CN114631061A - 辐射源测试 - Google Patents

Abstract

一种生成用于辐射源的测试的方法，该辐射源用于光刻设备，该方法包括以下步骤：接收与辐射源的多个发射图案相对应的数据。该方法还包括以下步骤：分析数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，该一个或多个另外的发射图案用于测试辐射源。参数被确定为：使得辐射源当执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性与辐射源当执行多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于辐射源当执行多个发射图案时的稳定性的预定界限内。另外，参数被确定为：使得一个或多个另外的发射图案当由辐射源执行时的总持续时间将小于多个发射图案当由辐射源执行时的持续时间。

Description

辐射源测试

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月30日提交的题为“RADIATION SOURCE TESTING”的美国申请No.62/928,254的优先权，该美国申请通过引用被整体并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种用于生成用于辐射源的测试的方法和系统、以及相关的计算机程序，计算机可读介质和数据处理设备。辐射源可以是用于光刻设备的辐射源。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)处的图案投射到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。例如，与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

电磁辐射可以由辐射源提供，该辐射源例如可以是EUV或深紫外(DUV)辐射源。通常在整个光刻工艺中控制这种辐射源以提供具有所需特性的辐射，从而确保在衬底处提供正确且及时的辐射剂量。准确和可靠的辐射源对于光刻工艺是关键的。

为了确保辐射源的准确性和/或可靠性和/或稳定性，希望以一定间隔测试辐射源。然而，在生产环境中，在不显著地中断生产过程的情况下测试辐射源的机会有限。

此外，期望测试具有尽可能与在生产环境中使用的使用简档类似的使用简档的辐射源。然而，在生产环境中使用的使用简档可以包括私有信息，并且因此与使用简档相关的信息对于测试辐射源来说可能是不容易获得或不可访问的。

该背景用于设置场景以允许本领域读者更好地理解以下描述。因此，上述讨论中无一必须被认为是对该讨论是现有技术的部分或是公知常识的承认。本发明的一个或多个方面/实施例可以解决或不解决背景问题中的一个或多个。

本发明的至少一个方面的至少一个实施例的目的是消除或至少减轻现有技术中的至少一个问题。

此外，本发明的至少一个方面的至少一个实施例的目的是提供一种用于测试辐射源的技术上和商业上有效的方法。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种生成用于辐射源的测试的方法，该辐射源用于光刻设备，该方法包括以下步骤：接收与辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及分析数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，一个或多个另外的发射图案用于测试辐射源；其中参数被确定为：使得辐射源当执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性与辐射源当执行多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于辐射源当执行多个发射图案时的稳定性的预定界限内，并且一个或多个另外的发射图案当由辐射源执行时的总持续时间将小于多个发射图案当由辐射源执行时的持续时间。

有利地，这种方法实现了对具有使用简档的辐射源的测试，该使用简档对辐射源具有与在衬底生产期间使用的使用简档基本相同的效果。即，辐射源利用使用简档来测试，该使用简档对例如辐射源的稳定性具有与衬底生产期间使用的使用简档基本相同的效果。通过根据这种方法测试辐射源，并且由此以与辐射源将在衬底生产期间受压的方式大致相同的方式使辐射源受压，可以提高辐射源的准确性和/或可靠性和/或稳定性的置信度。

辐射源的稳定性可以是固有稳定性。

辐射源的稳定性可以是主动受控稳定性。

辐射源的稳定性可以是以下项中的至少一项：波长稳定性；带宽稳定性；能量稳定性；温度稳定性。

预定界限可以与相对于辐射源的目标温度、和/或来自辐射源的辐射的目标波长和/或带宽和/或能量中的至少一者的限定偏差对应。

参数可以包括以下项中的至少一项：图案数量；独有图案的数量；独有图案的特性；图案的频率；每个图案的突发数量；每个突发的脉冲数量；占空比信息；频率和/或幅度和/或相位调制信息；时间戳；辐射源标识信息；每个图案的射束能量轮廓；每个图案的射束波长轮廓；每个图案的射束带宽轮廓。

参数可以基于以下项中的至少一项来确定：反复出现的相同发射图案的数量；具有在预定阈值内的特性的发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案或序列的重复频率；辐射的波长、带宽和/或能量的诱导变化；辐射源的温度的诱导变化。

该方法还可以包括以下步骤：配置用于计算机的程序，以利用参数来控制辐射源。

该方法可以还包括以下步骤：控制辐射源以执行一个或多个另外的发射图案。

辐射源可以在光刻设备处于离线配置时被测试。

当辐射源在光刻设备的控制下时，与辐射源的多个发射图案相对应的数据可以被生成。

根据第一方面的方法的所有步骤可以在半导体制造设备内被原位执行。

根据本发明的第二方面，提供了一种计算机程序，该计算机程序包括指令，当该程序由计算机执行时，该指令使该计算机执行根据第一方面的方法。

计算机程序可以包括以下指令，当该程序由计算机执行时，该指令使计算机控制辐射源以执行一个或多个另外的发射图案。

计算机程序可以包括以下指令，当该程序由计算机执行时，该指令使计算机向另一程序提供与参数相对应的数据。

计算机程序可以包括以下指令，当该程序由计算机执行时，该指令使计算机生成与由另一计算机执行的参数相对应的脚本。

计算机程序可以包括以下指令，当该程序由计算机执行时，该指令使计算机生成与用于另一计算机上的脚本或程序的参数相对应的数据。

根据本发明的第三方面，提供了一种其上存储有根据第二方面的计算机程序的计算机可读介质。

根据本发明的第四方面，提供了一种数据处理设备，包括存储器和处理器，该处理器被适配为执行根据第一方面的方法。

根据本发明的第五方面，提供了一种用于生成用于辐射源的测试的系统，该辐射源用于光刻设备，该系统包括：数据存储装置，被配置为存储与辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及处理器，能够被通信地耦合到数据存储装置，并且被配置为：分析数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，该一个或多个另外的发射图案用于测试辐射源；其中参数被确定为：使得辐射源当执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性与辐射源当执行多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于辐射源当执行多个发射图案时的稳定性的预定界限内，并且一个或多个另外的发射图案当由辐射源执行时的总持续时间将小于多个发射图案当由辐射源执行时的持续时间。

系统可以包括辐射源。辐射源可以是DUV或EUV辐射源。

系统可以包括光刻设备。该光刻设备可以被配置为：控制辐射源，并且生成与多个发射图案相对应的数据。

光刻设备可以包括处理器或能够被通信地耦合到处理器，使得该光刻设备被配置为控制辐射源以执行一个或多个第二发射图案。

根据本发明的第六方面，提供了一种生成用于辐射源的测试的方法，该辐射源用于光刻设备，该方法包括：接收与辐射源的一个或多个第一发射图案相对应的第一数据；分析第一数据以标识发射图案和/或发射图案的部分，该发射图案和/或发射图案的部分在相对于其他发射图案和/或发射图案的其他部分的预定范围内影响辐射源的稳定性；以及生成与辐射源的一个或多个第二发射图案相对应的第二数据，其中第二数据是基于对第一数据的分析。

该方法可以包括：利用第二数据配置计算机程序，以利用一个或多个第二发射图案操作辐射源。

分析第一数据可以包括：将第一数据分仓成离散的仓，其中离散的仓由阈值限定，该辐射源的稳定性可以在阈值内变化小于预定范围。

分析第一数据可以包括：标识发射图案中可以在预定范围内影响辐射源的稳定性的一个或多个连续部分。

多个发射图案可以跨越第一时间段，并且一个或多个第二发射图案在由辐射源执行时可以跨越第二时间段，并且其中第一时间段基本上大于第二时间段。

辐射源的稳定性可以是固有稳定性和/或主动受控稳定性。辐射源的稳定性可以是以下项中的至少一项：波长稳定性；带宽稳定性；能量稳定性；温度稳定性。

第一数据可以对应于辐射源的使用简档。

第一数据和/或第二数据可以包括一个或多个发射图案的特性，其中该特性包括以下项中的至少一项：发射图案的数量；独有发射图案的数量；一个或多个发射图案的频率；每个发射图案的突发数量；每个突发的脉冲数量；占空比信息；频率和/或幅度和/或相位调制信息；一个或多个时间戳；辐射源标识信息；每个图案的射束能量轮廓；每个图案的射束波长轮廓；每个图案的射束带宽轮廓。

附图说明

现在将参照所附示意图仅以示例的方式描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘了包括光刻设备和辐射源的光刻系统；

图2提供了表示用于三个衬底的辐射源发射图案的数据的示例；

图3示出了生成针对用于光刻设备的辐射源的测试的方法；

图4提供了表示用于三个衬底的辐射源发射图案的数据的另一示例；

图5示出了用于从发射图案导出特征的过程的示例；

图6示出了在半导体制造环境中从多个类似的发射图案导出的特征的示例；以及

图7示出了实验数据表。

具体实施方式

在本文件中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如具有在约5至100nm范围内的波长)。在本文中使用的术语“掩模版”“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指的是可以用于向入射辐射束赋予图案化横截面的通用图案形成装置，该图案化横截面对应于要在衬底的目标部分中产生的图案。在本文中也可以使用术语“光阀”。除了经典的掩模(透射型或反射型、二元、相移、混合等)之外，其他这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。该光刻设备LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且被连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数精确地定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W，并且被连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数精确地定位衬底支撑件；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。

在操作中，照射系统IL例如经由束传送系统BD从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括各种类型的光学组件，诸如折射型、反射型、磁性、电磁型、静电型和/或其他类型的光学组件、或它们的任意组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照射器IL可以用于调节辐射束B，以使其在图案形成装置MA的平面处的横截面中具有期望的空间和角度强度分布。

本文中所使用的术语“投影系统”PS应该被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反折射型、失真型、磁性、电磁型和/或静电型光学系统、或它们的任意组合，适合于所使用的曝光辐射，和/或适合于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更一般的术语“投影系统”PS同义。

光刻设备LA可以是以下类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253中给出，其通过引用并入本文。

光刻设备LA也可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT的类型(也称为“双台”)。在这种“多台”机器中，可以并行地使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT之一上的衬底W上执行对衬底W的后续曝光进行准备的步骤，同时另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于曝光另一衬底W上的图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量台。测量台被布置为保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以被设置为清洁光刻设备的部分，例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投影系统PS时，测量台可以在投影系统PS下面移动。

在操作中，辐射束B入射到被保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并且由图案形成装置MA上存在的图案(设计布局)进行图案化。在穿过掩模MA之后，辐射束B通过投影系统PS，投影系统PS将辐射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，衬底支撑件WT可以精确地移动，例如以便将辐射束B的路径中的不同目标部分C定位在聚焦和对准的位置。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(图1中未明确示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。虽然所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划道(scribe-lane)对准标记。

辐射源SO可以被配置为提供具有预定特性和定时的辐射束B，以向衬底提供期望的辐射剂量。这样，由辐射源SO生成的辐射束B被提供作为一个或多个发射图案，其中发射图案限定了辐射束B的特性。

发射图案是本领域中用来描述来自辐射源SO的射束B的特性的术语。例如，发射图案可以包括辐射脉冲序列。脉冲序列可以具有例如特定的定时和/或持续时间，例如频率和/或占空比，以便以所需的间隔向衬底提供所需的剂量。

辐射脉冲可以由辐射源SO作为突发(例如脉冲序列)发出。例如，在半导体制造环境中典型的辐射突发可以包括在数百个辐射脉冲的范围中。通常，但不是必须地，突发内的脉冲是周期性的，例如，突发内的每个脉冲具有基本上相同的持续时间和/或占空比，并且因此将与同一突发内的另一脉冲基本上相同量的辐射递送到衬底。

在光刻工艺期间可以控制每个突发中的脉冲数量。这样，突发中的脉冲数量可以不同于先前或后续突发中的脉冲数量。

突发内的脉冲的频率可以被表示为突发重复率。例如，在半导体制造环境中的突发内的脉冲可以具有kHz范围内的重复率。也可以在整个光刻过程中控制每个突发的重复率。这样，突发中的脉冲的频率可以不同于先前或后续突发中的脉冲的频率。

在光刻工艺期间可以控制突发之间的间隔，该间隔被称为突发间隔或突发间间隔。在半导体制造环境中的突发之间的间隔例如可以在毫秒到秒的范围内。

仅出于示例的目的，图2提供了表示用于三个衬底的辐射源发射图案的数据的示例。第一曲线图100示出了针对用于三个衬底中的每个衬底的发射图案的每突发的脉冲数量。水平轴表示突发索引。例如，可以看出，用于第一衬底的第二十突发包括大约180个辐射脉冲，用于第二衬底的第二十突发包括大约250个辐射脉冲，以及用于第三衬底的第二十突发包括大约370个辐射脉冲。应当理解，图2所示的用于三个衬底的发射图案可以按任何时间顺序。也就是说，表示第一发射图案、第二发射图案或第三发射图案中的任一发射图案的数据可以表示在第一发射图案、第二发射图案或第三发射图案中的任何其他发射图案之前或之后发生的发射图案。

第二曲线图110示出了发射图案的每个突发中的脉冲的重复率。例如，可以看出，用于第一衬底的第二十突发具有大约4000Hz的重复率，用于第二衬底的第二十突发具有大约4400Hz的重复率，以及用于第三衬底的第二十突发具有大约5400Hz的重复率。应当理解，图2所示的用于三个衬底的发射图案可以按任何时间顺序。也就是说，表示第一发射图案、第二发射图案或第三发射图案中的任一发射图案的数据可以表示在第一发射图案、第二发射图案或第三发射图案中的任何其他发射图案之前或之后发生的发射图案。

第三曲线图120示出了针对每个发射图案的每个突发的突发间隔。例如，用于第一衬底的发射图案的第二十突发具有大约0.08秒的突发间隔，用于第二衬底的发射图案的第二十突发具有大约0.16秒的突发间隔，以及用于第三衬底的发射图案的第二十突发具有大约0.40秒的突发间隔。应当理解，图2所示的用于三个衬底的发射图案可以按任何时间顺序。也就是说，表示第一发射图案、第二发射图案或第三发射图案中的任一发射图案的数据可以表示在第一发射图案、第二发射图案或第三发射图案中的任何其他发射图案之前或之后发生的发射图案。

这样，从曲线图100、110、120中可以看出，用于不同衬底的发射图案可以依据它们的特性而变化。还可以看出，对于任何给定的衬底，发射图案的特性随时间变化。即，发射图案的突发间隔、重复率和每突发的脉冲可以随时间变化，和/或可以随衬底而变化。

发射图案的特性的这种变化可能影响辐射源SO的固有动态特性和/或控制器稳定性。也就是说，可能需要辐射源SO提供具有确定特性的辐射，例如以特定的频率传递的特定的能量水平。发射图案的特性的变化可能影响辐射源递送满足目标参数的辐射的能力。

辐射源SO可以包括至少一个反馈控制器，并且通常包括多个反馈控制器，该反馈控制器能够被配置为调整辐射源SO内和/或整个光刻设备LA中的致动器，使得由辐射源SO发出的辐射满足期望的规范。例如，在目标辐射波长为193.0nm并且辐射源SO发出波长为193.1nm的辐射的情况下，被称为波长控制器的控制器可以观测到所发出的辐射的波长的0.1nm的误差，并且相应地调整辐射源SO内的内部组件，使得随后的辐射脉冲具有193.0nm的波长，从而满足目标波长。

辐射源SO可以在存在或没有反馈控制器的情况下操作。没有反馈控制器存在或启用的操作被称为“固有操作”。继续上面的示例，来自辐射源SO的一系列脉冲的能量可以是例如10.4mJ、10.9mJ和9.2mJ，其中没有启用反馈控制器，并且每个脉冲具有10mJ的目标。

相反，当反馈控制器被启用时，辐射源SO的性能可以被稳定，或更快地被稳定，使得脉冲的能量可以被提高到例如10.1mJ、10.2mJ和9.9mJ。即，与每个脉冲的目标能量水平的偏差已经减小，或更快地减小。

具有被禁用的反馈控制器的辐射源SO的稳定性被称为光源的固有稳定性。当控制器被禁用时，辐射源的输出的变化(诸如由于发射图案的改变)被称为或表示辐射源SO的固有动态特性。辐射源SO的固有稳定性取决于这种固有动态特性。

具有启用的反馈控制器的辐射源SO的稳定性被称为辐射源SO的受控稳定性。

辐射源SO的发射图案的改变可能影响(多个)反馈控制器的固有稳定性和受控稳定性。

特别地，固有稳定性通常对突发重复率的改变敏感。即，发射图案的突发重复率的改变可能至少暂时地降低辐射源SO的固有性能，例如辐射源输出满足目标规范的辐射的能力。

同样地，一个或多个反馈控制器的受控稳定性可以对发射图案的改变特别敏感。例如，突发之间的长间隔会干扰控制器功能，从而降低辐射源SO的性能，例如辐射源SO输出满足目标规范的辐射的能力。

辐射源SO的固有稳定性和/或受控稳定性可以例如对应于波长稳定性、带宽稳定性和/或能量稳定性。辐射源SO的固有稳定性和/或受控稳定性可以例如对应于辐射源的温度稳定性。

在生产环境中，辐射源SO的发射图案可以由光刻设备LA控制。即，光刻设备LA可以向辐射源SO传达与特定发射图案和/或所需的特定辐射剂量有关的信息和/或数据和/或参数。辐射源SO然后可以被控制和/或配置为响应于这样的信息和/或数据和/或参数而发出特定的发射图案。这样，当辐射源在光刻设备的控制下时，可以生成与辐射源的多个发射图案相对应的数据。

特定的发射图案和/或特定的辐射剂量可以与将由光刻设备LA施加到衬底的图案相关。典型地，这种要被施加到衬底的图案可以包括私有信息，例如机密的并且与要被施加到衬底的特定图案相关的信息。这样，当辐射源SO由光刻设备LA控制时，由辐射源SO生成的发射图案可以间接地包括私有信息。

在生产环境中，可能需要间歇地测试辐射源SO以确保正确和/或足够准确和/或可靠的性能。期望使用与在衬底图案化期间可以使用的发射图案相同或充分相似的发射图案来测试辐射源SO，使得以与在衬底图案化期间基本相同的方式来测试辐射源的固有稳定性和/或受控稳定性和/或使辐射源的固有稳定性和/或受控稳定性受压。

然而，由于实践和商业限制，可能不可以或不允许使用直接或间接包括用于这种测试的私有信息的发射图案数据。特别地，出于评估辐射源SO的性能的目的，可能不可以或不允许将发射图案数据传输到远离生产环境的实体，例如传输到远程服务器，这是由于发射图案数据的专有性质。

此外，在生产环境中，辐射源SO可以在服务间隔之间连续或间歇地在延长的时间段(诸如数周或数月)内处于使用。由于完成这种测试所需的时间长度，在这种延长的时间段上收集发射图案数据然后使用相同的发射图案数据来测试辐射源通常是不切实际的。

参考图3，示出了生成针对用于光刻设备210的辐射源的测试的方法。图3示出了辐射源200。辐射源200可以是例如EUV或DUV辐射源。辐射源200向光刻设备210提供射束形式的辐射205。光刻设备210可以是扫描仪。光刻设备210被配置为使用来自辐射源200的辐射205来对衬底进行图案化。光刻设备210能够被配置为产生由辐射源直接或间接图案化的衬底275。

辐射205通常被提供作为多个发射图案。辐射205可以被提供作为一个或多个发射图案，该一个或多个发射图案包括例如具有预定和/或受控特性的突发序列，如图2中所例示的。

光刻设备210向辐射源200提供至少一个控制信号215。控制信号可以包括与例如光刻设备210用于对衬底进行图案化所需的辐射剂量相对应的数据。如此，控制信号215可以由辐射源200使用以直接或间接地控制和/或限定由辐射源210发出的辐射205的(多个)发射图案。在其他实施例中，和/或在本实施例的其他操作模式中，可以由光刻设备210向辐射源200提供发射图案。即，不是辐射源200使用来自光刻设备210的控制信号215来确定和/或计算适当的发射图案，而是可以由光刻设备210将发射图案(或与发射图案直接有关的信息)提供给辐射源200。这种发射图案(或直接与发射图案有关的信息)可以由光刻设备210计算、确定或以其他方式导出，例如由光刻设备210内的处理器计算、确定或以其他方式导出。

在优选实施例中，该方法包括使用数据收集模块220。数据收集模块220可以从辐射源200收集数据225。数据225可以与由辐射源200发出的辐射205的(多个)发射图案相对应。数据收集模块220能够被通信地耦合到或能够被配置为能够被通信地耦合到辐射源210。数据收集模块220可以被集成到辐射源或光刻设备210中。

数据收集模块220被配置为向数据存储装置230提供数据235。被提供给数据存储装置230的数据235对应于由数据收集模块收集的数据225和/或从由数据收集模块收集的数据225导出。

被提供给数据存储装置230的数据235可以具有与由数据收集模块220收集的数据225相同或不同的格式。此外，在落入本发明范围内的其他实施例中，辐射源200可以被配置为或被适配为将与由辐射源200发出的辐射205的(多个)发射图案相对应的数据225直接提供给数据存储装置230。

数据存储装置230可以位于与光刻设备210相同的生产环境中。如此，所述方法的所有步骤在半导体制造设备内被原位执行。有利地，以这种方式，在生成用于辐射源200的测试的方法期间，不需要私有数据离开半导体制造设备。

在优选实施例中，数据存储装置230是或包括服务器。数据存储装置230被配置为从数据收集模块220接收数据225并将数据245传输到数据处理器240。

被传输到数据处理器240的数据245与被提供给数据存储装置230的数据225相对应。被传输到数据处理器240的数据245可以具有与被提供给数据存储装置230的数据225相同或不同的格式。在其他实施例中，数据收集模块220可以被配置为直接向数据处理器240提供或传输数据。在进一步的实施例中，辐射源可以被配置为直接向数据处理器240提供或传输数据。

从数据存储装置230传输到数据处理器240的数据245可以在数据处理器240向数据存储装置230发出请求时被传输。数据存储装置230可以被配置为存储与用于对一个或多个衬底进行图案化的(多个)发射图案相对应的数据。在优选实施例中，数据存储装置230被配置为存储与发生在辐射源200的服务间隔和/或光刻设备210的服务间隔之间的辐射源的所有或基本上所有的发射图案相对应的数据。如此，在优选实施例中，数据存储装置230可以被配置为存储与辐射源200的所有发射图案相对应的数据，该所有发射图案发生在通常跨越若干周(通常为数月)的时段内。

在优选实施例中，数据处理器240是软件产品，例如计算机程序。应当理解，在落入本发明范围内的其他实施例中，数据处理器240可以是数据处理设备，例如硬件模块。此外，数据处理器240可以被实现在数据存储装置230上。在又一实施例中，数据处理器240可以被设置在辐射源200本身内或被设置在辐射源200本身上存在的计算机程序产品内。在又一实施例中，数据处理器240可以被实现在单独的计算机上，诸如便携式计算机，例如服务工程师的膝上型计算机等。在又一实施例中，数据处理器240可以被实现在光刻设备210中。

数据处理器240被配置为分析数据245以确定用于配置用于测试辐射源200的一个或多个另外的发射图案的参数。特别地，数据处理器240被配置为：确定参数，使得辐射源200当执行使用这些参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性基本上与辐射源200当执行该多个发射图案时的稳定性相同，或在相对于辐射源200当执行该多个发射图案时的稳定性的预定界限内。此外，一个或多个另外的发射图案当由辐射源200执行时的总持续时间将小于该多个发射图案当由辐射源200执行时的持续时间。优选地，一个或多个另外的发射图案当由辐射源200执行时的总持续时间将基本上小于该多个发射图案当由辐射源200执行时的持续时间。例如，一个或多个另外的发射图案当由辐射源200执行时的总持续时间可以在数分钟或数小时的范围内。这是与数据245所基于的原始发射图案的持续时间相比较的，该持续时间可以具有在数周或甚至数月的范围内的总持续时间。辐射源200的稳定性是固有稳定性和/或主动受控稳定性。

在优选实施例中，数据处理器240生成脚本或软件程序，该脚本或软件程序使用所确定的参数来生成与该一个或多个另外的发射图案相对应的数据。在一个实施例中，数据处理器240能够被配置为使用所确定的参数来生成程序，该程序进而可以生成与用于测试辐射源200的一个或多个另外的发射图案相对应的数据。在又一实施例中，数据处理器240能够被配置为将所确定的参数提供给另一计算机，例如服务工程师的膝上型计算机。在这样的实施例中，另一计算机可以包括被适配为基于所接收的参数来生成与该一个或多个另外的发射图案相对应的数据的软件。在又一实施例中，数据处理器240能够被配置为使用所确定的参数来直接或间接地控制辐射源200以生成用于测试辐射源200的一个或多个另外的发射图案。即，所描述的方法包括配置用于计算机的程序的步骤，该程序用于利用参数控制辐射源。

在优选实施例中，数据处理器240可以被配置为生成脚本250或软件程序，该脚本或软件程序使用所确定的参数来生成与该一个或多个另外的发射图案相对应的数据，并且将脚本250提供给另外的处理器255，例如膝上型计算机，诸如现场服务工程师的膝上型计算机。在又一实施例中，数据处理器240是被安装在另外的处理器255上的软件程序，其中另外的处理器255可以被配置为直接从数据存储装置230检索数据245。

因此，应当理解，数据处理器240可以是被安装在专用计算机、数据存储装置230或另外的处理器255(诸如服务工程师的膝上型计算机)上的软件程序。此外，数据处理器240可以是被安装在辐射源200上(例如被安装在和/或位于辐射源200的计算机和/或处理器和/或存储器内)的软件程序。

所确定的参数包括以下项中的至少一项：图案的数量；独有或基本上独有的图案的数量和/或特性；图案的频率；每个图案的突发的数量；每个突发的脉冲数量；占空比信息；频率和/或幅度或相位调制信息；时间戳；辐射源标识信息；每个图案的射束能量轮廓；每个图案的射束波长分布；每个图案的射束带宽轮廓。

在优选实施例中，其中另外的处理器255可以被配置为执行脚本250，另外的处理器255被适配为耦合到辐射源200，以便控制或配置辐射源200以生成一个或多个另外的发射图案。

优选地，另外的处理器255在辐射源200或光刻设备210的服务间隔下被耦合到辐射源。如此，另外的处理器255可以被配置为当辐射源200不用于生产目的时测试辐射源200。即，当光刻设备210处于离线配置时测试辐射源200。

优选地，另外的处理器255可以被配置为在任何时间(例如不仅在辐射源200的服务间隔和/或光刻设备210的服务间隔下)测试辐射源200。即，另外的处理器255可以在任何时间被耦合到辐射源200。随后，为了测试辐射源200，光刻设备210可能需要离线。

另外的处理器255向辐射源200提供与一个或多个另外的发射图案相对应的数据260。备选地或附加地，另外的处理器255向辐射源200提供与一个或多个另外的发射图案相对应的脚本或可执行程序。

另外的处理器255被适配为从辐射源200接收数据265。数据265提供关于测试结果的信息。例如，数据265可以指示辐射源的稳定性和/或准确性。

如此，另外的处理器255可以被配置为测试辐射源200并接收数据265，该数据265可以对应于或指示辐射源210的准确性和/或可靠性和/或稳定性的水平，例如测试的成功或失败的程度。

另外的处理器255可以被配置为提供与辐射源210的准确性和/或可靠性和/或稳定性的水平相对应的数据270，数据270例如可以具有报告的形式。

上述方法可以被实现在用于生成针对用于光刻设备的辐射源的测试的系统上。例如，可以提供一种包括数据存储装置230的系统，该数据存储装置230被配置为存储与辐射源200的多个发射图案相对应的数据。该系统可以包括处理器，例如上述数据处理器240。处理器可以被可通信地耦合到数据存储设备230，并且被配置为分析数据以确定用于配置用于测试辐射源的一个或多个另外的发射图案的参数。这些参数被确定为使得辐射源200在执行使用这些参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性基本上与辐射源200在执行该多个发射图案时的稳定性相同或在相对于辐射源200在执行该多个发射图案时的稳定性的预定界限内，并且该一个或多个另外的发射图案在由辐射源200执行时的总持续时间将小于该多个发射图案在由辐射源执行时的持续时间。

如上所述，数据处理器240被配置为分析数据245以确定用于配置用于测试辐射源200的一个或多个另外的发射图案的一个或多个参数。为了示例的目的，现在参考图4、图5和图6描述对数据的分析和对参数中的一些的确定。

图4提供了表示用于三个衬底的辐射源发射图案的数据的另一示例。数据是可以类似于生产数据的人工数据，即从使用辐射源在半导体制造设备中生产的图案化衬底获取的数据。该曲线图与图2的曲线图类似。即，第一曲线图300示出了针对用于三个衬底中的每个衬底的发射图案的每个突发的脉冲数量，第二曲线图310示出了发射图案的每个突发中的脉冲的重复率，第三曲线图320示出了用于每个发射图案的每个突发的突发间隔。

从图4中可以看出，用于每个衬底的发射图案数据之间的变化非常小。即，第二曲线图310和第三曲线图320示出了几乎相同的用于三个衬底的数据。关于第一曲线图300，用于每个衬底的每个突发的脉冲数量的差通常恒定在每个突发大约50个脉冲。

由于用于三个衬底中的每个衬底的发射图案数据之间仅有微小的差异，从生成用于测试辐射源的一个或多个另外的发射图案的角度来看，该三个发射图案可以被认为是基本相同的。即，由于用于三个衬底中的每个衬底的发射图案数据之间仅有微小的差异，可以认为发射图案中的每个发射图案对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有基本相同的影响。因此，以与图4中的三个发射图案中的每个发射图案基本相同的方式影响辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性的单个发射图案或‘独有发射图案’可以被标识。

对被认为对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有基本相同影响的发射图案之间的(多个)差异进行限制的阈值可以被定义。例如，在本发明的一个实施例中，彼此相差小于每个突发的限定的和/或预定量的脉冲的发射图案可以被认为对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有基本上相同的影响，并且因此可以由‘独有发射图案’表示。

可以附加地或备选地限定与其他参数相关的其他阈值，诸如突发重复率和/或突发间隔之间的差异。即，呈现低于所限定的阈值的突发重复率和/或突发间隔之间的差异的不同发射图案可以被认为对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有基本相同的影响，并且因此可以由单个‘独有发射图案’表示。

这样的阈值可以基于例如辐射源的已知或经测量的特性(诸如辐射源的类型和/或配置、实验数据等)来限定、估计或计算。此外，可以基于主题专业知识来限定、估计、计算或以其他方式来确定这样的阈值。

因此，对独有发射图案的标识实际上是基于所限定的阈值来将发射图案分类为组或仓，这些所限定的阈值限制了在任何给定组或仓内的发射图案之间的偏差。

这在图5中被示例，其中第一曲线图400示出了用于发射图案的每个突发的脉冲数目的示例。发射图案呈现了每个突发的脉冲数目的范围从每个突发大约300到每个突发大约500个脉冲。

仅作为示例，限定了与每个突发150个脉冲的组或仓相对应的阈值。即，第一仓对应于每个突发0到149个脉冲。第二仓对应于每个突发150到299个脉冲。第三仓对应于每个突发300到449个脉冲。第四仓对应于每个突发450到599个脉冲。

发射图案的每个突发落入所限定的组或仓之一内。这在图5中的第二曲线图410中示出，其中第一曲线图410中示出的突发中的每个突发被分类成仓或组。例如，每个突发具有大约520个脉冲的第十突发对应于第四仓或组，并且每个突发具有大约280个脉冲的第二十突发对应于第二仓或组。因此，与每个突发的大范围脉冲相对应的发射图案数据可以由相对小数目的仓或组来表示。

辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性可能受到发射图案的改变的影响。然而，相对恒定或在允许限度内变化的发射图案或发射图案的部分可以被认为对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有有限的影响。即，辐射源的输出在具有近似相同特性的一定量的连续脉冲之后可以被认为具有足够的稳定性。因此，当通过生成与生产过程中使用的发射图案相同程度地影响辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性的发射图案来测试辐射源时，仅或主要集中在发射图案的改变上就足够了。

再次参考图5中的第一曲线图400，可以看出，从第三十六个突发延伸到第一百五十个突发的突发序列中的每个突发具有大约520个脉冲/每突发。即，针对序列的每个突发的脉冲数量是恒定的。参考图5中的第二曲线图410，可以看出，该序列可以被表示为或近似为仓4中的10个突发。

即，在图5中的第二曲线图410所示的示例中，10个或更多个的重复的突发的任何突发序列被限制，并且因此被有效地压缩到最大10个突发。阈值10仅仅是为了举例的目的而提供的，并且可以基于各种因素(诸如辐射源操作的条件、辐射源的类型、辐射源的配置和/或辐射源的使用年限)来变化或选择。

通过另一非限制性示例，从对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性的影响的角度来看，包括11个突发(每个突发以300个脉冲操作)的第一发射图案可以被认为与包括14个突发(每个突发290个脉冲)的第二图案相同。因此，可以生成单个‘独有发射图案’，该单个‘独有发射图案’对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有与第一发射图案和第二发射图案相同的影响。

因此，通过基于重复的相同或相似的突发图案的序列来压缩突发序列，和/或通过基于对辐射源的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有基本相同影响的图案来对发射图案或发射图案的部分进行分组或分仓，可以生成特性数据，如图5中的第二曲线图410所示。该特性数据可以被认为是‘发射图案数据的特征’。特性数据或特征对应于或包括参数，这些参数随后可以用于配置用于测试辐射源的一个或多个另外的发射图案。

图6示出了在半导体制造环境中由多个发射图案生成的特性数据或“特征”的示例。在图6的示例性数据中，数据510对应于用于22429个衬底中的总计1108个衬底的图案。数据510被示为数据包络，其中该包络对应于1108单独的发射图案，所有这些发射图案均落在所示的包络内。

在图6的示例中，10个或更多个的重复的突发的任何突发序列已经被限制，并且因此被有效地压缩到最大10个突发。即，数据510具有最多10个连续的突发，其中突发的每个节拍的脉冲落在所限定的组或仓内。组或仓已被限定为从每个突发大约150个脉冲到每个突发大约300个脉冲的范围。另外的组或仓已被限定为从每个突发大约300个脉冲到每个突发大约450个脉冲的范围。可以看出，来自用于22429个晶片中的1108个晶片的发射图案的发射图案数据落入两个所限定的组或仓内。

因此，特性数据或‘特征’520对应于或包括随后可以用于配置用于测试辐射源的一个或多个另外的发射图案的数据和/或参数，其中辐射源在执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性基本上与辐射源在执行该多个发射图案时的稳定性相同或在相对于辐射源在执行该多个发射图案时的稳定性的预定界限内，并且该一个或多个另外的发射图案在由辐射源执行时的总持续时间将小于该多个发射图案在由辐射源执行时的持续时间。这些参数可以例如与组或仓的数量和配置、和/或每个发射图案落入所限定的组或仓内的频率和持续时间相关或相对应。在另外的实施例中，这些参数可以例如涉及或对应于以下项中的至少一项：图案数量；独有图案的数量；独有图案的特性；图案的频率；每个图案的突发数量；每个突发的脉冲数量；占空比信息；频率和/或幅度和/或相位调制信息；时间戳；辐射源标识信息；每个图案的射束能量轮廓；每个图案的射束波长轮廓；每个图案的射束带宽轮廓。此外，这些参数可以基于以下项中的至少一项来确定：反复出现的相同发射图案的数量；具有在预定阈值内的特性的发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案或序列的重复频率；辐射的波长、带宽和/或能量的诱导变化；辐射源的温度的诱导变化。

预定界限与相对于辐射源的目标温度、和/或来自辐射源的辐射的目标波长和/或带宽和/或能量中的至少一者的限定偏差对应。即，当由受测试的辐射源执行时，该一个或多个另外的发射图案导致来自辐射源的输出，该输出的波长和/或带宽和/或能量与该多个发射图案的波长和/或带宽和/或能量相同，或在相对于该多个发射图案的波长和/或带宽和/或能量的限定阈值或界限内，和/或辐射源的温度与辐射源当执行该多个发射图案时的温度相同，或在相对于辐射源当执行该多个发射图案时的温度的限定阈值或界限内。

图7是示出了已经针对不同辐射源所标识的多个特征(例如先前参考图6所描述的特性数据)的数据表。例如，1号辐射源已经使用了9天。在这9天的时段内，辐射源已被用于对22000个衬底进行图案化。可以看出，30个独有发射图案已被用于对22000个衬底的90％进行图案化。

通过分析所使用的发射图案数据，如以上参考图5和图6所描述的，可以看出基于仅19个特征的参数的发射图案足以以将对辐射源1的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有与原始30个独有发射图案基本上相同的影响的方式测试1号辐射源。这种效果在图7的数据表中被描述为“压缩”。

在一些情况下，这种效果可能更显著。例如，考虑辐射源5，可以看出，在10天的时间内，辐射源5已被用于对49000个衬底进行图案化。可以看出，16773个独有发射图案已被用于对49000个衬底的90％进行图案化。

通过分析所使用的发射图案数据，如以上参考图5和图6所描述的，可以看出，基于仅17个特征的参数的发射图案足以以将对辐射源1的固有稳定性和/或主动受控稳定性具有与原始16773个独有发射图案的90％基本上相同的影响的方式测试5号辐射源。

即，数据处理器240可以被配置为分析与16773个独有发射图案相对应的数据以确定限定17个特征的参数，并且因此如上所述地使用这些参数来直接或间接地限定一个或多个另外的发射图案以测试辐射源200，使得辐射源200在执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性基本上与辐射源200当执行该多个发射图案时的稳定性相同或在相对于辐射源200当执行该多个发射图案时的稳定性的预定界限内。此外，该一个或多个另外的发射图案当由辐射源200执行时的总持续时间将小于该多个发射图案当由辐射源200执行时的持续时间。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头、集成光学系统的制造等。

虽然在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用在其他设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)的物体的任何设备的部分。这些设备通常称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管上面已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻并且可以用于其他应用，例如压印光刻。

在上下文允许的情况下，本发明的实施例可以被实现在硬件、固件、软件或它们的任何组合中。本发明的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生的，并且在这样做时可以使致动器或其他设备与物理世界相互作用。

本发明的其他方面在以下编号的条款中阐述。

1.一种生成用于辐射源的测试的方法，辐射源用于光刻设备，方法包括以下步骤：

接收与辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及

分析数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，一个或多个另外的发射图案用于测试辐射源；

其中参数被确定为：使得辐射源当执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性与辐射源当执行多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于辐射源当执行多个发射图案时的稳定性的预定界限内，

并且一个或多个另外的发射图案当由辐射源执行时的总持续时间将小于多个发射图案当由辐射源执行时的持续时间。

2.根据条款1的方法，其中辐射源的稳定性是固有稳定性。

3.根据条款1的方法，其中辐射源的稳定性是主动受控稳定性。

4.根据条款1的方法，其中辐射源的稳定性是以下项中的至少一项：波长稳定性；带宽稳定性；能量稳定性；温度稳定性。

5.根据条款1的方法，其中预定界限与相对于辐射源的目标温度、和/或来自辐射源的辐射的目标波长和/或带宽和/或能量中的至少一者的限定偏差对应。

6.根据条款1的方法，其中参数包括以下项中的至少一项：图案数量；独有图案的数量；独有图案的特性；图案的频率；每个图案的突发数量；每个突发的脉冲数量；占空比信息；频率和/或幅度和/或相位调制信息；时间戳；辐射源标识信息；每个图案的射束能量轮廓；每个图案的射束波长轮廓；每个图案的射束带宽轮廓。

7.根据条款1的方法，其中参数是基于以下项中的至少一项来确定的：

反复出现的相同发射图案的数量；具有在预定阈值内的特性的发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案或序列的重复频率；辐射的波长、带宽和/或能量的诱导变化；辐射源的温度的诱导变化。

8.根据条款1的方法，还包括以下步骤：为计算机配置程序以利用参数来控制辐射源。

9.根据条款1的方法，还包括以下步骤：控制辐射源以执行一个或多个另外的发射图案。

10.根据条款9的方法，其中辐射源在光刻设备处于离线配置时被测试。

11.根据条款1的方法，其中当辐射源在光刻设备的控制下时，与辐射源的多个发射图案相对应的数据被生成。

12.根据条款1的方法，其中方法的所有步骤在半导体制造设备内被原位执行。

13.一种计算机可读非瞬态介质，计算机可读非瞬态介质具有被存储在计算机可读非瞬态介质上的指令，指令在由计算机执行时使计算机执行生成用于辐射源的测试的方法，辐射源用于光刻设备，方法包括以下步骤：

接收与辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及

分析数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，一个或多个另外的发射图案用于测试辐射源；

其中参数被确定为：使得辐射源当执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性与辐射源当执行多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于辐射源当执行多个发射图案时的稳定性的预定界限内，并且

一个或多个另外的发射图案当由辐射源执行时的总持续时间将小于多个发射图案当由辐射源执行时的持续时间。

14.一种数据处理设备，包括存储器和处理器,该处理器被适配为执行根据条款1的方法的步骤。

15.一种用于生成用于辐射源的测试的系统，辐射源用于光刻设备，系统包括：

数据存储装置，被配置为存储与辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及

处理器，能够被通信地耦合到数据存储装置，并且被配置为：分析数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，一个或多个另外的发射图案用于测试辐射源；

其中参数被确定为：使得辐射源当执行使用参数所配置的一个或多个另外的发射图案时的稳定性与辐射源当执行多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于辐射源当执行多个发射图案时的稳定性的预定界限内，

并且一个或多个另外的发射图案当由辐射源执行时的总持续时间将小于多个发射图案当由辐射源执行时的持续时间。

16.根据条款15的系统，还包括辐射源，其中辐射源是DUV辐射源。

17.根据条款15的系统，还包括光刻设备，其中光刻设备被配置为：控制辐射源，并且生成与多个发射图案相对应的数据。

18.根据条款17的系统，其中光刻设备包括处理器或能够被通信地耦合到处理器，使得光刻设备被配置为控制辐射源以执行一个或多个第二发射图案。

19.一种生成用于辐射源的测试的方法，辐射源用于光刻设备，方法包括：

接收与辐射源的一个或多个第一发射图案相对应的第一数据；

分析第一数据以标识发射图案和/或发射图案的部分，发射图案和/或发射图案的部分在相对于其他发射图案和/或发射图案的其他部分的预定范围内影响辐射源的稳定性；以及

生成与辐射源的一个或多个第二发射图案相对应的第二数据，其中第二数据是基于对第一数据的分析。

20.根据条款19的方法，还包括：利用第二数据配置计算机程序，以利用一个或多个第二发射图案操作辐射源。

21.根据条款19的方法，其中分析第一数据包括：将第一数据分仓成离散的仓，其中离散的仓由阈值限定，辐射源的稳定性在阈值内的变化小于预定范围。

22.根据条款19的方法，其中分析第一数据包括：标识在预定范围内影响辐射源的稳定性的发射图案中的一个或多个连续部分。

23.根据条款19的方法，其中一个或多个第一发射图案在由辐射源执行时跨越第一时间段，并且一个或多个第二发射图案在由辐射源执行时跨越第二时间段，并且其中第一时间段基本上大于第二时间段。

24.根据条款19的方法，其中辐射源的稳定性是固有稳定性和/或主动受控稳定性。

25.根据条款19的方法，其中辐射源的稳定性是以下项中的至少一项：波长稳定性；带宽稳定性；能量稳定性；温度稳定性。

26.根据条款19的方法，其中第一数据对应于辐射源的使用简档。

27.根据条款19的方法，其中第一数据和/或第二数据包括一个或多个发射图案的特性，其中特性包括以下项中的至少一项：

发射图案的数量；

独有发射图案的数量；

一个或多个发射图案的频率；

每个发射图案的突发数量；

每个突发的脉冲数量；

占空比信息；

频率和/或幅度和/或相位调制信息；

一个或多个时间戳；

辐射源标识信息；

每个图案的射束能量轮廓；

每个图案的射束波长轮廓；

每个图案的射束带宽轮廓。

28.一种方法，包括：

接收输入发射图案，其中输入发射图案包括在光刻光源的操作期间由光刻光源使用的发射图案；

检测输入发射图案的重复出现的类似部分；

生成用于一个或多个测试发射图案的配置，其中测试发射图案中的每个测试发射图案表示输入发射图案的多个重复出现的类似部分；以及

将用于测试发射图案的配置存储在存储器中。

29.根据条款28的方法，其中：

测试发射图案是用于以下的发射图案：光刻光源当执行测试发射图案时的稳定性与光刻光源当执行输入发射图案的重复出现的类似部分时的稳定性基本相同，或者在相对于光刻光源当执行输入发射图案的重复出现的类似部分时的稳定性的预定界限内。

30.根据条款28的方法，还包括：

在用于辐射源的测试过程期间向辐射源提供测试发射图案。

虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离下面所阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

Claims (30)

1.一种生成用于辐射源的测试的方法，所述辐射源用于光刻设备，所述方法包括以下步骤：

接收与所述辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及

分析所述数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，所述一个或多个另外的发射图案用于测试所述辐射源；

其中所述参数被确定为：使得所述辐射源当执行使用所述参数所配置的所述一个或多个另外的发射图案时的稳定性与所述辐射源当执行所述多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于所述辐射源当执行所述多个发射图案时的稳定性的预定界限内，

并且所述一个或多个另外的发射图案当由所述辐射源执行时的总持续时间将小于所述多个发射图案当由所述辐射源执行时的持续时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射源的稳定性是固有稳定性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射源的稳定性是主动受控稳定性。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射源的稳定性是以下项中的至少一项：波长稳定性；带宽稳定性；能量稳定性；温度稳定性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定界限与相对于所述辐射源的目标温度、和/或来自所述辐射源的辐射的目标波长和/或带宽和/或能量中的至少一者的限定偏差对应。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数包括以下项中的至少一项：图案数量；独有图案的数量；独有图案的特性；图案的频率；每个图案的突发数量；每个突发的脉冲数量；占空比信息；频率和/或幅度和/或相位调制信息；时间戳；辐射源标识信息；每个图案的射束能量轮廓；每个图案的射束波长轮廓；每个图案的射束带宽轮廓。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数是基于以下项中的至少一项来确定的：

反复出现的相同发射图案的数量；具有在预定阈值内的特性的发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案的数量；重复的相同或相似发射图案或序列的重复频率；所述辐射的波长、带宽和/或能量的诱导变化；所述辐射源的温度的诱导变化。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：配置用于计算机的程序以利用所述参数来控制所述辐射源。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：控制所述辐射源以执行所述一个或多个另外的发射图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述辐射源在所述光刻设备处于离线配置时被测试。

11.根据权利要求1所述的方法，其中当所述辐射源在光刻设备的控制下时，与所述辐射源的所述多个发射图案相对应的所述数据被生成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法的所有步骤在半导体制造设备内被原位执行。

13.一种计算机可读非瞬态介质，所述计算机可读非瞬态介质具有被存储在所述计算机可读非瞬态介质上的指令，所述指令在由计算机执行时使所述计算机执行生成用于辐射源的测试的方法，所述辐射源用于光刻设备，所述方法包括以下步骤：

接收与所述辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及

分析所述数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，所述一个或多个另外的发射图案用于测试所述辐射源；

其中所述参数被确定为：使得所述辐射源当执行使用所述参数所配置的所述一个或多个另外的发射图案时的稳定性，与所述辐射源当执行所述多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于所述辐射源当执行所述多个发射图案时的稳定性的预定界限内，并且

所述一个或多个另外的发射图案当由所述辐射源执行时的总持续时间将小于所述多个发射图案当由所述辐射源执行时的持续时间。

14.一种数据处理设备，包括存储器和处理器，所述处理器被适配为执行根据权利要求1所述的方法的步骤。

15.一种用于生成用于辐射源的测试的系统，所述辐射源用于光刻设备，所述系统包括：

数据存储装置，被配置为存储与所述辐射源的多个发射图案相对应的数据；以及

处理器，能够被通信地耦合到所述数据存储装置，并且被配置为：分析所述数据以确定用于配置一个或多个另外的发射图案的参数，所述一个或多个另外的发射图案用于测试所述辐射源；

其中所述参数被确定为：使得所述辐射源当执行使用所述参数所配置的所述一个或多个另外的发射图案时的稳定性，与所述辐射源当执行所述多个发射图案时的稳定性基本上相同或在相对于所述辐射源当执行所述多个发射图案时的稳定性的预定界限内，

并且所述一个或多个另外的发射图案当由所述辐射源执行时的总持续时间将小于所述多个发射图案当由所述辐射源执行时的持续时间。

16.根据权利要求15所述的系统，还包括所述辐射源，其中所述辐射源是DUV辐射源。

17.根据权利要求15所述的系统，还包括所述光刻设备，其中所述光刻设备被配置为：控制所述辐射源，并且生成与所述多个发射图案相对应的所述数据。

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述光刻设备包括所述处理器或能够被通信地耦合到所述处理器，使得所述光刻设备被配置为控制所述辐射源以执行一个或多个所述第二发射图案。

19.一种生成用于辐射源的测试的方法，所述辐射源用于光刻设备，所述方法包括：

接收与所述辐射源的一个或多个第一发射图案相对应的第一数据；

分析所述第一数据以标识发射图案和/或发射图案的部分，所述发射图案和/或所述发射图案的部分在相对于其他发射图案和/或发射图案的其他部分的预定范围内影响所述辐射源的稳定性；以及

生成与所述辐射源的一个或多个第二发射图案相对应的第二数据，其中所述第二数据是基于对所述第一数据的分析。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括：利用所述第二数据配置计算机程序，以利用所述一个或多个第二发射图案操作所述辐射源。

21.根据权利要求19所述的方法，其中分析所述第一数据包括：将所述第一数据分仓成离散的仓，其中所述离散的仓由阈值限定，所述辐射源的稳定性在所述阈值内的变化小于所述预定范围。

22.根据权利要求19所述的方法，其中分析所述第一数据包括：标识在所述预定范围内影响所述辐射源的稳定性的发射图案中的一个或多个连续部分。

23.根据权利要求19所述的方法，其中所述一个或多个第一发射图案在由所述辐射源执行时跨越第一时间段，并且所述一个或多个第二发射图案在由所述辐射源执行时跨越第二时间段，并且其中所述第一时间段基本上大于所述第二时间段。

24.根据权利要求19所述的方法，其中所述辐射源的所述稳定性是固有稳定性和/或主动受控稳定性。

25.根据权利要求19所述的方法，其中所述辐射源的所述稳定性是以下项中的至少一项：波长稳定性；带宽稳定性；能量稳定性；温度稳定性。

26.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一数据对应于所述辐射源的使用简档。

27.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一数据和/或所述第二数据包括一个或多个发射图案的特性，其中所述特性包括以下项中的至少一项：

发射图案的数量；

独有发射图案的数量；

一个或多个发射图案的频率；

每个发射图案的突发数量；

每个突发的脉冲数量；

占空比信息；

频率和/或幅度和/或相位调制信息；

一个或多个时间戳；

辐射源标识信息；

每个图案的射束能量轮廓；

每个图案的射束波长轮廓；

每个图案的射束带宽轮廓。

28.一种方法，包括：

接收输入发射图案，其中所述输入发射图案包括在所述光刻光源的操作期间由所述光刻光源使用的发射图案；

检测所述输入发射图案的重复出现的类似部分；

生成用于一个或多个测试发射图案的配置，其中所述测试发射图案中的每个测试发射图案表示所述输入发射图案的多个所述重复出现的类似部分；以及

将用于所述测试发射图案的所述配置存储在存储器中。

29.根据权利要求28所述的方法，其中：

所述测试发射图案是用于以下的发射图案：所述光刻光源当执行所述测试发射图案时的稳定性与所述光刻光源当执行所述输入发射图案的所述重复出现的类似部分时的稳定性基本相同，或者在相对于所述光刻光源当执行所述输入发射图案的所述重复出现的类似部分时的稳定性的预定界限内。

30.根据权利要求28所述的方法，还包括：

在用于所述辐射源的测试过程期间向所述辐射源提供所述测试发射图案。

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