TWI606311B - 脈衝光束之光譜特徵控制 - Google Patents

脈衝光束之光譜特徵控制 Download PDF

Info

Publication number
TWI606311B
TWI606311B TW105117663A TW105117663A TWI606311B TW I606311 B TWI606311 B TW I606311B TW 105117663 A TW105117663 A TW 105117663A TW 105117663 A TW105117663 A TW 105117663A TW I606311 B TWI606311 B TW I606311B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
actuatable device
spectral
actuatable
optical source
actuation module
Prior art date
Application number
TW105117663A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201702760A (zh
Inventor
拉赫 阿拉瓦特
凱文 邁可 歐布萊恩
Original Assignee
希瑪有限責任公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 希瑪有限責任公司 filed Critical 希瑪有限責任公司
Publication of TW201702760A publication Critical patent/TW201702760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI606311B publication Critical patent/TWI606311B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0078—Frequency filtering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10023—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
    • H01S3/1003—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors tunable optical elements, e.g. acousto-optic filters, tunable gratings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/007—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movable or deformable optical element controlling the colour, i.e. a spectral characteristic, of the light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/104—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H01S3/121—Q-switching using intracavity mechanical devices
    • H01S3/125—Q-switching using intracavity mechanical devices using rotating prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

脈衝光束之光譜特徵控制 [相關申請案之交叉參考]
本申請案主張2015年6月26日申請的標題為「脈衝光束光譜特徵控制(Pulsed Light Beam Spectral Feature Control)」之美國臨時申請案第62/185,452號及2015年7月8日申請的題為「脈衝光束光譜特徵控制(Pulsed Light Beam Spectral Feature Control)」之美國第14/794,508號之權益，該等申請案以引用之方式全文併入本文中。
所揭示之標的物係關於控制由光學源產生之脈衝光束之光譜特徵。
對自光學源(諸如，雷射器)輸出之光束之光譜特徵或性質(例如，頻寬)之準確知識在許多科學及工業應用中至關重要。舉例而言，光學源頻寬之準確知識被用於允許控制深紫外線(DUV)光學微影中之最小特徵大小或臨界尺寸(CD)。臨界尺寸為印刷在半導體基板(亦被稱作晶圓)上之特徵大小且因此CD可能需要精細大小控制。在光學微影中，藉由由光學源產生之光束來照射基板。常常，光學源為雷射源且光束為雷射束。
在一些通用態樣中，系統控制由光學源產生之脈衝光束之光譜特徵。系統包括：耦接至該光學源之第一可致動設備之第一致動模 組，藉由該第一致動模組在值之範圍內更改該第一可致動設備從而調整該脈衝光束之光譜特徵；耦接至該光學源之第二可致動設備之第二致動模組，藉由該第二致動模組更改該第二可致動設備從而調整該脈衝光束之光譜特徵；以及連接至該第一致動模組及該第二致動模組之控制系統。控制系統經組態以：接收關於第一可致動設備之操作狀態之指示且將信號發送至第二致動模組以調整該脈衝光束之光譜特徵，從而基於第一可致動設備之操作狀態之所接收到的指示防止第一可致動設備飽和，或在第一可致動設備之操作狀態之所接收到的指示指示第一可致動設備飽和之情況下將第一可致動設備去飽和。
實施可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言，光學源可包括具有容納增益介質之腔室的氣體放電系統，該增益介質當在放電中被泵送電流脈衝時產生脈衝光束。
控制系統可經組態以：接收自該光學源輸出之該脈衝光束之光譜特徵之量測值且將信號發送至第一致動模組及第二致動模組中之一或多者，從而基於該脈衝光束之光譜特徵之所接收到的量測值而將該脈衝光束之光譜特徵調整至新值。
該光學源可為多級氣體放電系統，其中第一級為輸出脈衝種子光束之振盪器設備且第二級為接收脈衝種子光束及輸出該脈衝光束之光學擴增設備，且兩級均包括氣體放電子系統。第一致動模組可為連接至第一級及第二級以控制發送至第一級之第一觸發信號與發送至第二級之第二觸發信號之間的相對時序之時序模組。
第二致動模組可為與該脈衝光束相互作用之光譜選擇模組。光譜選擇模組可包括經組態以調整該脈衝光束之光學放大率之光學系統。光學系統可耦接至該光學源之第一級。該脈衝光束之光譜特徵可為該脈衝光束之寬度。
系統亦可包括耦接至該光學源之第三可致動設備之第三致動模 組，該第三可致動設備由第三致動模組更改從而更改該脈衝光束之另一光譜特徵。
系統可包括計量系統，其包括連接至第一致動模組且經組態以輸出關於第一可致動設備之操作狀態之指示的觀測系統。計量系統可包括經組態以量測自該光學源輸出之該脈衝光束之光譜特徵之光譜特徵單元，以及控制系統可經組態以接收該脈衝光束之光譜特徵之量測值。計量系統可與第一致動模組及控制系統分離。計量系統可經組態以接收該脈衝光束之特性。
在其他通用態樣中，用於控制光學源之方法包括接收該光學源之第一可致動設備之操作點之指示，第一可致動設備之操作點可在下限與上限之間更改從而調整由該光學源產生之脈衝光束之光譜特徵，以及當操作點在下限或上限處時第一可致動設備處於飽和狀態且當操作點在上限與下限之間時第一可致動設備處於不飽和狀態。該方法包括基於該光學源之第一可致動設備之操作點之指示判定第一可致動設備之操作點在上限與下限之間的位置；基於所判定之位置判定第一可致動設備是否處於飽和狀態；以及若判定第一可致動設備處於飽和狀態，則更改該光學源之第二、不同的可致動設備以將第一可致動設備改變至不飽和狀態且調整該脈衝光束之光譜特徵。
實施可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言，判定第一可致動設備之操作點在下限與上限之間的位置可包括判定操作點相對於上部啟動界限及下部啟動界限中之一或多者之位置，上部啟動界限及下部啟動界限在上限與下限之間。基於所判定之位置判定第一可致動設備是否處於飽和狀態可包括判定操作點是否在上部啟動界限與上限之間或在下部啟動界限與下限之間。第一可致動設備之不飽和狀態可處於上部啟動界限與下部啟動界限之間。若第一可致動設備處於飽和狀態，則該方法可包括繼續更改第二、不同的設備直至第一可致動設備 之操作點處於上部去啟動界限與下部去啟動界限之間為止，上部及下部去啟動界限在上部啟動界限與下部啟動界限之間。第一可致動設備可與在上部去啟動界限與下部去啟動界限之間的目標操作點相關聯。
第二、不同的可致動設備可包括經組態以與自該光學源發射之該脈衝光束相互作用之光學元件。僅可當該光學元件並不與該脈衝光束相互作用時更改第二、不同的可致動設備。可藉由相對於該脈衝光束之路徑移動該光學元件來更改第二、不同的可致動設備。
第一可致動設備可與在上限與下限之間的目標操作點相關聯，且可藉由比較操作點之指示與目標操作點之指示來判定第一可致動設備之操作點之位置。可更改第二、不同的可致動設備以藉由調整第一可致動設備之操作點使其更接近於目標操作點來將第一可致動設備改變至不飽和狀態。可更改第二、不同的可致動設備以藉由調整第一可致動設備之操作點使其處於去啟動界限與目標操作點之間來將第一可致動設備改變至不飽和狀態，去啟動界限處於目標操作點與上限及下限中之一者之間。可更改第二、不同的可致動設備以藉由調整第一可致動設備之操作點使其等於目標操作點來將第一可致動設備改變至不飽和狀態。
第一可致動設備之上限及下限距第一可致動設備之目標操作點可為等距的。
第一可致動設備之上限及下限距第一可致動設備之目標操作點可為不等距的。
可更改第二、不同的可致動設備使得第一可致動設備之操作點經調整至去啟動點，去啟動點處於目標操作點與上限及下限中之一者之間。
該光譜特徵可為該脈衝光束之光譜頻寬。
若第一可致動設備處於飽和狀態，則該方法可包括更改該光學 源之第三、不同的可致動設備以調整該脈衝光束之第二光譜特徵，第二光譜特徵不同於該光譜特徵。光譜特徵可包括光譜頻寬且第二光譜特徵可包括波長。由更改第二可致動設備引起之對光譜頻寬之調整可改變該脈衝光束之波長，且對第三可致動設備之更改可補償波長的改變。
第一可致動設備之上限及第一可致動設備之下限中之一或多者可包括一系列數值。
目標操作點在光學系統之使用期間可為可調整的。
該方法可包括接收由該光學源產生之該脈衝光束之光譜特徵之估計值；判定光譜特徵估計值是否在光譜特徵之目標值範圍外；以及若光譜特徵估計值在光譜特徵之目標值範圍外，則更改第一可致動設備以調整該脈衝光束之光譜特徵。
在其他通用態樣中，用於控制由光學源產生之脈衝光束之光譜特徵之系統包括第一致動模組、第二致動模組、計量系統以及控制系統。第一致動模組耦接至該光學源之第一可致動設備，藉由第一致動模組在目標值範圍內更改第一可致動設備從而更改該脈衝光束之光譜特徵。第二致動模組耦接至該光學源之第二且不同的可致動設備，第二可致動設備由第二致動模組更改從而更改該脈衝光束之光譜特徵。計量系統包括連接至至少第一致動模組且經組態以輸出指示實際值(第一可致動設備在該值下操作)與目標值之間的偏差之量度的觀測系統。控制系統連接至第一致動模組、第二致動模組以及計量系統，且經組態以：判定偏差是否大於可接受偏差，且若偏差在可接受偏差外，則將信號發送至第二致動模組以調整該脈衝光束之光譜特徵，從而調整實際值(第一可致動設備在該值下操作)使其更接近於目標值。
實施可包括以下特徵中之一或多者。舉例而言，光學源可包括具有容納增益介質之至少一個腔室的氣體放電系統，該增益介質當在 放電中被泵送電流脈衝時產生脈衝光束。
計量系統可包括經組態以量測自該光學源輸出之該脈衝光束之光譜特徵之光譜特徵單元，以及控制系統經組態以接收該脈衝光束之光譜特徵之量測值。控制系統可經組態以將信號發送至第一致動模組及第二致動模組中之一或多者以基於來自光譜特徵單元的光譜特徵之所接收到的量測值而將該脈衝光束之光譜特徵調整至新值。
控制系統可藉由判定偏差是否如此的大以至於第一致動模組不能將該脈衝光束之光譜特徵更改至新值而判定偏差是否大於可接受偏差。
該光學源可為多級氣體放電系統，其中第一級為輸出脈衝種子光束之振盪器設備且第二級為接收脈衝種子光束及輸出該脈衝光束之光學擴增設備，且兩級均包括氣體放電子系統。第一致動模組可為連接至第一級及第二級以控制發送至第一級之第一觸發信號與發送至第二級之第二觸發信號之間的相對時序之時序模組。
第二致動模組可為與該脈衝光束相互作用之光譜選擇模組。光譜選擇模組可包括經組態以調整該脈衝光束之光學放大率之光學系統。光學系統可耦接至該光學源之第一級。該脈衝光束之光譜特徵可為該脈衝光束之寬度。
系統可包括耦接至該光學源之第三可致動設備之第三致動模組，該第三可致動設備由第三致動模組更改從而更改該脈衝光束之另一光譜特徵。
在其他通用態樣中，系統包括經組態以發射脈衝輸出光束之光學源、可致動設備以及控制系統。該光學源包括位於光束路徑上之第一腔室及第二腔室，第一腔室將脈衝種子光束提供至第二腔室，第二腔室經組態以接收脈衝種子光束且發射脈衝輸出光束，且光譜選擇模組包含位於光束路徑上之至少一個可致動光學元件。可致動設備耦接至 該光學源之第一腔室及該光學源之第二腔室。可致動設備具有可調整的操作點且與目標操作點相關聯，當可調整的操作點在上限或下限處時可致動設備處於飽和狀態，且當可調整的操作點在上限與下限之間時可致動設備處於不飽和狀態。控制系統耦接至光學源及可致動設備。控制系統經組態以：存取可致動設備之可調整的操作點之值之指示；將可調整的操作點之值之所存取之指示與上限及下限進行比較；基於該比較判定可致動設備是否處於飽和狀態；以及若可致動設備處於飽和狀態，則致動光譜選擇模組之至少一個光學元件中之至少一者以將可致動設備改變至不飽和狀態。
100‧‧‧光學系統
105‧‧‧光學源/光源
107‧‧‧干擾
110‧‧‧脈衝光束/光束
115‧‧‧致動系統
120‧‧‧第一致動模組
125‧‧‧第二致動模組
130‧‧‧第一可致動設備/第一可致動組件
135‧‧‧第二可致動設備/第二可致動組件
140‧‧‧控制系統
145‧‧‧輸出設備
150‧‧‧計量系統
200‧‧‧光譜
305‧‧‧觀測系統
310‧‧‧光譜特徵單元
315‧‧‧量測單元
400‧‧‧主控振盪器
405‧‧‧種子光束/光束
410‧‧‧功率放大器
415‧‧‧輸出耦合器
420‧‧‧線中心分析模組
425‧‧‧光束修改光學系統
430‧‧‧光束傳回
510‧‧‧光束
580‧‧‧反射光柵
582‧‧‧稜鏡
584‧‧‧稜鏡
586‧‧‧稜鏡
588‧‧‧稜鏡
600‧‧‧記憶體
605‧‧‧輸入裝置
610‧‧‧輸出裝置
615‧‧‧可程式化處理器/處理器
620‧‧‧電腦程式產品
625‧‧‧計量處理系統
635‧‧‧決策處理系統
655‧‧‧致動處理系統
800‧‧‧程序/製程控制程序
805~820‧‧‧區塊
900‧‧‧封閉迴路控制程序/程序
905~915‧‧‧區塊
1000‧‧‧第三可致動設備
1005‧‧‧關係
1100‧‧‧曲線圖
1105‧‧‧操作點
1110‧‧‧下限
1115‧‧‧上限
1116‧‧‧特性曲線
1120‧‧‧特性
1123‧‧‧目標操作點
1124‧‧‧上部啟動界限/界限
1125‧‧‧致動信號
1126‧‧‧上部去啟動界限/界限
1127‧‧‧頻寬範圍
1128‧‧‧值範圍
1129‧‧‧下部去啟動界限/界限
1130‧‧‧下部啟動界限/界限
1150‧‧‧曲線圖
1155‧‧‧頻寬
圖1為包括用於控制引導至輸出設備之脈衝光束的致動系統之光學系統的方塊圖；圖2為該脈衝光束之例示性光譜之曲線圖；圖3為可以用於圖1之光學系統中之例示性計量系統之方塊圖；圖4為可用於圖1之光學系統中之例示性光學源之方塊圖；圖5為可以用於圖1之光譜特徵選擇系統中之例示性線窄化模組之方塊圖；圖6為圖1之光學系統之例示性控制系統之方塊圖；圖7為例示性輸出設備之方塊圖，該例示性輸出設備為光微影系統；圖8為用於將圖1之致動系統之第一可致動設備去飽和的例示性程序之流程圖；圖9為藉由圖1之致動系統之第一可致動設備執行之例示性封閉迴路控制程序之流程圖；圖10為補充圖8之程序之例示性處理程序控制系統之方塊圖；圖11為表徵圖1之系統之可致動設備之行為的例示性曲線圖； 圖12為用於判定可致動設備是否處於飽和狀態之例示性控制圖；以及圖13為展示用於圖10之處理程序控制系統中之關係的曲線圖。
參看圖1，光學系統100包括產生經引導至輸出設備145(諸如，圖案化晶圓上之微電子特徵之微影曝光設備，如圖7中所展示)之脈衝光束110之光學源105。儘管未展示，但光束110亦可被引導穿過置放於光學源與輸出設備145之間的光束製備系統，光束製備系統可包括修改光束110之態樣之光學元件。舉例而言，光束製備系統可包括反射或折射光學元件、光學脈衝伸展器以及光學光圈(包括自動化遮光片)。
若輸出設備為光微影系統，則其使用具有深紫外線(DUV)範圍內之波長(例如，具備248奈米(nm)或193nm之波長)的光束110。晶圓上經圖案化之微電子特徵的大小取決於光束110的波長，其中較低波長允許實現較小的最小大小。當光束110之波長為248nm或193nm時，微電子特徵之最小大小可為(例如)50nm或50nm以下。
參看圖2，由光學源105產生之脈衝光束110的光譜200(或發射光譜)含有關於光能或功率在不同波長內如何分佈的資訊。光束110之光譜200係以圖形式描繪，其中光譜強度(不一定具有絕對校準)被標繪為波長或光學頻率之函數。光譜200可被稱作光束110之光譜形狀或強度譜。光束110之光譜性質或特徵包括強度譜之任何態樣或表示。舉例而言，頻寬及波長為光束110之光譜特徵。光束110之頻寬為此光譜形狀之寬度的度量，且可依據雷射光之波長或頻率來給定此寬度。與光譜200之細節相關的任何合適的數學構造(亦即，量度)可用於估計表徵光束之頻寬的值。舉例而言，在光譜形狀之最大峰值強度之一部分(X)處的光譜的全寬(被稱作FWXM)可用於表徵光束頻寬。作為另一 實例，含有積分光譜強度(被稱作EY)之一部分(Y)的光譜的寬度可用於表徵光束頻寬。
在光學源之操作期間，各種干擾107(諸如，溫度梯度、壓力梯度、光學畸變、操作條件之改變等)作用於光學源105及光束110上，以修改光束110之光譜特徵。由於干擾107，在輸出設備處光束110之實際光譜特徵(諸如，頻寬或波長)可不對應於在輸出設備145處所要之光譜特徵，或不與該光譜特徵匹配。因此，在操作期間，藉由根據光譜估計量度之值來量測或估計光束110之實際光譜特徵(諸如，特性頻寬)。操作者或自動化系統(例如，回饋控制器)可使用經量測或估計之頻寬以使用致動系統115來調整光學源105之性質，且調整光束110之光譜。
因此，光學系統100包括致動系統115，其包括兩個或兩個以上致動模組(諸如，第一致動模組120與第二致動模組125)，該等致動模組經耦接至光學源105之各別兩個或兩個以上可致動設備(諸如，各別第一可致動設備130與第二可致動設備135)，且由控制系統140控制。藉由第一致動模組120(在控制系統140之控制下)來更改第一可致動設備130以調整脈衝光束110之光譜特徵，且藉由第二致動模組125(在控制系統140之控制下)來更改第二可致動設備135以調整脈衝光束110之光譜特徵。以此方式，可校正此等干擾107對於光束110之影響。
有可能且有時有必要組態光學系統100以使得相較於第二可致動設備135，第一可致動設備130能夠較快速地及/或在較精細調節範圍內起作用，從而實現對光束110之光譜特徵的調整。
若第一可致動設備130變得飽和，此意謂其不能夠調整光束110之光譜特徵(即使其在第一致動模組120之控制下經更改)，則干擾107之影響將並未經完全或充分校正，且在輸出設備處之光譜特徵將不被充分校正或調整。光學系統100包括計量系統150，其可包括用於觀測或 量測光學系統100之特性的一或多個子系統。控制系統140及計量系統150以組合形式工作，以尤其判定第一可致動設備130是否處於飽和狀態，且若第一可致動設備130處於飽和狀態，則在光學系統100之操作期間(例如，在光學系統100正產生經引導至輸出設備145之光束110，或在光學源105之操作期間光束110之叢發或脈衝之間時)，將第一可致動設備130去飽和而不必關閉光學源105。在經去飽和之後，第一可致動設備130能夠調整光束110之光譜特徵。當第一可致動設備130飽和(此意謂其不能夠調整光束110之光譜特徵，如上文所論述)時或當第一可致動設備130接近飽和時，第一可致動設備130被認為係處於飽和狀態，判定第一可致動設備130是否處於飽和狀態之實例在下文中(例如)參照圖8及9加以論述。
替代或另外地，控制系統140及計量系統150可以組合形式工作，以尤其不斷判定第一可致動設備130是否處於飽和狀態，且若第一可致動設備130處於飽和狀態，則調整該光學源105(諸如，第一致動模組120)之態樣，從而不斷重新定位或重設第一可致動設備130(例如，藉由調整第一可致動設備130之操作狀態或操作點)以使得其不變得飽和。
亦參看圖3，計量系統150包括經組態以觀測與第一致動模組120相關聯之特性的觀測系統305。觀測系統305可經組態以觀測與光學系統100之一或多個其他組件(諸如，光學源105及輸出設備145)相關聯之特性，如下文更詳細地論述。觀測系統305經組態以輸出指示實際值(第一可致動設備130在該值下操作)與目標值之間的偏差的量度(其由控制系統140接收)。此量度指示第一可致動設備130是否能夠在關於目標值的值範圍內經更改。一般而言，可藉由第一致動模組120在關於目標值的值範圍內更改第一可致動設備130。此目標值經選擇以使得第一可致動設備130能夠保持在某一位置中，在該位置處可在第 一可致動設備130之範圍內調整第一可致動設備130以調整光束110之光譜特徵。
如圖3中所展示，計量系統150亦包括經組態以量測自該光學源105輸出之脈衝光束110之光譜特徵的光譜特徵單元310。
控制系統140連接至第一致動模組120、第二致動模組125以及計量系統150。控制系統140與特定組件(諸如，計量系統150)之間的連接可為有線連接或可為無線且非接觸連接。
控制系統140經組態以判定由觀測系統305判定之量度所指示之偏差是否大於可接受偏差。若偏差在可接受偏差外，則控制系統140將信號發送至第二致動模組125以調整該脈衝光束110之光譜特徵。第二致動模組125對該脈衝光束110之光譜特徵之調整引起對第一可致動設備130正操作於的實際值之調整使其更接近於目標值。
另外，控制系統140經組態以判定來自光譜特徵單元310之光譜特徵之量測值是否足夠接近於光譜特徵之所要或參考值。若經量測之光譜特徵不足夠接近於參考值，則控制系統140可將信號發送至第一致動模組120及第二致動模組125中之一或多者以將光譜特徵調整至更接近於參考值的新值。在一些實施中，控制系統140將信號發送至第一致動模組120以實現對光譜特徵的調整或改變。以此方式，光譜特徵(例如，頻寬)係處於使用第一致動模組120的封閉迴路控制下。
如上文所論述，使用第二致動模組125對該脈衝光束110之光譜特徵之調整引起對第一可致動設備130操作於的實際值之調整使其更接近於目標值。此情況發生的原因係藉由第二致動模組125調整光譜特徵，且對光譜特徵之相關聯的調整影響在光譜特徵單元310處所量測之光譜特徵之值。此又引起控制系統140將信號發送至第一致動模組120以調整光譜特徵，且如此一來，第一可致動設備130操作於的實際值移動接近目標值。換言之，第一可致動設備130及第二可致動設備 135兩者彼此串聯，此意謂當一者之值或設定改變時，接著第二者之值或設定改變且兩者均用來改變光譜特徵。因此，有可能使用對第二者之調整來控制一者之範圍或值(如上文以及下文所論述)。
以此方式，藉由不斷調整第一可致動設備130操作於的實際值使其更接近於目標值及/或藉由調整第一可致動設備130經組態以操作於的可能值之範圍使之更加遠離飽和狀態，因此減小飽和事件之幾率，避免了第一可致動設備130之飽和。第一可致動設備130之飽和可出現在光學系統100之正常使用期間。當出現第一可致動設備130之飽和時，光學系統100就不能提供對光束110之光譜特徵之充分快速或精細控制，且此導致光譜特徵之不穩定且降低輸出設備之效能。
除控制光譜特徵(諸如，頻寬)之外，亦可例如藉助於使用第二致動模組125的封閉迴路控制來控制另一光譜特徵(諸如，波長)。
參看圖4，例示性光學源105為產生作為光束110之脈衝雷射束的脈衝雷射源。如圖4之實例中所展示，該光學源105為多級(例如，二級)雷射系統，其包括將種子光束405提供至功率放大器(PA)410之主控振盪器(MO)400。主控振盪器400通常包括增益介質(其中發生擴增)及光學回饋機構(諸如，光學諧振器)。功率放大器410通常包括增益介質，其中當以來自主控振盪器400之種子雷射束為種子時發生擴增。若功率放大器410經設計為再生環形諧振器，則將其描述為功率環形放大器(PRA)，且在此狀況下，可由環形設計提供足夠光學回饋。主控振盪器400允許實現在相對低輸出脈衝能量(當與功率放大器410之輸出相比時)下對光譜參數(諸如，中心波長及頻寬)之精細調節。功率放大器410自主控振盪器400接收輸出(種子光束405)且放大此輸出以達到供輸出以用於輸出設備145中(例如，用於光微影)之必要功率。
主控振盪器400包括具有兩個細長電極之放電腔室、充當增益介 質之雷射氣體、用於在電極之間循環氣體的風扇。雷射諧振器形成於放電腔室之一側上之第二可致動設備135(其充當光譜特徵選擇系統)與放電腔室之第二側上之輸出耦合器415之間。該光學源105亦可包括線中心分析模組(LAM)420，其自輸出耦合器415接收輸出且提供圖1及3中所展示之計量系統150之其他量測單元315中之一者。該光學源105亦可包括一或多個光束修改光學系統425，其按需要修改種子光束405或脈衝光束110之大小及/或形狀。
線中心分析模組420為可用以量測種子光束405或脈衝光束110之波長(例如，中心波長)的一種類型之量測單元315之實例。
用於放電腔室中之雷射氣體可為用於產生大約為所需波長及頻寬之雷射束的任何合適之氣體(舉例而言，雷射氣體可為氟化氬(ArF)，其發射波長約為193nm之光；或氟化氪(KrF)，其發射波長約為248nm之光)。
功率放大器410包括功率放大器放電腔室，且若功率放大器410為再生環形放大器，則功率放大器亦包括光束傳回(諸如，反射器)430，其將光束傳回(例如，經由反射)至放電腔室中以形成循環且環形路徑(其中至環形放大器中之輸入與至環形放大器之外的輸出相交)。功率放大器放電腔室包括一對細長電極、充當增益介質之雷射氣體以及用於在電極之間循環氣體之風扇。藉由反覆地穿過功率放大器410來放大種子光束405。由主控振盪器400之組態判定種子光束405之光譜特徵，且可藉由調整在主控振盪器400內產生之光束510來調整此等光譜特徵。光束修改光學系統425提供耦合入種子光束405及耦合出來自功率放大器410之經放大輻射之一部分以形成輸出光束110的方式(例如，部分反射鏡面)。
線中心分析模組420監測主控振盪器400之輸出之波長。線中心分析模組420可置放在光學源105內之其他位置處或其可置放在光學源 105之輸出處。
第二可致動設備135(其充當光譜特徵選擇系統)自光學源105之主控振盪器400接收光束510，且藉由基於來自控制系統140之輸入精細地調節光束510之光譜特徵來精細地調節由光學源105產生之光束110之光譜輸出。亦參看圖5，展示耦合至來自該光學源105之光的例示性第二可致動設備135。在一些實施中，第二可致動設備135自主控振盪器400接收光束510以允許實現對主控振盪器400內之光譜特徵(諸如，波長及頻寬)之精細調節，從而調整種子光束405之此等光譜特徵。
在圖5之實施中，第二可致動設備135包括光學系統之一或多個光學特徵。在此實例中，光學系統包括以下光學特徵：反射光柵580及折射光學元件，諸如稜鏡582、584、586、588，其中之一或多者可為可旋轉的。光學特徵中之至少一者(例如，稜鏡582)經組態以調整所產生的光束110之特定特性，從而藉由調整主控振盪器400內之光束510之光學特徵來調整光束110之光譜特徵。每一光學特徵均藉由耦合至主控振盪器400之光束510而光學耦合至由該光學源105產生之光束110。
第二致動模組125可為用於移動或控制光學系統之光學特徵(諸如，稜鏡582)以改變光束510之光譜特徵的機械裝置(其改變種子光束405之光譜特徵，此改變自該光學源105輸出之光束110之光譜特徵)。第二致動模組125自控制系統140接收信號，且將彼信號轉化成賦予至光學系統之光學特徵(例如，稜鏡582)之某種運動。舉例而言，第二致動模組125可包括一或多個力裝置(從而將力施加至諸如光柵之光學特徵之區域)及用於旋轉稜鏡中之一或多者(諸如，稜鏡582)之旋轉台。舉例而言，第二致動模組125可包括馬達，諸如步進馬達、閥門、壓力控制式裝置、壓電裝置、線性馬達、液壓致動器、音圈等。在此實例中，第二可致動設備135為稜鏡582，且稜鏡582之旋轉調整 照射於光柵580上之光束510之光學放大率，且此又引起光束510之頻寬的改變。
在圖4之實例中，第一可致動設備130為連接至第一級(主控振盪器400)及第二級(功率放大器410)以控制發送至主控振盪器400之第一觸發信號與發送至功率放大器410之第二觸發信號之間的相對時序的時序模組。例示性時序模組展示且描述於美國專利第7,830,934號及第7,203,216號中，該等專利兩者均以引用之方式全文併入本文中。藉由調整兩個觸發信號之間的相對時序，可控制光束110之光譜特徵(諸如，頻寬)。特定而言，來自主控振盪器400之種子光束405應在功率放大器410內之雷射氣體中的粒子數反轉的時間期間穿過功率放大器410之放電區域，以使得種子光束405之擴增可發生在功率放大器410內。因此，有可能藉由延遲種子光束405之脈衝，自功率放大器410輸出之光束110之頻寬減小，取決於此，功率放大器410之雷射氣體中的粒子數反轉。一般而言，種子光束405之脈衝在主控振盪器400中保持的時間愈長，由功率放大器410輸出之光束110之頻寬將愈窄。因此，至主控振盪器400之觸發信號與至功率放大器410之觸發信號之間的相對時序致動可用於控制光束110之頻寬。
由於對於每一雷射光脈衝此等觸發信號之間的相對時序可改變，因此相較於藉由第二致動模組125所提供之方法，此類控制提供控制光譜特徵之較精細調節及較快速的方法，藉由第二致動模組125所提供之方法受可多麼快速地實體地移動光束510之路徑上之光學特徵約束。
共同地，兩個可致動設備130、135之間的此類協調及合作可由控制系統140用以將一或多個光譜特徵(諸如，波長或頻寬)保持或維持在所要設定點處或至少在環繞設定點之所要範圍內，即使光學源105可經受各種各樣的干擾107。
參看圖6，提供關於控制系統140之細節，該等細節係關於本文中所描述的系統及方法之各態樣。控制系統140可包括圖6中未展示之其他特徵。一般而言，控制系統140包括數位電子電路、電腦硬體、韌體以及軟體中之一或多者。
控制系統140包括記憶體600，其可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體。適合於有形地體現電腦程式指令及資料之儲存裝置包括所有形式之非揮發性記憶體，包括例如半導體記憶體裝置，諸如EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置；磁碟，諸如內部硬碟及抽取式磁碟；磁光碟；以及CD-ROM光碟。控制系統140亦可包括一或多個輸入裝置605(諸如，鍵盤、觸控螢幕、麥克風、滑鼠、手持式輸入裝置等)及一或多個輸出裝置610(諸如，揚聲器或監視器)。
控制系統140包括一或多個可程式化處理器615以及有形地體現於機器可讀儲存裝置中的用於由可程式化處理器(諸如，處理器615)執行之一或多個電腦程式產品620。一或多個可程式化處理器615各可執行指令程式以藉由對輸入資料進行操作且產生適當之輸出來執行所要功能。一般而言，處理器615自記憶體600接收指令及資料。可藉由經專門設計之ASIC(特殊應用積體電路)來補充前文中的任一者，或前文中的任一者可併入於經專門設計之ASIC(特殊應用積體電路)中。
舉例而言，控制系統140包括計量處理系統625、決策處理系統635以及致動處理系統655(其可包括用於與致動模組120、125中之每一者介接之子系統)。此等處理系統中之每一者可為由一或多個處理器(諸如，處理器615)執行之一組電腦程式產品。
計量處理系統625自計量系統150之觀測系統305、光譜特徵單元310以及其他量測單元315中之每一者接收輸出。決策處理系統635自計量處理系統625接收輸出且判定需要啟動哪一致動子系統。
儘管圖6中僅展示幾個處理系統，但控制系統140有可能包括其他處理系統。另外，儘管控制系統140被表示為方框，所有組件看起來被共置於其中，但控制系統140有可能係由實體上彼此遠離之組件組成。
一般而言，控制系統140自計量系統150接收關於光束110之至少一些資訊，且計量處理系統625對資訊執行分析以判定如何調整供應至輸出設備145之光束110的一或多個光譜特徵(例如，頻寬)。基於此判定，控制系統140將信號發送至致動處理系統655以控制光學源105之操作。
第一致動模組120與第二致動模組125包括呈韌體與軟體之任何組合形式的電子器件。
參看圖7，微影曝光設備145包括光學配置，其包括具有(例如)一或多個聚光器透鏡、遮罩以及物鏡配置的照明器系統。遮罩可沿著一或多個方向(諸如，沿著光束110之光軸或在垂直於光軸之平面中)移動。物鏡配置包括投影透鏡，且使得能夠發生自遮罩至晶圓上之光阻的影像傳送。照明器系統調整光束110照射於遮罩上之角度的範圍。照明器系統亦均勻化(使變得均一)跨越遮罩之光束110的強度分佈。微影曝光設備145可包括微影控制器、空氣調節裝置以及各種電組件之電源供應器，以及其他特徵。微影控制器控制層如何被印刷在晶圓上。
藉由光束110來照射晶圓。製程程序或配方判定晶圓上之曝光的長度、所使用的遮罩，以及影響曝光的其他因素。在微影期間，光束110之複數個脈衝照明晶圓的相同區以形成照明劑量。光束110之照明相同區的脈衝數N可被稱作曝光窗口或狹縫，且此狹縫之大小可係由置放在遮罩之前的曝光狹縫控制。在一些實施中，N之值為幾十，例如自10至100個脈衝。在其他實施中，N之值大於100個脈衝，例如自 100至500個脈衝。遮罩、物鏡配置以及晶圓中之一或多者可在曝光期間相對於彼此移動，以跨越曝光場掃描曝光窗口。曝光場為在曝光狹縫或窗口之一個掃描中經曝光之晶圓的區。
參看圖8及圖9，在光譜特徵(在此實例中，頻寬)受到使用第一可致動設備130的封閉迴路控制程序900(圖9)時，光學系統100執行製程控制程序800(圖8)以將第一可致動設備130去飽和。在描述程序800、900時，參看圖10之製程控制圖。
在光學系統100之操作期間，執行封閉迴路控制程序900以大體上控制自光學源105輸出之脈衝光束110的頻寬。程序900包括接收由光學源105產生之脈衝光束110之頻寬的估計值(905)，且判定估計之頻寬是否在光譜特徵之參考值的範圍外(910)。若頻寬估計值在光譜特徵之參考值的範圍外(910)，則更改第一可致動設備130以調整該脈衝光束110的頻寬(915)。頻寬之參考值的範圍可為複數個參考值的實際範圍，或其可為單個參考值。
如上文所論述，在封閉迴路控制程序900期間(亦即，在正常使用期間)，第一可致動設備130有可能變得飽和或遭受有限範圍。此意謂第一可致動設備130不能夠調整光束110之頻寬，即使其在第一致動模組120之控制下經更改。因此，干擾107將不被完全或充分校正，且在輸出設備145處光束110的頻寬將不被充分校正或調整。
為了將第一可致動設備130維持在其完整範圍中(此意謂第一可致動設備130可在頻寬之所要範圍內修改光束110的頻寬)，執行程序800。程序800使用第二可致動設備135，其與第一可致動設備130串聯以使得使用第二可致動設備135來調整頻寬對第一可致動設備130可被調整的範圍具有影響。
光學系統100接收第一可致動設備130之操作點的指示(805)。舉例而言，控制系統140可自計量系統150之觀測系統305接收第一可致 動設備130之操作點的指示。在一些實施中，控制系統140可基於自計量系統150接收到的資料來計算或判定操作點的指示。第一可致動設備130的操作點表徵第一可致動設備130當前正在可能的設定、值或條件範圍內的何處操作。光學系統100基於第一可致動設備130之操作點之所接收到的指示來判定第一可致動設備130之操作點的位置(810)。
亦參看圖11，展示表徵第一可致動設備130之例示性曲線圖1100及1150。曲線圖1100展示指示第一可致動設備130如何操作之光學系統100之觀測到的特性1120(如由觀測系統305提供)(垂直軸)相對於經提供至第一致動模組120以控制第一可致動設備130且因此控制光束110之頻寬的致動信號1125(水平軸)之間的關係。
曲線圖1100亦展示第一可致動設備130之操作點1105。操作點1105為在特定時間執行個體處第一可致動設備130之操作點。可因此認為操作點1105為第一可致動設備130之實際、經判定或經量測之操作點。操作點1105可沿著將設備130之觀測到的特性1120與提供至模組120之致動信號1125關聯的特性曲線1116而在下限1110與上限1115之間更改(可經改變或調整)。下限1110及上限1115可為第一可致動設備130之完整操作範圍，或下限1110及/或上限1115可為在設備130之完整操作範圍內的界限，如在下文中且參照圖12較全面地論述。
在曲線圖1100中所展示之實例中，特性曲線1116在上限1115與下限1110之間為線性的。亦即，在上限1115與下限1110之間在觀測到的特性1120與致動信號1125之間存在線性關係。然而，在其他實例中，特性曲線1116可比線性形狀更為複雜。在圖11之實例中，致動信號1125為差分時序信號(其論述於上文中)。在下文中更詳細地論述觀測到的特性1120。
圖11之曲線圖1150展示在程序900期間光譜特徵(在圖11之實例中，頻寬1155)如何相對於提供至第一致動模組120以控制第一可致動 設備130之致動信號1125(水平軸)改變。在所展示之實例中，光譜特徵(頻寬1155)在對應於致動信號1125之值範圍1128的頻寬範圍1127內變化。藉由沿著特性曲線1116調整第一可致動設備130之操作點1105，調整脈衝光束110之光譜特徵(在圖11之實例中，頻寬)。
當第一可致動設備130飽和時，第一可致動設備130不能夠調整光束110之頻寬。當第一可致動設備130處於飽和狀態時，設備130可不能夠調整頻寬(亦即，設備130可為飽和的)或設備130可能夠僅引起對光束110之頻寬的有限調整(亦即，設備130接近飽和)。當判定第一可致動設備130處於飽和狀態時，程序800將第一可致動設備130去飽和或改變成不飽和狀態以使得其能夠繼續調整光束110之光譜特徵。當處於不飽和狀態時，第一可致動設備130可將頻寬調整至頻寬範圍1127內之任何值。另外，程序800可在光學源105處於操作中時且不必停止該光學源105或拆卸該光學源105之任何部分將第一可致動設備130去飽和。
光學系統100基於在810處所判定之位置來判定第一可致動設備130是否處於飽和狀態(815)。若第一可致動設備130處於飽和狀態(815)，則光學系統100更改第二且不同的可致動設備135以將第一可致動設備130改變至不飽和狀態且調整該脈衝光束110之光譜特徵(820)。
如上文所論述，當處於飽和狀態時，第一可致動設備130無法對頻寬進行調整或僅可對頻寬進行有限的調整。舉例而言，當操作點1105處於或高於上限1115或處於或低於下限1110時，可判定第一可致動設備130處於飽和狀態。在此實例中，可藉由更改第二可致動組件135以使得操作點1105處於上限1115與下限1110之間而將第一可致動設備130改變至不飽和狀態。不飽和狀態可為上限1115與下限1110之間的可能操作點中的任一者，且可包括上限1115與下限1110之間的所 有或少於所有可能操作點。
在例示性實施中且參看圖8、圖11以及圖12，在(810)處，控制系統140(例如，計量處理系統625)可判定操作點1105相對於上部啟動界限1124及下部啟動界限1130中之一或多者之位置。上部啟動界限1124及下部啟動界限1130亦展示於圖12中，圖12為包括可用以判定操作點1105之位置及/或第一可致動設備130是否處於飽和狀態之例示性界限或臨限值的控制圖。例示性界限及臨限值包括上限1115與下限1110之間的各種界限及臨限值，此係由於即使當第一可致動設備130並非真正飽和且仍可對光譜特徵進行調整時亦可認為第一可致動設備130處於飽和狀態。包括在上限1115及下限1110內之界限及臨限值可確保在達至飽和之前調整第一可致動設備130且因此第一可致動設備130永不變得飽和。
在圖12中所展示之實例中，上部啟動界限1124及下部啟動界限1130在上限1115與下限1110之間。控制系統140(例如，計量處理系統625)基於操作點1105是否在上部啟動界限1124與下部啟動界限1130之間而判定第一可致動設備130是否處於飽和狀態(815)。若操作點1105處於或高於上部啟動界限1125或處於或低於下部啟動界限1130，則認為第一可致動設備130處於飽和狀態。若第一可致動設備130之操作點1105在上部啟動界限1124與下部啟動界限1130之間，則認為第一可致動設備130處於不飽和狀態。若第一可致動設備130處於飽和狀態，則更改第二可致動設備135以將第一可致動設備130改變至不飽和狀態。
由於上部啟動界限1124及下部啟動界限1130在上限1115與下限1110之間，因此上部啟動界限1124及下部啟動界限1130可用於例如當設備130仍能夠對光譜特徵執行有限調整時但在可致動設備130變得如此飽和以至於其根本不能調整光譜特徵之前將第一可致動設備130去飽和。
另外，在一些實施中，當判定第一可致動設備130處於飽和狀態時，可更改第二可致動設備135直至第一可致動設備130之操作點1105在上部去啟動界限1126與下部去啟動界限1129之間為止。上部去啟動界限1126及下部去啟動界限1129在上部啟動界限1124與下部啟動界限1130之間(上部啟動界限1124及下部啟動界限1130在上限1115與下限1110之間)。由於上部啟動界限1124及下部啟動界限1130在此實例中用於界定飽和狀態(亦即，當操作點1105高於上部啟動界限1124或低於下部啟動界限1130時，判定設備130處於飽和狀態)，因此下部去啟動界限1129及上部去啟動界限1126界定完全在對應於不飽和狀態之操作點範圍內之範圍。因此，藉由更改第二可致動設備135直至操作點1105在下部去啟動界限1126與上部去啟動界限1129之間為止，改變第一可致動設備130以使其完全處於不飽和狀態內且可更可能保持處於不飽和狀態。
第一可致動設備130可與目標操作點1123相關聯。目標操作點1123可為已知第一可致動設備130最佳執行之操作點。舉例而言，目標操作點1123可為對應於致動信號之操作點，當將該致動信號提供至第一可致動設備130時使得光學源105及/或光學源105之組件以在該光學源105之當前操作條件下使得光束110具有最大功率的方式執行。目標操作點1123可在上限1115與下限1110之間的任何地方。舉例而言，目標操作點1123可為由上限1115及下限1110界定之值範圍的中心點。
在包括上部啟動界限1124及下部啟動界限1130之實施中，界限1124及1130可以目標操作點1123為中心，其中上部啟動界限1124及下部啟動界限1130距目標操作點1123等距。然而，目標操作點1123可在上部啟動界限1124與下部啟動界限1130之間的任何位置處。
在使用上部去啟動界限1126及下部去啟動界限1129之實施中，目標操作點1123距上部去啟動界限1126及下部去啟動界限1129可為等距 的，或目標操作點1123可更接近於界限1126、1129中之一者(相較於另一者)。
上部啟動界限1124與下部啟動界限1130及/或上部去啟動界限1126與下部去啟動界限1129可基於目標操作點1123經設定或相對於目標操作點1123經判定。亦即，在一些實施中，此等界限可經設定或判定成與目標操作點1123相距特定距離，以使得更改第二可致動設備135以將第一可致動組件130改變為處於不飽和狀態具有移動第一可致動設備130之操作點1105使其更接近於目標操作點1123的效果。在一些實施中，移動第一可致動組件130之操作點1105直至其等於目標操作點1123為止。
此外，在一些實例中，使用目標操作點1123執行第一可致動組件130是否處於飽和狀態之判定。舉例而言，可藉由自表示操作點之數值減去表示目標操作點1123之數值來彼此比較第一可致動設備130之操作點1105與目標操作點1123以判定操作點1105與目標操作點1123多麼接近。彼差異之量值可與預定臨限值相比較。若該差異之量值超出臨限值，則判定第一可致動設備130處於飽和狀態及更改第二可致動設備135，此導致第一可致動設備130之操作點1105移動從而更接近於目標操作點1123且第一可致動設備改變至不飽和狀態。
目標操作點1123可為經校準、經由測試第一可致動設備130以實驗方式判定或根據對第一可致動設備之過去的使用而判定的值。另外，目標操作點1123可取決於在該光學源105之操作期間保持恆定的光源105之物理特性(諸如，主控振盪器400之幾何形狀或功率放大器410之幾何形狀)及/或在該光學源105之操作期間可改變的該光學源105之操作條件。因此，目標操作點1123在光源105之操作期間可改變。在此等實例中，可由該光學源105之操作者調整或改變目標操作點1123，或可藉由自動化處理程序調整或改變目標操作點1123。另 外，在啟動界限1124、1130及/或去啟動界限1126、1129係基於目標操作點1123之實施中，此等界限亦可在該光學源105之操作期間改變。
因此，程序800允許在光學源105之操作期間改變、調整及/或控制第一可致動設備130之操作點1105以防止或減少發生第一可致動設備130不能調整光譜特徵的情形。
如上文所論述，當判定第一可致動設備130處於飽和狀態時，更改第二可致動設備135以將第一可致動設備130改變至不飽和狀態。更改第二可致動設備135可包括使得第二致動組件130移動與光束110相互作用之光學特徵(諸如，圖5之稜鏡582)。移動稜鏡582使得光束110之光譜頻寬改變。然而，移動稜鏡582亦可使得不同的光譜特徵(諸如，光束之波長)改變。為了補償此波長改變，可更改不同於第一可致動設備130與第二可致動設備135兩者的第三可致動設備1000(其展示於圖10中)以調整光束110之波長。以此方式，可控制第三可致動設備1000以補償當更改第二可致動設備135以將第一可致動設備130去飽和時可發生的其他光譜特徵(諸如，波長)的改變。
在該光學源105處於操作中且產生光束110時可執行程序800。如上文所示，更改第二可致動設備135以將第一可致動設備130去飽和可使得光束110之其他光譜特徵改變。為了使更改第二可致動設備135對於光束之光譜特徵之影響最小化，同時在該光學源105處於操作狀態時仍執行程序800，在一些實施中，僅當第二可致動設備135並不與光束110相互作用時更改該第二可致動設備135。舉例而言，光束110可為脈衝光束，且可限制第二可致動設備135使得僅在光束110之脈衝之間更改第二可致動設備135。在另一實例中，光束110可為包括由無光之時間週期分離的許多(例如，數百)光脈衝之叢發的脈衝光束。在此等實例中，僅在該等叢發之間的無光之週期期間更改第二可致動設備 135。在光束110為包括光脈衝之叢發的脈衝光束的一些實例中，僅在發生於叢發之間或叢發內之脈衝之間的無光之週期期間更改第二可致動設備135。
無論如何，在光學源105處於操作中且產生光束110時更改第二可致動設備130。因此，儘管出於將第一可致動設備130改變至不飽和狀態的目的而更改第二可致動設備135在一些實施中受限於光不與第一可致動設備130相互作用的時間週期，但此等時間週期為與在該光學源105處於操作狀態時所產生之光束的類型相伴的時間週期，而非藉由自操作移除光源105所產生的時間週期。
參看圖10，在例示性實施中，控制系統140(例如，計量處理系統625)可判定操作狀態或點1105之位置(810)且可藉由比較在前一叢發期間操作點1105之平均或均值(在圖10中標記為MPOP叢發平均值)與目標操作點(在圖10中標記為MPOP目標)以判定彼叢發的操作點的誤差(在圖10中標記為MPOP叢發平均值誤差)而判定第一可致動設備130是否處於飽和狀態(815)。控制系統140(例如，決策處理系統635)可查看操作點的平均誤差與致動信號之間的預定關係(方框1005)且使用彼關係以判定在820處發送至第二致動模組125之信號。
替代地，控制系統140有可能將操作點1105之單個值與目標操作點進行比較以判定操作點的誤差。
例示性關係1005展示於圖13中，其中沿著水平軸展示操作點的平均誤差且以垂直軸展示致動信號。在此實例中，存在中心不感帶(deadband)(或中性)區域，其中平均誤差改變但致動信號不可更改，存在此區域以防止第二致動模組125之振盪或重複的啟動-去啟動循環。另外，存在在不感帶區域側面之兩個滯後區域；在此等區域中，基於操作點之平均誤差之先前值判定輸出至第二致動模組125之致動信號之值。
在其他實施中，第二可致動設備135為除稜鏡582以外的光學特徵。舉例而言，第二可致動設備135可為光柵580且第二致動模組125可使得光柵580改變其形狀，從而改變光束510之光譜特徵。作為另一實例，第二可致動設備135可為置於光束510、405、110中的任一者之路徑中的一或多個可調整的光圈。作為另一實例，第二可致動設備135可為光學裝置，諸如光柵580或稜鏡582、584、586、588中之一者(或置於光束510、405或110之路徑中的另一光學元件)；且第二致動模組125可使得此類光學元件快速改變其方向以遞色或振盪光束110之中心波長，從而改變瞬時頻寬，以使得該頻寬相較於在輸出設備145處之瞬時頻寬顯得較寬或較窄。
其他實施處於以下申請專利範圍之範疇內。
100‧‧‧光學系統
105‧‧‧光學源
107‧‧‧干擾
110‧‧‧脈衝光束/光束
115‧‧‧致動系統
120‧‧‧第一致動模組
125‧‧‧第二致動模組
130‧‧‧第一可致動設備
135‧‧‧第二可致動設備
140‧‧‧控制系統
145‧‧‧輸出設備
150‧‧‧計量系統

Claims (17)

  1. 一種用於控制由一光學源(optical source)產生之一脈衝光束(pulsed light beam)之一光譜特徵(spectral feature)的系統，該系統包含：一第一致動(actuation)模組，其經耦接至該光學源之一第一可致動設備，藉由該第一致動模組在一數值範圍(a range of values)內更改該第一可致動設備，從而(thereby)調整該脈衝光束之該光譜特徵；一第二致動模組，其經耦接至該光學源之一第二可致動設備，該第二可致動設備係由該第二致動模組更改，從而調整該脈衝光束之該光譜特徵；以及一控制系統，其經連接至該第一致動模組及該第二致動模組，且經組態以：接收關於該第一可致動設備之操作狀態(operating state)之一指示；以及將一信號發送至該第二致動模組，以調整該脈衝光束之該光譜特徵，從而：基於該所接收到的該第一可致動設備之該操作狀態之指示來防止該第一可致動設備飽和(saturating)，或在該所接收到的該第一可致動設備之該操作狀態之指示指示該第一可致動設備係飽和的情況下，將該第一可致動設備去飽和(desaturate)。
  2. 如請求項1之系統，其中該光學源包含一氣體放電系統，該氣體放電系統具有容納一增益介質之一腔室，當該增益介質在一放電中被泵送電流脈衝時產生一脈衝光束。
  3. 如請求項1之系統，其中該控制系統經組態以：接收自該光學源輸出之該脈衝光束之該光譜特徵之一量測值；以及將一信號發送至該第一致動模組及該第二致動模組中之一或多者，以基於該脈衝光束之該光譜特徵之該所接收到的量測值來將該脈衝光束之該光譜特徵調整至一新值。
  4. 如請求項1之系統，其中該光學源為一多級氣體放電系統，其中一第一級為輸出一脈衝種子光束之一振盪器設備，且一第二級為接收該脈衝種子光束及輸出該脈衝光束之一光學擴增設備，且該第一級與該第二級兩者均包括一氣體放電子系統。
  5. 如請求項4之系統，其中該第一致動模組為經連接至該第一級及該第二級以控制發送至該第一級之一第一觸發信號與發送至該第二級之一第二觸發信號之間之一相對時序的時序模組。
  6. 如請求項1之系統，其中該第二致動模組係與該脈衝光束相互作用之一光譜選擇模組。
  7. 如請求項6之系統，其中該光譜選擇模組包括經組態以調整該脈衝光束之一光學放大率之一光學系統。
  8. 如請求項7之系統，其中該光學系統經耦接至該光學源之一第一級。
  9. 如請求項7之系統，其中該脈衝光束之該光譜特徵為該脈衝光束之一寬度。
  10. 如請求項1之系統，進一步包含經耦接至該光學源之一第三可致動設備之一第三致動模組，該第三可致動設備係由該第三致動模組更改，從而更改該脈衝光束之另一光譜特徵。
  11. 如請求項1之系統，進一步包含一計量系統，該計量系統包括經連接至該第一致動模組且經組態以輸出關於該第一可致動設備 之該操作狀態之該指示之一觀測系統。
  12. 如請求項11之系統，其中該計量系統包括經組態以量測自該光學源輸出之該脈衝光束之一光譜特徵之一光譜特徵單元，且該控制系統經組態以接收該脈衝光束之該光譜特徵之該量測值。
  13. 一種用於控制一光學源之方法，該方法包含：接收該光學源之一第一可致動設備之一操作點(operating point)之一指示，該第一可致動設備之該操作點可在一下限(lower limit)與一上限(upper limit)之間更改，從而調整由該光學源產生之一脈衝光束之一光譜特徵，以及當該操作點在該下限或該上限處時，該第一可致動設備係處於一飽和狀態(saturated state)，且當該操作點在該上限與該下限之間時，該第一可致動設備係處於一不飽和狀態(unsaturated state)；基於該光學源之該第一可致動設備之該操作點之該指示來判定該第一可致動設備之該操作點在該上限與該下限之間之一位置；基於該所判定之位置來判定該第一可致動設備是否處於該飽和狀態；以及若判定該第一可致動設備處於該飽和狀態，則更改該光學源之一第二、不同的可致動設備，以將該第一可致動設備改變至該不飽和狀態且調整該脈衝光束之該光譜特徵。
  14. 一種用於控制由一光學源產生之一脈衝光束之一光譜特徵的系統，該系統包含：一第一致動模組，其經耦接至該光學源之一第一可致動設備，藉由該第一致動模組在關於一目標值(target value)之一數值範圍內更改該第一可致動設備，從而更改該脈衝光束之該光譜特徵； 一第二致動模組，其經耦接至該光學源之一第二且不同的可致動設備，該第二可致動設備係由該第二致動模組更改，從而更改該脈衝光束之該光譜特徵；一計量(metrology)系統，其包括一觀測(observation)系統，該觀測系統經連接至至少該第一致動模組且經組態以輸出指示該第一可致動設備正在操作之實際值(actual value)與該目標值之間之一偏差(deviation)之一量度(metric)；一控制系統，其經連接至該第一致動模組、該第二致動模組以及該計量系統，且經組態以：判定該偏差是否大於一可接受偏差(acceptable deviation)，以及若該偏差在該可接受偏差外，則將一信號發送至該第二致動模組以調整該脈衝光束之該光譜特徵，從而調整該第一可致動設備正在操作之該實際值，使其更接近於該目標值。
  15. 如請求項14之系統，其中該光學源包含一氣體放電系統，該氣體放電系統具有容納一增益介質之至少一個腔室，當該增益介質在一放電中被泵送電流脈衝時產生一脈衝光束。
  16. 如請求項14之系統，其中該計量系統包括經組態以量測自該光學源輸出之該脈衝光束之該光譜特徵之一光譜特徵單元，且該控制系統經組態以接收該脈衝光束之該光譜特徵之該量測值。
  17. 如請求項14之系統，其中判定該偏差是否大於該可接受偏差包含判定該偏差是否如此的大以至於該第一致動模組不能將該脈衝光束之該光譜特徵更改至一新值。
TW105117663A 2015-06-26 2016-06-03 脈衝光束之光譜特徵控制 TWI606311B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562185452P 2015-06-26 2015-06-26
US14/794,508 US9785050B2 (en) 2015-06-26 2015-07-08 Pulsed light beam spectral feature control

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201702760A TW201702760A (zh) 2017-01-16
TWI606311B true TWI606311B (zh) 2017-11-21

Family

ID=57585397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105117663A TWI606311B (zh) 2015-06-26 2016-06-03 脈衝光束之光譜特徵控制

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9785050B2 (zh)
JP (1) JP6633099B2 (zh)
KR (2) KR102161194B1 (zh)
CN (2) CN110829168B (zh)
TW (1) TWI606311B (zh)
WO (1) WO2016209669A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9785050B2 (en) 2015-06-26 2017-10-10 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
US9997888B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-12 Cymer, Llc Control of a spectral feature of a pulsed light beam
US9989866B2 (en) 2016-10-17 2018-06-05 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US9835959B1 (en) 2016-10-17 2017-12-05 Cymer, Llc Controlling for wafer stage vibration
US10096967B2 (en) 2016-12-07 2018-10-09 Cymer, Llc Wavelength control system for pulse-by-pulse wavelength target tracking in DUV light source
US9966725B1 (en) * 2017-03-24 2018-05-08 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
US10833471B2 (en) 2017-11-17 2020-11-10 Cymer, Llc Lithography system bandwidth control
CN111937256B (zh) * 2018-03-30 2023-08-18 西默有限公司 脉冲光束的光谱特征选择和脉冲时序控制
KR102628796B1 (ko) * 2019-07-23 2024-01-23 사이머 엘엘씨 반복률 편차에 의해 유도된 파장 오차를 보상하는 방법
JP2023500594A (ja) * 2019-11-07 2023-01-10 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光源によって生成される出力光ビームの分光特性の制御

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6393037B1 (en) 1999-02-03 2002-05-21 Lambda Physik Ag Wavelength selector for laser with adjustable angular dispersion
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6539046B2 (en) 1998-10-02 2003-03-25 Cymer, Inc. Wavemeter for gas discharge laser
US6865210B2 (en) 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6650666B2 (en) 2000-02-09 2003-11-18 Cymer, Inc. Laser wavelength control unit with piezoelectric driver
JP4887549B2 (ja) * 2000-03-06 2012-02-29 富士通株式会社 波長可変安定化レーザ
EP1099943B1 (en) 2000-08-16 2003-01-08 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Wavemeter comprising coarse and fine measuring units
US6690704B2 (en) 2001-04-09 2004-02-10 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7154928B2 (en) 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
US7830934B2 (en) 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
KR100624081B1 (ko) 2002-01-31 2006-09-19 캐논 가부시끼가이샤 레이저장치, 노광장치 및 노광방법
KR100545294B1 (ko) 2002-05-10 2006-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 성능측정방법,캘리브레이션 방법 및 컴퓨터 프로그램
US7304748B2 (en) 2003-06-26 2007-12-04 Cymer, Inc. Method and apparatus for bandwidth measurement and bandwidth parameter calculation for laser light
US20050271100A1 (en) 2004-06-04 2005-12-08 Keith Everett System and method for controlling optical sources, such as laser diodes, and computer program product therefor
JP4798687B2 (ja) 2004-07-09 2011-10-19 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US20060114956A1 (en) 2004-11-30 2006-06-01 Sandstrom Richard L High power high pulse repetition rate gas discharge laser system bandwidth management
US7366219B2 (en) 2004-11-30 2008-04-29 Cymer, Inc. Line narrowing module
US7852889B2 (en) 2006-02-17 2010-12-14 Cymer, Inc. Active spectral control of DUV light source
US7822084B2 (en) 2006-02-17 2010-10-26 Cymer, Inc. Method and apparatus for stabilizing and tuning the bandwidth of laser light
US8259764B2 (en) 2006-06-21 2012-09-04 Cymer, Inc. Bandwidth control device
US7659529B2 (en) 2007-04-13 2010-02-09 Cymer, Inc. Method and apparatus for vibration reduction in laser system line narrowing unit wavelength selection optical element
US8144739B2 (en) 2008-10-24 2012-03-27 Cymer, Inc. System method and apparatus for selecting and controlling light source bandwidth
CN101615757B (zh) * 2009-07-17 2011-05-11 哈尔滨工业大学 基于热电致冷器的双纵模激光器复合稳频方法与装置
US8520186B2 (en) 2009-08-25 2013-08-27 Cymer, Llc Active spectral control of optical source
US8254420B2 (en) 2009-11-18 2012-08-28 Cymer, Inc. Advanced laser wavelength control
US8837536B2 (en) * 2010-04-07 2014-09-16 Cymer, Llc Method and apparatus for controlling light bandwidth
US20120250707A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Electro Scientific Industries, Inc. Stabilization of pulsed mode seed lasers
US10114157B2 (en) 2012-09-20 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Pulse width controller
CN104903044B (zh) 2013-01-11 2018-01-12 伊雷克托科学工业股份有限公司 激光脉冲能量控制系统及方法
US9804101B2 (en) * 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
CN104078831B (zh) * 2014-07-01 2017-11-10 哈尔滨工业大学 基于热稳频和声光移频的双纵模激光器互锁方法和装置
CN104852269A (zh) * 2015-05-26 2015-08-19 山西大学 一种精确调制脉冲激光相位的装置及方法
US9785050B2 (en) 2015-06-26 2017-10-10 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control

Also Published As

Publication number Publication date
CN107735913A (zh) 2018-02-23
US20170160638A1 (en) 2017-06-08
KR102058170B1 (ko) 2019-12-20
KR20190141035A (ko) 2019-12-20
US20160380402A1 (en) 2016-12-29
KR20180012828A (ko) 2018-02-06
CN107735913B (zh) 2019-11-29
CN110829168B (zh) 2021-06-18
US9772556B2 (en) 2017-09-26
US9785050B2 (en) 2017-10-10
JP6633099B2 (ja) 2020-01-22
TW201702760A (zh) 2017-01-16
CN110829168A (zh) 2020-02-21
JP2018518834A (ja) 2018-07-12
KR102161194B1 (ko) 2020-09-29
WO2016209669A1 (en) 2016-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI606311B (zh) 脈衝光束之光譜特徵控制
TWI625509B (zh) 用於雷射源之線上校準的系統及方法
TWI591320B (zh) 估計由一光源所產生的一脈衝光束之一頻譜特徵之方法
TWI652456B (zh) 用以評估脈衝光束之光譜特徵的方法及光系統
TWI645451B (zh) 脈衝光束的光譜特徵之控制
KR102282932B1 (ko) 광빔의 코히어런스의 양의 조정 방법
KR20180006621A (ko) 펄스형 광 빔의 스펙트럼 특징 계측
KR102301338B1 (ko) 펄스형 광빔 스펙트럼 특징 제어 방법