TWI748562B - 包含液晶的平板天線 - Google Patents

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TWI748562B TW109124316A TW109124316A TWI748562B TW I748562 B TWI748562 B TW I748562B TW 109124316 A TW109124316 A TW 109124316A TW 109124316 A TW109124316 A TW 109124316A TW I748562 B TWI748562 B TW I748562B
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趙秀仁
張來奉
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Abstract

一種平板天線包括：一第一基板，其上設有一輻射貼片和一接地平面；一第二基板；一液晶層，介於該第一基板與該第二基板之間；以及一饋電部，相鄰於該第二基板；其中，該接地平面包含一插槽，其中，該饋電部包含一第一間隔部件、一第二間隔部件、以及位於該第一間隔部件與該第二間隔部件之間的一饋電線；以及其中，該第一間隔部件的厚度大於該第二間隔部件的厚度。

Description

包含液晶的平板天線
本發明關於一種平板天線，尤其關於一種包含液晶的平板天線。
天線將電子信號轉換為電磁波，或將在諸如大氣之自由空間中傳輸的電磁波轉換成電子信號，並作為用於將從傳輸線輸出的信號傳輸至該自由空間的媒介。
一般而言，用於衡量天線性能的參數包含指向性D、輻射效率η、天線增益G、耦合損耗L、頻寬BW。指向性D是藉由將特定方向的輻射強度除以所有方向的輻射強度而得的。輻射效率η是藉由將從天線發射的功率除以供應給天線的功率而得的。表示自傳輸線朝特定方向輻射供應給天線的功率的能力的天線增益G是藉由將指向性D乘以輻射效率η而得的，即G=D x η。耦合損耗L是獨立線路之間傳輸的能量的減少量。頻寬BW是其中參數具有適當的值且天線有效地運作的頻率範圍。
具有參數的天線需要提升天線增益G並減少耦合損耗L，以提升相較於供應的功率朝特定方向發射的功率效率。
因此，本發明地實施例涉及一種平板天線，其基本上消除了因先前技術之限制和缺點而導致的一個以上的問題。
本發明的一態樣旨在提供一種平板天線，該平板天線可提升天線增益並減少耦合損耗。
附加特徵與方面將於以下描述中闡述，且部份將變得顯而易見，或可透過實作本文提供的發明概念來學習。發明概念的其他特徵和方面可透過書面說明特別指出的構造，或是由此衍生的結構、其申請專利範圍和附加 圖式來實現和獲取。
為實現發明概念的這些和其他方面，如本文所實施和廣泛描述，一種平板天線包括：一第一基板，其上設有一輻射貼片和一接地平面；一第二基板；一液晶層，介於第一基板與第二基板之間；以及一饋電部，相鄰於該第二基板，其中，該饋電部包含一第一間隔部件、一第二間隔部件、以及位於該第一間隔部件與該第二間隔部件之間的一饋電線；以及其中，該第一間隔部件的厚度大於該第二間隔部件的厚度。
應當理解，前述一般性說明和下文詳細說明均屬例示性和解釋性，且旨在提供請求項之發明概念的進一步解釋。
100:平面天線
110:第一基板
111:輻射貼片
112:接地平面
113:插槽
120:第二基板
130:液晶層
140:饋電部
141:饋電線
ap1:第一間隔部件
ap2:第二間隔部件
Cs,Cs1,Cs2:電容器
E:電場
F1,F2:邊際場
I:輸入終端
T:阻抗變換器
Ls:電感器
Rs1,Rs2:電阻器
D1:第一方向
D2:第二方向
H1:第一厚度
H2:第二厚度
W1:第一寬度
W2:第二寬度
L1:長度
S1,S2:端部
說明書內附圖式以提供本發明的進一步理解，且引入並構成本申請案的一部分，顯示本發明之實施方式並搭配說明用於解釋本發明的各種原理。在圖式中：
圖1A係示意性地顯示根據本發明實施例之平板天線的構造的立體圖；
圖1B係顯示根據本發明實施例之平板天線的構造的分解立體圖；
圖2係顯示根據本發明實施例在平板天線中的電磁波的輻射的視圖；
圖3係顯示根據本發明實施例之平板天線的等效電路的視圖；
圖4A係顯示根據本發明實施例當在平板天線中的第一基板的厚度為0.2mm時的視圖；以及
圖4B為當第一基板的厚度為0.5mm時的輻射模式的視圖。
現在將詳細參照附圖中所示之本發明的示範實施例。
圖1A係示意性地顯示根據本發明實施例之平板天線的構造的立體圖；以及圖1B係顯示根據本發明實施例之平板天線的構造的分解立體圖。
在圖1A和圖1B中，根據本發明實施例的平面天線100包括第一基板110、第二基板120、液晶層130、以及饋電部140。
第一基板110可以具有第一厚度H1，且可以是介電材料，該介電材料是電場中具有極性的絕緣體。
例如，第一基板110可以是由玻璃形成具有第一介電常數ε1的 基板。
輻射貼片111和接地平面112可以設置在第一基板110上。輻射貼片111可以設置在第一基板110的第一表面，而接地平面112可以設置在第一基板110的第二表面。舉例來說，第一基板110的第一平面可以是第一基板110的上表面，而第一基板110的第二表面可以是第一基板110的下表面。因此，輻射貼片111可以設置在第一基板110上方，而接地平面112可以設置在第一基板110下方。
一邊緣場(fringe field)可以產生在輻射貼片111與接地平面112之間。在輻射貼片111的邊緣與接地平面112之間所產生的電磁場可以曝露於輻射貼片111上方，且可輻射至自由空間。
接地平面112可以包含是開口的插槽113，且插槽113可以是矩形。
當插槽113為矩形時，插槽113可沿第一方向D1形成。亦即，插槽113的長側可沿第一方向D1形成，而插槽113的短側可沿垂直於第一方向D1的第二方向D2形成。
插槽113作為阻抗變換器和並聯電感電容電路。由饋電部140形成的電場通過插槽113並傳輸至輻射貼片111，故可誘導電流在輻射貼片111中流動。
第二基板120可以具有第二厚度H2，且可以是與第一基板110一樣的介電材料，該介電材料是電場中具有極性的絕緣體。
第二基板120可以是由玻璃或聚醯亞胺形成且具有第二介電常數ε2的基板。
當第二基板120為由玻璃形成的基板時，第二基板120的第二介電常數ε2可以與第一基板110的第一介電常數ε1相同。
液晶層130可以設置在第一基板110與第二基板120之間。液晶層130可以包含液晶分子，而液晶分子的排列可以根據施加於液晶層130的電壓來變更。
饋電部140可以包含饋電線141。饋電部140可以進一步包含第一間隔部件ap1和第二間隔部件ap2，該第一間隔部件ap1和該第二間隔部件ap2是饋電線141與饋電部140的其他部件間隔開的空間。饋電部140可以設置在第二基板120下方。饋電線141、第一間隔部件ap1和第二間隔部件ap2可以佈置在垂直交叉 於第一方向D1的第二方向D2上。亦即，饋電線141的長側及第一間隔部件ap1和第二間隔部件ap2的長側可以平行於第二方向D2。
尤其是，饋電線141可以在第一方向D1上具有第一寬度W1，而饋電線141的長側可以佈置在第二方向D2上。從上方觀看平板天線100時，饋電線141可以設置以交叉輻射貼片111和插槽113。
饋電線141根據來自外部施加的電壓產生電場，而所產生的電場會通過插槽113並抵達輻射貼片111，故可誘導電流在輻射貼片111中流動。亦即，可以耦合饋電線141和輻射貼片111，從而將施加於饋電線141的能量傳輸至輻射貼片111。
第一間隔部件ap1和第二間隔部件ap2可以各自具有第一方向D1上的第二寬度W2，而平行於饋電線141的第一間隔部件ap1和第二間隔部件ap2的長側可以佈置在第二方向D2上。饋電線141可以設置在第一間隔部件ap1與第二間隔部件ap2之間。
包含在液晶層130內的液晶分子佈置可以由施加於接地平面112和饋電線141的電壓來變更，因此液晶層130的介電常數也會變更。
當液晶層130的介電常數變更時，電磁波的相速度變更，因此可以變更由平板天線傳輸和接收的信號的相位。
如上所述，接地平面112、饋電線141和液晶層130可以作為移相器，該移相器變更由天線傳輸和接收的信號的相位。
另外，輻射貼片111和接地平面112設置在第一基板110上，而饋電線141設置相鄰於第二基板120，故第一平板天線100可以作為貼片天線(patch antenna)。
如圖1A和圖1B所示，根據本發明實施例的平板天線100包括一個輻射貼片111、一個接地平面112、以及一個饋電線141，以作為一個貼片天線。然而，本發明未受此限，而平板天線可以包括兩個以的上輻射貼片、兩個以上的接地平面、以及兩個以上的饋電線。在這種情況下，互相對應的輻射貼片、接地平面和饋電線構成複數個貼片天線，第一基板和第二基板插在該些貼片天線之間，且複數個貼片天線形成一陣列天線。亦即，複數個輻射貼片可以設置在第一基板的上表面，複數個接地平面可以設置在第一基板的下表面，而複數個饋電線可以設置在第二基板的下表面。互相對應和交疊的複數個輻射貼片、 複數個接地平面和複數個饋電線可以分別構成複數個貼片天線。
此時，饋電部140可以進一步包含由印刷電路板形成的功率分配部件(圖未顯示)，而該功率分配部件可以具有T型功率分配器或威金森(Wilkinson)功率分配器的構造。
圖2係顯示根據本發明實施例在平板天線中的電磁波的輻射的視圖。
天線根據共振現象，藉由輻射電磁波或回應在自由空間中傳輸的電磁波來運作。當天線的自然頻率和電磁波的頻率互相符合時，會發生共振現象。天線的自然頻率可稱為共振頻率，而共振可根據天線的構造有所不同。
在根據本發明實施例的平面天線中，輻射貼片111的兩端部可以用一開路來終止，以作為共振器來運作。
具體而言，圖1A和圖1B的饋電線141可以根據從外部施加的電壓形成電場，而由圖1A和圖1B的饋電線141形成的電場可以通過圖1A和圖1B的插槽113並抵達輻射貼片111，故可誘導電流在輻射貼片111中流動。
另外，一電場E可以產生在電流被誘導的輻射貼片111與接地平面112之間。
在兩端部S1和S2，形成在輻射貼片111與接地平面112之間的邊際場F1和F2可以曝露在輻射貼片111上。透過曝露於輻射貼片111上的邊際場F1和F2，天線可以輻射具有共振頻率的電場。
平面天線具有對應於共振頻率的長度L1。平面天線的長度L1可以是對應於共振頻率在第一基板110中的波導波長(guided wavelength)λ d的一半。
如圖2所示，由於形成在輻射貼片111的兩端部S1和S2的邊際場F1和F2會增加輻射貼片111的有效長度，輻射貼片111的長度L1可以短於第一基板110的波導波長λ d的一半。
方程式1顯示輻射貼片111的長度L1的近似值，而長度L1可以是第一基板110的波導波長λ d的0.49倍。藉由將自由空間中的波長除以介電常數的平方根，來得到特定介電質的波導波長。因此，輻射貼片111的長度L1的近似值可以是藉由將對應於共振頻率的自由空間中的波長除以第一基板110中的介電常數的平方根所得值的0.49倍。
[方程式1]
Figure 109124316-A0202-12-0006-6
因此，由於輻射貼片111的兩端部S1和S2之間的距離接近半波長，因此能在輻射貼片111的兩端部S1和S2形成的邊際場F1和F2之間的相位差可以約為180度，且邊際場F1和F2的幅度可以相同。
圖3係顯示根據本發明實施例之平板天線的等效電路的視圖。
圖1A、圖1B和圖2中的輻射貼片111的兩端部可以分別是包含並聯的電阻器Rs1和Rs2以及電容器Cs1和Cs2的RC電路。亦即，輻射貼片的第一端為包含並聯連接的電阻器Rs1和電容器Cs1的RC電路，而輻射貼片的第二端為包含並聯連接的電阻器Rs2和電容器Cs2的RC電路。
圖1A和1B的插槽113可以是阻抗變換器T和LC電路。LC電路可以是並聯LC電路，其中電感器Ls和電容器Cs並聯連接。
LC電路的電感器Ls和電容器Cs及阻抗變換器T可以連接至對應於圖1A和圖1B的饋電線141的輸入終端I。
當電壓施加於輸入終端I時，LC電路會根據第一共振頻率f1共振，該頻率會透過阻抗變換器T變更，而根據第二共振頻率f2共振的電壓會傳輸至RC電路。
此時，RC電路的電容器Cs1和Cs2形成圖2的邊際場F1和F2，因此可在圖1A、圖1B和圖2中的輻射貼片111的兩端部輻射電磁波。
依此原理，根據本發明實施例的平板天線可以輻射電磁波。另外，藉由使用圖1A和圖1B的第一基板110和圖1A和圖1B的第二基板120，可以增加天線增益G和頻寬BW並可以減少耦合損耗L。下文將加以描述。
表1係顯示根據本發明實施例對應於平板天線中第一基板的厚度的天線增益和頻寬。
表1
Figure 109124316-A0202-12-0006-13
Figure 109124316-A0202-12-0007-2
包含在根據本發明實施例的平板天線中的圖1A和圖1B的第一基板110可以是介電質。
由於介電質的厚度增加，從天線發射的電磁波的波長亦隨之增加，因此共振頻率可能降低。
另外，由於介電質的厚度增加，洩漏的電場幅度可能增加，因此在共振諸如Q因數的品質因數可能減少。
由於頻寬BW會隨著Q因數減少而增加，因此當為介電質之圖1A和圖1B的第一基板110的厚度增加時，可以發射頻寬帶中的電磁波。
在表1中，根據圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1，以0.1mm的增幅顯示0.2mm到0.7mm的頻寬BW。可以看出頻寬BW會隨著第一厚度H1增加，從640Mhz增加至760MHz。另外，可以看出共振頻率f會隨著第一厚度H1增加，從11.62GHz增加至10.68GHz。
尤其，由於當第一厚度H1為0.5mm時，頻寬BW會最大化至780MHz，因此圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1較佳可以是0.5mm，以使用頻寬帶中的天線。
隨著介電質的厚度增加和洩漏的電場幅度增加，輻射功率可以隨之增加，而天線增益G可以隨著輻射功率增加而增加。因此，天線增益G可以隨著為介電質之圖1A和圖1B的第一基板110的厚度增加而增加。
在表1中，根據圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1，以0.1mm的增幅顯示0.2mm到0.7mm的天線增幅G。可以看出天線增幅G會隨著第一厚度H1增加，從1.98dBi增加至3.03dBi。
尤其，由於當第一厚度H1為0.5mm時，天線增幅G會最大化至3.35dBi，因此圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1較佳可以是0.5mm，以提升天線的輻射效率。
圖4A係顯示根據本發明實施例當平板天線中第一基板的厚度為0.2mm時的輻射模式的視圖；以及圖4B係顯示當第一基板的厚度為0.5mm時的輻射模式的視圖。
在圖4A中，當圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1為0.2mm時，水平線上的輻射模式的顏色會接近黃色，而天線增益G則從-5.0dB到-2.5dB。
另一方面，在圖4B中，當圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1為0.5mm時，水平線上的輻射模式的顏色會接近橘色，而天線增益G則從-2.5dB到0dB。可以看出相較於第一厚度H1為0.2mm的情況，第一厚度H1為0.5mm時的天線增益G會增加。
如上所述，在根據本發明實施例的平板天線中，當圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1較佳為0.5mm時，可最大化頻寬BW和天線增益G。
表2係顯示對應於根據本發明實施例的平板天線中的第二基板的厚度的耦合損耗。
表2
Figure 109124316-A0202-12-0008-15
附接至圖1A和圖1B的第二基板120下表面的圖1A和圖1B的饋電線141根據從外部施加的電壓形成電場，且該電場會通過圖1A和圖1B的插槽113，並抵達圖1A和圖1B的輻射貼片111，故可誘導電流在輻射貼片111中流動。
隨著圖1A和圖1B的饋電線141與圖1A和圖1B的輻射貼片111之間的距離增加，電場抵達和影響圖1A和圖1B的輻射貼片111的幅度會降低，故耦合損耗L可能增加。
因此，隨著圖1A和圖1B的第二基板120的厚度增加，耦合耗損L可能隨之增加，該第二基板120可以設置在圖1A和圖1B的饋電線141與圖1A和圖1B的輻射貼片111之間。
在表2中，根據圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2，在11GHz、11.5GHz和12GHz的共振頻率下，以0.1mm的增幅顯示0.1mm到0.5mm的耦合耗損L。當比較平均共振頻率時，可以看出隨著第二厚度H2增加，平均耦 合耗損L也隨之增加，而隨著第二厚度H2減少，平均耦合耗損L也會從-5.56dB減少至-1.77dB。
尤其，由於當第二厚度H2為0.2mm時，平均耦合耗損L會最小化至-1.32dB，因此圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2較佳可以是0.2mm，以提升從圖1A和圖1B的饋電線141饋電至圖1A和圖1B的輻射貼片111時的效率。
表3係顯示當第二基板的厚度形成以對應於根據本發明實施例的平板天線中的輻射電磁波的多個波長時的耦合損耗。
表3
Figure 109124316-A0202-12-0009-16
在表3中，第二基板的第二厚度H2分為四個頻帶，且耦合損耗會對應該些頻帶顯示。
當輻射電磁波的波長λ為27300μm時，在圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2介於波長λ的0.018倍至0.026倍之間的情況下，耦合損耗L為-1.5705dB。另一方面，在第二厚度H2的頻帶降低，且介於波長λ的0.007倍至0.015倍之間的情況下，耦合損耗L會最小化至-1.0624dB。
然而，可以看出當第二厚度H2低於波長λ的0.007倍時，耦合損耗L會增加至-1.6247dB。
當輻射電磁波的波長λ為26100μm時，在圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2介於波長λ的0.019倍至0.027倍之間的情況下，耦合損耗L為-1.8157dB。另一方面，在第二厚度H2的頻帶降低，且介於波長λ的0.008倍至0.015倍之間的情況下，耦合損耗L會最小化至-0.6959dB。
然而，可以看出當第二厚度H2低於波長λ的0.008倍時，耦合損耗L會增加至-0.8299dB。
當輻射電磁波的波長λ為25000μm時，在圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2介於波長λ的0.020倍至0.028倍之間的情況下，耦合損耗L為-13.3117dB。另一方面，在第二厚度H2的頻帶降低，且介於波長λ的0.008倍 至0.016倍之間的情況下，耦合損耗L會最小化至-0.6987dB。
然而，可以看出當第二厚度H2低於波長λ的0.008倍時，耦合損耗L會增加至-0.9106dB。
在表3中，可以看出當第二基板的第二厚度H2的頻帶最高(0.018 λ~0.026 λ、0.019 λ~0.027 λ、0.020 λ~0.028 λ)和最低(~0.007 λ、~0.008 λ)時，耦合損耗L會增加，而它們之間頻帶中的耦合損耗L會減少。
這是因為如果圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2增加，則圖1A和圖1B的饋電線141與圖1A和圖1B的輻射貼片111之間的距離可能增加，而電場抵達和影響圖1A和圖1B的輻射貼片111的幅度可能會降低。另外，這是因為如果圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2小於特定範圍，則從圖1A和圖1B的饋電線141形成並抵達圖1A和圖1B的輻射貼片111的電場可能受到圖1A和圖1B的接地平面112影響，且耦合損耗L可能提升。
因此，當圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2介於0.008倍至0.018倍之間時，可以最小化耦合損耗L，而0.008倍是表3中頻帶最低時的最大值，0.018倍是表3中頻帶最高時的最小值。
如上所述，在本發明的實施方式中，可以藉由增加圖1A和圖1B的第一基板110的第一厚度H1，或是減少圖1A和圖1B的第二基板120的第二厚度H2，來維持天線的整體厚度恆定。在這種情況下，天線可以形成為不對稱的形狀，其中圖1A和圖1B的第一基板110的厚度大於圖1A和圖1B的第二基板120的厚度。
表4係顯示在根據本發明實施例的平板天線中對應於饋電線與饋電部的一部分之間的距離的串擾。
表4
Figure 109124316-A0202-12-0010-17
圖1A和圖1B的饋電線141和圖1A和圖1B的輻射貼片111可能不會連接並形成獨立的線，且可能透過互相傳輸能量來耦合。
然而，圖1A和圖1B的饋電線141可能不與圖1A和圖1B的輻射貼片111耦合，而可能與其他組件耦合，從而產生串擾。串擾會導致天線的效率降低。
在根據本發明實施例的平板天線中，可以包含圖1A和圖1B的第一間隔部件ap1和圖1A和圖1B的第二間隔部件ap2，而圖1A和圖1B的饋電線141可以與具有導電特性的其他部件間隔開，從而能夠減少串擾。
在表4中，顯示11GHz、11.5GHz和12GHz的各共振頻率的串擾。可以看出當共振頻率為11GHz時，在圖1A和圖1B的第一間隔部件ap1和圖1A和圖1B的第二間隔部件ap2的第二寬度W2大於或等於圖1A和圖1B的饋電線141的第一寬度W1的兩倍的情況下，串擾為-1.0624dB至-1.0684dB，而在第二寬度W2小於第一寬度W1的兩倍的情況下，串擾為-1.0749dB。亦即，在第二寬度W2小於第一寬度W1的兩倍的情況下，串擾會增加。當共振頻率為11.5GHz和12GHz時，這些特性均相同。
因此，為了最小化串擾，圖1A和圖1B的第一間隔部件ap1和圖1A和圖1B的第二間隔部件ap2的第二寬度W2可以大於等於圖1A和圖1B的饋電線141的第一寬度W1的兩倍以上。
如上所述，在本發明的平板天線中，輻射貼片和具有插槽的接地平面設置在第一基板上；第二基板包含饋電線；而第一基板和第二基板的厚度不同，因此可以提升天線增益和頻寬，並降低耦合耗損。
另外，可以藉由將饋電線與饋電部的一部分之間的距離形成為饋電線寬度的兩倍以上，即可減少串擾。
所屬技術領域中具有通常知識者均能明顯理解，在不脫離本發明之範疇的情況下，可對本發明的天線進行各種修改和更動。因此，本申請案旨在涵蓋本發明的修改和更動，確保該些修改和更動均屬請求項及其均等物的範疇中。
本申請主張於2019年7月25日提出之韓國專利申請第10-2019-0090098號的優先權，該文獻完整引用作為本說明書的揭示內容。
100:平面天線
110:第一基板
111:輻射貼片
112:接地平面
113:插槽
120:第二基板
130:液晶層
140:饋電部
141:饋電線
ap1:第一間隔部件
ap2:第二間隔部件
D1:第一方向
D2:第二方向

Claims (9)

  1. 一種平板天線，包括：一第一基板；一輻射貼片，設置在該第一基板的一第一側上；一接地平面，設置在該第一基板的一第二側上；一第二基板；一液晶層，介於該第一基板與該第二基板之間；以及一饋電部，相鄰於該第二基板，其中，該接地平面包含一插槽，其中，該饋電部包含一第一間隔部件、一第二間隔部件、以及位於該第一間隔部件與該第二間隔部件之間的一饋電線，其中，該第一基板的厚度大於該第二基板的厚度，其中，該插槽沿一第一方向形成，以及其中，該饋電線、該第一間隔部件和該第二間隔部件沿與該第一方向交叉的一第二方向佈置。
  2. 如請求項1所述之平板天線，其中，該第一基板和該第二基板由玻璃形成，並具有相同的介電常數。
  3. 如請求項1所述之平板天線，其中，該第一基板的厚度為0.5mm。
  4. 如請求項3所述之平板天線，其中，該第二基板的厚度為0.2mm。
  5. 如請求項1所述之平板天線，其中，該第二基板的厚度為對應於該天線的共振頻率的波長的0.008倍至0.018倍。
  6. 如請求項1所述之平板天線，其中，該第一基板由玻璃形成，而該第二基板由聚醯亞胺形成。
  7. 如請求項1所述之平板天線，其中，該第二基板設置在該液晶層與該饋電部之間。
  8. 如請求項1所述之平板天線，其中，該第一間隔部件和該第二間隔部件的寬度為該饋電線的寬度的兩倍以上。
  9. 一種平板天線，包括：一第一基板和一第二基板，彼此面對並具有不同的厚度；一輻射貼片，設置在該第一基板的一第一側上；一接地平面，設置在該第一基板的一第二側上，並具有延伸至一第一方向的一插槽；一液晶層，介於該第一基板與該第二基板之間；以及一饋電部，附接至該第二基板，並包含一第一間隔部件、一第二間隔部件、以及位於該第一間隔部件與該第二間隔部件之間的一饋電線，其中，該饋電線和該輻射貼片與施加給該饋電線並傳輸至該輻射貼片的電壓電性連接，以及其中，該饋電線、該第一間隔部件和該第二間隔部件沿與該第一方向交叉的一第二方向佈置。
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