TWI742245B - 包含多個垂直共振腔面射型雷射(vcsel)之光源陣列 - Google Patents

包含多個垂直共振腔面射型雷射(vcsel)之光源陣列 Download PDF

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Abstract

本發明描述一種光源陣列(1)，其包含彼此橫向配置於一基板(3)之頂部上的多個VCSEL(2)，其中各VCSEL(2)包含由不發射光之一電極結構(22)環繞之一發光區域(21)，其中一屏蔽層(4)經塗覆於僅覆蓋面向該等VCSEL(2)之一平均發光方向(5)之該電極結構(22)之一表面(22s)之至少該電極結構(22)的頂部上，該屏蔽層(4)係一不透明層且經調適以使一關斷狀態中之該陣列(1)與一裝置(10)之一外殼(11)之一外表面(11s)光學匹配，該光源陣列(1)待安裝在該外表面(11s)。本發明進一步描述包含此一陣列(1)之該裝置(10)，及一種用於製造一光源陣列(1)之方法(100)。

Description

包含多個垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)之光源陣列
本發明係關於一種光源陣列、一種包含此一陣列之裝置及一種用於製造一光源陣列之方法。
單獨封裝紅外(IR)及可見光發射器已用於各種應用(包括攝影、光譜或高光譜分析、3D感測及通訊)。IR發射器、光學件或封裝之佈局、材料或設計可當經安裝於此裝置中時影響一攜帶裝置之整體外觀。
可期望獲得自環境可見之裝置組件(尤其是IR發射器模組)，而不干擾攜帶可在消費應用中特定相關之此等組件之裝置之整體光學外觀。
本發明之一目的係提供一種裝置組件(尤其是一IR發射器模組)，該種裝置組件具有用與攜帶此組件之一裝置之整體光學外觀匹配之一光學外觀。包含多個垂直腔面射型雷射(所謂VCSEL)之一光源陣列係一IR發射器模組。若VCSEL外觀允許色彩改變以提供攜帶裝置之一更均勻外觀，則可改良用於一VCSEL陣列之一簡單設計。
本發明係由獨立技術方案定義。附屬技術方案定義有利實施例。
根據一第一態樣，提供一種光源陣列。光源陣列包含彼此橫向配置於一基板之頂部上之多個VCSEL，其中各VCSEL包含由不發射光之一電 極結構環繞之一發光區域，其中一屏蔽層經塗覆於覆蓋面向VCSEL之一平均發光方向之電極結構之至少一表面之至少電極結構之頂部上，屏蔽層經調適以將未發射光之一關斷狀態中之陣列與一所需外觀光學匹配。此處術語「塗覆於……之頂部上」表示將一層直接塗佈於另一層或組件之頂部上以及另一層或組件上方所塗覆之一塗層，其中可在其間配置額外材料層。在一實施例中，屏蔽層經調適以使一關斷狀態中之陣列與一裝置之一外殼之一外表面光學匹配，光源陣列待安裝在該外表面。
與自藉由自一晶圓分開個別晶片而形成之表面發射之習知邊緣發射半導體雷射(亦平面中雷射)相反，垂直腔面射型雷射或VCSEL係一種具有垂直於頂部表面之雷射束發射之半導體雷射二極體。一VCSEL之電射諧振器係由平行於晶圓表面之兩個分佈式布拉格反射器(DBR)鏡構成，其中一主動區域係由用於在其間產生雷射光之一或多個量子井構成。自650nm至1400nm之波長之VCSEL通常基於砷化鎵晶圓，其中DBR自GaAs及砷化鋁鎵形成。自1400nm至2000nm之較長波長裝置已證實具有由磷化銦製成之至少主動區域。發光區域通常經配置於DBR鏡之發射表面之中心中，其中頂部電極經配置為DBR鏡之頂部上之一金屬層，通常由金製成。VCSEL發射具有垂直於DBR鏡之一平均發光方向之光，其中發光面積相較於環繞電極結構之表面係小的，導致由電極材料之外觀主導之一光學外觀。發光區域與電極結構之間之比率遠低於50%(例如20%至30%)。因此，VCSEL陣列通常具有不與裝置外殼之常見外觀匹配之一金色外觀。與電極結構相比，VCSEL之發光區域當在切換時具有一深色外觀。
所塗覆屏蔽層覆蓋至少電極結構，以便防止光自電極結構反射或至少修改由電極結構反射之光，以提供一所期望的光學外觀。最終，屏蔽層 覆蓋光源陣列之所有非發光區域。因此，屏蔽層係至少具有光之波長光譜之可見範圍之不透明或半透明之一非透明層。屏蔽層可具具有例如一白色、黑色或彩色外觀之任何材料。作為一實例，屏蔽層可為一TiO2層、一銀層、一鉻層、包含磷光體顆粒之一層或一油墨層，其中取決於所期望的外觀而選擇特定磷光體顆粒或油墨。電極結構不主動地發射光。電極結構僅吸收或反射來自環境之光。
橫向配置的VCSEL提供VCSEL之一橫向陣列，其中VCSEL經彼此並排配置。術語「橫向」表示平行於VCSEL之發光區域之VCSEL之配置之延伸。
光源陣列可經配置使得電極結構之所有可見表面係由屏蔽層塗佈。在此情況中，可調整陣列之整體外觀，而不影響陣列之任何非覆蓋部分。術語「可見」表示促成光源陣列之整體光學外觀對環境之所有表面。
光源陣列可經配置使得光源陣列包含相鄰VCSEL之間之非主動區域，其中屏蔽層亦覆蓋非主動區域。非主動區域可為不由配置於基板之頂部上之VCSEL覆蓋之基板之部分。覆蓋非主動區域之屏蔽層防止任何影響陣列之整體光學外觀上之基板。
光源陣列可經配置使得非主動區域界定相鄰VCSEL之間之體積，其中藉由一填充材料而適合地填充至少該等體積，以提供待塗佈有屏蔽層之相鄰VCSEL之間之一光滑表面。VCSEL之配置提供難以塗佈有一均質塗層之一結構化非平坦表面，以便影響光源陣列之外表面之光學性質，用於匹配陣列之整體外觀。當填充體積(間隙)時，可於發光區域之間中提供一光滑且平坦表面，該等發光區域可塗佈有更容易具有此層之一改良均質性之屏蔽層。平坦(光滑)表面表示相較於無填充體積之一對應表面而具有表 面之最高點與最低點之間之一顯著較低高度差之一表面。顯著較低意謂較低至少10倍。
光源陣列可經配置使得填充材料填充至少一個體積至基板上方之相鄰VCSEL之電極結構之一最高距離。此尤其提供VCSEL之發光區域外部之一平坦表面，該平坦表面可容易地塗佈有屏蔽層，從而提供勻質光學性質及對經塗佈表面之一良好黏著性。
光源陣列可經配置使得填充材料係一光阻材料。為覆蓋VCSEL之發光區域，可容易地塗覆並結構化光阻材料。光阻材料之使用使得能夠在無需遮罩之情況下對填充材料進行一塗佈程序，以屏蔽VCSEL之發光區域。在塗佈之後，可藉由適合的雷射處理而在非發光區域中穩定化經填充材料。可(例如藉由一適合洗滌程序)簡單地移除未經雷射處理之光阻材料。
光源陣列可經配置使得屏蔽層具有不同於電極結構之一材料之對應吸收或反射光譜之可見波長範圍內之一吸收或反射光譜。為修改未塗佈電極結構之整體外觀，此等結構必須塗佈有修改所得層堆疊之光學性質之一材料。因此，屏蔽層之光學性質必須相較於光學性質電極結構係不同的，其中電極結構之材料可為金。作為一實例，屏蔽層可為非透明的，所以電極結構之色彩係不可見的。若屏蔽層係半透明的，則電極結構係部分可見的。在此情況中，屏蔽層之光學外觀經調適以抵消電極之光譜吸收。針對由金(吸收藍色光)製成之電極結構，具有綠色及紅色吸收之一屏蔽層將導致電極結構之一整體光學外觀且屏蔽層係白色的或灰色的。提供此等外觀之層材料係已知的。
光源陣列可經配置使得屏蔽層之厚度經調適對至少可見光半透明， 並與在與裝置之外殼之外表面匹配之屏蔽層下方之電極結構組合而提供一光學外觀。取決於電極結構之材料及屏蔽層之材料，厚度可經調適以將所得陣列之光學外觀自接近於未塗佈電極之一外觀結構化轉變成屏蔽層本身之一外觀，不管下方之電極材料。
根據一第二態樣，提供一種包含根據上文描述之任何實施例之至少一個光源陣列的裝置。裝置進一步包含具有一外表面之一外殼，其中屏蔽層將一關斷狀態中之陣列與外表面光學匹配。此一裝置提供一整體勻質光學外觀。術語「裝置」可表示平板PC、膝上型電腦、攝影機或行動通訊裝置(諸如智慧型電話、行動電話或PDA)，其中針對環境之一某些外觀(例如黑色、白色、特定色彩或鏡狀)係期望的。
根據一第三態樣，提供一種製造根據上文描述之任何實施例之一光源陣列的方法。該方法包含以下步驟：
- 將多個VCSEL以一橫向陣列中配置於一基板之頂部上，其中各VCSEL包含由不發射光之一電極結構環繞之一發光區域。
- 將一屏蔽層塗覆於電極結構之至少頂部上，以覆蓋面向VCSEL之一平均發光方向之電極結構的至少一表面，以便將一關斷狀態中的陣列與一所需外觀光學匹配。
用於將屏蔽層塗覆於電極結構之頂部上的程序可為任何適合程序(例如，一遮罩程序在沈積期間屏蔽VCSEL之發光區域)。作為遮罩程序之替代或支持遮罩程序，取決於用以塗覆屏蔽層所使用之程序的實施例，可使用一光阻沈積程序，隨後是光阻材料之雷射硬化並洗去非硬化區域，以屏蔽或填充不同區域。有正及負光阻可用。取決於使用哪種材料，當顯影光阻層時，曝光區域留在原處或被移除。在一實施例中，屏蔽層經調適以使 一關斷狀態中之陣列與一裝置之一外殼之一外表面光學匹配，光源陣列待安裝在該外表面。
方法可經配置使得其中在塗覆屏蔽層的步驟之前，方法進一步包含以下步驟：- 在塗覆屏蔽層之前，用一光阻材料來覆蓋發光區域；及- 在已塗覆屏蔽層之後，洗去覆蓋發光區域之光阻層，以便移除發光區域之頂部上的任何材料。
方法可經配置使得塗覆屏蔽層之步驟將亦塗佈定位於相鄰VCSEL之間之陣列內之非主動區域。
方法可經配置使得在塗覆屏蔽層之步驟之前，方法進一步包含藉由一填充材料適合地填充介於由非主動區域界定之相鄰VCSEL之間之體積以提供待塗佈有屏蔽層之相鄰VCSEL之間之一光滑表面之步驟。
方法可經配置使得適合地填充表示填充至少一個體積至基板上方之相鄰VCSEL之電極結構之一最高距離。
方法可經配置使得經由一無遮罩電極沈積程序而執行塗覆屏蔽層之步驟，以便將屏蔽層局部地沈積於電極結構之頂部上。在此程序期間，將VCSEL之陣列經配置於一濕溶液中，該濕溶液包含待沈積於電極結構之頂部上之屏蔽層之材料，且電場經施加於溶液與VCSEL電極之間。電場將待沈積材料導引至定位於電極結構上方之具有一高電場密度之區域。電極結構尤其是待塗佈區域，以便能夠將光源陣列之光學外觀與一所需外觀匹配。因此，屏蔽層之材料主要或排他性地沈積於電極結構之頂部上，留下VCSEL之發光區域未塗佈。通過此電泳程序，VCSEL可經局部地塗佈，而不塗覆一遮罩程序或一層硬化程序。因此，電泳沈積程序需要相較 於替代沈積程序而言之較少努力。
應瞭解，本發明之一較佳實施例亦可為附屬技術方案與各自獨立技術方案之任何組合。
下文定義進一步有利實施例。
1:根據本發明之光源陣列
2:垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)
3:陣列之基板
4:屏蔽層
5:VCSEL之平均發光方向
6:相鄰VCSEL之間之非主動區域
7:填充材料
10:包含根據本發明之光源陣列之裝置/陣列
11:裝置之外殼
11s:外殼之外表面
21:VCSEL之發光區域
22:環繞VCSEL之發光區域之VCSEL的電極結構
22l:面向相鄰VCSEL之非射型結構的表面
22s:面向一平均發光方向之非射型結構的表面
61:體積
71:平坦(光滑)表面
100:根據本發明製造光源陣列之方法
110:將多個VCSEL以一橫向陣列配置於一基板之頂部上
120:在塗覆屏蔽層之前，用一光阻材料來覆蓋發光區域
130:適合地填充介於由非主動區域界定之相鄰VCSEL之間的體積
140:將一屏蔽層塗覆於電極結構之至少頂部上/電泳沈積程序
150:執行一無遮罩電泳沈積程序
160:在已塗覆屏蔽層之後洗去光阻層
D1:相鄰VCSEL之非發光結構高於基板之最高距離
P1:平面
P2:平面
VD:觀看方向
自下文中描述之實施例將明白本發明之此等及其他態樣，且將參考該等實施例闡明本發明之此等及其他態樣。
現將藉由實例基於參考隨附圖式之實施例描述本發明。
在圖式中：圖1以一俯視圖展示VCSEL之一陣列之一主要略圖，而未塗覆屏蔽層。
圖2以一側視圖展示VCSEL之陣列之一VCSEL之一主要略圖，其中經塗覆屏蔽層在電極結構之頂部上。
圖3以一側視圖展示VCSEL之一陣列之一主要略圖，其中圖3之(a)展示在塗覆屏蔽層之前之相鄰VCSEL之經填充體積及圖3之，(b)展示由填充材料提供之一平坦表面之頂部上之經塗覆屏蔽層。
圖4展示包含根據本發明之光源陣列之一裝置之一主要略圖。
圖5展示根據本發明之方法之一實施例之一主要略圖。
在圖中，通篇相同元件符號指代相同物件。圖中之物件未必按比例繪製。
現將藉由圖式來描述本發明之各種實施例。
圖1以一俯視圖展示VCSEL 2之一陣列1之一主要略圖，其未塗覆屏 蔽層4。光源陣列1包含彼此橫向配置於一基板3之頂部上之多個環形VCSEL 2，其中各VCSEL 2包含由不發射光之一電極結構22環繞之一發光區域21。光源陣列1包含相鄰VCSEL 2之間之非主動區域6(大致在界定體積61之相鄰VCSEL 2之間)。在由本發明覆蓋之其他實施例中，配置可係不同於圖1中所展示之配置。所展示陣列1中之VCSEL 2係彼此並排配置，導致VCSEL 2之一橫向配置，其中陣列1之橫向延伸表示平行於VCSEL 2之發光區域21的延伸。在此實例中，VCSEL 2具有0.5mm x 0.5mm之一橫向延伸，及基板3以上0.2mm之一高度。
圖2以一側視圖展示VCSEL 2之陣列1之一VCSEL 2之一主要略圖，其中經塗覆之屏蔽層4在電極結構22的頂部上，而覆蓋電極結構22的所有可見表面22s、22l被屏蔽層4塗佈。如圖1中所指示，側視圖沿著平面P1。在其他實施例中，可塗佈面向VCSEL 2之一平均發光方向5之電極結構22之僅一表面22s。屏蔽層4經調適以使未發射光之一關斷狀態中之陣列1與一裝置10之一外殼11之一外表面光學匹配，光源陣列1待安裝在外表面11s(亦參見圖4)。屏蔽層4具有不同於電極結構22之一材料之對應之吸收或反射光譜之可見波長範圍內之一吸收或反射光譜。在一實施例中，電極結構22之材料係金。屏蔽層4之厚度可經調適以對至少可見光半透明，並與在與裝置10之外殼11之外表面11s匹配之屏蔽層4下方的電極結構22組合來提供一光學外觀。
圖3以一側視圖展示VCSEL 2之一陣列1之一主要略圖，其中圖3之(a)展示在塗覆屏蔽層4之前之相鄰VCSEL 2之間之經填充的體積61，且圖3之(b)展示由填充材料7提供之一平坦表面71之頂部上之經塗覆的屏蔽層4。如圖1中所指示，側視圖沿著平面P2。非主動區域6界定相鄰VCSEL 2 之間的體積61，該等體積61係由一填充材料7填充，以提供待塗佈有屏蔽層4之相鄰VCSEL 2之間之一平坦(光滑)表面71。平坦表面71表示相較於無填充體積61之一對應表面而具有表面71之最高點與最低點之間之一顯著較低高度差之一表面。顯著較低意謂較低至少十倍。此處填充材料7填充整體體積61至相鄰VCSEL 2之電極結構22高於基板3之一最高距離D1。在此實施例中，填充材料7係一光阻材料。在圖3b中，平坦表面71係在平坦表面71之頂部上直接塗佈有屏蔽層4。觀看方向VD指示一觀看者(此處未展示)從哪一側看向陣列1，從而為觀看者提供一對應的外觀。
圖4展示包含根據本發明之光源陣列1之一裝置10之一主要略圖。裝置10包含一個光源陣列1及具有一外表面11s之一外殼11，其中屏蔽層4使一關斷狀態中之陣列1與外表面11s之光學外觀光學匹配。
圖5展示根據本發明製造一光源陣列1之方法100之一實施例之一主要略圖，方法100包含以下步驟：將多個VCSEL 2以一橫向陣列111配置(110)於一基板3之頂部上，其中各VCSEL 2包含由不發射光之一電極結構22環繞之一發光區域21，並將屏蔽層4塗覆(140)於電極結構22之頂部上，以覆蓋面向VCSEL 2之一平均發光方向5之電極結構22之至少一表面22s，以使一關斷狀態中之陣列1與一裝置10之一外殼11之一外表面11s光學匹配，光源陣列1待安裝在外表面11s。用於將屏蔽層塗覆(140)於電極結構22之頂部上之程序可為任何適合程序(例如在沈積期間屏蔽VCSEL 2之發光區域21之一遮罩程序)。替代地，方法可包含在塗覆(140)屏蔽層之前用一光阻材料覆蓋(120)發光區域21之步驟。塗覆(140)屏蔽層4之步驟亦可塗佈定位於相鄰VCSEL 2之間之陣列1內之非主動區域6。在一實施例中，方法進一步包含藉由一填充材料7而適合地填充(130)介於由非主動區 域6界定之相鄰VCSEL 2之間之體積61，以提供塗覆步驟140中之待塗佈有屏蔽層4之相鄰VCSEL 2之間之一光滑表面71之步驟。術語適合地填充(130)可表示填充至少一個體積61至相鄰VCSEL 2之電極結構22高於基板3之一最高距離D1。在塗覆(140)屏蔽層之前用一光阻材料覆蓋發光區域21之情況中，在已塗覆(140)屏蔽層4之後，覆蓋發光區域21之光阻層將被洗去(160)，以便移除發光區域21之頂部上之任何材料。在具有非覆蓋發光區域21之另一實施例中，可經由一無遮罩電泳沈積程序150而執行塗覆(140)屏蔽層4之步驟，以便將屏蔽層4局部地沈積於電極結構22之頂部上。在此程序150期間，VCSEL 2之陣列1經配置於一濕溶液中，該濕溶液包含待沈積於電極結構22之頂部上之屏蔽層4之材料，且電場經施加於溶液與VCSEL電極結構22之間。電場將待沈積材料導引至定位接近於電極結構22之具有一高電場密度之區域。尤其是電極結構22係待塗佈區域，以便能夠將光源陣列1之光學外觀與一所需外觀匹配，因為此等區域促成遠高於50%之陣列1之可見區域。因此，屏蔽層4之材料主要或排他性地沈積於電極結構22之頂部上，留下VCSEL 2之發光區域21未塗佈。透過此電泳程序150，VCSEL 2可經局部地塗佈，而無需應用一遮罩程序或一層硬化程序。因此，電泳沈積程序140需要相較於替代沈積程序而言之較不費力。
雖然已在圖式及前述描述中詳細繪示並描述本發明，但此繪示及描述應被視為闡釋性的或例示性的且非限制性的。
在閱讀本發明之後，熟習此項技術者將明白其他修改。此等修改可涉及此項技術中已知且可作為本文中已描述之特徵的替代或補充而使用之其他特徵。
熟習此項技術者可自對圖式、揭示內容及隨附發明申請專利範圍之一研究而理解且實現所揭示實施例之變動。在發明申請專利範圍中，字詞「包含」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一(a)」或「一個(an)」不排除複數個元件或步驟。在互異之附屬發明申請專利範圍中列舉特定措施之純粹事實並不指示此等措施之一組合無法有利地使用。
發明申請專利範圍中之任何元件符號不應被解釋為限制其之範疇。
2:垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)
4:屏蔽層
5:VCSEL之平均發光方向
21:VCSEL之發光區域
22:環繞VCSEL之發光區域之VCSEL的電極結構
22l:面向相鄰VCSEL之非射型結構的表面
22s:面向一平均發光方向之非射型結構的表面

Claims (18)

  1. 一種光源陣列(1)，其包含彼此橫向配置於一基板(3)之頂部上的多個VCSEL(2)，其中各VCSEL(2)包含由不發射光之一電極結構(22)環繞之一發光區域(21)，其中一屏蔽層(4)經塗覆於僅覆蓋面向該等VCSEL(2)之一平均發光方向(5)之該電極結構(22)之一表面(22s)之至少該電極結構(22)的頂部上，該屏蔽層(4)係一不透明層且經調適以使未發射光之一關斷狀態中之該陣列(1)與一所需外觀光學匹配。
  2. 如請求項1之光源陣列(1)，其中該電極結構(22)之所有可見表面(22s、22l)係由屏蔽層(4)塗佈。
  3. 如請求項1或2之光源陣列(1)，其中該光源陣列(1)包含相鄰VCSEL(2)之間之非主動區域(6)，其中該屏蔽層(4)亦覆蓋該等非主動區域(6)。
  4. 如請求項3之光源陣列(1)，其中該等非主動區域(6)界定相鄰VCSEL(2)之間的體積(61)，其中至少該等體積(61)係由一填充材料(7)予以適合地填充以提供待塗佈有該屏蔽層(4)之相鄰VCSEL(2)之間之一平坦表面(71)。
  5. 如請求項4之光源陣列(1)，其中該填充材料(7)填充至少一個體積(61)至該等相鄰VCSEL(2)之該等電極結構(22)高於該基板(3)之一最高距離(D1)。
  6. 如請求項1或2之光源陣列(1)，其中該屏蔽層(4)具有在不同於該電極結構(22)之一材料之該對應吸收或反射光譜之該可見光譜範圍內之一吸收或反射光譜。
  7. 如請求項6之光源陣列(1)，其中該電極結構(22)之該材料係金。
  8. 如請求項6之光源陣列(1)，其中該屏蔽層(4)之該厚度經調適以對至少可見光半透明並與在與該裝置(10)之該外殼(11)之該外表面(11s)匹配之該屏蔽層(4)下方之該電極結構(22)組合而提供一光學外觀。
  9. 如請求項1之光源陣列(1)，其中該屏蔽層(4)經調適以使該關斷狀態中之該陣列(1)與一裝置(10)之一外殼(11)之一外表面(11s)光學匹配，其中該光源陣列(1)待安裝在外表面(11s)。
  10. 如請求項4之光源陣列(1)，其中該填充材料(7)包含一光阻材料。
  11. 一種包含如請求項1之至少一個光源陣列(1)及具有一外表面(11s)之一外殼(11)之裝置(10)，其中該屏蔽層(4)將一關斷狀態中之該陣列(1)與該外表面(11s)光學匹配。
  12. 一種製造如請求項1之一光源陣列之方法(100)，其包含以下步驟：將多個VCSEL(2)以一橫向陣列(1)配置(110)於一基板(3)之頂部上， 其中各VCSEL(2)包含由不發射光之一電極結構(22)環繞之一發光區域(21)；將一屏蔽層(4)塗覆(140)為僅覆蓋面向該等VCSEL(2)之一平均發光方向(5)之該電極結構(22)之一表面(22s)之該電極結構(22)之至少頂部上之一不透明層以使一關斷狀態中之該陣列(1)與一所需外觀光學匹配。
  13. 如請求項12之方法(100)，其中在塗覆(140)該屏蔽層(4)的步驟之前，該方法進一步包含以下步驟：在塗覆(140)該屏蔽層之前用一光阻材料來覆蓋(120)該等發光區域(21)；及在已塗覆該屏蔽層之後洗去(160)覆蓋該等發光區域(21)之該光阻層以便移除該等發光區域(21)之頂部上的任何材料。
  14. 如請求項12或13之方法(100)，其中塗覆(140)該屏蔽層(4)之步驟將亦塗佈經定位於相鄰VCSEL(2)之間之該陣列(1)內的非主動區域(6)。
  15. 如請求項14之方法(100)，其中在塗覆(140)該屏蔽層(4)的步驟之前，該方法進一步包含藉由一填充材料(7)來適合地填充(130)介於由該等非主動區域(6)界定之相鄰VCSEL(2)之間之體積(61)以提供待塗佈有該屏蔽層(4)之相鄰VCSEL(2)之間之一平坦表面(71)的步驟。
  16. 如請求項15之方法(100)，其中適合地填充(130)表示填充至少一個體積(61)至該等相鄰VCSEL(2)之該等電極結構(22)高於該基板(3)之一最高 距離(D1)。
  17. 如請求項12之方法(100)，其中經由一無遮罩電泳(electrophoretic)沈積程序(150)來執行塗覆(140)該屏蔽層(4)之步驟以便將該屏蔽層(4)局部地沈積於該電極結構(22)之頂部上。
  18. 如請求項12之方法(100)，其中使一關斷狀態中之該陣列(1)與一所需外觀光學匹配進一步包含使該陣列(1)與一裝置(10)之一外殼(11)之一外表面光學匹配，該光源陣列(1)待安裝在外表面(11s)。
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