TWI733395B

TWI733395B - 陣列型之太陽激發式固態雷射系統

Info

Publication number: TWI733395B
Application number: TW109110849A
Authority: TW
Inventors: 藍宇彬; 黃柏維; 王世偉
Original assignee: 國立陽明交通大學
Priority date: 2020-03-30
Filing date: 2020-03-30
Publication date: 2021-07-11
Also published as: TW202136840A

Abstract

一種陣列型之太陽激發式固態雷射系統，包含一濾波片、一陣列透鏡單元、一晶體單元，及一聚焦透鏡。該陣列透鏡單元是設置在該濾波片下游，包括多個陣列排列的透鏡。該晶體單元是設置在該陣列透鏡單元下游，並包括多個位在該等透鏡的一焦平面的增益晶體，該等增益晶體能吸收太陽光的一波長範圍。該聚焦透鏡是設置在該晶體單元下游，當太陽光經該濾波片時，該濾波片讓該波長範圍通過，並由該等透鏡聚焦至該等增益晶體上，從而產生多道可由該聚焦透鏡收集的雷射光束。

Description

陣列型之太陽激發式固態雷射系統

本發明是有關於一種太陽能雷射系統，特別是指一種陣列型之太陽激發式固態雷射系統。

現有的太陽能雷射系統主要是以全波長的太陽光作為激發光源，再將全波長的太陽光耦合至一例如摻釹釔鋁石榴石單晶體的雷射介質上，透過激發方式激發該雷射介質，從而獲得雷射輸出。

然而，現有的太陽能雷射系統將太陽光耦合至該雷射介質上，常是透過例如一大型平面鏡、一拋物面反射鏡，及一雙軸定日鏡彼此互相配合來耦合該太陽光至該雷射介質上，其複雜的集光設計使工業應用相對困難。

此外，該雷射介質所使用的晶體材料只能吸收太陽光的特定波長，以前述的摻釹釔鋁石榴石單晶體而言，此材料只能吸收介於805nm至813nm的光波長範圍。因此，當太陽光的全波長入射至太陽能雷射系統時，除了特定光波長範圍可被該晶體材料吸收，其餘的太陽光光波長容易對整體系統產生過多的熱效應問題，進而影響雷射輸出的光束品質、效率、模態及輸出功率，所以現有太陽能雷射系統常透過一水冷結構的設計，用以降低熱效應問題，其中，該水冷結構通常為一水循環系統，透過幫浦馬達的運作讓水循環帶走熱源，因此，需要一定的電力來驅動幫浦馬達的運作，且會讓水與該雷射介質接觸，其複雜的水冷結構一樣會造成工業應用相對困難。

因此，本發明的目的，即在提供一種陣列型之太陽激發式固態雷射系統。

於是，本發明陣列型之太陽激發式固態雷射系統，適用於接收一太陽光，並包含一濾波片、一陣列透鏡單元、一晶體單元，及一聚焦透鏡。

該陣列透鏡單元是設置在該濾波片下游，包括多個陣列排列的透鏡。

該晶體單元是設置在該陣列透鏡單元下游，並包括多個位在該等透鏡的一焦平面的增益晶體，該等增益晶體能吸收該太陽光的一波長範圍。

該聚焦透鏡是設置在該晶體單元下游，當該太陽光經該濾波片時，該濾波片只讓該等增益晶體能吸收的該波長範圍通過，並由該等透鏡聚焦至該等增益晶體上，從而產生多道可由該聚焦透鏡收集的雷射光束。

本發明的功效在於，讓該晶體單元中的該等增益晶體所能吸收的波長範圍與該濾波片彼此配合，僅讓該等增益晶體能吸收的波長通過該濾波片，以避免其他波長的光在該增益晶體上產生熱效應問題，再透過陣列排列的該等透鏡用以將通過該濾波片的太陽光進行聚焦至該等增益晶體上，以激發該等增益晶體而產生多道雷射光束，最後再透過該聚焦透鏡將其收集疊加，以獲得較高的雷射輸出功率，本發明的結構設計省去複雜的集光設計，不僅能有效解決對整體系統產生過多的熱效應問題，還能提高太陽光收集率、改善雷射光束品質，及提升雷射輸出效率及穩定模態輸出。

在本發明被詳細描述的前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖1至圖3，本發明陣列型之太陽激發式固態雷射系統的一實施例，適用於接收一太陽光L，該陣列型之太陽激發式固態雷射系統包含一濾波片2、一設置在該濾波片2下游的陣列透鏡單元3、一設置在該陣列透鏡單元3下游的晶體單元4，及一設置在該晶體單元4下游的聚焦透鏡5。

具體地說，該陣列透鏡單元3包括多個陣列排列的透鏡31，該等透鏡31的排列方式並沒有特別限制，可以是以一維方式排列也可以是以二維方式排列，在本實施例，該等透鏡31是以二維方式排列做說明，但不以此為限，此外，該透鏡31的選用也沒有特別限制，可以是一般常見的凸透鏡，但也可以是菲涅耳透鏡(Fresnel lens)等其他能將光進行聚焦的透鏡。

該晶體單元4包括多個對應該等透鏡31的位置與數量地陣列排列的晶體模組41，且每一個晶體模組41具有一個位在對應的該透鏡31的一焦平面F上的增益晶體410。要說明的是，在本實施例中，該等晶體模組41的數量與排列方式是對應該等透鏡31，也就是一個該透鏡31對應一個該晶體模組41為例做說明，但不以此為限，也可以是讓多個透鏡31對應單一個該晶體模組41，使得該等晶體模組41的數量少於該等透鏡31，例如透過改變該晶體模組41的尺寸，使得經過該等透鏡31的光都能聚焦到對應的晶體模組41中的該增益晶體410上即可。

在本實施例中，該增益晶體410即是所謂的固態雷射系統中常使用的晶體，其能選用材料非常多種，並沒有特別限，使用者可自行視應用情況，自行選擇想使用的材料做為該增益晶體410。當選用不同的材料做為增益晶體410時，該增益晶體410均只能吸收該太陽光L的一波長範圍，舉例而言，當以釔鋁石榴石(YAG)、釩酸釔(YVO ₄)，或氟化釔鋰(YLF)作為主材料時(可進一步摻雜不同離子)，均是以吸收該太陽光L的紅外線波長範圍為主。

較佳地，在本實施例中，每一個晶體模組41還具有一第一鏡411，及一第二鏡412，該增益晶體410設置在該第一鏡411與該第二鏡412之間，且該第一鏡411設置在該陣列透鏡單元3下游，該第二鏡412設置在該聚焦透鏡5上游，從而構成連續式輸出的雷射模組。透過讓每一個該晶體模組41具有該第一鏡411與該第二鏡412配合該增益晶體410所構成的該連續式輸出雷射模組，能進一步增強單位面積產生的雷射強度。

適用於本實施例中的該第一鏡411可選自高反射鏡，而該第二鏡則可選自部分反射鏡、或輸出耦合鏡，且該第一鏡411與該第二鏡412共同構成一共振腔鏡；其中，該共振腔鏡的態樣沒有特別限制，可以是平面、凹面，或是凸面等態樣。此外，值得說明的是，該第一鏡411、該增益晶體410、該第二鏡412三者可以整合在一起，例如可透過將該第一鏡411與該第二鏡412以鍍膜方式鍍覆在該增益晶體410上；更可以選擇只讓該第一鏡411或該第二鏡412其中一者鍍覆在該增益晶體410上。

配合參閱圖4，每一個晶體模組41的另一態樣還可在該增益晶體410與該第二鏡412之間設置一飽和吸收體413，從而構成一種脈衝式輸出的雷射模組。透過額外再加入該飽和吸收體413，所構成脈衝式雷射模組，能進一步用來調變產生的該雷射光束I在單位面積下的輸出強度。其中，適用於該飽和吸收體413可以是選自例如摻氟的氟化鋰(LiF：F ₂)或摻鉻釔鋁石榴石(Cr：YAG)的晶體、也可以是半導體材料，或是染料等材料。

詳細地說，此態樣的該晶體模組41結構，該第一鏡411可以透過鍍膜的方式與該增益晶體410結合，而該增益晶體410則可透過熔接(diffusion bond)的方式與該飽和吸收體413彼此接合，該第二鏡412也可以使用鍍膜的方式鍍覆在該飽和吸收體413上。

換句話說，其接合態樣可以讓該第一鏡411、該增益晶體410，及該第二鏡412三者整合在一起；或讓該增益晶體410、飽和吸收體413，及該第二鏡412三者整合在一起；更可以讓該第一鏡411、該增益晶體410、飽和吸收體413，及該第二鏡412四者整合在一起。

當該太陽光L照射該陣列型之太陽激發式固態雷射系統時，該太陽光L行經的光路徑是依序通過該濾波片2、該陣列透鏡單元3的該等透鏡31、該晶體單元4的該等增益晶體41後，最後聚焦到該聚焦透鏡5。

具體地說，當該太陽光L經該濾波片2時，該濾波片2只讓該等增益晶體410能吸收的該波長範圍通過，而傳遞至該等透鏡31上，並由該等透鏡31聚焦至該等增益晶體410上，從而產生多道雷射光束I，最後，該等雷射光束I再傳遞至該聚焦透鏡5，透過該聚焦透鏡5收集該等雷射光束I進行雷射光功率疊加，從而得到較高的雷射輸出功率。

更詳細地說，在本實施例中，是讓該晶體單元4中的該等增益晶體410所能吸收的波長範圍與該濾波片2彼此配合，也就是說，在該太陽光L入射至陣列型之太陽激發式固態雷射系統時，即會先透過該濾波片2過濾不必要的波長，而僅讓該等增益晶體410能吸收的波長通過該濾波片2，舉例而言，本實施例以選用能有效吸收光波長為805nm至813nm的摻釹釔鋁石榴石作為該增益晶體410時，該濾波片2則對應可選擇讓其附近範圍(可例如780nm至820nm)的波長通過，以避免該太陽光L的其他波長(例如可見光波長)在該增益晶體410上產生熱效應問題。

接著，再透過陣列排列的該等透鏡31構成該陣列透鏡單元3，用以將通過該濾波片2的太陽光L進行聚焦，各別的透鏡31分別聚焦到對應的該增益晶體410上，以激發該等增益晶體410而產生多道雷射光束I，最後，透過該聚焦透鏡5將陣列的該等增益晶體410產生的該等雷射光束I收集進行疊加，以獲得較高的雷射輸出功率，其中，該聚焦透鏡5的選用並沒有特別限制，只要能將該等雷射光束I進行聚焦而疊加即可，較佳地，在本實施例中，該聚焦透鏡5是選自平場雷射聚焦透鏡(F-theta les)，能將該等雷射光束I更有效地聚焦在一焦點上，不易產生像差。

透過本實施例的結構設計，不僅能有效解決對整體系統產生過多的熱效應問題，且能提高太陽光收集率、改善雷射光束品質，及提升雷射輸出效率及穩定模態輸出。

配合參閱圖5，進一步地，該晶體單元4還具有多個能分別與該等晶體模組41相配合的氣冷模組6(圖5僅是示出單個晶體模組41與單個氣冷模組6相配合的態樣為例作說明)，該氣冷模組6包括一設置在該晶體模組41周圍的散熱鰭片61，及二位在該晶體模組41兩相反側的風扇62。較佳地，該散熱鰭片61是直接鑲嵌或鎖固在該晶體模組41，並透過兩個該風扇62以一抽一吸方式帶動氣流流動至該散熱鰭片61，從而將熱氣帶離該晶體模組41，其中，驅動該等風扇62的電力來源可直接透過一太陽能板(圖未示)接收該太陽光L來提供，進而達到無須在外加電力的散熱方式。

綜上所述，本發明陣列型之太陽激發式固態雷射系統，在該太陽光L入射至陣列型之太陽激發式固態雷射系統時，即會先透過該濾波片2的過濾不必要的波長，而僅讓該等增益晶體410能吸收的波長通過該濾波片2，以避免該太陽光L的其他波長(例如可見光波長)在該增益晶體410上產生熱效應問題，再透過陣列排列的該等透鏡31構成該陣列透鏡單元3，用以將通過該濾波片2的太陽光L進行聚焦至該等增益晶體410，以激發該等增益晶體410而產生多道雷射光束I，最後，透過該聚焦透鏡5將陣列的該等增益晶體410產生的該等雷射光束I收集進行疊加，以獲得較高的雷射輸出功率；更可進一步改變該晶體模組41的結構以構成連續式輸出雷射模組或脈衝式雷射模組，來改變雷射輸出；本發明的結構設計不僅能有效解決對整體系統產生過多的熱效應問題，且能提高太陽光收集率、改善雷射光束品質，及提升雷射輸出效率及穩定模態輸出，故確實能達成本發明的目的。

惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。

2:濾波片 3:陣列透鏡單元 31:透鏡 4:晶體單元 41:晶體模組 410:增益晶體 411:第一鏡 412:第二鏡 413:飽和吸收體 5:聚焦透鏡 6:氣冷模組 61:散熱鰭片 62:風扇 F:焦平面 I:雷射光束 L:太陽光

本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一立體分解示意圖，說明本發明陣列型之太陽激發式固態雷射系統的一實施例；圖2是一側視示意圖，輔助說明圖1該實施例；圖3是一側視示意圖，說明該實施例中的一晶體模組的結構；圖4是一側視示意圖，說明該實施例中的該晶體模組的結構的另一態樣；及圖5是一側視示意圖，說明該實施例中的一氣冷模組與該晶體模組相配合的態樣。

2:濾波片

3:陣列透鏡單元

31:透鏡

4:晶體單元

41:晶體模組

5:聚焦透鏡

Claims

一種陣列型之太陽激發式固態雷射系統，適用於接收一太陽光，該陣列型之太陽激發式固態雷射系統包含：一濾波片；一陣列透鏡單元，設置在該濾波片下游，包括多個陣列排列的透鏡；一晶體單元，設置在該陣列透鏡單元下游，並包括多個位在該等透鏡的一焦平面的增益晶體，該等增益晶體能吸收該太陽光的一波長範圍；及一聚焦透鏡，設置在該晶體單元下游，當該太陽光經該濾波片時，該濾波片只讓該等增益晶體能吸收的該波長範圍通過，並由該等透鏡聚焦至該等增益晶體上，從而產生多道可由該聚焦透鏡收集的雷射光束。
如請求項1所述的陣列型之太陽激發式固態雷射系統，其中，該晶體單元的該等增益晶體是對應該等透鏡的位置與數量地陣列排列。
如請求項1所述的陣列型之太陽激發式固態雷射系統，其中，該晶體單元包括多個對應該等透鏡的位置與數量地陣列排列的晶體模組，每一個該晶體模組具有一個該增益晶體。
如請求項3所述的陣列型之太陽激發式固態雷射系統，其中，該晶體模組還具有一第一鏡，及一第二鏡，該增益晶體設置在該第一鏡與該第二鏡之間，且該第一鏡設置在該陣列透鏡單元下游，該第二鏡設置在該聚焦透鏡上游。
如請求項4所述的陣列型之太陽激發式固態雷射系統，其中，該晶體模組更具有一飽和吸收體，該飽和吸收體設置在該增益晶體與該第二鏡之間。
如請求項4或5所述的陣列型之太陽激發式固態雷射系統，其中，該第一鏡選自高反射鏡，而該第二鏡選自部分反射鏡或輸出耦合鏡，且該第一鏡與該第二鏡共同構成一共振腔鏡。
如請求項1所述的陣列型之太陽激發式固態雷射系統，其中，該聚焦透鏡選自平場雷射聚焦透鏡。