TWI723833B - 天線結構 - Google Patents

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啟碁科技股份有限公司
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Abstract

本發明公開一種天線結構，其包括：一第一輻射件、一第二輻射件及一饋入件。第一輻射件包括一第一輻射部、一第二輻射部及一饋入部。第二輻射件包括一第三輻射部、一第四輻射部及一接地部。第三輻射部與第一輻射部彼此分離且相互耦合，第三輻射部與第二輻射部彼此分離且相互耦合，且第四輻射部與第一輻射部彼此分離且相互耦合。饋入件電性連接於饋入部與接地部，饋入件與饋入部之間的連接處為一饋入處。第一輻射部的一開路端的一邊緣與饋入處之間在一第一方向上具有一第一預定距離。第三輻射部的一開路端的一邊緣與饋入處之間在第一方向上具有一第二預定距離。第一預定距離小於第二預定距離。

Description

天線結構
本發明涉及一種天線結構，特別是涉及一種具有第四代行動通訊技術及第五代行動通訊技術所應用的操作頻帶的天線結構。
隨著第五代行動通訊技術(5th Generation Mobile Networks，5G)的發展，現有天線結構的設計已經無法滿足第五代通訊系統的操作頻帶。一般而言，現有產品為了進一步支援5G的操作頻帶都是另外增加一支援5G的操作頻帶的天線，但是，在現有產品都朝向小型化設計的情況下，很難有多餘空間增設一支5G天線。
因此，有鑒於此，如何通過天線結構設計的改良，來克服上述的缺陷，已成為該項技術所欲解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種天線結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種天線結構，其包括：一第一輻射件、一第二輻射件以及一饋入件。該第一輻射件包括一第一輻射部、一第二輻射部以及一電性連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的饋入部。該第二輻射件包括一第三輻射部、一第四輻射部以及一電性連接於該第三輻射部與該第四輻射部之間的接地部，其中，該第三輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合，該第三輻射部與該第二輻射部彼此分離且相互耦合，且該第四輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合。該饋入件電性連接於該饋入部與該接地部，該饋入件與該饋入部之間的連接處為一饋入處。其中，該第一輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在一第一方向上具有一第一預定距離，該第三輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在該第一方向上具有一第二預定距離，該第一預定距離小於該第二預定距離。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的天線結構，其能通過“該第一輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在一第一方向上具有一第一預定距離，該第三輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在該第一方向上具有一第二預定距離，該第一預定距離小於該第二預定距離”的技術方案，以使得天線結構能產生一頻率範圍介於617 MHz至698 MHz之間的操作頻帶。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“天線結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。另外，本發明全文中的「連接(connect)」是兩個元件之間有實體連接且為直接連接或者是間接連接，且本發明全文中的「耦合(couple)」是兩個元件之間彼此分離且無實體連接，而是藉由一元件之電流所產生的電場能量(electric field energy)激發另一元件的電場能量。
[第一實施例]
首先，請參閱圖1所示，圖1為本發明第一實施例的天線結構的俯視示意圖。本發明第一實施例提供一種天線結構U，其包括：一第一輻射件1、一第二輻射件2以及一饋入件3。此外，天線結構U還可包括一基板S，第一輻射件1及第二輻射件2可設置在基板S上，且饋入件3可電性連接在第一輻射件1與第二輻射件2之間。舉例來說，第一輻射件1及第二輻射件2可以為一金屬片、一金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體，饋入件3可以為一同軸電纜(Coaxial cable)，基板S的材質可為環氧樹脂玻璃纖維基板(FR-4)，然本發明不以此為限。此外，饋入件3可具有一饋入端31及一接地端32，饋入端31可電性連接於第一輻射件1，接地端32可電性連接於第二輻射件2。
承上述，天線結構U還可包括一接地件4，接地件4可電性連接於第二輻射件2。此外，在一優選實施方式中，天線結構U還可包括一橋接件5，橋接件5可電性連接於第二輻射件2與接地件4之間。值得說明的是，橋接件5的設置目的為使得接地件4能易於與第二輻射件2相互連接，雖然圖1的實施方式中有說明可進一步設置橋接件5，然而，在其他實施方式中，也可以不用設置橋接件5。另外，值得一提的是，舉例來說，橋接件5的材質可以為錫或者其它導電材料，接地件4的材質可以為銅或者其它導電材料，然本發明不以此為限。
接著，第一輻射件1包括一第一輻射部11、一第二輻射部12以及一電性連接於第一輻射部11與第二輻射部12之間的饋入部13。第二輻射件2包括一第三輻射部21、一第四輻射部22以及一電性連接於第三輻射部21與第四輻射部22之間的接地部23。饋入件3電性連接於饋入部13與接地部23，且饋入件3的饋入端31可電性連接於饋入部13，饋入件3的接地端32可電性連接於接地部23。此外，接地件4可電性連接於第二輻射件2的接地部23，優選地，可利用橋接件5將接地件4與接地部23相互連接。另外，值得說明的是，第一輻射部11、第二輻射部12及饋入部13可為一體成型，且第三輻射部21、第四輻射部22及接地部23可為一體成型。
承上述，第一輻射部11可相對於饋入部13朝向一第一方向(正X方向)延伸，且第二輻射部12可相對於饋入部13朝向一第二方向(負X方向)延伸，也就是說，第一輻射部11可設置在饋入部13的其中一側(例如但不限於右側)，第二輻射部12可設置在饋入部13的另外一側(例如但不限於左側)，然本發明不以此為限。此外，第三輻射部21、接地部23以及第四輻射部22能形成一圍繞區域C，且第一輻射件1設置在第二輻射件2所形成的圍繞區域C之中。
接著，第二輻射部12可包括一電性連接於饋入部13的第一輻射體121、一電性連接於第一輻射體121且相對於第一輻射體121呈轉折設置的第二輻射體122以及一電性連接於第二輻射體122且相對於第二輻射體122呈轉折設置的第三輻射體123。進一步來說，第二輻射部12的第一輻射體121可相對於饋入部13朝向一第二方向(負X方向)延伸，第二輻射部12的第二輻射體122可相對於第一輻射體121朝向一第三方向(正Y方向)延伸，第二輻射部12的第三輻射體123可相對於第二輻射體122朝向第一方向(正X方向)延伸。藉此，以本發明而言，第一輻射體121、第二輻射體122與第三輻射體123之間可形成一“C”字型形狀的第一凹槽T1，然本發明不以此為限。
此外，第四輻射部22可電性連接於接地部23且相對於饋入部13朝向第一方向(正X方向)延伸。詳細來說，第四輻射部22可包括一連接於接地部23的第一延伸區段221以及一連接於第一延伸區段221且相對於第一延伸區段221呈轉折設置的第二延伸區段222。舉例而言，以第一實施例而言，第一延伸區段221可相對於接地部23朝向一第三方向(正Y方向)延伸，第二延伸區段222可相對於第一延伸區段221朝向一第一方向(正X方向)延伸，然本發明不以此為限。藉此，以本發明而言，第四輻射部22與接地部23之間可形成一“C”字型形狀的第二凹槽T2，然本發明不以此為限。另外，須說明的是，以本發明而言，第一方向、第二方向及第三方向三者可彼此相異，也就是說，第一方向與第二方向可彼此相反，第一方向與第三方向彼此垂直，且第二方向與第三方向彼此垂直。
接著，饋入件3的饋入端31與饋入部13之間的連接處可定義為一饋入處F，第一輻射部11的一開路端的一邊緣R1與饋入處F之間在一第一方向(正X方向)上具有一第一預定距離L1，第三輻射部21的一開路端的一邊緣R2與饋入處F之間在第一方向(正X方向)上具有一第二預定距離L2，且第一預定距離L1小於第二預定距離L2。換句話說，第一預定距離L1及第二預定距離L2為以饋入處F為基準朝向第一方向(正X方向)的方向進行測量的距離，且第三輻射部21相對於饋入處F朝向第一方向延伸長度是大於第一輻射部11相對於饋入處F朝向第一方向延伸長度。
承上述，饋入處F至第四輻射部22的一開路端的一邊緣R3之間在該第一方向(正X方向)上具有一第三預定距離L3，饋入處F至接地部23的一開路端的一邊緣R4之間在第一方向(正X方向)上具有一第四預定距離L4，且第三預定距離L3小於第四預定距離L4。換句話說，第三預定距離L3及第四預定距離L4為以饋入處F為基準朝向第一方向(正X方向)的方向進行測量的距離，且接地部23相對於饋入處F朝向第一方向延伸長度是大於第四輻射部22相對於饋入處F朝向第一方向延伸長度。然而，須說明的是，在其他實施方式中，第三預定距離L3可大於第四預定距離L4，本發明不以此為限。
接著，請復參閱圖1所示，以本發明而言，第三輻射部21與第一輻射部11彼此分離且相互耦合，第三輻射部21與第二輻射部12彼此分離且相互耦合，且第四輻射部22與第一輻射部11彼此分離且相互耦合，藉此，以使天線結構U產生相對應的操作頻帶。舉例來說，以本發明而言，第三輻射部21與第一輻射部11彼此分離且相互耦合，且第三輻射部21與第二輻射部12彼此分離且相互耦合，能產生一頻率範圍介於617 MHz至960 MHz之間的操作頻帶。此外，第一輻射部11能產生一頻率範圍介於1400 MHz至2300 MHz 之間的操作頻帶。此外，第二輻射部12能產生一頻率範圍介於2300 MHz至2700 MHz之間的操作頻帶。此外，第四輻射部22與第一輻射部彼此分離且相互耦合，能產生一頻率範圍介於3300 MHz至3800 MHz之間的操作頻帶。更進一步來說，第一輻射部11也能利用倍頻而產生一頻率範圍介於4200 MHz至4800 MHz之間的操作頻帶。此外，在第三輻射部21與第一輻射部11彼此分離且相互耦合，且第三輻射部21與第二輻射部12彼此分離且相互耦合的情況下，也可以利用倍頻而產生一頻率範圍介於5100 MHz至5850 MHz之間的操作頻帶。另外，須說明的是，本發明不以上述所舉的操作頻帶的頻率範圍為限制。此外，值得說明的是，本發明主要是利用第一預定距離L1小於第二預定距離L2的技術特徵，而使得天線結構U能產生一頻率範圍介於617 MHz至698 MHz之間的操作頻帶。
[第二實施例]
首先，請參閱圖2所示，圖2為本發明第二實施例的天線結構的俯視示意圖。由圖2與圖1的比較可知，第二實施例與第一實施例最大的差別在於，可通過調整第二實施例所提供的天線結構U的第一輻射件1的結構，而進一步的提升天線結構U整體的性能。另外，須說明的是，第二實施例中所示的其他結構特徵與前述實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。此外，為了圖式的清晰，省略了基板S、接地件4及橋接件5。
承上述，以第二實施例而言，第一輻射體121具有一第一最大預定寬度W1，第二輻射體122具有一第二最大預定寬度W2，第三輻射體123具有一第三最大預定寬度W3，第二最大預定寬度W2大於第三最大預定寬度W3，且第三最大預定寬度W3大於該第一最大預定寬度W1。此外，優選地，在第二實施例中，第二輻射件2還可包括一設置在第二輻射體122上的第一凹口1201以及一設置在第二輻射體122上且鄰近於第一凹口1201的第二凹口1202，且第一凹口1201及第二凹口1202可相對於第二輻射體122形成一階梯狀的凹口。進一步來說，第一凹口1201及第二凹口1202的開口方向可朝向一第二方向(負X方向)以及一第四方向(負Y方向)。也就是說，第一凹口1201及第二凹口1202鄰近於接地部23設置。藉此，相較於第一實施例中的第一輻射體121的第一最大預定寬度W1、第二輻射體122的第二最大預定寬度W2及第三輻射體123的第三最大預定寬度W3是彼此相同的情況下，第二實施例所提供的天線結構U能夠增加天線結構U所產生的頻率範圍介於4600 MHz至5400 MHz之間的操作頻帶的頻寬，並提升輻射效能。
承上述，饋入部13可具有一斜邊130，且第四輻射部22的第一延伸區段221可具有一斜邊220，饋入部13的斜邊130與第一延伸區段221的斜邊220彼此相對且相互平行。另外，須說明的是，在第二實施例中，饋入部13相對於饋入處F的延伸方向以及第一延伸區段221相對於接地部23的延伸方向可朝向第一方向(正X方向)及第三方向(正Y方向)之間的方向延伸。此外，如圖所示，第一延伸區段221的延伸方向可朝向斜向上方的方向延伸。此外，通過饋入部13的斜邊130及第四輻射部22的斜邊220的設置，可調整頻率範圍介於1400 MHz至2300 MHz之間的操作頻帶的中心頻率，以及調整頻率範圍介於3300 MHz至3800 MHz之間的操作頻帶的頻寬。
承上述，優選地，以第二實施例而言，第四輻射部22還可進一步包括一第三延伸區段223，第三延伸區段223可連接於第二延伸區段222且相對於第二延伸區段222呈凸出設置，並相對於第二延伸區段222朝向一第三方向(正Y方向)延伸。藉此，可利用第三延伸區段223而調整第四輻射部22與第一輻射部11之間的耦合量。
[第三實施例]
首先，請參閱圖3及圖4所示，圖3為本發明第三實施例的天線結構的俯視示意圖，圖4為圖3的IV部分的放大圖。由圖3與圖2的比較可知，第三實施例與第二實施例最大的差別在於，可通過調整第三實施例所提供的天線結構U的第一輻射件1的結構，而進一步的提升天線結構U整體的性能。另外，須說明的是，第三實施例中所示的其他結構特徵與前述實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。
承上述，以第三實施例而言，第一輻射部11包括一本體111以及一電性連接於本體111且朝向第三輻射部21的方向凸出的凸出體112。第一輻射部11的本體111可相對於饋入部13朝向一第一方向(正X方向)延伸，凸出體112可相對於本體111朝向一第三方向(正Y方向)延伸。進一步來說，在第三方向(正Y方向)上，本體111與第三輻射部21之間具有一第一預定間距G1，凸出體112與第三輻射部21之間具有一第二預定間距G2，且第一預定間距G1大於第二預定間距G2。此外，舉例來說，第二預定間距G2可小於0.8毫米(millimeter，mm)且大於0毫米，優選地，第二預定間距G2可介於0.1毫米至0.8毫米之間。此外，饋入處F與凸出體112之間具有一電氣長度，且電氣長度小於第一輻射部11所產生的4200 MHz至4800 MHz之間的操作頻帶中的最低操作頻率所對應的四分之一波長(λ/4)。藉此，可利用凸出體112而調整第一輻射部11與第三輻射部21之間的耦合量。舉例來說，可通過凸出體112的設置可調整第一輻射部11所產生的頻率範圍介於4200 MHz至4800 MHz之間的操作頻帶的中心頻率。
接著，請復參閱圖4所示，舉例來說，第三輻射體123與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上具有一第三預定間距G3，且第三預定間距G3小於1毫米且大於0毫米。此外，第四輻射部22的第一延伸區段221與饋入部13之間在第一方向(正X方向)上具有一第四預定間距G4，且第四預定間距G4可小於2毫米且大於0毫米。此外，第一輻射部11與第四輻射部22之間在一第三方向(正Y方向)上具有一第五預定間距G5，且第五預定間距G5可小於3.5毫米且大於0毫米。然而，須說明的是，本發明不以上述所舉的例子為限制。
接著，請參閱圖5及下表一所示，圖5為圖3的天線結構在不同頻率下的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)的曲線圖。
節點 頻率(MHz) 電壓駐波比
M1 617 4.2559
M2 960 3.8637
M3 1425 2.8361
M4 2700 2.3413
M5 3300 1.6616
M6 3800 1.9655
M7 4200 1.1852
M8 4800 2.2295
M9 5150 2.0165
M10 5850 1.6350
  表一  
接著，請復參閱圖3及圖4所示，並請一併參閱圖6所示，圖6為調整圖3的天線結構所產生的在不同頻率下的其中一電壓駐波比的曲線圖。圖6中的曲線E11代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E1為11.5毫米的情況下的曲線。圖6中的曲線E12代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E1為10.5毫米的情況下的曲線。圖6中的曲線E13代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E1為8毫米的情況下的曲線。圖6中的曲線E14代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E1為6毫米的情況下的曲線。圖6中的曲線E15代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E1為4毫米的情況下的曲線。藉此，可通過調整凸出體112在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E1而調整天線結構U的輻射效能。
接著，請復參閱圖3及圖4所示，並請一併參閱圖7所示，圖7為調整圖3的天線結構所產生的在不同頻率下的另外一電壓駐波比的曲線圖。圖7中的曲線E21代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2(也可稱第二預定間距G2)為0.2毫米的情況下的曲線。圖7中的曲線E22代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2為0.3毫米的情況下的曲線。圖7中的曲線E23代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2為0.4毫米的情況下的曲線。圖7中的曲線E24代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2為0.5毫米的情況下的曲線。圖7中的曲線E25代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2為0.8毫米的情況下的曲線。圖7中的曲線E26代表圖3的實施方式中的天線結構U的凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2為1.3毫米的情況下的曲線。藉此，可通過調整凸出體112與第一輻射部11之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E2而調整天線結構U的輻射效能。
[第四實施例]
首先，請參閱圖8及圖9所示，圖8為本發明第四實施例的天線結構的俯視示意圖，圖9為調整圖8的天線結構所產生的在不同頻率下的電壓駐波比的曲線圖。以第四實施例而言，第二輻射部12還可進一步包括一設置在第二輻射體122上的第三凹口1203。進一步來說，第三凹口1203的開口方向可朝向一第二方向(負X方向)以及一第三方向(正Y方向)，也就是說，第三凹口1203鄰近於第三輻射部21設置。
接著，舉例來說，第三凹口1203在可具有在一第一方向(正X方向)上的預定尺寸E4以及在一第三方向(正Y方向)上且位於第三輻射部21與第三凹口1203的表面之間的預定尺寸E3，本發明是以第三凹口1203在第一方向(正X方向)上的預定尺寸E4為10毫米作為舉例說明。進一步來說，圖9中的曲線E31代表圖8的實施方式中的天線結構U的第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3為0.3毫米的情況下的曲線。圖9中的曲線E32代表圖8的實施方式中的天線結構U的第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3為0.4毫米的情況下的曲線。圖9中的曲線E33代表圖8的實施方式中的天線結構U的第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3為0.5毫米的情況下的曲線。圖9中的曲線E34代表圖8的實施方式中的天線結構U的第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3為0.6毫米的情況下的曲線。圖9中的曲線E35代表圖8的實施方式中的天線結構U的第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3為0.7毫米的情況下的曲線。圖9中的曲線E36代表圖8的實施方式中的天線結構U的第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3為1毫米的情況下的曲線。藉此，可通過調整第三凹口1203在可具有在一第一方向(正X方向)上的預定尺寸E4及/或第三凹口1203的表面與第三輻射部21之間在第三方向(正Y方向)上的預定尺寸E3而調整天線結構U的輻射效能。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的天線結構U，其能通過“第一輻射部11的一開路端的一邊緣R1與饋入處F之間在一第一方向(正X方向)上具有一第一預定距離L1，第三輻射部21的一開路端的一邊緣R2與饋入處F之間在第一方向(正X方向)上具有一第二預定距離L2，且第一預定距離L1小於第二預定距離L2”的技術方案，以使得天線結構U能產生一頻率範圍介於617 MHz至698 MHz之間的操作頻帶。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
U:天線結構 S:基板 1:第一輻射件 11:第一輻射部 111:本體 112:凸出體 12:第二輻射部 121:第一輻射體 122:第二輻射體 123:第三輻射體 1201:第一凹口 1202:第二凹口 1203:第三凹口 13:饋入部 130:斜邊 2:第二輻射件 21:第三輻射部 22:第四輻射部 220:斜邊 221:第一延伸區段 222:第二延伸區段 223:第三延伸區段 23:接地部 3:饋入件 31:饋入端 32:接地端 4:接地件 5:橋接件 F:饋入處 C:圍繞區域 T1:第一凹槽 T2:第二凹槽 R1, R2, R3, R4:邊緣 L1:第一預定距離 L2:第二預定距離 L3:第三預定距離 L4:第四預定距離 G1:第一預定間距 G2:第二預定間距 G3:第三預定間距 G4:第四預定間距 G5:第五預定間距 W1:第一最大預定寬度 W2:第二最大預定寬度 W3:第三最大預定寬度 E1, E2, E3, E4:預定尺寸 E11, E12, E13, E14, E15, E21, E22, E23, E24, E25, E26, E31, E32, E33, E34, E35, E36:曲線 M1, M2, M3, M4, M5, M6, M7, M8, M9, M10:節點 X, Y:方向
圖1為本發明第一實施例的天線結構的俯視示意圖。
圖2為本發明第二實施例的天線結構的俯視示意圖。
圖3為本發明第三實施例的天線結構的俯視示意圖。
圖4為圖3的IV部分的放大圖。
圖5為圖3的天線結構在不同頻率下的電壓駐波比的曲線圖。
圖6為調整圖3的天線結構所產生的在不同頻率下的其中一電壓駐波比的曲線圖。
圖7為調整圖3的天線結構所產生的在不同頻率下的另外一電壓駐波比的曲線圖。
圖8為本發明第四實施例的天線結構的俯視示意圖。
圖9為調整圖8的天線結構所產生的在不同頻率下的電壓駐波比的曲線圖。
U:天線結構
1:第一輻射件
11:第一輻射部
111:本體
112:凸出體
12:第二輻射部
121:第一輻射體
122:第二輻射體
123:第三輻射體
1201:第一凹口
1202:第二凹口
13:饋入部
2:第二輻射件
21:第三輻射部
22:第四輻射部
221:第一延伸區段
222:第二延伸區段
223:第三延伸區段
23:接地部
3:饋入件

Claims (15)

  1. 一種天線結構，其包括：一第一輻射件，包括一第一輻射部、一第二輻射部以及一電性連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的饋入部；一第二輻射件，包括一第三輻射部、一第四輻射部以及一電性連接於該第三輻射部與該第四輻射部之間的接地部，其中，該第三輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合，該第三輻射部與該第二輻射部彼此分離且相互耦合，且該第四輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合；以及一饋入件，電性連接於該饋入部與該接地部，該饋入件與該饋入部之間的連接處為一饋入處；其中，該第一輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在一第一方向上具有一第一預定距離，該第三輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在該第一方向上具有一第二預定距離，該第一預定距離小於該第二預定距離；其中，該第四輻射部與該饋入部之間在該第一方向上具有一第四預定間距，該第四預定間距小於2毫米。
  2. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第三輻射部、該接地部以及該第四輻射部能形成一圍繞區域，該第一輻射件設置在該圍繞區域之中。
  3. 如請求項1所述的天線結構，其中，該饋入處至該第四輻射部的一開路端的一邊緣之間在該第一方向上具有一第三預定距離，該饋入處至該接地部的一開路端的一邊緣之間在該第一方向上具有一第四預定距離，該第三預定距離小於該第四預定距離。
  4. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一輻射部包括一本體以及一電性連接於該本體且朝向該第三輻射部的方向凸出 的凸出體；其中，該本體與該第三輻射部之間具有一第一預定間距，該凸出體與該第三輻射部之間具有一第二預定間距，該第一預定間距大於該第二預定間距。
  5. 如請求項4所述的天線結構，其中，該第二預定間距小於0.8毫米。
  6. 如請求項4所述的天線結構，其中，該第一輻射部能產生一頻率範圍介於4200MHz至4800MHz之間的操作頻帶，該饋入處與該凸出體之間具有一電氣長度，該電氣長度小於該第一輻射部所產生的4200MHz至4800MHz之間的操作頻帶中的最低操作頻率所對應的四分之一波長。
  7. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第二輻射部包括一電性連接於該饋入部的第一輻射體、一電性連接於該第一輻射體且相對於該第一輻射體呈轉折設置的第二輻射體以及一電性連接於該第二輻射體且相對於該第二輻射體呈轉折設置的第三輻射體；其中，該第一輻射體具有一第一最大預定寬度，該第二輻射體具有一第二最大預定寬度，該第三輻射體具有一第三最大預定寬度，該第二最大預定寬度大於該第三最大預定寬度，且該第三最大預定寬度大於該第一最大預定寬度。
  8. 如請求項7所述的天線結構，其中，該第一輻射部朝向該第一方向延伸，該第二輻射部的該第一輻射體朝向一第二方向延伸，該第二輻射部的該第二輻射體朝向一第三方向延伸，該第二輻射部的該第三輻射體朝向該第一方向延伸，該第四輻射部朝向該第一方向延伸，且該第一方向、該第二方向及該第三方向彼此相異。
  9. 如請求項8所述的天線結構，其中，該第三輻射體與該第三輻射部之間具有一第三預定間距，該第三預定間距小於1毫 米。
  10. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一輻射部與該第四輻射部之間在一第三方向上具有一第五預定間距，該第五預定間距小於3.5毫米。
  11. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第三輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合，且該第三輻射部與該第二輻射部彼此分離且相互耦合，以產生一頻率範圍介於617MHz至960MHz之間的操作頻帶以及一頻率範圍介於5100MHz至5850MHz之間的操作頻帶。
  12. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一輻射部能產生一頻率範圍介於1400MHz至2300MHz之間的操作頻帶以及一頻率範圍介於4200MHz至4800MHz之間的操作頻帶。
  13. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第二輻射部能產生一頻率範圍介於2300MHz至2700MHz之間的操作頻帶。
  14. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第四輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合，以產生一頻率範圍介於3300MHz至3800MHz之間的操作頻帶。
  15. 一種天線結構，其包括：一第一輻射件，包括一第一輻射部、一第二輻射部以及一電性連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的饋入部；一第二輻射件，包括一第三輻射部、一第四輻射部以及一電性連接於該第三輻射部與該第四輻射部之間的接地部，其中，該第三輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合，該第三輻射部與該第二輻射部彼此分離且相互耦合，且該第四輻射部與該第一輻射部彼此分離且相互耦合；以及一饋入件，電性連接於該饋入部與該接地部，該饋入件與該饋入部之間的連接處為一饋入處； 其中，該第一輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在一第一方向上具有一第一預定距離，該第三輻射部的一開路端的一邊緣與該饋入處之間在該第一方向上具有一第二預定距離，該第一預定距離小於該第二預定距離；其中，該第一輻射部與該第四輻射部之間在一第三方向上具有一第五預定間距，該第五預定間距小於3.5毫米。
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