TWI702410B - 測試裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種測試裝置,其包含電路板、晶片承載座、高頻訊號傳輸件及高頻訊號連接器。電路板固定於測試機台,晶片承載座固定於電路板,高頻訊號傳輸器固定於電路板,高頻訊號傳輸件與晶片承載座中的部分探針電性連接,且高頻訊號傳輸件還與高頻訊號連接器電性連接。晶片承載座用以承載待測晶片。當待測晶片設置於晶片承載座中時,待測晶片用以傳輸高頻訊號的腳位將與高頻訊號傳輸件電性連接,而待測晶片所傳遞的高頻訊號將通過高頻訊號連接器向外傳遞。透過高頻訊號傳輸件的設置,待測晶片所傳遞的高頻訊號,將不易發生衰落的問題。
Description
本發明涉及一種測試裝置,特別是一種適合用於測試積體電路的高頻訊號的測試裝置。
現有的積體電路測試裝置,大多是利用自動化測試設備(Automatic Test Equipment, ATE),配合負載板(Load board)、晶片承載座(socket)、高頻電纜接頭、同軸電纜(Coaxial Cable)等構件,來承載待測的積體電路(Device)。
在對待測的積體電路進行高頻測試時,待測的積體電路的高頻訊號,會先後通過晶片承載座及負載板內的導電通道(例如是填充有導電材料的鑽孔),再透過高頻電纜接頭(SMA Connector)、同軸電纜(Coaxial Cable)等構件,才傳遞至相關的量測裝置。
由於晶片承載座及負載板內的導電通道的阻抗難以控制,因此,待測的積體電路(integrated circuit, IC)所傳遞的高頻訊號,通過晶片承載座及負載板內的導電通道,將容易發生嚴重衰弱的問題,從而導致量測裝置無法準確地測出待測的積體電路的高頻訊號的相關訊號表現。
本發明公開一種測試裝置,其用以改善現有的積體電路測試裝置,在量測積體電路的高頻訊號時,容易發生高頻訊號衰弱的問題。
本發明的其中一個實施例公開一種測試裝置,其包含:一電路板、一晶片承載座、一高頻訊號傳輸件及一高頻訊號連接器。電路板固定設置於一測試機台。晶片承載座固定設置於電路板,晶片承載座包含多個第一探針及多個第二探針;晶片承載座用以承載一待測晶片;多個第一探針用以傳輸頻率低於10kHz的低頻訊號,多個第二探針用以傳遞頻率高於1MHz的高頻訊號;其中,測試機台能通過電路板及晶片承載座而傳遞測試訊號及電力給晶片承載座所承載的待測晶片。高頻訊號傳輸件連接多個第二探針,且高頻訊號傳輸件的一部分外露於晶片承載座外。高頻訊號連接器與設置於晶片承載座外的高頻訊號傳輸件電性連接,且高頻訊號連接器用以與一量測設備電性連接。其中,待測晶片接收測試機台所傳遞的測試訊號後,待測晶片所回傳的低頻訊號將通過多個第一探針傳遞,且待測晶片所回傳的高頻訊號將通過多個第二探針、高頻訊號傳輸件及高頻訊號連接器,傳遞至量測設備。
綜上所述,設置於本發明的測試裝置的待測晶片,其在測試過程中所回傳的高頻訊號,將可以通過高頻訊號傳輸件向外傳遞,由於待測晶片所回傳的高頻訊號不會通過電路板內部的金屬導線或是晶片承載座內部的金屬導線,因此,高頻訊號在傳遞的過程中,不容易發生訊號衰落、失真等問題。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,但是此等說明與附圖僅用來說明本發明,而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
於以下說明中,如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示,其僅是用以強調於後續說明中,所述及的相關內容大部份出現於該特定圖式中,但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。
請一併參閱圖1至圖5,圖1顯示為本發明的測試裝置的局部剖面側視圖,圖2顯示為本發明的測試裝置的立體示意圖,圖3顯示為本發明的測試裝置的高頻訊號傳輸件的外側面的示意圖,圖4顯示為本發明的測試裝置的高頻訊號傳輸件的內側面的示意圖,圖5顯示為本發明的測試裝置設置有待測晶片的剖面側視圖。
如圖1及圖2所示,測試裝置100包含:一電路板10、一晶片承載座20、一高頻訊號傳輸件30及一高頻訊號連接器40。電路板10固定設置於一測試機台50。於此所指的測試機台50可以是依據實際所欲測試的晶片的種類不同,而選擇相對應的不同種類的自動化測試設備(Automatic Test Equipment, ATE)。電路板10上的相關線路佈局(layout)可以是依據測試機台50的形式、種類不同而對應變化。
晶片承載座20設置於電路板10相反於測試機台50的一側,晶片承載座20用以承載一待測晶片C(如圖5所示),於此所指的待測晶片C例如可以是各式的積體電路(integrated circuit, IC)。特別說明的是,本發明的測試裝置100特別適合對需要進行高頻測試的晶片進行測試,舉例來說,本發明的測試裝置100特別適合用來測試5G通訊晶片。
關於晶片承載座20的外型、尺寸等,可依據待測晶片C的外型、尺寸等設計,於此不加以限制。晶片承載座20主要是用來作為待測晶片C與電路板10之間的連接橋樑,而使測試機台50通過電路板10所傳遞的相關電力、測試訊號,能夠進入待測晶片C,且晶片承載座20亦是用來使待測晶片C固定設置於電路板10上。
在實際應用中,晶片承載座20例如可以是包含有:一探針座21及一限位框體22。探針座21固定設置於電路板10,限位框體22固定設置於探針座21的周圍,限位框體22相反於電路板10的端面與電路板10的垂直距離H1,大於探針座21相反於電路板10的端面與電路板10的垂直距離H2,而限位框體22與探針座21於相反於電路板10的一側共同形成一晶片容置槽P,晶片容置槽P用以容置待測晶片C。當待測晶片C固定設置於晶片容置槽P中時,待測晶片C將被限位框體22限制,而不容易離開晶片容置槽P。限位框體22主要是用來輔助待測晶片C固定於晶片容置槽P中,因此,在實際應用中,限位框體22的外型、尺寸、可以是依據待測晶片C的外型、尺寸變化,於此不加以限制。
探針座21內設置有多個第一探針23及多個第二探針24,各第一探針23與電路板10電性連接,各第二探針24與電路板10電性連接。第一探針23及第二探針24用以與待測晶片C的多個腳位相接觸,以使待測晶片C與電路板10電性連接。各個第一探針23及各個第二探針24例如是Pogo pin,但不以此為限。多個第一探針23用以傳輸低頻訊號,多個第二探針24用以傳遞高頻訊號。於此所指的低頻訊號是指頻率低於10kHz的訊號,而高頻訊號則是指頻率高於1MHz的訊號。在圖1中,是以探針座21僅於最左側的位置設置有第二探針24,其餘位置皆設置第一探針23為例,但在具體的應用中,第一探針23、第二探針24的數量、設置位置皆可依據待測晶片C的種類而增減,不以圖中所示為限。於此所指的第二探針24就是用來與待測晶片C用來傳遞高頻訊號的腳位電性連接的探針,因此,在實際應用中,第二探針24設置於探針座21的位置,是對應於待測晶片C用來傳遞高頻訊號的腳位。
特別說明的是,於本實施例中,僅針對探針座21內用來傳遞低頻訊號及高頻訊號的第一探針23及第二探針24進行說明,但在實際應用中,探針座21還包含有其他不同功用的探針,例如是用來將電力輸入至待測晶片C的探針、用來將測試機台50所發出的測試訊號傳入待測晶片的探針等,其餘探針的功能則是對應於待測晶片C的各種腳位設計,於此不加以限制。
如圖5所示,當待測晶片C固定設置於晶片容置槽P中時,待測晶片C的多個接觸部C1將與多個第一探針23電性連接,而待測晶片C接收測試機台50所傳遞的測試訊號後,所回傳的低頻訊號則可以通過多個第一探針23傳遞至電路板10、測試機台50或是相關的量測裝置;關於待測晶片C所傳遞的低頻訊號,通過電路板10傳遞至何處進行相關的分析,可以依據實際需求設計,於此不加以限制。
高頻訊號傳輸件30的一部分固定設置於電路板10設置有晶片承載座20的一側,高頻訊號傳輸件30的一部份連接多個第二探針24。具體來說,高頻訊號傳輸件30可以是軟性印刷電路板(Flexible Print Circuit;FPC),高頻訊號傳輸件30可以是呈現為矩形狀;高頻訊號傳輸件30彼此相反的兩個寬側面分別定義為一外側面301及一內側面302。
如圖3及圖4所示,高頻訊號傳輸件30包含多個第一連接部31、多個第二連接部32及多個第三連接部33。高頻訊號傳輸件30的外側面301設置有多個第一連接部31及多個第三連接部33。多個第三連接部33透過多條金屬導線34與多個第一連接部31電性連接。多個第二連接部32設置於高頻訊號傳輸件30的內側面302,且多個第二連接部32通過高頻訊號傳輸件30內的相關金屬導線而與多個第三連接部33電性連接;其中,多個第二連接部32及多個第三連接部33的數量及其設置位置可以是大致相同。關於第一連接部31、第二連接部32及第三連接部33設置於高頻訊號傳輸件30的內側面或是外側面不以上述說明為限,在實際應用中,皆可依據需求變化。
如圖1至圖4所示,高頻訊號傳輸件30的外側面301是對應位於相反於探針座21的一側,而高頻訊號傳輸件30的內側面302則是面對探針座21設置;相對地,多個第一連接部31及多個第三連接部33將對應外露於電路板10設置有晶片承載座20的一側,多個第二連接部32是面對多個第二探針24設置,而多個第三連接部33則是對應外露於晶片承載座20的晶片容置槽P中。其中,多個第一連接部31是位於晶片承載座20外,而多個第一連接部31是用以與設置於電路板10一側的高頻訊號連接器40電性連接。所述高頻訊號連接器40則是用以與一量測設備200電性連接。在實際應用中,所述高頻訊號連接器40例如可以是高頻電纜接頭(SMPM Connector),而量測設備200則可以是透過具有相對應的接頭的電纜線與高頻電纜接頭相連接。
需特別說明的是,高頻訊號連接器40可以是依據需求以黏合、鎖固等方式,固定於電路板10的一側,但高頻訊號連接器40基本上是不與電路板10的金屬導線電性連接,而高頻訊號連接器40僅是作為高頻訊號傳輸件30與量測設備200之間的連接橋樑。相同地,高頻訊號傳輸件30外露於電路板10的部分,除了用以與高頻訊號連接器40電性連接的多個第一連接部31外,其餘部分基本上是包覆有絕緣層,而不與電路板10的任何金屬導線電性接觸。
如圖1、圖3、圖4及圖5所示,當待測晶片C設置於晶片容置槽P中時,待測晶片C的部分接觸部C1將對應抵壓於高頻訊號傳輸件30的外側面301上的多個第三連接部33,而位於高頻訊號傳輸件30的內側面302的多個第二連接部32則會對應與第二探針24電性連接。也就是說,設置於晶片容置槽P的待測晶片C是透過多個第三連接部33,而與多個第二探針24電性連接,藉此,待測晶片C接收測試機台50傳遞的測試訊號後所回傳的高頻訊號,將可以通過多個第三連接部33及高頻訊號傳輸件30內的多條金屬導線34傳遞至多個第一連接部31,並再通過高頻訊號連接器40而傳遞至外部的量測設備200。
依上所述,藉由使設置於晶片容置槽P中的待測晶片C,與高頻訊號傳輸件30的多個第三連接部33電性連接的設計,將可以使待測晶片C所傳遞的高頻訊號直接通過高頻訊號傳輸件30及高頻訊號連接器40傳遞至量測設備200,而高頻訊號將不會通過電路板內部的金屬導線或是晶片承載座20內的金屬導線傳遞,如此,高頻訊號在傳遞的過程中將不易發生有訊號衰弱、失真等問題。
另外,相關人員可以是透過改變高頻訊號傳輸件30的金屬導線34(如圖3所示)的佈局(layout)來改變高頻訊號傳輸件30的阻抗,藉此使高頻訊號傳輸件30與待測晶片C所傳遞的高頻訊號具有良好的阻抗匹配,從而可改善習知高頻訊號通過晶片承載座內的金屬導線及電路板內的金屬導線傳遞,而容易發生阻抗不匹配的問題。習知的積體電路測試裝置,由於待測晶片所回傳的高頻訊號是通過晶片承載座內的金屬導線及電路板內的金屬導線傳遞,因此,縱使相關人員發現高頻訊號傳遞時,存在有阻抗不匹配的問題,由於傳遞高頻訊號的金屬導線是埋在晶片承載座及電路板中,所以相關人員也無從對金屬導線進行修改;也就是說,相關人員在使用習知的積體電路測試裝置對待測晶片進行高頻訊號測試時,縱使知道高頻訊號可能因為阻抗不匹配而有訊號衰弱、失真等問題,但仍無法對其進行改善。
在具體的應用中,高頻訊號傳輸件30可以是可拆卸地與晶片承載座20相連接,且高頻訊號傳輸件30與高頻訊號連接器40也是可拆卸地設置,而相關人員則可以依據待測晶片C的不同,更換具有不同金屬導線佈局(layout)的高頻訊號傳輸件30,如此,將可達到在進行高頻訊號傳輸的過程中,具有良好的阻抗匹配的效果。
如圖1所示,在具體的實施應用中,高頻訊號傳輸件30可以是軟性印刷電路板,且高頻訊號傳輸件30的一部分可以是對應設置於限位框體22與探針座21之間,當然,高頻訊號傳輸件30與晶片承載座20的設置關係不侷限於圖1所示的態樣。如圖6所示,在不同的實施例中,限位框體22在鄰近於電路板10的位置可以是具有一框體穿孔221,而高頻訊號傳輸件30的一部分則可以是通過框體穿孔221穿出於晶片承載座20。
請復參圖1,探針座21具有多個探針孔211,且各個第一探針23的一部分是凸出於相對應的探針孔211,各個第二探針24的一部分是凸出於相對應的探針孔211。當晶片承載座20未設置有待測晶片C時,各個第一探針23凸出於相對應的探針孔211的高度H3,可以是高於各個第二探針24凸出於相對應的探針孔211的高度H4。在各個第一探針23及各第二探針24為Pogo Pin的實施例中,可以是使各個第一探針23的長度大於各個第二探針24的長度,且使各個第一探針23及各個第二探針24連接相同的彈簧(圖中未繪示)。
由於各個第一探針23的長度大於各個第二探針24的長度,因此,當待測晶片C設置於晶片容置槽P中時,被接觸部C1抵壓的多個第一探針23的一端,將可以大致與被接觸部C1抵壓的高頻訊號傳輸件30齊平,如此,將可確保待測晶片C的所有接觸部C1皆可以與探針座21中的多個第一探針23及多個第二探針24相接觸。換句話說,當晶片承載座20未設置有待測晶片C時,各個第一探針23凸出於相對應的探針孔211的高度H3,與各個第二探針24凸出於相對應的探針孔211的高度H4差,可以是大致等於位於晶片容置槽P中的高頻訊號傳輸件30的厚度。
綜上所述,本發明的測試裝置100在待測晶片C接收來至測試機台50所傳遞的測試訊號後,待測晶片C所回傳的低頻訊號將通過多個第一探針23及電路板10回傳至測試機台50(或是透過電路板10傳遞至相關設備),待測晶片C所回傳的高頻訊號則會通過高頻訊號傳輸件30向外傳遞至相關的量測設備200,而待測晶片C所傳遞的高頻訊號是不會通過電路板10內的金屬導線或是晶片承載座20內的金屬導線,如此,待測晶片C所傳遞的高頻訊號將不易因為阻抗不匹配,而發生訊號衰弱、失真等問題。也就是說,本發明的測試裝置100相較於習知的積體電路測試裝置,不易發生高頻訊號衰弱、失真等問題,且由於高頻訊號主要是通過高頻訊號傳輸件30進行傳輸,因此,使用者可以利用設計高頻訊號傳輸件30上的相關金屬導線的佈局,來使高頻訊號傳輸件30與待測晶片C之間具有良好的阻抗匹配。
請一併參閱圖7及圖8,其顯示為本發明的測試裝置100的其中一實施例的示意圖。如圖所述,本實施例與前述實施例最大不同之處在於:晶片承載座20可以是包含有一蓋體20A及一底座20B,蓋體20A可活動地與底座20B相連接。底座20B可以是包含前述探針座21及前述限位框體22,而底座20B對應具有前述的晶片容置槽P。
蓋體20A設置有一無線訊號接收器60,無線訊號接收器60通過至少一電連接線61與外部的無線訊號量測裝置電性連接。在實際應用中,電連接線61的一端可以是與無線訊號接收器60連接,而電連接線61的另一端則可以是通過導波管、同軸線纜等構件,與固定於電路板上的一電連接器(connector)70電性連接;外部的無線訊號量測裝置則可以通過相對應的接頭插接於電連接器70,據以接收無線訊號接收器60所接收的無線訊號。關於無線訊號接收器60的種類、形式可以是依據待測晶片C種類、形式決定,於此不加以限制,舉例來說,無線訊號接收器60可以是用以接收例如4G、5G等訊號。
如圖8所示,當晶片容置槽P設置有待測晶片C,且蓋體20A對應蓋設於晶片容置槽P上方時,蓋體20A與底座20B將共同形成有一封閉空間SP,待測晶片C則對應位於封閉空間SP中,且無線訊號接收器60將對應位於待測晶片C的正上方,而無線訊號接收器60則能良好地接收待測晶片C所發出的無線訊號。其中,所述無線訊號接收器60例如可以是包含有一接收天線。蓋體20A的材質例如可以是選用金屬材質,但不以此為限,在蓋體20A為金屬材質的實施例中,蓋體20A將可用以反射封閉空間SP外的無線訊號,從而可大幅降低外部無線訊號對無線訊號接收器60的干擾。
在實際應用中,蓋體20A與底座20B可以是透過一樞接結構20C相互樞接,而蓋體20A能被操作以相對於底座20B旋轉,據以使無線訊號接收器60能隨蓋體20A相對於底座20B旋轉;但,蓋體20A與底座20B可活動地連接的方式,不以圖7所示為限。
如上所述,本實施例測試裝置100不但可以對待測晶片C進行高頻訊號、低頻訊號的測試,還可以通過無線訊號接收器60來接收待測晶片C所發出的無線訊號,如此,將可大幅提升檢測待測晶片的效率。
在現有的積體電路測試裝置中,使用者若要對待測晶片C先後進行高頻訊號檢測及無線訊號檢測時,使用者必須先將待測晶片設置於用來測試高頻訊號的測試裝置中,在對待測晶片完成高頻訊號測試後,使用者必須先將待測晶片由測試裝置卸下,並將待測晶片安裝於另一個用來測試無線訊號的測試裝置,才可對待測晶片進行無線訊號的檢測。在現有的積體電路測試裝置中,使用者並無法在同一個測試裝置上,對待測晶片先後進行高頻訊號測試及無線訊號測試,而使用者必須將待測晶片反覆地安裝於不同的測試裝置,才得以對待測晶片進行不同的測試,如此,待測晶片的針腳容易因為反覆的拆裝,而發生損壞的問題。
反觀本發明的測試裝置100,在使用者欲對待測晶片C進行高頻訊號檢測及無線訊號檢測時,使用者僅需將待測晶片C安裝於測試裝置100一次,即可先後完成高頻訊號檢測及無線訊號檢測,如此,可大幅降低待測晶片C因為反覆地安裝、拆卸,而導致針腳發生不預期的損壞的機率。
請參閱圖9,其顯示為本發明的測試裝置100的其中一實施例的示意圖。如圖所示,本實施例與前述圖8所示的實施例的最大差異在於:晶片承載座20可以是包含有一滑動機構。滑動機構例如可以是包含有多個滑動桿20D,蓋體20A對應於多個滑動桿20D可以是具有多個穿孔,而多個滑動桿20D能對應穿設於蓋體20A的多個穿孔中,蓋體20A則能通過多個滑動桿20D向底座20B的方向靠近或是遠離。
在實際應用中,使用者或是相關機械可以是先使蓋體20A沿多個滑動桿20D向遠離底座20B的方向移動,以使蓋體20A離開底座20B,並使晶片容置槽P外露,此時,使用者或是相關機械則可以將待測晶片C設置於晶片容置槽P中;當待測晶片C設置於晶片容置槽P中後,使用者或是相關機械則可以再使蓋體20A向靠近底座20B的方向移動,以讓蓋體20A設置於底座20B的上方。
蓋體20A可以是連接有一電連接線61,而蓋體20A能通過電連接線61與設置於電路板10上的電連接器(connector)70電性連接,而電連接器70則可以用來與相關的無線訊號量測設備的接頭連接,如此,無線訊號接收器60所接收的訊號將可以通過電連接線61傳遞至相關的無線訊號量測設備。
在實際應用中,蓋體20A與底座20B可以是分別具有可相互卡合的結構或構件,而蓋體20A設置於底座20B的上方時,使用者或是相關機械則可以透過使能相互卡合的結構或是構件相互卡合,據以限制蓋體20A及底座20B彼此間的活動範圍。
請參閱圖10,其顯示為本發明的測試裝置100的其中一實施例的示意圖。如圖所示,本實施例與前述圖9所示的實施例的最大差異在於:蓋體20A可以是具有一第一電性連接結構20E,底座20B則對應具有一第二電性連接結構20F。第一電性連接結構20E電性連接無線訊號接收器60。當蓋體20A抵靠於底座20B上時,第一電性連接結構20E將與第二電性連接結構20F相互電性連接。底座20B連接有一電連接線61,電連接線61可以是與電路板10上的電連接器(connector)70相連接,而電連接器70用以與相關的無線訊號量測設備電性連接。
當蓋體20A的第一電性連接結構20E與底座20B的第二電性連接結構20F電性連接時,無線訊號接收器60將能通過第一電性連接結構20E、第二電性連接結構20F、電連接線61及電連接器70,將訊號傳遞至相關的無線訊號量測設備。透過第一電性連接結構20E與第二電性連接結構20F的設計,蓋體20A將可以被操作而完全地與底座20B分離,如此,將可便於相關人員或是機械設備將待測晶片安裝於晶片承載座20。
需說明的是,於圖10中是以蓋體20A設置於滑動機構的多個滑動桿20D為例,但在不同的實施例中,圖10所示的晶片承載座20也可以是不設置有滑動機構,而蓋體20A可以是被操作而完全地離開底座20B。
如上述關於圖7至圖10的實施例說明,在本發明的測試裝置100包含有蓋體20A及設置於蓋體20A的無線訊號接收器60的各實施例中,測試裝置100將可以對待測晶片同時進行低頻訊號、高頻訊號及無線訊號的檢測,而相關人員可以利用單一個測試裝置,即完成所有的訊號測試。
綜上所述,本發明的測試裝置透過高頻訊號傳輸件的設計,測試裝置在對待測晶片進行高頻訊號檢測作業時,待測晶片所傳遞的高頻訊號,將可直接通過高頻訊號傳輸件傳遞至外部的量測設備;由於相關人員可以輕易地透過更變高頻訊號傳輸件上的金屬導線的佈局,而改變高頻訊號傳輸件的阻抗,因此,本發明的測試裝置的在對待測晶片進行高頻訊號檢測時,待測晶片與高頻傳輸板容易達到阻抗匹配,而待測晶片所傳遞的高頻訊號將不容易發生衰弱、失真等問題。
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例,非因此侷限本發明的專利範圍,故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的保護範圍內。
100:測試裝置
10:電路板
20:晶片承載座
21:探針座
211:探針孔
22:限位框體
221:框體穿孔
23:第一探針
24:第二探
針
20A:蓋體
20B:底座
20C:樞接結構
20D:滑動桿
20E:第一電性連接結構
20F:第二電性連接結構
30:高頻訊號傳輸件
301:外側面
302:內側面
31:第一連接部
32:第二連接部
33:第三連接部
34:金屬導線
40:高頻訊號連接器
50:測試機台
60:無線訊號接收器
61:電連接線
70:電連接器
200:量測設備
C:待測晶片
C1:接觸部
SP:封閉空間
P:晶片容置槽
H1:垂直距離
H2:垂直距離
H3:高度
H4:高度
圖1為本發明的測試裝置的剖面示意圖。
圖2為本發明的測試裝置的立體示意圖。
圖3為本發明的測試裝置的高頻訊號傳輸件的外側面的示意圖。
圖4為本發明的測試裝置的高頻訊號傳輸件的內側面的示意圖。
圖5為本發明的測試裝置的設置有待測晶片的示意圖。
圖6為本發明的測試裝置的其中一實施例的示意圖。
圖7、8為本發明的測試裝置的其中一實施例的示意圖。
圖9為本發明的測試裝置的其中一實施例的示意圖。
圖10為本發明的測試裝置的其中一實施例的示意圖。
100:測試裝置
10:電路板
20:晶片承載座
21:探針座
211:探針孔
22:限位框體
23:第一探針
24:第二探針
30:高頻訊號傳輸件
301:外側面
40:高頻訊號連接器
50:測試機台
200:量測設備
P:晶片容置槽
H1:垂直距離
H2:垂直距離
H3:高度
H4:高度
Claims (9)
- 一種測試裝置,其包含:一電路板,其固定設置於一測試機台;一晶片承載座,其固定設置於所述電路板,所述晶片承載座包含多個第一探針及多個第二探針;所述晶片承載座用以承載一待測晶片;多個所述第一探針用以傳輸頻率低於10kHz的低頻訊號,多個所述第二探針用以傳遞頻率高於1MHz的高頻訊號;其中,所述測試機台能通過所述電路板及所述晶片承載座而傳遞測試訊號及電力給所述晶片承載座所承載的所述待測晶片;一高頻訊號傳輸件,其連接多個所述第二探針,且所述高頻訊號傳輸件的一部分外露於所述晶片承載座外;一高頻訊號連接器,其與設置於所述晶片承載座外的所述高頻訊號傳輸件電性連接,且所述高頻訊號連接器用以與一量測設備電性連接;其中,所述待測晶片接收所述測試機台所傳遞的測試訊號後,所述待測晶片所回傳的低頻訊號將通過多個所述第一探針傳遞,且所述待測晶片所回傳的高頻訊號將通過多個所述第二探針、所述高頻訊號傳輸件及所述高頻訊號連接器,傳遞至所述量測設備;其中,所述高頻訊號傳輸件為一軟板,所述高頻訊號傳輸件彼此相反的兩個寬側面分別定義為一外側面及一內側面;所述高頻訊號傳輸件具有多個第一連接部、多個第二連接部及多個第三連接部,多個所述第一連接部及多個第三連接部設置於所述高頻訊號傳輸件的所述外側面,多個所述第二連接部設置於所述高頻訊號傳輸件的所述內側面;多個所述第一連接部與多個所述第三連接 部透過多個金屬導線電性連接;多個所述第三連接部與多個所述第二連接部電性連接;多個所述第一連接部用以與所述高頻訊號連接器電性連接;多個所述第二連接部用以與多個所述第二探針電性連接;多個所述第三連接部用以與所述待測晶片的接觸部相接觸。
- 如請求項1所述的測試裝置,其中,所述晶片承載座包含一探針座及一限位框體,所述探針座內設置有多個所述第一探針及多個所述第二探針,所述探針座固定設置於所述電路板,所述限位框體固定設置於所述探針座的周圍;所述限位框體相反於所述電路板的端面與所述電路板的垂直距離,高於所述探針座相反於所述電路板的端面與所述電路板的垂直距離,而所述限位框體與所述探針座共同形成一晶片容置槽,所述晶片容置槽用以容置所述待測晶片;所述高頻訊號傳輸件的一部分露出於所述晶片容置槽中,而所述待測晶片設置於所述晶片容置槽中時,所述待測晶片將能抵壓位於所述晶片容置槽中的所述高頻訊號傳輸件,被所述待測晶片抵壓的所述高頻訊號傳輸件的多個所述第二連接部將對應與多個所述第二探針相接觸。
- 如請求項2所述的測試裝置,其中,所述探針座包含有多個探針孔,多個所述第一探針及多個所述第二探針對應設置於多個所述探針孔中,且各個所述第一探針凸出於相對應的所述探針孔的高度,高於各個所述第二探針凸出於相對應的所述探針孔的高度。
- 如請求項3所述的測試裝置,其中,所述晶片容置槽中設置有所述待測晶片時,受所述待測晶片抵壓的多個所述第一探針的一端與受所述待測晶片抵壓的所述高頻訊號傳輸 件齊平。
- 如請求項4所述的測試裝置,其中,各個所述第一探針凸出於相對應的所述探針孔的高度與各個所述第二探針凸出於相對應的所述探針孔的高度差,等於所述高頻訊號傳輸件露出於所述晶片容置槽中的部分的厚度。
- 如請求項1所述的測試裝置,其中,所述晶片承載座包含一探針座及一限位框體,所述探針座固定設置於所述電路板,所述探針座包含多個探針孔,且所述探針座設置有多個所述第一探針及多個所述第二探針;所述限位框體固定設置於所述探針座的周圍;所述限位框體相反於所述電路板的端面與所述電路板的垂直距離高於所述探針座相反於所述電路板的端面與所述電路板的垂直距離,而所述限位框體與所述探針座共同形成一晶片容置槽,所述晶片容置槽用以容置所述待測晶片;所述限位框體具有一框體穿孔,所述框體穿孔貫穿所述限位框體,所述框體穿孔鄰近於多個所述第二探針凸出於相對應的多個所述探針孔的位置,而所述高頻訊號傳輸件的一部分是穿設於所述框體穿孔。
- 如請求項1所述的測試裝置,其中,所述晶片承載座包含有一蓋體及一底座,所述蓋體與所述底座透過一樞接結構相互樞接,所述蓋體能受外力作用而相對於所述底座旋轉;所述底座具有多個探針孔,多個所述第一探針及多個所述第二探針設置於多個所述探針孔中,所述底座還具有一晶片容置槽,所述晶片容置槽用以容置所述待測晶片;所述蓋體設置有一無線訊號接收器,所述無線訊號接收器通過至少一電連接線與外部的無線訊號量測裝置電性連 接;所述晶片容置槽設置有所述待測晶片,且所述蓋體對應蓋設於所述晶片容置槽上方時,所述無線訊號接收器將對應位於所述待測晶片的上方,而所述無線訊號接收器能接收所述待測晶片所發出的無線訊號。
- 如請求項1所述的測試裝置,其中,所述晶片承載座包含有一蓋體及一底座,所述蓋體與所述底座之間設置有一滑動機構,而所述蓋體能受外力作用,而透過所述滑動機構向遠離或是靠近所述底座的方向移動;所述底座具有多個探針孔,多個所述第一探針及多個所述第二探針設置於多個所述探針孔中,所述底座還具有一晶片容置槽,所述晶片容置槽用以容置所述待測晶片;所述蓋體設置有一無線訊號接收器,所述無線訊號接收器通過至少一電連接線與外部的無線訊號量測裝置電性連接;所述晶片容置槽設置有所述待測晶片,且所述蓋體對應蓋設於所述晶片容置槽上方時,所述無線訊號接收器將對應位於所述待測晶片的上方,而所述無線訊號接收器能接收所述待測晶片所發出的無線訊號。
- 如請求項8所述的測試裝置,其中,所述蓋體具有一第一電性連接結構,所述底座對應具有一第二電性連接結構,所述蓋體固定於所述底座時,所述第一電性連接結構能與所述第二電性連接結構相互連接,而所述無線接收器能據以通過所述第一電性連接結構及所述第二電性連接結構與外部的無線訊號量測裝置電性連接。
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