TWI702516B - 包括具有用以促進追描之厚度之電極的裝置 - Google Patents

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Abstract

本文中描述包括電極的裝置，該電極除其他物外具有一厚度以促進追描。例如，包括在裝置中之電極的厚度可配置為使得感測器矩陣上的電極投影中點追描裝置上（或其一部分（例如電極）上）最靠近感測器矩陣的點。在另一示例中，厚度可配置為使得由感測器矩陣所偵測的電極位置追描裝置上（或其部分（例如電極）上）最靠近感測器矩陣的點。

Description

包括具有用以促進追描之厚度之電極的裝置
本發明關於包括具有用以促進追描之厚度之電極的裝置。
計算裝置（例如平板電腦、個人數位助理）通常包括允許計算裝置偵測觸控命令及/或懸浮命令的觸控螢幕。例如，觸控螢幕可包括對電阻、電容及/或光反應以供允許偵測如此命令的任何各種材料。觸控螢幕通常包括感測器矩陣，該感測器矩陣包括列感測器陣列及行感測器陣列。陣列中之感測器中的各者一般配置為在一物件被放置於感測器的某臨近距離內時偵測該物件。例如，由感測器所偵測之電阻、電容及/或光的量可指示物件是否接近感測器。可基於由感測器中的一或更多者所偵測之電阻、電容及/或光的量（或多個）來決定相對於觸控螢幕之物件的位置。
觸控筆是常用以向觸控螢幕提供輸入的物件。例如，觸控筆可用以在觸控螢幕觸上寫入信息及/或選擇顯示於觸控螢幕上的圖標。理想的是觸控筆的受偵測位置盡量靠近觸控筆觸碰觸控螢幕或用以指著觸控螢幕的實體位置。然而，實際上，受偵測位置不同於實體位置，且差異（稱為位置誤差）一般在觸控筆從正交（也就是垂直）的位置向觸控螢幕傾斜時增加。
本文中描述包括電極的各種裝置，該電極除其他物外具有一厚度以促進追描。例如，包括在裝置中之電極的厚度可配置為使得感測器矩陣上的電極投影中點追描裝置上（或其一部分（例如電極）上）最靠近感測器矩陣的點。在另一示例中，厚度可配置為使得由感測器矩陣所偵測的電極位置追描裝置上（或其部分（例如電極）上）最靠近感測器矩陣的點。
一第一示例裝置包括一構件及一電極。該構件在一軸的相反端處具有一近端及一遠端。該電極定位於該構件的一指定端處。該指定端係該近端或該遠端。該電極配置為回應於該電極被放置在一計算裝置的一感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一訊號。該電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該電極之一投影的一中點在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極或該裝置整體上最靠近該感測器矩陣的一點。
一第二示例裝置包括一構件及一電極。該構件在一軸的相反端處具有一近端及一遠端。該電極定位於該構件的一指定端處。該指定端係該近端或該遠端。該電極配置為回應於該電極被放置在一計算裝置的一感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一訊號。該電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得由該感測器矩陣所偵測之該電極的一位置在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極或該裝置整體上最靠近該感測器矩陣的一點。
一第三示例裝置包括一伸長的構件、一驅動電路及一模組。該伸長的構件沿一軸延伸。該驅動電路配置為產生一主動訊號。該模組耦合至該伸長的構件的一末端。該模組包括一電極，該電極配置為以靜電方式向一計算裝置的一感測器矩陣提供該主動訊號。該電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該電極之一投影的一中點在該伸長的構件從該伸長的構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該伸長的構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極、該模組或該裝置整體上最靠近該感測器矩陣的一點。
一第四示例裝置包括一伸長的構件、一驅動電路及一模組。該伸長的構件沿一軸延伸。該驅動電路配置為產生一主動訊號。該模組耦合至該伸長的構件的一末端。該模組包括一電極，該電極配置為以靜電方式向一計算裝置的一感測器矩陣提供該主動訊號。該電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得由該感測器矩陣所偵測之該模組的一位置在該伸長的構件從該伸長的構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該伸長的構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極、該模組或該裝置整體上最靠近該感測器矩陣的一點。
係提供此發明內容以使用簡化形式來介紹一系列的概念，該等概念係在實施方式中於以下進一步描述。此概述係不意欲識別申請標的之關鍵特徵或必要特徵，亦不意欲用以限制申請標的之範圍。並且，注意的是，本發明不限於此文件的實施方式及/或其他章節中所述的特定實施例。這樣的實施例僅為了說明目的而呈現於本文中。基於本文中所包含的教示，對於相關領域（或多個）中具技藝者而言，額外的實施例將是明確的。
I. 介紹
以下詳細說明參照繪示本發明之示例性實施例的隨附繪圖。然而，本發明的範圍係不限於這些實施例，而是由隨附的請求項所定義。因此，隨附繪圖中所示的那些實施例以外的實施例（例如所繪示實施例的更改版本）還是可由本發明所包括。
說明書中對於「一個實施例」、「一實施例」、「一示例實施例」等等的指稱指示的是，所述的實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每個實施例可能不一定包括該特定特徵、結構或特性。並且，這樣的用句不一定指相同的實施例。並且，當特定特徵、結構或特性與實施例連結而描述時，係提出其是在相關領域（或多個）中具技藝者的知識內，以與其他實施例連結而實施如此特徵、結構或特性，無論是否明確描述。
II.    示例實施例
本文中所述的示例裝置包括具有能夠促進追描之厚度的電極。例如，包括在裝置中之電極的厚度可配置為使得感測器矩陣上的電極投影中點追描裝置上（或其一部分（例如電極）上）最靠近感測器矩陣的點。在另一示例中，厚度可配置為使得由感測器矩陣所偵測的電極位置追描裝置上（或其部分（例如電極）上）最靠近感測器矩陣的點。例如，由感測器矩陣所偵測的電極位置可為電極的形心。
對於向計算裝置提供輸入而言，相較於慣用裝置，本文中所述的示例裝置具有各種益處。例如，示例裝置可能夠增加計算裝置用以能夠決定裝置或其部分（例如裝置上最靠近感測器矩陣的點或其部分）之實體位置的準確度。增加的準確度可減少裝置之實體位置及由計算裝置所計算之受偵測位置之間的差異。具有如本文中所述之厚度的電極相較於慣用電極對於計算裝置可顯得更對稱。包括具有如本文中所述之厚度的電極可消除用於計算裝置傾斜之相對複雜及/或昂貴機制的需要。
圖1是依據一實施例之示例系統100的透視圖。系統100包括計算裝置102及輸入裝置104。計算裝置102是能夠從輸入裝置104接收輸入的處理系統。處理系統的示例是包括至少一個處理器的系統，該至少一個處理器能夠依據指令集合操控資料。例如，處理系統可為電腦（例如平板電腦、膝上型電腦或桌上型電腦）或個人數位助理。
計算裝置102包括顯示器106、處理器（或多個）112、記憶體114、傳送電路116及接收電路118。顯示器106配置為觸控螢幕。顯示器106的觸控及/或懸浮機能係由接收電路118所允許，該接收電路118能夠感測放置於顯示器106附近的物件。例如，接收電路118可感測物件實體上觸碰顯示器106的位置。依據此示例，在物件及顯示器106之間沒有間隙。在另一示例中，接收電路118可感測物件在顯示器106上懸浮的位置。依據此示例，物件及顯示器106被隔開且並不觸碰。接收電路118在相對應於物件位置之顯示器106上的位置處透過主動或被動訊號從這樣的物件接收輸入。顯示器106包括像素，該等像素具有能夠回應於在相對應於該等像素之顯示器106的位置處接收如此輸入而被更改的特性。
處理器（或多個）112能夠基於儲存於記憶體114中的指令來執行操作（例如回應於從輸入裝置104接收輸入而進行）。例如，處理器（或多個）112配置為基於由接收電路118從輸入裝置104所接收的輸入來決定寫入電極108（其包括在輸入裝置104中）的位置。處理器（或多個）112能夠回應於這樣的輸入而更改顯示器106中之像素的一或更多個特性。如圖1中所示，處理器（或多個）112已使得寫入動作110藉由改變顯示器106中之相對應像素的特性（或多個）而被顯示在顯示器106上。更具體而言，處理器（或多個）112已使得回應於輸入裝置104的寫入電極108沿接近顯示器106的路徑描畫文字「Hello」而將文字「Hello」顯示在顯示器106上。
記憶體114儲存可由處理器（或多個）112執行以執行操作的電腦可讀取指令。記憶體114可包括任何合適類型的記憶體，包括但不限於唯讀記憶體（ROM）、隨機存取記憶體（RAM）或快閃記憶體。
傳送電路116配置為產生訊號（例如時變訊號）以供傳輸至輸入裝置104。例如，傳送電路116可在期望來自輸入裝置104之回應的情況下向輸入裝置104傳送訊號。依據此示例，若寫入電極108配置為被動金屬塊（passive slug），則由傳送電路116所傳送的訊號可為時變電壓，且來自輸入裝置104的回應可為基於顯示器106及寫入電極108之間的電容來產生的時變電流。被動金屬塊是一傳導材料，主動訊號不透過該傳導材料傳送。寧可，被動訊號可透過被動金屬塊來傳送。例如，被動金屬塊可藉由提供基於經接收訊號（或多個）的被動訊號（或多個）而回應從傳送電路116所接收的訊號（或多個）。
輸入裝置104包括上述寫入電極108、傳送電路120、接收電路122及處理器（或多個）124。寫入電極108是導電的且具有厚度T，以促進追描。例如，厚度（T）可允許計算裝置102在輸入裝置104從正交位置向顯示器106傾斜時更準確地追描寫入電極108或其部分（例如寫入電極108最靠近顯示器106的邊緣）。據此，厚度（T）可配置為使得寫入動作被顯示於顯示器106上的位置更密切地匹配輸入裝置104之使用者所要的位置（例如在將輸入裝置104放置於傳統寫入位置下時）。在一個示例實施例中，寫入電極108的厚度（T）配置為使得如由處理器（或多個）112所決定之寫入電極108的受感知位置（也就是寫入電極108的受偵測位置）追描寫入電極上最靠近顯示器106的點。在另一示例實施例中，寫入電極108的厚度（T）配置為使得顯示器106上之寫入電極108的投影中點追描寫入電極108上最靠近顯示器106的點。關於寫入電極具有一厚度以促進追描之某些實施例的進一步細節係參照圖4及6而提供於下。
傳送電路120配置為向計算裝置102傳送輸入以使得處理器（或多個）112決定寫入電極108的位置。例如，傳送電路120可基於來自處理器（或多個）124的指示向計算裝置102傳送輸入，該指示指示該輸入已被選擇而要提供至計算裝置102。在另一示例中，傳送電路120可產生輸入（例如在不由處理器（或多個）124提示的情況下）。
接收電路122配置為接收由計算裝置102的傳送電路116所傳送的訊號。例如，接收電路122可向處理器（或多個）124遞送訊號以供處理。
處理器（或多個）124配置為處理透過接收電路122所接收的訊號。例如，處理器（或多個）124可基於從計算裝置102的傳送電路116所接收的訊號（或多個），從複數個不同輸入選擇要傳送至計算裝置102的輸入。
將辨識的是，系統100可不包括顯示器106、處理器（或多個）112、記憶體114、傳送電路116、接收電路118、傳送電路120、接收電路122及/或處理器（或多個）124中的一或更多者。並且，系統100可包括附加於或替代於顯示器106、處理器（或多個）112、記憶體114、傳送電路116、接收電路118、傳送電路120、接收電路122及/或處理器（或多個）124的元件。
圖2是依據一實施例之示例系統200的透視圖。系統200包括計算裝置202及輸入裝置204。計算裝置202是能夠從輸入裝置204接收輸入的處理系統。計算裝置202包括顯示器206、處理器（或多個）212、記憶體214、傳送電路216及接收電路218，其以類似於以上參照圖1所述之處理器（或多個）112、記憶體114、傳送電路116及接收電路118的方式操作。
例如，處理器（或多個）212能夠基於儲存於記憶體214中的指令來執行操作（例如回應於從輸入裝置204接收輸入而進行）。處理器（或多個）212配置為基於由接收電路218從輸入裝置204所接收的輸入來決定抹除電極208（其包括在輸入裝置204中）的位置。處理器（或多個）212能夠回應於這樣的輸入而更改顯示器206中之像素的一或更多個特性。如圖2中所示，處理器（或多個）212已使得寫入動作210藉由改變顯示器206中之相對應像素的特性（或多個）而在顯示器206上被抹除。更具體而言，處理器（或多個）212已回應於輸入裝置204的抹除電極208在抹除電極208接近顯示器106的同時沿定義抹除動作226的路徑移動，而使得該抹除動作226在顯示器206上移除文字「Hello」的一部分。
傳送電路216配置為產生訊號（例如時變訊號）以供傳輸至輸入裝置204。例如，傳送電路216可在期望來自輸入裝置204之回應的情況下向輸入裝置204傳送訊號。依據此示例，若抹除電極208配置為被動金屬塊（passive slug），則由傳送電路216所傳送的訊號可為時變電壓，且來自輸入裝置204的回應可為基於顯示器206及抹除電極208之間的電容來產生的時變電流。
輸入裝置204包括上述抹除電極208、傳送電路220、接收電路222及處理器（或多個）224。抹除電極208是導電的且具有厚度T，以促進追描。例如，厚度（T）可允許計算裝置202在輸入裝置204從正交位置向顯示器206傾斜時更準確地追描抹除電極208或其部分（例如抹除電極208最靠近顯示器206的邊緣）。據此，厚度（T）可配置為使得抹除動作發生於顯示器206上的位置更密切地匹配由輸入裝置204之使用者所要的位置（例如在將輸入裝置204放置於傳統抹除位置下時）。在一個示例實施例中，抹除電極208的厚度（T）配置為使得抹除電極208的受偵測位置追描抹除電極208上最靠近顯示器206的點。在另一示例實施例中，抹除電極208的厚度（T）配置為使得顯示器206上之抹除電極208的投影中點追描寫入電極208上最靠近顯示器206的點。關於抹除電極具有一厚度以促進追描之某些實施例的進一步細節係參照圖5及圖7而提供於下。
傳送電路220配置為向計算裝置202傳送輸入以使得處理器（或多個）212決定抹除電極208的位置。
將辨識的是，系統200可不包括顯示器206、處理器（或多個）212、記憶體214、傳送電路216、接收電路218、傳送電路220、接收電路222及/或處理器（或多個）224中的一或更多者。並且，系統200可包括附加於或替代於顯示器206、處理器（或多個）212、記憶體214、傳送電路216、接收電路218、傳送電路220、接收電路222及/或處理器（或多個）224的元件。
圖3係依據一實施例之示例計算裝置300的方塊圖。計算裝置300包括感測器矩陣328及測量邏輯330。感測器矩陣328包括複數個行電極332A-332H及複數個列電極334A-334K。該複數個行電極332A-332H佈置為實質上與Y軸平行，如圖3中所示。該複數個列電極334A-334K佈置為實質上與X軸平行。該複數個行電極332A-332H佈置為實質上垂直於該複數個列電極334A-334K。相鄰行電極332A-332H之間的第一間距（L1）指示相鄰行電極332A-332H之中點之間的距離。相鄰列電極334A-334K之間的第二間距（L2）指示相鄰列電極334A-334K之中點之間的距離。第一間距（L1）及第二間距（L2）可為任何合適的值。第一間距（L1）及第二間距（L2）可為相同的或不同的。例如，第一間距（L1）及/或第二間距（L2）可約為2 mm、3 mm、4 mm或5 mm。
將物件（例如寫入電極108或抹除電極208）放置在行電極332A-332H的子集合（例如一或更多者）及列電極334A-334K的子集合（例如一或更多者）附近使得電容的改變發生在物件及那些子集合中的電極之間。例如，這樣地放置物件可使得電容從非可測量量增加至可測量量。物件及該等子集合中的各電極之間的電容改變可用以產生「電容地圖」，該電容地圖可關聯於物件的形狀。例如，相對較大的電容改變可指示的是，物件及相對應電極之間的距離是相對小的。相對較少的電容改變可指示的是，物件及相對應電極之間的距離是相對大的。據此，電容地圖（其指示與該等子集合中之各別電極相關聯的電容改變）可指示物件的形狀。
在一示例實施例中，在點A處將物件放置在感測器矩陣328附近使得物件及列電極334A之間的第一電容改變、物件及列電極334B之間的第二電容改變、物件及行電極332F之間的第三電容改變及物件及行電極332G之間的第四電容改變。將辨識的是，物件及其他各別電極之間的電容亦可改變。例如，只要物件在那些其他電極的指定臨近距離（3 mm、5 mm、7 mm、10 mm等等）內，該物件及那些其他各別電極之間的電容可改變。然而，由於物件相對於那些其他電極的較大臨近距離，這樣的改變會小於上述第一、第二、第三及第四電容的改變。據此，討論將聚焦於上述的第一、第二、第三及第四電容以易於了解。
測量邏輯330配置為基於由該複數個行電極332A-332H及該複數個列電極334A-334K或其各別子集合所感測的電容改變，來決定放置在感測器矩陣328附近的物件位置。據此，在上述的示例實施例中，測量邏輯330基於分別在電極334A、334B、332F及332G處之第一、第二、第三及第四電容的改變，來決定（例如估算）物件的位置（A）。例如，測量邏輯330可估算位置（A）的(X, Y)座標。
以第一間距（L1）及/或第二間距（L2）之數量級的準確度來決定物件的位置（A）是相對直接的。例如，相對於物件感測到最大電容改變的行電極位置可指示位置（A）的X座標（例如提供位置（A）之X座標的估算）。相對於物件感測到最大電容改變的列電極位置可指示位置（A）的Y座標（例如提供位置（A）之Y座標的估算）。
增加由測量邏輯330所決定之估算之準確度的一種方式是減少相鄰行電極332A-332H之間的第一間距（L1）及/或相鄰列電極334A-334K之間的第二間距（L2）。增加準確度的另一方式是（例如作為一連續函數）內插由該複數個行電極332A-332H及該複數個列334A-334K或其各別子集合所感測的電容改變。例如，依據上述的示例實施例，測量邏輯330內插第一、第二、第三及第四電容的改變以決定位置（A）。
圖4係依據一實施例之示例裝置400的圖表。裝置400包括構件440及寫入電極408。構件440具有在軸438之相反端處的近端（P）及遠端（D）。構件440可為剛體，該剛體包含用於控制裝置400之寫入機能的電路系統，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。構件440可具有慣用寫字筆或慣用觸控筆的尺寸及/或形狀，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。例如，構件440可約為150mm長及直徑上約為10mm，或為不同尺寸及/或形狀。
寫入電極408係定位於構件440的近端（P）處。寫入電極408係配置為回應於寫入電極408被放置在感測器矩陣附近而向計算裝置的感測器矩陣提供寫入訊號。感測器矩陣為了說明的目的由線428表示。寫入電極408沿軸438具有厚度（T）。
如圖4中所示，正交軸436正交於感測器矩陣428。據此，構件440在正交軸436及軸438之間的角度（θ）為零時正交於感測器矩陣428。構件440在正交軸436及軸438之間的角度（θ）非零（例如大於零或小於零）時非正交於感測器矩陣428。
感測器矩陣428上之寫入電極408的投影在點X1及X2之間沿線428延伸。感測器矩陣428上之寫入電極408的投影中點由點XM表示。中點（XM）在點X1及X2之間是等距的。寫入電極408上最靠近感測器矩陣428的點由點XL表示。
在第一示例實施例中，寫入電極408的厚度（T）配置為使得感測器矩陣428上之寫入電極408的投影中點（XM）在構件440從構件440正交於感測器矩陣428的第一位置旋轉至構件440非正交於感測器矩陣428的第二位置時追描寫入電極408上最靠近感測器矩陣428的點（XL）。例如，中點（XM）可在構件440在第一支點（其定義為在構件440處於第一位置下時寫入電極408上最靠近感測器矩陣428的點）周圍旋轉時追描點（XL）。應注意的是，角度（θ）在構件440從第一位置旋轉至第二位置的期間改變。
在此實施例的一個態樣中，寫入電極408的厚度（T）可使得投影的中點（XM）大約與點（XL）重合。例如，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離是垂直於軸438之平面中之寫入電極408之直徑的指定百分比。依據此示例，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離為寫入電極408之直徑的5%、4%、3%或2%。在此實施例的一個態樣中，寫入電極408的厚度（T）可使得投影的中點（XM）大約與點（XL）重合。依據此態樣，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離為寫入電極408之直徑的1%、0.5%或0.25%。
在此實施例的另一態樣中，感測器矩陣428上之第一支點的投影稱為第一投影點。第一投影點可具有距感測器矩陣428上之寫入電極408之投影中點（XM）的第一距離。第一投影點可具有距感測器矩陣428上之點（XL）之投影的第二距離。寫入電極408可配置為使得第一距離小於或等於第二距離。例如，寫入電極408的厚度（T）可經配置，使得第一距離在構件440（例如在第一支點周圍）從構件440正交於感測器矩陣428的第一位置旋轉至構件440非正交於感測器矩陣428的第二位置（例如至少高達30度、45度、60度或75度的角度（θ））時維持小於或等於第二距離。
在第二示例實施例中，寫入電極408的厚度（T）配置為使得由感測器矩陣428所偵測之寫入電極408的位置（亦稱為「受偵測位置」）（XD）在構件440從構件440正交於感測器矩陣428的第一位置旋轉至構件440非正交於感測器矩陣428的第二位置時追描寫入電極408上最靠近感測器矩陣428的點（XL）。例如，受偵測位置，XD可在構件440在第一支點（其定義為在構件440處於第一位置下時寫入電極408上最靠近感測器矩陣428的點）周圍旋轉時追描點（XL）。
在此實施例的一個態樣中，寫入電極408的厚度（T）可使得受偵測位置（XD）大約與點（XL）重合。例如，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離是垂直於軸438之平面中之寫入電極408之直徑的指定百分比。依據此示例，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離為寫入電極408之直徑的5%、4%、3%或2%。在此實施例的另一態樣中，寫入電極408的厚度（T）可使得受偵測位置（XD）實質上與點（XL）重疊。依據此態樣，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離為寫入電極408之直徑的1%、0.5%或0.25%。
在此實施例的另一態樣中，感測器矩陣428上之受偵測位置的投影稱為投影的受偵測位置。第一投影點（其為感測器矩陣428上之第一支點的投影）可具有距投影的受偵測位置的第一距離。第一投影點可具有距感測器矩陣428上之點（XL）之投影的第二距離。寫入電極408可配置為使得第一距離小於或等於第二距離。例如，寫入電極408的厚度（T）可經配置，使得第一距離在構件440（例如在第一支點周圍）從構件440正交於感測器矩陣428的第一位置旋轉至構件440非正交於感測器矩陣428的第二位置（例如至少高達30度、45度、60度或75度的角度（θ））時維持小於或等於第二距離。
寫入電極408的厚度（T）可為任何合適的厚度。例如，厚度（T）可配置為大於或等於3 mm、大於或等於3.5 mm、大於或等於4 mm、大於或等於5 mm、大於或等於6 mm或大於或等於7 mm。在另一示例中，厚度（T）可配置為大於或等於垂直於軸438之平面中之寫入電極408之寬度（W）的30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%。在又另一示例中，厚度（T）可約等於寬度（W）。依據此示例，厚度（T）及寬度（W）之間的差異可小於或等於寬度（W）的10%、5%、3%、2%、1%、0.5%、0.25%、0.1%或0.05%。在又另一示例中，厚度（T）及寬度（W）之間的差異可小於或等於寬度（W）的15%、20%、30%、40%、50%或60%。在又另一示例中，厚度（T）及寬度（W）之間的差異可小於或等於0.05 mm、0.1 mm、0.15 mm、0.2 mm、0.5 mm、1.0 mm、2.0 mm、3.0 mm、4.0 mm或5.0 mm。在另一示例中，厚度（T）可小於或等於寬度（W）。在又另一示例中，厚度（T）可在大於寬度（W）的特定百分比（例如5%、20%、50%或100%）內。在又另一示例中，厚度（T）可小於或等於寬度（W）的105%、120%、150%或200%。厚度（T）可選自複數個潛在的厚度以促進追描，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。
寫入電極408可具有任何合適的形狀。例如，寫入電極408可配置為具有圓柱形，該圓柱形沿軸438延伸且在垂直於軸438的平面中具有一直徑。在另一示例中，寫入電極408可配置為具有半球形。例如，半球形可使得寫入電極408對於感測器矩陣428顯得對稱，無論正交軸436及軸438之間的角度（θ）是否為零或非零（例如大於或等於30度、大於或等於45度或大於或等於70度）。在又另一示例中，寫入電極408可配置為具有截頭圓錐形。例如，截頭圓錐形可具有沿軸438之第一位置處之相對較小的直徑及沿軸438之第二位置處之相對較大的直徑，其中第一位置具有距構件440之遠端（D）的第一距離而第二位置具有距構件440之遠端（D）的第二距離。第一距離可大於第二距離。在又另一示例中，寫入電極408可配置為沿距構件440遠端（D）最遠之寫入電極408的表面具有斜切邊緣。
在又另一示例中，寫入電極408的橫截區域從第一平面中的第一橫截區域向第二平面中的第二橫截區域增加，該第一橫截區域垂直於軸438且包括軸438上的第一點，該第二橫截區域垂直於軸438且包括軸438上的第二點。依據此示例，第一點具有距構件440之遠端（D）的第一距離，而第二點具有距構件440之遠端（D）的第二距離。進一步依據此示例，第一距離大於第二距離。
圖5係依據一實施例之另一示例裝置500的圖表。裝置500包括構件540及抹除電極508。構件540具有在軸538之相反端處的近端（P）及遠端（D）。構件540可為剛體，該剛體包含用於控制裝置500之抹除機能的電路系統，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。構件540可具有慣用寫字筆或慣用機械抹除器的尺寸及/或形狀，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。例如，構件540可約為150mm長及直徑上約為10mm，或為不同尺寸及/或形狀。
抹除電極508係定位於構件540的遠端（D）處。抹除電極508係配置為回應於抹除電極508被放置在感測器矩陣附近而向計算裝置的感測器矩陣提供抹除訊號。感測器矩陣為了說明的目的由線528表示。抹除電極508沿軸538具有厚度（T）。
如圖5中所示，正交軸536正交於感測器矩陣528。據此，構件540在正交軸536及軸538之間的角度（θ）為零時正交於感測器矩陣528。構件540在正交軸536及軸538之間的角度（θ）非零（例如大於零或小於零）時非正交於感測器矩陣528。
感測器矩陣528上之抹除電極508的投影在點X1及X2之間沿線528延伸。感測器矩陣528上之抹除電極508的投影中點由點XM表示。中點（XM）在點X1及X2之間是等距的。抹除電極508上最靠近感測器矩陣528的點由點XL表示。
在第一示例實施例中，抹除電極508的厚度（T）配置為使得感測器矩陣528上之抹除電極508的投影中點（XM）在構件540從構件540正交於感測器矩陣528的第一位置旋轉至構件540非正交於感測器矩陣528的第二位置時追描寫入電極508上最靠近感測器矩陣528的點（XL）。例如，中點（XM）可在構件540在第二支點（其定義為在構件540處於第一位置下時抹除電極508上最靠近感測器矩陣528的點）周圍旋轉時追描點（XL）。應注意的是，角度（θ）在構件540從第一位置旋轉至第二位置的期間改變。
在此實施例的一個態樣中，抹除電極508的厚度（T）可使得投影的中點（XM）大約與點（XL）重合。例如，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離是垂直於軸538之平面中之抹除電極508之直徑的指定百分比。依據此示例，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離為抹除電極508之直徑的5%、4%、3%或2%。在此實施例的一個態樣中，抹除電極508的厚度（T）可使得投影的中點（XM）大約與點（XL）重合。依據此態樣，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離為抹除電極508之直徑的1%、0.5%或0.25%。
在此實施例的另一態樣中，感測器矩陣528上的第二支點投影（其定義為在構件540處於第一位置下時抹除電極508上最靠近感測器矩陣528的點）稱為第二投影點。第二投影點可具有距感測器矩陣528上之抹除電極508之投影中點（XM）的第一距離。第二投影點可具有距感測器矩陣528上之點（XL）之投影的第二距離。抹除電極508可配置為使得第一距離小於或等於第二距離。例如，抹除電極508的厚度（T）可經配置，使得第一距離在構件540（例如在第二支點周圍）從構件540正交於感測器矩陣528的第一位置旋轉至構件540非正交於感測器矩陣528的第二位置（例如至少高達30度、45度、60度或75度的角度（θ））時維持小於或等於第二距離。
在第二示例實施例中，抹除電極508的厚度（T）配置為使得由感測器矩陣528所偵測之抹除電極508的位置（亦稱為「受偵測位置」）（XD）在構件540從構件540正交於感測器矩陣528的第一位置旋轉至構件540非正交於感測器矩陣528的第二位置時追描抹除電極508上最靠近感測器矩陣528的點（XL）。例如，受偵測位置（XD）可在構件540在第二支點（其定義為在構件540處於第一位置下時抹除電極508上最靠近感測器矩陣528的點）周圍旋轉時追描點（XL）。
在此實施例的一個態樣中，抹除電極508的厚度（T）可使得受偵測位置（XD）大約與點（XL）重合。例如，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離是垂直於軸538之平面中之抹除電極508之直徑的指定百分比。依據此示例，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離為抹除電極508之直徑的5%、4%、3%或2%。在此實施例的另一態樣中，抹除電極508的厚度（T）可使得受偵測位置（XD）實質上與點（XL）重疊。依據此態樣，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離為抹除電極508之直徑的1%、0.5%或0.25%。
在此實施例的另一態樣中，感測器矩陣528上之受偵測位置的投影稱為投影的受偵測位置。第二投影點（其為感測器矩陣528上之第二支點的投影）可具有距投影的受偵測位置的第一距離。第二投影點可具有距感測器矩陣528上之點（XL）之投影的第二距離。抹除電極508可配置為使得第一距離小於或等於第二距離。例如，抹除電極508的厚度（T）可經配置，使得第一距離在構件540（例如在第二支點周圍）從構件540正交於感測器矩陣528的第一位置旋轉至構件540非正交於感測器矩陣528的第二位置（例如至少高達30度、45度、60度或75度的角度（θ））時維持小於或等於第二距離。
抹除電極508的厚度（T）可為任何合適的厚度。例如，厚度（T）可配置為大於或等於3 mm、大於或等於3.5 mm、大於或等於4 mm、大於或等於5 mm、大於或等於6 mm或大於或等於7 mm。在另一示例中，厚度（T）可配置為大於或等於垂直於軸538之平面中之抹除電極508之寬度（W）的30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%。在又另一示例中，厚度（T）可約等於寬度（W）。依據此示例，厚度（T）及寬度（W）之間的差異可小於或等於寬度（W）的10%、5%、3%、2%、1%、0.5%、0.25%、0.1%或0.05%。在又另一示例中，厚度（T）及寬度（W）之間的差異可小於或等於寬度（W）的15%、20%、30%、40%、50%或60%。在又另一示例中，厚度（T）及寬度（W）之間的差異可小於或等於0.05 mm、0.1 mm、0.15 mm、0.2 mm、0.5 mm、1.0 mm、2.0 mm、3.0 mm、4.0 mm或5.0 mm。在另一示例中，厚度（T）可小於或等於寬度（W）。在又另一示例中，厚度（T）可在大於寬度（W）的特定百分比（例如5%、20%、50%或100%）內。在又另一示例中，厚度（T）可小於或等於寬度（W）的105%、120%、150%或200%。厚度（T）可選自複數個潛在的厚度以促進追描，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。
抹除電極508可具有任何合適的形狀。例如，抹除電極508可配置為具有圓柱形，該圓柱形沿軸538延伸且在垂直於軸538的平面中具有一直徑。在另一示例中，抹除電極508可配置為具有半球形。例如，半球形可使得抹除電極508對於感測器矩陣528顯得對稱，無論正交軸536及軸538之間的角度（θ）是否為零或非零（例如大於或等於30度、大於或等於45度或大於或等於70度）。在又另一示例中，抹除電極508可配置為具有截頭圓錐形。例如，截頭圓錐形可具有沿軸538之第一位置處之相對較小的直徑及沿軸538之第二位置處之相對較大的直徑，其中第一位置具有距構件540之近端（P）的第一距離而第二位置具有距構件540之近端（P）的第二距離。第一距離可大於第二距離。在又另一示例中，抹除電極508可配置為沿距構件540近端（P）最遠之抹除電極508的表面具有斜切邊緣。
在又另一示例中，抹除電極508的橫截區域從第一平面中的第一橫截區域向第二平面中的第二橫截區域增加，該第一橫截區域垂直於軸538且包括軸538上的第一點，該第二橫截區域垂直於軸538且包括軸538上的第二點。依據此示例，第一點具有距構件540之近端（P）的第一距離，而第二點具有距構件540之近端（P）的第二距離。進一步依據此示例，第一距離大於第二距離。
圖6係依據一實施例之又另一示例裝置600的圖表。裝置600包括構件640、寫入電極608A及抹除電極608B。構件640具有在軸638之相反端處的近端（P）及遠端（D）。構件640可為剛體，該剛體包含用於控制裝置600之寫入機能及抹除機能的電路系統，雖然示例實施例的範圍在此方面不受限制。
寫入電極608A係定位於構件640的近端（P）處。寫入電極608A沿軸638具有第一厚度（T1）。寫入電極608A係配置為回應於寫入電極608A被放置在感測器矩陣附近而向計算裝置的感測器矩陣提供寫入訊號。
抹除電極608B係定位於構件640的遠端（D）處。抹除電極608B沿軸538具有第二厚度（T2）。抹除電極608B係配置為回應於抹除電極608B被放置在感測器矩陣附近而向感測器矩陣提供抹除訊號。
圖7係依據一實施例之又另一示例裝置700的圖表。裝置700包括伸長的構件740、模組742及驅動電路744。伸長的構件740沿軸738延伸。伸長的構件740可至少部分地圍繞模組742及驅動電路744，如圖7中所示，雖然示例實施例在此方面不受限制。驅動電路744配置為產生主動訊號。例如，驅動電路744可驅動主動訊號以供從裝置700進行傳輸，同時裝置700電容耦合至計算裝置的感測器矩陣（由線728表示）。模組742（其耦合至伸長的構件740的末端）包括電極708，該電極708配置為以靜電方式向感測器矩陣728提供主動訊號。例如，電極708可回應於電極708被放置在感測器矩陣728附近而提供主動訊號。電極708沿軸738具有厚度（T）。
在圖7中，裝置700係為了說明的目的而圖示為具有抹除器配置。在抹除器配置下，模組742耦合至伸長的構件740的遠端（D），且電極708是抹除電極。在抹除器配置下，主動訊號是抹除訊號。據此，驅動電路744可配置為產生主動訊號以指示針對由計算裝置所顯示之內容的抹除操作。電極708可配置為依據抹除操作以靜電方式提供主動訊號。例如，抹除操作可配置為使得抹除動作發生在計算裝置的顯示器上相對應於由感測器矩陣728所偵測之模組742或電極708之位置的位置處。在另一示例中，抹除操作可配置為使得抹除動作發生在計算裝置的顯示器上相對應於伸長的構件740上最靠近感測器矩陣728之點的位置處。
將辨識的是，裝置700可具有寫入配置，而不是抹除配置。在寫入配置下，模組742耦合至伸長的構件740的近端（P），而不是遠端（D）。在寫入配置下，電極708是寫入電極，且主動訊號是寫入訊號。據此，驅動電路744可配置為產生主動訊號以起始寫入操作以在計算裝置的顯示器上提供寫入動作。電極708可配置為依據抹除操作以靜電方式提供主動訊號。例如，寫入操作可配置為使得寫入動作發生在計算裝置的顯示器上相對應於由感測器矩陣728所偵測之模組742或電極708之位置的位置處。在另一示例中，寫入操作可配置為使得寫入動作發生在計算裝置的顯示器上相對應於伸長的構件740上最靠近感測器矩陣728之點的位置處。
如圖7中所示，正交軸736正交於感測器矩陣728（其由線728表示）。據此，構件740在正交軸736及軸738之間的角度（θ）為零時正交於感測器矩陣28。構件740在正交軸736及軸738之間的角度（θ）非零（例如大於零或小於零）時非正交於感測器矩陣728。
感測器矩陣728上之電極708的投影在點X1及X2之間沿線728延伸。感測器矩陣728上之電極708的投影中點由點XM表示。中點（XM）在點X1及X2之間是等距的。電極708上最靠近感測器矩陣728的點由點XL表示。
在裝置700之第一示例實施例中，寫入電極708的厚度（T）配置為使得感測器矩陣728上之寫入電極708的投影中點（XM）在伸長的構件740從伸長的構件740正交於感測器矩陣728的第一位置旋轉至伸長的構件740非正交於感測器矩陣728的第二位置時追描寫入電極708上最靠近感測器矩陣728的點（XL）。例如，中點（XM）可在伸長的構件740在第三支點（其定義為在構件740處於第一位置下時寫入電極708上最靠近感測器矩陣728的點）周圍旋轉時追描點（XL）。應注意的是，角度（θ）在伸長的構件740從第一位置旋轉至第二位置的期間改變。
在此實施方式的一個態樣中，電極708的厚度（T）可使得投影的中點（XM）大約與點（XL）重合。例如，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離是垂直於軸738之平面中之電極708之直徑的指定百分比。依據此示例，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離為電極708之直徑的5%、4%、3%或2%。在此實施例的一個態樣中，電極708的厚度（T）可使得投影的中點（XM）大約與點（XL）重合。依據此態樣，厚度（T）可使得中點（XM）是在距點（XL）的一距離內，該距離為電極708之直徑的1%、0.5%或0.25%。
在此實施例的另一態樣中，感測器矩陣728上的第三支點投影（其定義為在伸長的構件740處於第一位置下時電極708上最靠近感測器矩陣728的點）稱為第三投影點。第三投影點可具有距感測器矩陣728上之電極708之投影中點（XM）的第一距離。第三投影點可具有距感測器矩陣728上之點（XL）之投影的第二距離。電極708可配置為使得第一距離小於或等於第二距離。例如，電極708的厚度（T）可經配置，使得第一距離在伸長的構件740（例如在第三支點周圍）從伸長的構件740正交於感測器矩陣728的第一位置旋轉至伸長的構件740非正交於感測器矩陣728的第二位置（例如至少高達30度、45度、60度或75度的角度（θ））時維持小於或等於第二距離。
在裝置700之第二示例實施例中，寫入電極708的厚度（T）配置為使得由感測器矩陣728所偵測之寫入電極708的位置（亦稱為「受偵測位置」）（XD）在伸長的構件740從伸長的構件708正交於感測器矩陣728的第一位置旋轉至伸長的構件708非正交於感測器矩陣728的第二位置時追描寫入電極708上最靠近感測器矩陣728的點（XL）。例如，受偵測位置（XD）可在伸長的構件740在第三支點（其定義為在構件740處於第一位置下時寫入電極708上最靠近感測器矩陣728的點）周圍旋轉時追描點（XL）。
在此實施方式的一個態樣中，電極708的厚度（T）可使得受偵測位置（XD）大約與點（XL）重合。例如，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離是垂直於軸738之平面中之電極708之直徑的指定百分比。依據此示例，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離為電極708之直徑的5%、4%、3%或2%。在此實施例的另一態樣中，電極708的厚度（T）可使得受偵測位置（XD）實質上與點（XL）重疊。依據此態樣，厚度（T）可使得受偵測位置（XD）是在距點（XL）的一距離內，該距離為電極708之直徑的1%、0.5%或0.25%。
在此實施例的另一態樣中，感測器矩陣728上之受偵測位置的投影稱為投影的受偵測位置。第三投影點（其為感測器矩陣728上之第三支點的投影）可具有距投影的受偵測位置的第一距離。第三投影點可具有距感測器矩陣728上之點（XL）之投影的第二距離。電極708可配置為使得第一距離小於或等於第二距離。例如，電極708的厚度（T）可經配置，使得第一距離在伸長的構件740（例如在第三支點周圍）從伸長的構件740正交於感測器矩陣728的第一位置旋轉至伸長的構件740非正交於感測器矩陣728的第二位置（例如至少高達30度、45度、60度或75度的角度（θ））時維持小於或等於第二距離。
電極708的厚度（T）可為任何合適的厚度，且電極708可具有任何合適的形狀，如上分別參照圖4及5中的寫入電極408及抹除電極508所述。
裝置104、204、400、500、600及/或700中的任何一者或更多者可實施為靜電筆。裝置104、204、400、500、600及/或600中的任何一者或更多者可實施為被動筆。
III. 某些示例實施例的進一步討論
第一示例裝置包括一構件、一第一電極及一第二電極。該構件在一軸的相反端處具有一近端及一遠端。該第一電極定位於該近端處。該第一電極配置為回應於該第一電極被放置在一計算裝置的一感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一寫入訊號。該第二電極定位於該遠端處。該第二電極配置為回應於該第二電極被放置在該感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一抹除訊號。該第二電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該第二電極之一投影的一中點在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的一點。
在該第一示例裝置的一第一態樣中，該第一示例裝置更包括一驅動電路，該驅動電路配置為產生該抹除訊號。依據第一態樣，該抹除訊號係一主動訊號。進一步依據該第一態樣，該第二電極配置為回應於該第二電極被放置在該感測器矩陣附近，而以靜電方式向該感測器矩陣提供該抹除訊號。
在該第一示例裝置的一第二態樣中，該厚度配置為使得該投影的該中點在該構件從該第一位置向該第二位置在一支點周圍旋轉時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的該點。依據該第二態樣，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該第二電極上最靠近該感測器矩陣的一點。該第一示例裝置的該第二態樣可與該第一示例裝置的該第一態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第一示例裝置的一第三態樣中，該厚度配置為大約等於垂直於該軸之一平面中之該第二電極的一寬度。該第一示例裝置的該第三態樣可與該第一示例裝置的該第一及/或第二態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第一示例裝置的一第四態樣中，該厚度配置為大於或等於三毫米。該第一示例裝置的該第四態樣可與該第一示例裝置的該第一、第二及/或第三態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第一示例裝置的一第五態樣中，該第二電極的一橫截區域從一第一平面中的一第一橫截區域向一第二平面中的一第二橫截區域增加，該第一平面垂直於該軸且包括該軸上的一第一點，該第二平面垂直於該軸且包括該軸上的一第二點。依據該第五態樣，該第一點具有距該近端的一第一距離。進一步依據該第五態樣，該第二點具有距該近端的一第二距離。進一步依據該第五態樣，該第一距離大於該第二距離。該第一示例裝置的該第五態樣可與該第一示例裝置的該第一、第二、第三及/或第四態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第一示例裝置的一第六態樣中，該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該第二電極之該投影的該中點在該構件從該第一位置向該第二位置在一支點周圍旋轉時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的該點。依據該第六態樣，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該第二電極上最靠近該感測器矩陣的一點。進一步依據該第六態樣，該感測器矩陣上之該支點的一投影具有距該感測器矩陣上之該第二電極之該投影之該中點的一第一距離。進一步依據該第六態樣，該感測器矩陣上之該支點的該投影具有距該第二電極上最靠近該感測器矩陣之該點的一第二距離。進一步依據該第六態樣，該厚度配置為使得該第一距離在該構件從該第一位置向該第二位置在該支點周圍旋轉時維持小於或等於該第二距離。該第一示例裝置的該第六態樣可與該第一示例裝置的該第一、第二、第三、第四及/或第五態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第一示例裝置的一第七態樣中，該第二電極配置為具有一截頭圓錐的一形狀。該第一示例裝置的該第七態樣可與該第一示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五及/或第六態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第一示例裝置的一第八態樣中，該第二電極配置為一被動金屬塊。該第一示例裝置的該第八態樣可與該第一示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五、第六及/或第七態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
一第二示例裝置包括一構件及一電極。該構件在一軸的相反端處具有一近端及一遠端。該電極定位於該構件的一指定端處。該指定端係該近端或該遠端。該電極配置為回應於該電極被放置在一計算裝置的一感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一訊號。該電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得由該感測器矩陣所偵測之該電極的一位置在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極上最靠近該感測器矩陣的一點。
在該第二示例裝置的一第一態樣中，該第二示例裝置更包括一驅動電路，該驅動電路配置為產生該訊號。依據第一態樣，該訊號係一主動訊號。進一步依據該第一態樣，該電極配置為回應於該電極被放置在該感測器矩陣附近，而以靜電方式向該感測器矩陣提供該訊號。
在該第二示例裝置的一第二態樣中，該電極配置為一被動金屬塊。該第二示例裝置的該第二態樣可與該第二示例裝置的該第一態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第三態樣中，該厚度配置為大約等於垂直於該軸之一平面中之該電極的一寬度。該第二示例裝置的該第三態樣可與該第二示例裝置的該第一及/或第二態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第四態樣中，該厚度配置為大於或等於垂直於該軸之一平面中之該電極之一寬度的百分之三十。該第二示例裝置的該第四態樣可與該第二示例裝置的該第一、第二及/或第三態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第五態樣中，該電極配置為具有一半球形的一形狀。該第二示例裝置的該第五態樣可與該第二示例裝置的該第一、第二、第三及/或第四態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第六態樣中，該電極的一橫截區域從一第一平面中的一第一橫截區域向一第二平面中的一第二橫截區域增加，該第一平面垂直於該軸且包括該軸上的一第一點，該第二平面垂直於該軸且包括該軸上的一第二點。依據該第六態樣，該第一點具有距該構件之一特定端的一第一距離。進一步依據該第六態樣，該特定端係非該指定端的該近端或該遠端。進一步依據該第六態樣，該第二點具有距該特定端的一第二距離。進一步依據該第六態樣，該第一距離大於該第二距離。該第二示例裝置的該第六態樣可與該第二示例裝置的該第一、第二、第三、第四及/或第五態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第七態樣中，該電極配置為具有一截頭圓錐的一形狀。該第二示例裝置的該第七態樣可與該第二示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五及/或第六態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第八態樣中，該厚度配置為使得由該感測器矩陣所偵測之該電極的該位置在該構件從該第一位置向該第二位置在一支點周圍旋轉時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的該點。依據該第八態樣，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該電極上最靠近該感測器矩陣的一點。該第二示例裝置的該第八態樣可與該第二示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五、第六及/或第七態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第二示例裝置的一第九態樣中，該厚度配置為使得由該感測器矩陣所偵測之該電極的該位置在該構件從該第一位置向該第二位置在一支點周圍旋轉時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的該點。依據該第九態樣，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該電極上最靠近該感測器矩陣的一點。進一步依據該第九態樣，該感測器矩陣上之該支點的一投影具有距由該感測器矩陣上之該感測器矩陣所偵測之該電極之該位置之一投影的一第一距離。進一步依據該第九態樣，該感測器矩陣上之該支點的該投影具有距該電極上最靠近該感測器矩陣之該點的一第二距離。進一步依據該第九態樣，該厚度配置為使得該第一距離在該構件從該第一位置向該第二位置在該支點周圍旋轉時維持小於或等於該第二距離。該第二示例裝置的該第九態樣可與該第二示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七及/或第八態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
一第三示例裝置包括一伸長的構件、一驅動電路及一模組。該伸長的構件沿一軸延伸。該驅動電路配置為產生一主動訊號。該模組耦合至該伸長的構件的一末端。該模組包括一電極，該電極配置為以靜電方式向一計算裝置的一感測器矩陣提供該主動訊號。該電極沿該軸具有一厚度。該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該電極之一投影的一中點在該伸長的構件從該伸長的構件正交於該感測器矩陣的一第一位置旋轉至該伸長的構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極上最靠近該感測器矩陣的一點。
在該第三示例裝置的一第一態樣中，該厚度配置為大約等於垂直於該軸之一平面中之該電極的一寬度。
在該第三示例裝置的一第二態樣中，該厚度配置為大於或等於垂直於該軸之一平面中之該電極之一寬度的百分之五十。該第三示例裝置的該第二態樣可與該第三示例裝置的該第一態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第三態樣中，該伸長的構件在該模組所耦合至的該末端及一第二端之間沿該軸延伸。依據該第三態樣，該電極的一橫截區域從一第一平面中的一第一橫截區域向一第二平面中的一第二橫截區域增加，該第一平面垂直於該軸且包括該軸上的一第一點，該第二平面垂直於該軸且包括該軸上的一第二點。進一步依據該第三態樣，該第一點具有距該伸長的構件之該第二端的一第一距離。進一步依據該第三態樣，該第二點具有距該伸長的構件之該第二端的一第二距離。進一步依據該第三態樣，該第一距離大於該第二距離。該第三示例裝置的該第三態樣可與該第三示例裝置的該第一及/或第二態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第四態樣中，該驅動電路配置為產生該主動訊號以起始針對由該計算裝置所顯示之內容的一抹除操作。依據該第四態樣，該電極配置為依據該抹除操作以靜電方式提供該主動訊號。該第三示例裝置的該第四態樣可與該第三示例裝置的該第一、第二及/或第三態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第五態樣中，該驅動電路配置為產生該主動訊號以起始一寫入操作以在該計算裝置的一顯示器上提供寫入動作。依據該第五態樣，該電極配置為依據該寫入操作以靜電方式提供該主動訊號。該第三示例裝置的該第五態樣可與該第三示例裝置的該第一、第二、第三及/或第四態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第六態樣中，該厚度配置為使得該投影的該中點在該伸長的構件從該第一位置向該第二位置在一支點周圍旋轉時追描該電極上最靠近該感測器矩陣的該點。依據該第六態樣，該支點定義為在該伸長的構件處於該第一位置下時該電極上最靠近該感測器矩陣的一點。該第三示例裝置的該第六態樣可與該第三示例裝置的該第一、第二、第三、第四及/或第五態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第七態樣中，該電極配置為具有一半球形的一形狀。該第三示例裝置的該第七態樣可與該第三示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五及/或第六態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第八態樣中，該電極配置為具有一截頭圓錐的一形狀。該第三示例裝置的該第八態樣可與該第三示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五、第六及/或第七態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
在該第三示例裝置的一第九態樣中，該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該電極之該投影的該中點在該伸長的構件從該第一位置向該第二位置在一支點周圍旋轉時追描該電極上最靠近該感測器矩陣的該點。依據該第九態樣，該支點定義為在該伸長的構件處於該第一位置下時該電極上最靠近該感測器矩陣的一點。進一步依據該第九態樣，該感測器矩陣上之該支點的一投影具有距該感測器矩陣上之該電極之該投影之該中點的一第一距離。進一步依據該第九態樣，該感測器矩陣上之該支點的該投影具有距該電極上最靠近該感測器矩陣之該點的一第二距離。進一步依據該第九態樣，該厚度配置為使得該第一距離在該伸長的構件從該第一位置向該第二位置在該支點周圍旋轉時維持小於或等於該第二距離。該第三示例裝置的該第九態樣可與該第三示例裝置的該第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七及/或第八態樣結合實施，雖然示例實施例在此方面不受限制。
IV.  結論
雖已使用特定於結構特徵及/或行動的語言來描述申請標的，要了解的是，定義於隨附之請求項中的申請標的係不必限於上述之特定特徵或行動。寧可，上述的該等特定特徵及行動係揭露為實施請求項的示例，且其他等效特徵及行動係欲在請求項的範圍內。
100‧‧‧系統 102‧‧‧計算裝置 104‧‧‧輸入裝置 106‧‧‧顯示器 108‧‧‧寫入電極 110‧‧‧寫入動作 112‧‧‧處理器 114‧‧‧記憶體 116‧‧‧傳送電路 118‧‧‧接收電路 120‧‧‧傳送電路 122‧‧‧接收電路 124‧‧‧處理器 200‧‧‧系統 202‧‧‧計算裝置 204‧‧‧輸入裝置 206‧‧‧顯示器 208‧‧‧抹除電極 210‧‧‧寫入動作 212‧‧‧處理器 214‧‧‧記憶體 216‧‧‧傳送電路 218‧‧‧接收電路 220‧‧‧傳送電路 222‧‧‧接收電路 224‧‧‧處理器 300‧‧‧計算裝置 328‧‧‧感測器矩陣 330‧‧‧測量邏輯 332A-332H‧‧‧行電極 334A-334K‧‧‧列電極 A‧‧‧點 L1‧‧‧第一間距 L2‧‧‧第二間距 X‧‧‧X軸 Y‧‧‧Y軸 400‧‧‧裝置 408‧‧‧寫入電極 428‧‧‧感測器矩陣 436‧‧‧正交軸 438‧‧‧軸 440‧‧‧構件 500‧‧‧裝置 508‧‧‧抹除電極 528‧‧‧感測器矩陣 536‧‧‧正交軸 538‧‧‧軸 540‧‧‧構件 600‧‧‧裝置 608A‧‧‧寫入電極 608B‧‧‧抹除電極 638‧‧‧軸 640‧‧‧構件 700‧‧‧裝置 708‧‧‧電極 728‧‧‧感測器矩陣 736‧‧‧正交軸 738‧‧‧軸 740‧‧‧伸長的構件 742‧‧‧模組 744‧‧‧驅動電路 D‧‧‧遠端 P‧‧‧近端 T‧‧‧厚度 T1‧‧‧第一厚度 T2‧‧‧第二厚度 W‧‧‧寬度 X1‧‧‧點 X2‧‧‧點 XD‧‧‧受偵測位置 XL‧‧‧點 XM‧‧‧中點 θ‧‧‧角度
隨附繪圖（其併入本文中且形成說明書的一部分）繪示本發明的實施例，且與說明書一起進一步地用以解釋所涉及的原理且允許相關領域（或多個）中具技藝者製作及使用所揭露的技術。
圖1是依據一實施例之一示例系統的透視圖，該示例系統包括計算裝置及具有寫入電極的輸入裝置，該寫入電極具有一厚度以促進追描（track）。
圖2是依據一實施例之一示例系統的透視圖，該示例系統包括計算裝置及具有抹除電極的輸入裝置，該寫入電極具有一厚度以促進追描（track）。
圖3係依據一實施例之一示例計算裝置的方塊圖，該示例計算裝置包括感測器矩陣。
圖4是依據一實施例之一示例裝置的圖表，該示例裝置包括具有一厚度以促進追描的寫入電極。
圖5是依據一實施例之一示例裝置的圖表，該示例裝置包括具有一厚度以促進追描的抹除電極。
圖6是依據一實施例之一示例裝置的圖表，該示例裝置包括具有第一厚度的寫入電極及具有第二厚度的抹除電極以促進追描。
圖7是依據一實施例之另一示例裝置的圖表，該示例裝置包括具有一厚度以促進追描的抹除電極。
當與繪圖結合採用時，從以下所闡述的詳細說明，所揭露技術的特徵及優點將變得更明確，在該等繪圖中，類似的參考字符在各處識別相對應的構件。在該等繪圖中，類似的參考標號一般指示相同的、功能上類似的及/或結構上類似的構件。一構件首先呈現的繪圖係由相對應參考標號中的最左數字（或多個）所指示。
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500‧‧‧裝置
508‧‧‧抹除電極
528‧‧‧感測器矩陣
536‧‧‧正交軸
538‧‧‧軸
540‧‧‧構件
D‧‧‧遠端
P‧‧‧近端
T‧‧‧厚度
W‧‧‧寬度
X1‧‧‧點
X2‧‧‧點
XD‧‧‧受偵測位置
XL‧‧‧點
XM‧‧‧中點
θ‧‧‧角度

Claims (20)

  1. 一種用於輸入的裝置，包括：一構件，在一軸之相反端處具有一近端及一遠端；一第一電極，定位於該近端處，該第一電極配置為回應於該第一電極被放置在一計算裝置的一感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一寫入訊號；及一第二電極，定位於該遠端處，該第二電極配置為回應於該第二電極被放置在該感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一抹除訊號，該第二電極沿該軸具有一厚度，該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該第二電極之一投影的一中點在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置在一支點周圍旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的一點，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該第二電極上最靠近該感測器矩陣的一點，該感測器矩陣上之該支點的一投影距該感測器矩陣上之該第二電極之該投影的該中點有一第一距離，該感測器矩陣上之該支點的該投影距該第二電極上最靠近該感測器矩陣的該點有一第二距離， 該厚度配置為使得在該構件從該第一位置向該第二位置在該支點周圍旋轉時該第一距離維持小於或等於該第二距離。
  2. 如請求項1所述之裝置，更包括：一驅動電路，配置為產生該抹除訊號；其中該抹除訊號係一主動訊號；及其中該第二電極配置為回應於該第二電極被放置在該感測器矩陣附近，而以靜電方式向該感測器矩陣提供該抹除訊號。
  3. 如請求項1所述之裝置，其中該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該第二電極之該投影的該中點在該構件在該支點周圍從該第一位置向該第二位置旋轉至少高達三十度的一角度時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的該點。
  4. 如請求項1所述之裝置，其中該厚度配置為等於垂直於該軸之一平面中之該第二電極的一寬度。
  5. 如請求項1所述之裝置，其中該厚度配置為大於或等於三毫米。
  6. 如請求項1所述之裝置，其中該第二電極的一橫截區域從一第一平面中的一第一橫截區域向一第二平面中的一第二橫截區域增加，該第一平面垂直於該軸且包括該軸上的一第一點，該第二平面垂直於該軸且包括該軸上的一第二點；其中該第一點具有距該近端的一第一距離； 其中該第二點具有距該近端的一第二距離；及其中該第一距離大於該第二距離。
  7. 一種用於輸入的裝置，包括：一構件，在一軸之相反端處具有一近端及一遠端；及一電極，定位於該構件的一指定端處，該指定端係該近端或該遠端，該電極配置為回應於該電極被放置在一計算裝置的一感測器矩陣附近，而向該計算裝置的該感測器矩陣提供一訊號，該電極沿該軸具有一厚度，該厚度配置為使得由該感測器矩陣所偵測之該電極的一位置在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置在一支點周圍旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該電極上最靠近該感測器矩陣的一點，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該電極上最靠近該感測器矩陣的一點，該感測器矩陣上之該支點的一投影距在該感測器矩陣上由該感測器矩陣所偵測之該電極之該位置之之一投影有一第一距離，該感測器矩陣上之該支點的該投影距該電極上最靠近該感測器矩陣的該點有一第二距離，該厚度配置為使得在該構件從該第一位置向該第二位置在該支點周圍旋轉時該第一距離維持小於或等於該第二距離。
  8. 如請求項7所述之裝置，更包括：一驅動電路，配置為產生該訊號；其中該訊號係一主動訊號；及其中該電極配置為回應於該電極被放置在該感測器矩陣附近，而以靜電方式向該感測器矩陣提供該訊號。
  9. 如請求項7所述之裝置，其中該電極配置為一被動金屬塊。
  10. 如請求項7所述之裝置，其中該厚度配置為等於垂直於該軸之一平面中之該電極的一寬度。
  11. 如請求項7所述之裝置，其中該厚度配置為大於或等於垂直於該軸之一平面中之該電極之一寬度的百分之三十。
  12. 如請求項7所述之裝置，其中該電極的一橫截區域從一第一平面中的一第一橫截區域向一第二平面中的一第二橫截區域增加，該第一平面垂直於該軸且包括該軸上的一第一點，該第二平面垂直於該軸且包括該軸上的一第二點；其中該第一點具有距該構件之一特定端的一第一距離，該特定端係非該指定端的該近端或該遠端；其中該第二點具有距該特定端的一第二距離；及其中該第一距離大於該第二距離。
  13. 如請求項12所述之裝置，其中該電極配置為具有一截頭圓錐的一形狀。
  14. 如請求項7所述之裝置，其中該厚度配置為使得在該構件在該支點周圍從該第一位置向該第二位置旋轉至少高達三十度的一角度時由該感測器矩陣所偵測的該電極之該位置追描該電極上最靠近該感測器矩陣的該點。
  15. 一種用於輸入的裝置，包括：一構件，該構件沿一軸延伸；及一模組，耦合至該構件的一末端，該模組包括一電極，該電極配置為向一計算裝置的一感測器矩陣提供一訊號，該電極沿該軸具有一厚度，該厚度配置為使得該感測器矩陣上之該電極之一投影的一中點在該構件從該構件正交於該感測器矩陣的一第一位置在一支點周圍旋轉至該構件非正交於該感測器矩陣的一第二位置時追描該第二電極上最靠近該感測器矩陣的一點，該支點定義為在該構件處於該第一位置下時該電極上最靠近該感測器矩陣的一點，該感測器矩陣上之該支點的一投影距該感測器矩陣上之該電極之該投影的該中點有一第一距離，該感測器矩陣上之該支點的該投影距該電極上最靠近該感測器矩陣的該點有一第二距離， 該厚度配置為使得在該構件從該第一位置向該第二位置在該支點周圍旋轉時該第一距離維持小於或等於該第二距離。
  16. 如請求項15所述之裝置，其中該厚度配置為等於垂直於該軸之一平面中之該電極的一寬度。
  17. 如請求項15所述之裝置，其中該厚度配置為大於或等於垂直於該軸之一平面中之該電極之一寬度的百分之五十。
  18. 如請求項15所述之裝置，其中該構件在該模組所耦合至的該末端及一第二端之間沿該軸延伸；其中該電極的一橫截區域從一第一平面中的一第一橫截區域向一第二平面中的一第二橫截區域增加，該第一平面垂直於該軸且包括該軸上的一第一點，該第二平面垂直於該軸且包括該軸上的一第二點；其中該第一點具有距該構件之該第二端的一第一距離；其中該第二點具有距該構件之該第二端的一第二距離；及其中該第一距離大於該第二距離。
  19. 如請求項15所述之裝置，其中該訊號是一主動訊號；其中該裝置進一步包含： 一驅動電路，該驅動電路配置為產生該主動訊號以起始針對由該計算裝置所顯示之內容的一抹除操作；及其中該電極配置為依據該抹除操作以靜電方式提供該主動訊號。
  20. 如請求項15所述之裝置，其中該訊號是一主動訊號；其中該裝置進一步包含：一驅動電路，該驅動電路配置為產生該主動訊號以起始一寫入操作以在該計算裝置的一顯示器上提供寫入動作；及其中該電極配置為依據該寫入操作以靜電方式提供該主動訊號。
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