TWI746601B - 熱優化的環 - Google Patents

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Abstract

此處揭露一種在電漿處理系統中使用的處理套件環。處理套件環包括環狀主體及一或更多空心內部腔體。環狀主體以抗電漿材料形成。環狀主體具有大於200mm的外部直徑。環狀主體包括頂表面及底表面。頂表面配置成面向處理腔室之電漿處理區域。底表面相對於頂表面。底表面實質上垂直於主體的中心線。底表面至少部分地藉由基座組件支撐。一或更多空心內部腔體形成於環狀主體中在中心線四周。一或更多空心內部腔體在環狀主體之中安排成圓形。

Description

熱優化的環
此處所述之實施例大致關於處理腔室，且更具體而言，關於處理腔室的零件環。
物理氣相沉積（PVD）為電子裝置的製造中最常使用的處理之一者。PVD是在真空腔室中執行的電漿處理，其中負偏壓的標靶暴露至具有相對重的原子之惰性氣體（例如，氬）或包含此類惰性氣體之氣體混合物的電漿。藉由惰性氣體之離子對標靶的轟擊導致標靶材料之原子的彈射。彈射的原子在基板上累積成為沉積的薄膜，該基板放置於佈置於腔室中的基板支撐件上。
處理套件可佈置於腔室中，以幫助在腔室之中相對於基板以所欲的區域界定處理區域。處理套件可包括至少一遮蓋環及一沉積環。沉積環可配置成防止在基板支撐基座之周圍上的沉積。遮蓋環可配置成在沉積環之間建立間隙，以防止在基板下方的沉積。在處理期間，沉積環及遮蓋環可加熱至高溫。高溫導致沉積環及遮蓋環的熱膨脹，而隨著時間會降低沉積環及遮蓋環的壽命。
因此，需要用於處理腔室之改良的處理套件。
在一個實施例中，此處揭露一種在電漿處理系統中使用的處理套件環。處理套件環包括環狀主體及一或更多空心內部腔體。環狀主體以抗電漿材料形成。環狀主體具有大於200mm的外部直徑。環狀主體包括頂表面及底表面。頂表面配置成面向處理腔室之電漿處理區域。底表面相對於頂表面。底表面實質上垂直於主體的中心線。底表面至少部分地藉由基座組件支撐。一或更多空心內部腔體形成於環狀主體中在中心線四周。一或更多空心內部腔體在環狀主體之中安排成圓形。
在另一實施例中，此處揭露一種在電漿處理系統中使用的處理套件。處理套件包括第一處理套件環及第二處理套件環。第一處理套件環包括第一主體及一或更多第一空心內部腔體。第一主體以抗電漿材料形成。第一主體具有大於200mm的第一外部直徑。第一主體包括第一頂表面及第一底表面。第一頂表面面向處理腔室之電漿處理區域。第一頂表面配置成至少部分地支撐第二處理套件環。第一底表面相對於第一頂表面。第一底表面實質上垂直於第一主體的第一中心線，且至少部分地藉由基座組件支撐。第二處理套件環至少部分地覆蓋第一處理套件環。第二處理套件環包括第二主體及一或更多第二空心內部腔體。第二主體以抗電漿材料形成。第二主體具有大於200mm的第二外部直徑。第二主體包括第二頂表面及第二底表面。第二頂表面面向處理腔室之電漿處理區域。第二底表面相對於第二頂表面。第二底表面實質上平行於第二處理套件環的第二中心線。第二底表面配置成至少部分地覆蓋第一處理套件環。一或更多第二空心內部腔體形成於第二主體中在中心線四周。一或更多第二空心內部腔體在第二主體之中安排成圓形。
第1圖根據一個實施例，描繪範例半導體處理腔室100。如所顯示，處理腔室100為物理氣相沉積（PVD）腔室，能夠沉積金屬或陶瓷材料，例如沉積鈦、氧化鋁、鋁、銅、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、氮化鎢、鑭、氧化鑭、氮化鈦、鎳及NiPt等等。可適於從本揭露案受益的沉積腔室之一個範例為ALPS® Plus及SIP ENCORE® PVD處理腔室，商業上可從美國加州聖克拉拉的應用材料股份有限公司取得。應考慮包括來自其他製造商的其他處理腔室亦可適於從本揭露案受益。
處理腔室100包括腔室主體102，該腔室主體102具有包圍內部容積112的上部接合器104、下部接合器106、底部108及蓋組件110。腔室底部106通常包括狹縫閥（未顯示）用以提供進出處理腔室100之基板101的入口及出口。
半導體處理腔室100包括基座組件114及處理套件150。基座組件114可從腔室100的底部108支撐。處理套件150包括支撐於基座組件114上的至少一沉積環152。處理套件150亦可包括接地護罩154及交錯的遮蓋環156之一者或兩者。基座組件114藉由舉升機制116耦合至腔室100的底部106，該舉升機制116配置成在上部及下部位置之間移動基座組件114。在下部位置中，舉升銷（未顯示）移動通過基座組件114以將基板從基座組件114分隔開，而促進與佈置於處理腔室外部之傳送機制進行基板的交換。風箱118可佈置於基座組件114及底部108之間，以將腔室主體102之內部容積112從基座組件114之內部及腔室100之外部隔絕開來。
基座組件114通常包括密封地耦合至底板122的基板支撐件120，該底板122耦合至接地板124。基板支撐件120可以鋁或陶瓷組成。基板支撐件120可為靜電夾盤、陶瓷主體、加熱器或此等之結合。介電主體可由高導熱介電材料製成，例如熱解氮化硼、氮化鋁、氮化矽或類似者。基板支撐件120具有在處理期間容納且支撐基板101之基板容納表面126。基板容納表面126具有實質上平行於標靶132之濺鍍表面128的平面。
處理套件150包含可從腔室100輕易移除的各種零件，例如，用以將濺鍍沉積物清潔移除零件表面、替換或維修腐蝕的零件、或將腔室100改造適於其他處理。如上所討論，處理套件150包括沉積環152、接地護罩154及遮蓋環156之至少一或更多者。在一個實施例中，遮蓋環156及沉積環152放置於基板支撐件120之周圍邊緣130的四周。沉積環152及遮蓋環156在第2-7圖將更詳細地討論。沉積環152及遮蓋環156可以3D列印、光蝕刻或鑄造處理而形成，此舉允許在沉積環152及遮蓋環156的主體中形成一或更多空心內部腔體。此舉導致沉積環152及遮蓋環156具有增加的表面面積（包括內部表面），而有利地導致當加熱沉積環152及遮蓋環156時降低熱的膨脹高達30%。
蓋組件110通常包括標靶背板131、標靶132及磁電管134。當在關閉的位置中時，標靶背板131藉由上部接合器104支撐。陶瓷環封口136可佈置於標靶背板131及上部接合器104之間，以防止介於其中的真空洩漏。標靶132耦合至標靶背板131且暴露至處理腔室100之內部容積112。標靶132提供在PVD處理期間沉積於基板101上的材料。
處理腔室100耦合至功率源140及氣源142。諸如氬氣的氣體可從氣源142透過導管144供應至內部容積112。氣源142可包含諸如氬氣或氙氣的非反應氣體，而能夠從標靶132能量化地撞擊且濺鍍材料。氣源142亦可包括反應氣體。電漿在界定為電漿處理區域180的基板101及標靶132之間形成。電漿之中的離子朝向標靶132加速，且造成材料從標靶132擊出。擊出的標靶材料沉積在基板101上。
第2A圖及第2B圖根據一個實施例，描繪遮蓋環156的剖面視圖。遮蓋環156包括環狀主體200。環狀主體200以抗電漿材料形成。舉例而言，環狀主體200以不銹鋼形成。在一個實施例中，環狀主體200可透過三維（3D）列印或其他適合的處理形成。環狀主體200包括頂表面202及底表面204。頂表面202面向處理腔室100的電漿處理區域。在一個實施例中，頂表面202可包括三維列印的表面紋理。底表面204垂直於主體200的中心線210。在一個實施例中，底表面204實質上為平坦的。底表面204配置成至少部分地覆蓋沉積環152。
遮蓋環156進一步包含一或更多空心內部腔體206及一或更多通氣孔208。3D列印處理允許一或更多空心內部腔體206及一或更多通氣孔208在環狀主體200中形成。一或更多空心內部腔體206在環狀主體200中形成。在一個實施例中，一或更多空心內部腔體206以圓形形成於主體22的中心線210四周。舉例而言，一或更多空心內部腔體206可在環狀主體200之中心線210四周為同心的。一或更多空心內部腔體206配置成當處理期間加熱遮蓋環156時，對加熱或輻射提供更大的表面面積。更大的表面面積幫助降低遮蓋環156之整體熱應變。在一個範例中，一或更多空心內部腔體206導致高達30%的熱膨脹之減少。藉由減少遮蓋環156的熱膨脹，可增加遮蓋環156的壽命，因此在必須替換之前增加基板處理的數量。此外，熱膨脹的減少導致遮蓋環156對其他腔室零件較少的摩擦，而減少處理腔室100中粒子的產生。在一個實施例中，可在一或更多空心內部腔體206中形成一或更多內部特徵230。舉例而言，可在一或更多空心內部腔體中以脊部或鰭片的形式形成一或更多內部特徵230。一或更多內部特徵230配置成增加遮蓋環156的剛性。當一或更多內部特徵230延伸通過一或更多空心內部腔體206（例如第2B圖中所顯示的）時，可在一或更多內部特徵之各者中形成可選地孔洞250。可選地孔洞配置成藉由一或更多內部特徵230與形成於一或更多空心內部腔體206中的區域進行通氣。
一或更多通氣孔208形成於環狀主體200中。一或更多通氣孔208與一或更多空心內部腔體206流體連通。一或更多通氣孔208配置成對空心內部腔體206通氣。在一個實施例中，一或更多通氣孔208具有約3.14mm2 的開放面積。對空心內部腔體206進行通氣確保在空心內部腔體206中不會累積壓力，且不會扭曲遮蓋環156。一般而言，一或更多通氣孔208可形成於環狀主體200中，在並非面向電漿處理區域的外部表面上（例如，並非在頂表面上）。在一個實施例中，遮蓋環156可包括第一通氣孔214及第二通氣孔216，第一通氣孔214相對於第二通氣孔216形成於主體200的相對側上。將第一及第二通氣孔214、216定位於主體200的相對側處允許藉由吹送空氣至第一通氣孔214中，使得粉塵通過第二通氣孔216離開空心內部腔體206，而移除任何粉塵或其他污染物。
第3圖根據一個實施例，描繪第2圖之遮蓋環156的頂部剖面視圖。如所顯示，遮蓋環156包括內部直徑218及外部直徑220。內部直徑218比外部直徑220更短。遮蓋環156顯示為具有一或更多空心內部腔體206形成於其中。一或更多空心內部腔體206形成於遮蓋環156的中心線211四周。在一個實施例中，一或更多空心內部腔體206均為內部連通的。將一或更多空心內部腔體206進行內部連通允許整個遮蓋環156的壓力均勻。
第4圖根據另一實施例，描繪遮蓋環156的頂部剖面視圖。如所顯示，遮蓋環156包括第一排402及第二排404之空心內部腔體206形成於其中。第一排402的空心內部腔體206及第二排的空心內部腔體形成於遮蓋環156的中心線211四周。在一個實施例中，第一排402的空心內部腔體206沿著第一排402而內部連通，且第二排404的空心內部腔體206沿著第二排404而內部連通。在另一實施例中，空心內部腔體206亦橫跨第一及第二排402、404而內部連通。
第5A圖及第5B圖根據一個實施例，描繪沉積環152及沉積環152’的剖面視圖。沉積環152’可在處理腔室100中取代沉積環152來使用。沉積環152’實質上類似於沉積環152。沉積環152包括環狀主體500。環狀主體500可以抗電漿材料形成。舉例而言，環狀主體500可以不銹鋼形成。在一個實施例中，環狀主體500可透過三維（3D）列印或其他適合的處理形成。環狀主體500包括頂表面502及底表面504。頂表面502面向處理腔室100的電漿處理區域180。頂表面502配置成至少部分地支撐主體500。在一個實施例中，頂表面502可包括三維列印的表面紋理。底表面504垂直於沉積環152的中心線510。在一個實施例中，底表面504為實質上平坦的。底表面504配置成至少部分地藉由基板支撐件120來支撐。
沉積環152進一步包含一或更多空心內部腔體206及一或更多通氣孔508。3D列印處理允許在主體500中形成一或更多空心內部腔體506及一或更多通氣孔508。一或更多空心內部腔體506形成於環狀主體500中。在一個實施例中，一或更多空心內部腔體506以圓形形成於主體500的中心線510四周。舉例而言，一或更多空心內部腔體506在環狀主體500之中心線510四周可為同心的。一或更多空心內部腔體506配置成當處理期間加熱沉積環152時，對加熱或輻射提供更大的表面面積。更大的表面面積幫助降低沉積環152之整體熱應變。在一個範例中，一或更多空心內部腔體506導致高達30%的熱膨脹之減少。藉由減少沉積環152的熱膨脹，可增加沉積環152的壽命，因此在必須替換之前增加基板處理的數量。此外，熱膨脹的減少導致沉積環152對其他零件較少的摩擦，而減少處理腔室100中粒子的產生。在一個實施例中，可在一或更多空心內部腔體506中形成一或更多內部特徵530。舉例而言，可在一或更多空心內部腔體中以脊部或鰭片的形式形成一或更多內部特徵530。一或更多內部特徵530配置成增加沉積環152的剛性。
一或更多通氣孔508與一或更多空心內部腔體506流體連通。一或更多通氣孔508配置成對空心內部腔體506通氣。在一個實施例中，一或更多通氣孔508具有約3.14mm2 的開放面積。對空心內部腔體506進行通氣確保在空心內部腔體506中不會累積壓力，且不會扭曲沉積環152。一般而言，一或更多通氣孔508可形成於環狀主體500中，在並非面向電漿處理區域的外部表面上（例如，並非在頂表面上）。在一個實施例中，沉積環152可包括第一通氣孔514及第二通氣孔516，第一通氣孔514相對於第二通氣孔516形成於主體500的相對側上。將第一及第二通氣孔514、516定位於主體500的相對側處允許藉由吹送空氣至第一通氣孔514中，使得粉塵通過第二通氣孔516離開空心內部腔體506，而移除任何粉塵或其他污染物。
第5圖根據另一實施例，描繪沉積環152’的剖面視圖。沉積環152’可在處理腔室100中取代沉積環152來使用。
第6圖根據一個實施例，描繪第2圖之沉積環152的頂部剖面視圖。如所顯示，沉積環152包括內部直徑518及外部直徑520。內部直徑518比外部直徑520更短。沉積環152顯示為具有一或更多空心內部腔體506形成於其中。一或更多空心內部腔體506形成於沉積環152的中心線511四周。在一個實施例中，一或更多空心內部腔體506均為內部連通的。將一或更多空心內部腔體506進行內部連通允許整個沉積環152的壓力均勻。
第7圖根據另一實施例，描繪遮蓋環156之頂部剖面視圖。如所顯示，遮蓋環156包括第一排702及第二排704之空心內部腔體506形成於其中。第一排702的空心內部腔體506及第二排的空心內部腔體形成於遮蓋環156的中心線511四周。在一個實施例中，第一排702的空心內部腔體506沿著第一排702而內部連通，且第二排704的空心內部腔體506沿著第二排704而內部連通。在另一實施例中，空心內部腔體506亦橫跨第一及第二排702、704而內部連通。
儘管以上導向特定實施例，可衍生其他及進一步實施例而不悖離本揭露案之基本精神，且本揭露案之範疇藉由以下的申請專利範圍來決定。
100‧‧‧腔室101‧‧‧基板102‧‧‧腔室主體104‧‧‧上部接合器106‧‧‧下部接合器110‧‧‧蓋組件112‧‧‧內部容積114‧‧‧基座組件116‧‧‧舉升機制118‧‧‧風箱120‧‧‧基板支撐件122‧‧‧底板124‧‧‧接地板126‧‧‧基板容納表面128‧‧‧濺鍍表面130‧‧‧周圍邊緣131‧‧‧標靶背板132‧‧‧標靶134‧‧‧磁電管136‧‧‧陶瓷環封口140‧‧‧功率源142‧‧‧氣源144‧‧‧導管150‧‧‧處理套件152‧‧‧沉積環154‧‧‧接地護罩156‧‧‧遮蓋環180‧‧‧電漿處理區域200‧‧‧環狀主體202‧‧‧頂表面204‧‧‧底表面206‧‧‧空心內部腔體208‧‧‧通氣孔210‧‧‧中心線211‧‧‧中心線214‧‧‧第一通氣孔216‧‧‧第二通氣孔218‧‧‧內部直徑220‧‧‧外部直徑230‧‧‧內部特徵402‧‧‧第一排404‧‧‧第二排500‧‧‧環狀主體502‧‧‧頂表面504‧‧‧底表面506‧‧‧空心內部腔體508‧‧‧通氣孔510‧‧‧中心線511‧‧‧中心線514‧‧‧第一通氣孔516‧‧‧第二通氣孔518‧‧‧內部直徑520‧‧‧外部直徑530‧‧‧內部特徵702‧‧‧第一排704‧‧‧第二排
為了可更加詳細理解上述本揭露案所記載之特徵，以上簡述之本揭露案的更具體說明可參考實施例而取得，某些實施例在隨附圖式中描繪。然而，應理解隨附圖式僅描繪此揭露案之通常實施例，且因此不應考慮為限制其範疇，因為本揭露案可容許其他均等效果的實施例。
第1圖根據一個實施例，描繪範例半導體處理腔室。
第2A圖根據一個實施例，描繪第1圖之遮蓋環的剖面視圖。
第2B圖根據另一實施例，描繪第1圖之遮蓋環的剖面視圖。
第3圖根據一個實施例，描繪第2圖之遮蓋環的頂部剖面視圖。
第4圖根據一個實施例，描繪第1圖之遮蓋環的頂視剖面視圖。
第5A圖根據一個實施例，描繪第1圖之沉積環的剖面視圖。
第5B圖根據另一實施例，描繪第1圖之沉積環的剖面視圖。
第6圖根據一個實施例，描繪第5圖之沉積環的頂部剖面視圖。
第7圖根據一個實施例，描繪第1圖之沉積環的頂視剖面視圖。
為了清楚起見，已盡可能地使用相同的元件符號，來代表共同圖式之間的相同元件。此外，一個實施例的元件可有益地適於在此處所述之其他實施例中利用。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧腔室
101‧‧‧基板
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧上部接合器
106‧‧‧下部接合器
110‧‧‧蓋組件
112‧‧‧內部容積
114‧‧‧基座組件
116‧‧‧舉升機制
118‧‧‧風箱
120‧‧‧基板支撐件
122‧‧‧底板
124‧‧‧接地板
126‧‧‧基板容納表面
128‧‧‧濺鍍表面
130‧‧‧周圍邊緣
131‧‧‧標靶背板
132‧‧‧標靶
134‧‧‧磁電管
136‧‧‧陶瓷環封口
140‧‧‧功率源
142‧‧‧氣源
144‧‧‧導管
150‧‧‧處理套件
152‧‧‧沉積環
154‧‧‧接地護罩
156‧‧‧遮蓋環
180‧‧‧電漿處理區域

Claims (34)

  1. 一種在一電漿處理系統中使用的處理套件環，該處理套件環包含：一環狀主體，該環狀主體以一抗電漿材料形成，該環狀主體具有大於200mm的一外部直徑，該環狀主體包含：一頂表面；及一底表面，該底表面相對於該頂表面，該底表面實質上垂直於該環狀主體的一中心線；一或更多空心內部腔體，該一或更多空心內部腔體形成於該環狀主體中在該中心線四周，且至少部分地由該頂表面和該底表面界定，該一或更多空心內部腔體在該環狀主體之中安排成一圓形；一或更多特徵，該一或更多特徵形成於該一或更多空心內部腔體中，該一或更多特徵從該頂表面延伸至該底表面，並進一步界定該一或更多空心內部腔體，該一或更多特徵包括脊部或鰭片；一第一通氣孔，該第一通氣孔形成於該環狀主體中且與該一或更多空心內部腔體中的至少一個流體連通；及一第二通氣孔，該第二通氣孔形成於該環狀主體中且與該一或更多空心內部腔體中的至少一個流體連通， 該第二通氣孔相對於該第一通氣孔形成於該環狀主體的一相對表面上。
  2. 如請求項1所述之處理套件環，其中該一或更多空心內部腔體安排在該中心線四周的一或更多環狀列中。
  3. 如請求項2所述之處理套件環，其中在每個環狀列中的該一或更多空心內部腔體彼此流體連通。
  4. 如請求項1所述之處理套件環，其中該第一通氣孔和該第二通氣孔擋離該電漿處理區域。
  5. 如請求項4所述之處理套件環，其中該第一通氣孔和該第二通氣孔具有約3.14mm2的一面積。
  6. 如請求項1所述之處理套件環，其中該環狀主體及該一或更多空心內部腔體藉由一三維列印處理形成(three-dimensional printing process)。
  7. 如請求項1所述之處理套件環，其中該頂表面包括一三維列印的表面紋理。
  8. 如請求項1所述之處理套件環，其中該底表面配置成藉由一基座組件支撐，且該頂表面配置成至少部分地藉由一遮蓋環支撐。
  9. 如請求項1所述之處理套件環，其中該底表面配置成至少部分地藉由一沉積環支撐。
  10. 如請求項1所述之處理套件環，其中該環 狀主體以不銹鋼形成。
  11. 一種用於一基板處理腔室之處理套件，包含：一第一處理套件環，包含：一第一主體，該第一主體以一第一抗電漿材料形成，該第一主體具有大於200mm的一第一外部直徑，該第一主體包含：一第一頂表面；及一第一底表面，該第一底表面相對於該第一頂表面，該第一底表面實質上垂直於該第一主體的一第一中心線；一或更多第一空心內部腔體，該一或更多第一空心內部腔體形成於該第一主體中在該第一中心線四周，且至少部分地由該第一頂表面和該第一底表面界定，該一或更多第一空心內部腔體在該第一主體之中安排成一圓形；一或更多第一脊部，該一或更多第一脊部形成於該一或更多第一空心內部腔體中，該一或更多第一脊部從該第一頂表面延伸至該第一底表面，並進一步界定該一或更多第一空心內部腔體，二個或更多第一通氣孔，該二個或更多第一通氣孔形成於該第一主體中且與該一或更多第一空心內 部腔體中的至少一個流體連通，該二個或更多第一通氣孔相對於彼此形成於該第一主體的相對表面上；及一第二處理套件環，該第二處理套件環至少部分地覆蓋該第一處理套件環，該第二處理套件環包含：以一第二抗電漿材料形成的一第二主體，該第二主體具有大於200mm的一第二外部直徑，該第二主體包含：一第二頂表面；及一第二底表面，該第二底表面相對於該第二頂表面，該第二底表面實質上平行於該第二處理套件環的一第二中心線，且配置成至少部分地覆蓋該第一處理套件環；一或更多第二空心內部腔體，該一或更多第二空心內部腔體形成於該第二主體中在該第二中心線四周，且至少部分地由該第二頂表面和該第二底表面界定，該一或更多第二空心內部腔體在該第二主體之中安排成一圓形；一或更多第二脊部，該一或更多第二脊部形成於該一或更多第二空心內部腔體中，該一或更多第二脊部從該第二頂表面延伸至該第二底表面，並進一步界定該一或更多第二空心內部腔體；及 二個或更多第二通氣孔，該二個或更多第二通氣孔形成於該第二主體中且與該一或更多第二空心內部腔體中的至少一個流體連通，該二個或更多第二通氣孔相對於彼此形成於該第二主體的相對表面上。
  12. 如請求項11所述之處理套件，其中該一或更多第一空心內部腔體安排在該第一中心線四周的一或更多列中。
  13. 如請求項12所述之處理套件，其中該一或更多第一通氣孔之各者具有約3.14mm2的一開放面積。
  14. 如請求項12所述之處理套件，其中該一或更多第二空心內部腔體安排在該第二中心線四周的一或更多列中。
  15. 如請求項14所述之處理套件，其中該一或更多第二通氣孔之各者具有約3.14mm2的一開放面積。
  16. 如請求項11所述之處理套件，其中該第一處理套件環及該第二處理套件環藉由一三維列印處理形成。
  17. 如請求項11所述之處理套件，其中該第一處理套件環及該第二處理套件環以不銹鋼形成。
  18. 如請求項12所述之處理套件，其中該一或更多第一空心內部腔體之各者經由在該一或更多第一脊部中形成的第一組孔而相互連接且該一或更多第二空心內部腔體之各者經由在該一或更多第二脊部中形成的第二組孔而相互連接。
  19. 如請求項12所述之處理套件，其中該第一處理套件環進一步包含：形成在該第一頂表面上的一三維列印的表面紋理。
  20. 如請求項11所述之處理套件，其中該第二處理套件環進一步包含：形成在該該第二頂表面上的一三維列印的表面紋理。
  21. 一種在一電漿處理系統中使用的處理套件環，該處理套件環包含：該處理套件環的一空心環狀主體，該環狀主體包含：一第一腔體，該第一腔體形成於該環狀主體中；一第一通氣孔，該第一通氣孔形成於該環狀主體中且將該第一腔體通氣到該環狀主體的一外部；一第二腔體，該第二腔體形成於該環狀主體中；一第二通氣孔，該第二通氣孔形成於該環狀主體中且將該第二腔體通氣到該環狀主體的該外部；及 一內部特徵，該內部特徵向該第一腔體中突出，其中該內部特徵包括一脊部或一鰭片；其中該第二通氣孔相對於該第一通氣孔形成於該環狀主體的一相對表面上。
  22. 如請求項21所述之處理套件環，其中該第二腔體被該第一通氣孔通氣到該環狀主體的該外部。
  23. 如請求項21所述之處理套件環，其中該第一腔體和該第二腔體在該環狀主體的一中心線四周為同心的(concentric)。
  24. 如請求項21所述之處理套件環，其中該第一腔體相對於該環狀主體的一中心線形成在該第二腔體的外側。
  25. 如請求項21所述之處理套件環，其中該環狀主體進一步包含：一頂表面；及一底表面，該底表面相對於該頂表面，該底表面實質上垂直於該環狀主體的一中心線，且其中該第一通氣孔形成於該底表面中。
  26. 一種在一電漿處理系統中使用的處理套件環，該處理套件環包含：該處理套件環的一空心環狀主體，該環狀主體包含： 一第一列的腔體；一第二列的腔體；一第一通氣孔，該第一通氣孔形成於該環狀主體中且將該第一列的腔體中的至少一個腔體通氣到該環狀主體的一外部；一第二通氣孔，該第二通氣孔形成於該環狀主體中，該第二通氣孔相對於該第一通氣孔形成於該環狀主體的一相對表面上；及一或更多脊部，該一或更多脊部形成於該第一列的腔體中的每個腔體中。
  27. 如請求項26所述之處理套件環，其中該第一列的腔體中的該等腔體流體相互連接。
  28. 如請求項26所述之處理套件環，其中該第二列的腔體中的該等腔體流體相互連接。
  29. 如請求項26所述之處理套件環，其中該第一列的腔體及該第二列的腔體流體相互連接。
  30. 如請求項26所述之處理套件環，其中該一或更多脊部中的每一個脊部進一步包含：一孔洞。
  31. 如請求項26所述之處理套件，其中該環狀主體以不銹鋼形成。
  32. 一種用於一基板處理腔室之處理套件，該 處理套件包含：一第一處理套件環，包含：一第一空心環狀主體，包含：一第一腔體，該第一腔體形成於該第一環狀主體中；一第二腔體，該第二腔體形成於該第一環狀主體中，該第二腔體相對於該第一環狀主體的一中心線形成在該第一腔體的外側；及一第一通氣孔，該第一通氣孔形成於該第一環狀主體中且將該第一腔體通氣到該第一環狀主體的一外部；及一第二處理套件環，包含：一第二空心環狀主體，包含：一第三腔體，該第三腔體形成於該第二環狀主體中；一第四腔體，該第四腔體形成於該第二環狀主體中，該第四腔體相對於該第二環狀主體的一中心線形成在該第三腔體的外側；及一第二通氣孔，該第二通氣孔形成於該第二環狀主體中且將該第三腔體通氣到該第二環狀主體的一外部。
  33. 如請求項32所述之處理套件，其中該第一 腔體和該第二腔體彼此流體連通。
  34. 如請求項33所述之處理套件，其中該第三腔體和該第四腔體彼此流體連通。
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