TWI748307B - 兼具互連通和散熱器的高功率裝置 - Google Patents
兼具互連通和散熱器的高功率裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI748307B TWI748307B TW108146534A TW108146534A TWI748307B TW I748307 B TWI748307 B TW I748307B TW 108146534 A TW108146534 A TW 108146534A TW 108146534 A TW108146534 A TW 108146534A TW I748307 B TWI748307 B TW I748307B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- heat sink
- circuit
- interconnection
- electrically
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 claims 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 abstract 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
- F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/06—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
- F21V29/71—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks using a combination of separate elements interconnected by heat-conducting means, e.g. with heat pipes or thermally conductive bars between separate heat-sink elements
- F21V29/717—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks using a combination of separate elements interconnected by heat-conducting means, e.g. with heat pipes or thermally conductive bars between separate heat-sink elements using split or remote units thermally interconnected, e.g. by thermally conductive bars or heat pipes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/85—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
- F21V29/89—Metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/147—Semiconductor insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
一種兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其包括:一選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的第一基板;一設置於該第一基板一表面上的第一電路;一高熱能生成裝置,其設置於該第一電路的一部分或設置於該第一基板的表面上與該第一電路電氣連接;一與該第一基板間隔設置的第二基板;一第二電路設置於該第二基板的一表面上;一用於對該高熱能生成裝置進行散熱的散熱器,該散熱器設置於該至少一第一基板或第二基板旁;一穿孔,穿設於該第一基板、該第二基板和該散熱器;一與該穿孔並列的電絕緣單元;一與該電絕緣單元鄰近設置的可導電導熱內管;以及一放置於該穿孔內並與該可導電導熱內管接觸的緊固件,其中該緊固件透過該可導電導熱內管與該第一電路和該第二電路電連通,並與一外部電源電氣連接,該緊固件載攜源自該外部電源的電能或是電子訊號,並透過該可導電導熱內管散熱至該散熱器。
Description
本發明是關於一種裝置的電連接的佈局,特別是指一種高功率裝置中的電連結配置,例如紫外光發光二極體陣列(UV LED Array)。
電子裝置或電器設備大多數利用電線連接的方式與供應電源或其他電子裝置連接。然而,隨著電子裝置的體積最小化,對於導線連接和提供高功率密度的建立與維護便顯得困難。此外,高功率密度可能會產生大量的熱能,而導致損壞用於固定導線的銲接點,舉例來說,傳統發光二極體元件是透過導線連接LED模組和電源,然而,這種導線連接的方式卻是故障的來源,特別是可能因為熱疲勞破壞或機械損耗弱化了焊接點、導線端子或用以導線連接的連接器,於製造過程中,導線連接也是產品缺陷的來源。相較傳統的照明技術,LED照明具有相對高的發光效率,並產生較少的熱能,然而,新一代的紫外光發光二極體(UV LED)因為生成低於400奈米波長的光而導致相對較低的轉換效率,進而產生大量的熱能。為了提高生產效率和維持小型化的結構,一種整合電連接路徑和散熱功能的新設計是非常重要的。於本文所使用「UV」一詞可以廣泛用來解釋所有與紫外光(UV)相關的形式,其包括紫外光(UV)、長波紫
外光(UV-A)、中波紫外光(UV-B)、短波紫外光(UV-C)和近紫外光(NUV)等。一般來說,紫外光(UV)一詞適用於大約10nm到大約440nm的波長。
傳統紫外光應用的技術之中,通常使用有機材料作為連接材料(例如:電線絕緣插座或具有絕緣材料的插座或端子),然而,在長時間曝曬短波長的照射,紫外光和其熱量都會造成連接材料的損壞,因此,需要一種新的同時便於小型化的設計來改善散熱。
目前紫外光陣列可採用陶瓷基板來減少熱效效應,但若為了連接而鑽孔設置連接器,太多熱能可能會對設置有連接器的位置發生斷裂的風險。
此外,當應用LED於一個大型陣列之中時,可預見大量的熱能會生成在一個高功率密度集中的小面積內,特別是指裝置在變熱與變冷間的熱循環下,這熱能可能會損壞常規的連接。再者,不良的焊接或是導線與焊接點不良對位會導致不穩定的連接,進而導致故障。
LED陣列另外也會發出光能量,於一些情況,這些光可能比白天正中午的太陽光還要大上兩個級別(百倍)的能量,這種的光能量可能也會損壞導線的連接,造成LED陣列供電的故障。
綜上所述,需要一種方式來改良現有LED和供電電源之間的電連接方式。
另外,也需要改需要一種連接至其他利用導線連接的系統的互連通結構,亦即,此種互連通結構不止適用於LED或LED陣列而可延伸至其他不同的應用。
再來也是需要一種可以改進效率和維持裝置結構的小型化方法,特別是一種新的且可以整合電導路徑與散熱功能的設計。
一種兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其包括:一選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的第一基板;一設置於該第一基板一表面上的第一電路;一高熱能生成裝置,其設置於該第一電路的一部分或設置於該第一基板的表面上與該第一電路電氣連接;一與該第一基板間隔設置的第二基板;一第二電路設置於該第二基板的一表面上;一用於對該高熱能生成裝置進行散熱的散熱器,該散熱器設置於該至少一第一基板或第二基板旁;一穿孔,穿設於該第一基板、該第二基板和該散熱器;一與該穿孔並列的電絕緣單元;一與該電絕緣單元鄰近設置的可導電導熱內管;以及一放置於該穿孔內並與該可導電導熱內管接觸的緊固件,其中該緊固件透過該可導電導熱內管與該第一電路和該第二電路電連通,並與一外部電源電氣連接,該緊固件載攜源自該外部電源的電能或是電子訊號,並透過該可導電導熱內管散熱至該散熱器。第二基板與第一基板間隔設置。第二電路設置於第二基板的表面上。至少一用於對UV LED陣列進行散熱的第一散熱器,其至少和第一基板與第二基板的其中之一或兩者鄰近設置。穿孔穿設於第一基板、第二基板和散熱器。與穿孔並列的電絕緣單元,其與可導電導熱內管鄰近放置。
該高功率裝置包括一種具有與電互連通和散熱器的紫外光發光二極體(UV LED)陣列,該UV LED陣列包括:一選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的第一基板;一第一電路,設置於該第一基板的一表面上;一UV LED陣列,其置於該第一電路的一部分,或是該第一基板的表面上,其中,該UV LED陣列與該第一電路電氣連接;一第二基板,與該第一基板間隔設置;一第二電路,設置於該第二基板的一表面上;至少一用於
對該UV LED陣列進行散熱的第一散熱器,該第一散熱器至少和該第一基板與該第二基板的其中之一或兩者鄰近設置;一穿孔,穿設於該第一基板、該第二基板和該至少一第一散熱器;一與該穿孔並列的電絕緣單元;一可導電導熱內管,其與該電絕緣單元鄰近放置;以及一放置於該穿孔內並與該可導電導熱內管接觸的緊固件。
另外,該高功率裝置可選自一裝置使用1安培以上的電流,或者一發熱效率大於每平方公尺60瓦特;該高熱能生成裝置設置於該第一電路的一部分或設置於該第一基板的表面上與該第一電路電氣連接,並為一個或多個UV LED、可見光LED、雷射或薄膜加熱器。
該第二基板可選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的基板,並與該第一基板間隔設置的。
該放置於穿孔內並與可導電導熱內管接觸的緊固件可透過與可導電導熱內管與第一電路和第二電路電互連通,並與一外部電源電氣連接。緊固件載攜源自外部電源一或多個電能或是電子訊號,並透過可導電導熱內管至少散熱至第一散熱器。
10:第一基板
20:第一導電層
30:第二基板
40:第二導電層
50:散熱器
60:穿孔
65:電絕緣單元
70:可導電導熱內管
80:緊固件
82:柄部
84:頭部
110:第三基板
120:第三導電層
130:第四基板
140:第四導電層
150:第二散熱器
160:第二穿孔
200:供應電源
300:UV LED陣列
310:LED
320:電路
330:基板
340:玻璃蓋
350:擴散片元件
365:可導電導熱內管
370:穿孔
380:緊固件
400:UV LED陣列
410:UV LED
415:連結盤
420:電路
430:基板
440:玻璃蓋
450:擴散片元件
500:高熱能生成裝置
510:UV LED陣列
520:導電電路層
530:基底層
550:散熱器層
560:可導電導熱內管
570:電絕緣單元
580:緊固件
590:熱耦合器
600:高熱能的生成裝置
610:UV LED陣列
630:基板
650:主動冷卻散熱器
655:主動冷卻導管
660:可導電導熱內管
670:電絕緣單元
700:薄膜加熱器
730:基板
740:電阻加熱薄膜導電層
750:元件
760:可導電導熱內管
770:電絕緣單元
780:緊固件
圖1是根據本發明一實施例所繪製緊固件互連通的示意圖。
圖2是根據本發明另一實施例所繪製緊固件互連通的示意圖。
圖3A-3F是根據本發明一實施例所繪製UV LED陣列與緊固件互連通的示意圖。
圖4是根據本發明另一實施例所繪製UV LED陣列與緊固件互連通的示意圖。
圖5是根據本發明一實施例所繪製熱耦合器與緊固件互連通的示意圖。
圖6是根據本發明一實施例所繪製主動冷卻散熱器與緊固件戶連通的示意圖。
圖7A是根據本發明一實施例所繪製薄膜加熱器與緊固件互連通的示意圖。
圖7B是根據本發明一實施例所繪製薄膜加熱器的示意圖。
搭配參閱圖式進一步說明本發明之詳細內容,圖1為一個可導電的緊固組件的整體示意圖,其用來克服傳統接線的缺點。該可導電緊固件是一個具有機械強度且易於與電路板或其他基板材料組裝。如下面進一步的詳細說明,該緊固件可以於一與連接LED的電路(或其他需要與供電電源導通的裝置)和一其他電路之間相互導通,該其他電路可以設置於電路板或基板的另一表面,或設置於另一個其他的基板上。
在圖1的例子中,一第一基板10可以選自於一個印刷電路板,例如FR-X(PCB)或CEM-X(PCB),或是可以是其他諸如氮化鋁、碳化矽或氧化鋁/藍寶石的陶瓷基板材料;亦可以選擇其他非導電基板,例如特定聚合物、玻璃陶瓷或具有絕緣陶瓷或聚合物層的金屬。一導電材料20位於該基板10上,並可以被圖形化為一第一電路。一第二基板30與該第一基板10分開放置,並類似於
第一基板10,該第二基板30可選自一印刷電路板、陶瓷或其他非導電材料的基板。另一個導電層40放置於該第二基板30,並且可以被圖性化為一第二電路。該導電層40可為銅、金、銀或其合金,或是其他任何可以導電的材料,足以將電訊號或電力傳送到位於基板或是導電層上的裝置。
如圖1所示,基板10和30分別放置於一具有導熱核心材料或散熱器的任一側。通常,該核心材料是選自於一金屬核心,例如鋁合金、鋁、銅、銅合金或不鏽鋼。然而,其他可導熱材料包括非金屬也可以使用。雖然該基板被放置於該導熱核心材料或散熱器的任一側,但也可以接受其他方式的配置,包括一個或兩個基板不直接接觸散熱器,或者透過一或多個中間層來接觸散熱器。
一穿孔60穿過第一基板10、第二基板30、第一導電層20、第二導電層40和散熱器50。一電絕緣單元65與位於該電絕緣單元65附近的可導電導熱內管70沿著穿孔60排列。該電絕緣單元65可以是陶瓷、絕緣聚合物或是其他適合可以被使用的絕緣材料。該可導電導熱內管70可為一種金屬,例如銅、銅合金、鋁、鋁合金、鎳、鋼或其他非金屬的導體。
一可導電導熱的緊固件80被放置於穿孔60之中,其接觸該可導電導熱內管70,以使得該緊固件80透過該可導電導熱內管70與第一電路(導體20)和第二電路(導體40)相互電連通,該緊固件80可以是一具有螺紋的連接件例如螺絲或螺栓,也可以是一個不具有螺紋的連接件。
請參考圖2,對於複雜的多層結構,附加電路和散熱器也可以互相連通,如圖2所示,可導電導熱內管70透過延伸穿過一第二穿孔160,以分別通過一第二散熱器150以及第三和第四基板110、130。這些第三和第四基板包括
分別如圖2所示的第三和第四導電層(可選擇性被圖形化為電路)120、140元件。其他更多帶有散熱器的基板或是電路,雖然沒有繪製於圖2之中,仍可以被理解其可以與可導電導熱內管70和緊固件80互連通。
在圖2所示的實施例中,基板之間被散熱器和空氣所隔開。然而,另一個散熱器可以被設置於基板30、110之間。其他物件(例如附加基板材料)可以用於維持或固定,使其形成物理上穩定的結構體。值得注意的是,各基板可以包括多於一個電路。緊固件的數量取決於基板上所需互連通的電路。對於現有高功耗電子裝置來說,存在許多用於包含信號或電流的導線,這些導線增加了系統的複雜程度,也增加了系統維護或維修的困難度,以及是一個潛在系統故障的源頭。可導緊固件構成的互通提高了系統的可靠性,該緊固件80可以是一個帶有頭和柄的整合/整體結構,或是頭部84和柄部82可以分開。頭部84可以是一個像圖2所繪製兩個互連通的結構,用以接合一個或多個柄的螺母。值得注意的是,雖然沒有繪製出來,不帶頭的柄仍可以單獨的被使用於一些適合的電路配置中。也就是說,“緊固件”一詞廣義上可以被解釋成任何可以連接元件的連接件,緊固件用於作為機構、電氣和熱能的連接器,而非具有特定的結構。當使用兩件式的緊固件時,安裝的方式可能會和單件式的緊固件不同,也就是說,柄部82可以先插入穿孔後再連接頭部84。單一頭部也可以與多個柄相互連接;該些柄可以分別獨立組裝後,再跟頭部連接在一起。
可導電導熱內管70與一個外部供應電源200電氣連結,該內管70帶有一個或多個電能或訊號,熱能則透過該可導電導熱內管70發散到第一散熱器50(於圖2是第二散熱器150)。
根據本發明另一方面,圖3A-3F繪製有將圖1所示的系統部署到一個UV LED陣列300。UV LED陣列300包括多個在一基板330一行一行排列的UV LED 310(儘管也可以使用其他排列形式),電路320位於基板330上。根據UV LED的類型,LEDs 310是放置於基板330上,或是一部份在電路320上,另一部份在基板330上。於圖3A中所示,可選擇性的將一玻璃蓋340放置在UV LED 310上,在玻璃蓋340上方放置有非必要的透鏡或透鏡陣列,或者一個擴散片元件350。
如圖3A、3D和3F所示,穿孔370如該些圖式所提供的方式穿過基板330。導電電路320接觸可導緊固件380,然後可導緊固件380透過可導電導熱內管365傳導電能或訊號。
根據本發明另一方面,圖4繪製一種使用“倒裝晶片”連結的方式來免除導線連結的連接。UV LED 410包括連接到設置於基板430上的電路420的連結盤415上。
帶有可導緊固件的UV LED系統可以使用於各種UV光蝕刻設備,例如美國專利號第9,128,387號和美國專利公開號第2010/0283978號所揭露的內容,其公開的內容將引用於本文之中。另一種,圖3和4所示的UV LED陣列可用於UV固化系統和UV醫療裝置。基本上,使用本發明的可導緊固件互連通系統的UV LED陣列,可以應用於任何需要UV作為光源的裝置之中,特別適用於需要高強度UV源的裝置。
本發明的靈活性提供優異的性能,特別適合高功率密度的應用(舉例來說,超過30瓦特/平方釐米的實施例,或是於另一些實施例更大於60瓦特/平方釐米)。它也適用於與施作場地相關的UV LED陣列應用,例如:UV固化、平版印刷、以UV為光源的光刻或薄膜加熱器。連接的配置允許採用先進的
熱管理技術,包括將非必要具有氣體或液體的冷卻管嵌入導熱層之中。此外,可導緊固件連接系統也可以用於形狀不規則的基板和電路圖案之中。
LED互連通系統可用於各種LED的應用,例如照明。特別是指適用於一種以LED陣列為基礎的照明系統置,並以一管體形式來取代傳統螢光燈的燈管,或是其他設計來取代白熾燈的照明裝備。一般來說,目前所有使用導線連接供電電源的照明應用都適用於可導緊固件搭配可導管體結構來對單一LED或LED陣列供電。
總而言之,本發明的互連通系統可以用於(i)高電流、高功耗的應用(例如:從1安培(A)到大約20-30A);以及(ii)小的施作區域導致高能量密度和高功率密度(可以使用高率消耗裝置中最高熱耐度的基板或子底座);(iii)可導緊固件可以做為連接的介面,相較傳統銲接、連接器或端子連接的方式,其具有更佳的性能與可靠性。
圖5繪製本發明互連通系統另一種應用。一種高熱能的生成裝置500繪製於圖5,例如UV LED陣列510(儘管還可以使用其他可以產生高熱能的裝置)。該裝置500包括一導電電路層520和一基底層530,另也可以包括一非必要的散熱器層550。於一方面,一個與緊固件580、電絕緣單元570和可導電導熱內管560相關的熱耦合器590,其用來感測基板530底下的溫度,同時,其他熱耦合器可以用來感測基板530表面的溫度。
圖6描繪本發明使用主動冷卻散熱器的實施例。一種高熱能的生成裝置600繪製於圖6,例如UV LED陣列610(儘管還可以使用其他可以產生高熱能的裝置)。一基板630被設置於一主動冷卻散熱器650旁,鎖固用的互連通系統中的鎖固件680、絕緣套670和可導電導熱內管660則穿過該基板630和該散
熱器650被放置於穿孔中。主動冷卻導管655放置於散熱器650之中,並用來攜帶例如冷卻氣體或冷卻液體之類通過散熱器650。以這種方式,散熱的量可能比被動冷卻散熱器。值得注意的是,圖6的主動冷卻散熱器可以與其他本發明使用散熱器的實施例一起使用。
圖7A和7B繪製本發明互連通系統部署於薄膜加熱器700中,如圖所示。電阻加熱薄膜導電層740設置於基板730上;基板730可以是例如玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷材料的絕緣基板。電阻加熱層可以是鎳鉻合金(例如:大約百分之80的鎳和百分之20的鉻構成的合金),或者是任何其他電阻加熱材料(例如:鋁、鋁合金、氧化銦錫、氮化鉭)。緊固件780於一元件750內穿過基板730至穿孔之中。元件750是一種可以當作散熱器的導熱元件,穿孔包括電絕緣單元770的套體和可導電導熱內管760。
總而言之,本發明對於具有UV模組/功率模組的特定應用,其UV源或是陣列具有高電流準位,舉例來說,電流大約介於1A-2A至大約100A的電流。特定的電流負載能力取決於不同的條件,例如電壓、施作面積、緊固件的尺寸、基板材料的種類以及電壓與電流的關係。另外,相較傳統導線連接,小施作面積可以利用本發明的緊固件來減少空間。舉例來說,一個LED模組的尺寸大約是4x5公分(20平方公分),大約60-100瓦特相當於每平方公分是3-5瓦特(對於M3螺桿大小),本發明如圖1和圖3所示的緊固件可以很簡單的承受這樣的功率。理應暸解,更大螺桿尺寸的緊固件例如M5和M10與可承受功率的大小成正比。
互連通系統的可導緊固件另一種應用可以便於電池之間的連通,例如電動機車的應用。又一應用在於數據中心模組間的連通(例如:數據
中心中機架間的連通)。互連通系統另可以使用於其他高功耗電應用,例如雷射或某些高功率半導體裝置。本發明可以廣泛應用於消除現有電子組建中過多的導線、端子或連接器。
本發明的優勢在於高可靠性,特別是在暴露於紫外光或重複熱循環的惡劣環境下具有長期的可靠性。它還可以抵抗震動和老化狀況,由於消除了各種焊接連接,不會有導線分類的問題,且緊固件可以很容易地拆卸和更換,維護起來也相對簡單。施作空間可以得到改善,因為緊固件可以從表面嵌入裝置中。許多其他的應用也可以導入緊固件的互連通系統,包括電子電力裝置、電池到電池間的連接、機架系統導線的置換和風扇組件等。
此外,降低連接介面面積於電路基板可以被實現,其優勢在於,與具有連接器、端子或導線連接的現有技術相比,散熱限制了一些例如膠水、設備焊接點的介面材料。由於緊固件的表面積大於現有技術連接器或其他既有連接技術,使用本發明的緊固件互連通可以降低裂開的風險。換句話說,本發明的緊固件可以減少連接介面的數量,以改善散熱問題和提高可靠度,並且延長使用有緊固件裝置的使用壽命是重要的。
雖然本發明已以較佳實施例搭配說明描述與圖式揭露如上,所選定的實施例是為了更好解釋與描述本發明的原理與實際應用,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神內當可做些許更動與潤飾。
10:第一基板
20:第一導電層
30:第二基板
40:第二導電層
50:散熱器
60:穿孔
65:電絕緣單元
70:可導電導熱內管
80:緊固件
Claims (12)
- 一種兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其包括: 一選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的第一基板; 一設置於該第一基板一表面上的第一電路; 一高熱能生成裝置,其設置於該第一電路的一部分或設置於該第一基板的表面上與該第一電路電氣連接; 一選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的第二基板,並與該第一基板間隔設置; 一第二電路設置於該第二基板的一表面上; 一用於對該高熱能生成裝置進行散熱的散熱器,該散熱器設置於該至少一第一基板或第二基板旁; 一穿孔,穿設於該第一基板、該第二基板和該散熱器; 一與該穿孔並列的電絕緣單元; 一與該電絕緣單元鄰近設置的可導電導熱內管;以及 一放置於該穿孔內並與該可導電導熱內管接觸的緊固件,其中該緊固件透過該可導電導熱內管與該第一電路和該第二電路電連通,並與一外部電源電氣連接,該緊固件載攜源自該外部電源的電能或是電子訊號,並透過該可導電導熱內管散熱至該散熱器。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中該散熱器與該第一基板和該第二基板鄰近設置,令該第一基板放置於該散熱器的第一表面,該第二基板放置於該散熱器的第二表面。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中,該第二基板與該散熱器間隔設置。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,另包括一與該第二基板配合的第二緊固件。
- 如申請專利範圍第3項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,另包括一設置於該第二基板旁的第二散熱器。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中各該第一和第二基板為獨立選自陶瓷、玻璃陶瓷、聚合物或鍍有電絕緣層的金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中該散熱器包括一或多個選自於銅、鋁、鋼、不銹鋼和其前述的合金。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中各該第一和第二基板為獨立選自於印刷電路板、氧化鋁、碳化矽、氮化鋁、藍寶石或玻璃。
- 如申請專利範圍第1項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中,該電絕緣單元或可導電導熱的內管為一設置於該穿孔的管體。
- 如申請專利範圍第1至第9項中任一項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中該高功率裝置包括一種具有與電互連通和散熱器的紫外光發光二極體(UV LED)陣列,該UV LED陣列包括: 一選自於電絕緣材質或是導電材質基板上設置有一或多個電絕緣層的第一基板; 一第一電路,設置於該第一基板的一表面上; 一UV LED陣列,其置於該第一電路的一部分,或是該第一基板的表面上,其中,該UV LED陣列與該第一電路電氣連接; 一第二基板,與該第一基板間隔設置; 一第二電路,設置於該第二基板的一表面上; 至少一用於對該UV LED陣列進行散熱的第一散熱器,該第一散熱器至少和該第一基板與該第二基板的其中之一或兩者鄰近設置; 一穿孔,穿設於該第一基板、該第二基板和該至少一第一散熱器; 一與該穿孔並列的電絕緣單元; 一可導電導熱內管,其與該電絕緣單元鄰近放置;以及 一放置於該穿孔內並與該可導電導熱內管接觸的緊固件,該緊固件透過該可導電導熱內管與該第一電路和該第二電路電互連通(interconnecting),並與一外部電源電氣連接,其中該緊固件載攜源自該外部電源的電能或是電子訊號,並透過該可導電導熱內管散熱到至少一該第一散熱器。
- 如申請專利範圍第10項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中,該散熱器與該第一基板和該第二基板鄰近設置,令該第一基板放置於該散熱器的第一表面,該第二基板放置於該散熱器的第二表面。
- 如申請專利範圍第10項所述兼具互連通和散熱器的高功率裝置,其中各該第一和第二基板為獨立選自陶瓷、玻璃陶瓷、聚合物或鍍有電絕緣層的金屬。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862780946P | 2018-12-18 | 2018-12-18 | |
US62/780,946 | 2018-12-18 | ||
US201962832286P | 2019-04-11 | 2019-04-11 | |
US62/832,286 | 2019-04-11 | ||
US16/576,752 | 2019-09-19 | ||
US16/576,752 US11107962B2 (en) | 2018-12-18 | 2019-09-19 | UV LED array with power interconnect and heat sink |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202029535A TW202029535A (zh) | 2020-08-01 |
TWI748307B true TWI748307B (zh) | 2021-12-01 |
Family
ID=70858886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108146534A TWI748307B (zh) | 2018-12-18 | 2019-12-18 | 兼具互連通和散熱器的高功率裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102019133203B4 (zh) |
TW (1) | TWI748307B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040173901A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Intel Corporation | Thermally enhanced electronic flip-chip packaging with external-connector side die and method |
TWM596976U (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-11 | 香港商正揚科技有限公司 | 具有與電互連通和散熱器的紫外光發光二極體陣列及高功率裝置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100283978A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Ultratech,Inc. | LED-based UV illuminators and lithography systems using same |
TWI449226B (zh) | 2011-05-20 | 2014-08-11 | Unistars | 用於發光二極體裝置的散熱結構 |
JP5803430B2 (ja) | 2011-08-26 | 2015-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | Led発光装置 |
CN104956487A (zh) | 2012-08-20 | 2015-09-30 | 贺利氏特种光源美国有限责任公司 | 微通道冷却的高热负荷发光器件 |
US9128387B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting diode array light source for photolithography and method |
WO2017211773A1 (en) | 2016-06-07 | 2017-12-14 | Philips Lighting Holding B.V. | Uv solid state output device |
-
2019
- 2019-12-05 DE DE102019133203.6A patent/DE102019133203B4/de active Active
- 2019-12-18 TW TW108146534A patent/TWI748307B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040173901A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Intel Corporation | Thermally enhanced electronic flip-chip packaging with external-connector side die and method |
TWM596976U (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-11 | 香港商正揚科技有限公司 | 具有與電互連通和散熱器的紫外光發光二極體陣列及高功率裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202029535A (zh) | 2020-08-01 |
DE102019133203A1 (de) | 2020-06-18 |
DE102019133203B4 (de) | 2022-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8011799B2 (en) | Thermal management of LED-based lighting systems | |
CN107112401B (zh) | 具有直接安装在散热器上的led的效率提高的照明装置 | |
WO2009094829A1 (en) | A high heat dissipation led light source module and a high heat dissipation and high power led light source assembly | |
JP2015503208A (ja) | 発光システム | |
KR101130137B1 (ko) | 발광다이오드 모듈 | |
TW201228054A (en) | Distributed LED-based light source | |
KR20080020668A (ko) | 열전달/발산 모듈을 구비한 반도체 발광 장치 | |
US20100163890A1 (en) | Led lighting device | |
TW200806921A (en) | Light emitting diode lighting module with improved heat dissipation structure | |
TWI575785B (zh) | 發光裝置 | |
KR101301719B1 (ko) | Led 램프용 전극모듈 | |
JP2002237205A (ja) | 多数の発光ダイオードを有する光源 | |
KR101431099B1 (ko) | 금속 인쇄 회로 기판, 이를 이용하는 엘이디 조립 기판 및 엘이디 조립체 | |
US11664484B2 (en) | UV LED array with power interconnect and heat sink | |
US20100020505A1 (en) | Printed Circuit Board Assembly Having Multiple Land Grid Arrays for Providing Power Distribution | |
CN101924098A (zh) | 发光二极管模组 | |
TWI748307B (zh) | 兼具互連通和散熱器的高功率裝置 | |
GB2480428A (en) | PCB with metal core having extended heatsink bosses for mounting LEDs | |
KR101098877B1 (ko) | 방열 촉진 기구 및 그 기구가 장착된 전기-전자 장치 | |
TW201616699A (zh) | 驅動覆晶發光晶片之電路板及包含其之發光模組 | |
CN100580921C (zh) | 半导体光源装置 | |
CN109524374A (zh) | 一种led发光模块 | |
CN207967045U (zh) | 一种基于陶瓷基板封装大功率led光源 | |
CN100547820C (zh) | 半导体光源装置 | |
KR20110033965A (ko) | 발광 다이오드 실장용 인쇄회로기판 |