TWI699628B - 用於使用影像平面偵測技術測量所關注參數的方法及裝置 - Google Patents
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Abstract
本文中描述一種檢測裝置、一種方法,及一種與其相關聯之系統。在一非限制性實施例中,一種檢測裝置包括一光學系統及一成像系統。該光學系統可經組態以輸出入射於包括一或多個特徵之一目標上之一照明光束,且該照明光束在入射於該目標上時以一第一偏振而偏振。該成像系統可經組態以:獲得表示由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分之強度資料,其中該照明光束之該部分具有正交於該第一偏振之一第二偏振;基於該強度資料產生表示該(該等)特徵中之每一者之一影像的影像資料;及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該(該等)特徵相關聯的一所關注參數之一測量值。
Description
本發明係關於用於可用於(例如)藉由微影技術進行器件製造之度量衡方法及裝置,且係關於使用微影技術來製造器件之方法。特定言之,本發明係關於用於使用影像平面偵測技術測量所關注參數的方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下,圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言,單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
在微影程序中,需要頻繁地進行所產生結構之測量,諸如以用於程序控制及驗證。用於進行此等測量之各種工具為吾人所知,包括常常用以測量臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡,及用以測量疊對(器件中兩個層之對準準確度)之特殊化工具。CD及疊對為兩個例示性所關注參
數,亦在本文中可互換地被稱作所關注屬性,其可使用先前所提及測量工具中之一些來測量。近來,已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等工具或器件將輻射光束導向至目標上且測量可與一或多個所關注參數相關聯的散射輻射之一或多個屬性。舉例而言,依據波長而變化的在單一反射角下之強度;依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度;或依據反射角而變化的偏振可用以獲得可供判定目標之所關注參數之繞射「光譜」。
已知散射計之實例包括共同讓渡之美國專利申請公開案第2006/0033921號及第2010/0201963號中所描述的類型之角度解析散射計,該等公開案之全部揭示內容係以引用方式併入本文中。由此類散射計使用之目標為相對較大(例如,40微米乘40微米)光柵,且測量光束產生小於光柵之光點(亦即,光柵填充不足)。除了藉由重建構進行特徵形狀之測量以外,亦可使用如共同讓渡之美國專利申請公開案第2006/0066855號中所描述之此裝置來測量以繞射為基礎之疊對,該公開案之全部揭示內容係以引用方式併入本文中。使用繞射階之暗場成像進行的以繞射為基礎之疊對度量衡使得能夠對較小目標之疊對及其他參數進行測量。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。藉由影像平面中之暗場偵測,可有效地將自鄰近產品結構導出之強度與自疊對目標導出之強度分離。
可在共同讓渡之美國專利申請公開案第2010/0328655號及第2011/0069292號中找到暗場成像度量衡之實例,該等公開案之全部揭示內容係特此以引用方式併入。共同讓渡之美國專利申請公開案第2011/0027704號、第2011/0043791號、第2011/0102753號、第
2012/0044470號、第2012/0123581號、第2012/0242970號、第2013/0258310號及第2013/0271740號中以及國際公開案第WO 2013/178422號中已描述了該技術之進一步開發,該等公開案之全部揭示內容各自係以引用方式併入本文中。通常,在此等方法中,需要測量作為目標結構之屬性之不對稱性。目標可經設計使得不對稱性之測量可用以獲得各種所關注參數之測量,諸如且非限制性地,疊對、聚焦及/或劑量。藉由使用散射計偵測繞射光譜之相對部分之間的強度差來測量結構之不對稱性。舉例而言,可比較+1繞射階與-1繞射階之強度以獲得不對稱性之量度。
在此等已知技術中,使用適當照明模式及影像偵測模式以自目標內之週期性結構(光柵)獲得+1及-1繞射階。可在單獨的光瞳影像或暗場影像中捕捉每一繞射階,或技術可用以捕捉單一光瞳影像或暗場影像之不同部分中的+1階及-1階兩者,從而減少與每一測量相關聯之時間損失。在暗場成像技術中,可同時成像包含多個光柵之複合目標,以允許自在不同定向上之以不同方式偏置的光柵同時捕捉繞射階。另外使用如上文所提及之共同讓渡之美國專利申請公開案第2011/0102753號中所描述的若干光楔元件,亦有可能在暗場成像中捕捉單一影像中之一或多個光柵之+1階及-1階兩者。使用繞射光譜之每一部分之目標的影像在影像感測器上呈現為空間上分離。此進一步減少與所關注參數之每一測量相關聯的時間損失。
在許多狀況下,所獲得之不對稱性信號係取決於關於程序變數之未知範圍,而不僅是所關注效能參數之效能。為了改良所關注參數之測量準確度,需要能夠利用暗場影像結果以測量共偏振光的方法及裝
置。
下文中參看隨附圖式來詳細地描述本發明之特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意,本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示,額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
在一態樣中,提供一種包括一光學系統及一成像系統之檢測裝置。該光學系統可經組態以輸出入射於包括一或多個特徵之一目標上之一照明光束。該照明光束可經組態為在入射於該目標上時包括一第一偏振。該成像系統可經組態以獲得表示由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分之強度資料,其中該照明光束之該部分包括正交於該第一偏振之一第二偏振。該成像系統可經進一步組態以基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料,且基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數之一測量值。
在另一態樣中,提供一種方法。該方法可包括:輸出來自一光學系統之一照明光束以向包含一或多個特徵之一目標入射;使用一第一濾光器組件向該照明光束施加一第一偏振;使用一第二濾光器組件向自該一或多個特徵散射的該照明光束之至少一部分施加一第二偏振,其中該第二濾光器組件定位成正交於該第一濾光器組件;藉由一成像系統獲得表示該照明光束之至少該部分之強度資料;基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料;及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數之一
測量值。
在又另一態樣中,揭示一種系統。該系統可包括一光學系統、一第一濾光器組件、一目標及一第二濾光器組件。該光學系統可經組態以輸出一照明光束。該第一濾光器組件可經組態以接收該照明光束且對該照明光束施加一第一偏振,使得該照明光束在傳遞通過該第一濾光器組件之後以該第一偏振而偏振。該目標可包括一或多個特徵,其中具有該第一偏振之該照明光束入射於該目標上,且由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分包括正交於該第一偏振之一第二偏振。該第二濾光器組件可經組態以接收包括該第二偏振之該照明光束之該部分,其中該第二濾光器組件經組態以對該照明光束之該部分施加一第二偏振,使得在傳遞通過該第二濾光器組件之後,該照明光束之一剩餘部分係與具有該第二偏振的該照明光束之剩餘部分之一量相關聯,且表示與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數。
0:零階射線/繞射射線
+1:一階射線/繞射射線
-1:一階射線/繞射射線
0a:零階射線
0b:零階射線
11:輻射源
11a:光纖
11-1:窄頻帶輻射源/第一輻射源
11-2:窄頻帶輻射源/第二輻射源
12:照明系統
12a:準直透鏡系統
12b:彩色濾光片
12c:偏振器
13:孔徑器件
15:部分反射表面
16:顯微鏡物鏡/透鏡
18:光瞳成像光學系統
19:光瞳影像感測器/光瞳影像偵測器
20:成像系統/影像系統
21:離軸孔徑光闌
22:離軸稜鏡
23:感測器
30a:照明射線
30b:照明射線
100:微影裝置LA/微影工具
102:測量站MEA
104:曝光站EXP
106:微影裝置控制單元LACU
108:塗佈裝置
110:烘烤裝置
112:顯影裝置
120:經圖案化基板
122:處理裝置
124:處理裝置
126:處理裝置/步驟
130:基板
132:經處理基板
134:經處理基板
140:度量衡裝置
142:度量衡結果
200:光學系統
300:第一濾光器/經分段波長選擇性濾光器
300-1:第一濾光器之第一部分
300-2:第一濾光器之第二部分
302:照明射線
302':照明射線
302":零階反射射線
302X:一階繞射輻射
302Y:繞射射線
304:照明射線
304':照明射線
304":零階反射射線
304X:繞射射線
304Y:繞射射線
310:第二濾光器/經分段波長選擇性濾光器
310-1:第二濾光器之第一部分
310-2:第二濾光器之第二部分
320:第一對稱線
322:第二對稱線
400:檢測裝置
402:源
404a:反射組件
404b:反射組件
404c:反射組件
404d:反射組件
406a:透鏡
406b:透鏡
406c:透鏡
406d:透鏡
406e:透鏡
406f:透鏡
406g:透鏡
408a:場平面
408b:場平面
408c:場平面
410a:第一濾光器組件
410b:第二濾光器組件
410c:濾光器組件
412:光束分裂器
414:成像器件
416:楔元件
416a:四分之一楔
416b:四分之一楔
416c:四分之一楔
416d:四分之一楔
550:情境
600a:第一半
600b:第二半
650a:第一半
650b:第二半
700a:第一區段
700b:第二區段
700c:第三區段
700d:第四區段
750a:第一區段
750b:第二區段
750c:第三區段
750d:第四區段
800:影像
850:情境
900:情境
902:特徵
904:特徵
1000:程序
1002:步驟
1004:步驟
1006:步驟
1008:步驟
1010:步驟
1012:步驟
1100:電腦系統
1102:匯流排
1104:處理器
1105:處理器
1106:主記憶體
1108:唯讀記憶體(ROM)
1110:儲存器件
1112:顯示器
1114:輸入器件
1116:游標控制件
1118:通信介面
1120:網路鏈路
1122:區域網路
1124:主機電腦
1126:網際網路服務提供者(ISP)
1128:網際網路
1140:伺服器
CP:收集路徑
I:入射角/入射射線
IP:照明路徑
L1:第一層
L2:第二層
MA:圖案化器件/倍縮光罩
O:光軸
OV:疊對
PU:影像處理器及控制器
R:配方資訊
S:光點
SCS:監督控制系統
T:目標光柵結構/度量衡目標/目標光柵/度量衡目標光柵
T':影像
T'(+1a):影像
T'(-1b):影像
W:基板
β:角度
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例,在該等圖式中:圖1描繪根據各種實施例的微影裝置以及形成用於半導體器件之生產設施之其他裝置;圖2之a及圖2之b分別示意性地說明根據各種實施例的適用於執行角度解析散射測量及暗場成像檢測方法之檢測裝置,及根據各種實施例的由該裝置中之目標光柵對入射輻射之繞射的放大細節;圖3示意性地說明根據各種實施例的用於圖2之裝置中之一對波長選擇性濾光器,其中具有對零階及高階繞射輻射之疊置說明;
圖4為根據各種實施例的例示性檢測裝置之說明圖;圖5a及圖5b為根據各種實施例的在圖4之例示性檢測裝置內所使用之楔元件的說明圖;圖6a及圖6b為根據各種實施例的在圖4之例示性微影裝置內所使用之兩個例示性濾光器組件的說明圖;圖7a及圖7b為根據各種實施例的在圖4之例示性微影裝置內所使用之另外兩個例示性濾光器組件的說明圖;圖8a為根據各種實施例的表示使用圖4之檢測裝置所測量之所關注參數的影像之說明圖;圖8b為根據各種實施例的粒子在傳遞通過濾光器組件之後由楔元件偏移之例示性路徑的說明圖;圖9為根據各種實施例的基板之兩個層之間的疊對之說明圖;圖10為根據各種實施例的用於結合用以測量所關注參數之檢測裝置來應用兩階段濾光技術之例示性程序的說明性流程圖;及圖11為根據各種實施例的例示性計算系統之說明圖。
在詳細地描述本發明之實施例之前,有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1描繪根據各種實施例的微影裝置以及形成用於半導體器件之生產設施之其他裝置。圖1在100處將微影裝置LA展示為實施大容量微影製造程序之工業設施之部分。在本實例中,製造程序適用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭
解,可藉由以此程序之變體處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產純粹用作現今具有巨大商業意義之實例。
在微影裝置(lithographic apparatus/lithography apparatus)(或簡稱為「微影工具」100)內,測量站MEA展示於102處且曝光站EXP展示於104處。控制單元LACU展示於106處。在此實例中,每一基板造訪測量站及曝光站以被施加圖案。舉例而言,在光學微影裝置中,投影系統用以使用經調節輻射及投影系統而將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此轉印係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像來完成。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統,包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統,或其任何組合。圖案化器件MA可為將圖案賦予至由圖案化器件透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知,投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐件及定位系統合作,以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件來替代具有固定圖案之倍縮光罩。輻射(例如)可包括在深紫外線(DUV)波帶或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於其他類型之微影程序,例如,壓印微影及直寫微影(例如,藉由電子束)。
微影裝置控制單元(「LACU」)控制各種致動器及感測器之移動及測量,從而致使裝置LA收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括用以實施與裝置之操作相關之所要計算的信號處理及
資料處理能力。實務上,控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統,每一子單元處置裝置內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。
在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前,在測量站MEA處處理基板使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度,及使用對準感測器來測量基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而,歸因於產生標記時之不準確度且亦歸因於基板之貫穿其處理而發生的變形,標記偏離理想柵格。因此,在裝置應以極高準確度在正確部位處印刷產品特徵的情況下,除了測量基板之位置及定向以外,對準感測器實務上亦必須詳細地測量橫越基板區域之許多標記之位置。裝置可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型,每一基板台具有受到控制單元LACU控制之一定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時,可在測量站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上,使得可進行各種預備步驟。因此,對準標記之測量極耗時,且提供兩個基板台會實現裝置之產出率之相當大的增加。若在基板台處於測量站處以及處於曝光站處時位置感測器IF不能夠測量基板台之位置,則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。微影裝置LA(例如)屬於所謂的雙載物台類型,其具有兩個基板台WTa及WTb以及兩個站-曝光站及測量站,在該兩個站之間可交換基板台。
在生產設施內,裝置100形成「微影製造單元(litho cell)」或「微影叢集(litho cluster)」之部分,該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈裝置108以用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供裝置100圖案化。在裝置100之輸出側處,提供烘烤裝置110及顯影裝
置112以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等裝置之間,基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台裝置轉移至下一台裝置。常常被集體地稱作「塗佈顯影系統(track)」之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元之控制下,塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制,監督控制系統SCS亦經由微影裝置控制單元LACU而控制微影裝置。因此,不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R,配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。
一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案,就將經圖案化基板120轉移至諸如在122、124、126處所說明之其他處理裝置。各種裝置在典型製造設施中實施廣泛範圍之處理步驟。出於實例起見,此實施例中之裝置122為蝕刻站,且裝置124執行蝕刻後退火步驟。在另外裝置126等中應用另外物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作以製造實際器件,諸如材料沈積、表面材料特性改質(氧化、摻雜、離子植入等等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上,裝置126可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。
眾所周知,半導體器件之製造涉及此處理之許多重複,以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此,到達微影叢集之基板130可為新近製備之基板,或其可為先前已在此叢集中或完全地在另一裝置中被處理之基板。相似地,取決於所需處理,基板132在離開裝置126時可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作,其可經預定以用於不同叢集中之圖案化操作,或其可為待發送以用於切塊及封裝之成品。
產品結構之每一層需要不同程序步驟集合,且在每一層處所使用之裝置126可在類型方面完全不同。另外,即使在待由裝置126應用之處理步驟標稱地相同的情況下,在大設施中亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟126之若干假設相同機器。此等機器之間的小設置差異或疵點可意謂其以不同方式影響不同基板。即使對於每一層相對而言為共同的步驟,諸如蝕刻(裝置122)亦可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻裝置來實施。此外,實務上,不同層根據待蝕刻之材料的細節需要不同蝕刻程序,例如化學蝕刻、電漿蝕刻,且需要特定要求,諸如各向異性蝕刻。
可在如剛才所提及之其他微影裝置中執行先前及/或後續程序,且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續程序。舉例而言,器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更先進微影工具中予以執行。因此,一些層可曝光於浸潤類型微影工具中,而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中,而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板,需要檢測經曝光基板以測量彼等基板之屬性,諸如各種所關注參數。各種類型之所關注參數可包括但不限於:後續層之間的疊對誤差、線厚度、劑量及臨界尺寸(「CD」)。因此,經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET,度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統(SCS)138。若偵測到誤差,則可對後續基板之曝光進行調整,尤其是在可足夠
迅速地且快速地完成度量衡以使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又,已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率,或被捨棄,藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷的狀況下,可僅對被認為「良好的」或無缺陷的彼等目標部分執行進一步曝光。
圖1亦展示度量衡裝置140,其經提供以用於在製造程序中之所要階段進行產品之參數的測量。現代微影生產設施中之度量衡裝置之常見實例為散射計,例如角度解析散射計或光譜散射計,且其可經應用以在裝置122中之蝕刻之前測量在120處之經顯影基板之屬性。使用度量衡裝置140,可判定出例如諸如疊對及/或CD之重要的所關注參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前,存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板120的機會。亦眾所周知,藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 106隨著時間推移進行小幅度調整,可使用來自裝置140之度量衡結果142以維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能,藉此最小化製得不合格產品且需要重工之風險。當然,度量衡裝置140及/或其他度量衡裝置(圖中未繪示)可經應用以測量經處理基板132、134及傳入基板130之屬性。
圖2之a及圖2之b分別示意性地說明根據各種實施例的適用於執行角度解析散射測量及暗場成像檢測方法之檢測裝置,及根據各種實施例的由該裝置中之目標光柵對入射輻射之繞射的放大細節。圖2之(a)示意性地展示實施所謂的暗場成像度量衡之檢測裝置之元件。該裝置可為單機器件或併入微影裝置LA(例如在測量站處)或微影製造單元LC中,如上
文參看圖1所描述。點線O表示貫穿裝置具有若干分支之光軸。圖2之(b)中更詳細地說明目標光柵結構T及繞射射線。
如引言中所引用之先前申請案中所描述,圖2之(a)之暗場成像裝置可為可代替光譜散射計或除光譜散射計以外加以使用之多用途角度解析散射計之部分。在一些實施例中,檢測裝置可包括光學系統200。光學系統200可包括能夠發射輻射之輻射源11,該輻射可由照明系統12改良。舉例而言,照明系統12可包括準直透鏡系統12a、彩色濾光片12b、偏振器12c及孔徑器件13。在此特定情境下,光學系統200之輸出可為具有特定波長(例如400奈米)之照明光束,然而,照明光束之特性可根據待獲取之測量予以調整。經調節輻射遵循照明路徑IP,在照明路徑IP中,經調節輻射係由部分反射表面15反射且經由顯微鏡物鏡16聚焦至基板W上之光點S中。度量衡目標T可形成於基板W上。在一項實施例中,透鏡16具有高數值孔徑(NA),較佳為至少0.9且更佳為至少0.95。可視需要使用浸潤流體以獲得大於1之數值孔徑。
在此實例中,物鏡16亦用以收集已由目標T散射之輻射。示意性地,展示用於此返回輻射之收集路徑CP。多用途散射計可在收集路徑中具有兩個或多於兩個測量分支。所說明實例包括光瞳成像分支,其包含光瞳成像光學系統18及光瞳影像感測器19。亦展示成像分支,下文將更詳細地描述該成像分支。此外,額外光學系統及分支可包括於實務裝置中,例如以收集參考輻射以用於強度正規化、用於捕捉目標之粗略成像、用於聚焦等等。可在上文所提及之先前公開案中發現此等光學系統及分支之細節。
在度量衡目標T提供於基板W上的情況下,此可為1-D光
柵,其經印刷使得在顯影之後,長條可由固體抗蝕劑線形成。目標T可為2-D光柵,其可經印刷使得在顯影之後,光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱及/或通孔可替代地經蝕刻至基板中。此等光柵中之每一者為可使用檢測裝置研究屬性(例如所關注參數)的目標結構之實例。舉例而言,在光柵之狀況下,結構為週期性的。
光學系統200,且尤其是照明系統12的各種組件可為可調整的,以在同一裝置內實施不同度量衡「配方」。除了選擇波長(顏色)及偏振作為照明輻射之特性以外,光學系統200及/或照明系統12亦可經調整以實施不同照明輪廓。孔徑器件13之平面與物鏡16之光瞳平面及光瞳影像偵測器19之平面共軛。因此,由孔徑器件13界定之照明輪廓界定入射於基板W上、光點S中之光的角度分佈。為了實施不同照明輪廓,孔徑器件13可提供於照明路徑中。孔徑器件13可包含安裝於可移動滑桿或輪上之不同孔徑。其可替代地包含可程式化空間光調變器。作為另一替代方案,光纖可安置於照明光瞳平面中之不同部位處,且可選擇性地用以在其各別部位處遞送光或不遞送光。此等變體皆在上文所引用之文件中加以論述及例示。
取決於照明模式,光學系統200可致使實例射線30a可經輸出使得入射角如圖2之(b)中之「I」所展示。由目標T反射之零階射線之路徑被標註為「0」(不應與光軸「O」混淆)。相似地,在同一照明模式中或在第二照明模式中,可由光學系統200輸出射線30b,在此狀況下,與第一模式進行比較,將調換入射角及反射角。舉例而言,在圖2之(a)中,第一及第二實例照明模式之零階射線分別被標註為0a及0b。
如圖2之(b)中更詳細地展示,作為目標結構之實例的目標
光柵T經置放使得基板W垂直於物鏡16之光軸O。在離軸照明輪廓之狀況下,與軸線O成一角度而照射於光柵T上的照明I之射線30a引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。應記住,在運用填充過度的小目標光柵之情況下,此等射線僅為覆蓋包括度量衡目標光柵T及其他特徵之基板之區域的許多平行射線中之一者。由於包括例如照明射線30a之照明光束具有有限寬度(為接納有用量之光所必需),故入射射線I事實上將佔據一角度範圍,且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function),每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈,而非如所展示之單一理想射線。
在用於暗場成像之收集路徑之分支中,成像系統20(其亦可被互換地稱作成像系統20)可在感測器23(例如CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像T'。孔徑光闌21可提供於收集路徑CP之成像分支中之平面中,該平面與物鏡16之光瞳平面共軛。孔徑光闌21亦可被稱為光瞳光闌。孔徑光闌21可採取不同形式,正如照明孔徑可採取不同形式一樣。與透鏡16之有效孔徑組合的孔徑光闌21判定使用散射輻射之何部分會於感測器23上產生影像。通常,孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束,使得形成於感測器23上之目標之影像僅自一階光束形成。在一階光束兩者經組合以形成影像之實例中,此影像將為所謂的暗場影像,其等效於暗場顯微法。
將由影像系統20之感測器23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU,影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之測量之特定類型。在一項實施例中,成像系統20可包括影像處理器及控制器PU,然而,在一些實施例中,影像處理器及控制器PU可與成像系統20分
離且與成像系統20通信。出於本目的,執行對目標結構之不對稱性的測量。可將不對稱性測量與目標結構之知識組合以獲得用以形成該等目標結構之微影程序之效能參數(例如所關注參數)的測量。可以此方式測量之所關注參數包括例如疊對、聚焦、CD及劑量。提供目標之特殊設計以允許經由同一不對稱性測量方法對此等不同所關注參數進行測量。
再次參看圖2(b)及照明射線30a,來自目標光柵之+1階繞射射線可進入物鏡16且可促成在感測器23處記錄之影像。射線30b以與射線30a相對之角度入射,且因此,-1階繞射射線進入接物鏡且促成該影像。孔徑光闌21可經組態以在使用離軸照明時阻擋零階輻射。如在上文所提及之先前公開案中所描述,可運用在X方向及Y方向上之離軸照明界定照明模式。
藉由比較在此等不同照明模式下之目標光柵之影像,可獲得不對稱性測量。替代地,可藉由保持同一照明模式但旋轉目標來獲得不對稱性測量。雖然展示離軸照明,但可替代地使用目標之同軸照明,且可使用經修改之離軸孔徑光闌21以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在另一實例中,可結合同軸照明模式來使用一對離軸稜鏡22。此等稜鏡(在本文中亦被稱作楔元件)具有使繞射射線(例如+1及-1階)轉向至感測器23上之不同部位使得可在無需兩個順序影像捕捉步驟的情況下偵測及比較該等繞射射線的效應。在圖2之(a)中,舉例而言,使用來自照明射線30a之+1階繞射得到之影像T'(+1a)係與使用來自照明射線30b之-1階繞射得到之影像T'(-1b)空間上分離。上文所提及之共同讓渡之美國專利申請公開案第2011/0102753號中揭示了此技術,該公開案之內容特此係以引用方式併入。代替一階光束或除了一階光束以外,亦可將二階(「2」)、三
階(「3」)及高階光束(圖2之a及圖2之b中未繪示)用於測量中。作為另一變化,可使離軸照明模式保持恆定,而使目標自身在物鏡16下方旋轉180度以使用相對繞射階來捕捉影像。
雖然說明了習知的以透鏡為基礎之成像系統,但本文中所揭示之技術可同樣適用於全光攝影機,且亦適用於所謂的「無透鏡」或「數位」成像系統。因此,存在關於用於繞射輻射之處理系統之哪些部分經實施於光學域中且哪些部分經實施於電子域及軟體域中之大的設計選擇度。
圖3示意性地說明根據各種實施例的用於圖2之a及圖2之b之裝置中之一對波長選擇性濾光器,其中具有對零階及高階繞射輻射之疊置說明。圖3說明使用經分段波長選擇性濾光器以允許在兩個波長下於圖2之(a)之裝置中同時捕捉繞射光譜。可使用第一濾光器300來代替光學系統200中之孔徑器件13。第一濾光器300包含具有在光學波長光譜中之一或多個第一通帶之第一部分300-1及具有一或多個第二通帶之第二部分300-2。舉例而言,可藉由將具有不同特性之兩個濾光器切割成區段且以所要配置將其膠合在一起來製造此濾光器。
可使用第二濾光器310來代替孔徑光闌21。濾光器310可在形式上與濾光器300極相似,濾光器310具有透射在第一波長範圍內之輻射而阻擋在第二波長範圍內之輻射的第一部分310-1,且具有透射在第二波長範圍內之輻射而阻擋在第一波長範圍內之輻射的第二部分310-2。
圖3中說明傳遞通過濾光器300之兩個實例照明射線302及304。在一項實施例中,照明射線302及304可對應於由光學系統200輸出
之照明光束之一部分。在第二濾光器310之圖式上指示對應位置302'及304'。在說明性實施例中,第二濾光器310經配置使得其第一部分310-1相對於傳遞通過濾光器之中心之光軸O處於與第一濾光器300之第二部分300-2完全相對之光瞳平面的部分中。相似地,在說明性實施例中,第二濾光器310之第二部分310-2處於與第一濾光器300之第一部分300-1完全相對之光瞳平面的部分中。來自照明射線302、304之零階反射射線到達第二濾光器310上之位置302"及304"。不管傳遞通過濾光器300之第一部分之照明射線的角度位置如何,對應零階反射射線將被濾光器310之第二部分阻擋。相似地,不管傳遞通過濾光器300之第二部分之照明射線的角度位置如何,其將被濾光器310之第一部分阻擋。
現在考慮由目標T(圖2之b)散射之一階繞射輻射302X指示在遇到在X方向上為週期性的光柵結構後即自照明光束之照明射線302繞射的射線之位置。相似地,302Y指示在遇到在Y方向上為週期性的光柵結構後即自照明射線302繞射之射線之位置。另外,304X及304Y指示自照明射線304繞射之射線。此等繞射射線中之每一者落在具有與照明射線在第一濾光器300中傳遞通過之部分大體上相同的波長特性(例如波長之間的差小於5%)之第二濾光器310之一部分上。因此,在散射計之收集光學系統中,可同時透射具有不同波長之射線,從而傳遞高階繞射射線,且同時阻擋針對所有波長及角度位置之零階反射射線。
將看到,相對於收集光學系統之光軸,每一經分段波長選擇性濾光器300、310使第一部分經定位成彼此完全相對。相對於橫向於目標結構之第一週期性方向(例如,X方向或Y方向)的第一對稱線320,每一經分段波長選擇性濾光器300、310使第一部分與第二部分對稱地相
對。亦相對於橫向於該結構之第二週期性方向的第二對稱線322,經分段波長選擇性濾光器再次使第一部分與第二部分對稱地相對。
圖3中所說明之濾光器之特定分段係基於上文所提及之共同讓渡之美國專利申請公開案第2010/0201963號中更詳細地描述之經分段照明孔徑。然而,代替僅具有透射及不透明部分,本發明之經分段波長選擇性濾光器具有具備互補透射光譜之第一部分及第二部分。藉由運用適當定向將此第二濾光器配置於收集路徑CP中,可針對兩個波長同時獲得已知經分段孔徑之益處。視需要可應用分段之其他配置。舉例而言,對於一些應用,可足以製造兩個半部之濾光器。
可將波長選擇性濾光器分別地安裝,與習知孔徑器件及/或場光闌串聯,而非提供波長選擇性濾光器來代替孔徑光闌及/或光瞳光闌。舉例而言,彩色濾光片12b係另一可能的部位。
再次參看圖2之a,在說明性實施例中,光學系統200之輻射源11可由一對窄頻帶輻射源11-1及11-2及共同遞送系統(諸如光纖11a)來實施。雖然輻射源11-1及11-2以及光纖11a被展示為在光學系統200之外部,但一般熟習此項技術者將認識到,此僅僅係例示性的,且在一些實施例中,光學系統200包括輻射源11-1及11-2以及光纖11a中之一或多者。在此實例中,可將第一輻射源11-1調諧為在至少第一波長範圍內之一波長範圍,而可將第二輻射源11-2調諧為在至少第二波長範圍內之一波長範圍。
一般而言,存在可使用度量衡工具來測量與目標之一或多個特徵相關聯的所關注參數(諸如疊對)所運用之各種方式。舉例而言,如為一般熟習此項技術者所知,可在影像模式或光瞳模式中測量所關注參數。
圖4為根據各種實施例的例示性檢測裝置之說明圖。在非限制性實施例中,可對應於圖1之微影裝置LA之一或多個部分/組件的檢測裝置400可包括光學系統200,諸如圖2之(a)之光學系統200。在說明性非限制性實施例中,光學系統200包括源402,該源可充當用於輸出照明光束之機構。舉例而言,源402可產生照明光束,該照明光束可由光學系統200發射。如本文中所描述,照明光束亦可被可被互換地稱作「光」、「輻射」及/或「輻射光束」。作為一說明性實例,源402可對應於光纖或其他照明源,其可為直徑為大致400微米的點源。然而,一般熟習此項技術者將認識到,此僅僅係例示性的。此外,雖然光學系統200為被展示為包括透鏡12a至12c或孔徑13,但此僅僅出於簡單起見。
檢測裝置400亦可包括處於各種部位且以各種定向配置的反射組件404a至404d。反射組件404a至404d可經組態以致使由源402產生的由光學系統200發射之照明光束將在特定方向上定向,且因此與裝置400之各種額外組件相互作用。舉例而言,反射組件404a可接收由光學系統200輸出之照明光束,且可使該照明光束待以最小吸收率(例如小於5%的吸收率)自入射角重導向至反射角。在一些實施例中,反射組件404a至404d可經設計為使光待相對於入射角以90度角反射,然而,此僅僅係說明性的。
檢測裝置400亦可包括透鏡406a至406g,其在本文中被集體地稱作例如透鏡406。每一透鏡406經組態以聚焦光以使其之直徑大於、等於或小於在自源402發射時之光的初始直徑。舉例而言,透鏡406a可具有10公尺焦距。在一些實施例中,透鏡406a至406g中之每一者可具有大體上相似的焦距,然而,此並非必需的。
在自反射組件404a反射且傳遞通過透鏡406a之後,照明光束可接著自反射組件404b反射、傳遞通過透鏡406b,且自反射組件404c反射。照明光束在自反射組件404c反射之後到達場平面408a。場平面408a可表示源402之確切影像。在一項實施例中,場平面408a可對應於能夠用以選擇向目標T入射之光束之大小的孔徑。場平面408a可允許成像器件(例如光瞳影像偵測器19)獲得照明光束在傳遞通過場平面408a之前或之後的影像。在傳遞通過場平面408a之後,照明光束可進一步傳遞通過另一透鏡406c,該透鏡產生第一光瞳平面,其中可置放濾光器組件。舉例而言,如圖4中所見,照明光束在傳遞通過透鏡406c之後可經導向至第一濾光器組件410a。
下文更詳細描述的第一濾光器組件410a可經組態以將第一濾光組態應用至照明光束而以第一方式對光進行濾光。舉例而言,第一濾光器組件410a可經組態以藉由將第一偏振組態應用至照明光束而使傳遞通過之光偏振。在一些實施例中,亦可在照明入射於第一濾光器組件410a上之前,在檢測裝置400內包括照明模式選擇器。照明模式選擇器可經組態以判定照明光束在經施加至目標T時將如何被導向。舉例而言,照明模式選擇器可允許選擇照明光束將向目標T入射所成之一特定角度或一組角度。舉例而言,照明模式選擇器可包括一組孔徑,該組孔徑可操作以使照明光束在由照明模式選擇器接收後即以特定入射角向目標T入射。
在一些實施例中,第一濾光器組件410a可包括四個相等大小之區段,其各自具有兩個濾光組態中之一者。舉例而言,第一濾光器組件410a可對應於一偏振孔徑,該偏振孔徑包括:具有第一偏振之第一區段,該第一偏振使光偏振使得傳遞通過第一區段之光具有第一偏振;具有
第二偏振之第二區段,該第二偏振使光偏振使得傳遞通過第二區段之光具有第二偏振;具有第二偏振之第三區段;及具有第一偏振之第四區段。在實例實施例中,第一及第四區段相對於組件410a之中心係點對稱的,且第二及第三區段相對於該中心係點對稱的。然而,如下文進一步詳述,一般熟習此項技術者可認識到,可針對第一濾光器組件410a實施額外濾光技術。此外,在一些實施例中,第一濾光器組件410a可在本文中可被互換地稱作孔徑及/或偏振器。
在傳遞通過第一濾光器組件410a之後,經濾光照明光束(例如偏振照明光束)可傳遞通過光束分裂器412,該光束分裂器經組態以允許照明光束之至少一部分在相同方向上朝向目標T繼續。照明光束可在到達另一濾光器組件410c之前傳遞通過另一透鏡406f、額外場平面408b,及額外透鏡406d,該額外場平面408b可實質上相似於場平面408a。在傳遞通過濾光器組件410c之後,經濾光照明光束可傳遞通過透鏡406e,在一些實施例中該透鏡可對應於經組態以在目標T(例如晶圓)上產生影像之顯微鏡物鏡。舉例而言,透鏡406e可實質上相似於圖2之(a)之顯微鏡物鏡16。
在說明性實施例中,目標T可包括一或多個特徵(例如遠離目標T之表面向上突出之結構、延伸至目標T中之結構,諸如渠溝,及/或任何其他結構),經濾光照明光束可藉由該一或多個特徵散射。經濾光照明光束可與目標T之各種特徵相互作用,且可朝向透鏡406e散射回。在一些實施例中,在目標T處,經濾光照明光束自第一狀態轉換成第二狀態。舉例而言,照明光束可在傳遞通過第一濾光器組件410a之後經s偏振。在與目標T相互作用後,經s偏振之照明光束即可轉換成經p偏振,如由一般
熟習此項技術者所知。相似地,若照明光束在第一濾光器組件410a處經濾光使得其經p偏振,則在向目標T入射後,照明光束就將轉換成經s偏振。
在自目標T之一或多個特徵散射之後,經轉換之照明光束或其至少一部分可橫穿經濾光照明光束之一些相同的光學件--透鏡406e、濾光器組件410c、透鏡406d、場平面408b及透鏡406f,直至到達光束分裂器412。在光束分裂器412處,經轉換照明光束可在垂直於經轉換照明光束之入射角之方向的方向上經重導向。舉例而言,若經轉換照明光束以0度向光束分裂器412入射,則經反射之經轉換照明光束可以90度行進。
在光束分裂器412之後,第二濾光器組件410b可沿著經反射之經轉換照明光束之路徑而定位且垂直於第一濾光器組件410a而配置。下文更詳細描述之第二濾光器組件410b可實質上相似於第一濾光器組件410a,除了第二濾光器組件410b以與第一濾光器組件410a對入射光進行濾光之方式相對的方式來對入射光進行濾光。舉例而言,若第一濾光器組件410a將第一濾光組態(例如第一偏振方案)應用於入射照明光束(例如照明光束),則第二濾光器組件410b將第二濾光組態(例如第二偏振方案)應用於其入射光(例如經反射之經轉換照明光束)。藉由將正交濾光組態應用至經反射之經轉換照明光束,可消除照明光束之任何對稱分量,且可只保留照明光束之不對稱分量。不對稱分量可表示與所關注參數相關聯的資訊,該所關注參數與一或多個特徵相關聯(例如疊對、CD等)。換言之,如所說明的第一濾光器組件410a及第二濾光器組件410b之組合遮蔽任何經s偏振之光至經s偏振之光,以及任何經p偏振之光至經p偏振之光,從而僅留下經s偏振之光至經p偏振之光及/或經p偏振之光至經s偏振之光。
在一些實施例中,第二濾光器組件410b亦可包括四個相等
大小之區段,其各自具有兩個濾光組態中之一者。舉例而言,第二濾光器組件410b可對應於一偏振孔徑,該偏振孔徑包括:具有第二偏振之第一區段,該第二偏振使光偏振使得傳遞通過第一區段之光具有第二偏振(如上文所描述);具有第一偏振之第二區段,該第一偏振使光偏振使得傳遞通過第二區段之光具有第一偏振(如上文所描述);具有第一偏振之第三區段;及具有第二偏振之第四區段,其中第一及第四區段相對於組件410b之中心係點對稱的,且其中第二及第三區段相對於該中心係點對稱的。在此特定實施例中,第二濾光器組件410b之第一區段具有與第一濾光器組件410a之第一區段之偏振相對的偏振。然而,如下文進一步詳述,一般熟習此項技術者可認識到,可針對第二濾光器組件410b實施額外濾光技術。此外,在一些實施例中,第二濾光器組件410b可在本文中可被互換地稱作孔徑及/或偏振器。
在一些實施例中,可在第二濾光器組件410b之後包括楔元件416。在一項實施例中,楔元件416可經組態及配置使得其與第二濾光器組件410b對準。換言之,傳遞通過第二濾光器組件410b之一個區段的光之一部分將經組態以傳遞通過楔元件416之對應的四分之一楔(例如四分之一楔416a至416d)。如在下文更詳細地描述,楔元件416可經組態以重導向(亦被稱作偏移)傳遞通過第二濾光器組件410b之每一區段且因此傳遞通過楔元件416之對應四分之一楔的照明光束之部分。當由成像系統20之成像器件414看到光時,此有助於在由成像系統20產生的影像資料表示之影像中分離出光。此外,如在圖4內所看到,在楔元件416之後可為反射組件404d及透鏡406g,該反射組件及該透鏡可將共同偏振之照明光束(例如在傳遞通過第二濾光器組件410b之後的經反射之經轉換照明光束)導向
成像器件414。在一些實施例中,成像系統20可包括額外場平面408c,其可經定位成實質上接近於成像器件414以解析光瞳影像。在一些實施例中,成像器件414可為CCD成像攝影機,其可允許呈現與濾光器組件410a及410b之每一濾光區段相關聯的影像。
在一些實施例中,成像系統20可經組態以獲得表示照明光束之至少一部分之強度資料,該照明光束在此特定情境下可對應於經反射之經轉換照明光束。舉例而言,照明光束之不對稱分量(若存在任何不對稱分量)可經導向至成像系統20,且尤其經導向至成像器件414。成像系統20,且尤其成像器件414可經組態以接收表示傳遞通過第二濾光器組件410b之照明光束之一部分的輻射。因此,此強度資料表示交叉偏振輻射,且因此表示與目標T之一或多個特徵相關聯的不對稱性之量。在接收到強度資料後,成像系統20即可產生影像資料,其表示可基於強度資料產生入射照明光束散射的一或多個特徵中之每一者之影像。此處再次地,強度資料係與由成像系統20接收之照明光束之不對稱分量相關。在一些實施例中,成像系統20可包括可操作以接收入射光之成像器件414、一或多個處理器,及包括用以執行一或多個電腦程式之指令之記憶體。舉例而言,成像系統20可經組態成使得在接收到與照明光束相關聯的強度資料後,即藉由產生表示影像之影像資料之一或多個處理器執行存儲於記憶體內之電腦程式,其中該影像為藉以散射照明光束之目標T之一或多個特徵的表示。使用影像資料,一或多個處理器可存取額外電腦程式,或可將影像資料提供至一或多個額外器件/系統,以測量與一或多個特徵相關聯的所關注參數。舉例而言,影像資料可用以測量與一或多個特徵相關聯的疊對之量。
圖5a及圖5b為根據各種實施例的在圖4之例示性檢測裝置內所使用之楔元件的說明圖。在一些實施例中,濾光器組件410a、410b(其可被集體地稱作濾光器組件410)可為實質上圓形。在此特定情境下,楔元件416亦可為實質上圓形。如上文所提及之共同讓渡之美國專利申請公開案第2011/0102753號中所描述的亦可被稱作光楔元件之楔元件416可允許暗場成像捕捉單個影像中之目標T之一或多個特徵的0、+1、-1階反射光中之一或多者。舉例而言,楔元件416可對應於一或多個稜鏡,其將繞射射線(例如0階及/或+1及-1階)轉向至成像系統20之成像器件414上之不同部位,使得可在無需兩個順序影像捕捉步驟的情況下偵測及比較該等繞射射線。
如上文所提及,楔元件416可包括四個四分之一楔416a至416d,如在圖5b之情境550內所見。四分之一楔416a至416d中之每一者可對應於濾光器組件410b之一個象限。在一些實施例中,四分之一楔416a至416d可為小稜鏡或能夠將下降於對應光瞳上之光在稍微不同方向上重導向至影像之四個象限中的對應一者中的其他結構。結果,成像器件414可經組態以顯示四個單獨影像,每一單獨影像係與四分之一楔416a至416d中之一者相關聯,如下文參看圖8a所見。
一般而言,入射光束或光波可在第一濾光器組件410a之第一部位處向濾光器組件入射。舉例而言,入射光束可在二維平面中之部位(X1,Y1)處向第一濾光器組件410a入射。因此,射出波將定位成相對於第一濾光器組件410a之原點係點對稱的(例如部位(-X1,-Y1))。為了交叉偏振測量,在入射點(例如部位(X1,Y1))處之入射波之偏振正交於射出點(例如部位(-X1,-Y1))。藉由利用照明光束及濾光器組件之此等屬性,可進行
所關注參數,諸如疊對及/或CD之測量。舉例而言,藉由在相對於一對點相對之方向上照明目標,可藉由濾光係點對稱的而判定與目標之不對稱性相關聯的資訊。
圖6a及圖6b為根據各種實施例的在圖4之例示性微影裝置內所使用之兩個例示性濾光器組件的說明圖。如圖6a及圖6b內所見,展示了例示性第一濾光器組件410a及例示性第二濾光器組件410b。在說明性實施例中,第一濾光器組件410a包括第一半600a及第二半600b。在說明性實施例中,第二濾光器組件410b包括第一半650a及第二半650b。在一些實施例中,第一濾光器組件410a可對應於入射偏振濾光器,而第二濾光器組件410b可對應於射出偏振濾光器。
作為一實例,第一濾光器組件410a之第一半600a可包括任意偏振設計,如由第一半600a內之顏色梯度所見。在此特定情境下,第一半600a內之每一點可具有不同的偏振。舉例而言,第一半600a內之每一點之偏振的不同類型可包括但不限於:線性偏振、圓偏振及橢圓偏振。
繼續前述實例,第二半600b可包括亦具有顏色梯度之偏振設計,其中第二半600b之偏振設計相對於第一半600a係點對稱的。因此,若第一半600a中之點(X1,Y1)具有第一偏振,則相對於第一濾光器組件410a之原點/中心之對稱點(-X1,-Y1)具有正交於第一偏振之第二偏振。
在說明性實施例中,第二濾光器組件410b包括第一半650a及第二半650b。第一半650a及第二半650b可實質上相似於第一半600a及第二半600b,除了第一半650a及第二半650b包括相對於第一半600a及第二半600b之對應正交的偏振狀態。藉由使用此正交偏振狀態,由成像器件414偵測到之任何光為目標T之一或多個特徵之不對稱性的結果。
在一些實施例中,第一濾光器組件410a可相對於濾光器組件410a之中心軸以角度Θ偏移。在此情境下,Θ可為介於0度與180度之間的任何值。此外,在此情境下,第二濾光器組件410a為以角度Θ成角度,儘管第二濾光器組件410b經定位成相對於第一濾光器組件410a之位置成90度,如以上參看圖4所見。
圖7a及圖7b為根據各種實施例的在圖4之例示性微影裝置內所使用之另外兩個例示性濾光器組件的說明圖。在該非限制性說明性實施例中,展示了第一濾光器組件410a及第二濾光器組件410b。在一項實施例中,第一濾光器組件410a可經分段成四個區段:第一區段700a、第二區段700b、第三區段700c及第四區段700d。相似地,在一項實施例中,第二濾光器組件410b可經分段成四個區段:第一區段750a、第二區段750b、第三區段750c及第四區段750d。區段700a至700d及750a至750d可各自在大小及形狀上實質上相似,且可使用微偏振器陣列(例如小偏振器總成)及/或使用空間光調變器而形成。在實例實施例中,第一濾光器組件410a可對應於「照明偏振器」,而第二濾光器組件410b可對應於「偵測偏振器」。
在一項實施例中,第一濾光器組件410a之第一區段700a可經組態成使得使用第一偏振方案。舉例而言,第一區段700a可包括徑向偏振輪廓。徑向偏振輪廓可經建構使得產生經p偏振之光以向目標T入射。第一濾光器組件410a之第二區段700b可相似地包括徑向偏振輪廓,同時亦經定位成與第一濾光器組件410a內之第一區段700a對稱地相對。在一項實施例中,第一濾光器組件410a之第三區段700c可經組態成使得使用第二偏振方案。舉例而言,第三區段700c可包括切向偏振輪廓。切向偏振
輪廓可經建構使得產生經s偏振之光以向目標T入射。第一濾光器組件410a之第四區段700d可相似地包括切向偏振輪廓,同時亦經定位成與第一濾光器組件410a內之第三區段700c對稱地相對。
在一項實施例中,第二濾光器組件410b之第一區段750a可經組態成使得使用第二偏振方案。舉例而言,第一區段750a可包括切向偏振輪廓。第二濾光器組件410b之第二區段750b可相似地包括切向偏振輪廓,同時亦經定位成與第二濾光器組件410b內之第一區段750b對稱地相對。在一項實施例中,第二濾光器組件410b之第三區段700c可經組態成使得使用第一偏振方案。舉例而言,第三區段750c可包括徑向偏振輪廓。第二濾光器組件410b之第四區段750d可相似地包括徑向偏振輪廓,同時亦經定位成與第二濾光器組件410b內之第三區段750c對稱地相對。
圖8a為根據各種實施例的表示使用圖4之檢測裝置所測量之所關注參數的影像之說明圖。在說明性實施例中,影像800包括兩個光點,其各自對應於零階場影像。影像800可對應於實例影像,其中成像系統20基於由影像器件414接收之經反射之經轉換照明光束之不對稱分量而產生表示影像800之影像資料,如上文所描述。兩個光點反射源自由源402產生的自右側向目標T入射、同時在左側被偵測的照明光束之影像,而另一光點反射源自自左側向目標T入射且自右側被偵測的照明之影像。若在目標T之一或多個特徵內不存在不對稱性,則每一光點之強度分佈將相等。然而,若存在源自一或多個特徵之不對稱性之相關聯的所關注參數(例如疊對),則強度分佈之差將為可見的。此外,兩個光點在所顯示影像內歸因於楔元件416而散開,此使每一光點之置放稍微偏移使得每一影像係可見的。換言之,在不存在楔元件416的情況下,將需要多個成像程
序,否則兩個(或多於兩個)光點將在影像800內重疊。
圖8b為根據各種實施例的粒子在傳遞通過濾光器組件之後由楔元件偏移之例示性路徑的說明圖。如在圖8b之情境850內所見,當經反射之經轉換照明光束傳遞通過第二濾光器組件410b時,在由光束分裂器412重導向之後,經反射之經轉換照明光束傳遞通過第二濾光器組件410b。在第二濾光器組件410b處,照明光束之粒子取決於其自目標T之一或多個特徵散射之定向及角度,將傳遞通過第二濾光器組件410b之各種區段。取決於特定粒子傳遞通過之第二濾光器組件410b之區段,彼粒子將經導向楔元件416之對應的四分之一楔。在說明性實施例中,楔元件416沿著中心軸C與第二濾光器組件410b對準。
楔元件416可經組態以致使傳遞通過其中之粒子相對於入射於楔元件416上之角度以角度β導向。舉例而言,楔元件416可由四分之一楔構成,其各自能夠使入射粒子在正y方向上以角度β轉向,以及沿著x軸以另一角度轉向。因此,楔元件416可將傳遞通過四分之一楔416a至416d中之每一者的每一粒子分離至成像器件414之四個象限中,因此在一影像內產生四個單獨的光點(例如在圖8a之實例中,僅兩個光點展示於影像800內)。換言之,楔元件416可使傳遞通過第二濾光器組件410b之第一區段的照明光束之部分之第一部分相對於楔元件416上之入射角以角度β偏移,以及使傳遞通過第二濾光器組件410b之第二區段的照明光束之部分之第二部分以角度β偏移。藉此,由由成像系統20產生之影像資料表示的影像800包括表示第一部分之第一光點及表示第二部分之第二光點。
圖9為根據各種實施例的基板之兩個層之間的疊對之說明圖。在說明性實施例中,情境900包括目標T之兩個層之側面輪廓,且可
描繪使用前述技術來測量之實例所關注參數(例如疊對)。目標T可包括第一層L1及第二層L2。層L1及L2可各自包括以圖案配置之一或多個特徵。層L1及L2以一距離分離,且目標T可包括分別在層L1及L2上方及/或下方的額外層,該等額外層各自以相同距離或稍微不同距離分離。
在一項實施例中,每一層之特徵對應於一光柵--其可呈實質上塊狀組態,然而,此僅僅係例示性的。舉例而言,層L1可包括一或多個特徵902且層L2可包括一或多個特徵904。在情境900中,分別在第一層L1之特徵902與第二層L2之特徵904之間存在疊對OV。在目標T之其他層之特徵之間可存在額外疊對。因此,情境900為簡單起見描繪單一疊對且並不意欲為限制性的。在一實施例中,疊對OV被展示為一維的,然而,一般熟習此項技術者將認識到,在額外維度中亦可能存在疊對,且前述內容僅僅為說明性的。
圖10為根據各種實施例的用於結合用以測量所關注參數之檢測裝置來應用兩階段濾光技術之例示性程序的說明性流程圖。在一非限制性實施例中,程序1000可在步驟1002處開始。在步驟1002處,光學系統可輸出具有一或多個特性之照明光束。舉例而言,光學系統200可包括源402,該源可產生具有某些特性(例如大致400微米之直徑、特定波長等)之照明光束(例如光),該照明光束可經由檢測裝置400導向至目標T。照明光束可用以測量與位於目標T上之一或多個特徵相關聯的所關注參數,諸如疊對、CD等。
在步驟1004處,第一濾光器組件可用以對照明光束施加第一偏振組態。舉例而言,第一濾光器組件410a可對照明光束施加第一偏振。可使用一或多個反射組件(例如反射組件404a至404c)以及使用一或多
個透鏡(例如透鏡406a至406c)將如自圖4所見之照明光束導向至第一濾光器組件410a。在一些實施例中,第一偏振可致使入射照明光束偏振光使得輸出光以第一方式而偏振。舉例而言,如圖6a至圖7b中所見,第一濾光器組件410a可經分段成多個區段,其中每一區段具有一特定偏振組態,使得第一濾光器組件410a之每一點處之偏振組態相對於第一濾光器組件410a之中心係點對稱的。舉例而言,如圖7a中所見,第一濾光器組件410a可包括具有實質上相似大小及形狀之四個區段700a至700d。第一區段700a可經s偏振,且對稱區段--區段700b亦可經s偏振。相對於濾光器組件410a之中心對稱的第三區段700c及第四區段700d可各自經p偏振。因此,傳遞通過區段700a及700b之光可經s偏振,而傳遞通過區段700c及700d之光可經p偏振。
在步驟1006處,經偏振照明光束可向目標之一或多個特徵入射,且可自該一或多個特徵散射。在光散射時,其自其原始偏振轉換成其正交偏振。舉例而言,若針對一或多個特徵存在不對稱性(例如疊對),則經s偏振之入射光將被反射為經p偏振。在一些實施例中,亦可被稱作散射照明光束的經轉換照明光束之至少一部分可經返回導向至光束分裂器412。舉例而言,在自目標T之一或多個特徵散射之後,散射照明光束可在相對於入射角實質上相對的方向上經重導向回。此外,一或多個特徵中之任何不對稱性可與入射於目標T上之照明光束之一對應部分的偏振之改變相關。在一些實施例中,自目標之一或多個特徵反射之反射光對應於0階光。
此外,若反轉光之方向性且切換極性,則將偵測到無差異。舉例而言,相對於經s偏振之一或多個特徵以入射角Θ入射的光將以
射出角Θ(例如等於反射角之入射角)經反射為經p偏振之光。以等於射出角Θ之角度入射的經p偏振之光接著以入射角Θ經反射且經s偏振。因此,為了測量不對稱性,可比較以第一偏振而偏振且以第二偏振而射出的入射光與以第一偏振入射且以第二偏振射出的來自相對方向之光。用以測量不對稱性之此程序可被稱作「交叉偏振偵測」。
在步驟1008處,可在光束分裂器處接收經轉換照明光束且在垂直於導向目標之偏振照明光束之方向的方向上重導向該經轉換照明光束。舉例而言,自目標T之一或多個特徵散射且偏振如上文所描述經轉換的照明光束之部分可向光束分裂器412入射。在入射後,可在正交於傳遞通過第一濾光器組件410a之偏振照明光束之初始方向的方向上重導向經轉換照明光束。
在步驟1010處,可使用第二濾光器組件對經轉換照明光束施加第二濾光組態。舉例而言,第二濾光器組件410b可對經轉換照明光束施加第二偏振。在一些實施例中,第二偏振可致使入射轉換之照明光束偏振光使得輸出光以第二方式而偏振。舉例而言,如圖6a至圖7b中所見,第二濾光器組件410b可經分段成多個區段,其中每一區段具有一特定偏振組態使得第二濾光器組件410b之每一點處之偏振組態相對於第二濾光器組件410b之中心係點對稱的。舉例而言,如圖7b中所見,第二濾光器組件410b可包括具有實質上相似大小及形狀之四個區段750a至750d。第一區段750a可經p偏振,且對稱區段--區段750b亦可經p偏振。相對於濾光器組件410b之中心對稱的第三區段750c及第四區段750d可各自經s偏振。因此,傳遞通過區段750a及750b之光可經p偏振,而傳遞通過區段750c及750d之光可經s偏振。
藉由施加處於垂直於第一濾光器組件410a之定向的角度且相對於第一濾光器組件410a具有交叉偏振組態(例如正交偏振)之第二濾光器組件410b,傳遞通過第二濾光器組件410b之任何光係交叉偏振的。入射於目標T上的經s偏振且自目標反射且亦經s偏振的光將不包括與一或多個特徵之不對稱性相關聯的任何資訊。因此,在施加第二偏振組態之後之保持信號包括與待測量之所關注參數相關聯的資訊。
在步驟812處,可由成像系統20偵測表示未受到第二濾光器組件410b阻擋的照明光束之部分之強度的強度資料。舉例而言,可由成像系統20之成像器件414偵測表示共同偏振光信號之一部分之強度的強度資料。成像器件414可接著經組態以呈現表示與目標T之一或多個特徵相關聯的不對稱性之量之目標之一或多個影像。
圖11為根據各種實施例的例示性計算系統之說明圖。參看圖11,展示電腦系統1100。電腦系統1100包括用於傳達資訊之匯流排1102或其他通信機構,及與匯流排1102耦接以用於處理資訊之處理器1104(或多個處理器1104及1105)。電腦系統1100亦包括耦接至匯流排1102以用於儲存待由處理器1104執行之資訊及指令的主記憶體1106,諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體1106亦可用於在待由處理器1104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統1100進一步包括耦接至匯流排1102以用於儲存用於處理器1104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)1108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件1110,且將該儲存器件耦接至匯流排1102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統1100可經由匯流排1102耦接至用於向電腦使用者
顯示資訊之顯示器1112,諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件1114耦接至匯流排1102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器1104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器1104且用於控制顯示器1112上之游標移動的游標控制件1116,諸如,滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個兩個--第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y)中之兩個自由度,其允許該器件指定在一平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
電腦系統1100可適合於回應於處理器1104執行主記憶體1106中含有之一或多個指令之一或多個序列而充當本文中之處理單元。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件1110)讀取至主記憶體1106中。主記憶體1106中含有之指令序列之執行致使處理器1104執行本文中所描述之程序。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體1106中含有之指令序列。在替代實施例中,可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此,實施例不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式,包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟,諸如,儲存器件1110。揮發性媒體包括動態記憶體,諸如主記憶體1106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖,包括包含匯流排1102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式,諸如,在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式
包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波,或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器1104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言,最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中,且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統1100本端之數據機可接收電話線上之資料,且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排1102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排1102上。匯流排1102將資料攜載至主記憶體1106,處理器1104自該主記憶體擷取指令且並執行該等指令。由主記憶體1106接收之指令可視情況在供處理器1104執行之前或之後儲存於儲存器件1110上。
電腦系統1100亦可包括耦接至匯流排1102之通信介面1118。通信介面1118提供對網路鏈路1120之雙向資料通信耦合,該網路鏈路連接至區域網路1122。舉例而言,通信介面1118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例,通信介面1118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中,通信介面1118發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。
網路鏈路1120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言,網路鏈路1120可經由區域網路1122向主機電腦
1124或向由網際網路服務提供者(ISP)1126操作之資料設備提供連接。ISP 1126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)1128而提供資料通信服務。區域網路1122及網際網路1128兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路1120上且經由通信介面1118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統1100及自電腦系統1100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。
電腦系統1100可經由網路、網路鏈路1120及通信介面1118發送訊息及接收資料,包括程式碼。在網際網路實例中,伺服器1140可能經由網際網路1128、ISP 1126、區域網路1122及通信介面1118而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。根據一或多個實施例,一個此類經下載應用程式提供如(例如)本文中所揭示之方法。所接收程式碼可在其被接收時由處理器1104執行,及/或儲存於儲存器件1110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式,電腦系統1100可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
在一實例中,提供一種檢測裝置,其包含:一光學系統,其經組態以輸出入射於包含一或多個特徵之一目標上之一照明光束,該照明光束經組態為在入射於該目標上時包含一第一偏振;及一成像系統,其經組態以:獲得表示由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分之強度資料,其中該照明光束之該部分包含正交於該第一偏振之一第二偏振;基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料;及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或
多個特徵相關聯的一所關注參數之一測量值。
在該實例中,該檢測裝置進一步包含:一第一濾光器組件,其經組態及配置使得該照明光束傳遞通過該第一濾光器組件且經導向於該目標處,該第一濾光器組件致使該照明光束在入射於該目標上之前以該第一偏振而偏振;及一第二濾光器組件,其經組態及配置成正交於該第一濾光器組件使得該第二濾光器組件接收該照明光束之該部分,第二濾光器組件致使該照明光束之該部分以該第二偏振而偏振。
在該實例中,該第一濾光器組件包含經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第一區段、經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第二區段、經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第三區段,及經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第四區段;該第二濾光器組件包含:經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第五區段、經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第六區段、經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第七區段,及經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第八區段;且該第一濾光器組件及該第二濾光器組件經定向使得與傳遞通過該第一區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第八區段、與傳遞通過該第二區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第七區段、與傳遞通過該第三區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第六區段,且與傳遞通過該第四區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第五區段。
在該實例中,該第一濾光器組件及該第二濾光器組件包含以下各者中之一者:s及p偏振濾光器、H及V偏振濾光器、左圓形及右圓形偏振濾光器,及左橢圓形及右橢圓形偏振濾光器。
在該實例中,該第二濾光器組件包含至少一第一區段及一
第二區段,該檢測裝置進一步包含:一楔元件,其經組態及配置成與該第二濾光器組件對準且經進一步組態以:使傳遞通過該第二濾光器組件之該第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移,及使傳遞通過該第二濾光器組件之該第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
在該實例中,由該影像資料表示之該影像包含該影像內之四個光點,每一光點彼此偏移且表示:傳遞通過該第一區段、該第二區段、該第三區段及該第四區段中之每一者且自該一或多個特徵散射的該照明光束;及傳遞通過該第五區段、該第六區段、該第七區段及該第八區段中之一對應區段的該照明光束之該部分。
在該實例中,該檢測裝置進一步包含:具有一第一偏振組態之一第一濾光器組件;及具有一第二偏振組態之一第二濾光器組件,其中該第二偏振組態正交於該第一偏振組態。
在該實例中,該第一濾光器組件包含一第一半及一第二半,該第二半與該第一半相比,相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二濾光器組件包含一第三半及一第四半,該第四半與該第三半相比,相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的。
在該實例中,該第一濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第二濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第一偏振組態包含該四個相等大小之區段中之每一者且可操作以
使傳遞通過該四個相等大小之區段中之一者的光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該四個相等大小之區段之偏振中的每一者相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二偏振組態包含該四個相等大小之區段中之每一者,可操作以使傳遞通過該四個相等大小之區段中之一者的光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該四個相等大小之區段之偏振中的每一者相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的且正交於該第一濾光器組件之一對應區段。
在一實例中,提供一種方法。該方法包含:輸出來自一光學系統之一照明光束以向包含一或多個特徵之一目標入射;使用一第一濾光器組件向該照明光束施加一第一偏振;使用一第二濾光器組件向自該一或多個特徵散射的該照明光束之至少一部分施加一第二偏振,其中該第二濾光器組件定位成正交於該第一濾光器組件;藉由一成像系統獲得表示該照明光束之至少該部分之強度資料;基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料;及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數之一測量值。
在該實例中,施加該第一偏振包含致使該照明光束在入射於該目標上之前以該第一偏振而偏振;及施加該第二偏振包含致使該照明光束之該部分在由該成像系統接收之前以該第二偏振而偏振。
在該實例中,施加該第二偏振包含:促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第一區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段;促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第二區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段;促
進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第三區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第三區段;及促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第四區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第四區段,其中:該第一濾光器組件之該第一區段、該第一濾光器組件之該第四區段、該第二濾光器組件之該第三區段及該第二濾光器組件之該第二區段經組態以偏振光以具有該第一偏振,且該第一濾光器組件之該第二區段、該第一濾光器組件之該第三區段、該第二濾光器組件之該第一區段及該第二濾光器組件之該第四區段經組態以偏振光以具有該第二偏振,該第二偏振正交於該第一偏振。
在該實例中,該方法進一步包含:在獲得該強度資料之前且經由經組態及配置成與該第二濾光器組件對準之一楔元件,使傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移;及使傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
在該實例中,產生該影像資料包含在該影像內產生四個光點,每一光點彼此偏移且表示:傳遞通過該第一濾光器組件之一第一區段、該第一濾光器組件之一第二區段、該第一濾光器組件之一第三區段及該第一濾光器組件之一第四區段中之每一者且自該一或多個特徵散射的該照明光束;及傳遞通過該第二濾光器組件之該第一區段、該第二濾光器組件之該第二區段、該第二濾光器組件之一第三區段及該第二濾光器組件之
一第四區段中之一者的該照明光束之該部分。
在一實例中,提供一種系統。該系統包含:一光學系統,其經組態以輸出一照明光束;一第一濾光器組件,其經組態以接收該照明光束且對該照明光束施加一第一偏振,使得該照明光束在傳遞通過該第一濾光器組件之後以第一偏振而偏振;包含一或多個特徵之一目標,其中具有該第一偏振之該照明光束入射於該目標上,且由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分包含正交於該第一偏振之一第二偏振;及一第二濾光器組件,其經組態以接收包含該第二偏振之該照明光束之該部分,其中該第二濾光器組件經組態以對該照明光束之該部分施加一第二偏振,使得在傳遞通過該第二濾光器組件之後,該照明光束之一剩餘部分係與具有該第二偏振的該照明光束之剩餘部分之一量相關聯,且表示與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數。
在該實例中,該第一濾光器組件至少包含經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第一區段,及經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第二區段;及該第二濾光器組件至少包含經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第三區段,及經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第四區段,該第一偏振正交於該第二偏振。
在該實例中,該第一濾光器組件包含:一第一區段及一第二區段,其各自經組態以偏振光以具有該第一偏振,及一第三區段及一第四區段,其各自經組態以偏振光以具有該第二偏振;且該第二濾光器組件包含:一第五區段及一第六區段,其各自經組態以偏振光以具有該第一偏振,及一第七區段及一第八區段,其各自經組態以偏振光以具有該第二偏振,該第一偏振正交於該第二偏振。
在該實例中,該系統進一步包含:一楔元件,其經組態及配置成與該第二濾光器組件對準且經進一步組態以:使傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移,及使傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
在該實例中,該第一濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第二濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第一濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者經組態以使傳遞通過該第一濾光器組件之該四個相等大小之區段中的一對應區段之光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該第一濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者之一偏振相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者經組態以使傳遞通過該第二濾光器組件之該四個相等大小之區段中的一對應區段之光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該第二濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的且正交於該第一濾光器組件之一對應區段。
在以下編號條項中描述根據本發明之另外實施例:
1.一種檢測裝置,其包含:一光學系統,其經組態以輸出入射於包含一或多個特徵之一目標上之一照明光束,該照明光束經組態為在入射於該目標上時包含一第一偏
振;及一成像系統,其經組態以:獲得表示由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分之強度資料,其中該照明光束之該部分包含正交於該第一偏振之一第二偏振,基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料,及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數之一測量值。
2.如條項1之檢測裝置,其進一步包含:一第一濾光器組件,其經組態及配置使得該照明光束傳遞通過該第一濾光器組件且經導向於該目標處,該第一濾光器組件致使該照明光束在入射於該目標上之前以該第一偏振而偏振;及一第二濾光器組件,其經組態及配置成正交於該第一濾光器組件使得該第二濾光器組件接收該照明光束之該部分,第二濾光器組件致使該照明光束之該部分以該第二偏振而偏振。
3.如條項2之檢測裝置,其中:該第一濾光器組件包含:經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第一區段、經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第二區段、經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第三區段,及經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第四區段;該第二濾光器組件包含:經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第五區段、經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第六區段、經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第七區段,及經組態以偏振光以具有該第二偏振
之一第八區段;且該第一濾光器組件及該第二濾光器組件經定向使得與傳遞通過該第一區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第八區段、與傳遞通過該第二區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第七區段、與傳遞通過該第三區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第六區段,且與傳遞通過該第四區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第五區段。
4.如條項3之檢測裝置,其中該第一濾光器組件及該第二濾光器組件包含以下各者中之一者:s及p偏振濾光器、H及V偏振濾光器、左圓形及右圓形偏振濾光器,及左橢圓形及右橢圓形偏振濾光器。
5.如條項2之檢測裝置,其中該第二濾光器組件包含至少一第一區段及一第二區段,該檢測裝置進一步包含:一楔元件,其經組態及配置成與該第二濾光器組件對準且經進一步組態以:使傳遞通過該第二濾光器組件之該第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移,及使傳遞通過該第二濾光器組件之該第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
6.如條項5之檢測裝置,其中由該影像資料表示之該影像包含該影像內之四個光點,每一光點彼此偏移且表示:傳遞通過該第一區段、該第二區段、該第三區段及該第四區段中之
每一者且自該一或多個特徵散射的該照明光束;及傳遞通過該第五區段、該第六區段、該第七區段及該第八區段中之一對應區段的該照明光束之該部分。
7.如條項1之檢測裝置,其進一步包含:具有一第一偏振組態之一第一濾光器組件;及具有一第二偏振組態之一第二濾光器組件,其中該第二偏振組態正交於該第一偏振組態。
8.如條項7之檢測裝置,其中:該第一濾光器組件包含一第一半及一第二半,該第二半與該第一半相比,相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二濾光器組件包含一第三半及一第四半,該第四半與該第三半相比,相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的。
9.如條項7之檢測裝置,其中:該第一濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第二濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第一偏振組態包含該四個相等大小之區段中之每一者且可操作以使傳遞通過該四個相等大小之區段中之一者的光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該四個相等大小之區段之偏振中的每一者相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二偏振組態包含該四個相等大小之區段中之每一者,可操作以使傳遞通過該四個相等大小之區段中之一者的光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該四個相等大小之區段之偏振中的每一者相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的且正交於該第一濾光器組件之一對應
區段。
10.一種方法,其包含:輸出來自一光學系統之一照明光束以向包含一或多個特徵之一目標入射;使用一第一濾光器組件向該照明光束施加一第一偏振;使用一第二濾光器組件向自該一或多個特徵散射的該照明光束之至少一部分施加一第二偏振,其中該第二濾光器組件定位成正交於該第一濾光器組件;藉由一成像系統獲得表示該照明光束之至少該部分之強度資料;基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料;及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數之一測量值。
11.如條項10之方法,其中:施加該第一偏振包含致使該照明光束在入射於該目標上之前以該第一偏振而偏振;及施加該第二偏振包含致使該照明光束之該部分在由該成像系統接收之前以該第二偏振而偏振。
12.如條項10之方法,其中施加該第二偏振包含:促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第一區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段;促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第二區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段;
促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第三區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第三區段;及促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第四區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第四區段,其中:該第一濾光器組件之該第一區段、該第一濾光器組件之該第四區段、該第二濾光器組件之該第三區段及該第二濾光器組件之該第二區段經組態以偏振光以具有該第一偏振,且該第一濾光器組件之該第二區段、該第一濾光器組件之該第三區段、該第二濾光器組件之該第一區段及該第二濾光器組件之該第四區段經組態以偏振光以具有該第二偏振,該第二偏振正交於該第一偏振。
13.如條項10之方法,其進一步包含:在獲得該強度資料之前且經由經組態及配置成與該第二濾光器組件對準之一楔元件,使傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移;及使傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
14.如條項13之方法,其中產生該影像資料包含在該影像內產生四個光點,每一光點彼此偏移且表示:傳遞通過該第一濾光器組件之一第一區段、該第一濾光器組件之一第二區段、該第一濾光器組件之一第三區段及該第一濾光器組件之一第四
區段中之每一者且自該一或多個特徵散射的該照明光束;及傳遞通過該第二濾光器組件之該第一區段、該第二濾光器組件之該第二區段、該第二濾光器組件之一第三區段及該第二濾光器組件之一第四區段中之一者的該照明光束之該部分。
15.一種系統,其包含:一光學系統,其經組態以輸出一照明光束;一第一濾光器組件,其經組態以接收該照明光束且對該照明光束施加一第一偏振,使得該照明光束在傳遞通過該第一濾光器組件之後以該第一偏振而偏振;包含一或多個特徵之一目標,其中具有該第一偏振之該照明光束入射於該目標上,且由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分包含正交於該第一偏振之一第二偏振;及一第二濾光器組件,其經組態以接收包含該第二偏振之該照明光束之該部分,其中該第二濾光器組件經組態以對該照明光束之該部分施加一第二偏振,使得在傳遞通過該第二濾光器組件之後,該照明光束之一剩餘部分係與具有該第二偏振的該照明光束之剩餘部分之一量相關聯,且表示與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數。
16.如條項15之光學系統,其中:該第一濾光器組件至少包含經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第一區段,及經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第二區段;及該第二濾光器組件至少包含經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第三區段,及經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第四區段,該第一偏振正交於該第二偏振。
17.如條項15之光學系統,其中:該第一濾光器組件包含:一第一區段及一第二區段,其各自經組態以偏振光以具有該第一偏振,及一第三區段及一第四區段,其各自經組態以偏振光以具有該第二偏振;且該第二濾光器組件包含:一第五區段及一第六區段,其各自經組態以偏振光以具有該第一偏振,及一第七區段及一第八區段,其各自經組態以偏振光以具有該第二偏振,該第一偏振正交於該第二偏振。
18.如條項15之光學系統,其中:該第一濾光器組件經分段成兩半,使得該第一濾光器組件之每一點具有相對於該第一濾光器組件之一中心與該第一濾光器組件之一對稱點正交的一偏振;及該第二濾光器組件經分段成兩半,使得該第二濾光器組件之每一點具有相對於該第二濾光器組件之一中心與該第二濾光器組件之一對稱點正交的一偏振且具有該第一濾光器組件上之一對應點之一正交的偏振。
19.如條項15之光學系統,其進一步包含:一楔元件,其經組態及配置成與該第二濾光器組件對準且經進一步組態以:使傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏
移,及使傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
20.如條項15之光學系統,其中:該第一濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第二濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第一濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者經組態以使傳遞通過該第一濾光器組件之該四個相等大小之區段中的一對應區段之光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該第一濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者之一偏振相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者經組態以使傳遞通過該第二濾光器組件之該四個相等大小之區段中的一對應區段之光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該第二濾光器組件之該四個相等大小之區段中的每一者相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的且與該第一濾光器組件之一對應區段相對。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用,但應瞭解,本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中,且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中,圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中,在基板上,抗蝕劑係藉由施加電磁輻
射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後,將圖案化器件移出抗蝕劑,從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或約為365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長),以及粒子束,諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合,包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制,而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
410a‧‧‧第一濾光器組件
410b‧‧‧第二濾光器組件
700a‧‧‧第一區段
700b‧‧‧第二區段
700c‧‧‧第三區段
700d‧‧‧第四區段
750a‧‧‧第一區段
750b‧‧‧第二區段
750c‧‧‧第三區段
750d‧‧‧第四區段
Claims (14)
- 一種檢測裝置,其包含:一光學系統,其經組態以輸出入射於包含一或多個特徵之一目標上之一照明光束,該照明光束經組態為在入射於該目標上時包含一第一偏振(polarization);及一成像系統,其經組態以:獲得表示由該一或多個特徵散射之該照明光束之至少一部分之強度資料,其中該照明光束之該部分包含正交於該第一偏振之一第二偏振,基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料,及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的一所關注參數之一測量值(measurement)。
- 如請求項1之檢測裝置,其進一步包含:一第一濾光器組件,其經組態及配置使得該照明光束傳遞通過該第一濾光器組件且經導向於該目標處,該第一濾光器組件致使該照明光束在入射於該目標上之前以該第一偏振而偏振;及一第二濾光器組件,其經組態及配置成正交於該第一濾光器組件使得該第二濾光器組件接收該照明光束之該部分,第二濾光器組件致使該照明光束之該部分以該第二偏振而偏振。
- 如請求項2之檢測裝置,其中:該第一濾光器組件包含:經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第一區段、經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第二區段、經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第三區段,及經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第四區段;該第二濾光器組件包含:經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第五區段、經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第六區段、經組態以偏振光以具有該第一偏振之一第七區段,及經組態以偏振光以具有該第二偏振之一第八區段;且該第一濾光器組件及該第二濾光器組件經定向使得與傳遞通過該第一區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第八區段、與傳遞通過該第二區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第七區段、與傳遞通過該第三區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第六區段,且與傳遞通過該第四區段之該照明光束相關聯的輻射將傳遞通過該第五區段。
- 如請求項3之檢測裝置,其中該第一濾光器組件及該第二濾光器組件包含以下各者中之一者:s及p偏振濾光器、H及V偏振濾光器、左圓形及右圓形偏振濾光器,及左橢圓形及右橢圓形偏振濾光器。
- 如請求項2之檢測裝置,其中該第二濾光器組件包含至少一第一區段及一第二區段,該檢測裝置進一步包含:一楔元件,其經組態及配置成與該第二濾光器組件對準且經進一步組態以: 使傳遞通過該第二濾光器組件之該第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移,及使傳遞通過該第二濾光器組件之該第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
- 如請求項5之檢測裝置,其中由該影像資料表示之該影像包含該影像內之四個光點,每一光點彼此偏移且表示:傳遞通過該第一區段、該第二區段、該第三區段及該第四區段中之每一者且自該一或多個特徵散射的該照明光束;及傳遞通過該第五區段、該第六區段、該第七區段及該第八區段中之一對應區段的該照明光束之該部分。
- 如請求項1之檢測裝置,其進一步包含:具有一第一偏振組態之一第一濾光器組件;及具有一第二偏振組態之一第二濾光器組件,其中該第二偏振組態正交於該第一偏振組態。
- 如請求項7之檢測裝置,其中:該第一濾光器組件包含一第一半及一第二半,該第二半與該第一半 相比,相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二濾光器組件包含一第三半及一第四半,該第四半與該第三半相比,相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的。
- 如請求項7之檢測裝置,其中:該第一濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第二濾光器組件為實質上圓形且包含四個相等大小之區段;該第一偏振組態包含該四個相等大小之區段中之每一者且可操作以使傳遞通過該四個相等大小之區段中之一者的光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該四個相等大小之區段之偏振中的每一者相對於該第一濾光器組件之一中心係點對稱的;及該第二偏振組態包含該四個相等大小之區段中之每一者,可操作以使傳遞通過該四個相等大小之區段中之一者的光以該第一偏振及該第二偏振中之一者偏振,使得該四個相等大小之區段之偏振中的每一者相對於該第二濾光器組件之一中心係點對稱的且正交於該第一濾光器組件之一對應區段。
- 一種用於測量一所關注參數之方法,其包含:輸出來自一光學系統之一照明光束以向包含一或多個特徵之一目標入射(incident);使用一第一濾光器組件向該照明光束施加(applying)一第一偏振;使用一第二濾光器組件向自該一或多個特徵散射的該照明光束之至少一部分施加一第二偏振,其中該第二濾光器組件定位成正交 (orthogonal)於該第一濾光器組件;藉由一成像系統獲得表示該照明光束之至少該部分之強度資料;基於該強度資料產生表示該一或多個特徵中之每一者之一影像的影像資料;及基於具有該第二偏振之該照明光束之該部分的一量判定與該一或多個特徵相關聯的該所關注參數之一測量值。
- 如請求項10之方法,其中:施加該第一偏振包含致使該照明光束在入射於該目標上之前以該第一偏振而偏振;及施加該第二偏振包含致使該照明光束之該部分在由該成像系統接收之前以該第二偏振而偏振。
- 如請求項10之方法,其中施加該第二偏振包含:促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第一區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段;促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第二區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段;促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第三區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第三區段;及促進與傳遞通過該第一濾光器組件之一第四區段之該照明光束相關聯的輻射傳遞通過該第二濾光器組件之一第四區段,其中:該第一濾光器組件之該第一區段、該第一濾光器組件之該第四區 段、該第二濾光器組件之該第三區段及該第二濾光器組件之該第二區段經組態以偏振光以具有該第一偏振,且該第一濾光器組件之該第二區段、該第一濾光器組件之該第三區段、該第二濾光器組件之該第一區段及該第二濾光器組件之該第四區段經組態以偏振光以具有該第二偏振,該第二偏振正交於該第一偏振。
- 如請求項10之方法,其進一步包含:在獲得該強度資料之前且經由經組態及配置成與該第二濾光器組件對準之一楔元件,使傳遞通過該第二濾光器組件之一第一區段的該照明光束之該部分之第一粒子相對於該等第一粒子於該楔元件上之一入射角以一第一角度偏移;及使傳遞通過該第二濾光器組件之一第二區段的該照明光束之該部分之第二粒子相對於該等第二粒子於該楔元件上之一入射角以一第二角度偏移,其中由該影像資料表示之該影像包括表示偏移該第一角度的該等第一粒子之一第一光點及表示偏移該第二角度的該等第二粒子之一第二光點。
- 如請求項13之方法,其中產生該影像資料包含在該影像內產生四個光點,每一光點彼此偏移且表示:傳遞通過該第一濾光器組件之一第一區段、該第一濾光器組件之一第二區段、該第一濾光器組件之一第三區段及該第一濾光器組件之一第四區段中之每一者且自該一或多個特徵散射的該照明光束;及傳遞通過該第二濾光器組件之該第一區段、該第二濾光器組件之該 第二區段、該第二濾光器組件之一第三區段及該第二濾光器組件之一第四區段中之一者的該照明光束之該部分。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI808554B (zh) * | 2020-12-04 | 2023-07-11 | 亞光股份有限公司 | 使用陰極發光測量判別半導體材料中的位錯類型和密度的裝置與方法 |
US11782001B2 (en) | 2020-12-04 | 2023-10-10 | Attolight AG | Dislocation type and density discrimination in semiconductor materials using cathodoluminescence measurements |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020211702A1 (de) * | 2020-09-18 | 2022-03-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Überwachen einer Immersionsflüssigkeit in einem Mikroskop |
KR20240036031A (ko) * | 2021-07-23 | 2024-03-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 계측 디바이스 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030206298A1 (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-06 | Joerg Bischoff | Overlay measurements using zero-order cross polarization measurements |
TW201003332A (en) * | 2008-06-26 | 2010-01-16 | Asml Netherlands Bv | Overlay measurement apparatus, and lithographic apparatus and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus |
US20150355554A1 (en) * | 2013-03-20 | 2015-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20160025992A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Illumination System, Inspection Apparatus Including Such an Illumination System, Inspection Method and Manufacturing Method |
US20170242343A1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of Measuring a Structure, Inspection Apparatus, Lithographic System, Device Manufacturing Method and Wavelength-Selective Filter for Use therein |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI63835C (fi) * | 1981-02-10 | 1983-08-10 | Altim Control Ky | Foerfarande foer identifiering av ett virkes ytegenskaper |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US8908175B1 (en) * | 2006-03-31 | 2014-12-09 | Kla-Tencor Corporation | Flexible scatterometry metrology system and method |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
EP2457071A4 (en) * | 2009-07-22 | 2015-09-02 | Kla Tencor Corp | ANTISYMMETRIC RADAR DIFFUSIOMETRY WITH ANGULAR RESOLUTION |
KR101429629B1 (ko) | 2009-07-31 | 2014-08-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
WO2011023517A1 (en) | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
NL2006229A (en) | 2010-03-18 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and associated computer readable product. |
EP2369413B1 (en) * | 2010-03-22 | 2021-04-07 | ASML Netherlands BV | Illumination system and lithographic apparatus |
US8896832B2 (en) | 2010-06-17 | 2014-11-25 | Kla-Tencor Corp. | Discrete polarization scatterometry |
WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
JP5661194B2 (ja) | 2010-11-12 | 2015-01-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
WO2012062501A1 (en) | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method |
NL2008197A (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-14 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
NL2008936A (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-29 | Asml Netherlands Bv | Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method. |
WO2013143814A1 (en) | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
NL2010458A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
JP6077647B2 (ja) | 2012-05-29 | 2017-02-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
NL2011477A (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-14 | Asml Netherlands Bv | Mark position measuring apparatus and method, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN105308508B (zh) * | 2013-06-12 | 2018-08-10 | Asml荷兰有限公司 | 确定与临界尺寸相关的性质的方法、检查装置和器件制造方法 |
CN106030414B (zh) | 2014-02-21 | 2018-10-09 | Asml荷兰有限公司 | 目标布置的优化和相关的目标 |
US9793178B2 (en) * | 2014-08-28 | 2017-10-17 | University Of Rochester | Focused beam scatterometry apparatus and method |
KR101994385B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2019-06-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
CN105807573B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-12-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 用于套刻误差检测的装置和方法 |
CN108700816A (zh) * | 2015-12-17 | 2018-10-23 | Asml荷兰有限公司 | 散射测量中的偏振调谐 |
WO2017148665A1 (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus |
US10048132B2 (en) * | 2016-07-28 | 2018-08-14 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous capturing of overlay signals from multiple targets |
-
2018
- 2018-02-14 EP EP18156625.8A patent/EP3528047A1/en not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-01-23 WO PCT/EP2019/051618 patent/WO2019158328A1/en active Application Filing
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- 2019-02-06 US US16/268,564 patent/US10983445B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-12 IL IL276670A patent/IL276670B2/en unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030206298A1 (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-06 | Joerg Bischoff | Overlay measurements using zero-order cross polarization measurements |
TW201003332A (en) * | 2008-06-26 | 2010-01-16 | Asml Netherlands Bv | Overlay measurement apparatus, and lithographic apparatus and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus |
US20150355554A1 (en) * | 2013-03-20 | 2015-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20160025992A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Illumination System, Inspection Apparatus Including Such an Illumination System, Inspection Method and Manufacturing Method |
US20170242343A1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of Measuring a Structure, Inspection Apparatus, Lithographic System, Device Manufacturing Method and Wavelength-Selective Filter for Use therein |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI808554B (zh) * | 2020-12-04 | 2023-07-11 | 亞光股份有限公司 | 使用陰極發光測量判別半導體材料中的位錯類型和密度的裝置與方法 |
US11782001B2 (en) | 2020-12-04 | 2023-10-10 | Attolight AG | Dislocation type and density discrimination in semiconductor materials using cathodoluminescence measurements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7162666B2 (ja) | 2022-10-28 |
US10983445B2 (en) | 2021-04-20 |
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Publication | Publication Date | Title |
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