TWI735953B - 三維量測裝置與其操作方法 - Google Patents

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Abstract

一種三維量測裝置，包括移動裝置、投影裝置、面型取像裝置與處理裝置。移動裝置承載物體，並將物體移動至多個位置。投影裝置產生第一光至物體。面型取像裝置於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。處理裝置耦接面型取像裝置，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。

Description

三維量測裝置與其操作方法
本發明關於一種量測裝置，特別是關於一種三維量測裝置與其操作方法。
由於技術的發展演進，使得半導體朝向微小化製程技術發展，其主要目的在於縮短線路並同時提高電晶體密度。在元件堆疊的過程中，製程中採用大量的微凸塊(bump)用來作為上下層電訊號導通的接點。倘若微凸塊過大或過小，都會使得後端電子元件的信號傳遞效果不佳，所以檢測微凸塊高度便顯得相當重要。目前，微凸塊高度已從過去的數百微米降至數十微米，未來高度會朝向更低發展。
然而，由於目前量測技術的量測速度較慢，並於量測過程中會產生相位誤差而影響量測的準確度，因而無法達到有效的檢測目的。因此，如何有效減少相位誤差的影響並增加量測準確度及速度將成為一重要議題。
本發明提供一種三維量測裝置與其操作方法，藉以減少相位誤差的影響，並增加對物體之表面高度分佈的量測準確度及速度。
本發明提供一種三維量測裝置，包括移動裝置、投影裝置、面型取像裝置與處理裝置。移動裝置承載物體，並將物體移動至多個位置。投影裝置產生第一光至物體。面型取像裝置於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。處理裝置耦接面型取像裝置，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。
本發明另提供一種三維量測裝置，包括移動裝置、投影裝置、線型取像裝置與處理裝置。移動裝置承載物體，並將物體移動至多個位置。投影裝置依據調光條件，產生第一光至物體。線型取像裝置於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。處理裝置耦接線型取像裝置，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。其中，調光條件依據線型取像裝置的像素尺寸、線型取像裝置的像素間距、線型取像裝置的鏡頭放大倍率、投影裝置的鏡頭放大倍率與第一光和第二光之間的夾角進行調整。
本發明另提供一種三維量測裝置的操作方法，包括下列步驟。產生第一光至物體。移動物體至多個位置。於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。
本發明所揭露之三維量測裝置與其操作方法，透過產生第一光至物體，並移動物體至多個位置，以及於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。接著，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。另外，當取像裝置為線型取像裝置時，投影裝置可依據調光條件產生第一光，其中調光條件依據線型取像裝置的像素尺寸、線型取像裝置的一像素間距、線型取像裝置的鏡頭放大倍率、投影裝置的鏡頭放大倍率與第一光和第二光之間的夾角進行調整。如此一來，可以有效地減少相位誤差的影響，並增加對物體之表面高度分佈的量測準確度及速度。
本說明書的技術用語參照本技術領域之習慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋以本說明書之說明或定義為準。本揭露之各個實施例分別具有一或多個技術特徵。在可能實施的前提下，本技術領域具有通常知識者可選擇性地實施任一實施例中部分或全部的技術特徵，或者選擇性地將這些實施例中部分或全部的技術特徵加以組合。
在以下所列舉的各實施例中，將以相同的標號代表相同或相似的元件或組件。
第1A圖為依據本發明之一實施例之三維量測裝置的示意圖。第1B圖為依據本發明之另一實施例之三維量測裝置的示意圖。請參考第1A圖及第1B圖，三維量測裝置100包括移動裝置110、投影裝置120、面型取像裝置130與處理裝置140。
移動裝置110可以承載物體160，並可對物體160進行移動，亦即可將物體160移動至多個不同的位置。在一實施例中，移動裝置110可為單軸的移動裝置。例如，移動裝置110可以在X軸上對物體160進行移動，如第2A圖所示。或是，移動裝置110可以在Y軸上對物體160進行移動，如第2B圖所示。在另一實施例中，移動裝置110可為多軸的移動裝置。例如，移動裝置110可以在X軸及Y軸上對物體160進行移動，如第2C圖所示。
投影裝置120產生第一光L1至物體160。在本實施例中，投影裝置120可以包括光源121、光調變單元122與投影鏡頭123。光源121用於產生光，其中光源121所產生的光可為可見光或不可見光。進一步來說，光源單元121所產生的光可以為寬頻白光、窄波藍光或紅外光等。光調變單元122可以改變光源121所產生之光的光圖樣。在本實施例中，光調變單元122例如為微陣列透鏡、矽基液晶(liquid crystal on silicon, LCOS)或光柵等。投影鏡頭123具有一鏡頭放大倍率，且依據鏡頭放大倍率對上述光圖樣進行放大，以產生投影至物體160的第一光L1。
面型取像裝置130於每一位置上，感測物體160因應於第一光L1而產生的第二光L2，以分別產生相位影像310_1~310_N，如第3圖所示。其中，N為大於1的正整數。另外，相位影像310_1~310_N分別對應不同位置。舉例來說，相位影像310_1為物體160於位置1上時面型取像裝置130產生的，相位影像310_2為物體160於位置2上時面型取像裝置130產生的，其餘則類推。在本實施例中，面型取像裝置130可以包括取像鏡頭131與取像單元132。
取像鏡頭131具有一鏡頭放大倍率，且依據鏡頭放大倍率對上述第二光L2進行放大。取像單元132透過取像鏡頭131接收並感測第二光L2，以產生對應的相位影像310_1~310_N。在本實施例中，取像單元132例如為電荷耦合元件(charge coupled device, CCD)。
處理裝置140耦接面型取像裝置130。在本實施例中，處理裝置140可以是微控制器、微處理器或其他具有資料處理功能的計算裝置等。處理裝置140接收面型取像裝置130所產生的相位影像310_1~310_N。接著，處理裝置140將上述相位影像310_1~310_N進行感興趣區域(region of interest, ROI)處理，以產生多個感興趣區域影像I1、I2、I3。
舉例來說，處理裝置140透過感興趣區域處理，將相位影像310_1~310_N中對應0度、120度及240度之相位角的影像擷取出來，以取得對應0度的相位影像310_1_1~310_N_1、對應120度的相位影像310_1_2~310_N_2及對應240度的相位影像310_1_3~310_N_3。
接著，處理裝置140將對應0度的相位影像310_1_1~310_N_1依序排列，以產生對應0度的感興趣區域影像I1。處理裝置140將對應120度的相位影像310_1_2~310_N_2依序排列，以產生對應120度的感興趣區域影像I2。處理裝置140將對應240度的相位影像310_1_3~310_N_3依序排列，以產生對應240度的感興趣區域影像I3。
之後，處理裝置140將感興趣區域影像I1、I2、I3透過三步相位移法處理，以計算物體160的表面高度分佈，亦即物體160之表面的各凸塊(bump)的高度。在本實施例中，三步相位移法滿足如下公式(1)：
Figure 02_image001
,                               (1)
其中，ɸ (x ,y )為物體160之表面的各凸塊的高度，I 1 為對應0度的感興趣區域影像，I 2 為對應120度的感興趣區域影像，I 3 為對應240度的感興趣區域影像。
在本實施例中，感興趣區域影像I1~I3所對應之相位角的角度(即0度、120度、240度)為本發明的一種實施範例，不用於限制本發明實施例。使用者亦可視其需求調整感興趣區域影像I1~I3所對應之相位角的角度，例如感興趣區域影像I1和I2所對應之相位角的差距與感興趣區域影像I2和I3所對應之相位角的差距相同。
舉例來說，在一些實施例中，感興趣區域影像I1可以對應0度的相位角，感興趣區域影像I2對應130度的相位角，感興趣區域影像I3對應260度的相位角。在一些實施例中，感興趣區域影像I1可以對應0度的相位角，感興趣區域影像I2對應90度的相位角，感興趣區域影像I3對應180度的相位角。
在上述實施例中，處理裝置140以三步相位移法為例進行說明，但本發明實施例不限於此。以下將列舉其他實施例來說明處理裝置140之其他操作。亦即，處理裝置140取得不同數量的感興趣區域影像，並透過其他相對應之多步相位移法對感興趣影像進行處理，計算物體160的表面高度分佈。
在一些實施例中，在處理裝置140接收面型取像裝置130所產生的相位影像310_1~310_N後，處理裝置140將上述相位影像310_1~310_N進行感興趣區域處理，以產生例如感興趣區域影像I1、I2、I3、I4。
舉例來說，處理裝置140透過感興趣區域處理，將相位影像310_1~310_N中對應0度、90度、180度及270度之相位角的影像擷取出來，以取得對應0度的相位影像310_1_1~310_N_1、對應90度的相位影像310_1_2~310_N_2、對應180度的相位影像310_1_3~310_N_3及對應270度的相位影像310_1_4~310_N_4。
接著，處理裝置140將對應0度的相位影像310_1_1~310_N_1依序排列，以產生對應0度的感興趣區域影像I1。處理裝置140將對應90度的相位影像310_1_2~310_N_2依序排列，以產生對應90度的感興趣區域影像I2。處理裝置140將對應180度的相位影像310_1_3~310_N_3依序排列，以產生對應180度的感興趣區域影像I3。處理裝置140將對應270度的相位影像310_1_4~310_N_4依序排列，以產生對應270度的感興趣區域影像I4。另外，本實施例之感興趣區域影像I1、I2、I3、I4的產生方式可參考第3圖之實施例的說明，故在此不再贅述。
之後，處理裝置140將感興趣區域影像I1、I2、I3、I4透過四步相位移法處理，以計算物體160的表面高度分佈，亦即計算物體160之表面的各凸塊的高度。在本實施例，四步相位移法滿足如下公式(2)：
Figure 02_image003
,                                     (2)
其中，ɸ (x ,y )為物體160之表面的各凸塊的高度，I 1 為對應0度的感興趣區域影像，I 2 為對應90度的感興趣區域影像，I 3 為對應180度的感興趣區域影像，I 4 為對應270度的感興趣區域影像。
在本實施例中，感興趣區域影像I1~I4所對應之相位角的角度(即0度、90度、180度、270度)為本發明的一種實施範例，不用於限制本發明實施例。使用者亦可視其需求調整感興趣區域影像I1~I4所對應之相位角的角度，例如感興趣區域影像I1和I2所對應之相位角的差距與感興趣區域影像I2與I3所對應之相位角的差距相同，且感興趣區域影像I2和I3所對應之相位角的差距與感興趣區域影像I3與I4所對應之相位角的差距相同。
舉例來說，在一些實施例中，感興趣區域影像I1可以對應0度的相位角，感興趣區域影像I2對應45度的相位角，感興趣區域影像I3對應90度的相位角，感興趣區域影像I4對應135度的相位角。在一些實施例中，感興趣區域影像I1可以對應0度的相位角，感興趣區域影像I2對應60度的相位角，感興趣區域影像I3對應120度的相位角，感興趣區域影像I4對應180度的相位角。
在一些實施例中，在處理裝置140接收面型取像裝置130所產生的相位影像310_1~310_N後，處理裝置140將上述相位影像310_1~310_N進行感興趣區域處理，以產生例如感興趣區域影像I1、I2、I3、I4、I5。
舉例來說，處理裝置140透過感興趣區域處理，將相位影像310_1~310_N中對應0度、90度、180度、270度及360度之相位角的影像擷取出來，以取得對應0度的相位影像310_1_1~310_N_1、對應90度的相位影像310_1_2~310_N_2、對應180度的相位影像310_1_3~310_N_3、對應270度的相位影像310_1_4~310_N_4及對應360度的相位影像310_1_5~310_N_5。
接著，處理裝置140將對應0度的相位影像310_1_1~310_N_1依序排列，以產生對應0度的感興趣區域影像I1。處理裝置140將對應90度的相位影像310_1_2~310_N_2依序排列，以產生對應90度的感興趣區域影像I2。處理裝置140將對應180度的相位影像310_1_3~310_N_3依序排列，以產生對應180度的感興趣區域影像I3。
處理裝置140將對應270度的相位影像310_1_4~310_N_4依序排列，以產生對應270度的感興趣區域影像I4。處理裝置140將對應360度的相位影像310_1_5~310_N_5依序排列，以產生對應360度的感興趣區域影像I5。另外，本實施例之感興趣區域影像I1、I2、I3、I4、I5的產生方式可參考第3圖之實施例的說明，故在此不再贅述。
之後，處理裝置140將感興趣區域影像I1、I2、I3、I4、I5透過五步相位移法處理，以計算物體160的表面高度分佈，亦即物體160之表面的各凸塊的高度。在本實施例，五步相位移法滿足如下公式(3)：
Figure 02_image005
,                                 (3)
其中，ɸ (x ,y )為物體160之表面的各凸塊的高度，I 1 為對應0度的感興趣區域影像，I 2 為對應90度的感興趣區域影像，I 3 為對應180度的感興趣區域影像，I 4 為對應270度的感興趣區域影像，I 5 為對應360度的感興趣區域影像。
在本實施例中，感興趣區域影像I1~I5所對應之相位角的角度(即0度、90度、180度、270度、360度)為本發明的一種實施範例，不用於限制本發明實施例。使用者亦可視其需求調整感興趣區域影像I1~I5所對應之相位角的角度，例如感興趣區域影像I1和I2所對應之相位角的差距與感興趣區域影像I2與I3所對應之相位角的差距相同，感興趣區域影像I2和I3所對應之相位角的差距與感興趣區域影像I3與I4所對應之相位角的差距相同，且感興趣區域影像I3和I4所對應之相位角的差距與感興趣區域影像I4與I5所對應之相位角的差距相同。
舉例來說，在一些實施例中，感興趣區域影像I1可以對應0度的相位角，感興趣區域影像I2對應45度的相位角，感興趣區域影像I3對應90度的相位角，感興趣區域影像I4對應135度的相位角，感興趣區域影像I5對應180度的相位角。在一些實施例中，感興趣區域影像I1可以對應0度的相位角，感興趣區域影像I2對應60度的相位角，感興趣區域影像I3對應120度的相位角，感興趣區域影像I4對應180度的相位角，感興趣區域影像I5對應240度的相位角。
由上述實施例的說明，本發明實施例透過處理裝置140對面型取像裝置130所取得之相位影像進行處理，以產生感興趣區域影像，再利用對應的多步相位移法對感興趣區域影像進行處理，以產生物體160的表面高度分佈。如此一來，可以有效地減少相位誤差的影響，並增加對物體160之表面高度分佈的量測準確度及速度。
另外，在一實施例中，當物體160為鏡面物體(例如晶圓(wafer))時，第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2相等(如第1A圖所示)，其中第一光L1為入射光，第二光L2為反射光，角度θ1為第一光L1與法線170之間的夾角，角度θ2為第二光L2與法線170之間的夾角。也就是說，三維量測裝置100可以對晶圓之表面的凸塊的高度進行量測。
在另一實施例中，當物體160為非鏡面物體(例如印刷電路板(printed circuit board, PCB))時，第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2(圖未示，由於第二光L2與法線170重疊，則θ2=0度)不相等(如第1B圖所示)，其中第一光L1為入射光，第二光L2為散射光。也就是說，三維量測裝置100可以對印刷電路板之表面的凸塊的高度進行量測。
此外，第1B圖所示之第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2不相等的方式僅為本發明的一種實施範例，不用於限制本發明實施例。使用者亦可對投影裝置120及面型取像裝置130的位置進行調整，使得第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2不相等，都可達到相同的效果。
在一實施例中，移動裝置110每次移動物體160的距離關聯於面型取像裝置130之像素尺寸與鏡頭放大倍率。進一步來說，上述距離例如為像素尺寸除以鏡頭放大倍率。舉例來說，假設像素尺寸例如為10um，鏡頭放大倍率為2倍，則上述距離為5um。也就是說，移動裝置110每次移動物體160的距離為5um。假設像素尺寸例如為20um，鏡頭放大倍率為2倍，則上述距離為10um。也就是說，移動裝置110每次移動物體160的距離為10um。其他的移動距離可參考如上的說明，故在此不再贅述。
在一實施例中，上述相位影像310_1~310_N的數量與物體160的尺寸相關聯。舉例來說，假設物體160的尺寸例如為45um，移動裝置110每次移動物體160的距離為5um，則移動裝置110移動物體160的次數為9次(45/5=9)，且上述相位影像310_1~310_N的數量為9張相位影像。
假設物體160的尺寸例如為100um，上述距離為5um，則移動裝置110移動物體160的總次數為20次(100/5=20)，且上述相位影像310_1~310_N的數量為20張相位影像。其他的相位影像的數量與物體160的尺寸相關聯的關係可參考如上的說明，故在此不再贅述。
在上述實施例中，移動裝置110每次移動物體160的距離為一固定距離(例如為5um)，亦即移動裝置110對物體160進行逐點移動，使得三維量測裝置100對物體160進行逐點掃描，以掃描物體160的全部三維形貌。但本發明不限於此，移動裝置110每次移動物體160的距離可為固定距離或不為固定距離，亦即移動裝置110對物體160進行跳點移動，使得三維量測裝置100對物體160進行跳點掃描，以掃描物體160的特定點高度。
舉例來說，移動裝置110移動物體160的距離例如依序為5um、10um、15um、10um、5um等。另外，移動裝置110移動物體160的距離例如依序為5um、5um、10um、10um、5um等。此外，移動裝置110移動物體160的距離例如依序為5um、10um、5um、10um、5um等。其他距離的移動方式可參考如上的說明，故在此不再贅述。
第4A圖為依據本發明之另一實施例之三維量測裝置的示意圖。第4B圖為依據本發明之另一實施例之三維量測裝置的示意圖。請參考第4A圖及第4B圖，三維量測裝置400包括移動裝置110、投影裝置420、線型取像裝置430與處理裝置140。在本實施例中，移動裝置110和處理裝置140與第1A圖和第1B圖的移動裝置110和處理裝置140相同或相似，可參考第1A圖和第1B圖之實施例的說明，故在此不再贅述。
投影裝置420依據調光條件，產生第一光L1至物體160。在本實施例中，投影裝置420可以包括光源121、光調變單元421與投影鏡頭123。其中，光源121和投影鏡頭123與第1A圖和第1B圖的光源121和投影鏡頭123相同或相似，故可參考第1A圖和第1B圖之實施例的說明，故在此不再贅述。
線型取像裝置430於每一位置上，感測物體160因應於第一光L1而產生的第二光L2，以產生對應於每一位置的相位影像310_1~310_N，如第3圖所示。另外，相位影像310_1~310_N分別對應不同位置。舉例來說，相位影像310_1為物體160於位置1上時線型取像裝置430產生的，相位影像310_2為物體160於位置2上時線型取像裝置430產生的，其餘則類推。在本實施例中，線型取像裝置430可以包括取像鏡頭131與取像單元431。其中，取像鏡頭131與第1A圖和第1B圖的取像鏡頭131相同或相似，故可參考第1A圖和第1B圖之實施例的說明，故在此不再贅述。
在本實施例中，光調變單元421也例如為微陣列透鏡、矽基液晶(liquid crystal on silicon, LCOS)或光柵。另外，光調變單元421可以依據調光條件改變光源121所產生之光的光圖樣。在本實施例中，調光條件例如依據線型取像裝置430的像素尺寸(pixel size)PS、線型取像裝置430的像素間距(pixel pitch)PP、線型取像裝置430的鏡頭放大倍率(亦即取像鏡頭131的鏡頭放大倍率)、投影裝置420的鏡頭放大倍率(亦即投影鏡頭123的鏡頭放大倍率)與第一光L1和第二光L2之間的夾角θ進行調整。
取像單元431接收並感測第二光L2，以產生多個對應的相位影像，例如分別對應0度、120度與240度的相位影像。在本實施例中，取像單元431例如為多線電荷耦合元件(例如三線電荷耦合元件)。另外，透過上述調光條件所產生的第一光L1，使得第二光L2可以在不同的角度與取像單元431的取像相位相對應。也就是說，第二光L2可以與取像單元431的取像角度(即0度、120度與240度)，使得取像單元431可以有效地產生對應0度、120度與240度的相位影像。如此，可以減少相位誤差並增加量測上的準確度。
接著，處理裝置140可以將線型取像裝置430所取得之對應0度、120度與240度的相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像I1、I2、I3。接著，處理裝置140將感興趣區域影像I1、I2、I3透過三步相位移法處理，以計算物體160的表面高度分佈。另外，處理裝置140對上述相位影像的處理方式可以參考如上第3圖之實施例的說明，故在此不再贅述。
在上述實施例中，取像單元431為三線電荷耦合元件，且處理裝置140以三步相位移法對取像單元431所產生的相位影像進行處理，但本發明實施例不限於此。另外，取像單元431的取像角度所對應之0度、120度與240度的相位角為本發明的一種實施範例，不用於限制本發明實施例。使用者亦可視其需求調整取像單元431的取像角度。舉例來說，取像單元431的取像角度可以對應0度、130度與260度的相位角。在一些實施例中，取像單元431的取像角度可以對應0度、90度與180度的相位角。
在一些實施例中，取像單元431可以為四線電荷耦合元件，且處理裝置140可以四步相位移法對取像單元431所產生的相位影像進行處理，可以參考如上有關四步相位移法之實施例的說明，故在此不再贅述。另外，取像單元431的取像角度可以對應之0度、90度、180度、270度的相位角，但不用於限制本發明實施例。使用者亦可視其需求調整取像單元431的取像角度。舉例來說，取像單元431的取像角度可以對應0度、45度、90度與135度的相位角。在一些實施例中，取像單元431的取像角度可以對應0度、60度、120度與180度的相位角。
在一些實施例中，取像單元431也可以為五線電荷耦合元件，且處理裝置140可以五步相位移法對取像單元431所產生的相位影像進行處理，可以參考如上有關五步相位移法之實施例的說明，故在此不再贅述。另外，取像單元431的取像角度可以對應之0度、90度、180度、270度及360度的相位角，但不用於限制本發明實施例。使用者亦可視其需求調整取像單元431的取像角度。舉例來說，取像單元431的取像角度可以對應0度、45度、90度、135度與180度的相位角。在一些實施例中，取像單元431的取像角度可以對應0度、60度、120度、180度與240度的相位角。
由上述實施例的說明，本發明實施例透過投影裝置420依據調光條件產生第一光L1，使得物體160因應於第一光L1而產生的第二光L2可以與線型取像裝置之取像單元431的取像相位相對應。接著，透過處理裝置140對線型取像裝置430所取得之相位影像進行處理，以產生感興趣區域影像，再利用對應的多步相位移法對感興趣區域影像進行處理，以產生物體160的表面高度分佈。如此一來，可以有效地減少相位誤差的影響，並增加對物體160之表面高度分佈的量測準確度及速度。
另外，在一實施例中，當物體160為鏡面物體(例如晶圓)時，第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2相等(如第4A圖所示)，其中第一光L1為入射光，第二光L2為反射光，第一光L1的角度θ1為第一光L1與法線170之間的夾角，第二光L2的角度θ2為第二光L2與法線170之間的夾角。也就是說，三維量測裝置400可以對晶圓之表面的凸塊的高度進行量測。
在另一實施例中，當物體160為非鏡面物體(例如印刷電路板)時，第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2(圖未示，由於第二光L2與法線170重疊，則第二光L2的角度θ2=0度)不相等(如第4B圖所示)，其中第一光L1為入射光，第二光L2為散射光。也就是說，三維量測裝置400可以對印刷電路板之表面的凸塊的高度進行量測。
此外，第4B圖所示之第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2不相等的方式僅為本發明的一種實施範例，不用於限制本發明實施例。使用者亦可對投影裝置420及線型取像裝置430的位置進行調整，使得第一光L1的角度θ1與第二光L2的角度θ2不相等，都可達到相同的效果。
在一實施例中，移動裝置110每次移動物體160的距離關聯於線型取像裝置430之像素尺寸與鏡頭放大倍率。另外，每次移動物體160的距離可參考如上實施例的說明，故在此不再贅述。
在一實施例中，移動裝置110每次移動物體160的距離可為固定距離，使得三維量測裝置400對物體160進行逐點掃描，以掃描物體160的全部三維形貌。在另一實施例中，移動裝置110每次移動物體160的距離可為固定距離或不為固定距離，使得三維量測裝置400對物體160進行跳點掃描，以掃描物體160的特定點高度。另外，三維量測裝置400之移動裝置110的說明可參考如上實施例的說明，故在此不再贅述。
在一實施例中，線型取像裝置430所產生的相位影像的數量與物體160的尺寸相關聯。另外，相位影像的數量與物體160的尺寸的說明可參考如上實施例的說明，故在此不再贅述。
第5圖為依據本發明之一實施例之三維量測裝置的操作方法的流程圖。在步驟S502中，產生第一光至物體。在步驟S504中，移動物體至多個位置。在步驟S506中，於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。在步驟S508中，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。
在本實施例中，當物體為鏡面物體時，第一光的角度與第二光的角度相等，其中第一光為入射光，第二光為反射光。當物體為非鏡面物體時，第一光的角度與第二光的角度不相等，其中第一光為入射光，第二光為散射光。每次移動物體的距離關聯於取像裝置之像素尺寸與一鏡頭放大倍率。上述相位影像的數量與物體的尺寸相關聯。
第6圖為依據本發明之另一實施例之三維量測裝置的操作方法的流程圖。在步驟S602中，依據調光條件，產生第一光至物體，其中調光條件依據線型取像裝置的像素尺寸、線型取像裝置的像素間距、線型取像裝置的鏡頭放大倍率、投影裝置的鏡頭放大倍率與第一光和第二光之間的夾角進行調整。
在步驟S604中，移動物體至多個位置。在步驟S606中，於每一位置上，感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像。在步驟S608中，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。
在本實施例中，當物體為鏡面物體時，第一光的角度與第二光的角度相等，其中第一光為入射光，第二光為反射光。當物體為非鏡面物體時，第一光的角度與第二光的角度不相等，其中第一光為入射光，第二光為散射光。每次移動物體的距離關聯於取像裝置之像素尺寸與一鏡頭放大倍率。上述相位影像的數量與物體的尺寸相關聯。
綜上所述，本發明所揭露之三維量測裝置與其操作方法，透過產生第一光至物體，並移動物體至多個位置，以及於每一位置感測物體因應於第一光而產生的第二光，以產生相位影像接著，接收相位影像，並將相位影像進行感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將感興趣區域影像透過多步相位移法處理，以計算物體的表面高度分佈。
進一步來說，當取像裝置為線型取像裝置時，投影裝置可依據調光條件產生第一光，其中調光條件依據線型取像裝置的像素尺寸、線型取像裝置的像素間距、線型取像裝置的鏡頭放大倍率、投影裝置的鏡頭放大倍率與第一光和第二光之間的夾角進行調整，使得物體因應於第一光而產生的第二光可以與線型取像裝置的取像相位相對應。如此一來，可以有效地減少相位誤差的影響，並增加對物體之表面高度分佈的量測準確度及速度。
本發明雖以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、400:三維量測裝置 110:移動裝置 120、420:投影裝置 121:光源 122、421:光調變單元 123:投影鏡頭 130:面型取像裝置 131:取像鏡頭 132、431:取像單元 140:處理裝置 160:物體 170:法線 310_1~310_N、310_1_1~310_N_1、310_1_2~310_N_2、310_1_3~310_N_3:相位影像 430:線型取像裝置 I1~I3:感興趣區域影像 L1:第一光 L2:第二光 PS:像素尺寸 PP:像素間距 θ:夾角 θ1、θ2:角度 S502~S508、S602~S608:步驟
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下： 第1A圖為依據本發明之一實施例之的三維量測裝置的示意圖。 第1B圖為依據本發明之另一實施例之三維量測裝置的示意圖。 第2A圖、第2B圖與第2C圖為依據本發明之一實施例之移動裝置移動物體的示意圖。 第3圖為依據本發明之一實施例之面型取像裝置所取得之相位影像與感興趣區域影像的對應關係示意圖。 第4A圖為依據本發明之另一實施例之的三維量測裝置的示意圖。 第4B圖為依據本發明之另一實施例之三維量測裝置的示意圖。 第5圖為依據本發明之一實施例之三維量測裝置的操作方法的流程圖。 第6圖為依據本發明之一實施例之三維量測裝置的操作方法的流程圖。
100:三維量測裝置
110:移動裝置
120:投影裝置
121:光源
122:光調變單元
123:投影鏡頭
130:面型取像裝置
131:取像鏡頭
132:取像單元
140:處理裝置
160:物體
L1:第一光
L2:第二光
170:法線
θ 1、θ 2:角度

Claims (16)

  1. 一種三維量測裝置，包括： 一移動裝置，承載一物體，並將該物體移動至多個位置； 一投影裝置，產生一第一光至該物體； 一面型取像裝置，於每一該些位置上，感測該物體因應於該第一光而產生的一第二光，以產生一相位影像；以及 一處理裝置，耦接該面型取像裝置，接收該些相位影像，並將該些相位影像進行一感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將該些感興趣區域影像透過一多步相位移法處理，以計算該物體的一表面高度分佈。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之三維量測裝置，其中該第一光的角度與該第二光的角度相等，該第一光為一入射光，該第二光為一反射光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之三維量測裝置，其中該第一光的角度與該第二光的角度不相等，該第一光為一入射光，該第二光為一散射光。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之三維量測裝置，其中該移動裝置每次移動該物體的一距離關聯於該面型取像裝置之一像素尺寸與一鏡頭放大倍率。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之三維量測裝置，其中該些相位影像的數量與該物體的尺寸相關聯。
  6. 一種三維量測裝置，包括： 一移動裝置，承載一物體，並將物體移動至多個位置； 一投影裝置，依據一調光條件，產生一第一光至該物體； 一線型取像裝置，於每一該些位置上，感測該物體因應於該第一光而產生的一第二光，以產生一相位影像；以及 一處理裝置，耦接該線型取像裝置，接收該些相位影像，並將該些相位影像進行一感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將該些感興趣區域影像透過一多步相位移法處理，以計算該物體的一表面高度分佈； 其中，該調光條件依據該線型取像裝置的一像素尺寸、該線型取像裝置的一像素間距、該線型取像裝置的一鏡頭放大倍率、該投影裝置的一鏡頭放大倍率與該第一光和該第二光之間的夾角進行調整。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之三維量測裝置，其中該第一光的角度與該第二光的角度相等，該第一光為一入射光，該第二光為一反射光。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之三維量測裝置，其中該第一光的角度與該第二光的角度不相等，該第一光為一入射光，該第二光為一散射光。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之三維量測裝置，其中該移動裝置每次移動該物體的一距離關聯於該線型取像裝置之該像素尺寸與該鏡頭放大倍率。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之三維量測裝置，其中該些相位影像的數量與該物體的尺寸相關聯。
  11. 一種三維量測裝置的操作方法，包括： 產生一第一光至一物體； 移動該物體至多個位置； 於每一該些位置上，感測該物體因應於該第一光而產生的一第二光，以產生一相位影像；以及 接收該些相位影像，並將該些相位影像進行一感興趣區域處理，以產生多個感興趣區域影像，且將該些感興趣區域影像透過一多步相位移法處理，以計算該物體的一表面高度分佈。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之三維量測裝置的操作方法，其中該第一光的角度與該第二光的角度相等，該第一光為一入射光，該第二光為一散射光。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之三維量測裝置的操作方法，其中該第一光的角度與該第二光的角度不相等，該第一光為一入射光，該第二光為一散射光。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之三維量測裝置的操作方法，其中每次移動該物體的一距離關聯於一取像裝置之一像素尺寸與一鏡頭放大倍率。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之三維量測裝置的操作方法，其中該些相位影像的數量與該物體的尺寸相關聯。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之三維量測裝置的操作方法，其中產生該第一光至該物體的步驟包括： 依據一調光條件，產生該第一光至該物體； 其中該調光條件依據一線型取像裝置的一像素尺寸、該線型取像裝置的一像素間距、該線型取像裝置的一鏡頭放大倍率、一投影裝置的一鏡頭放大倍率與該第一光和該第二光之間的夾角進行調整。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3134448B1 (fr) * 2022-04-11 2024-04-12 Insidix Procédé de mesure topographique et machine de mesure topographique

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1945204A (zh) * 2006-10-19 2007-04-11 上海大学 镜面物体表面三维轮廓测量装置和方法
WO2015131944A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-11 Sick Ivp Ab Image sensing device and measuring system for providing image data and information on 3d-characteristics of an object
TWI575219B (zh) * 2016-01-06 2017-03-21 國立虎尾科技大學 Measurement method and measuring device of phase - type omni - directional angle deviation microscope
CN106546193A (zh) * 2016-10-12 2017-03-29 上海大学 一种高反射物体表面三维测量方法和系统
US9756314B2 (en) * 2013-10-17 2017-09-05 Keyence Corporation Three-dimensional image processing apparatus, three-dimensional image processing method, three-dimensional image processing program, computer-readable recording medium, and recording device

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646733A (en) 1996-01-29 1997-07-08 Medar, Inc. Scanning phase measuring method and system for an object at a vision station
US5881123A (en) * 1998-03-31 1999-03-09 Siemens Corporate Research, Inc. Simplified cone beam image reconstruction using 3D backprojection
US6501554B1 (en) * 2000-06-20 2002-12-31 Ppt Vision, Inc. 3D scanner and method for measuring heights and angles of manufactured parts
TW580556B (en) 2002-11-22 2004-03-21 Ind Tech Res Inst Method and system for measuring the three-dimensional appearance of an object surface
CN1508514A (zh) 2002-12-17 2004-06-30 财团法人工业技术研究院 物体表面三维形貌量测方法和系统
JP2006003212A (ja) 2004-06-17 2006-01-05 Konica Minolta Sensing Inc 位相計測システム
JP2007114071A (ja) 2005-10-20 2007-05-10 Omron Corp 三次元形状計測装置、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、及び三次元形状計測方法
DE102010030859B4 (de) * 2009-07-03 2019-01-24 Koh Young Technology Inc. Verfahren zum Untersuchen eines auf einem Substrat montierten Messobjektes
JP2011182933A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Toshiba Corp 超音波診断装置及び関心領域設定用制御プログラム
TW201300725A (zh) * 2011-06-17 2013-01-01 Sonix Technology Co Ltd 體感偵測裝置
TW201301078A (zh) * 2011-06-23 2013-01-01 Sonix Technology Co Ltd 體感偵測方法
CN102506711B (zh) * 2011-11-01 2013-07-17 江南大学 线激光视觉三维旋转扫描方法
US9163936B1 (en) 2012-05-07 2015-10-20 Physical Optics Corporation Three-dimensional profilometer
DE102012104282A1 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Isra Vision Ag Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion von Oberflächen eines untersuchten Objekts
TWI489101B (zh) * 2013-12-02 2015-06-21 Ind Tech Res Inst 結合三維及二維形貌之量測方法及裝置
JP5582267B1 (ja) * 2014-01-17 2014-09-03 株式会社東光高岳 連続走査型計測装置
US10482592B2 (en) * 2014-06-13 2019-11-19 Nikon Corporation Shape measuring device, structured object manufacturing system, shape measuring method, structured object manufacturing method, shape measuring program, and recording medium
TWI509216B (zh) * 2014-12-19 2015-11-21 用以取得場景中的深度資訊之裝置與方法
CN106168466B (zh) * 2015-05-21 2019-06-28 财团法人工业技术研究院 全域式影像检测系统及其检测方法
EP3538943A1 (en) * 2016-11-08 2019-09-18 Thermo Electron Scientific Instruments LLC System and method of dimensional calibration for an analytical microscope
TWI604411B (zh) 2016-12-21 2017-11-01 光寶電子（廣州）有限公司 基於結構光的曝光控制方法及曝光控制裝置
GB2560190A (en) * 2017-03-03 2018-09-05 Nvtek Electronic Co Ltd A calibration method for a camera which monitors a target board
US10841561B2 (en) * 2017-03-24 2020-11-17 Test Research, Inc. Apparatus and method for three-dimensional inspection
CN107479015B (zh) * 2017-08-21 2020-07-24 上海联影医疗科技有限公司 磁共振校准扫描序列配置和图像获取的方法及系统
CN108332684A (zh) 2018-04-23 2018-07-27 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 一种基于结构光照明显微技术的三维轮廓测量方法
CN112639622B (zh) * 2018-09-04 2024-03-19 Asml荷兰有限公司 量测设备
CN109510948B (zh) * 2018-09-30 2020-11-17 先临三维科技股份有限公司 曝光调整方法、装置、计算机设备和存储介质
CN110230995B (zh) * 2019-05-10 2021-01-05 首都师范大学 一种基于鬼成像的感兴趣区域成像装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1945204A (zh) * 2006-10-19 2007-04-11 上海大学 镜面物体表面三维轮廓测量装置和方法
US9756314B2 (en) * 2013-10-17 2017-09-05 Keyence Corporation Three-dimensional image processing apparatus, three-dimensional image processing method, three-dimensional image processing program, computer-readable recording medium, and recording device
WO2015131944A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-11 Sick Ivp Ab Image sensing device and measuring system for providing image data and information on 3d-characteristics of an object
TWI575219B (zh) * 2016-01-06 2017-03-21 國立虎尾科技大學 Measurement method and measuring device of phase - type omni - directional angle deviation microscope
CN106546193A (zh) * 2016-10-12 2017-03-29 上海大学 一种高反射物体表面三维测量方法和系统

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