TWI741699B - 偏光板及包括該偏光板的顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種偏光板及一種包括該偏光板的顯示裝置。偏光板包 括：偏光器及至少堆疊在偏光器的一個表面上的保護膜，其中所述偏光板在其面內方向上包括至少一去偏光區，且所述去偏光區具有在380奈米至420奈米的波長範圍內為0.5至1.5的最大吸光度以及1至2的在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率。

Description

偏光板及包括該偏光板的顯示裝置
本發明是有關於一種偏光板及一種包括該偏光板的顯示裝置。更具體而言，本發明是有關於一種具有去偏光區的偏光板以及一種包括該偏光板的顯示裝置，所述去偏光區能夠在藉由其拍照時防止影像變形的同時改善影像的色調及清晰度。
偏光板具有對經由光學顯示器的液晶面板發射的光進行偏光的功能。偏光板包括偏光器及堆疊在偏光器的至少一個表面上的保護膜。一般而言，光學顯示器不僅具有螢幕顯示功能，而且亦具有各種其他功能，包括照相機功能、視訊通訊功能等。由於偏光板的偏光功能，偏光板無法達成光的50%或大於50%的透射率，因此當偏光板用於光學顯示器的照相機區中時，其可提供差的可見性。為解決此種問題，需要在偏光板的至少某一區中形成去偏光區。
近年來，僅現有的去偏光區在達成朝向具有更高解析度的更清晰影像的增長趨勢方面具有限制。傳統上，光學顯示器藉由改善去偏光區的透光率來達成照相機功能。然而，僅透光率的 改善可提供所拍攝影像的差的色調及清晰度，且可導致影像的嚴重變形。
在韓國專利公開案第10-2017-0037854號等中揭露了本發明的背景技術。
本發明的一個目的是提供一種具有去偏光區的偏光板，所述去偏光區藉由容許拍攝具有良好色調及亮度的清晰影像而不使影像變形，能夠顯著改善照相機效能。
本發明的另一目的是提供一種偏光板，所述偏光板具有帶有顯著透射率的去偏光區，以應用於紅外(infrared，IR)感測器等。
本發明的一個態樣是有關於一種偏光板。
1.所述偏光板包括：偏光器及堆疊在所述偏光器的至少一個表面上的保護膜，其中所述偏光板在其面內方向上包括至少一去偏光區，且所述去偏光區具有在380奈米至420奈米的波長範圍內為0.5至1.5的最大吸光度以及1至2的在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率。
2.在實施例1中，所述去偏光區可具有1至2的I5 -離子濃度對I3 -離子濃度的離子濃度比率。
3.在實施例1及2中，所述去偏光區在380奈米至420奈米的波長範圍內可具有0.1至1的最小吸光度。
4.在實施例1至3中，所述偏光板可更包括偏光區，且 所述偏光區在380奈米至420奈米波長範圍內的所述最大吸光度可大於或小於所述去偏光區在380奈米至420奈米波長範圍內的所述最大吸光度。
5.在實施例4中，所述偏光區可具有較所述去偏光區更小的在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率。
6.在實施例4中，所述偏光區可具有較所述去偏光區更高的I5 -離子濃度對I3 -離子濃度的離子濃度比率。
7.在實施例1至6中，所述偏光器可包括用選自碘及二色性染料中的至少一者染色的偏光器。
根據本發明的一種顯示裝置包括根據本發明的偏光板。
本發明提供一種具有去偏光區的偏光板，所述去偏光區藉由容許拍攝具有良好色調及亮度的清晰影像而不使影像變形，能夠顯著改善照相機效能。
圖1是繪示實例及比較例的偏光板的去偏光區中的吸光度對波長的曲線圖，其中x軸指示波長，且y軸指示吸光度。
圖2是繪示在根據本發明一個實施例的偏光板的去偏光區中用雷射束照射時，在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度對每單位面積每脈衝的能量的曲線圖。
圖3是繪示在根據本發明一個實施例的偏光板的去偏光區中 用雷射束照射時，在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率依據每單位面積每脈衝的能量而變化的曲線圖。
圖4示出在用肉眼觀察時實例1以及比較例2及3的去偏光區。
將參考附圖來詳細闡述本發明的實施例，以使熟習此項技術者透徹地理解本發明。應理解，本發明可以不同方式來實施，而不限於以下實施例。
如本文中用於表示特定數值範圍的表達「X至Y」意謂大於或等於X且小於或等於Y(X
Figure 109125402-A0305-02-0006-2
且
Figure 109125402-A0305-02-0006-3
Y)。
下文中，將闡述根據本發明一個實施例的偏光板。
偏光板包括偏光器及堆疊在偏光器的至少一個表面上的保護膜。偏光板在偏光板的至少一些面內區中具有去偏光區。
去偏光區是指偏光板的其中偏光板的固有偏光效能在應用於例如行動電話、監視器或紅外感測器等影像顯示裝置時不存在或降低的區，且亦可用作將提供照相機的區。去偏光區可被形成為佔據偏光板的整個面內區的90%或小於90%或50%或小於50%，但不限於此。
去偏光區在380奈米至780奈米的波長下可具有50%或大於50%、具體而言50%至100%、更具體而言55%至100%的單一透光率。此外，去偏光區可具有50%或小於50%、具體而言0% 至5%的偏光度。在此範圍內，去偏光區可應用於進行影像拍攝的照相機。
去偏光區可具有1至2的在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率(以下被稱為「透光率比率」)以及在380奈米至420奈米的波長範圍內為0.5至1.5的最大吸光度。
一般而言，去偏光區在380奈米至780奈米的波長下確保40%或大於40%的透光率，以容許在應用於照相機時進行影像拍攝。此外，去偏光區趨於具有隨著波長的增加而增加的透光率。然而，在藉由照相機進行影像拍攝時，僅去偏光區的透光率的增加在影像的色調及亮度的最佳化方面具有限制。
根據本發明，藉由確保在380奈米至420奈米的波長範圍內為0.5至1.5的最大吸光度的同時，將去偏光區中在400奈米波長下的透光率對在590奈米波長下的透光率的比率控制成落在1至2的範圍內，可在改善藉由照相機拍攝的影像的色調及亮度的同時防止所述影像變形。
接下來，將更詳細地闡述根據本發明的去偏光區。
在去偏光區，考量在380奈米至420奈米(例如，380奈米、390奈米、400奈米、410奈米或420奈米)波長範圍內的最大吸光度。本發明的發明人證實了，藉由去偏光區獲得的影像的清晰度、色調及亮度不僅取決於去偏光區的透光率，而且亦取決於在短波長下、特別是在介於380奈米至420奈米範圍內的波 長下的吸光度。因此，在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度被控制成處於本發明的特定範圍內，即介於0.5至1.5的範圍內(例如，0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、1.1、1.2、1.3、1.4或1.5)。介於380奈米至420奈米範圍內的波長屬於其中吸光度可影響影像的清晰度的短波長範圍。較佳地，最大吸光度介於0.9至1.5的範圍內。
在去偏光區中，考量透光率比率。一般而言，去偏光區的透光率隨著波長的增加而增加。然而，本發明的發明人確認了，藉由在將透光率比率控制成處於本發明的特定範圍內，即介於1至2的範圍內(例如，1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9或2)的同時，增加取決於波長的透光率，藉由去偏光區獲得的影像可在清晰度、色調及亮度方面表現出良好的性質，而不會使影像變形。
當滿足最大吸光度及透光率比率兩者時，偏光板可在防止藉由去偏光區獲得的影像變形的同時確保所述影像的良好清晰度及色調。下面將詳細闡述達成根據本發明的最大吸光度及透光率比率的具體方法。
去偏光區在400奈米的波長下可具有30%或大於30%、具體而言30%至80%的透光率。在此範圍內，偏光板可易於達成上述範圍內的透光率比率，且容許基於藉由改善短波長透射率而獲得的藍色區的資料來容易地處理照相機影像。
去偏光區在590奈米的波長下可具有50%或大於50%、 具體而言50%至95%的透光率。在此範圍內，偏光板可易於達成上述範圍內的透光率比率，且可形成更中性且無色的高透射率部分。
在一個實施例中，去偏光區可具有1至2(例如，1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9或2)的I5 -離子濃度對I3 -離子濃度的離子濃度比率。一般而言，去偏光區是藉由分解包含在偏光器中的碘離子(I5 -、I3 -、等)形成的。根據本發明，可減小長波長區對短波長區的比率，以具有介於1至2範圍內的離子濃度比率(I5 -/I3 -)，藉此形成更中性且無色的高透射率部分。由於快速降解，僅長波長區中的I5 -離子被解離，因而導致離子濃度比率(I5 -/I3 -)增加至大於2，同時降低單一透射率並產生微黃色。
在一個實施例中，去偏光區在380奈米至420奈米的波長範圍內(例如，在380、390、400、410或420奈米的波長下)可具有0.1至1(例如，0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1)、具體而言0.1至0.5的最小吸光度。
去偏光區可藉由對偏光器或偏光器與堆疊在偏光器的至少一個表面上的保護膜的堆疊結構進行雷射處理來形成。
偏光器可包括藉由用選自碘及二色性染料中的至少一者染色而形成的偏光器。偏光器可藉由熟習此項技術者已知的典型方法製造。
偏光器可藉由染色、拉伸、交聯及顏色補償來製造。在偏光器製造方法中，染色及拉伸的順序不受特別限制。亦即，偏 光器可藉由依序對聚乙烯醇膜進行染色及拉伸，或反之藉由依序對聚乙烯醇膜進行拉伸及染色，或者藉由同時對聚乙烯醇膜進行染色及拉伸來製造。
聚乙烯醇膜可為此項技術中用於製造偏光器的典型聚乙烯醇膜。具體而言，聚乙烯醇膜可由聚乙烯醇或其衍生物形成。聚乙烯醇膜可具有1,000至5,000的偏光度、80莫耳%至100莫耳%的皂化度以及1微米至30微米、具體而言3微米至30微米的厚度。在該些範圍內，聚乙烯醇膜可用於製造偏光器。
聚乙烯醇膜可在染色及拉伸之前經受洗滌及溶脹。藉由對聚乙烯醇膜進行洗滌，可自聚乙烯醇膜移除異物。聚乙烯醇膜的溶脹容許對聚乙烯醇膜進行更高效的染色或拉伸。如熟習此項技術者所習知的，溶脹可藉由將聚乙烯醇膜留在含有水溶液的溶脹浴中來執行。溶脹浴的溫度及溶脹處理兩者不受特別限制。溶脹浴可更包含含量可進行調節的硼酸、無機酸、界面活性劑等。
聚乙烯醇膜可在含有選自碘及二色性染料中的至少一者的染色浴中進行染色。在染色製程中，聚乙烯醇膜可被浸入染色溶液中，所述染色溶液可為含有碘及二色性染料的水溶液。具體而言，碘由碘系染料供應，所述碘系染料可包括選自碘化鉀、碘化氫、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁及碘化銅中的至少一者。染色溶液可為含有1重量%至5重量%的選自碘及二色性染料中的所述至少一者的水溶液。在此範圍內，偏光器可具有處於特定範圍內的偏光度以在顯示裝置中使用。
溶脹浴可具有20℃至45℃的溫度，且聚乙烯醇膜可在溶脹浴中浸漬10秒至300秒。在此範圍內，偏光器可具有高偏光度。
藉由在拉伸浴中拉伸經染色的聚乙烯醇膜，聚乙烯醇膜中選自碘及二色性染料中的至少一者被配向，以向聚乙烯醇膜提供偏光性質。具體而言，拉伸可為乾拉伸或濕拉伸。乾拉伸可為輥間拉伸、壓縮拉伸、加熱輥拉伸等，且濕拉伸可在35℃至65℃的含有水的濕拉伸浴中執行。濕拉伸浴可更包含硼酸以改善拉伸效果。
聚乙烯醇膜可以預定伸長率、具體而言以5至7倍、具體而言5.5至6.5倍的總伸長率拉伸。在此伸長率範圍內，可防止聚乙烯醇膜被切割或起皺，並且可達成具有高偏光度及高透射率的偏光器。拉伸是單軸拉伸，且聚乙烯醇膜可經受單級拉伸或多級拉伸(例如雙級拉伸、三級拉伸等)，藉此容許形成薄偏光器而不斷裂。
儘管在以上說明中聚乙烯醇膜的處理被示出為按照染色及拉伸的順序執行，但染色及拉伸可在相同的反應浴中執行。
在拉伸經染色的聚乙烯醇膜或對經拉伸的聚乙烯醇膜進行染色之前，聚乙烯醇膜可在交聯浴中經受交聯。交聯是用選自碘及二色性染料中的至少一者對聚乙烯醇膜進行更強染色的製程，且硼酸可用作交聯劑。交聯劑可更包括磷酸化合物、碘化鉀等，以改善交聯效果。
經染色且經拉伸的聚乙烯醇膜可在顏色補償浴中經受顏 色補償。為進行顏色補償，將經染色且經拉伸的聚乙烯醇膜浸入填充有含碘化鉀的顏色補償溶液的顏色補償浴中。此製程藉由降低偏光器的顏色值並自偏光器中移除碘陰離子I-來改善偏光器的耐久性。顏色補償浴具有20℃至45℃的溫度，且聚乙烯醇膜在其中浸漬10秒至300秒。
偏光器可具有10微米至50微米、具體而言10微米至30微米的厚度。在此厚度範圍內，偏光器可用於偏光板中。
去偏光區可藉由用每單位面積每脈衝的能量大於0焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝的飛秒雷射束照射偏光器來形成。
此處，「每單位面積每脈衝的能量」被定義為藉由在照射偏光器時將飛秒雷射的總照射能量除以用每一波長的飛秒雷射束照射的偏光器的總面積而獲得的值。
根據本發明，在調節每單位面積每脈衝的能量的同時用飛秒雷射束照射偏光器，以藉由偏光器中的碘離子中的I3 -離子及I5 -離子的均勻分解來達成上述最大吸光度及透光率比率。此外，可在雷射照射的波長範圍內調節波長數。
若在用飛秒雷射束照射偏光器時，每單位面積每脈衝的能量超過0.17焦耳/平方公分．脈衝，則偏光器中碘離子中的I3 -離子與I5 -離子之間的分解程度的差異可顯著增加。亦即，在偏光器中的碘離子中，I5 -離子可較I3 -離子分解得更多，藉此在I5 -離子與I3 -離子之間提供不均勻的分解比率，因而使得難以達成透光率 比率及在380奈米至420奈米波長下的最大吸光度處於上述範圍內的去偏光區。此外，若每單位面積每脈衝的能量超過0.17焦耳/平方公分．脈衝，則施加至偏光器的過量能量可轉移至構成偏光器的聚乙烯醇膜，因而導致偏光器的熱變形。
圖2是繪示在根據本發明一個實施例的偏光板的去偏光區中用飛秒雷射束在特定波長下照射時，在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度對每單位面積每脈衝的能量的曲線圖。儘管在圖2中未示出，但可藉由以下方式來達成0.5至1.0的最大吸光度：在改變在510奈米至520奈米的波長範圍內及/或在340奈米至346奈米的波長範圍內發射的飛秒雷射束的波長數的同時，將每單位面積每脈衝的能量控制至0.17焦耳/平方公分．脈衝或小於0.17焦耳/平方公分．脈衝。
圖3是繪示在根據本發明實施例的偏光板的去偏光區中用飛秒雷射束在特定波長下照射時，在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率依據每單位面積每脈衝的能量而變化的曲線圖。
參考圖3，隨著每單位面積每脈衝的能量增加，透光率比率增加。然而，可以看出，當每單位面積每脈衝的能量超過0.17焦耳/平方公分．脈衝時，去偏光區中的最大吸光度及透光率比率迅速增加。
在一個實施例中，每單位面積每脈衝的能量可介於0.01 焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝的範圍內。
在一個實施例中，去偏光區可藉由僅用在510奈米至520奈米波長範圍內的飛秒雷射束照射來達成。藉由用此波長範圍內的飛秒雷射束照射，可達成透光率比率及在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度處於上述範圍內的去偏光區。若偏光器用每單位面積每脈衝的能量大於0.17焦耳/平方公分．脈衝的飛秒雷射束在大於520奈米的波長下照射，則I5 -離子較I3 -離子分解得更快，且去偏光區可具有大於2的透光率比率或在380奈米至420奈米波長範圍內大於1.5的最大吸光度。
具體而言，去偏光區藉由用波長介於510奈米至520奈米範圍內、例如波長為510奈米、511奈米、512奈米、513奈米、514奈米、515奈米、516奈米、517奈米、518奈米、519奈米或520奈米、較佳為515奈米的飛秒雷射束照射來達成。
在另一實施例中，去偏光區藉由用飛秒雷射束照射來達成，所述飛秒雷射束具有分別在340奈米至346奈米的波長範圍及510奈米至520奈米的波長範圍內選擇的二或更多個波長。在該些波長範圍內，可達成根據本發明的透光率比率及在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度處於上述範圍內的去偏光區。此外，即使當偏光器或偏光板長時間處於高溫及高濕度條件下時，去偏光區的偏光度及/或透光率的變化亦為低的，藉此提供良好的可靠性。
具體而言，去偏光區藉由用波長介於340奈米至346奈 米範圍內、例如波長為340奈米、341奈米、342奈米、343奈米、344奈米、345奈米或346奈米、較佳為343奈米的飛秒雷射束照射來達成。
在一個實施例中，去偏光區藉由用波長在510奈米至520奈米範圍內的一個飛秒雷射束及波長在340奈米至346奈米範圍內的一個飛秒雷射束照射來達成。
藉由在調節每個波長範圍內的飛秒雷射束的強度的同時用具有選自上述波長範圍的波長的飛秒雷射束照射，可更高效地達成本發明的有利效果。具體而言，波長介於340奈米至346奈米範圍內的飛秒雷射束可以0.01焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝、較佳為0.11焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝的每單位面積每脈衝的能量發射。波長介於510奈米至520奈米範圍內的飛秒雷射束可以0.01焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝、較佳為0.11焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝、更佳為0.15焦耳/平方公分．脈衝至0.17焦耳/平方公分．脈衝的每單位面積每脈衝的能量發射。在此範圍內，存在於300奈米至450奈米短波長範圍及450奈米至560奈米短波長範圍內的I2、I3 -及I5 -離子可在短時間內有效地解離，藉此提供80%或大於80%的透光率，同時防止在高溫及高濕度條件下由於碘離子的複合而導致的透射率的劣化。
在每一波長範圍內，飛秒雷射束可以100飛秒(fs)至500飛秒、較佳為200飛秒至400飛秒的脈衝寬度及100千赫茲至 500千赫茲、較佳為150千赫茲至350千赫茲的頻率發射。在該些範圍內，可形成去偏光區，所述去偏光區不會由於熱量而在其經處理表面上遭遇表面碳化或雷射線影(laser hatching)，且在其輻射界面處具有50微米、較佳為10微米的精確度。
在每一波長範圍內，飛秒雷射束可發射1秒至1,000秒，例如1秒至100秒。在此範圍內，在上述照射條件下，照射持續時間或照射次數可增加，而偏光器及保護膜不會發生熱變形，藉此形成更中性且無色的高透射率部分。
去偏光區可藉由用飛秒雷射束以上述每單位面積每脈衝的能量照射偏光器來形成。作為另一選擇，去偏光區可藉由用飛秒雷射束以上述每單位面積每脈衝的能量照射偏光器與堆疊在偏光器的至少一個表面上的保護膜的堆疊來形成。
保護膜可選自用於偏光器的典型保護膜。例如，保護膜可由選自以下中的至少一種樹脂形成：包括三乙醯基纖維素等的纖維素樹脂、包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等的聚酯樹脂、環狀聚烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂及聚偏二氯乙烯樹脂。
保護膜可具有10微米至100微米、例如10微米至60微米的厚度。堆疊可藉由熟習此項技術者已知的典型方法使用黏結劑來執行。
接下來，將闡述偏光板的偏光區，即偏光板的未被飛秒雷射束照射的區。
偏光區在380奈米至780奈米的波長下可具有20%或大於20%、具體而言40%至50%的單一透光率。此外，偏光區可具有90%或大於90%、具體而言90%至100%的偏光度。在此範圍內，偏光板的偏光區可達成顯示裝置中的偏光性效，藉此改善影像品質。
在一個實施例中，偏光區可具有0至2的透光率比率(在590奈米波長下的透光率/在400奈米波長下的透光率)。此外，偏光區的透光率比率低於去偏光區的透光率比率。
在一個實施例中，偏光區在380奈米至420奈米的波長範圍內可具有0.5至1.5的最大吸光度。此外，偏光區在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度可大於或小於去偏光區在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度。
在一個實施例中，偏光區可具有2或大於2、具體而言大於3的I5 -離子濃度對I3 -離子濃度的離子濃度比率(I5 -/I3 -)。此外，偏光區的離子濃度比率(I5 -/I3 -)大於去偏光區的離子濃度比率。
接下來，將闡述根據本發明一個實施例的顯示裝置。
根據本發明的顯示裝置可包括根據本發明的偏光板或偏光器。顯示裝置可包括液晶顯示器、有機發光顯示器等。此外，顯示裝置可包括包含紅外感測器的顯示裝置。
接下來，將參考一些實例來更詳細地闡述本發明。然而， 應注意，提供該些實例僅是用於說明且不應被視為以任何方式限制本發明。
以下實例及比較例中的組件的詳細規格如下。
(1)偏光器的材料：聚乙烯醇膜(VF-PE3000，厚度：30微米，可樂麗有限公司(Kuraray Co.,Ltd.)，日本)
(2)保護膜：三乙醯基纖維素膜(KC4UYW，厚度：40微米，柯尼卡有限公司(Konica Co.,Ltd.)，日本)
實例1
使用水洗滌的聚乙烯醇膜在30℃的填充有水的溶脹浴中經受溶脹。
然後，將聚乙烯醇膜在30℃的染色浴內含有3重量%碘化鉀的水溶液中浸漬了30秒至200秒。將經染色的聚乙烯醇膜轉移至填充有含3重量%硼酸的水溶液且溫度為30℃至60℃的濕交聯浴中。接下來，在含有3重量%硼酸且溫度為50℃至60℃的水溶液中，將聚乙烯醇膜拉伸至6倍的總伸長率，以形成偏光器。藉由經由黏結劑(Z-200，日本戈申有限公司(Nippon Goshei Co.,Ltd.))將保護膜黏結至偏光器的兩個表面製備了堆疊結構。
將堆疊切割成預定大小，且用每單位面積每脈衝的能量為0.17焦耳/平方公分．脈衝(J/cm2．pulse)的飛秒雷射束在515奈米的波長下部分地照射，藉此形成具有去偏光區的偏光板。
實例2至實例4
除了在用飛秒雷射束照射時，將波長及每單位面積每脈 衝的能量如表1中所列進行改變以外，以與實例1相同的方式製造了各自具有去偏光區的偏光板。
比較例1
除了不執行用飛秒雷射束照射之外，以與實例1相同的方式製造了偏光板。
比較例2
除了用每單位面積每脈衝的能量為1.27焦耳/平方公分．脈衝的飛秒雷射束在515奈米的波長下照射所述堆疊之外，以與實例1相同的方式製造了具有去偏光區的偏光板。
比較例3
除了用每單位面積每脈衝的能量為0.19焦耳/平方公分．脈衝的飛秒雷射束在515奈米的波長下照射所述堆疊之外，以與實例1相同的方式製造了具有去偏光區的偏光板。
比較例4
除了用每單位面積每脈衝的能量為2.55焦耳/平方公分．脈衝的飛秒雷射束在515奈米的波長下照射所述堆疊以外，以與實例1相同的方式製造了具有去偏光區的偏光板。
針對以下性質對實例1至4及比較例2至4中製造的每一偏光板的去偏光區進行了評價。由於在比較例1中製造的偏光板不包括去偏光區，因此關於整個偏光板評價了以下性質。結果示於下表1及圖1至圖4中。
(1)最大吸光度：使用日記分光公司(JASCO)的V730 光譜儀量測了在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度。
(2)根據波長的透光率(單位：%)及透光率比率：使用日本分光公司的V730光譜儀量測了每一偏光板在380奈米至780奈米波長下的透光率。
(3)在380奈米至780奈米波長下的單一透射率(單位：%)及偏光度(單位：%)：使用日本分光公司的V730光譜儀量測了去偏光區在380奈米至780奈米波長下的單一透射率及偏光度。
(4)I5 -離子對I3 -的濃度比率(I5 -/I3 -)：使用拉曼光譜儀(Raman spectrometer)在633奈米的波長下分析了碘離子濃度比率。
(5)用肉眼觀察：用肉眼觀察了去偏光區。無表面損傷的中性去偏光區被評定為◎；無表面損傷的非中性去偏光區被評定為○；遭受輕微表面損傷的非中性去偏光區被評定為△；且遭受嚴重表面損傷的非中性去偏光區被評定為X。
Figure 109125402-A0305-02-0020-1
在表1中，括弧中的數字指示每單位面積每脈衝的能量。
如表1及圖4所示，根據本發明的每一偏光板具有滿足處於本發明上述範圍內的最大吸光度及透光率比率的去偏光區，藉此在用肉眼觀察時提供良好的結果，且容許拍攝具有良好色調及亮度的清晰影像而不會使影像變形。圖2及圖3示出0.17焦耳/平方公分．脈衝或小於0.17焦耳/平方公分．脈衝的每單位面積每脈衝的能量在達成本發明的有利效果時具有重要意義。
相反，如表1及圖4所示，比較例2至4的每一偏光板的去偏光區無法滿足處於本發明上述範圍內的最大吸光度及透光率比率，因此無法達成本發明的效果。
應理解，在不背離本發明的精神及範圍的條件下，熟習此項技術者可作出各種修改、改變、變更及等效實施例。

Claims (8)

  1. 一種偏光板，包括：偏光器及堆疊於所述偏光器的至少一個表面上的保護膜，其中所述偏光板在其面內方向上包括至少一去偏光區，所述去偏光區在380奈米至420奈米的波長範圍內的最大吸光度為0.5至1.5以及在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率為1至2。
  2. 如請求項1所述的偏光板，其中所述去偏光區具有1至2的I5 -離子濃度對I3 -離子濃度的離子濃度比率。
  3. 如請求項1所述的偏光板，其中所述去偏光區在380奈米至420奈米的波長範圍內的最小吸光度為0.1至1。
  4. 如請求項1所述的偏光板，更包括：偏光區，其中所述偏光區在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度大於或小於所述去偏光區在380奈米至420奈米波長範圍內的最大吸光度。
  5. 如請求項4所述的偏光板，其中所述偏光區具有較所述去偏光區更小的在590奈米波長下的透光率對在400奈米波長下的透光率的透光率比率。
  6. 如請求項4所述的偏光板，其中所述偏光區具有較所述去偏光區更高的I5 -離子濃度對I3 -離子濃度的離子濃度比率。
  7. 如請求項1所述的偏光板，其中所述偏光器包括用 選自碘及二色性染料中的至少一者染色的偏光器。
  8. 一種顯示裝置，包括如請求項1至7中任一項所述的偏光板。
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