TWI717674B - 發光裝置及照明模組 - Google Patents

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    • F21LIGHTING
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/32Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
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Abstract

本發明發光裝置包含第一膠層、第二膠層、波長篩選層、發光晶片。第一膠層具有出光面且填充有第一波長轉換材料。波長篩選層設置於第一膠層相反於出光面的一面,而第二膠層設置於波長篩選層相反於第一膠層的一面。第二膠層填充有第二波長轉換材料;其中第一波長轉換材料的放光波段與第二波長轉換材料的吸收波段部分重疊並具有一重疊區域。發光晶片設置於第二膠層相反於波長篩選層的一側,且第二膠層覆蓋發光晶片。

Description

發光裝置及照明模組
本發明係關於一種發光裝置及照明模組;具體而言,本發明係關於具有發光材料分層設計的發光裝置及照明模組。
發光二極體搭配受光激發材料(如螢光粉)提供背光的方式為現有顯示裝置主要採用的作法。為提高演色性,通常會以發光二極體搭配混合分布的多個不同受光激發材料。一般而言,不同的受光激發材料分別經由發光二極體的光線激發產生不同顏色的光線。然而,某些受光激發材料可能具有較大的吸收波長區段,因而除了可以藉由發光二極體的光線發光,也可能藉由其他來源產生的光線發光,例如不同受光激發材料受激發而產生的光線。例如,對於混和分布有紅色量子點和綠色量子點的發光二極體,紅色量子點會吸收藍光而放出紅光,也會吸收綠色量子點產生的綠光而放出紅光。如此一來,有些色光的強度將會變得比預期少,造成整體出光效率不佳。此外,經由不同受光激發材料彼此間轉換而發光的方式(如上述例子中紅色量子點吸收綠色量子點產生的綠光而放出紅光),相較於直接吸收光源光線而發光的方式(例如紅色量子點吸收藍光而放出紅光)會形成更多的熱能,這些熱能將會縮短受光激發材料的使用壽命。因此現有的 顯示裝置仍有待改進。
本發明之一目的在於提供一種具有延長使用壽命設計的發光裝置及照明模組。
本發明之一目的在於提供一種發光裝置及照明模組,可提高發光效率。
發光裝置包含第一膠層、第二膠層、波長篩選層、發光晶片。第一膠層具有出光面且填充有第一波長轉換材料。波長篩選層設置於第一膠層相反於出光面的一面,而第二膠層設置於波長篩選層相反於第一膠層的一面。第二膠層填充有第二波長轉換材料;其中第一波長轉換材料的放光波段與第二波長轉換材料的吸收波段部分重疊並具有一重疊區域。發光晶片設置於第二膠層相反於波長篩選層的一側,且第二膠層覆蓋發光晶片。發光晶片產生光線穿透波長篩選層抵達第一膠層,並激發第一波長轉換材料產生激發光線,激發光線中具有重疊區域內波長之部分被波長篩選層至少部分反射。
照明模組包含光學膜片與光源。光學膜片包含第一膠層、波長篩選層、第二膠層。第一膠層具有出光面且填充有第一波長轉換材料。波長篩選層設置於第一膠層相反於出光面的一面,而第二膠層設置於波長篩選層相反於第一膠層的一面。第二膠層填充有第二波長轉換材料;其中第一波長轉換材料的放光波段與第二波長轉換材料的吸收波段部分重疊並具有一重疊區域。光源設置於第二膠層相反於波長篩選層的一側。光源產生光線穿透波長篩選層抵達第一膠層,並激發第一波長轉換材料產生激發光線,激發光線中具有重疊區域內波長之部分被波長篩選層至少部分反 射。藉由波長篩選層可避免不同波長轉換材料彼此間轉換發光的方式,除了可以減少發光過程產生的熱能,並且可延長波長轉換材料的使用壽命。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧照明模組
20‧‧‧光學膜片
30‧‧‧光源
100‧‧‧第一膠層
110‧‧‧出光面
120‧‧‧第一波長轉換材料
130‧‧‧表面
200‧‧‧第二膠層
220‧‧‧第二波長轉換材料
300‧‧‧波長篩選層
400‧‧‧發光晶片
C1,C12‧‧‧第一色光
C2‧‧‧第二色光
C3‧‧‧第三色光
D1‧‧‧出光方向
M1‧‧‧重疊區域
N1,N2,N3,N4‧‧‧反射範圍
P1,P2,P3‧‧‧峰值
Q‧‧‧局部最小值
圖1為本發明發光裝置的一實施例示意圖。
圖2為不同波長轉換材料的放光/吸收頻譜示意圖。
圖3為發光裝置產生不同色光的一實施例示意圖。
圖4為波長篩選層反射頻譜與發光裝置發光強度的示意圖。圖5為波長篩選層反射頻譜與發光裝置發光強度的另一實施例示意圖。
圖6為採用量子點的發光裝置的發光強度示意圖。
圖7為採用螢光粉的發光裝置的發光強度示意圖。
圖8為本發明照明模組的一實施例示意圖。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。
應當理解,儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”色光”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或色光而不脫離本文的教導。
本文使用的”約”、”近似”、或”實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,”約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、”近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
圖1為本發明發光裝置1的一實施例示意圖。如圖1所示,發光裝置1包含第一膠層100、第二膠層200、波長篩選層300、發光晶片400。第一膠層100具有出光面110,其內部填充有第一波長轉換材料120。波長篩選層300設置於第一膠層100相反於出光面110的一面(即表面130)。第二膠層200設置於波長篩選層300相反於第一膠層100的一面,其內部填充有第二波長轉換材料220。發光晶片400設置於第二膠層200相反於波長篩選層300的一側,且第二膠層200覆蓋發光晶片400。
當第一波長轉換材料120和第二波長轉換材料220受到來自發光晶片400的光線激發後,可轉換為不同色光。所述波長篩選層300較佳是由具有不同折射率的多個介質所疊合或其他形式組成的複合光學膜,可允許某些波段的光線穿透,並且將另一特定波段的光線反射。在圖1的例子中,發光晶片400的光線和第二波長轉換材料220激發產生的光線大部分或全部可穿透波長篩選層300,而第一波長轉換材料120激發產生的光線大部分或全部實質被波長篩選層300反射。
發光晶片400產生的光線穿透波長篩選層300抵達第一膠層100,激發第一波長轉換材料120產生激發光線。一般而言,第一波長轉換材料120的放光波段與第二波長轉換材料220的吸收波段至少部分有重 疊。具體而言,請參考圖2。圖2為不同波長轉換材料的放光/吸收頻譜示意圖。在圖2中,曲線L1(虛線)為第一波長轉換材料120(見圖1)的放光頻譜,曲線L2(實線)為第二波長轉換材料220的吸收頻譜。
如圖2所示,第一波長轉換材料120的放光波段與第二波長轉換材料220的吸收波段有重疊,且兩波段具有重疊區域M1。換言之,第二波長轉換材料220除了可以藉由發光晶片400的光線發光,也可藉由第一波長轉換材料120產生的光線發光。為減少後者的情況發生,發光裝置1將第一波長轉換材料120受激發產生的光線中具有重疊區域M1內波長之部分,被波長篩選層300至少部分反射。換言之,波長篩選層300被設計為可將第一波長轉換材料120產生的光線其波段落於重疊區域M1內的大部分或全部光線反射。以圖2的例子來說,第二波長轉換材料220的吸收頻譜涵蓋第一波長轉換材料120的放光頻譜的全部範圍,故波長篩選層300較佳被設計為將第一波長轉換材料120產生的光線全部反射。藉此設計,可減少第一波長轉換材料120產生的光線被第二波長轉換材料220吸收而轉為不同色光的機會,以提升整體出光效率。
圖3繪示對應圖1的發光裝置1於產生不同色光的實施例示意圖。如圖1和圖3所示,第一膠層100與第二膠層200設置於波長篩選層300的相對兩面上,且第二膠層200較第一膠層100更接近發光晶片400。如前所述,波長篩選層300可允許發光晶片400的光線以及第二波長轉換材料220激發產生的光線穿透,並且實質反射第一波長轉換材料120激發產生的光線。
請參考圖3,發光晶片400發出光線,當第一波長轉換材料120和第二波長轉換材料220受到來自發光晶片400的光線激發後,可分別轉換為不同色光。在圖3的例子中,發光晶片400的光線一部分維持原來 的顏色,另一部分經由波長轉換材料轉為不同顏色。詳言之,來自發光晶片400的部分光線藉由第一波長轉換材料120和第二波長轉換材料220分別轉換為色光(C1,C12)及色光C2,來自發光晶片400的另一部分光線為發光晶片400所產生的色光C3。如圖3所示,色光C3穿透波長篩選層300及第一膠層100後直接自出光面出射,色光C1經第一波長轉換材料120產生後自出光面出射,色光C2經第二波長轉換材料220產生後通過波長篩選層300並自出光面出射,而色光C12被波長篩選層300反射後出射。
前述色光(C1,C12)和色光C2為不同波長的色光。於一實施例,第一波長轉換材料120產生的色光(C1,C12)的波長小於第二波長轉換材料220產生的色光C2的波長。舉例而言,發光晶片400為藍光發光二極體,且波長篩選層300允許藍光穿透。第一膠層100與第二膠層200為量子點膜層,其內部填充的第一波長轉換材料120和第二波長轉換材料220為量子點,可分別產生綠光和紅光。以圖3為例,色光(C1,C12)為綠光,色光C2為紅光。波長篩選層300例如為多層膜結構或膽固醇型液晶材料的分散式布拉格反射器(distributed Bragg reflector,DBR),可將綠光反射。換言之,波長篩選層300具有關於波長之反射範圍,波長落於反射範圍內的光線會被波長篩選層300反射。在前述例子中,波長篩選層300的反射範圍包含綠光的波段。
如圖3所示,對於轉換後的色光(C1,C12),其中色光C1朝出光方向D1前進並直接出射,而色光C12原本朝相反於出光方向D1前進,藉由波長篩選層300將色光C12反射後沿出光方向D1出射。上述朝出光方向前進較佳係指光線可自波長篩選層300之出光側離開波長篩選層300之方向,而不以垂直於波長篩選層300表面之方向為限。藉此設計可提高發光效率。換言之,藉由波長篩選層300將不同膠層中的第一波長轉換材料 120和第二波長轉換材料220分隔的設計,將具有較大的光吸收波段的第二波長轉換材料220設置接近發光晶片400的一側,並與第一波長轉換材料120以波長篩選層300隔開,亦即限制第二波長轉換材料220僅能藉由發光晶片400的光線激發轉換為不同色光。另一方面,第一波長轉換材料120所在的第一膠層100則位於相較第二膠層200遠離發光晶片400的一側。藉此第一波長轉換材料120受激發轉換的色光可直接自出光面110出射,或是被波長篩選層300反射而避免被第二波長轉換材料220所吸收,因而提高發光效率。
此外,由於利用波長篩選層300分隔不同膠層的設計可避免不同波長轉換材料彼此間轉換發光的方式(第二波長轉換材料220受第一波長轉換材料120發出的色光激發產生光線),因此激發轉換發光過程產生的熱能可以減少,並且可延長波長轉換材料的使用壽命。
從波長轉換材料摻入的量來看,由於採用本發明的設計可避免不同波長轉換材料彼此間轉換發光的情形產生,因此不需藉由摻入更多的波長轉換材料來補足因前述情形所造成發光效率的損失。換言之,採用本發明的發光裝置可節省波長轉換材料摻入的量,以降低製造成本。另外,摻入更多的波長轉換材料的作法可能造成膠層中波長轉換材料群聚的情形,這將使得發光裝置的各色光混光後的光線有產生光譜偏移的可能。採用本發明的發光裝置可避免波長轉換材料群聚所衍生的問題。
圖4為波長篩選層反射頻譜與發光裝置發光強度的示意圖。在圖4中,曲線L3為發光裝置放光頻譜,曲線L4為波長篩選層反射頻譜。如曲線L3所示,發光裝置具有第一膠層和第二膠層中波長轉換材料受激產生的色光,分別為綠光及紅光,以及來自發光晶片的藍光,各具有峰值P1、P2、P3。綠光的峰值P1對應的波長值小於紅光的峰值P2對應的 波長值。另外,綠光為轉換後的色光中,色光峰值對應較短波長的色光。
以綠光的波段為重疊區域作為例子,如曲線L4所示,波長篩選層對不同波長光線有不同反射率,並具有對應於綠光的波段的反射範圍N1。由於綠光的波段落於波長篩選層的反射範圍N1內,因此波長篩選層可將綠光反射。換言之,轉換後的色光中,色光峰值對應較短波長的色光(即綠光)被波長篩選層反射。
進一步而言,反射範圍N1較佳有上下限。在圖4的實施例,峰值P1的波長值位於反射範圍的上限與下限的波長值之間。峰值P2的波長值大於反射範圍的上限的波長值。峰值P3的波長值小於反射範圍的下限的波長值。換言之,反射範圍N1的上下限較佳可涵蓋整個綠光的波段。
前述反射範圍N1的下限例如可以波長篩選層反射率曲線上升緣的最低點為準。如圖4所示,曲線L4在波長450nm及500nm之間從平均較低的反射率沿上升緣爬升至平均較高的反射率,反射範圍N1以上升緣的最低點所對應的波長值作為其下限值(約475nm)。類似地,反射範圍N1的上限例如以波長篩選層反射率曲線下降緣的最低點為準。如圖4所示,曲線L4在波長600nm附近從平均較高的反射率沿下降緣跌落至平均較低的反射率,反射範圍N1以下降緣的最低點所對應的波長值作為其上限值(約600nm)。
於另一實施例,反射範圍的上下限亦可根據轉換後的色光中具有較短波長的色光的峰值(即P1)所對應的波長值來界定。以圖5為例,曲線L5為發光裝置放光頻譜,曲線L6為波長篩選層反射頻譜。轉換後的色光中,色光峰值對應較短波長的色光為綠光,反射範圍N2的下限的波長值不大於綠光峰值P1的10%於短波長一側所對應的波長值,反射範圍N2的上限的波長值不小於綠光峰值P1的10%於長波長一側所對應的波長值。 換言之,波長篩選層將轉換後的色光的波長值中,介於綠光峰值P1左右10%之間所對應波長值的光線反射。
需補充的是,前述反射範圍N2的下限係對應於轉換後較短波段的色光強度隨波長值遞減而遞減的一側,亦即,位於峰值P1朝短波長的一側。反射範圍N2的上限係對應於轉換後較短波段的色光強度隨波長值遞增而遞減的一側,亦即,位於峰值P1朝長波長的一側。
圖6為採用量子點的發光裝置的發光強度示意圖。在圖6中,曲線L7為採用量子點作為第一波長轉換材料和第二波長轉換材料的實施例發光裝置的放光頻譜,曲線L8為實施例波長篩選層反射頻譜。如曲線L7所示,發光裝置具有第一膠層和第二膠層轉換後的色光(包含綠光及紅光),以及來自發光晶片的藍光,各具有峰值P1(綠光)、P2(紅光)、P3(藍光)。
以綠光的波段為重疊區域為例,如曲線L8所示,波長篩選層對不同波長光線有不同反射率,並具有對應於綠光的波段的反射範圍N3。如圖6所示,對於採用量子點的發光裝置,波長篩選層的反射範圍N3較佳可小於100nm。換言之,反射範圍的大小可根據所欲採用的波長轉換材料的種類而調整。
另一方面,波長篩選層的反射波形與光線的入射角度有關。對於第一膠層而言,第一膠層內受激發產生的光線可能朝各種不同方向前進。這些光線中朝波長篩選層入射(即朝相反於出光方向前進)的光線會有不同大小的入射角。對於第一膠層內朝波長篩選層入射具有大角度入射角的入射光,波長篩選層的反射頻譜的波形會略往短波長方向偏移(例如波長篩選層對於小角度入射角的光線反射範圍介於波長500nm至580nm,對於大角度入射角的光線反射範圍介於波長480nm至560nm)。為確保目標色光(在這裡為綠光)的波段大部分能落於波長篩選層的反射範圍內,反射範圍的波 長上限較佳靠近轉換後的色光中具有較長波長的色光。以圖6為例,紅光的波段於放光頻譜具有接近綠光波段的一局部最小值Q(約575nm),反射範圍N3的上限的波長值不小於局部最小值Q對應的波長值。應理解,不同波長轉換材料的放光頻譜不盡相同,因此局部最小值Q對應的波長值也會有差異,反射範圍的上限值可根據所欲採用的波長轉換材料的種類而調整。
圖7為採用螢光粉的發光裝置的發光強度示意圖。在圖7中,曲線L9為第一波長轉換材料和第二波長轉換材料採用可產生綠光的螢光粉及KSF螢光粉的實施例發光裝置的放光頻譜,曲線L10為實施例波長篩選層反射頻譜。如曲線L9所示,發光裝置具有第一膠層和第二膠層轉換後的色光(包含綠光及紅光),以及來自發光晶片的藍光,各具有峰值P1(綠光)、P2(紅光)、P3(藍光)。
同樣以綠光的波段為重疊區域為例,如曲線L10所示,波長篩選層對不同波長光線有不同反射率,並具有對應於綠光的波段的反射範圍N4。如圖7所示,對於採用螢光粉的發光裝置,波長篩選層的反射範圍N4之實施例可實質等於或大於100nm。此外,如前所述,考慮到大角度的入射光的情形,反射範圍N4的上限較佳靠近轉換後的色光中具有較長波長的色光。如圖7所示,紅光的波段於放光頻譜具有接近綠光波段的一局部最小值Q(約600nm)。對於採用螢光粉而如圖7於紅光波段形成沿長波長方向分布的多個連峰,局部最小值Q是以多個連峰中,最接近綠光波段的波峰為準。如圖7所示,反射範圍N4的上限的波長值不小於局部最小值Q對應的波長值。
圖8為本發明照明模組2的一實施例示意圖。本發明照明模組2可做為一般燈具,或是顯示器中的背光模組。如圖8所示,照明模組2包含光學膜片20以及光源30。光學膜片20包含第一膠層100、第二膠層 200、波長篩選層300。第一膠層100具有出光面110,其內部填充有第一波長轉換材料120。波長篩選層300設置於第一膠層100相反於出光面110的一面(即表面130)。第二膠層200設置於波長篩選層300相反於第一膠層100的一面,其內部填充有第二波長轉換材料220。在此實施例,第一膠層100與第二膠層200設置於波長篩選層300的相對兩面上。光源30設置於第二膠層200相反於波長篩選層300的一側。光源30提供光線至光學膜片20。與圖1之實施例的差異在於,圖1的第一膠層100、第二膠層200、波長篩選層300是形成於發光裝置的封裝體內,而圖8的第一膠層100、第二膠層200、波長篩選層300是形成於光源30外部。
當第一波長轉換材料120和第二波長轉換材料220受到來自光源30的光線激發後,可轉換為不同色光。所述波長篩選層300較佳是由具有不同折射率的多個介質所疊合或其他形式組成的複合光學膜,可允許某些波段的光線穿透,並且將另一特定波段的光線反射。在圖8的例子中,光源30的光線和第二波長轉換材料220激發產生的光線大部分或全部可穿透波長篩選層300,而第一波長轉換材料120激發產生的光線大部分或全部實質被波長篩選層300反射。
如前所述,第一波長轉換材料120的放光波段與第二波長轉換材料220的吸收波段至少部分有重疊,且兩波段具有重疊區域。為避免第二波長轉換材料220受第一波長轉換材料120所產生的光線激發發光的情況發生,波長篩選層300被設計為可將第一波長轉換材料120產生的光線其波段落於重疊區域內的光線反射。藉此設計,減少第一波長轉換材料120產生的光線被第二波長轉換材料220吸收而轉為不同色光的機會,以提升整體出光效率。換言之,利用波長篩選層300分隔不同膠層的設計可提高發光效率。此外,由於藉由波長篩選層300可避免不同波長轉換材料彼 此間轉換發光的方式,故發光過程產生的熱能可以減少,並且可延長波長轉換材料的使用壽命。
本發明已由上述相關實施例加以描述,然而上述實施例僅為實施本發明之範例。必需指出的是,已揭露之實施例並未限制本發明之範圍。相反地,包含於申請專利範圍之精神及範圍之修改及均等設置均包含於本發明之範圍內。
1‧‧‧發光裝置
100‧‧‧第一膠層
110‧‧‧出光面
120‧‧‧第一波長轉換材料
130‧‧‧表面
200‧‧‧第二膠層
220‧‧‧第二波長轉換材料
300‧‧‧波長篩選層
400‧‧‧發光晶片

Claims (12)

  1. 一種發光裝置,包含:一第一膠層,具有一出光面,該第一膠層填充有一第一波長轉換材料;一波長篩選層,設置於該第一膠層相反於該出光面的一面;一第二膠層,設置於該波長篩選層相反於該第一膠層的一面,該第二膠層填充有一第二波長轉換材料,其中該第一波長轉換材料的放光波段與該第二波長轉換材料的吸收波段部分重疊並具有一重疊區域;一發光晶片,設置於該第二膠層相反於該波長篩選層的一側,且該第二膠層覆蓋該發光晶片;其中,該發光晶片產生一光線穿透該波長篩選層抵達該第一膠層,並激發該第一波長轉換材料產生一激發光線,該激發光線中具有該重疊區域內波長之部分為該波長篩選層至少部分反射;其中該第一波長轉換材料產生第一色光,該第二波長轉換材料產生第二色光,該第一色光的波長小於該第二色光的波長;其中該波長篩選層具有對應於該重疊區域的一反射範圍,該第一色光、該第二色光、該發光晶片的光線,於放光頻譜各具有一第一峰值、一第二峰值、一第三峰值;該第一峰值的波長值位於該反射範圍的上限與下限的波長值之間,該第二峰值的波長值大於該反射範圍的上限的波長值,該第三峰值的波長值小於該反射範圍的下限的波長值。
  2. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一色光為綠光且該第二色光為紅光。
  3. 如請求項1所述之發光裝置,其中該反射範圍的上限的波長值不小於該第一峰值的10%對應的波長值。
  4. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第二色光於放光頻譜具有接近該第一色光波段的一局部最小值,該反射範圍的上限的波長值不小於該局部 最小值的波長值。
  5. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一波長轉換材料和該第二波長轉換材料為量子點,該波長篩選層具有關於波長的一反射範圍,該反射範圍小於100nm。
  6. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一波長轉換材料和該第二波長轉換材料為螢光粉,該波長篩選層具有關於波長的一反射範圍,該反射範圍實質等於100nm。
  7. 一種照明模組,包含:一光學膜片,包含:一第一膠層,具有一出光面,該第一膠層填充有一第一波長轉換材料;一波長篩選層,設置於該第一膠層相反於該出光面的一面;一第二膠層,設置於該波長篩選層相反於該第一膠層的一面,該第二膠層填充有一第二波長轉換材料,其中該第一波長轉換材料的放光波段與該第二波長轉換材料的吸收波段部分重疊並具有一重疊區域;一光源,設置於該第二膠層相反於該波長篩選層的一側;其中,該光源產生一光線穿透該波長篩選層抵達該第一膠層,並激發該第一波長轉換材料產生一激發光線,該激發光線中具有該重疊區域內波長之部分被該波長篩選層至少部分反射;其中該第一波長轉換材料產生第一色光,該第二波長轉換材料產生第二色光,該第一色光的波長小於該第二色光的波長;其中該波長篩選層具有對應於該重疊區域的一反射範圍,該第一色光、該第二色光、該光源的光線,於放光頻譜各具有一第一峰值、一第二峰值、一第三峰值;該第一峰值的波長值位於該反射範圍的上限與下限的 波長值之間,該第二峰值的波長值大於該反射範圍的上限的波長值,該第三峰值的波長值小於該反射範圍的下限的波長值。
  8. 如請求項7所述之照明模組,其中該第一色光為綠光且該第二色光為紅光。
  9. 如請求項7所述之照明模組,其中該反射範圍的上限的波長值不小於該第一峰值的10%對應的波長值。
  10. 如請求項7所述之照明模組,其中該第二色光於放光頻譜具有接近該第一色光波段的一局部最小值,該反射範圍的上限的波長值不小於該局部最小值的波長值。
  11. 如請求項7所述之照明模組,其中該第一波長轉換材料和該第二波長轉換材料為量子點,該波長篩選層具有關於波長的一反射範圍,該反射範圍小於100nm。
  12. 如請求項7所述之照明模組,其中該第一波長轉換材料和該第二波長轉換材料為螢光粉,該波長篩選層具有關於波長的一反射範圍,該反射範圍實質等於100nm。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201123548A (en) * 2009-12-25 2011-07-01 Ind Tech Res Inst A multi-layer stacked LED package
TW201228043A (en) * 2010-09-29 2012-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv Wavelength converted light emitting device
TW201817042A (zh) * 2016-10-20 2018-05-01 晶元光電股份有限公司 波長轉換元件、其製造方法及發光裝置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
CN102237477A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 财团法人工业技术研究院 多层堆栈封装的发光二极管
CN106058015B (zh) * 2016-06-16 2019-02-26 青岛海信电器股份有限公司 量子点发光装置、背光模组及液晶显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201123548A (en) * 2009-12-25 2011-07-01 Ind Tech Res Inst A multi-layer stacked LED package
TW201228043A (en) * 2010-09-29 2012-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv Wavelength converted light emitting device
TW201817042A (zh) * 2016-10-20 2018-05-01 晶元光電股份有限公司 波長轉換元件、其製造方法及發光裝置

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