電腦可讀媒體，其具有儲存於其上之根據第二態樣之電腦程式。
根據本發明之第四態樣，提供一種資料處理設備，其包含記憶體及經調適以執行根據第一態樣之方法的處理器。
根據本發明之第五態樣，提供一種用於產生對用於微影設備之輻射源之測試的方法，該系統包含：資料儲存裝置，其經組態以儲存對應於輻射源之複數個發射型樣的資料；及處理器，其可通信地耦接至該資料儲存裝置且經組態以分析該資料以判定用於組態用於測試輻射源之一或多個其他發射型樣的參數；其中該等參數經判定，使得輻射源在執行使用該等參數組態之一或多個其他發射型樣時的穩定性與輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性實質上相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性在預定義界限內，且一或多個其他發射型樣在由輻射源執行時的總持續時間將少於複數個發射型樣在由輻射源執行時的持續時間。
該系統可包含輻射源。該輻射源可為DUV或EUV輻射源。
該系統可包含微影設備。該微影設備可經組態以控制輻射源及/或產生對應於複數個發射型樣之資料。
該微影設備可包含或可按可通信方式耦接至處理器，使得微影設備可經組態以控制輻射源，以執行第二一或多個發射型樣。
根據本發明之第六態樣，提供一種產生對用於微影設備之輻射源之測試的方法，該方法包含：接收對應於輻射源之第一一或多個發射型樣的第一資料；分析第一資料以識別相對於其他發射型樣及/或發射型樣之其他部分在預定義範圍內影響輻射源之穩定性的發射型樣及/或發射型樣之部分；及產生對應於輻射源之第二一或多個發射發射型樣的第二資料，其中該第二資料係基於第一資料之分析。
該方法可包含運用第二資料組態電腦程式以操作具有第二 一或多個發射型樣之輻射源。
分析第一資料可包含將第一資料格化成離散分格(bin)，其中該等離散分格由臨限值定義，在該等臨限值內，輻射源之穩定性的變化可小於預定義範圍。
分析第一資料可包含識別可在預定義範圍內影響輻射源之穩定性的發射型樣之一或多個連續部分。
複數個發射型樣可橫跨第一時段。第二一或多個發射型樣在由輻射源執行時可橫跨第二時間段。第一時間段可實質上大於第二時間段。
輻射源之穩定性可為固有穩定性及/或主動控制穩定性。輻射源之穩定性可為以下各者中之至少一者：波長穩定性；頻寬穩定性；能量穩定性；溫度穩定性。
第一資料可對應於輻射源之使用設定檔。
第一資料及/或第二資料可包含一或多個發射型樣之特性，其中該等特性包含以下各者中之至少一者：發射型樣之數量；獨特發射型樣之數量；一或多個發射型樣之頻率；每發射型樣叢發之數量；每叢發脈衝之數量；作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；一或多個時戳；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
100:第一曲線圖
110:第二曲線圖
120:第三曲線圖
200:輻射源
205:輻射
210:微影設備
215:控制信號
220:資料收集模組
225:資料
230:資料儲存裝置
235:資料
240:資料處理器
245:資料
250:指令碼
255:處理器
260:資料
265:資料
270:資料
275:基板
300:第一曲線圖
310:第二曲線圖
320:第三曲線圖
400:第一曲線圖
410:第二曲線圖
510:資料
520:特性資料或「簽章」
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
IF:位置量測系統
IL:照明系統
LA:微影設備
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化裝置/光罩
MT:光罩支撐件
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PW:第二定位器
SO:輻射源
W:基板
WT:基板支撐件
現將參看隨附示意性圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中：圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統； 圖2提供表示用於三個基板之輻射源發射型樣之資料的實例；圖3展示產生對用於微影設備之輻射源之測試的方法；圖4提供表示用於三個基板之輻射源發射型樣之資料的另一實例；圖5展示用於自發射型樣導出簽章之處理程序的實例；圖6展示在半導體製造環境中自複數個類似發射型樣導出之簽章的實例；及圖7展示實驗資料之表。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在約5至100nm之範圍內的波長)。如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生的圖案。在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化裝置之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影設備LA。微影設備LA包括：照明系統(亦被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數準確地定 位圖案化裝置MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要之空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋如適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影設備LA可屬於一種類型，其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間，其亦被稱作浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備LA亦可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐件WT(亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板 W用於在該另一基板W上曝光圖案。
除基板支撐件WT以外，微影設備LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質或輻射光束B之性質。量測載物台可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持在光罩支撐件MT上的圖案化裝置(例如，光罩)MA上，且藉由存在於圖案化裝置MA上的圖案(設計佈局)圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便將不同的目標部分C定位在輻射光束B之路徑中的聚焦及對準位置處。類似地，第一定位器PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記被稱為切割道對準標記。
輻射源SO可經組態以提供具有預定義特性及時序之輻射光束B，以將所要輻射劑量提供至基板。因而，將由輻射源SO產生之輻射光束B提供為一或多個發射型樣，其中該等發射型樣定義光束B之特性。
發射型樣為此項技術中用以描述來自輻射源SO之光束B之 特性的術語。舉例而言，發射型樣可包含輻射脈衝之序列。舉例而言，脈衝序列可具有特定時序及/或持續時間，例如頻率及/或作用時間循環，從而以所需間隔將所需劑量提供至基板。
該等輻射脈衝可藉由輻射源SO而發出為叢發，例如脈衝序列。舉例而言，半導體製造環境中之典型輻射叢發可包含於數百個輻射脈衝之範圍內。通常但未必，叢發內之脈衝為週期性的，例如，叢發內之每一脈衝具有實質上相同的持續時間及/或作用時間循環，且因此將與同一叢發內之另一脈衝實質上相同的輻射量遞送至基板。
可在微影製程期間控制每一叢發中之脈衝的數量。因而，一叢發中之脈衝的數量可不同於先前或後續叢發中之脈衝的數量。
叢發內之脈衝的頻率可表示為叢發重複率。舉例而言，半導體製造環境中之叢發內的脈衝可具有在kHz範圍內之重複率。亦可在整個微影製程中控制每一叢發之重複率。因而，一叢發中之脈衝的頻率可不同於先前或後續叢發中之脈衝的頻率。
可在微影製程期間控制叢發之間的間隔，被稱為叢發間隔或叢發間間隔。半導體製造環境中之脈衝叢發之間的間隔可例如在毫秒至秒之範圍內。
僅出於實例之目的，圖2提供表示用於三個基板之輻射源發射型樣的資料之實例。第一曲線圖100展示用於三個基板中之每一者的發射型樣之每叢發脈衝之數量。水平軸表示叢發索引。舉例而言，可見用於第一基板之第二十叢發包含大約180個輻射脈衝，用於第二基板之第二十叢發包含大約250個輻射脈衝，且用於第三基板之第二十叢發包含大約370個輻射脈衝。應瞭解，圖2中所展示之用於三個基板的發射型樣可呈 任何時間次序。亦即，表示第一、第二或第三發射型樣中之任一者的資料可表示在第一、第二或第三發射型樣中之任何其他者之前或之後出現的發射型樣。
第二曲線圖110展示發射型樣之每一叢發中的脈衝之重複率。舉例而言，可見用於第一基板之第二十叢發具有大約4000Hz之重複率，用於第二基板之第二十叢發具有大約4400Hz之重複率，且用於第三基板之第二十叢發具有大約5400Hz之重複率。應瞭解，圖2中所展示之用於三個基板的發射型樣可呈任何時間次序。亦即，表示第一、第二或第三發射型樣中之任一者的資料可表示在第一、第二或第三發射型樣中之任何其他者之前或之後出現的發射型樣。
第三曲線圖120展示每一發射型樣之每一叢發的叢發間隔。舉例而言，用於第一基板之發射型樣的第二十叢發具有大約0.08秒之叢發間隔，用於第二基板之發射型樣的第二十叢發具有大約0.16秒之叢發間隔，且用於第三基板之發射型樣的第二十叢發具有大約0.40秒之叢發間隔。應瞭解，圖2中所展示之用於三個基板的發射型樣可呈任何時間次序。亦即，表示第一、第二或第三發射型樣中之任一者的資料可表示在第一、第二或第三發射型樣中之任何其他者之前或之後出現的發射型樣。
因而，自曲線圖100、110、120可見，用於不同基板之發射型樣在其特性上可變化。亦可見，對於任何給定基板，發射型樣之特性隨時間變化。亦即，發射型樣之每叢發的叢發間隔、重複率及脈衝可隨時間變化，及/或可隨基板變化。
發射型樣之特性的此等變化可影響輻射源SO之固有動力學及/或控制器穩定性。亦即，可能需要輻射源SO提供具有所定義特性(例 如，以指定頻率遞送之指定能量位準)之輻射。發射型樣之特性的變化可影響輻射源遞送滿足目標參數之輻射的能力。
輻射源SO可包含至少一個，且通常為複數個反饋控制器，該等反饋控制器可組態以調整輻射源SO內及/或整個微影設備LA中之致動器，使得由輻射源SO發出之輻射滿足所要規格。舉例而言，在目標輻射波長為193.0nm且輻射源SO發出具有193.1nm之波長之輻射的情況下，被稱為波長控制器之控制器可觀測到所發出輻射之波長的0.1nm之誤差且相應地調整輻射源SO內之內部組件，使得後續輻射脈衝具有193.0nm之波長，因此滿足目標波長。
輻射源SO可在具有或不具有反饋控制器之情況下操作。在不存在或不啟用反饋控制器之情況下的操作被稱為「固有操作」。繼續以上實例，在不啟用反饋控制器且具有每脈衝10mJ之目標的情況下，來自輻射源SO之一系列脈衝的能量可為例如10.4mJ、10.9mJ及9.2mJ。
相比之下，當啟用反饋控制器時，輻射源SO之效能可穩定或更快地穩定，使得脈衝能量可改善至例如10.1mJ、10.2mJ及9.9mJ。亦即，已減小或更快地減小與每脈衝目標能量位準之偏差。
在停用反饋控制器之情況下，輻射源SO之穩定性被稱為光源之固有穩定性。當停用該控制器時，諸如由於發射型樣之改變的輻射源之輸出的變化被稱為或表示輻射源SO之固有動力學。輻射源SO之固有穩定性取決於此固有動力學。
在啟用反饋控制器之情況下，輻射源SO之穩定性被稱為輻射源SO之受控穩定性。
輻射源SO之發射型樣的改變可影響反饋控制器之固有穩定 性及受控穩定性兩者。
詳言之，固有穩定性通常對叢發重複率之改變敏感。亦即，發射型樣之叢發重複率的改變可至少暫時使輻射源SO之固有效能(例如，輻射源輸出滿足目標規格之輻射的能力)降級。
同樣地，一或多個反饋控制器之受控穩定性可對發射型樣之改變特別敏感。舉例而言，叢發之間的長間隔可干擾控制器功能性，因此使輻射源SO之效能(例如，輻射源SO輸出滿足目標規格之輻射的能力)降級。
輻射源SO之固有及/或受控穩定性可例如對應於波長穩定性、頻寬穩定性及/或能量穩定性。輻射源SO之固有及/或受控穩定性可例如對應於輻射源之溫度穩定性。
在生產環境中，輻射源SO之發射型樣可由微影設備LA控制。亦即，微影設備LA可將與所需的特定發射型樣及/或特別輻射劑量相關之資訊及/或資料及/或參數傳達至輻射源SO。可接著控制及/或組態輻射源SO以回應於此等資訊及/或資料及/或參數而發出特別發射型樣。因而，當輻射源在微影設備之控制下時，可產生對應於輻射源之複數個發射型樣的資料。
特定發射型樣及/或特別輻射劑量可與待藉由微影設備LA施加至基板之圖案相關。通常，待施加至基板之此圖案可包含專屬資訊，例如，機密且與待施加至基板之特別圖案相關的資訊。因而，當輻射源SO由微影設備LA控制時，由輻射源SO產生之發射型樣可間接地包含專屬資訊。
在生產環境中，可能需要間歇地測試輻射源以確保正確及/ 或足夠準確及/或可靠的效能。需要使用與可在基板圖案化期間使用之發射型樣相同或足夠類似之發射型樣來測試輻射源SO，使得以與基板圖案化期間實質上相同之方式對輻射源之固有及/或受控穩定性進行測試及/或加應力。
然而，由於實際及商業約束，不可能或不允許使用直接地或間接地包含用於此測試之專屬資訊的發射型樣資料。詳言之，出於評估輻射源SO之效能的目的，由於發射型樣資料之專屬性質，不可能或不允許將發射型樣資料傳輸至位於生產環境遠端之實體，例如傳輸至遠端伺服器。
此外，在生產環境中，輻射源SO可在服務間隔之間持續或間歇地用於延長的時間段，諸如數週或數月。由於完成此等測試將需要一定的時間長度，因此在此等延長的時間段上收集發射型樣資料且接著使用相同發射型樣資料測試輻射源通常為不切實際的。
參看圖3，展示產生對用於微影設備210之輻射源之測試的方法。圖3展示輻射源200。輻射源200可為例如EUV或DUV輻射源。輻射源200將呈光束形式之輻射205提供至微影設備210。微影設備210可為掃描器。微影設備210經組態以使用來自輻射源200之輻射205圖案化基板。微影設備210可組態以生產直接地或間接地由輻射源圖案化之基板275。
通常將輻射205提供為複數個發射型樣。輻射205可提供為一或多個發射型樣，其包含例如具有預定義及/或受控特性之脈衝的叢發序列，如圖2中所例示的。
微影設備210將至少一個控制信號215提供至輻射源200。該控制信號可包含對應於例如由微影設備210用於圖案化基板所需之輻射 劑量的資料。因而，控制信號215可由輻射源200使用以直接地或間接地控制及/或定義由輻射源210發出之輻射205的發射型樣。在其他實施例中及/或在本實施例之其他操作模式中，發射型樣可由微影設備210提供至輻射源200。亦即，替代輻射源200使用來自微影設備210之控制信號215以判定及/或計算適當發射型樣，發射型樣(或與發射型樣直接相關之資訊)可由微影設備210提供至輻射源200。此發射型樣(或與發射型樣直接相關之資訊)可由微影設備210，例如由微影設備210內之處理器計算、判定或以其他方式導出。
在較佳實施例中，該方法包含使用資料收集模組220。資料收集模組220可收集來自輻射源200之資料225。資料225可對應於由輻射源200發出之輻射205的發射型樣。資料收集模組220可通信耦接至或可組態以可通信耦接至輻射源210。資料收集模組220可整合至輻射源或微影設備210中。
資料收集模組220經組態以將資料235提供至資料儲存裝置230。提供至資料儲存裝置230之資料235對應於由資料收集模組收集之資料225及/或自該資料導出。
提供至資料儲存裝置230之資料235可與由資料收集模組220收集之資料225呈相同或不同格式。此外，在屬於本發明之範圍內的其他實施例中，輻射源200可經組態或經調適以將對應於由輻射源200發出之輻射205之發射型樣的資料225直接提供至資料儲存裝置230。
資料儲存裝置230可與微影設備210位於相同生產環境內。因而，在半導體製造設施內就地執行所描述方法之所有步驟。有利地，以此方式，在產生對輻射源200之測試的方法期間，不需要專屬資料離開半 導體製造設施。
在較佳實施例中，資料儲存裝置230為或包含伺服器。資料儲存裝置230經組態以自資料收集模組220接收資料225且將資料245傳輸至資料處理器240。
傳輸至資料處理器240之資料245對應於提供至資料儲存裝置230之資料225。傳輸至資料處理器240之資料245可與提供至資料儲存裝置230之資料225呈相同或不同格式。在其他實施例中，資料收集模組220可組態以將資料直接提供或傳輸至資料處理器240。在其他實施例中，輻射源可組態以將資料直接提供或傳輸至資料處理器240。
可在由資料處理器240發出至資料儲存裝置230之請求後傳輸自資料儲存裝置230傳輸至資料處理器240之資料245。資料儲存裝置230可經組態以儲存對應於用於圖案化一或多個基板之發射型樣的資料。在較佳實施例中，資料儲存裝置230經組態以儲存對應於在輻射源200之服務間隔及/或微影設備210之服務間隔之間出現的輻射源之所有或實質上所有發射型樣的資料。因而，在較佳實施例中，資料儲存裝置230可組態以儲存對應於在大體上橫跨數週或通常橫跨數月之時段內發生的輻射源200之所有發射型樣的資料。
在較佳實施例中，資料處理器240為軟體產品，例如電腦程式。應瞭解，在屬於本發明之範圍內的其他實施例中，資料處理器240可為資料處理設備，例如硬體模組。此外，資料處理器240可實施於資料儲存裝置230上。在另外其他實施例中，資料處理器240可安置於輻射源本身200內，或可為駐存於輻射源本身上之電腦程式產品。在另外其他實施例中，資料處理器240可實施於分開的電腦上，諸如攜帶型電腦，例如服 務工程師之膝上型電腦或其類似者。在另外其他實施例中，資料處理器240可實施於微影設備210中。
資料處理器240經組態以分析資料245以判定用於組態用於測試輻射源200之一或多個其他發射型樣的參數。詳言之，資料處理器240經組態以判定參數，使得輻射源200在執行使用該等參數組態之一或多個其他發射型樣時的穩定性與輻射源200在執行複數個發射型樣時的穩定性實質上相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性在預定義界限內。此外，一或多個其他發射型樣在由輻射源200執行時的總持續時間將少於複數個發射型樣在由輻射源200執行時的持續時間。較佳地，一或多個其他發射型樣在由輻射源200執行時的總持續時間將實質上少於複數個發射型樣在由輻射源200執行時的持續時間。舉例而言，一或多個其他發射型樣在由輻射源200執行時的總持續時間可為大約數分鐘或數小時。此與資料245所基於的原始發射型樣的持續時間形成比較，該持續時間可具有大約數週或甚至數月的總持續時間。輻射源200之穩定性為固有穩定性及/或主動控制穩定性。
在較佳實施例中，資料處理器240產生指令碼或軟體程式，該指令碼或軟體程式使用所判定之參數以產生對應於一或多個其他發射型樣之資料。在一個實施例中，資料處理器240可組態以使用所判定之參數來產生程式，該程式又可產生對應於用於測試輻射源200之一或多個其他發射型樣的資料。在又一實施例中，資料處理器240可組態以將所判定之參數提供至另一電腦，例如服務工程師之膝上型電腦。在此實施例中，另一電腦可包含經調適以基於所接收之參數產生對應於一或多個其他發射型樣之資料的軟體。在又一實施例中，資料處理器240可組態以使用所判定 之參數來直接地或間接地控制輻射源200，以產生用於測試輻射源200之一或多個其他發射型樣。亦即，所描述方法包含用於運用該等參數組態控制輻射源之電腦之程式的步驟。
在較佳實施例中，資料處理器240可組態以產生指令碼250或軟體程式且將指令碼250提供至另一處理器255，例如膝上型電腦，諸如現場服務工程師之膝上型電腦，該軟體程式使用所判定之參數以產生對應於一或多個其他發射型樣之資料。在又一實施例中，資料處理器240為安裝於另一處理器255上之軟體程式，其中另一處理器255可組態以自資料儲存裝置230直接擷取資料245。
因此，應瞭解，資料處理器240可為安裝於專用電腦、資料儲存裝置230或另一處理器255(諸如，服務工程師之膝上型電腦)上的軟體程式。此外，資料處理器240可為安裝於輻射源200上，例如安裝於及/或位於輻射源200之電腦及/或處理器及/或記憶體內的軟體程式。
所判定之參數包含以下各者中之至少一者：型樣之數量；獨特或實質上獨特型樣之數量及/或特性；型樣之頻率；每型樣叢發之數量；每叢發脈衝之數量；作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；時戳；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
在較佳實施例中，其中另一處理器255可組態以執行指令碼250，另一處理器255經調適以耦接至輻射源200以便控制或組態輻射源200，以產生一或多個其他發射型樣。
較佳地，另一處理器255以輻射源200或微影設備210之服務間隔耦接至輻射源。因而，另一處理器255可組態以在輻射源200不用 於生產目的時測試輻射源200。亦即，當微影設備210在離線組態中時，測試輻射源200。
較佳地，另一處理器255可組態以在任何時間測試輻射源200，例如不僅僅以輻射源200之服務間隔及/或微影設備210之服務間隔。亦即，另一處理器255可在任何時間耦接至輻射源200。出於測試輻射源200之目的，可能隨後需要使微影設備210離線。
另一處理器255將對應於一或多個其他發射型樣之資料260提供至輻射源200。替代地或另外，另一處理器255將對應於一或多個其他發射型樣之指令碼或可執行程式提供至輻射源200。
另一處理器255經調適以自輻射源200接收資料265。資料265提供與測試結果相關之資訊。舉例而言，資料265可指示輻射源之穩定性及/或準確性。
因而，另一處理器255可組態以測試輻射源200且接收資料265，該資料可對應於或指示輻射源210之準確性及/或可靠性及/或穩定性的等級，例如，測試之成功或失敗的程度。
另一處理器255可組態以提供對應於輻射源210之準確性及/或可靠性及/或穩定性之等級的資料270，該資料可例如呈報告之形式。
上文所描述之方法可實施於用於產生對用於微影設備之輻射源之測試的系統上。舉例而言，可提供一種系統，該系統包含經組態以儲存對應於輻射源200之複數個發射型樣之資料的資料儲存裝置230。該系統可包含處理器，例如上文所描述之資料處理器240。該處理器可按可通信方式耦接至資料儲存裝置230且經組態以分析資料以判定用於組態用於測試輻射源之一或多個其他發射型樣的參數。該等參數經判定，使得輻 射源200在執行使用該等參數組態之一或多個其他發射型樣時的穩定性與輻射源200在執行複數個發射型樣時的穩定性實質上相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性在預定義界限內，且一或多個其他發射型樣在由輻射源200執行時的總持續時間將少於複數個發射型樣在由輻射源執行時的持續時間。
如上文所描述，資料處理器240經組態以分析資料245，以判定用於組態用於測試輻射源200之一或多個其他發射型樣的一或多個參數。出於實例之目的，現參看圖4、圖5及圖6描述資料之分析及該等參數中之一些的判定。
圖4提供表示用於三個基板之輻射源發射型樣之資料的另一實例。該資料為可類似於生產資料之人工資料，亦即，自使用輻射源圖案化基板獲取以用於半導體製造設施中之生產的資料。曲線圖可與圖2之彼等曲線圖比較。亦即，第一曲線圖300展示用於三個基板中之每一者的發射型樣之每叢發脈衝之數量，第二曲線圖310展示發射型樣之每一叢發中的脈衝之重複率，且第三曲線圖320展示每一發射型樣之每一叢發的叢發間隔。
在圖4中可見，用於每一基板之發射型樣資料之間存在極小變化。亦即，第二曲線圖310及第三曲線圖320展示幾乎相同之用於三個基板的資料。關於第一曲線圖300，每一基板之每叢發脈衝數目之差通常恆定為每叢發大約50個脈衝。
由於用於三個基板中之每一者的發射型樣資料之間僅存在略微差異，因此自產生用於測試輻射源之一或多個其他發射型樣的視角來看，三個發射型樣可被視為實質上相同的。亦即，由於用於三個基板中之 每一者的發射型樣資料之間僅存在略微差異，因此發射型樣中之每一者可被視為對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有實質上相同的影響。因此，可識別單個發射型樣或「獨特發射型樣」，該圖案以與圖4中之三個發射型樣中之每一者實質上相同的方式影響輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性。
可定義臨限值，其限制被視為對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有實質上相同的影響之發射型樣之間的一或多個差異。舉例而言，在本發明之一個實施例中，彼此相差小於每叢發脈衝之所定義及/或預定量的發射型樣可被視為對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有實質上相同的影響，且因此可由「獨特發射型樣」表示。
可另外或替代地定義與其他參數相關之其他臨限值，諸如叢發重複率及/或叢發間隔之間的差。亦即，展現叢發重複率及/或叢發間隔之間的低於所定義臨限值之差的不同發射型樣可被視為對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有實質上相同的影響，且因此可由單個「獨特發射型樣」表示。
可基於例如輻射源之已知或所量測特性(諸如，輻射源之類型及/或組態、實驗資料或其類似者)而定義、估計或計算此等臨限值。此外，可基於主題專門知識而定義、估計、計算或以其他方式判定此等臨限值。
因此，獨特發射型樣之識別實際上為基於所定義臨限值將發射型樣分類成群組或分格(bin)，該等臨限值限制任何給定群組或分格內之發射型樣之間的偏差。
此例示於圖5中，其中第一曲線圖400展示用於發射型樣之 每叢發脈衝數目的實例。發射型樣展現範圍為每叢發大約300至大約500個脈衝之每叢發脈衝數目。
僅藉助於實例，定義對應於每叢發150個脈衝之群組或分格的臨限值。亦即，第一分格對應於每叢發0至149個脈衝。第二分格對應於每叢發150至299個脈衝。第三分格對應於每叢發300至449個脈衝。第四分格對應於每叢發450至599個脈衝。
發射型樣之每一叢發屬於所定義群組或分格中之一者內。此展示於圖5中之第二曲線圖410中，其中第二曲線圖410中所展示之叢發中之每一者分類成分格或群組。舉例而言，每叢發具有大約520個脈衝之第十叢發對應於第四分格或群組，且每叢發具有大約280個脈衝之第二十叢發對應於第二分格或群組。因此，對應於每叢發脈衝之大範圍的發射型樣資料可由相對較小數目個分格或群組表示。
輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性可受發射型樣之改變影響。然而，相對恆定或在可允許限制內變化之發射型樣或發射型樣之部分可被視為對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有有限影響。亦即，輻射源之輸出可被視為在具有大致相同特性之一定量的依序脈衝之後已足夠穩定。因此，當藉由產生與用於生產製程中之發射型樣相同程度地影響輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性的發射型樣來測試輻射源時，僅關注或主要關注發射型樣之改變為足夠的。
再次參看圖5中之第一曲線圖400，可見自第三十六叢發延伸至第一百零五叢發之叢發序列各自具有每叢發大約520個脈衝。亦即，該序列之每叢發脈衝之數量為恆定的。參看圖5中之第二曲線圖410，可見此序列可表示或近似為分格4中之10個叢發。
亦即，在所展示之實例中，在圖5中之第二曲線圖410中，將10個或多於10個重複叢發之任何叢發序列限制且因此有效地壓縮為10個叢發之最大值。僅出於實例之目的，提供臨限值10，且可基於諸如以下各者之多種因素而變化或選擇該臨限值：輻射源正操作之條件、輻射源之類型、輻射源之組態及/或輻射源之使用年限。
藉助於另一非限制性實例，自對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性之影響的視角，包含各自以每叢發300個脈衝操作之11個叢發的第一發射型樣可被視為與包含14個叢發(每叢發290個脈衝)之第二型樣相同。因此，可產生單個「獨特發射型樣」，其對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有與第一發射型樣及第二發射型樣相同的影響。
因此，藉由基於重複的相同或類似叢發型樣之序列而壓縮叢發序列及/或藉由基於對輻射源之固有穩定性及/或主動控制穩定性具有實質上相同的影響之型樣將發射型樣或發射型樣之部分分組或分格，可產生特性資料，如圖5中之第二曲線圖410中所展示。特性資料可被視為「發射型樣資料之簽章」。特性資料或簽章對應於或包含可隨後用以組態用於測試輻射源之一或多個其他發射型樣的參數。
圖6展示在半導體製造環境中由複數個發射型樣產生之特性資料或「簽章」的實例。在圖6之實例資料中，資料510對應於用於22429個基板當中總計1108個之圖案。資料510經展示為資料包絡，其中該包絡對應於1108個分開的發射型樣，其全部屬於所展示之包絡內。
在圖6之實例中，10個或多於10個重複叢發之任何叢發序列已受限制且因此有效地壓縮為10個叢發之最大值。亦即，資料510具有 10個連續叢發之最大值，其中叢發之每拍脈衝屬於所定義群組或分格內。群組或分格已定義為範圍介於每叢發大約150個脈衝至每叢發大約300個脈衝。另一群組或分格已定義為範圍介於每叢發大約300個脈衝至每叢發大約450個脈衝。可見，來自用於22429個晶圓當中之1108個的發射型樣之發射型樣資料屬於兩個所定義群組或分格內。
因此，特性資料或「簽章」520對應於或包含可隨後用以組態用於測試輻射源之一或多個其他發射型樣的資料及/或參數，其中輻射源在執行使用該等參數組態之一或多個其他發射型樣時的穩定性與輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性實質上相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性在預定義界限內，且一或多個其他發射型樣在由輻射源執行時的總持續時間將少於複數個發射型樣在由輻射源執行時的持續時間。舉例而言，此等參數可關於或對應於群組或分格之數量及組態，及/或每一發射型樣屬於所定義群組或分格內之頻率及持續時間。在其他實施例中，此等參數可例如關於或對應於以下各者中之至少一者：型樣之數量；獨特型樣之數量；獨特型樣之特性；型樣之頻率；每型樣叢發之數量；每叢發脈衝之數量；作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；時戳；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。此外，可基於以下各者中之至少一者而判定此等參數：循環的相同發射型樣之數量；具有在預定義臨限值內之特性的發射型樣之數量；重複的相同或類似發射型樣之數量；重複的相同或類似發射型樣或序列之重複頻率；輻射之波長、頻寬及/或能量的所誘發變化；輻射源之溫度的所誘發變化。
預定義界限對應於與來自輻射源之輻射的目標波長及/或頻 寬及/或能量及/或輻射源之目標溫度中之至少一者的所定義偏差。亦即，一或多個其他發射型樣在由受測試之輻射源執行時產生來自輻射源之輸出，該輸出之波長及/或頻寬及/或能量與複數個發射型樣之波長及/或頻寬及/或能量相同，或相對於複數個發射型樣之波長及/或頻寬及/或能量在所定義臨限值或界限內，及/或輻射源之溫度與輻射源在執行複數個發射型樣時的溫度相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的溫度在所定義臨限值或界限內。
圖7為展示已針對不同輻射源而識別之數個簽章(例如，如先前參看圖6所描述之特性資料)的資料之表。舉例而言，1號輻射源已使用了9天之時段。在9天之此時段內，輻射源已用以圖案化22,000個基板。可見，30個獨特發射型樣已用以圖案化所圖案化之22,000個基板的90%。
藉由分析所使用之發射型樣資料，如上文參看圖5及圖6所描述，可見基於僅19個簽章之參數的發射型樣足以測試1號輻射源，其方式為對輻射源1之固有穩定性及/或主動控制穩定性將具有與原始30個獨特發射型樣實質上相同的影響。此效應在圖7中之資料表中描述為「壓縮」。
在一些情況下，此效應可更明顯。舉例而言，考慮輻射源5，可見在10天之時段內，輻射源5已用以圖案化49,000個基板。可見，16,773個獨特發射型樣已用以圖案化所圖案化之49,000個基板的90%。
藉由分析所使用之發射型樣資料，如上文參看圖5及圖6所描述，可見基於僅17個簽章之參數的發射型樣足以測試5號輻射源，其方式為對輻射源5之固有穩定性及/或主動控制穩定性將具有與原始16,773個獨特發射型樣之90%實質上相同的影響。
亦即，資料處理器240可經組態以分析對應於16,773個獨特 發射型樣之資料，以判定定義17個簽章之參數，且因此使用如上文所描述之此等參數以直接地或間接地定義一或多個其他發射型樣，以測試輻射源200，使得輻射源200在執行使用該等參數組態之一或多個其他發射型樣時的穩定性與輻射源200在執行複數個發射型樣時的穩定性實質上相同，或相對於輻射源在執行複數個發射型樣時的穩定性在預定義界限內。此外，一或多個其他發射型樣在由輻射源200執行時的總持續時間將少於複數個發射型樣在由輻射源200執行時的持續時間。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件的任何設備之部分。此等設備通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
儘管上文可能已特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在內容背景允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於其他應用(例如，壓印微影)中。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的 任何媒體。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等的其他裝置引起，且如此進行可使致動器或其他裝置與實體世界互動。
在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。
1.一種產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的方法，該方法包含以下步驟：接收對應於該輻射源之複數個發射型樣的資料；及分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣的參數；其中該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該一或多個其他發射型樣時的一穩定性與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限內，且該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。
2.如條項1之方法，其中該輻射源之該穩定性為一固有穩定性。
3.如條項1之方法，其中該輻射源之該穩定性為一主動控制穩定性。
4.如條項1之方法，其中該輻射源之該穩定性為以下各者中之至 少一者：一波長穩定性；一頻寬穩定性；一能量穩定性；一溫度穩定性。
5.如條項1之方法，其中該等預定義界限對應於與來自該輻射源之輻射的一目標波長及/或頻寬及/或能量及/或該輻射源之一目標溫度中之至少一者的一所定義偏差。
6.如條項1之方法，其中該等參數包含以下各者中之至少一者：型樣之一數量；獨特型樣之一數量；獨特型樣之特性；型樣之一頻率；每型樣叢發之一數量；每叢發脈衝之一數量；作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；一時戳；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
7.如條項1之方法，其中該等參數係基於以下各者中之至少一者而判定：循環的相同發射型樣之一數量；具有在預定義臨限值內之特性的發射型樣之一數量；重複的相同或類似發射型樣之一數量；重複的相同或類似發射型樣或序列之一重複頻率；輻射之一波長、頻寬及/或能量的一所誘發變化；該輻射源之一溫度的一所誘發變化。
8.如條項1之方法，其進一步包含組態用於運用該等參數控制該輻射源之一電腦之一程式的步驟。
9.如條項1之方法，其進一步包含控制該輻射源以執行該一或多個其他發射型樣之步驟。
10.如條項9之方法，其中當該微影設備在一離線組態中時，測試該輻射源。
11.如條項1之方法，其中當該輻射源在一微影設備之控制下時，產生對應於該輻射源之該複數個發射型樣的該資料。
12.如條項1之方法，其中該方法之所有步驟係在一半導體製造設施內就地執行。
13.一種電腦可讀非暫時性媒體，其具有儲存於其上之指令，該等指令在由一電腦執行時使該電腦進行產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的一方法，該方法包含以下步驟：接收對應於該輻射源之複數個發射型樣的資料；及分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣的參數，其中該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該一或多個其他發射型樣時的一穩定性與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限內，且該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。
14.一種資料處理設備，其包含一記憶體及經調適以執行如條項1之方法之步驟的一處理器。
15.一種用於產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的系統，該系統包含：一資料儲存裝置，其經組態以儲存對應於該輻射源之複數個發射型樣的資料；及一處理器，其可通信耦接至該資料儲存裝置，且經組態以分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣的參數；其中該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該 一或多個其他發射型樣時的一穩定性與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限內，且該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。
16.如條項15之系統，其進一步包含該輻射源，其中該輻射源為一DUV輻射源。
17.如條項15之系統，其進一步包含該微影設備，其中該微影設備經組態以控制該輻射源且產生對應於該複數個發射型樣之該資料。
18.如條項17之系統，其中該微影設備包含或可通信耦接至該處理器，使得該微影設備經組態以控制該輻射源，以執行第二一或多個發射型樣。
19.一種產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的方法，該方法包含：接收對應於該輻射源之一第一一或多個發射型樣的第一資料；分析該第一資料以識別相對於其他發射型樣及/或發射型樣之其他部分在一預定義範圍內影響該輻射源之一穩定性的發射型樣及/或發射型樣之部分；及產生對應於該輻射源之一第二一或多個發射型樣的第二資料，其中該第二資料係基於該第一資料之該分析。
20.如條項19之方法，其進一步包含運用該第二資料組態一電腦程式以操作具有第二一或多個發射型樣之該輻射源。
21.如條項19之方法，其中分析該第一資料包含將該第一資料格化 成離散分格，其中該等離散分格由臨限值定義，在該等臨限值內，該輻射源之一穩定性的變化小於該預定義範圍。
22.如條項19之方法，其中分析該第一資料包含識別在該預定義範圍內影響該輻射源之一穩定性的一發射型樣之一或多個連續部分。
23.如條項19之方法，其中第一一或多個發射型樣在由該輻射源執行時橫跨一第一時間段，且第二一或多個發射型樣在由該輻射源執行時橫跨一第二時間段，且其中該第一時間段實質上大於該第二時間段。
24.如條項19之方法，其中該輻射源之該穩定性為一固有穩定性及/或一主動控制穩定性。
25.如條項19之方法，其中該輻射源之該穩定性為以下各者中之至少一者：一波長穩定性；一頻寬穩定性；一能量穩定性；一溫度穩定性。
26.如條項19之方法，其中該第一資料對應於該輻射源之一使用設定檔。
27.如條項19之方法，其中該第一資料及/或該第二資料包含一或多個發射型樣之特性，其中該等特性包含以下各者中之至少一者：發射型樣之一數量；獨特發射型樣之一數量；一或多個發射型樣之一頻率；每發射型樣叢發之一數量；每叢發脈衝之一數量；作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；一或多個時戳； 輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
28.一種方法，其包含：接收輸入發射型樣，其中該等輸入發射型樣包含由一微影光源在該微影光源之操作期間使用的發射型樣；偵測該等輸入發射型樣之循環類似部分；產生用於一或多個測試發射型樣之組態，其中該等測試發射型樣中之每一者表示該等輸入發射型樣之複數個該等循環類似部分；及將用於該等測試發射型樣之該等組態儲存於一記憶體中。
29.如條項28之方法，其中：該等測試發射型樣為如下測試發射型樣：對於該等測試發射型樣，該微影光源在執行該等測試發射型樣時的一穩定性與該微影光源在執行該等輸入發射型樣之該等循環類似部分時的一穩定性實質上相同，或相對於該微影光源在執行該等輸入發射型樣之該等循環類似部分時的一穩定性在預定義界限內。
30.如條項28之方法，其進一步包含：在用於該輻射源之一測試程序期間將該等測試發射型樣提供至該輻射源。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可按與所描述方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡 述之申請專利範圍之範圍的情況下對如所描述之本發明進行修改。
200:輻射源
205:輻射
210:微影設備
215:控制信號
220:資料收集模組
225:資料
230:資料儲存裝置
235:資料
240:資料處理器
245:資料
250:指令碼
255:處理器
260:資料
265:資料
270:資料
275:基板

Claims (30)

  1. 一種產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的方法，該方法包含以下步驟：接收對應於該輻射源之複數個發射型樣(firing patterns)的資料；及分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣的參數；其中該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該一或多個其他發射型樣時的一穩定性(stability)與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限(predefined bounds)內，且該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。
  2. 如請求項1之方法，其中該輻射源之該穩定性為一固有穩定性(intrinsic stability)。
  3. 如請求項1之方法，其中該輻射源之該穩定性為一主動控制穩定性(actively controlled stability)。
  4. 如請求項1之方法，其中該輻射源之該穩定性為以下各者中之至少一者：一波長穩定性；一頻寬穩定性；一能量穩定性；一溫度穩定性。
  5. 如請求項1之方法，其中該等預定義界限對應於與來自該輻射源之輻射的一目標波長及/或頻寬及/或能量及/或該輻射源之一目標溫度中之至少一者的一所定義偏差(defined deviation)。
  6. 如請求項1之方法，其中該等參數包含以下各者中之至少一者：型樣之一數量；獨特型樣之一數量；獨特型樣之特性；型樣之一頻率；每型樣叢發(bursts per pattern)之一數量；每叢發脈衝之一數量；作用時間循環資訊(duty-cycle information)；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；一時戳(time stamp)；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線(beam energy profile per pattern)；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
  7. 如請求項1之方法，其中該等參數係基於以下各者中之至少一者而判定：循環的(recurring)相同發射型樣之一數量；具有在預定義臨限值內之特性的發射型樣之一數量；重複的相同或類似發射型樣之一數量；重複的相同或類似發射型樣或序列之一重複頻率；輻射之一波長、頻寬及/或能量的一所誘發變化(induced variation)；該輻射源之一溫度的一所誘發變化。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包含組態用於運用該等參數控制該輻射源之一電腦之一程式的步驟。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含控制該輻射源以執行該一或多個其他發射型樣之步驟。
  10. 如請求項9之方法，其中當該微影設備在一離線組態中時，測試該輻射源。
  11. 如請求項1之方法，其中當該輻射源在一微影設備之控制下時，產生對應於該輻射源之該複數個發射型樣的該資料。
  12. 如請求項1之方法，其中該方法之所有步驟係在一半導體製造設施內就地(in situ)執行。
  13. 一種電腦可讀非暫時性媒體，其具有儲存於其上之指令，該等指令在由一電腦執行時使該電腦進行產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的一方法，該方法包含以下步驟：接收對應於該輻射源之複數個發射型樣的資料；及分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣的參數，其中該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該一或多個其他發射型樣時的一穩定性與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限內，且該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少 於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。
  14. 一種資料處理設備，其包含一記憶體及經調適以執行如請求項1之方法之該等步驟的一處理器。
  15. 一種用於產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的系統，該系統包含：一資料儲存裝置，其經組態以儲存對應於該輻射源之複數個發射型樣的資料；及一處理器，其可通信耦接至該資料儲存裝置，且經組態以分析該資料以判定用於組態用於測試該輻射源之一或多個其他發射型樣的參數；其中該等參數經判定，使得該輻射源在執行使用該等參數組態之該一或多個其他發射型樣時的一穩定性與該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性實質上相同，或相對於該輻射源在執行該複數個發射型樣時的一穩定性在預定義界限內，且該一或多個其他發射型樣在由該輻射源執行時的一總持續時間將少於該複數個發射型樣在由該輻射源執行時的一持續時間。
  16. 如請求項15之系統，其進一步包含該輻射源，其中該輻射源為一DUV輻射源。
  17. 如請求項15之系統，其進一步包含該微影設備，其中該微影設備經組態以控制該輻射源且產生對應於該複數個發射型樣之該資料。
  18. 如請求項17之系統，其中該微影設備包含或可通信耦接至該處理器，使得該微影設備經組態以控制該輻射源，以執行第二一或多個發射型樣。
  19. 一種產生對用於一微影設備之一輻射源之一測試的方法，該方法包含：接收對應於該輻射源之一第一一或多個發射型樣的第一資料；分析該第一資料以識別相對於其他發射型樣及/或發射型樣之其他部分在一預定義範圍內影響該輻射源之一穩定性的發射型樣及/或發射型樣之部分；及產生對應於該輻射源之一第二一或多個發射型樣的第二資料，其中該第二資料係基於該第一資料之該分析。
  20. 如請求項19之方法，其進一步包含運用該第二資料組態一電腦程式以操作具有該第二一或多個發射型樣之該輻射源。
  21. 如請求項19之方法，其中該分析該第一資料包含將該第一資料格化(binning)成離散分格(discrete bins)，其中該等離散分格由臨限值定義，在該等臨限值內，該輻射源之一穩定性的變化小於該預定義範圍。
  22. 如請求項19之方法，其中該分析該第一資料包含識別在該預定義範圍內影響該輻射源之一穩定性的一發射型樣之一或多個連續部分 (successive portions)。
  23. 如請求項19之方法，其中該第一一或多個發射型樣在由該輻射源執行時橫跨(span)一第一時間段，且該第二一或多個發射型樣在由該輻射源執行時橫跨一第二時間段，且其中該第一時間段實質上大於該第二時間段。
  24. 如請求項19之方法，其中該輻射源之該穩定性為一固有穩定性及/或一主動控制穩定性。
  25. 如請求項19之方法，其中該輻射源之該穩定性為以下各者中之至少一者：一波長穩定性；一頻寬穩定性；一能量穩定性；一溫度穩定性。
  26. 如請求項19之方法，其中該第一資料對應於該輻射源之一使用設定檔。
  27. 如請求項19之方法，其中該第一資料及/或該第二資料包含一或多個發射型樣之特性，其中該等特性包含以下各者中之至少一者：發射型樣之一數量；獨特發射型樣之一數量；一或多個發射型樣之一頻率；每發射型樣叢發之一數量；每叢發脈衝之一數量； 作用時間循環資訊；頻率及/或振幅及/或相位調變資訊；一或多個時戳；輻射源識別資訊；每型樣之光束能量量變曲線；每型樣之光束波長量變曲線；每型樣之光束頻寬量變曲線。
  28. 一種用於產生對用於一微影設備之一微影光源之一測試的方法，其包含：接收輸入發射型樣，其中該等輸入發射型樣包含由該微影光源在該微影光源之操作期間使用的發射型樣；偵測該等輸入發射型樣之循環類似部分(recurring similar portions)；產生用於一或多個測試發射型樣之組態，其中該等測試發射型樣中之每一者表示該等輸入發射型樣之複數個該等循環類似部分；及將用於該等測試發射型樣之該等組態儲存於一記憶體中。
  29. 如請求項28之方法，其中：該等測試發射型樣為如下測試發射型樣：對於該等測試發射型樣，該微影光源在執行該等測試發射型樣時的一穩定性與該微影光源在執行該等輸入發射型樣之該等循環類似部分時的一穩定性實質上相同，或相對於該微影光源在執行該等輸入發射型樣之該等循環類似部分時的一穩定性在 預定義界限內。
  30. 如請求項28之方法，其進一步包含：在用於該微影光源之一測試程序期間將該等測試發射型樣提供至該微影光源。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5383217A (en) * 1989-05-09 1995-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus with laser source requiring new gas introduction
TW200402605A (en) * 2002-05-10 2004-02-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, performance measuring method, calibration method and computer program

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392743B1 (en) * 2000-02-29 2002-05-21 Cymer, Inc. Control technique for microlithography lasers
EP1521122A1 (en) * 2002-05-10 2005-04-06 ASML Netherlands B.V. Control of a lithographic apparatus
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6050607B2 (ja) * 2012-05-15 2016-12-21 株式会社アマダミヤチ レーザ加工装置及びレーザ出力校正方法
US9762023B2 (en) * 2015-12-21 2017-09-12 Cymer, Llc Online calibration for repetition rate dependent performance variables
WO2018229823A1 (ja) * 2017-06-12 2018-12-20 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法
US10833471B2 (en) * 2017-11-17 2020-11-10 Cymer, Llc Lithography system bandwidth control

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5383217A (en) * 1989-05-09 1995-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus with laser source requiring new gas introduction
TW200402605A (en) * 2002-05-10 2004-02-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, performance measuring method, calibration method and computer program

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