TWI710428B - 切割磨石 - Google Patents

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大島龍司
石合由樹
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明的課題為抑制切割加工中的碎裂的產生以及切割磨石的消耗。解決手段是在含有鑽石磨粒與硼化合物的切割磨石中，做成下述之磨石：鑽石磨粒的平均粒徑是在5μm以上且50μm以下的範圍內，硼化合物的平均粒徑比鑽石磨粒的平均粒徑的1/5大且在1/2以下。

Description

切割磨石 發明領域
本發明是一種有關於使用於被加工物之切割加工的切割磨石。
發明背景
為了切割在半導體製造上使用之由硬質脆性材料(石英、陶瓷等)形成的基板，當使用添加有硼化合物的切割磨石時，即可獲得良好的結果之技術已有記載(參照例如專利文獻1)。硼化合物具有優良的固體潤滑性。因此，藉由將硼化合物混入切割磨石，可以降低以切割磨石將被加工物切割時的切割阻力而抑制在加工點上的加工熱之產生，並可以抑制消耗切割磨石之情形。
此外，為了使切割中所產生的加工熱有效率地由被加工物往切割磨石側釋放，在以往，是以具有較高的熱傳導率之SiC或GC(綠色碳化矽)作為填料並使其混入切割磨石中。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2012-056012號公報
發明概要
不過，即使在使用添加有硼化合物的切割磨石來對由硬質脆性材料所形成的被加工物進行切割加工的情形下，也無法將在被加工物的背面的分割預定線的邊緣產生的碎裂充分地縮小。又，由於必須使加工品質提升並提高生產性，因此必須將切割磨石的固體潤滑性保持得較高，來更加抑制會在切割加工時產生的加工熱之產生，並藉此更加抑制切割磨石的消耗。
據此，在使用使其混入有硼化合物的切割磨石來切割由硬質脆性材料所形成的被加工物時，會有下述的課題：抑制被加工物中的切割所造成的碎裂之產生，且抑制切割磨石的消耗。
用於解決上述課題的本發明是一種含有鑽石磨粒與硼化合物的切割磨石，其為下述的切割磨石：該鑽石磨粒的平均粒徑是在5μm以上且50μm以下的範圍內，該硼化合物的平均粒徑比該鑽石磨粒的平均粒徑的1/5大且在1/2以下。
較理想的是，前述鑽石磨粒以及前述硼化合物是以樹脂黏結劑或金屬黏結劑所固定。
較理想的是，前述硼化合物是碳化硼(B4C)或立方氮化硼(cBN)的其中一種。
在本發明的切割磨石中，藉由控制硼化合物的平均粒徑相對於鑽石磨粒的平均粒徑(粒徑比)，而可以抑制切割被加工物後在被加工物的背面產生的碎裂，並且也可抑制切割磨石的消耗量。
1‧‧‧切割裝置
10‧‧‧升降機構
11‧‧‧片匣
12‧‧‧搬出搬入設備
13‧‧‧暫置區域
14‧‧‧對位設備
15a‧‧‧第一搬送設備
15b‧‧‧第二搬送設備
16‧‧‧洗淨設備
17‧‧‧校準設備
170‧‧‧攝像設備
18‧‧‧顯示設備
30‧‧‧工作夾台
300‧‧‧吸附部
300a‧‧‧保持面
301‧‧‧框體
31‧‧‧罩蓋
32‧‧‧固定設備
6‧‧‧切割設備
60‧‧‧主軸殼體
61‧‧‧主軸
62‧‧‧固定凸緣
620‧‧‧凸緣部
621‧‧‧凸座部
621a‧‧‧螺紋
63‧‧‧螺帽
65‧‧‧切割磨石
650‧‧‧裝設孔
6A‧‧‧主軸單元
67‧‧‧裝卸凸緣
67a‧‧‧卡合孔
68‧‧‧固定螺帽
69‧‧‧切割水供給噴嘴
A‧‧‧裝卸區域
B‧‧‧切割區域
D‧‧‧元件
F‧‧‧環狀框架
S‧‧‧分割預定線
T‧‧‧切割膠帶
W‧‧‧被加工物
Wa‧‧‧被加工物的表面
Wb‧‧‧被加工物的背面
+X、+Y、+Z、-X、-Y、-Z‧‧‧方向
圖1是顯示具備切割磨石的主軸單元的一例之分解立體圖。
圖2是顯示切割裝置之一例的立體圖。
圖3是顯示使用實施例1的切割磨石以及以往的磨石切割被加工物後的切割進給速度與磨石消耗量的關係之圖形。
圖4是顯示使用實施例1的切割磨石以及以往的磨石切割被加工物後的切割進給速度與在被加工物的背面產生的碎裂的大小的關係之圖形。
圖5是顯示使用實施例1的切割磨石以及以往的磨石切割被加工物後的切割進給速度與在被加工物的背面產生的碎裂(顯微鏡照片)的關係之圖表。
圖6是顯示使用實施例1的切割磨石、比較例的切割磨石、實施例2以及實施例3的切割磨石切割被加工物後的各切割磨石的B4C的平均粒徑與在被加工物的背面所產生的碎裂的大小的關係之圖形。
用以實施發明之形態
圖1所示的切割磨石65是例如外形為環狀的墊圈型的樹脂黏結劑磨石，且是以由酚醛樹脂等所形成的樹脂黏結劑將鑽石磨粒與硼化合物的B4C固定而成的磨石。在切割磨石65中，是使鑽石磨粒作為主磨粒而作用，B4C作為輔助磨粒而作用。
切割磨石65的製造方法是例如以下所述。首先，對於以酚醛樹脂、環氧樹脂以及聚醯亞胺樹脂等為主成分的樹脂黏結劑，將平均粒徑45μm之鑽石磨粒與平均粒徑15μm之B4C分別以體積比10~20%混入，並攪拌以使其混合。其次，將此混合物壓製，以成型為預定的厚度(在實施例1中為150μm厚)，並將外形也成型為環狀。之後，以180℃至200℃的燒結溫度使其燒結7~8小時，藉此製造圖1所示的具備裝設孔650的切割磨石65。再者，作為硼化合物也可以不使用B4C，而使用cBN(Cubic Boron Nitride，立方氮化硼)，硼化合物的平均粒徑可在成為比鑽石磨粒的平均粒徑的1/5大且在1/2以下的範圍內適宜變更，並以比1/5大且在1/3以下為較佳。又，鑽石磨粒與硼化合物的體積比可在2：1至1：8的範圍內適宜變更。此外，鑽石磨粒也可使用將一部分以鎳等金屬塗佈而成的磨粒。然後，將碳作為導通材而在磨石中添加若干%亦可。
切割磨石65不限定是環狀的墊圈型樹脂黏結劑磨石，也可以做成例如，將以鋁合金鑄物等所製作出的金屬主體與切割刃一體成形而成的輪轂型的切割磨石。在此情形下，切割刃是由樹脂黏結劑、鑽石磨石以及B4C所構成。
又，不使用樹脂黏結劑而使用金屬黏結劑作為固定各磨粒的黏結劑亦可。例如外形為環狀之墊圈型的金屬黏結劑磨石的製造方法是如下所述。首先，對於為銅與錫的合金且成為主成分的青銅裏微量混入有鈷以及鎳等的金屬黏結劑，將平均粒徑45μm之鑽石磨粒與平均粒徑15μm之B4C分別以體積比10~20%混入，並攪拌以使其混合。將此混合物混練並壓製以成型為預定的厚度，且將外形也成型為環狀。之後，以600℃至700℃的燒結溫度使其燒結約1小時，藉此能夠製造環狀的墊圈型的金屬黏結劑磨石。在使用樹脂黏結劑、金屬黏結劑的其中一種之情形下，都為了防止鑽石磨粒的突出量變得太小而變得無法加工，而將鑽石磨粒的粒徑設為5μm以上。
在圖1所示的主軸單元6A上所具備的主軸殼體60是將主軸61可旋轉地收容。主軸61的軸向是相對於X軸方向在水平方向上垂直的方向(Y軸方向)，主軸61的前端部是由主軸殼體60朝-Y方向突出。在此突出部分上，藉由螺帽63將裝設切割磨石65的固定凸緣62固定。固定凸緣62具備有朝徑向(與主軸61的軸向與水平方向垂直的方向)向外延伸的凸緣部620、與由凸緣部620朝厚度方向(Y軸方向)突出而形成且於其側面上設置有螺紋621a的凸座部621。
以已將凸座部621插入切割磨石65的裝設孔650的狀態，在凸座部621上安裝環狀的裝卸凸緣67。裝卸凸緣67具有與凸座部621對應的卡合孔67a。當將裝卸凸緣67安裝在凸座部621時，可將與螺紋621a螺合的環圈狀固定螺帽 68鎖固於螺紋621a。藉由以裝卸凸緣67將切割磨石65按壓在凸緣部620，可將切割磨石65以裝卸凸緣67與固定凸緣62從Y軸方向兩側包夾並固定在主軸61上。然後，隨著主軸61被圖未示的馬達旋轉驅動，切割磨石65也高速旋轉。
圖2所示的切割裝置1是對被保持在工作夾台30上的被加工物W，以例如圖1所示的具備切割磨石65的切割設備6實施切割加工的裝置。圖2所示的切割設備6，是藉由圖未示的分度進給設備而變得可朝Y軸方向移動，並藉由圖未示的切入進給設備而變得可在Z軸方向上移動。
切割裝置1的前面側(-Y方向側)具備有設置在朝Z軸方向往復移動的升降機構10上的片匣11。片匣11會隔著切割膠帶T收容複數片已被環狀框架F支撐的被加工物W。片匣11的後方(+Y方向側)配設有由片匣11進行被加工物W的搬出、搬入的搬出搬入設備12。片匣11與搬出搬入設備12之間設置有將搬出搬入對象的被加工物W暫時地載置的暫置區域13，暫置區域13配設有將被加工物W對齊至預定的位置的對位設備14。
暫置區域13的附近配設有在工作夾台30與暫置區域13之間，搬送被加工物W的第一搬送設備15a。已被第一搬送設備15a吸附住的被加工物W，是由暫置區域13搬送至工作夾台30。
第一搬送設備15a的附近配設有將切割加工後的被加工物W洗淨的洗淨設備16。又，洗淨設備16的上方配設有將切割加工後的被加工物W吸附而由工作夾台30往洗 淨設備16搬送的第二搬送設備15b。
工作夾台30具備例如，其外形為圓形，且吸附被加工物W的吸附部300、與支撐吸附部300的框體301。吸附部300與圖未示的吸引源連通，而在吸附部300的露出面之保持面300a上吸引保持被加工物W。工作夾台30被罩蓋31從周圍包圍，並藉由圖未示的旋轉設備而而形成為可旋轉。又，在圖示之例中，工作夾台30的周圍配設有2個固定環狀框架F的固定設備32。
工作夾台30是藉由配設在罩蓋31下的圖未示的切割進給設備而變得可在裝卸區域A與切割區域B之間在X軸方向上往復移動，該裝卸區域A是進行被加工物W的裝卸之區域，該切割區域B是進行以切割設備6進行之被加工物W的切割之區域。工作夾台30的移動路徑的上方配設有檢測被加工物W的應切割的分割預定線S的校準設備17。校準設備17具備有拍攝被加工物W之表面Wa的攝像設備170，並能夠依據由攝像設備170取得的圖像而檢測應切割的分割預定線S。由攝像設備170取得的圖像可顯示在例如監視器等的顯示設備18上。
校準設備17的附近配設有在切割區域B內對已保持在工作夾台30的被加工物W施行切割加工的切割設備6。切割設備6是與校準設備17成為一體而構成，且兩者會連動而往Y軸方向以及Z軸方向移動。切割設備6具備例如具備有切割磨石65的主軸單元6A、與對切割磨石65和被加工物W的接觸部位供給切割水的切割水供給噴嘴69。
以下，使用圖2，說明圖2所示之以例如切割磨石65切割被加工物W時的切割裝置1的動作以及切割設備6的動作。
被切割裝置1切割的被加工物W可為例如石英基板，且被加工物W的表面Wa上，是將多數個元件D形成在由分割預定線S所劃分出的格子狀的區域中。然後，將被加工物W的背面Wb貼附在切割膠帶T的貼附面，並將切割膠帶T的外周部貼附到環狀框架F，藉此，被加工物W形成為透過切割膠帶T被支撐在環狀框架F上的狀態。再者，被加工物W的種類不限定於由石英所形成的基板，也包含由硼矽酸玻璃所形成的基板或由氧化鋁等的陶瓷所形成的基板等。
首先，以搬出搬入設備12將被加工物W以透過切割膠帶T被支撐在環狀框架F上的狀態，由片匣11搬出至暫置區域13。然後，在暫置區域13上，藉由對位設備14將被加工物W定位至預定的位置後，使第一搬送設備15a吸附被加工物W而使被加工物W由暫置區域13移動至工作夾台30。其次，藉由以固定設備32固定環狀框架F，且被加工物W也在保持面300a上被吸引，而以工作夾台30保持被加工物W。
以工作夾台30保持被加工物W後，使圖未示的切割進給設備於保持被加工物W的工作夾台30中朝-X方向進給，並以攝像設備170拍攝被加工物W的表面Wa，以檢測應切割的分割預定線S的位置。隨著檢測分割預定線S，將切 割設備6以圖未示的分度進給設備朝Y軸方向驅動，進行應切割的分割預定線S與切割磨石65的Y軸方向中的對位。
其次，進一步將工作夾台30朝-X方向進給，並且圖未示的切入進給設備使切割設備6朝-Z方向降下去，使高速旋轉的切割磨石65開始切割分割預定線S。
當將被加工物W朝-X方向進給到切割磨石65切割完分割預定線S的X軸方向的預定位置時，會將被加工物W的切割進給暫時停止，並以圖未示的切入進給設備使切割磨石65從被加工物W離開，而將工作夾台30往+X方向進給以返回至原來的位置。然後，藉由將切割磨石65在Y軸方向上按每個相鄰的分割預定線S的間隔分度進給並且依序進行同樣的切割，以切割所有同方向的分割預定線S。
(實驗例1)
在實驗例1中，是使用圖1所示的切割磨石65，以切割進給速度5mm/秒或切割進給速度20mm/秒對被加工物W(石英基板)進行全切割(full cut)。切割磨石65是對於樹脂黏結劑將平均粒徑45μm之鑽石磨粒與平均粒徑15μm之B4C分別以體積比10~20%混入而構成(以下，將此切割磨石65稱為「實施例1的切割磨石65」)。又，作為比較例，使用以往的磨石，並以切割進給速度5mm/秒與切割進給速度20mm/秒對被加工物W(石英基板)進行全切割。以往的磨石是僅含有鑽石磨粒而未含有硼化合物來作為磨粒的環狀墊圈型的樹脂黏結劑磨石。再者，以往的磨石的鑽石磨粒之平均粒徑為45μm。
鑽石以及cBN，具有比#325更大的粒徑者，是利用JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準)B4130所規定的篩選(篩分級)法來確定粒徑。在本例中，關於鑽石磨粒，是將藉由此篩選法而被視為粒徑45μm(~#320)的磨粒使用作為平均粒徑45μm的磨粒。關於粒徑比#325更小的磨粒，則是以雷射繞射散射法等來決定。
如圖3所示的圖形所示，以切割進給速度5mm/秒切割被加工物W的情形下的每單位切割距離的切割磨石之消耗量(圖形的縱軸)是：使用以往的磨石之情況為約1.6μm/m，使用實施例1的切割磨石65之情況是成為約0.4μm/m，可確認到實施例1的切割磨石65比起以往的磨石更能抑制消耗量。又，將切割進給速度設為20mm/秒的情形中的每單位切割距離的切割磨石之消耗量(圖形的縱軸)是：使用以往的磨石的情況為約11μm/m，使用實施例1的切割磨石65的情況是成為約5.6μm/m，在這種情形下，也能確認到實施例1的切割磨石65比起以往的磨石更能抑制消耗量。亦即，不論在以哪種切割進給速度切割的情形下，皆能確認到實施例1的切割磨石65比起以往的磨石更能抑制磨石的消耗量。
再者，如圖4所示的圖形(縱軸是表示碎裂的大小)所示，以切割進給速度5mm/秒切割被加工物W的情形下，在被加工物W的背面Wb產生的碎裂的大小(碎裂的寬度)是：使用以往的磨石的情況為約100μm至約200μm的範圍內，尤其集中在約155μm至約175μm的範圍內。另一方 面，以切割進給速度5mm/秒且使用實施例1的切割磨石65的情況下，在被加工物W的背面Wb產生的碎裂的大小是在約60μm至約180μm的範圍內，尤其集中在約55μm至約100μm的範圍內。像這樣，在以切割進給速度5mm/秒切割被加工物W的情形下，可確認到使用了實施例1的切割磨石65的情況，碎裂的大小會比較小。
又，切割進給速度為20mm/秒的情形下，使用以往的磨石之情況的碎裂的大小是在約75μm至約170μm的範圍內，且集中在約100μm至約135μm的範圍內。另一方面，以切割進給速度20mm/秒且使用了實施例1的切割磨石65的情況的碎裂的大小是在約70μm至約135μm的範圍內，且集中在約70μm至約90μm的範圍內。像這樣，在以切割進給速度20mm/秒切割被加工物W的情形下，也可確認到使用了實施例1的切割磨石65的情況，碎裂的大小會比較小。亦即，不論在以哪種切割進給速度切割的情形下，皆能夠確認到實施例1的切割磨石65比起以往的磨石更能抑制在被加工物W的背面Wb產生的碎裂。
此結果也能夠由圖5之圖表所示的拍攝了被加工物W的背面Wb的顯微鏡照片確認。亦即，當比較在圖5之圖表中所示的顯微鏡照片(A)(藉由以往的磨石以切割進給速度5mm/秒切割之情況)與顯微鏡照片(C)(藉由實施例1的切割磨石65以切割進給速度5mm/秒切割之情況)時，能夠確認下述情形：可以在顯微鏡照片(C)上確認的於分割預定線S的邊緣產生的碎裂比起可以在顯微鏡照片(A)上確認的碎 裂，其寬度會較小。同樣地，當比較在圖5之圖表中所示的顯微鏡照片(B)(藉由以往的磨石以切割進給速度20mm/秒切割之情況)與顯微鏡照片(D)(藉由實施例1的切割磨石65以切割進給速度5mm/秒切割之情況)時，能夠確認下述之情形：可以在顯微鏡照片(D)上確認的於分割預定線S的邊緣產生的碎裂比起可以在顯微鏡照片(B)上確認的碎裂，其寬度會較小。
以上，在實驗例1中，可以確認到下述情形：由於在切割磨石中不僅含有鑽石磨粒，也含有硼化合物(B4C)，因此能夠抑制切割磨石的消耗量，並且也抑制在被加工物的背面產生的碎裂。
(實驗例2)
在實驗例2中，如圖6所示，是使用實施例1的切割磨石65、比較例的切割磨石65a、實施例2的切割磨石65b以及實施例3的切割磨石65c，以固定的切割進給速度對被加工物W(硼矽酸玻璃)進行全切割。切割磨石65a及實施例2的切割磨石65b以及實施例3的切割磨石65c，都是僅變更實施例1的切割磨石65所含有的B4C的平均粒徑之磨石，其他的構成與實施例1的切割磨石65相同。切割磨石65a所含有的B4C的平均粒徑是4.5μm，是鑽石磨粒的平均粒徑45μm的約1/10。切割磨石65b所含有的B4C的平均粒徑是9μm，是鑽石磨粒的平均粒徑45μm的約1/5。切割磨石65c所含有的B4C的平均粒徑是20μm，是鑽石磨粒的平均粒徑45μm的約4/9(1/2以下)。再者，各磨石中所含有的鑽石磨粒的平均 粒徑雖然都是45μm，但只要是在5μm以上且50μm以下即可。在例如切割磨石65b中所含有的B4C的平均粒徑是成為比鑽石磨粒的平均粒徑45μm的1/5更大。再者，鑽石以及cBN，具有比#325更大的粒徑者，是利用JIS B4130所規定的篩選(篩分級)法來確定粒徑。在本例中，關於鑽石磨粒，是將藉由此篩選法而被視為粒徑45μm(~#320)的磨粒使用作為平均粒徑45μm的磨粒。關於粒徑比#325更小的磨粒，是以雷射繞射散射法等來決定。
如圖6的圖形(縱軸是表示碎裂的大小)所示，在被加工物W的背面Wb產生的碎裂的大小，在切割磨石65a中，會在約70μm至約180μm的範圍內廣泛地分散。另一方面，在實施例2的切割磨石65b中，碎裂的大小是在約80μm至約160μm的範圍內，但特別集中在約125μm至約140μm的範圍內。又，在實施例1的切割磨石65中，碎裂的大小是在約75μm至約165μm的範圍內，且特別集中在約120μm至約125μm的範圍內。在實施例3的切割磨石65c中，碎裂的大小是在約90μm至約180μm的範圍內，但特別集中在約120μm至約160μm的範圍內。因此，在實施例1的切割磨石65、實施例2的切割磨石65b以及實施例3的切割磨石65c中，相較於比較例的切割磨石65a，能抑制碎裂的分散，而且碎裂的大小也集中在容許的範圍內。
又，雖圖未示，但關於實施例1的切割磨石65、實施例2的切割磨石65b以及實施例3的切割磨石65c，均抑制了每單位切割距離的切割磨石的消耗量。
在以上實驗例2中，可以確認到下述情形：藉由控制硼化合物的平均粒徑相對於鑽石磨粒的平均粒徑(粒徑比)，在切割被加工物W時，能夠抑制在被加工物W的背面Wb產生的碎裂，並且也抑制切割磨石的消耗量。
一般而言，當將鑽石磨石的粒徑加大時，能夠提高被加工物W的加工進給速度，又，當將鑽石磨石的粒徑加大時，也會使切割磨石65的消耗度變小。切割磨石65的消耗度一旦變大，由於必須頻繁地進行用於將切入深度設為一定的切割磨石65的原點設定(設置(set up))，以致生產性降低，因此有將切割磨石65的消耗度減小的必要。但是，當將鑽石磨石的粒徑加大並提高被加工物W的加工進給速度時，被加工物W的背面碎裂會變大。因此，會根據可容許的碎裂的大小來決定可以使用的磨粒的粒徑、加工進給速度。
對於以往對同樣的切割對象使用鑽石磨粒之粒徑為30~40μm左右的磨粒，並以低速來切割以將碎裂減小的切割對象，在實驗例1以及實驗例2中，藉由將硼化合物的粒徑相對於鑽石磨粒的粒徑設為預定範圍，就變得能以高速且將碎裂抑制得較小來進行加工，並可進一步抑制切割磨石65的消耗量。因此，藉由使用具有例如30~50μm的粒徑的鑽石磨石，並加入具有平均粒徑比鑽石磨粒的粒徑(平均粒徑)的1/5大且在1/2以下的硼化合物，能夠達成加工速度的提升、消耗量的降低、背面碎裂的抑制之中的至少其中1個。
在其他的例子上，在切割板厚超過1mm的基板之時，若考慮背面碎裂的大小，則分割預定線S的寬度必須為200~250μm是本發明所屬技術領域中具有通常知識者的共通認識，但為了兼顧加工進給速度與切割磨石65的消耗度，可以藉由包含粒徑為70~80μm左右的鑽石磨粒作為主磨粒，並使其混合具有粒徑(平均)比鑽石磨粒的粒徑(平均粒徑)的1/5大且在1/2以下的硼化合物，來期待提升潤滑性，且即使提高加工速度也能夠抑制背面碎裂之效果。
由於在本例中，也是藉由使B4C與cBN等硼化合物混合到切割磨石65中來提升潤滑性，因此即使將鑽石磨粒的粒徑設為最大70~80μm，仍然能夠將背面碎裂的大小抑制成與以往相同等級(使用粒徑為50~60μm左右之較小的鑽石磨粒的加工中所產生的背面碎裂的大小)。此外，藉由使用比以往大的鑽石磨粒，並且使其混合硼化合物，能夠使加工速度提高，並且也能夠抑制切割磨石的消耗。
6A‧‧‧主軸單元
60‧‧‧主軸殼體
61‧‧‧主軸
62‧‧‧固定凸緣
620‧‧‧凸緣部
621‧‧‧凸座部
621a‧‧‧螺紋
63‧‧‧螺帽
65‧‧‧切割磨石
650‧‧‧裝設孔
67‧‧‧裝卸凸緣
67a‧‧‧卡合孔
68‧‧‧固定螺帽
+X、+Y、+Z、-X、-Y、-Z‧‧‧方向

Claims (8)

  1. 一種切割刀，含有鑽石磨粒與硼化合物顆粒，且用來切割石英基板或玻璃基板，該鑽石磨粒的平均粒徑是在30μm以上且40μm以下的範圍內，該硼化合物顆粒的平均粒徑是大於6μm且在20μm以下，該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒是以樹脂黏結劑或金屬黏結劑固定，且該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒在該樹脂黏結劑或該金屬黏結劑中的體積比分別為10~20%，其中該鑽石磨粒之平均粒徑與該硼化合物顆粒之平均粒徑的比是構成前述切割刀可切入前述石英基板的表面或前述玻璃基板的表面。
  2. 如請求項1的切割刀，其中該硼化合物顆粒是選自於由碳化硼(B4C)顆粒與立方氮化硼(cBN)顆粒所組成之群。
  3. 如請求項1的切割刀，其中該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒之間在該切割刀的體積比是在2：1~1：8的範圍內。
  4. 如請求項1的切割刀，其中前述切割刀為環狀。
  5. 如請求項4的切割刀，其中該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒是以前述樹脂黏結劑固定而成為混合物，且該混合物被壓製而成型為環狀，並以180℃至200℃燒結。
  6. 如請求項4的切割刀，其中該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒是以前述金屬黏結劑固定而成為混合物，且該混合物 被壓製而成型為環狀，並以600℃至700℃燒結。
  7. 一種切割刀，含有鑽石磨粒與硼化合物顆粒，且用來切割石英基板或玻璃基板，其中，該鑽石磨粒的平均粒徑是在大於40μm且小於50μm的範圍內，該硼化合物顆粒的平均粒徑是大於8μm且在25μm以下，該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒是以樹脂黏結劑或金屬黏結劑固定，且該鑽石磨粒與該硼化合物顆粒在該樹脂黏結劑或該金屬黏結劑中的體積比分別為10~20%，其中該鑽石磨粒之平均粒徑與該硼化合物顆粒之平均粒徑的比是構成前述切割刀可切入前述石英基板的表面或前述玻璃基板的表面。
  8. 一種切割磨石，是含有鑽石磨粒與硼化合物顆粒的切割磨石，該鑽石磨粒的平均粒徑是在5μm以上且50μm以下的範圍內，該硼化合物的平均粒徑比該鑽石磨粒的平均粒徑的1/5大且在1/2以下，該鑽石磨粒與該硼化合物分別以體積比10~20%混入，前述切割磨石包含粒徑為70~80μm左右的鑽石磨粒作為主磨粒，並使具有粒徑(平均)比鑽石磨粒的粒徑(平均粒徑)的1/5大且在1/2以下的硼化合物混合其中。
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