JP7162666B2 - 像面検出技術を使用して対象のパラメータを測定するための方法及び装置 - Google Patents
像面検出技術を使用して対象のパラメータを測定するための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7162666B2 JP7162666B2 JP2020543214A JP2020543214A JP7162666B2 JP 7162666 B2 JP7162666 B2 JP 7162666B2 JP 2020543214 A JP2020543214 A JP 2020543214A JP 2020543214 A JP2020543214 A JP 2020543214A JP 7162666 B2 JP7162666 B2 JP 7162666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- segment
- filter component
- polarization
- illumination beam
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 280
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 259
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 74
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 71
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 59
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 46
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 67
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 18
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 238000005388 cross polarization Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010001267 Protein Subunits Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001446 dark-field microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8848—Polarisation of light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Description
[0001] 本出願は、2018年2月14日に出願された欧州特許出願公開第18156625.8号の優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0039] 図2(a)及び図2(b)は、種々の実施形態による、角度分解スキャトロメトリ及び暗視野結像検査法を実行するようになされた検査装置と、種々の実施形態による、装置内のターゲット格子による入射放射の回折の拡大詳細をそれぞれ概略的に図示している。図2(a)は、いわゆる暗視野結像メトロロジを実施する検査装置の要素を概略的に示している。装置は、スタンドアロン型デバイスであってもよく、又は、図1を参照して上で説明したように、(例えば測定ステーションにおける)リソグラフィ装置LA若しくはリソグラフィセルLCに組み込まれてもよい。点線Oは、装置全体にわたっていくつかの分岐を有する、光軸を表す。図2(b)には、ターゲット格子構造T及び回折光線がより詳細に図示されている。
[0051] 図3は、種々の実施形態による、ゼロ次及びより高次の回折放射の重ね合わせた図を用いて、図2a及び図2bの装置で使用される1対の波長選択フィルタを概略的に図示している。図3は、図2(a)の装置において2つの波長の回折スペクトルを同時に捕捉することを可能にするための分割式波長選択フィルタの使用を図示している。第1のフィルタ300は、光学システム200におけるアパーチャデバイス13の代わりに使用されてもよい。第1のフィルタ300は、光波長スペクトルにおける1つ又は複数の第1の通過帯域を有する第1の部分300-1と、1つ又は複数の第2の通過帯域を有する第2の部分300-2とを備える。このようなフィルタは、例えば、特性の異なる2つのフィルタをセグメントに切断して所望の配置でセグメントを互いに接着することによって製作することができる。
[00105] 例において、検査装置であって、1つ又は複数のフィーチャを備えるターゲットに入射する照明ビームを出力するように構成された光学システムであって、照明ビームが、ターゲットに入射したときに第1の偏光を含むように構成される、光学システムと、1つ又は複数のフィーチャによって散乱された照明ビームの少なくとも一部分であって、第1の偏光に直交する第2の偏光を含む照明ビームの部分を表す強度データを得て、強度データに基づいて1つ又は複数のフィーチャ各々の像を表す像データを生成し、且つ第2の偏光を有する照明ビームの部分の量に基づいて1つ又は複数のフィーチャに関連する対象のパラメータの測定値を決定するように構成された結像システムとを備える、検査装置が提供される。
1.検査装置であって、
1つ又は複数のフィーチャを備えるターゲットに入射する照明ビームを出力するように構成された光学システムであって、上記照明ビームが、上記ターゲットに入射したときに第1の偏光を含むように構成されている、上記光学システムと、
上記1つ又は複数のフィーチャによって散乱された上記照明ビームの少なくとも一部分であって、上記第1の偏光に直交する第2の偏光を含む上記照明ビームの上記部分を表す強度データを得て、
上記強度データに基づいて上記1つ又は複数のフィーチャ各々の像を表す像データを生成し、且つ
上記第2の偏光を有する上記照明ビームの上記部分の量に基づいて上記1つ又は複数のフィーチャに関連する対象のパラメータの測定値を決定する
ように構成された上記結像システムと
を備える、検査装置。
第2のフィルタコンポーネントが上記照明ビームの上記部分を受け取るように構成され上記第1のフィルタコンポーネントに直交して配置された上記第2のフィルタコンポーネントであって、上記第2の偏光を有するように上記照明ビームの上記部分を偏光させる上記第2のフィルタコンポーネントと
をさらに備える、条項1に記載の検査装置。
上記第2のフィルタコンポーネントが、上記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第5のセグメントと、上記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第6のセグメント、上記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第7のセグメントと、上記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第8のセグメントとを備え、
上記第1のフィルタコンポーネント及び上記第2のフィルタコンポーネントが、上記第1のセグメントを通過する上記照明ビームに関連する放射が上記第8のセグメントを通過し、上記第2のセグメントを通過する上記照明ビームに関連する放射が上記第7のセグメントを通過し、上記第3のセグメントを通過する上記照明ビームに関連する放射が上記第6のセグメントを通過し、且つ上記第4のセグメントを通過する上記照明ビームに関連する放射が上記第5のセグメントを通過するような向きに配置される、
条項2に記載の検査装置。
上記第2のフィルタコンポーネントと整列するように構成され配置された楔要素であって、
上記第2のフィルタコンポーネントの上記第1のセグメントを通過する上記照明ビームの上記部分の第1の粒子を上記楔要素への上記第1の粒子の入射角に対して第1の角度でオフセットし、且つ
上記第2のフィルタコンポーネントの上記第2のセグメントを通過する上記照明ビームの上記部分の第2の粒子を上記楔要素への上記第2の粒子の入射角に対して第2の角度でオフセットするようにさらに構成され、上記像データによって表される上記像が、上記第1の角度だけオフセットされた上記第1の粒子を表す第1のスポットと、上記第2の角度だけオフセットされた上記第2の粒子を表す第2のスポットとを含む、
上記楔要素をさらに備える、条項2に記載の検査装置。
上記第1のセグメント、上記第2のセグメント、上記第3のセグメント、及び上記第4のセグメントの各々を通過して上記1つ又は複数のフィーチャから散乱する上記照明ビームと、
上記第5のセグメント、上記第6のセグメント、上記第7のセグメント、及び上記第8のセグメントのうちの対応する1つを通過する上記照明ビームの部分と
を表す、上記4つのスポットを上記像内に含む、条項5に記載の検査装置。
第2の偏光構成を有する第2のフィルタコンポーネントであって、上記第2の偏光構成が上記第1の偏光構成に直交する、上記第2のフィルタコンポーネントと
をさらに備える、条項1に記載の検査装置。
上記第2のフィルタコンポーネントが、第3の半部と、上記第3の半部と比較して上記第2のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称である、第4の半部とを備える、
条項7に記載の検査装置。
上記第2のフィルタコンポーネントが、略円形であり、且つ同じサイズの4つのセグメントを備え、
上記第1の偏光構成は、上記同じサイズの4つのセグメントの各々を備え、且つ上記同じサイズの4つのセグメントの偏光の各々が上記第1のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称であるような、上記第1の偏光及び上記第2の偏光の一方であって、上記同じサイズの4つのセグメントの1つを通過する光を上記第1の偏光及び上記第2の偏光の上記一方に偏光させるように動作可能であり、並びに
上記第2の偏光構成は、上記同じサイズの4つのセグメントの偏光の各々が上記第2のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称であり且つ上記第1のフィルタコンポーネントの対応するセグメントに直交するような、上記第1の偏光及び上記第2の偏光の一方であって、上記同じサイズの4つのセグメントの1つを通過する光を上記第1の偏光及び上記第2の偏光の上記一方に偏光させるように動作可能な上記同じサイズの4つのセグメントの各々を備える、
条項7に記載の検査装置。
1つ又は複数のフィーチャを備えるターゲットに入射するように光学システムから照明ビームを出力することと、
第1のフィルタコンポーネントを使用して上記照明ビームに第1の偏光を持たせることと、
第2のフィルタコンポーネントが上記第1のフィルタコンポーネントに直交して位置する、上記第2のフィルタコンポーネントを使用して、上記1つ又は複数のフィーチャから散乱する上記照明ビームの少なくとも一部分に第2の偏光を持たせることと、
結像システムによって、上記照明ビームの少なくとも上記部分を表す強度データを得ることと、
上記強度データに基づいて上記1つ又は複数のフィーチャ各々の像を表す像データを生成することと、
上記第2の偏光を有する上記照明ビームの上記部分の量に基づいて上記1つ又は複数のフィーチャに関連する対象のパラメータの測定値を決定することと
を含む、方法。
上記第2の偏光を持たせることが、上記結像システムに受け取られるのに先立って上記第2の偏光を有するように上記照明ビームの上記部分を偏光させることを含む、
条項10に記載の方法。
上記第1のフィルタコンポーネントの第1のセグメントを通過した上記照明ビームに関連する放射が上記第2のフィルタコンポーネントの第1のセグメントを通過するのを容易にすることと、
上記第1のフィルタコンポーネントの第2のセグメントを通過した上記照明ビームに関連する放射が上記第2のフィルタコンポーネントの第2のセグメントを通過するのを容易にすることと、
上記第1のフィルタコンポーネントの第3のセグメントを通過した上記照明ビームに関連する放射が上記第2のフィルタコンポーネントの第3のセグメントを通過するのを容易にすることと、
上記第1のフィルタコンポーネントの第4のセグメントを通過した上記照明ビームに関連する放射が上記第2のフィルタコンポーネントの第4のセグメントを通過するのを容易にすることと
を含み、
上記第1のフィルタコンポーネントの上記第1のセグメント、上記第1のフィルタコンポーネントの上記第4のセグメント、上記第2のフィルタコンポーネントの上記第3のセグメント、及び上記第2のフィルタコンポーネントの上記第2のセグメントが、上記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成され、並びに
上記第1のフィルタコンポーネントの上記第2のセグメント、上記第1のフィルタコンポーネントの上記第3のセグメント、上記第2のフィルタコンポーネントの上記第1のセグメント、及び上記第2のフィルタコンポーネントの上記第4のセグメントが、上記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成され、上記第2の偏光が上記第1の偏光に直交する、
条項10に記載の方法。
上記第2のフィルタコンポーネントの第2のセグメントを通過する上記照明ビームの上記部分の第2の粒子を上記楔要素への上記第2の粒子の入射角に対して第2の角度でオフセットすることとをさらに含み、上記像データによって表される上記像が、上記第1の角度だけオフセットされた上記第1の粒子を表す第1のスポットと、上記第2の角度だけオフセットされた上記第2の粒子を表す第2のスポットと
を含む、条項10に記載の方法。
上記第1のフィルタコンポーネントの第1のセグメント、上記第1のフィルタコンポーネントの第2のセグメント、上記第1のフィルタコンポーネントの第3のセグメント、及び上記第1のフィルタコンポーネントの第4のセグメントの各々を通過して上記1つ又は複数のフィーチャから散乱する上記照明ビームと、
上記第2のフィルタコンポーネントの上記第1のセグメント、上記第2のフィルタコンポーネントの上記第2のセグメント、上記第2のフィルタコンポーネントの第3のセグメント、及び上記第2のフィルタコンポーネントの第4のセグメントのうちの1つを通過する上記照明ビームの部分と
を表す、上記4つのスポットを上記像内に生成することを含む、条項13に記載の方法。
照明ビームを出力するように構成された光学システムと、
上記照明ビームが、第1のフィルタコンポーネントを通過した後に、第1の偏光を有するように偏光されるように、上記照明ビームを受け取って上記照明ビームに上記第1の偏光を持たせるように構成された上記第1のフィルタコンポーネントと、
1つ又は複数のフィーチャを備えるターゲットであって、上記第1の偏光を有する上記照明ビームが上記ターゲットに入射し、上記1つ又は複数のフィーチャによって散乱された上記照明ビームの少なくとも一部分が、上記第1の偏光に直交する第2の偏光を含む、上記ターゲットと、
上記第2の偏光を含む上記照明ビームの上記部分を受け取るように構成された第2のフィルタコンポーネントであって、上記第2のフィルタコンポーネントを通過した後に、上記照明ビームの残り部分が、上記第2の偏光を有する上記照明ビームの上記残り部分の量に関連付けられ且つ上記1つ又は複数のフィーチャに関連する対象のパラメータを表すように、上記第2のフィルタコンポーネントが、上記照明ビームの上記部分に第2の偏光を持たせるように構成される、上記第2のフィルタコンポーネントと
を備える、システム。
上記第2のフィルタコンポーネントの各点が、上記第2のフィルタコンポーネントの中心に対する上記第2のフィルタコンポーネントの対称点に直交する偏光と、上記第1のフィルタコンポーネント上の対応点の直交偏光とを有するように、上記第2のフィルタコンポーネントが半分に分割される、
条項15に記載の光学システム。
上記第2のフィルタリングコンポーネントの第1のセグメントを通過する上記照明ビームの上記部分の第1の粒子を上記楔要素への上記第1の粒子の入射角に対して第1の角度でオフセットし、且つ
上記第2のフィルタリングコンポーネントの第2のセグメントを通過する上記照明ビームの上記部分の第2の粒子を上記楔要素への上記第2の粒子の入射角に対して第2の角度でオフセットするようにさらに構成され、上記像データによって表される上記像が、上記第1の角度だけオフセットされた上記第1の粒子を表す第1のスポットと、上記第2の角度だけオフセットされた上記第2の粒子を表す第2のスポットとを含む、
上記楔要素をさらに備える、条項15の光学システム。
上記第2のフィルタコンポーネントが、略円形であり、且つ同じサイズの4つのセグメントを備え、
上記第1のフィルタコンポーネントの上記同じサイズの4つのセグメントの各々は、上記第1のフィルタコンポーネントの上記同じサイズの4つのセグメントの各々の偏光が上記第1のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称であるような上記第1の偏光及び上記第2の偏光の一方であって、上記第1のフィルタコンポーネントの上記同じサイズの4つのセグメントの対応する1つを通過する光を上記第1の偏光及び上記第2の偏光の上記一方を有するように偏光させるように構成され、並びに
上記第2のフィルタコンポーネントの上記同じサイズの4つのセグメントの各々は、上記第2のフィルタコンポーネントの上記同じサイズの4つのセグメントの各々が上記第2のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称であり且つ上記第1のフィルタコンポーネントの対応するセグメントとは正反対であるような上記第1の偏光及び上記第2の偏光の一方であって、上記第2のフィルタコンポーネントの上記同じサイズの4つのセグメントの対応する1つを通過する光を上記第1の偏光及び上記第2の偏光の上記一方を有するように偏光させるように構成される、
条項15に記載の光学システム。
Claims (14)
- 1つ又は複数のフィーチャを備えるターゲットに入射する照明ビームを出力するように構成された光学システムであって、前記照明ビームが、前記ターゲットに入射したときに第1の偏光を含むように構成されている、前記光学システムと、
前記1つ又は複数のフィーチャによって散乱された前記照明ビームの少なくとも一部分であって、前記第1の偏光に直交する第2の偏光を含む前記照明ビームの前記部分を表す強度データを得て、
前記強度データに基づいて前記1つ又は複数のフィーチャ各々の像を表す像データを生成し、および
前記第2の偏光を有する前記照明ビームの前記部分の量に基づいて前記1つ又は複数のフィーチャに関連する対象のパラメータの測定値を決定する
ように構成された結像システムと
を備える、検査装置。 - 前記照明ビームが第1のフィルタコンポーネントを通過して前記ターゲットに誘導されるように構成され配置された前記第1のフィルタコンポーネントであって、前記ターゲットに入射するのに先立って前記第1の偏光を有するように前記照明ビームを偏光させる前記第1のフィルタコンポーネントと、
第2のフィルタコンポーネントが前記照明ビームの前記部分を受け取るように構成され前記第1のフィルタコンポーネントに直交して配置された前記第2のフィルタコンポーネントであって、前記第2の偏光を有するように前記照明ビームの前記部分を偏光させる前記第2のフィルタコンポーネントと
をさらに備える、請求項1に記載の検査装置。 - 前記第1のフィルタコンポーネントが、前記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第1のセグメントと、前記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第2のセグメント、前記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第3のセグメントと、前記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第4のセグメントとを備え、
前記第2のフィルタコンポーネントが、前記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第5のセグメントと、前記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第6のセグメント、前記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第7のセグメントと、前記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成された第8のセグメントとを備え、
前記第1のフィルタコンポーネント及び前記第2のフィルタコンポーネントが、前記第1のセグメントを通過する前記照明ビームに関連する放射が前記第8のセグメントを通過し、前記第2のセグメントを通過する前記照明ビームに関連する放射が前記第7のセグメントを通過し、前記第3のセグメントを通過する前記照明ビームに関連する放射が前記第6のセグメントを通過し、および前記第4のセグメントを通過する前記照明ビームに関連する放射が前記第5のセグメントを通過するような向きに配置される、
請求項2に記載の検査装置。 - 前記第1のフィルタコンポーネント及び前記第2のフィルタコンポーネントが、s偏光及びp偏光フィルタ、H偏光及びV偏光フィルタ、左円偏光及び右円偏光フィルタ、並びに左楕円偏光及び右楕円偏光フィルタのうちの1つを含む、請求項3に記載の検査装置。
- 前記第2のフィルタコンポーネントが、少なくとも第1のセグメント及び第2のセグメントを備え、前記検査装置が、
前記第2のフィルタコンポーネントと整列するように構成され配置された楔要素であって、
前記第2のフィルタコンポーネントの前記第1のセグメントを通過する前記照明ビームの前記部分の第1の粒子を前記楔要素への前記第1の粒子の入射角に対して第1の角度でオフセットし、および
前記第2のフィルタコンポーネントの前記第2のセグメントを通過する前記照明ビームの前記部分の第2の粒子を前記楔要素への前記第2の粒子の入射角に対して第2の角度でオフセットするようにさらに構成され、前記像データによって表される前記像が、前記第1の角度だけオフセットされた前記第1の粒子を表す第1のスポットと、前記第2の角度だけオフセットされた前記第2の粒子を表す第2のスポットとを含む、
前記楔要素をさらに備える、請求項2に記載の検査装置。 - 前記像データによって表される前記像が、4つのスポットであって、各々が互いにオフセットされ、および
前記第1のセグメント、前記第2のセグメント、前記第3のセグメント、及び前記第4のセグメントの各々を通過して前記1つ又は複数のフィーチャから散乱する前記照明ビームと、
前記第5のセグメント、前記第6のセグメント、前記第7のセグメント、及び前記第8のセグメントのうちの対応する1つを通過する前記照明ビームの部分と
を表す、前記4つのスポットを前記像内に含む、請求項3に記載の検査装置。 - 第1の偏光構成を有する第1のフィルタコンポーネントと、
第2の偏光構成を有する第2のフィルタコンポーネントであって、前記第2の偏光構成が前記第1の偏光構成に直交する、前記第2のフィルタコンポーネントと
をさらに備える、請求項1に記載の検査装置。 - 前記第1のフィルタコンポーネントが、第1の半部と、前記第1の半部と比較して前記第1のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称である、第2の半部とを備え、および
前記第2のフィルタコンポーネントが、第3の半部と、前記第3の半部と比較して前記第2のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称である、第4の半部とを備える、
請求項7に記載の検査装置。 - 前記第1のフィルタコンポーネントが、略円形であり、同じサイズの4つのセグメントを備え、
前記第2のフィルタコンポーネントが、略円形であり、同じサイズの4つのセグメントを備え、
前記第1の偏光構成は、前記同じサイズの4つのセグメントの各々を備え、前記同じサイズの4つのセグメントの偏光の各々が前記第1のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称であるような、前記第1の偏光及び前記第2の偏光の一方であって、前記同じサイズの4つのセグメントの1つを通過する光を前記第1の偏光及び前記第2の偏光の前記一方に偏光させるように動作可能であり、並びに
前記第2の偏光構成は、前記同じサイズの4つのセグメントの偏光の各々が前記第2のフィルタコンポーネントの中心に対して点対称であり、前記第1のフィルタコンポーネントの対応するセグメントに直交するような、前記第1の偏光及び前記第2の偏光の一方であって、前記同じサイズの4つのセグメントの1つを通過する光を前記第1の偏光及び前記第2の偏光の前記一方に偏光させるように動作可能な前記同じサイズの4つのセグメントの各々を備える、
請求項7に記載の検査装置。 - 1つ又は複数のフィーチャを備えるターゲットに入射するように光学システムから照明ビームを出力することと、
第1のフィルタコンポーネントを使用して前記照明ビームに第1の偏光を持たせることと、
第2のフィルタコンポーネントが前記第1のフィルタコンポーネントに直交して位置する、前記第2のフィルタコンポーネントを使用して、前記1つ又は複数のフィーチャから散乱する前記照明ビームの少なくとも一部分に第2の偏光を持たせることと、
結像システムによって、前記照明ビームの少なくとも前記部分を表す強度データを得ることと、
前記強度データに基づいて前記1つ又は複数のフィーチャ各々の像を表す像データを生成することと、
前記第2の偏光を有する前記照明ビームの前記部分の量に基づいて前記1つ又は複数のフィーチャに関連する対象のパラメータの測定値を決定することと
を含む、方法。 - 前記第1の偏光を持たせることが、前記ターゲットに入射するのに先立って前記第1の偏光を有するように前記照明ビームを偏光させることを含み、
前記第2の偏光を持たせることが、前記結像システムに受け取られるのに先立って前記第2の偏光を有するように前記照明ビームの前記部分を偏光させることを含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記第2の偏光を持たせることが、
前記第1のフィルタコンポーネントの第1のセグメントを通過した前記照明ビームに関連する放射が前記第2のフィルタコンポーネントの第1のセグメントを通過するのを容易にすることと、
前記第1のフィルタコンポーネントの第2のセグメントを通過した前記照明ビームに関連する放射が前記第2のフィルタコンポーネントの第2のセグメントを通過するのを容易にすることと、
前記第1のフィルタコンポーネントの第3のセグメントを通過した前記照明ビームに関連する放射が前記第2のフィルタコンポーネントの第3のセグメントを通過するのを容易にすることと、
前記第1のフィルタコンポーネントの第4のセグメントを通過した前記照明ビームに関連する放射が前記第2のフィルタコンポーネントの第4のセグメントを通過するのを容易にすることと
を含み、
前記第1のフィルタコンポーネントの前記第1のセグメント、前記第1のフィルタコンポーネントの前記第4のセグメント、前記第2のフィルタコンポーネントの前記第3のセグメント、及び前記第2のフィルタコンポーネントの前記第2のセグメントが、前記第1の偏光を有するように光を偏光させるように構成され、並びに
前記第1のフィルタコンポーネントの前記第2のセグメント、前記第1のフィルタコンポーネントの前記第3のセグメント、前記第2のフィルタコンポーネントの前記第1のセグメント、及び前記第2のフィルタコンポーネントの前記第4のセグメントが、前記第2の偏光を有するように光を偏光させるように構成され、前記第2の偏光が前記第1の偏光に直交する、
請求項10に記載の方法。 - 前記強度データが得られるのに先立って、前記第2のフィルタコンポーネントと整列するように構成され配置された楔要素を介して、前記第2のフィルタコンポーネントの第1のセグメントを通過する前記照明ビームの前記部分の第1の粒子を前記楔要素への前記第1の粒子の入射角に対して第1の角度でオフセットすることと、
前記第2のフィルタコンポーネントの第2のセグメントを通過する前記照明ビームの前記部分の第2の粒子を前記楔要素への前記第2の粒子の入射角に対して第2の角度でオフセットすることとをさらに含み、前記像データによって表される前記像が、前記第1の角度だけオフセットされた前記第1の粒子を表す第1のスポットと、前記第2の角度だけオフセットされた前記第2の粒子を表す第2のスポットと
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記像データを生成することが、4つのスポットであって、各々が互いにオフセットされ、および
前記第1のフィルタコンポーネントの第1のセグメント、前記第1のフィルタコンポーネントの第2のセグメント、前記第1のフィルタコンポーネントの第3のセグメント、及び前記第1のフィルタコンポーネントの第4のセグメントの各々を通過して前記1つ又は複数のフィーチャから散乱する前記照明ビームと、
前記第2のフィルタコンポーネントの前記第1のセグメント、前記第2のフィルタコンポーネントの前記第2のセグメント、前記第2のフィルタコンポーネントの第3のセグメント、及び前記第2のフィルタコンポーネントの第4のセグメントのうちの1つを通過する前記照明ビームの部分と
を表す、前記4つのスポットを前記像内に生成することを含む、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18156625.8 | 2018-02-14 | ||
EP18156625.8A EP3528047A1 (en) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques |
PCT/EP2019/051618 WO2019158328A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-01-23 | Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021513684A JP2021513684A (ja) | 2021-05-27 |
JP7162666B2 true JP7162666B2 (ja) | 2022-10-28 |
Family
ID=61223785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020543214A Active JP7162666B2 (ja) | 2018-02-14 | 2019-01-23 | 像面検出技術を使用して対象のパラメータを測定するための方法及び装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10983445B2 (ja) |
EP (1) | EP3528047A1 (ja) |
JP (1) | JP7162666B2 (ja) |
KR (1) | KR102525481B1 (ja) |
CN (1) | CN111886546A (ja) |
IL (1) | IL276670B2 (ja) |
TW (1) | TWI699628B (ja) |
WO (1) | WO2019158328A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020211702A1 (de) * | 2020-09-18 | 2022-03-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Überwachen einer Immersionsflüssigkeit in einem Mikroskop |
TWI808554B (zh) * | 2020-12-04 | 2023-07-11 | 亞光股份有限公司 | 使用陰極發光測量判別半導體材料中的位錯類型和密度的裝置與方法 |
US11782001B2 (en) | 2020-12-04 | 2023-10-10 | Attolight AG | Dislocation type and density discrimination in semiconductor materials using cathodoluminescence measurements |
DE102021204170B4 (de) * | 2021-04-27 | 2024-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung sowie Verfahren zur Messung einer Wirkung einer wellenlängenabhängigen Messlicht-Reflektivität sowie einer Wirkung einer Polarisation von Messlicht auf eine Messlicht-Beaufschlagung einer Lithografiemaske |
WO2023001448A1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and metrology device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030206298A1 (en) | 2002-05-02 | 2003-11-06 | Joerg Bischoff | Overlay measurements using zero-order cross polarization measurements |
US20110188020A1 (en) | 2008-06-26 | 2011-08-04 | Asml Netherlands B.V. | Overlay Measurement Apparatus, Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method Using Such Overlay Measurement Apparatus |
US20110310388A1 (en) | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Discrete polarization scatterometry |
US20120044495A1 (en) | 2010-03-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Inspection Method and Apparatus, and Associated Computer Readable Product |
US20170242343A1 (en) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of Measuring a Structure, Inspection Apparatus, Lithographic System, Device Manufacturing Method and Wavelength-Selective Filter for Use therein |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI63835C (fi) * | 1981-02-10 | 1983-08-10 | Altim Control Ky | Foerfarande foer identifiering av ett virkes ytegenskaper |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US8908175B1 (en) * | 2006-03-31 | 2014-12-09 | Kla-Tencor Corporation | Flexible scatterometry metrology system and method |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
US8848186B2 (en) * | 2009-07-22 | 2014-09-30 | Kla-Tencor Corporation | Angle-resolved antisymmetric scatterometry |
CN102498441B (zh) | 2009-07-31 | 2015-09-16 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元 |
NL2005192A (en) | 2009-08-24 | 2011-02-28 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method and substrate. |
EP2369413B1 (en) * | 2010-03-22 | 2021-04-07 | ASML Netherlands BV | Illumination system and lithographic apparatus |
WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
JP5661194B2 (ja) | 2010-11-12 | 2015-01-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
WO2012062501A1 (en) | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method |
IL217843A (en) * | 2011-02-11 | 2016-11-30 | Asml Netherlands Bv | A system and method for testing, a lithographic system, a cell for lithographic processing, and a method for producing a device |
US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
NL2008936A (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-29 | Asml Netherlands Bv | Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method. |
KR101761735B1 (ko) | 2012-03-27 | 2017-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
NL2010458A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
JP6077647B2 (ja) | 2012-05-29 | 2017-02-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
NL2011477A (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-14 | Asml Netherlands Bv | Mark position measuring apparatus and method, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US9733572B2 (en) * | 2013-03-20 | 2017-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2014198516A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining critical-dimension-related properties, inspection apparatus and device manufacturing method |
JP6433504B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2018-12-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ターゲット構成の最適化及び関連するターゲット |
WO2016015987A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method |
US9793178B2 (en) * | 2014-08-28 | 2017-10-17 | University Of Rochester | Focused beam scatterometry apparatus and method |
WO2016096524A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
CN105807573B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-12-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 用于套刻误差检测的装置和方法 |
KR20180095605A (ko) * | 2015-12-17 | 2018-08-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스캐터로메트리에서의 편광 튜닝 |
WO2017148665A1 (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus |
US10048132B2 (en) * | 2016-07-28 | 2018-08-14 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous capturing of overlay signals from multiple targets |
-
2018
- 2018-02-14 EP EP18156625.8A patent/EP3528047A1/en not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-01-23 KR KR1020207025099A patent/KR102525481B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-23 WO PCT/EP2019/051618 patent/WO2019158328A1/en active Application Filing
- 2019-01-23 JP JP2020543214A patent/JP7162666B2/ja active Active
- 2019-01-23 CN CN201980020487.0A patent/CN111886546A/zh active Pending
- 2019-01-31 TW TW108103735A patent/TWI699628B/zh active
- 2019-02-06 US US16/268,564 patent/US10983445B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-12 IL IL276670A patent/IL276670B2/en unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030206298A1 (en) | 2002-05-02 | 2003-11-06 | Joerg Bischoff | Overlay measurements using zero-order cross polarization measurements |
US20110188020A1 (en) | 2008-06-26 | 2011-08-04 | Asml Netherlands B.V. | Overlay Measurement Apparatus, Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method Using Such Overlay Measurement Apparatus |
JP2011525713A (ja) | 2008-06-26 | 2011-09-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバレイ測定装置、リソグラフィ装置、及びそのようなオーバレイ測定装置を用いたデバイス製造方法 |
US20120044495A1 (en) | 2010-03-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Inspection Method and Apparatus, and Associated Computer Readable Product |
US20110310388A1 (en) | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Discrete polarization scatterometry |
US20170242343A1 (en) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of Measuring a Structure, Inspection Apparatus, Lithographic System, Device Manufacturing Method and Wavelength-Selective Filter for Use therein |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111886546A (zh) | 2020-11-03 |
IL276670B2 (en) | 2023-06-01 |
US20190250094A1 (en) | 2019-08-15 |
TW201940992A (zh) | 2019-10-16 |
IL276670A (en) | 2020-09-30 |
KR20200111806A (ko) | 2020-09-29 |
TWI699628B (zh) | 2020-07-21 |
JP2021513684A (ja) | 2021-05-27 |
EP3528047A1 (en) | 2019-08-21 |
WO2019158328A1 (en) | 2019-08-22 |
US10983445B2 (en) | 2021-04-20 |
KR102525481B1 (ko) | 2023-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112740109B (zh) | 用于位置量测的量测传感器 | |
JP7162666B2 (ja) | 像面検出技術を使用して対象のパラメータを測定するための方法及び装置 | |
US10775704B2 (en) | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein | |
TWI635272B (zh) | 電腦程式產品、用以量測目標結構之性質的方法及檢測裝置及製造器件之方法 | |
JP6626208B2 (ja) | リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法、パターニングデバイス、計測装置、リソグラフィシステム、コンピュータプログラムおよびデバイス製造方法 | |
JP6703612B2 (ja) | 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、およびデバイス製造方法 | |
TWI706231B (zh) | 量測結構之方法、檢測設備、微影系統及器件製造方法 | |
TWI544287B (zh) | 檢測裝置及方法、微影裝置、微影處理製造單元及元件製造方法 | |
US11474435B2 (en) | Metrology sensor, illumination system and method of generating measurement illumination with a configurable illumination spot diameter | |
KR20180095605A (ko) | 스캐터로메트리에서의 편광 튜닝 | |
JP2019511000A (ja) | 照明システムおよびメトロロジシステム | |
JP2020515028A (ja) | 基板の特性を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、及びデバイス製造方法 | |
KR20190046962A (ko) | 공정 장치를 모니터링하는 장치 및 방법 | |
TWI662375B (zh) | 可撓式照明器 | |
CN116157743A (zh) | 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法、图案形成装置和设备、器件制造方法 | |
WO2017194393A1 (en) | Radiation conditioning system, illumination system and metrology apparatus, device manufacturing method | |
US10678145B2 (en) | Radiation receiving system | |
TWI724573B (zh) | 測量微影設備之聚焦性能之方法及圖案化裝置及設備與裝置製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201008 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7162666 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |