TWI704616B - 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents
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Abstract
進行： 將氧氣體供給至內側壁的至少一部分為以石英所構成的反應爐內之工程； 電漿激發被供給至反應爐內的氧氣體之工程； 藉由被電漿激發的氧氣體，從以石英所構成的內側壁的露出面除去羥基，且將露出面的表層改質之第1工程； 將氮氣體供給至反應爐內之工程； 電漿激發被供給至反應爐內的氮氣體之工程； 藉由被電漿激發的氮氣體，將藉由被電漿激發的氧氣體而被改質的露出面的表層從二氧化矽改質成氮化矽的層之第2工程。 藉此，在藉由電漿激發處理氣體來處理基板時，減低因藉由電漿對反應爐內面蝕刻所產生的粒子等的發生，使半導體裝置的品質提升。
Description
本發明是有關半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體。
形成半導體裝置的圖案時，有實施對基板進行氧化處理或氮化處理等的預定的處理的工程，作為製造工程之一工程的情況。
例如，在專利文獻1是揭示有利用電漿激發後的處理氣體來將被形成於基板上的圖案表面改質處理的情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-75579號公報
(發明所欲解決的課題)
氮，在利用電漿的基板處理裝置中，對基板的氧化處理等時，有經常發生藉由電漿來對反應爐內面蝕刻的情形。藉由此蝕刻所產生的粒子或藉由蝕刻來從反應爐內面脫離的成分是成為使半導體裝置的品質降低的原因。 (用以解決課題的手段)
若根據本發明之一形態，則提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有： 將氧氣體供給至內側壁的至少一部分為以石英所構成的反應爐內之工程； 電漿激發被供給至前述反應爐內的氧氣體之工程； 藉由被電漿激發的氧氣體，從以石英所構成的前述內側壁的露出面除去羥基，且將前述露出面的表層改質之第1工程； 將氮氣體供給至前述反應爐內之工程； 電漿激發被供給至前述反應爐內的氮氣體之工程； 藉由被電漿激發的氮氣體，將藉由被電漿激發的氧氣體而被改質的前述露出面的表層從二氧化矽改質成氮化矽的層之第2工程。 [發明的效果]
若根據本發明，則提供一種在藉由電漿激發處理氣體來處理基板時，減低因藉由電漿對反應爐內面蝕刻而產生粒子等的發生，使半導體裝置的品質提升之技術。
＜本發明的第1實施形態＞ (1)基板處理裝置的構成 利用圖1～圖3，在以下說明有關本發明的第1實施形態的基板處理裝置。本實施形態的基板處理裝置是被構成為主要對於被形成於基板面上的膜進行氧化處理。
(處理室) 基板處理裝置100是具備電漿處理晶圓200的反應爐202。在反應爐202是設有構成處理室201的處理容器203。處理容器203是藉由第1容器的圓頂型的上側容器210及第2容器的碗型的下側容器211所構成。藉由上側容器210蓋到下側容器211上，形成處理室201。上側容器210是以非金屬材料的石英(SiO2
)所形成，下側容器211是例如以鋁(Al)所形成。亦即，構成反應爐202的內側壁的一部分的上側容器210的內側壁是以石英所構成。
並且，在下側容器211的下部側壁是設有晶圓200的搬出入口245及閘閥244。
處理室201是具有： 在周圍設有共振線圈212的電漿產生空間201a；及 連通至電漿產生空間201a，處理晶圓200的基板處理空間201b。 電漿產生空間201a是意指處理室內，比共振線圈212的下端上方，且比共振線圈212的上端下方的空間。另一方面，基板處理空間201b是意指基板利用電漿來處理的空間，比共振線圈212的下端下方的空間。
(基座) 在處理室201的底側中央是配置有作為載置晶圓200的基板載置部之基座217。基座217是例如由氮化鋁、陶瓷、石英等的非金屬材料所形成。
在基座217的內部是埋入有作為加熱機構的加熱器217b。加熱器217b是被構成為一旦被供給電力，則可將晶圓200表面例如從25℃加熱至750℃程度。
阻抗調整電極217c是被設在基座217內部，經由阻抗可變機構275來接地。可藉由使阻抗可變機構275的阻抗變化於預定的範圍內來控制晶圓200的電位。
在基座217是設有具備使基座昇降的驅動機構之基座昇降機構268。在下側容器211的底面是設有晶圓頂起銷266，當基座217下降時，被構成為穿過貫通孔217a。主要藉由基座217及加熱器217b、電極217c來構成本實施形態的基板載置部。
(氣體供給部) 在上側容器210的上部是設有氣體供給頭236。氣體供給頭236是具備：蓋狀的蓋體233、氣體導入口234、緩衝室237、開口238、遮蔽板240及氣體吹出口239。
在氣體導入口234是以供給氧(O2
)氣體的氧氣體供給管232a的下游端、供給氫(H2
)氣體的氫氣體供給管232b的下游端、及供給作為惰性氣體的氬(Ar)氣體的惰性氣體供給管232c會合流的方式連接。在氧氣體供給管232a是設有O2
氣體供給源250a、作為流量控制裝置的質量流控制器(MFC)252a、作為開閉閥的閥253a。在氫氣體供給管232b是設有H2
氣體供給源250b、MFC252b、閥253b。在惰性氣體供給管232c是設有Ar氣體供給源250c、MFC252c、閥253c。在氧氣體供給管232a、氫氣體供給管232b及惰性氣體供給管232c合流的下游側是設有閥243a，被連接至氣體導入口234的上游端。被構成為藉由使閥253a、253b、253c、243a開閉，可一面藉由MFC252a、252b、252c來調整各者的氣體的流量，一面經由氣體供給管232a、232b、232c來將O2
氣體、H2
氣體、惰性氣體等的處理氣體供給至處理室201內。
主要藉由氣體供給頭236、氧氣體供給管232a、氫氣體供給管232b、惰性氣體供給管232c、MFC252a，252b，252c、閥253a，253b，253c，243a來構成本實施形態的氣體供給系(氣體供給部)。特別是藉由氣體供給頭236、氧氣體供給管232a、MFC252a、閥253a來構成本實施形態的氧氣體供給系(氧氣體供給部)。
(排氣部) 在下側容器211的側壁是設有從處理室201內排除反應氣體等的氣氛的氣體排氣口235。在氣體排氣口235是連接氣體排氣管231的上游端。在氣體排氣管231是設有作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥242、作為開閉閥的閥243b、作為真空排氣裝置的真空泵246。主要藉由氣體排氣口235、氣體排氣管231、APC閥242、閥243b來構成本實施形態的排氣部。另外，亦可將真空泵246含在排氣部。
(電漿產生部) 在處理室201的外周部，亦即上側容器210的側壁的外側是以能包圍處理室201的方式，設有作為第1電極的螺旋狀的共振線圈212。共振線圈212是被設成為捲繞於電漿產生空間201a的外周，構成感應耦合構造。共振線圈212是連接RF感測器272、高頻電源273、進行高頻電源273的阻抗或輸出頻率的匹配的匹配器274。
高頻電源273是對共振線圈212供給高頻電力者。RF感測器272是被設在高頻電源273的輸出側，監視被供給的高頻的行進波或反射波的資訊。藉由RF感測器272來監視的反射波電力是被輸入至匹配器274。
共振線圈212是為了形成預定的波長的駐波，而以能共振於一定的波長之方式設定捲徑、捲繞間距、捲數。亦即，共振線圈212的電性長度是被設定成相當於從高頻電源273供給的高頻電力的預定頻率的1波長的整數倍之長度。
共振線圈212是以能藉由例如800kHz～50MHz、0.5～5KW的高頻電力來產生0.01～10高斯程度的磁場之方式，具有50～300mm2
的有效剖面積，在上側容器210的外周側捲繞2～60次程度。在本實施形態是將高頻電力的頻率設定成27.12MHz，將共振線圈212的電性長度設定成1波長的長度。
共振線圈212的兩端是被電性接地，經由可動分接頭213來接地。圖1中的符號214是表示另一方的固定接地。可動分接頭213是以使共振線圈212的共振特性形成與高頻電源273大致相等的方式調整位置。而且，為了微調共振線圈212的阻抗，在共振線圈212的兩端之間是藉由可動分接頭215來構成給電部。
遮蔽板223是遮蔽共振線圈212的外側的電場，且與共振線圈212之間形成為了構成共振電路所必要的電容成分。主要藉由共振線圈212、RF感測器272、匹配器274來構成本實施形態的電漿產生部。另外，亦可含高頻電源273作為電漿產生部。
在此，利用圖2來說明本實施形態的裝置的電漿產生原理及被產生的電漿的性質。在本實施形態中，為了電源側補償電漿發生時的共振線圈212的共振的偏差，而在RF感測器272檢測出電漿產生時之來自共振線圈212的反射波電力，匹配器274會根據被檢測出的反射波電力來修正高頻電源273的輸出。
具體而言，匹配器274是以在RF感測器272檢測出的電漿產生時之來自共振線圈212的反射波電力成為最小的方式，使高頻電源273的阻抗或輸出頻率增加或減少。控制阻抗的情況，匹配器274是藉由修正預先被設定的阻抗之可變電容器控制電路所構成，控制頻率的情況，匹配器274是藉由修正預先被設定的高頻電源273的振盪頻率之頻率控制電路所構成。
藉由如此的構成，由於在本實施形態的共振線圈212是被供給依據含電漿的該共振線圈的實際的共振頻率之高頻電力(或以能匹配於含電漿的該共振線圈的實際的阻抗之方式供給高頻電力)，因此形成相位電壓與逆相位電壓經常被相抵的狀態的駐波，在線圈的電性中點(電壓為零的節點)產生最高的相位電流。因此，在電性中點的附近是與處理室壁或基座217的電容耦合幾乎無，形成電性電位極低的甜甜圈狀的感應電漿。
(控制部) 作為控制部的控制器221是被構成為經由圖1所示的訊號線A～F來分別控制被連接的各構成。
如圖3所示般，控制部(控制手段)的控制器221是作為具備CPU221a、RAM221b、記憶裝置221c、I/O埠221d的電腦被構成。RAM221b、記憶裝置221c、I/O埠221d是被構成為可經由內部匯流排221e來與CPU221a交換資料。控制器221是連接例如作為觸控面板或顯示器等被構成的輸出入裝置222。
記憶裝置221c是例如以快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置221c內是可讀出地儲存有控制基板處理裝置的動作之控制程式、或記載有後述的處理工程的程序或條件等的程式處方等。程式處方是以使後述的處理工程的各程序實行於控制器221，可取得預定的結果之方式被組合者，作為程式作用。以下，亦將此程式處方或控制程式等總簡稱為程式。另外，在本說明書中使用稱為程式的言詞時，有只包含程式處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。並且，RAM221b是作為暫時性地保持藉由CPU221a所讀出的程式或資料等的記憶區域被構成。
I/O埠221d是如圖3所示般，經由訊號線A～F來連接構成控制器221與基板處理裝置100的各構成。
CPU221a是被構成為讀出來自記憶裝置221c的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置222的操作指令的輸入等，從記憶裝置221c讀出製程處方。CPU221a是被構成為按照被讀出的製程處方的內容，經由I/O埠221d及訊號線A來控制APC閥242的開度調整動作、閥243b的開閉動作及真空泵246的起動･停止，經由訊號線B來控制基座昇降機構268的昇降動作，經由訊號線C來控制藉由加熱器電力調整機構276之對加熱器217b的供給電力量調整動作或藉由阻抗可變機構275之阻抗值調整動作，經由訊號線D來控制閘閥244的開閉動作，經由訊號線E來控制RF感測器272、匹配器274及高頻電源273的動作，經由訊號線F來控制藉由MFC252a～252c之各種氣體的流量調整動作及閥253a～253c、243a的開閉動作等。
控制器221是可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如磁帶、HDD等的磁碟、CD等的光碟、MO等的光磁碟、快閃記憶體等的半導體記憶體)223的上述程式安裝於電腦來構成。記憶裝置221c或外部記憶裝置223是作為電腦可讀取的記錄媒體被構成。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。在本說明書中，使用稱為記錄媒體的言詞時，有只包含記憶裝置221c單體時，只包含外部記憶裝置223單體時，或包含其雙方時。另外，往電腦之程式的提供是亦可不使用外部記憶裝置223，利用網際網路或專用線路等的通訊手段來進行。
(2)處理工程 其次，主要利用圖4～圖6來說明有關第1實施形態的處理工程。本實施形態的處理工程是由：利用O2
氣體來進行處理室201內的穩定性處理(seasoning)的第1事前處理工程(氧穩定性處理工程)S100、及進行氧化電漿處理來處理製品用基板的主處理工程(第1製品用基板處理工程)S300所構成。此處理工程是藉由基板處理裝置100來實施，例如作為快閃記憶體等的半導體裝置的製造工程的一工程。
本實施形態的主處理工程S300是對於第1製品用基板的晶圓200的表面上所形成的矽(Si)膜實施作為改質處理的氧化電漿處理，形成矽氧化膜，作為實施例。在以下說明的本實施形態的處理工程中，構成基板處理裝置100的各部的動作是藉由控制器221來控制。
(2-1)主處理工程(第1製品用基板處理工程) 說明有關作為主處理工程S300的氧化電漿處理工程。氧化電漿處理工程是由圖5所示的基板搬入工程S310、昇溫･真空排氣工程S320、反應氣體供給工程S330、電漿處理工程S340、真空排氣工程S350、基板搬出工程S360所構成。
(基板搬入工程S310) 首先，基座昇降機構268會使基座217下降，而設為晶圓頂起銷266比基座217表面更突出的狀態。接著，從鄰接於處理室201的真空搬送室，利用晶圓搬送機構來將晶圓200移載至晶圓頂起銷266上。然後，基座昇降機構268會使基座217上昇，藉此晶圓200被支撐(載置)於基座217的上面。
(昇溫･真空排氣工程S320) 接著，進行晶圓200的昇溫。加熱器217b是預先被加熱，將基座217上的晶圓200加熱至例如150～750℃的範圍內的預定值。並且，在進行晶圓200的昇溫的期間，藉由真空泵246來將處理室201內真空排氣，將處理室201內的壓力設為預定的值。真空泵246是至少使作動至後述的基板搬出工程S360終了為止。
(反應氣體供給工程S330) 其次，開始朝處理室201內供給含氧氣體的O2
氣體與H2
氣體的混合氣體，作為反應氣體。具體而言，一邊以MFC252a及252b來流量控制，一邊朝處理室201內供給O2
氣體及H2
氣體。並且，調整APC242的開度，而使處理室201內的壓力能成為例如50～200Pa的範圍內的預定壓力。如此，至後述的電漿處理工程S340的終了時為止繼續O2
氣體及H2
氣體的供給。
(電漿處理工程S340) 一旦處理室201內的壓力安定，則對於共振線圈212，從高頻電源273經由RF感測器272來開始高頻電力的施加。供給至共振線圈212的高頻電力是設為例如100～5000W的範圍內的預定的電力。為了使電漿放電安定地產生，最好為1000W以上，當電力比100W低時，難以使電漿放電安定地產生。
藉此，在被供給O2
氣體及H2
氣體的電漿產生空間201a內形成高頻電場，激發感應電漿。電漿狀的O2
氣體及H2
氣體解離，產生含氧的氧自由基(氧活性種)或氧離子、含氫的氫自由基(氫活性種)或氫離子等的反應種。
在被保持於基座217上的晶圓200的表面是被供給藉由感應電漿所產生的自由基及未被加速的狀態的離子。被供給的自由基及離子是與被形成於晶圓200的表面的Si膜反應，將Si膜表面改質成矽氧化層。
然後，一旦經過預定的處理時間，例如10～300秒，則停止來自高頻電源273的電力輸出，而停止處理室201內的電漿放電。並且，停止O2
氣體及H2
氣體之往處理室201內的供給。
(真空排氣工程S350) 然後，將處理室201內的O2
氣體或H2
氣體、藉由該等氣體的反應所產生的排氣等朝處理室201外排氣。然後，調整APC閥242的開度，將處理室201內的壓力調整成與鄰接於處理室201的真空搬送室相同的壓力。
(基板搬出工程S360) 一旦處理室201內成為預定的壓力，則使基座217下降至晶圓200的搬送位置，利用晶圓搬送機構來將晶圓頂起銷266上的晶圓200搬出至處理室201外。藉由以上，完成作為主處理工程S300的氧化電漿處理工程。
(2-2)第1事前處理工程(氧穩定性處理工程) 其次，說明有關作為本實施形態的氧穩定性處理工程的第1事前處理工程S100。第1事前處理工程S100是為了在作為主處理工程S300的氧化電漿處理工程中，抑制來自構成處理室201的反應爐202的處理容器203特別是以石英所形成的上側容器210的內壁表面的粒子或氣體的發生，使氧化電漿處理工程後的第1製品用晶圓的品質或良品率提升，而在主處理工程S300的氧化電漿處理工程的前階段進行。
例如，沒有對於基板處理裝置100進行氧穩定性處理的情況，或從前次的氧穩定性處理的實行經過一定時間的情況，更換或洗滌上側容器210的情況等，上側容器210的內壁表面形成藉由主處理工程S300的電漿之蝕刻而容易使產生粒子或氣體的狀態時，最好作為事前處理工程進行。更具體而言，基板處理裝置100的啟動時或維修時、進行上側容器210的更換或洗滌之後等。
另外，在圖4中是顯示在主處理工程S300的前實施第1事前處理工程S100的流程，但亦可在進行主處理工程S300之後，實施此第1事前處理工程S100，作為其次的主處理工程所具備的後處理工程。
第1事前處理工程S100是由圖6所示的工程S110～S160所構成。第1事前處理工程S100是亦可在將作為虛擬基板的晶圓200載置於基座217上的狀態下進行，但在此是特別說明有關不使用虛擬基板的例子。
(昇溫･真空排氣工程S110) 藉由真空泵246來將處理室201內真空排氣，將處理室201內的壓力設為預定的值。真空泵246是至少使作動至基板搬出工程S360終了為止。並且，在進行真空排氣的期間，藉由對加熱器217b供給電力來加熱處理室201內，藉此可提高根據後述的電漿處理之上側容器210的內壁表面的改質等的效果，或縮短處理時間。處理室201內的溫度越高，改質效果提升或處理時間縮短越被期待，因此例如加熱器217b是被設定成600℃以上的溫度最理想。
(處理氣體供給工程S120) 其次，將作為處理氣體的O2
氣體供給至處理室201內。本實施形態是只將O2
氣體單獨供給至處理室201內，H2
氣體或惰性氣體等的O2
氣體以外的氣體是不供給。具體而言，開啟閥253a，一邊以MFC252a來流量控制，一邊開始朝處理室201內供給O2
氣體。此時，將O2
氣體的流量設為例如20～2000sccm，理想是20～1000sccm的範圍內的預定值。將O2
氣體的流量設為1000sccm為理想，作為更合適的例子。
並且，調整APC閥242的開度，而使處理室201內的壓力能成為比主處理工程S300的壓力低，例如10～300Pa，理想是50～200Pa的範圍內的預定壓力，更理想是約100Pa。當壓力比10Pa低時，在後述的電漿處理工程S130中，有可能藉由電漿之對上側容器210的內壁表面的蝕刻作用而發生損傷。又，當壓力超過300Pa時，在後述的電漿處理工程S130中，難以實現取得對上側容器210的內壁表面之改質等的充分的效果。如此，一面以能將處理室201內維持於預定的壓力之方式排氣，一面至後述的電漿處理工程S130的終了時為止繼續O2
氣體的供給。
(電漿處理工程S130) 一旦處理室201內的壓力安定，則對於共振線圈212，從高頻電源273開始高頻電力的施加。供給至共振線圈212的高頻電力是亦可使與在主處理工程S300的電漿處理工程S340中供給的高頻電力的值不同，為100W以上的範圍內的預定的電力，為了更提高對上側容器210之以石英所構成的內壁表面改質等的效果，例如亦可設為5000W以上。
藉此，被供給至電漿產生空間201a內的O2
氣體會被電漿激發。電漿狀的O2
氣體解離，產生含氧的氧自由基(氧活性種)或氧離子等的反應種。產生之含氧的反應種是與以石英所形成的上側容器210的內壁表面反應，將其表層的石英的層改質。
進行第1事前處理工程S100之前的上側容器210的內壁表面的石英是如在圖7(A)所圖示般，不具按照二氧化矽(SiO2
)的化學計量組成之規則性的分子構造，以氫原子終端(801)、或以羥基(OH基)終端(802)、或原子彼此間的耦合缺損(803)、或取入雜質(804)、或耦合不正(805)。若上側容器210的內壁表面的石英的層成為在圖7(A)所示般的狀態，則石英的表面的層會容易藉由主處理工程S300的電漿處理而被削掉，被削掉的石英作為粒子對基板處理造成不良影響。又，同樣，若上側容器210的內壁表面的石英的層成為在圖7(A)所示般的狀態，則氫原子或OH基、水分或雜質等容易藉由主處理工程S300的電漿處理來從石英的表面的層脫離，脫離後的該等的成分會對基板處理造成不良影響。
於是，在電漿處理工程S130中，如在圖7(B)所圖示般，使藉由電漿激發所產生之含氧的反應種與構成上側容器210的內壁之石英的表面的層反應，改善其結晶性，且以除去氫原子終端或OH基終端、雜質等的方式改質。亦即，除去上側容器210的內壁表面的水分，將構成內壁的石英的表面的層(以石英所構成的內壁的露出面的表層)改質成為具有按照SiO2
的化學計量組成之規則性的結晶構造的層。在此，所謂除去水分是H2
O的除去以外，OH基的除去也包含。
由於如此被改質的內壁的露出面的表層(亦即SiO2
的層)是結晶狀態會被安定化，結晶構造形成堅固，因此不易藉由主處理工程S300的電漿處理而被削掉，可抑制被削掉的石英作為粒子對基板處理造成不良影響。又，由於氫原子終端或OH基終端、雜質等會被除去，因此可抑制氫原子或OH基、水分或雜質等藉由主處理工程S300的電漿處理來從如此被改質的內壁露出面的表層脫離。
然後，一旦經過預定的處理時間，例如1～2分鐘，則停止來自高頻電源273的電力的輸出，而停止處理室201內的電漿激發。並且，關閉閥253a，而停止O2
氣體之往處理室201內的供給。藉由以上，完成電漿處理工程S130。
(重複次數的判定工程S140) 停止處理室201內的電漿放電、及O2
氣體之往處理室201內的供給之後，控制器221判定電漿處理工程S130是否被實施預定次數(例如300次)。在此，當被判定成實行預定次數時，後述的真空排氣工程S160會被實行。當被判定成未實行預定次數時，實行後述的淨化工程S150之後，處理氣體供給工程S120及電漿處理工程S130會再度被實行。
(淨化工程S150) 藉由真空泵246來將處理室201內真空排氣，將處理室201內的O2
氣體或藉由電漿處理工程S130所產生的排氣、粒子等朝處理室201外排出(淨化)。處理室201內的壓力是可維持於預定的值，或亦可在淨化工程的期間，真空排氣成降低壓力。然後，一旦經過預定的淨化時間，例如1～2分鐘，再度依序實行處理氣體供給工程S120及電漿處理工程S130。
如以上般，重複進行：將電漿處理工程S130的電漿放電實行1～2分鐘，且將淨化工程S150的淨化實行1分鐘以上的循環(亦即，電漿放電與淨化的間歇性的實行)，至電漿放電的累積時間成為預定時間以上為止，進行電漿處理工程S130。為了充分取得對於內壁的石英的露出面的表層之上述的改質效果，最好將電漿放電的累積時間設為10小時以上。
(真空排氣工程S160) 與淨化工程S150同樣，將處理室201內真空排氣。然後，調整APC閥242的開度，將處理室201內的壓力調整成與鄰接於處理室201的真空搬送室相同的壓力，結束第1事前處理工程S100。
(第1實施形態的效果) 根據發明者利用本實施形態的基板處理裝置100藉由第1事前處理工程S100來進行的驗證結果說明有關本實施形態的效果。圖8的右側是表示基板處理裝置100剛維修後(亦即，上側容器210的內壁表面的石英的層成為以圖7(A)所示般的狀態時)，不實施事前處理工程，進行主處理工程S300(氧化電漿處理)而被形成的晶圓表面的粒子的分佈的圖。左側是表示剛維修後，實施72小時第1事前處理工程S100(氧穩定性處理)作為事前處理工程之後，對於晶圓1片1片重複進行主處理工程的氧化電漿處理時，第1片的晶圓表面的粒子的分佈及第75片的晶圓表面的粒子的分佈的圖。
如圖8所示般，在基板處理裝置100的剛維修之後，不實施第1事前處理工程S100，進行主處理工程S300的晶圓的表面是附著了0.065μm以上，未滿0.080μm的大小的粒子1375個，0.080μm以上，未滿0.150μm的大小的粒子1195個，0.150μm以上的大小的粒子644個。
另一方面，在實施第1事前處理工程S100之後進行主處理工程S300的第1片的晶圓200的表面是附著了0.065μm以上，未滿0.080μm的大小的粒子4個，0.080μm以上，未滿0.150μm的大小的粒子2個，0.150μm以上的大小的粒子2個。並且，在第75片的晶圓200的表面是幾乎未附著粒子。亦即，藉由在進行主處理工程S300之前進行第1事前處理工程S100，即使重複複數次主處理工程S300的情況，也可減低粒子的發生。
另外，在本實施形態是說明有關在第1事前處理工程S100之後，進行作為氧化電漿處理的主處理工程S300的例子，但即使取代主處理工程S300，進行作為後述的氮化電漿處理的主處理工程S400的情況(亦即，取代含氧氣體，使用含氮氣體，作為反應氣體的情況)，也可期待同樣的效果。並且，即使以氫或稀有氣體等的其他的氣體作為反應氣體，進行對於基板的電漿改質處理的情況，也同樣。
＜本發明的第2實施形態＞ 接著，說明有關本發明的第2實施形態。本實施形態的基板處理裝置是主要被構成為對於基板面上所形成的膜進行氮化處理。
(1)基板處理裝置的構成 本實施形態的基板處理裝置100是主要被構成為對於基板面上所形成的膜進行氮化處理的點與第1實施形態的基板處理裝置100不同。亦即，在第1實施形態是顯示電漿激發O2
氣體與H2
氣體而進行基板的電漿處理之例，作為主處理工程S300，但在第2實施形態的主處理工程S400是取代O2
氣體，將氮(N2
)氣體供給至處理室201內，電漿激發N2
氣體與H2
氣體而對基板實行氮化電漿處理。此情況，使用取代O2
氣體供給源250a而具備N2
氣體供給源250a´的基板處理裝置100。
(2)處理工程 本實施形態的處理工程是由：第2事前處理工程(氮穩定性處理工程)S200，及氮化電漿處理第2製品用基板的主處理工程(第2製品用基板處理工程)S400所構成。本實施形態的處理工程是與第1實施形態的圖4～6同樣，在本實施形態中，只將與第1實施形態不同的部分說明於以下。
(2-1)主處理工程(第2製品用基板處理工程) 主處理工程S400是對於第2製品用基板的晶圓200的表面上所形成的Si膜實施作為改質處理的氮化處理，形成矽氮化膜(SiN膜)。主處理工程S400是與第1實施形態同樣，由圖5所示的基板搬入工程S310、昇溫･真空排氣工程S320、反應氣體供給工程S430、電漿處理工程S440、真空排氣工程S350、基板搬出工程S360所構成。亦即，與主處理工程S300主要反應氣體供給工程S430及電漿處理工程S440不同。
首先，將晶圓200搬入至處理室201內(S310)，進行被搬入至處理室201內的晶圓200的昇溫，在進行晶圓200的昇溫的期間，將處理室201內真空排氣(S320)。但，在昇溫･真空排氣工程S320是以能成為以下的反應氣體供給工程S430的溫度及處理室內壓力之方式進行昇溫及排氣。
(反應氣體供給工程S430) 其次，開始朝處理室201內供給含氮氣體之N2
氣體與H2
氣體的混合氣體，作為反應氣體。具體而言，一邊以MFC252a及252b來流量控制，一邊朝處理室201內開始N2
氣體及H2
氣體的供給。N2
氣體與H2
氣體的流量比是N2
氣體：H2
氣體=1：10～10：1的範圍內的預定的比率，例如設為1：1。並且，調整APC閥242的開度，而使處理室201內的壓力成為1～250Pa的範圍內的預定的壓力，理想是1～5Pa。如此，至後述的電漿處理工程S440的終了時為止繼續N2
氣體及H2
氣體的供給。
(電漿處理工程S440) 一旦處理室201內的壓力安定，則對於共振線圈212開始高頻電力的施加。在本實施形態是對於共振線圈212施加與主處理工程S300的電漿處理工程S340同樣的頻率及電力的高頻電力。
藉此，在被供給N2
氣體及H2
氣體的電漿產生空間201a內激發感應電漿。電漿狀的N2
氣體及H2
氣體解離，產生含氮的氮自由基(氮活性種)或氮離子、含氫的氫自由基(氫活性種)或氫離子等的反應種。藉由感應電漿所產生的自由基與未被加速的狀態的離子是被供給至晶圓200的表面，與被形成於晶圓200的表面的矽層反應，將Si層改質成SiN層。
然後，一旦經過預定的處理時間，例如10～300秒，則停止來自高頻電源273的電力的輸出，而停止處理室201內的電漿放電。並且，停止N2
氣體及H2
氣體之往處理室201內的供給。
然後，將處理室201內真空排氣(S350)，一旦處理室201內成為預定的壓力，則將晶圓200搬出至處理室201外(S360)，結束作為主處理工程S400的氮化電漿處理。
(2-2)第2事前處理工程(氮穩定性處理工程) 其次，說明有關作為氮穩定性處理工程的第2事前處理工程S200。第2事前處理工程S200是為了在主處理工程S400中，藉由使構成處理室201的處理容器203，特別是以石英所形成的上側容器210的露出面氮化，抑制氧成分混入至基板上所形成的氮化膜，使氮化電漿處理工程後的第2製品用晶圓的品質或良品率提升，而在主處理工程S400的前階段進行。
另外，在本實施形態中是顯示在主處理工程S400之前實施第2事前處理工程S200的流程，但亦可在進行主處理工程S400之後，實施第2事前處理工程S200，作為其次的氮化電漿處理工程所具備的後處理工程。並且，與第1事前處理工程S100同樣，第2事前處理工程S200是亦可在將作為虛擬基板的晶圓200載置於基座217上的狀態下進行，但在此是特別說明有關不使用虛擬基板的例子。
事前處理工程S200是與第1事前處理工程S100同樣，由圖6所示的昇溫･真空排氣工程S110、處理氣體供給工程S220、電漿處理工程S230、重複次數的判定工程S140、淨化工程S150、真空排氣工程S160所構成。亦即，與第1事前處理工程S100主要處理氣體供給工程S220及電漿處理工程S230不同。
首先，與第1事前處理工程S100同樣，將處理室201內真空排氣，且將處理室201內加熱至例如150～750℃的範圍內的預定值(昇溫･真空排氣工程S110)。但，在昇溫･真空排氣工程S110是以能成為以下的處理氣體供給工程S220的處理室內壓力之方式進行排氣。
(處理氣體供給工程S220) 其次，只將N2
氣體供給至處理室201內作為處理氣體。在本實施形態中，N2
氣體以外的氣體是不供給至處理室201內。具體而言，開啟閥253a，一邊以MFC252a來流量控制，一邊開始朝處理室201內供給N2
氣體。此時，將N2
氣體的流量設為例如50～500sccm，更理想是100～300sccm的預定的值。並且，以處理室201內的壓力能成為3Pa以下，理想是0.5～3Pa，更理想是0.5～1Pa的預定的壓力之方式，調整APC閥242的開度來控制處理室201內的排氣。另外，在未滿0.5Pa的條件下，由於含有在電漿處理工程S230中被產生的氮之反應種的量會變過少，因此難以取得對於構成內壁的石英的表面的層之氮化效果。如此，一面維持處理室201內的壓力，一面至後述的電漿處理工程S230的終了時為止繼續N2
氣體的供給。
(電漿處理工程S230) 一旦處理室201內的壓力安定，則對於共振線圈212開始高頻電力的施加。在本實施形態是從高頻電源273例如以100～1500W的範圍內的預定的電力來供給高頻電力。在第2事前處理工程S200中被施加於共振線圈212的高頻電力的大小是即使比第1事前處理工程S100者更小，也可取得充分之藉由穩定性處理的效果。
藉此，在被供給N2
氣體的電漿產生空間201a內激發感應電漿，電漿狀的N2
氣體解離，產生含氮的氮自由基(氮活性種)或氮離子等的反應種。產生之含氮的反應種是與以石英所形成的上側容器210的內壁表面反應，將其表層的石英的層改質。
在電漿處理工程S230是如在圖9(A)所圖示般，使藉由電漿激發所產生之含氮的反應種與上側容器210的內壁表面的石英的層反應，如在圖9(B)所圖示般，將上側容器210的內壁的露出面的表層改質成SiN的層。換言之，將以石英所形成的內壁的露出面的表層予以塗層SiN層。
此時，如在圖10所圖示般，若在高壓(具體而言是超過3Pa的壓力)下進行氮穩定性處理，則上側容器210的內壁的露出面的氮化(SiN化)會成為不夠充分，在內壁的露出面形成有氧氮化矽(SiON)層。因此，在主處理工程S400的氮化電漿處理時，氧原子(O)容易從被形成於內壁的露出面的SiON層放出。此被放出的O會被取入至基板上所形成的SiN膜而使膜中的氧濃度上昇，或附著於基板而成為粒子的原因。
另一方面，若在3Pa以下，理想是0.5～3Pa，更理想是0.5～1Pa的低壓下進行處理，則在上側容器210的內壁的露出面形成有堅固的SiN層。藉此，可抑制在主處理工程S400放出氧原子。亦即，可抑制O被取入至基板上所形成的SiN膜，或被放出的O附著於基板而成為粒子的原因。
然後，一旦經過預定的處理時間，例如1～2分鐘，則停止來自高頻電源273的電力的輸出。並且，停止N2
氣體之往處理室201內的供給。藉由以上，完成電漿處理工程S230。
然後，控制器221判定電漿處理工程S230是否被實行預定次數(例如1000次)(重複次數的判定工程S140)。在此，當被判定成實行預定次數時，後述的真空排氣工程S160會被實行。當被判定成未實行預定次數時，實行後述的淨化工程S150之後，處理氣體供給工程S220及電漿處理工程S230會再度被實行。
(淨化工程S150) 與第1事前處理工程S100同樣，將處理室201內真空排氣，將處理室201內的N2
氣體、或藉由電漿處理工程所產生的排氣、粒子等排出至處理室201外。然後，一旦經由預定的淨化時間，例如1～2分鐘，則再度依序實行處理氣體供給工程S220及電漿處理工程S230。
如以上般，每1循環，重複進行：將電漿處理工程S230的電漿放電實行1～2分鐘，將淨化工程S150的淨化實行1分以上的循環，至電漿放電的累積時間成為預定時間以上為止，進行電漿處理工程S230。為了充分地取得對於內壁的石英的露出面的表層之上述的改質效果，最好將電漿放電的累積時間設為16小時以上。
接著，將處理室201內真空排氣(真空排氣工程S160)，然後，將處理室201內的壓力調整成與鄰接於處理室201的真空搬送室相同的壓力，結束第2事前處理工程S200。
(本實施形態的效果) 根據發明者所進行的驗證結果說明有關本實施形態的效果。圖11是表示利用X線光電子分光法(XPS)來測定在主處理工程S400中被形成於基板上的SiN膜中的氧的混入程度的結果的圖。
圖11所示的比較例1是分析不進行第2事前處理工程S200，進行主處理工程S400來形成於基板上的SiN膜者，含氧率為26.1%。又，圖11所示的比較例2是分析將處理室201內的壓力設為5Pa進行第2事前處理工程S200時的SiN膜者，含氧率為23.7%。又，圖11所示的本實施例是分析將處理室201內的壓力設為1Pa進行第2事前處理工程S200時的SiN膜者，含氧率為20.1%。又，圖11所示的比較例3是分析將處理室201內的壓力設為0.5Pa進行第2事前處理工程S200時的SiN膜者，含氧率為25.6%。亦即，藉由進行第2事前處理工程S200，可減低被取入至SiN膜中的氧的含有量，特別是在1Pa前後的低壓下進行第2事前處理工程S200時，與不進行該處理時作比較，確認可減低5%以上含氧量。
＜本發明的第3實施形態＞ 說明有關本發明的第3實施形態。本實施形態的處理工程是如圖13所示般，被構成為依序進行：第1事前處理工程S100、第2事前處理工程S200、及對第2製品用基板進行氮化電漿處理的主處理工程S400。
(1)基板處理裝置的構成 本實施形態的基板處理裝置100´是如圖12所示般，除了第1實施形態的基板處理裝置的氣體供給系之外，還設有氮氣體供給管232d、N2
氣體供給源250d、MFC252d、閥253d，作為用以將N2
氣體供給至處理室201內的氮氣體供給系(氮氣體供給部)。並且，主要藉由氣體供給頭236、氫氣體供給管232b、氮氣體供給管232d、MFC252b，252d、閥253b，253d來構成將含氮氣體之N2
氣體與H2
氣體的混合氣體作為反應氣體供給至處理室201內的含氮氣體供給系(含氮氣體供給部)。
(2)處理工程 接著，說明有關本實施形態的各工程，特別是與第1及第2實施形態的情況不同的點。另外，本實施形態的工程皆是在基板處理裝置100´中被實行。
(2-1)第1事前處理工程(氧穩定性處理工程) 最初，進行第1事前處理工程S100，作為第2事前處理工程S200的前階段。在此，本工程中的真空排氣工程S160的調壓工程(用以和真空搬送室形成相同壓力的調壓控制)是可省略。並且，藉由以第1事前處理工程S100的真空排氣工程S160來代替後續的第2事前處理工程S200的昇溫･真空排氣工程S110，可連續地實行第1事前處理工程S100與第2事前處理工程S200。此情況，特別是可省略或縮短處理室內的昇溫工程。
(2-2)第2事前處理工程(氮穩定性處理工程) 第1事前處理工程S100終了後，進行第2事前處理工程S200。本實施形態的第2事前處理工程S200是與第2實施形態的情況不同，將已經藉由第1事前處理工程S100而被改質之以SiO2
所構成的露出面的表層更改質成SiN的層。
(2-3)主處理工程(第2製品用基板處理工程) 第2事前處理工程S200終了後，進行主處理工程S400。本實施形態的主處理工程S400是與第2實施形態的情況同樣，對於第2製品用基板的晶圓200的表面上所形成的Si膜實施作為改質處理的氮化電漿處理，形成SiN膜。
另外，在圖13中是顯示在主處理工程S400之前實施第1事前處理工程S100與第2事前處理工程S200的流程，但亦可在進行主處理工程S400之後，依序實施此第1事前處理工程S100與第2事前處理工程S200，作為其次的主處理工程S400所具備的後處理工程。
(本實施形態的效果) 若根據本實施形態，則因為藉由第1事前處理工程S100在上側容器210的內壁的露出面形成結晶狀態被安定化的SiO2
層，更藉由第2事前處理工程S200來將此SiO2
層改質成SiN層，所以相較於只進行第2事前處理工程S200的情況，可形成結晶狀態更安定的緻密的SiN層。因此，可更提高抑制在主處理工程S400中O被放出，或露出面不易藉由電漿處理來被削掉的效果。
又，由於在第1事前處理工程S100中，氫原子終端或OH基終端、雜質等會從內壁的露出面被除去，因此即使在進行氮化電漿處理的主處理工程S400中，也可抑制氫原子等從內壁露出面的表層脫離。
特別是在第1事前處理工程S100中，氫原子終端等會從內壁的露出面被除去，因此第2事前處理工程S200的氮化處理不會有被該等阻礙的情形，會被促進，形成更緻密的SiN層，或亦可縮短氮化穩定性處理的時間。
並且，在第1事前處理工程S100所被使用之含氧的反應種是相較於在第2事前處理工程S200所被使用之含氮的反應種，具有高的能量。因此，第1事前處理工程S100相較於第2事前處理工程S200，對於內壁的露出面的石英之結晶狀態的安定化或從表層除去氫原子終端等的效果更高。因此，相較於只進行第2事前處理工程S200的情況，可更提高因結晶狀態的安定化或來自表層的氫原子終端等被除去所產生的效果。
＜本發明的其他的實施形態＞ 以上，具體說明本發明的實施形態，但本發明是不限於上述的實施形態，可在不脫離其要旨的範圍實施各種變更。例如，在上述的實施形態中，使用由以石英所形成的圓頂型的上側容器210及下側容器211所構成的處理容器，作為反應爐202進行說明，但不限於此，在使用以石英所形成的反應管的構成也可適用。
另外，上述的實施形態是作為基板處理裝置的維修方法也可適用。 [產業上的利用可能性]
若根據本發明，則在藉由電漿激發處理氣體來處理基板時，減低因藉由電漿對反應爐內面蝕刻而產生粒子等的發生，使半導體裝置的品質提升。
100‧‧‧基板處理裝置200‧‧‧晶圓201‧‧‧處理室202‧‧‧反應爐217‧‧‧基座
圖1是本發明之一實施形態的基板處理裝置的概略剖面圖。 圖2是說明本發明之一實施形態的基板處理裝置的電漿產生原理的說明圖。 圖3是本發明之一實施形態的基板處理裝置的控制部的構成圖。 圖4是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的處理工程的流程圖。 圖5是本發明之一實施形態的處理工程的主處理工程的流程圖。 圖6是表示本發明之一實施形態的處理工程的事前處理工程的流程圖。 圖7(A)是說明不進行氧穩定性處理時的反應爐的內壁表面的狀態的圖，(B)是說明進行氧穩定性處理時的反應爐的內壁表面的狀態的圖。 圖8是比較不進行氧穩定性處理下進行基板處理時與進行氧穩定性處理後進行基板處理時之附著於基板表面的粒子的數量的圖。 圖9(A)是說明對於反應爐的內壁表面進行氮穩定性處理的情況的圖，(B)是說明藉由氮穩定性處理，反應爐的內壁表面被塗層SiN層的狀態的圖。 圖10是說明在高壓與低壓下進行氮穩定性處理時的反應爐的內壁表面的狀態的不同的圖。 圖11是表示分別在不同的氮穩定性處理條件測定基板上的SiN膜中的氧混入狀態的結果的圖。 圖12是本發明的第3實施形態的基板處理裝置的概略剖面圖。 圖13是表示本發明的第3實施形態的處理工程的流程圖。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理室
202‧‧‧反應爐
203‧‧‧處理容器
210‧‧‧上側容器
211‧‧‧下側容器
212‧‧‧共振線圈
213‧‧‧可動分接頭
214‧‧‧符號
215‧‧‧可動分接頭
217‧‧‧基座
217a‧‧‧穿過貫通孔
217b‧‧‧加熱器
217c‧‧‧阻抗調整電極
221‧‧‧控制器
223‧‧‧外部記憶裝置
231‧‧‧氣體排氣管
232a‧‧‧氧氣體供給管
232b‧‧‧氫氣體供給管
232c‧‧‧惰性氣體供給管
233‧‧‧蓋狀的蓋體
234‧‧‧氣體導入口
235‧‧‧氣體排氣口
236‧‧‧氣體供給頭
237‧‧‧緩衝室
238‧‧‧開口
239‧‧‧氣體吹出口
240‧‧‧遮蔽板
242‧‧‧調整APC閥
243a‧‧‧閥
243b‧‧‧閥
244‧‧‧閘閥
245‧‧‧搬出入口
246‧‧‧真空泵
250a‧‧‧O2氣體供給源
250a′‧‧‧N2氣體供給源
250b‧‧‧H2氣體供給源
250c‧‧‧Ar氣體供給源
252a‧‧‧質量流控制器
252b‧‧‧質量流控制器
252c‧‧‧質量流控制器
253a‧‧‧閥
253b‧‧‧閥
253c‧‧‧閥
266‧‧‧圓頂起銷
268‧‧‧基座昇降機構
272‧‧‧RF感測器
273‧‧‧高頻電源
274‧‧‧匹配器
275‧‧‧阻抗可變機構
276‧‧‧加熱器電力調整機構
A~F‧‧‧訊號線
Claims (14)
- 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：將氧氣體供給至藉由以石英所形成的處理容器來構成，被裝入至基板處理裝置的反應爐內之工程；電漿激發被供給至前述反應爐內的氧氣體之工程；藉由被電漿激發的氧氣體，從以石英所形成的前述處理容器的前述內側壁的露出面除去羥基，且將前述露出面的表層改質成為具有二氧化矽的組成的層之第1工程；將氮氣體供給至前述反應爐內之工程；電漿激發被供給至前述反應爐內的氮氣體之工程；藉由被電漿激發的氮氣體，將藉由被電漿激發的氧氣體而被改質的前述露出面的表層從二氧化矽改質成氮化矽的層之第2工程。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，具有：前述第2工程之後，將基板搬入至前述反應爐內之工程；將含氮氣體供給至前述反應爐內之工程；電漿激發被供給至前述反應爐內的前述含氮氣體之工程；及藉由被電漿激發的前述含氮氣體，處理前述基板的表面之工程。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第1工程及第2工程，係在於前述反應爐內未收容有基板的狀態下被實行。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在將氧氣體供給至前述反應爐內的工程中，不將氧氣體以外的氣體供給至前述反應爐內，在電漿激發被供給至前述反應爐內的氧氣體的工程中，產生含氧的活性種。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在將氮氣體供給至前述反應爐內的工程中，不將氮氣體以外的氣體供給至前述反應爐內，在電漿激發被供給至前述反應爐內的氮氣體的工程中，產生含氮的活性種。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第2工程中，前述反應爐內的壓力為0.5Pa以上，3Pa以下的預定的壓力。
- 如申請專利範圍第6項之半導體裝置的製造方法，其 中，在前述第2工程中，前述反應爐內的壓力為0.5Pa以上，1Pa以下的預定的壓力。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，更具有：在前述第1工程之後將前述反應爐內排氣的第1排氣工程，重複進行複數次包含電漿激發前述氧氣體的工程及前述第1排氣工程之循環。
- 如申請專利範圍第8項之半導體裝置的製造方法，其中，更具有：在前述第2工程之後將前述反應爐內排氣的第2排氣工程，重複進行複數次包含電漿激發前述氮氣體的工程及前述第2排氣工程之循環。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在電漿激發被供給至前述反應爐內的氧氣體的工程及電漿激發被供給至前述反應爐內的氮氣體的工程中，藉由對被設在前述反應爐的外側的電極施加高頻電力來分別激發前述氧氣體及前述氮氣體。
- 如申請專利範圍第10項之半導體裝置的製造方法，其中，在電漿激發被供給至前述反應爐內的氮氣體的工程中被施加於前述電極的高頻電力的大小，係比在電漿激發被 供給至前述反應爐內的氧氣體的工程中被施加於前述電極的高頻電力的大小更小。
- 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，在前述第1工程中，藉由被電漿激發的氧氣體來將前述露出面的表層改質為成為二氧化矽的化學計量組成。
- 一種基板處理裝置，其特徵係具有：反應爐，其係藉由以石英所形成的處理容器來構成，具有：電漿激發處理氣體的電漿產生空間、及連通至前述電漿產生空間的基板處理空間，；感應耦合構造，其係具備被設成為捲繞於前述電漿產生空間的外周的線圈；高頻電源，其係將高頻電力供給至前述線圈；氧氣體供給部，其係將氧氣體供給至前述電漿產生空間；氮氣體供給部，其係將氮氣體供給至前述電漿產生空間；含氮氣體供給部，其係將含氮氣體供給至前述電漿產生空間；及控制部，其係被構成為控制前述高頻電源、前述氧氣體供給部、前述氮氣體供給部及前述含氮氣體供給部，而使能進行下列處理，將高頻電力供給至前述線圈來電漿激發被供給至前述 電漿產生空間的氧氣體之處理；藉由被電漿激發的氧氣體來從以石英所形成的前述處理容器的內側壁的露出面除去羥基，且將前述露出面的表層改質成為具有二氧化矽的組成的層之第1處理；將高頻電力供給至前述線圈來電漿激發被供給至前述電漿產生空間的氮氣體之處理；藉由被電漿激發的氮氣體，將藉由被電漿激發的氧氣體所被改質的前述露出面的表層從二氧化矽改質成氮化矽的層之第2處理。
- 一種記錄媒體，係可藉由電腦來讀取的記錄媒體，其特徵為：記錄了藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置的程式，將氧氣體供給至以石英所形成的處理容器來構成，被裝入至基板處理裝置的反應爐內之程序；電漿激發被供給至前述反應爐內的氧氣體之程序；藉由被電漿激發的氧氣體，從以石英所形成的前述處理容器的前述內側壁的露出面除去羥基，且將前述露出面的表層改質成為具有二氧化矽的組成的層之第1程序；將氮氣體供給至前述反應爐內之程序；電漿激發被供給至前述反應爐內的氮氣體之程序；及藉由被電漿激發的氮氣體，將藉由被電漿激發的氧氣體所被改質的前述露出面的表層從二氧化矽改質成氮化矽 的層之第2程序。
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