TWI694609B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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李知恩
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Abstract

一種有機發光顯示裝置包含：一基板，包含一顯示區域及一非顯示區域，該非顯示區域設置於該顯示區域之一側上；一線單元，包含沿一方向延伸之複數條線且設置於該基板上之該非顯示區域中；一絕緣膜，設置於該線單元上並暴露出該線單元之一端部；以及一金屬層，設置於該線單元與該絕緣膜之間。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法 【優先權聲明】
本申請案主張2015年4月14日提出申請之第10-2015-0052456號韓國專利申請案之優先權，該韓國專利申請案之揭露內容以引用方式全文併入本文中。
本發明概念之各實例性實施例係關於一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法，且更具體而言，係關於一種在各扇出線(fan-out line)之間具有一降低之短路缺陷(short defect)之有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法。
由於有機發光顯示裝置具有寬廣視角、良好對比度及快速回應時間，因此有機發光顯示裝置之使用正在增加。在一有機發光顯示裝置中，複數個薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)及複數個有機發光器件形成於一下部基板上，且該等有機發光器件會自發射光。該等有機發光顯示裝置可用作一小型產品(例如，一可攜式終端機)之一顯示器及一大型產品(例如，一電視機)之一顯示器。
該有機發光顯示裝置包含一基板，該基板具有一顯示區域及位於該顯示區域以外之一焊墊區域。該基板之顯示區域中形成有複數個有機發光器件，該等有機發光器件係以一矩陣形式連接於各掃描線與各資料線之間，以形成複數個畫素。該焊墊區域中形成有一掃描驅動單元及一資料驅動單元，該掃描驅動單元及該資料驅動單元處理並供應經由一輸入焊墊及各掃描線與資料線而自有機發光顯示裝置外部提供之訊號。該掃描驅動單元及該資料驅動單元各自包含一驅動電路，該驅動電路處理自有機發光顯示裝置外部提供之訊號以分別產生掃描訊號及資料訊號。該驅動電路係在有機發光器件之一製造過程期間形成或被作為一單獨驅動電路晶片而製造並隨後安裝於基板上。
在形成各薄膜電晶體、各有機發光器件以及連接至該等薄膜電晶體及該等有機發光器件之各種線之一製程期間，藉由在基板上塗覆一材料層並將該材料層蝕刻成一所需圖案，該有機發光顯示裝置便形成一顯示裝置。在此製程期間，該材料層係在該材料層被塗覆於顯示區域及整個基板上之後被蝕刻成所需圖案。
本發明概念之各實例性實施例包含一種在相鄰扇出線之間具有一降低之短路缺陷之有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法。
根據本發明概念之一實例性實施例，一種有機發光顯示裝置包含：一基板，包含一顯示區域及一非顯示區域，該非顯示區域設置於該顯示區域之一側上；一線單元(line unit)，包含沿一方向延伸之複數條線且設置於該基板上之該非顯示區域中；一絕緣膜，設置於該線單元上並暴露 出該線單元之一端部；以及一金屬層，設置於該線單元與該絕緣膜之間。
在一實例性實施例中，該金屬層係以一島形狀設置於各該線上。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置包含一第一焊墊單元及一第二焊墊單元，該第一焊墊單元設置於該線單元之該一端部上，該第二焊墊單元設置於該線單元之另一端部上。
在一實例性實施例中，該第一焊墊單元電性連接至一驅動電路晶片，且該第二焊墊單元電性連接至一可撓性印刷電路板。
在一實例性實施例中，該絕緣膜包含一有機絕緣材料。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置包含：一薄膜電晶體，設置於該基板上之該顯示區域中；以及一畫素電極，電性連接至該薄膜電晶體。該金屬層與該畫素電極包含一第一同一材料。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置包含一畫素界定層，該畫素界定層覆蓋該畫素電極(例如：該畫素電極之一邊緣)並暴露出該畫素電極之一中心部分。該絕緣膜與該畫素界定層包含一第二同一材料。
根據本發明概念之一實例性實施例，一種有機發光顯示裝置包含一基板，該基板包含一顯示區域，設置於該顯示區域之一側上之一非顯示區域、形成於該非顯示區域之一中心部分中之一焊墊區域以及設置於該非顯示區域中之一扇出區域(fan-out area)。該焊墊區域設置於該顯示區域與該扇出區域之間。該有機發光顯示裝置更包含：一線單元，包含複數條線，該等線在該基板上設置於該扇出區域中且沿一方向延伸；一第一絕 緣膜，設置於該非顯示區域之不包含該扇出區域及該焊墊區域之一部分中；以及一第二絕緣膜，設置於該線單元上並暴露出該線單元之一端部。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置包含一金屬層，該金屬層設置於該線單元與該第二絕緣膜之間。
在一實例性實施例中，該金屬層以一島形狀設置於各該線上。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置包含：一薄膜電晶體，設置於該基板上之該顯示區域中；以及一畫素電極，電性連接至該薄膜電晶體。該金屬層與該畫素電極包含一第一同一材料。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置更包含一畫素界定層，該畫素界定層覆蓋該畫素電極之一邊緣並暴露出該畫素電極之一中心部分。該第二絕緣膜與該畫素界定層包含一第二同一材料。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置更包含一平坦化層，該平坦化層設置於該薄膜電晶體與該畫素電極之間。該第一絕緣膜與該平坦化層包含一第二同一材料。
在一實例性實施例中，該薄膜電晶體包含一半導體層、一閘電極、一源電極及一汲電極，且該線單元與該汲電極或該源電極包含一第二同一材料。
在一實例性實施例中，該有機發光顯示裝置包含一第一焊墊單元及一第二焊墊單元，該第一焊墊單元設置於該線單元之該端部上，該第二焊墊單元設置於該線單元之另一端部上。
在一實例性實施例中，該第一焊墊單元電性連接至一驅動電 路晶片，且該第二焊墊單元電性連接至一可撓性印刷電路板。
在一實例性實施例中，該第一絕緣膜及該第二絕緣膜包含一有機絕緣材料。
根據本發明概念之一實例性實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法包含在一基板上在該基板之一扇出區域中形成沿一方向延伸之複數條線。該基板包含一顯示區域、設置於該顯示區域之一側上之一非顯示區域、設置於該非顯示區域中之該扇出區域、一焊墊區域及一圍繞區域，該焊墊區域形成於該非顯示區域之一中心部分中並設置於該顯示區域與該扇出區域之間，該圍繞區域設置於該非顯示區域之不包含該焊墊區域及該扇出區域之一部分中。該方法更包含在該基板上之該圍繞區域中形成一第一絕緣膜。形成於該扇出區域中之該等線自該第一絕緣膜暴露出。該方法更包含：在各該線上形成一金屬層；以及在該金屬層上形成一第二絕緣膜。該第二絕緣膜覆蓋該等線且在該焊墊區域中暴露出各該線之一端部。
在一實例性實施例中，形成該第一絕緣膜包含：將一第一絕緣材料層塗覆於該基板上；以及移除形成於該焊墊區域及該扇出區域中之該第一絕緣材料層。
在一實例性實施例中，形成該金屬層包含在各該線上以一島形狀形成該金屬層。
在一實例性實施例中，形成該第二絕緣膜包含：在該基板上塗覆一第二絕緣材料層以覆蓋該金屬層、該等線及該第一絕緣膜，以及移除形成於該焊墊區域及該圍繞區域中之該第二絕緣材料層。
在一實例性實施例中，該方法更包含：在該顯示區域中形成 一薄膜電晶體；以及形成一畫素電極，該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體。形成該金屬層係實質上與形成該畫素電極在一第一同一時間執行。
在一實例性實施例中，該方法更包含形成一畫素界定層，該畫素界定層覆蓋該畫素電極之一邊緣並暴露出該畫素電極之一中心部分。形成該第二絕緣膜係實質上與形成該畫素界定層在一第二同一時間執行。
在一實例性實施例中，該方法更包含在形成該薄膜電晶體之後且在形成該畫素電極之前，形成一平坦化層。形成該第一絕緣膜係實質上與形成該平坦化層同時地執行。
在一實例性實施例中，形成該薄膜電晶體包含：形成一半導體層；形成一閘電極；以及形成一源電極及一汲電極，該源電極及該汲電極電性連接至該半導體層。形成該等線係實質上與形成該源電極或該汲電極同時地執行。
在一實例性實施例中，該方法更包含：將各該線之該端部電性連接至一驅動電路晶片；以及將各該線之另一端部電性連接至一可撓性印刷電路板。
在一實例性實施例中，該第一絕緣膜及該第二絕緣膜包含一有機絕緣材料。
根據本發明概念之一實例性實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法包含：在一基板之一非顯示區域中形成一線單元，該線單元包含沿一方向延伸之複數條線。該基板包含一顯示區域及設置於該顯示區域之一側上之該非顯示區域。該方法更包含在該線單元上形成一絕緣膜。該絕緣膜暴露出該線單元之一端部。該方法更包含形成一金屬層，該金屬 層設置於該線單元與該絕緣膜之間。
在一實例性實施例中，該方法更包含在該基板上之該顯示區域中形成一薄膜電晶體；以及形成一畫素電極，該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體。該金屬層與該畫素電極包含一第一同一材料。
在一實例性實施例中，該方法更包含形成一畫素界定層。該畫素界定層覆蓋該畫素電極之一邊緣並暴露出該畫素電極之一中心部分。該絕緣膜與該畫素界定層包含一第二同一材料。
可例如使用一系統、一方法、一電腦程式或該系統、該方法及該電腦程式之一組合來實施本發明性概念之各實例性實施例。
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧半導體層
130‧‧‧閘極絕緣膜
140‧‧‧閘電極
150‧‧‧層間絕緣膜
160‧‧‧源電極
162‧‧‧汲電極
163‧‧‧第一焊墊單元
165‧‧‧扇出線
165a‧‧‧一端部
165b‧‧‧另一端部
167‧‧‧第二焊墊單元
169‧‧‧階部凹槽
170‧‧‧平坦化層
175‧‧‧第一絕緣膜
175’‧‧‧第一絕緣材料層
180‧‧‧畫素界定層
185‧‧‧第二絕緣膜
185’‧‧‧第二絕緣材料層
200‧‧‧有機發光器件OLED
210‧‧‧畫素電極
215‧‧‧金屬層
215’‧‧‧金屬材料層
220‧‧‧中間層
230‧‧‧相對電極
300‧‧‧線單元
400‧‧‧驅動電路晶片
500‧‧‧可撓性印刷電路板
CAP‧‧‧電容器
DA‧‧‧顯示區域
DL‧‧‧資料線
FA‧‧‧扇出區域
GL‧‧‧閘極線
NDA‧‧‧非顯示區域
PA‧‧‧焊墊區域
PX‧‧‧畫素
SA‧‧‧圍繞區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體
X‧‧‧軸線方向
Y‧‧‧軸線方向
Z‧‧‧軸線方向
III‧‧‧區域
IV-IV’‧‧‧線
藉由參照附圖詳細地闡述本發明概念之各實例性實施例，本發明概念之以上及其他特徵將變得顯而易見，附圖中：第1圖係為示意性例示根據本發明概念之一實例性實施例，一有機發光顯示裝置之平面圖；第2圖係為例示根據本發明概念之一實例性實施例，第1圖所示之一焊墊區域PA之放大平面圖；第3圖係為例示根據本發明概念之一實例性實施例，第2圖所示之一區域III之放大平面圖；第4圖係為根據本發明概念之一實例性實施例，沿著第3圖所示線IV-IV’所截取之示意性剖視圖；第5圖係為根據本發明概念之一實例性實施例，第1圖所示之 一顯示區域之一部分之示意性剖視圖；以及第6A圖至第8B圖係為例示根據本發明概念之一實例性實施例，製造第4圖所示有機發光顯示裝置之一方法之示意性剖視圖。
下文將參照附圖更全面地闡述本發明概念之各實例性實施例。在附圖中，為清晰起見，可擴大各層及區之大小及相對大小以及厚度。在所有附圖中，相同參考編號可指代相同元件。
應理解，雖然本文中可使用措詞「第一」、「第二」等來闡述各種組件，但此等組件不應受此等措詞限制。此等組件僅用於將一個組件與另一組件區分開。因此，一實例性實施例中之一「第一」元件可在另一實例性實施例中被闡述為一「第二」元件。除非上下文另有清晰指示，否則一單數形式之措詞可包含複數形式。
在以下實例中，x軸線、y軸線及z軸線並不限於直角座標系之三個軸線，而是可以一更廣泛意義來解釋。舉例而言，x軸線、y軸線及z軸線可彼此垂直，或者可表示不彼此垂直之不同方向。
當可不同地實施某一實施例時，可不同於所述次序來執行一特定過程次序。舉例而言，可實質上同時執行或者可以與所述次序相反之一次序執行二個被連續闡述之過程。
為便於說明，本文中可使用例如「在……之下」、「在……下面」、「下部」、「在……下方」、「在……上面」、「上部」等空間相對性措詞來闡述如各圖中所例示一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵之關係。將理解，該等空間相對性措詞意欲除圖中所繪示之定向以外亦囊括器件在 使用或運作時之不同定向。舉例而言，若將圖中之裝置翻轉，則闡述為在其他元件或特徵「下面」或「之下」或「下方」之元件則將被定向成在其他元件或特徵「上面」。因此，實例性措詞「在……下面」及「在……下方」可囊括在……上面及在……下面二種定向。
應理解，當將一組件(例如一膜、一區、一層、或一元件)稱作位於另一組件「上」、「連接至」、「耦合至」或「鄰近於」另一組件時，該組件可係直接位於該另一組件上、連接至、耦合至、或鄰近於該另一組件，或者可能存在中間組件。亦應理解，當將一組件稱作位於二個組件「之間」時，該組件可係為該二個組件間之僅有組件，或者亦可存在一或多個中間組件。亦應理解，當將一組件稱作「覆蓋」另一組件時，該組件可係為覆蓋該另一組件之僅有組件，或者一或多個中間組件亦可覆蓋該另一組件。
本文中，本領域具有通常知識者可理解，當將二或更多個元素或值闡述為彼此實質上相同或大約相等時，該等元素或值係為彼此等同、彼此無法區分開或彼此可區分開但彼此在功能上相同。此外，本領域具有通常知識者可理解，當將二個過程闡述為彼此被同時或實質上同時執行時，該等過程可係在完全相同之時間或在大約相同之時間被執行。此外，當將一第一區域闡述為圍繞一第二區域時，應理解該第一區域可完全地或局部地圍繞該第二區域。
第1圖係為示意性例示根據本發明概念之一實例性實施例，一有機發光顯示裝置之平面圖。第2圖係為例示根據本發明概念之一實例性實施例，第1圖所示之一焊墊區域PA之放大平面圖。第3圖係為例示根據本發明概念之一實例性實施例，第2圖所示之一區域III之放大平面圖。
參照第1圖至第3圖，根據一實例性實施例之有機發光顯示裝置可包含：一基板100，包含一顯示區域DA及一非顯示區域NDA，非顯示區域NDA設置於顯示區域DA之一側上；一有機發光器件OLED 200，設置於顯示區域DA中；一線單元300，設置於非顯示區域NDA中；一第一絕緣膜175，設置於非顯示區域NDA之不包含線單元300之一部分中；一第二絕緣膜185，設置於線單元300上；以及一金屬層215，設置於線單元300之扇出線165上。
基板100可包含其中顯示一影像之顯示區域DA及其中不顯示一影像之非顯示區域NDA。該非顯示區域NDA可設置於顯示區域DA之一側上。複數個畫素PX可設置於顯示區域DA中。訊號線可包含沿一第一方向(例如：X軸線方向)延伸之複數條閘極線GL及沿一第二方向(例如：Y軸線方向)延伸之複數條資料線DL。畫素PX可設置於閘極線GL與資料線DL彼此交叉之一區域中。
閘極線GL可包含一前掃描線(previous scan line)、一發光控制線等。然而，閘極線GL並不限於此。閘極線GL可連接至一閘極驅動單元或一發光控制驅動單元，以接收一掃描訊號或一發光控制訊號。就此而言，上述閘極線GL中所包含之訊號線之類型、由該等訊號線所傳送之訊號之類型、該等訊號線所連接至的驅動單元之類型、數目及位置等並不限於上述，而是可根據具有不同設計之實例性實施例以各種方式來加以應用及修改。
資料線DL可經由一焊墊及一扇出線連接至安裝於非顯示區域NDA中之一驅動電路晶片400。資料線DL可經由該扇出線自驅動電路晶片400接收一資料訊號。
如上所述，畫素PX可設置於閘極線GL與資料線DL彼此交叉之區域中。畫素PX可發射例如紅色光、綠色光或藍色光。然而，畫素PX並不限於此。舉例而言，畫素PX可發射白色光。
畫素PX可包含：有機發光器件OLED 200，以與一驅動電流對應之一亮度發射光，該驅動電流對應於該資料訊號；以及一畫素電路(或一驅動電路)，控制流經有機發光器件OLED 200之驅動電流。該畫素電路可連接至各閘極線GL及各資料線DL。有機發光器件OLED 200可連接至該畫素電路。如第5圖中所示，該畫素電路可包含至少一個薄膜電晶體TFT及一電容器CAP。
參照非顯示區域NDA，此區域中不顯示影像，且用於驅動有機發光顯示裝置之各種構件及其他模組可安裝於此區域上。舉例而言，非顯示區域NDA之一中心部分可包含：焊墊區域PA，上面安裝有驅動電路晶片400；一扇出區域FA，相對於焊墊區域PA與顯示區域DA相對設置(例如：焊墊區域PA設置於顯示區域DA與扇出區域FA之間)且包含電性連接至一可撓性印刷電路板(flexible printed circuit board；FPCB)500之扇出線165；以及一圍繞區域SA，圍繞焊墊區域PA及扇出區域FA。
基板100可由各種材料形成，例如：一玻璃材料、一金屬材料、或例如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚醯亞胺(polyimide)等各塑膠材料。然而，基板100並不限於此。
參照第2圖，線單元300可設置於非顯示區域NDA之扇出區域FA中且可包含扇出線165。扇出線165可沿一方向(例如：Y軸線方向)設置且可延伸至基板100之外部。
線單元300之一端部165a可延伸至焊墊區域PA。線單元300之端部165a係指線單元300之該等扇出線165之端部165a。因此，各該扇出線165之一端部165a可延伸至焊墊區域PA。一第一焊墊單元163可設置於線單元300之端部165a上。線單元300之另一端部165b可延伸至基板100之外部。一第二焊墊單元167可設置於線單元300之另一端部165b上並連接至另一端部165b。第一焊墊單元163可係為驅動電路晶片400之一連接端子所被電性連接至的一部分。第二焊墊單元167可係為可撓性印刷電路板500之一連接端子所被電性連接至的一部分。第一焊墊單元163及第二焊墊單元167可自扇出線165延伸出且可將該等扇出線連接至驅動電路晶片400及可撓性印刷電路板500。
線單元300可由與薄膜電晶體TFT之一源電極(參見第5圖之160)、或下文將更詳細闡述之一汲電極(參見第5圖之162)之材料相同之材料形成。因此，根據各實例性實施例，線單元300係與薄膜電晶體TFT之一源電極160及一汲電極162同時地形成。亦即，根據各實例性實施例，線單元300與薄膜電晶體TFT之源電極160及汲電極162係實質上同時地形成。
第一絕緣膜175可設置於非顯示區域NDA之不包含扇出區域FA及焊墊區域PA之一部分中。舉例而言，第一絕緣膜175可形成於非顯示區域NDA之圍繞區域SA中。第一絕緣膜175可包含與形成於顯示區域DA中之一平坦化層(參見第5圖之170)相同之材料，下文將進一步闡述該平坦化層。因此，第一絕緣膜175可係在被形成於整個基板100上之顯示區域DA及非顯示區域NDA上之後予以圖案化。第一絕緣膜175可由一有機絕緣材料形成且可使設置於圍繞區域SA中之各種結構與外部絕緣。
第二絕緣膜185可設置於其中設置有線單元300之扇出區域 FA中。亦即，第二絕緣膜185可設置於線單元300上，且可覆蓋線單元300並可暴露出線單元300之上面設置有第一焊墊單元163之端部165a。舉例而言，線單元300之端部165a可自第二絕緣膜185暴露出，進而容許第一焊墊單元163設置於端部165a上並連接至端部165a。第二絕緣膜185可包含與形成於顯示區域DA中之一畫素界定層(參見第5圖之180)之材料相同之材料，下文將進一步闡述該畫素界定層。因此，第二絕緣膜185可係在被形成於整個基板100上之顯示區域DA及非顯示區域NDA上之後予以圖案化。第二絕緣膜185可由一有機絕緣材料形成且可使線單元300與外部絕緣。
第一絕緣膜175可設置於非顯示區域NDA之圍繞區域SA中，第二絕緣膜185可設置於非顯示區域NDA之扇出區域FA中，且第一絕緣膜175及第二絕緣膜185可不設置於非顯示區域NDA之焊墊區域PA中。焊墊區域PA係為其中不設置有第一絕緣膜175及第二絕緣膜185之一開放區域(open area)。扇出線165之端部165a及自扇出線165之端部165a延伸之第一焊墊單元163可被暴露於外部。
金屬層215可設置於線單元300中所包含之各該扇出線165上。如第3圖中所示，金屬層215可係以一島形狀設置於各該扇出線165上。舉例而言，金屬層215可具有設置於各該扇出線165上之一島形狀，俾使金屬層215係設置於扇出線165之邊界內。亦即，島形金屬層215之邊緣/側邊可設置於扇出線165以內而不接觸扇出線165之邊緣/側邊(例如：在一平面圖中，金屬層215之每一邊緣/側邊與扇出線165之每一邊緣/側邊之間可存在一空間)。金屬層215可具有例如一矩形島形狀。然而，金屬層215並不限於此。金屬層215可包含與形成於顯示區域DA中之一畫素電極(參見第5圖之210)相同之材料，下文將進一步闡述該畫素電極。因此，金屬層215可在如下操 作之後形成：在整個基板100上之顯示區域DA及非顯示區域NDA上形成用以形成畫素電極210之一材料，將該材料圖案化，並保留畫素電極210之一圖案與如金屬層215等各種圖案，並蝕刻掉一非必要部分。金屬層215可設置於各該扇出線165上，此可增加被設計成具有小寬度之扇出線165之厚度，藉此降低扇出線165之電阻。
驅動電路晶片400可包含向資料線DL供應資料訊號之一資料驅動單元及用以驅動顯示區域DA之各種功能單元。驅動電路晶片400可係使用例如玻璃覆晶(chip-on-glass；COG)安裝方式被安裝於基板100上。電性連接至形成於基板100上之各焊墊(包含第一焊墊單元163)之一連接端子可設置於驅動電路晶片400之一側上。一導電球可設置於該等焊墊與該連接端子之間，以使用例如設置於該等焊墊與該連接端子間之一可電性連接黏合材料來接合該等焊墊與該連接端子。舉例而言，一各向異性導電膜、一自組織導電膜(self organizing conductive film)等可用作該黏合材料。然而，該黏合材料並不限於此。
第4圖係為根據本發明性概念之一實例性實施例，沿著第3圖所示線IV-IV’所截取之示意性剖視圖。
第4圖例示根據一實例性實施例，有機發光顯示裝置之非顯示區域NDA的包含扇出線165之一部分的放大詳視圖。
參照第3圖及第4圖，線單元300中所包含之扇出線165可設置於基板100之扇出區域FA中。根據各實例性實施例，線單元300可直接設置於基板100上，或基板100與線單元300之間可設置有各種層。舉例而言，基板100與線單元300之間可設置有一緩衝層(參見第5圖之110)、一閘極絕緣膜(參見第5圖之130)及一層間絕緣膜(參見第5圖之150)至少其中之一。 為便於解釋，線單元300被例示為直接設置於基板100上。然而，如上所述，各實例性實施例並不限於此。
根據各實例性實施例，第二絕緣膜185設置於扇出線165上。此外，根據各實例性實施例，第二絕緣膜185設置於線單元300上、覆蓋扇出線165並暴露出扇出線165之端部165a。第二絕緣膜185可包含與形成於顯示區域DA中之畫素界定層180相同之材料，下文將進一步闡述畫素界定層180。因此，第二絕緣膜185可係在被形成於整個基板100上之顯示區域DA及非顯示區域NDA上之後予以圖案化。第二絕緣膜185可由一有機絕緣材料形成且可使線單元300與外部絕緣。
金屬層215可設置於線單元300與第二絕緣膜185之間。金屬層215可直接設置於扇出線165上以接觸扇出線165。金屬層165可不連接至任何線或器件，而是可如上所述以一島形狀設置於扇出線165上。金屬層215可直接設置於扇出線165上，此可增加扇出線165之厚度，藉此降低線單元300之被設計成具有小寬度之扇出線165之電阻。金屬層215可包含與形成於顯示區域DA中之畫素電極210之材料相同之材料，下文將進一步闡述畫素電極210。
第一絕緣膜175可設置於基板100之圍繞區域SA中。根據各實例性實施例，第一絕緣膜175可直接設置於基板100上，或基板100與第一絕緣膜175之間可設置有各種層。舉例而言，基板100與第一絕緣膜175之間可設置有緩衝層110、閘極絕緣膜130及層間絕緣膜150至少其中之一。為便於解釋，第一絕緣膜175被例示為直接設置於基板100上。然而，如上所述，各實例性實施例並不限於此。
第一絕緣膜175可設置於非顯示區域NDA中不包含扇出區 域FA及焊墊區域PA之一部分中。舉例而言，第一絕緣膜175可設置於非顯示區域NDA之圍繞區域SA中。亦即，在一實例性實施例中，第一絕緣膜175可形成於除扇出區域FA及焊墊區域PA外之整個非顯示區域中。第一絕緣膜175可包含與形成於顯示區域DA中之平坦化層170相同之材料，下文將進一步闡述平坦化層170。因此，第一絕緣膜175可係在被形成於整個基板100上之顯示區域DA及非顯示區域NDA上之後予以圖案化。第一絕緣膜175可由一有機絕緣材料形成且可使設置於圍繞區域SA中之各種結構與外部絕緣。
參照一比較性實例，非顯示區域NDA係藉由將在一製程期間在扇出區域FA及圍繞區域SA中形成之一同一絕緣膜圖案化而形成。一般而言，在該比較性實例中，薄膜電晶體TFT之閘電極140、源電極160或汲電極162可用以形成扇出區域FA之線單元300，且設置於薄膜電晶體TFT上之平坦化層170可用以在扇出區域FA及圍繞區域SA中設置一絕緣膜。將該絕緣膜圖案化成暴露出扇出線165之端部165a，且因此可在該絕緣膜之一邊緣與扇出線165之間形成一階部凹槽(step groove)169。在該絕緣膜被形成之後，執行一製程：在該絕緣膜上塗覆用於形成畫素電極210之一材料並蝕刻掉形成於非顯示區域210中用於形成畫素電極210之材料。在此情形中，因形成線單元300之金屬與形成畫素電極210之金屬間之一還原性差異，可藉由電流效應(galvanic effect)而使還原性相對高之金屬被還原。在此情形中，被還原之金屬微粒被收集於該絕緣膜之邊緣與扇出線165間之階部凹槽169中。若對扇出線165施加一電壓，則該等金屬微粒可在相鄰線之間引起一短路缺陷。此外，扇出線165係被設計成在相鄰扇出線165之間具有非常小之間隙，因此，扇出線165a易受此種情形影響。
就此而言，根據本發明概念之各實例性實施例，該有機發光 顯示裝置去除了在設置圍繞區域SA中之第一絕緣膜175及扇出區域FA中之第二絕緣膜185且蝕刻形成畫素電極210之材料的一製程期間由絕緣膜引起之一階部，藉此防止被還原之金屬微粒被收集於該絕緣膜之邊緣與扇出線165間之階部凹槽169中。因此，可實質上降低相鄰線間之短路缺陷。根據各實例性實施例，金屬層215可直接形成於各該扇出線165上，藉此增加該等線之厚度。因此，可降低線單元300之被設計成具有小寬度之扇出線165之電阻。
第5圖係為根據本發明概念之一實例性實施例，第1圖所示顯示區域DA之一部分之示意性剖視圖。
參照第1圖及第5圖，根據一實例性實施例，該等畫素PX可設置於有機發光顯示裝置之一顯示區域DA中。各該畫素PX可包含薄膜電晶體TFT及電性連接至薄膜電晶體TFT之有機發光器件OLED 200。薄膜電晶體TFT可包含一半導體層120(例如：包含非晶矽、多晶矽或一有機半導體材料)、閘電極140、源電極160及汲電極162。有機發光器件OLED 200可包含畫素電極210、一中間層220(例如，包含一發射層(emission layer；EML))及一相對電極230。下文中，將詳細地闡述薄膜電晶體TFT及有機發光器件OLED 200之一般組態。
基板100上可設置由氧化矽或氮化矽形成之緩衝層110，以將基板100之一表面平坦化或防止雜質穿透至薄膜電晶體TFT之半導體層120中。半導體層120可設置於緩衝層110上。
閘電極140可設置於半導體層120上。源電極160與汲電極162可根據施加至閘電極140之一訊號而彼此電性連接。閘電極140可被形成為一單個層或多個層，且在將例如對與其相鄰之一層之黏合度、堆疊於閘電 極140上之一堆疊層之一表面平整度及可加工性考量在內時係由例如選自以下各者之一或多種材料形成：鋁(aluminum；Al)、鉑(platinum；Pt)、鈀(palladium；Pd)、銀(silver；Ag)、鎂(magnesium；Mg)、金(gold；Au)、鎳(nickel；Ni)、釹(neodymium；Nd)、銥(iridium；Ir)、鉻(chromium；Cr)、鋰(lithium；Li)、鈣(calcium；Ca)、鉬(molybdenum；Mo)、鈦(titanium；Ti)、鎢(tungsten；W)及銅(copper；Cu)。
就此而言，為保全半導體層120與閘電極140間之絕緣性，可在半導體層120與閘電極140之間設置由氧化矽及/或氮化矽形成之閘極絕緣層130。
層間絕緣層150可設置於閘電極上。層間絕緣層150可被形成為一單個層或多個層且係由例如氧化矽或氮化矽等材料形成。
源電極160及汲電極162可設置於層間絕緣層150上。源電極160及汲電極162可經由一接觸孔電性連接至半導體層120，該接觸孔係形成於層間絕緣層150及閘極絕緣層130中。源電極160及汲電極162可被形成為一單個層或多個層。在將例如導電性考量在內時，源電極160及汲電極162可由例如選自以下各者之一或多種材料形成：鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)及銅(Cu)。
可與形成顯示區域DA之薄膜電晶體TFT之一製程同時地在非顯示區域NDA之扇出區域FA中形成線單元300。亦即，線單元300可與在顯示區域DA中形成薄膜電晶體TFT實質上同時地形成於非顯示區域NDA之扇出區域FA中。因此，線單元300可由與薄膜電晶體TFT之閘電極140、源電極160或汲電極162相同之材料形成。
可設置一保護膜以覆蓋薄膜電晶體TFT，進而保護具有上述結構之薄膜電晶體TFT。該保護膜可例如由一無機材料(例如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽)形成。然而，該保護膜並不限於此。
平坦化層170可設置於基板100上。平坦化層170可大致上將薄膜電晶體TFT之一頂表面平坦化，並保護薄膜電晶體TFT且在有機發光器件OLED 200被設置於薄膜電晶體TFT上時保護各種器件。平坦化層170可例如由丙烯酸系有機材料(acryl-based organic material)或苯並環丁烯(benzocyclobutene；BCB)形成。就此而言，如第5圖中所例示，整個基板100上可形成有緩衝層110、閘極絕緣膜130、層間絕緣膜150及平坦化層170。
如上所述，第一絕緣膜175可與形成顯示區域DA之平坦化層170之一製程同時地(例如：實質上同時地)被形成於非顯示區域NDA之圍繞區域SA中。因此，第一絕緣膜175可由與上述平坦化層170相同之材料形成。
畫素界定層180可設置於薄膜電晶體TFT上。畫素界定層180可設置於上述平坦化層170上且可具有一開口。畫素界定層180可在基板100上界定一畫素區域。
畫素界定層180可被提供為例如一有機絕緣層。該有機絕緣層可包含丙烯酸系聚合物，例如聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methyl methacrylate)；PMMA)、聚苯乙烯(polystyrene；PS)、含有苯基(phenol group)之聚合物衍生物、醯亞胺系聚合物(imide-based polymer)、芳醚系聚合物(aryl ether-based polymer)、醯胺系聚合物(amide-based polymer)、氟系聚合物(fluorine-based polymer)、對二甲苯系聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯醇系聚合物(vinyl alcohol-based polymer)及上述之一化合 物。然而，該有機絕緣層並不限於此。
如上所述，第二絕緣膜185可係與形成顯示區域DA之畫素界定層180之一製程同時地(例如，實質上同時地)被形成於非顯示區域NDA之扇出區域FA中。因此，第二絕緣膜185可係由與畫素界定層180相同之材料形成。
有機發光器件OLED 200可設置於畫素界定層180上。有機發光器件OLED 200可包含畫素電極210、包含發射層之中間層220及相對電極230。
畫素電極210可被形成為例如一(半)透明電極或一反射電極。當畫素電極210被形成為一(半)透明電極時，畫素電極210可係由例如以下各者形成：氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(indium oxide；In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide；IGO)及氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide；AZO)。當畫素電極210被形成為一反射電極時，畫素電極210可包含由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻及上述之一化合物形成之一反射層，以及由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵或氧化鋁鋅形成之一層。然而，本發明性概念之各實例性實施例並不限於此。舉例而言，畫素電極210可由各種材料形成。此外，可經由各種潤飾而使畫素電極210之一結構包含一單個層或多個層。
如上所述，金屬層215可係與形成顯示區域DA之畫素電極210之一製程同時地(例如：實質上同時地)形成於非顯示區域NDA中之各該扇出線165上。因此，金屬層215可係由與畫素電極210相同之材料形成。
中間層220可設置於由畫素界定層180界定之畫素區域中。中間層220可包含根據一電訊號而發射光之發射層(EML)。除發射層之外，亦可堆疊有：設置於該發射層與畫素電極210間之一電洞注入層(hole injection layer；HIL)；設置於相對電極230與電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)及發射層(EML)間之一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)以及一電子注入層(electron injection layer；EIL)，且該等層可係形成為一單一結構或一複合結構。然而，中間層220並不限於此，而是可具有各種結構。
中間層220可由一低分子量有機材料或一聚合物有機材料形成。
當中間層220包含一低分子量有機材料時，可相對於發射層堆疊一電洞傳輸層、一電洞注入層、一電子傳輸層及一電子注入層。另外，可堆疊各種其他層。中間層220可使用例如以下等各種材料來作為一可用有機材料：銅酞青(copper phthalocyanine；CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine；NPB)及三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum；Alq3)。
當中間層220包含一聚合物有機材料時，除中間層220之外亦可提供一電洞傳輸層。該電洞傳輸層可使用聚(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene；PEDOT)或聚苯胺(polyaniline；PANI)。在此情形中，中間層220可使用例如以下等聚合物有機材料作為一可用有機材料：聚(對苯乙烯)(poly(p-phenylene vinylene)；PPV)系聚合物材料及聚芴系聚合物材料(polyfluorene-based polymer material)。此外，中間層220與畫素電極210及相對電極230之間可提供一無機材料。
在此情形中，該電洞傳輸層、該電洞注入層、該電子傳輸層及該電子注入層可一體形成於整個基板100上。在一實例性實施例中，可以一噴墨印刷製程在每一畫素中僅形成發射層。甚至在此情形中，該電洞傳輸層、該電洞注入層、該電子傳輸層及該電子注入層亦可設置於一凹陷部分中。
覆蓋包含發射層之中間層220且與畫素電極210相對之相對電極230可設置於整個基板100上。相對電極230可例如被形成為一(半)透明電極或一反射電極。
當相對電極230被形成為一(半)透明電極時，相對電極230可例如包含：由功函數為小之金屬(例如，鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂及上述之一化合物)形成之一層以及由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦形成之一(半)透明導電層。當相對電極230被形成為一反射電極時，相對電極230可例如包含由鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂及上述之一化合物。然而，相對電極230之結構及材料並不限於此，且可以各種方式來加以修改。
第6A圖至第8B圖係為例示根據本發明概念之一實例性實施例，製造第4圖所示有機發光顯示裝置之一方法之示意性剖視圖。
參照第6A圖至第8B圖，一實例性實施例之基板100可包含非顯示區域NDA，非顯示區域NDA包含：焊墊區域PA，形成於一中心部分中，扇出區域FA，設置於相對於焊墊區域PA與其中設置有顯示區域DA之一側相對之一側處，以及圍繞區域SA，不包含焊墊區域PA及扇出區域FA。顯示區域DA可形成於基板100之一大部分上，且非顯示區域NDA可設置於顯示區域DA之一側處。
參照第6A圖及第6B圖，可如第6A圖所示而執行在基板100上形成扇出線165之一操作。舉例而言，扇出線165可設置於非顯示區域NDA之扇出區域FA中。扇出線165之端部165a可延伸至焊墊區域PA。參照第2圖，第一焊墊單元163可形成於扇出線165之一端部處。
雖然在第6A圖至第8B圖中，扇出線165被例示為直接形成於基板100上，但各實例性實施例並不限於此。舉例而言，根據各實例性實施例，基板100與扇出線165之間可設置有各種層。舉例而言，基板100與扇出線165之間可設置有緩衝層110、閘極絕緣膜130及層間絕緣膜150至少其中之一。
如上所述，扇出線165可係與在顯示區域DA中形成薄膜電晶體TFT之一製程同時地(例如：實質上同時地)形成。亦即，扇出線165可係與形成薄膜電晶體TFT之閘電極140、源電極160或汲電極162之一製程實質上同時地形成。
此後，可執行在扇出線165上塗覆一第一絕緣材料層175’之一操作。第一絕緣材料層175’可包含與設置於顯示區域DA中之平坦化層170相同之材料。因此，塗覆第一絕緣材料層175’之操作可係與形成平坦化層170之一操作同時地(例如：實質上同時地)執行。第一絕緣材料層175’可包含一有機絕緣材料且可係由例如丙烯酸基有機材料或苯並環丁烯(BCB)形成。在一實例性實施例中，平坦化層170係在形成薄膜電晶體TFT之後且在形成畫素電極210之前形成。
此後，如第6B圖中所示，可執行將第一絕緣材料層175’圖案化並局部地對其進行蝕刻之一操作。亦即，可移除塗覆於基板100之整個表面上並形成於焊墊區域PA及扇出區域FA中之第一絕緣材料層175’。因 此，第一絕緣膜175可設置於圍繞區域SA中，且扇出線165可經由第一絕緣膜175暴露出。
在一比較性實例中，當第一絕緣膜175形成於扇出線165上時，在扇出線165與第一絕緣膜175之間可形成一階部凹槽。此外，在形成金屬層215之一操作中，因蝕刻而產生之金屬離子可藉由該等金屬離子與形成扇出線165之金屬材料間之一還原性差異而被還原，下文將進一步闡述該操作。因此，金屬微粒可被收集於先前所形成扇出線165與第一絕緣膜175之階部凹槽中，此可能會在相鄰線之間引起一短路。
根據本發明性概念之各實例性實施例，可如上所述移除形成於扇出線165上之第一絕緣材料層175’，藉此防止在一製造製程期間使金屬離子被還原並被收集於一階部中。
參照第7A圖及第7B圖，可執行在各該扇出線165上形成金屬層215之一操作。
如第7A圖中所示，可在基板100上之非顯示區域NDA中塗覆一金屬材料層215’。金屬材料層215’可係與形成顯示區域DA之畫素電極215之一製程同時地(例如：實質上同時地)形成。亦即，金屬層215可與有機發光器件OLED 200之畫素電極215同時地(例如：實質上同時地)形成。因此，金屬層215可包含與畫素電極210之材料相同之材料。舉例而言，金屬層215可包含由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、及上述之一化合物形成之一反射層以及由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋁鋅形成之一層，且可被形成為一單個層或多個層。
此後，如第7B圖中所示，可執行一操作：藉由將塗覆於基 板100上非顯示區域NDA中之金屬材料層215’圖案化來形成金屬層215。亦即，金屬層215可藉由保留設置於各該扇出線165上之金屬材料層215’之僅一部分並移除金屬材料層215’之一剩餘部分而形成。可在移除金屬材料層215’之一製程中使用會腐蝕金屬之一蝕刻劑。
可參照一實例來闡述此製程，在該實例中，形成一線層作為一鈦/鋁/鈦複合層且使金屬層215包含銀。如上所述，在移除金屬材料層215’之製程期間，銀可由該蝕刻劑離子化。就此而言，在Ag+離子與下部線層中所包含之不同金屬相遇時，可產生電流效應。因此，Ag+離子可被還原以形成銀微粒。該等銀微粒被收集於一下部層結構之一階部凹槽中。因此，在各實例性實施例中，為防止銀微粒被收集於下部層結構之階部凹槽中，在移除在金屬層215之前形成於扇出線165上之第一絕緣膜175之後，可使扇出線165被覆蓋以在金屬層215之後形成之第二絕緣膜185。因此，可防止在蝕刻金屬層215期間所產生之金屬微粒被收集於該階部凹槽中，藉此降低相鄰線間之一短路缺陷。
金屬層215可係以一島形狀形成於各該扇出線165上且可不連接至任何器件或線。如上所述，金屬層215可直接設置於扇出線165上，此可增加扇出線165之厚度，藉此降低線單元300之被設計成具有小寬度之扇出線165之電阻。金屬層215可包含與形成於顯示區域DA中之畫素電極210相同之材料。
參照第8A圖及第8B圖，可執行一操作：於扇出區域FA中，在金屬層215上形成第二絕緣膜185，以覆蓋扇出線165並暴露出扇出線165之端部165a。
如第8A圖中所示，可執行一操作：在基板100上之非顯示區 域NDA中塗覆一第二絕緣材料層185’，以覆蓋金屬層215、扇出線165及第一絕緣膜175。第二絕緣材料層185’可係與顯示區域DA之畫素界定層180同時地(例如：實質上同時地)形成。因此，第二絕緣材料層185’可包含與畫素界定層180相同之材料。因此，第二絕緣材料層185’可包含一有機絕緣材料。舉例而言，該有機絕緣材料可包含丙烯酸系聚合物，例如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含有苯基之聚合物衍生物、醯亞胺系聚合物、芳醚系聚合物、醯胺系聚合物、氟系聚合物、對二甲苯系聚合物、乙烯醇系聚合物及上述之一化合物。
此後，如第8B圖中所示，可執行一操作：移除塗覆於基板100上圍繞區域SA及焊墊區域PA中之第二絕緣材料層185’。在此製程期間，扇出線165之延伸至焊墊區域PA上之端部165a可由第二絕緣膜185暴露於外部。
如上所述，根據本發明性概念之各實例性實施例之有機發光顯示裝置可藉由在圍繞區域SA中設置第一絕緣膜175且在扇出區域FA中設置第二絕緣膜185而去除在蝕刻形成畫素電極210之一材料之一製程期間因提供於扇出線165上之一絕緣膜而引起之一階部，藉此降低如下之發生：金屬微粒被收集於該絕緣膜之一邊緣與扇出線165間之階部凹槽169中。因此，可實質上降低相鄰線間之一短路缺陷。金屬層215可直接形成於各該扇出線165上，藉此增加各線之厚度。因此，可降低線單元300之被設計成具有小寬度之扇出線165之電阻。
如上所述，根據本發明概念之各實例性實施例，提供了一種相鄰扇出線間之短路缺陷被最小化之有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法。
儘管已具體顯示並參照本發明概念之各實例性實施例闡述了本發明概念，然而此項技術中之通常知識者應理解，可對該等實施例作出各種形式及細節改變，此並不背離由以下申請專利範圍所界定之本發明性概念之精神及範圍。
100‧‧‧基板
165‧‧‧扇出線
165a‧‧‧一端部
169‧‧‧階部凹槽
175‧‧‧第一絕緣膜
185‧‧‧第二絕緣膜
215‧‧‧金屬層
FA‧‧‧扇出區域
PA‧‧‧焊墊區域
SA‧‧‧圍繞區域
X‧‧‧軸線方向
Z‧‧‧軸線方向
IV-IV’‧‧‧線

Claims (30)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域及一非顯示區域；一線單元(line unit)，包含複數條線且設置於該基板上之該非顯示區域中；一絕緣膜，設置於該線單元上並暴露出該線單元之一個端部；以及一金屬層，設置於該線單元與該絕緣膜之間。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬層係以一島形狀設置於各該線上。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一第一焊墊單元及一第二焊墊單元，該第一焊墊單元設置於該線單元上，該第二焊墊單元設置於該線單元上。
  4. 如請求項3所述之有機發光顯示裝置，其中該第一焊墊單元電性連接至一驅動電路晶片，且該第二焊墊單元電性連接至一可撓性印刷電路板。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣膜包含一有機絕緣材料。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一薄膜電晶體，設置於該基板上之該顯示區域中；以及一畫素電極，電性連接至該薄膜電晶體，其中該金屬層及該畫素電極包含相同之材料。
  7. 如請求項6所述之有機發光顯示裝置，更包含：一畫素界定層，覆蓋該畫素電極並暴露出該畫素電極之一中心部分，其中該絕緣膜與該畫素界定層包含同一材料。
  8. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域、一非顯示區域、形成於該非顯示區域之一中心部分中之一焊墊區域以及設置於該非顯示區域中之一扇出區域(fan-out area)，其中該焊墊區域設置於該顯示區域與該扇出區域之間；一線單元，包含複數條線，該等線在該基板上設置於該扇出區域中；一第一絕緣膜，設置於該非顯示區域之不包含該扇出區域及該焊墊區域之一部分中；以及一第二絕緣膜，設置於該線單元上並暴露出該線單元之一個端部。
  9. 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，更包含：一金屬層，設置於該線單元與該第二絕緣膜之間。
  10. 如請求項9所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬層以一島形狀設置於各該線上。
  11. 如請求項9所述之有機發光顯示裝置，更包含：一薄膜電晶體，設置於該基板上之該顯示區域中；以及一畫素電極，電性連接至該薄膜電晶體，其中該金屬層與該畫素電極包含同一材料。
  12. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，更包含：一畫素界定層，覆蓋該畫素電極並暴露出該畫素電極之一中心部分，其中該第二絕緣膜與該畫素界定層包含同一材料。
  13. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，更包含：一平坦化層，設置於該薄膜電晶體與該畫素電極之間，其中該第一絕緣膜與該平坦化層包含同一材料。
  14. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含一半導體層、一閘電極、一源電極及一汲電極，且該線單元與該汲電極或該源電極包含同一材料。
  15. 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，更包含：一第一焊墊單元及一第二焊墊單元，該第一焊墊單元設置於該線單元之該一個端部上，該第二焊墊單元設置於該線單元之另一端部上。
  16. 如請求項15所述之有機發光顯示裝置，其中該第一焊墊單元電性連接至一驅動電路晶片，且該第二焊墊單元電性連接至一可撓性印刷電路板。
  17. 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣膜及該第二絕緣膜包含一有機絕緣材料。
  18. 一種製造一有機發光顯示裝置之方法，包含：在一基板上在該基板之一扇出區域中形成複數條線，其中該基板包含一顯示區域、一非顯示區域、設置於該非顯示區域中之該扇出區域、 一焊墊區域及一圍繞區域，該焊墊區域形成於該非顯示區域之一中心部分中並設置於該顯示區域與該扇出區域之間，該圍繞區域設置於該非顯示區域之不包含該焊墊區域及該扇出區域之一部分中；在該基板上之該圍繞區域中形成一第一絕緣膜，其中形成於該扇出區域中之該等線自該第一絕緣膜暴露出；在各該線上形成一金屬層；以及在該金屬層上形成一第二絕緣膜，其中該第二絕緣膜覆蓋該等線且在該焊墊區域中暴露出各該線之一個端部。
  19. 如請求項18所述之方法，其中形成該第一絕緣膜包含：將一第一絕緣材料層塗覆於該基板上；以及移除形成於該焊墊區域及該扇出區域中之該第一絕緣材料層。
  20. 如請求項18所述之方法，其中形成該金屬層包含：在各該線上以一島形狀形成該金屬層。
  21. 如請求項18所述之方法，其中形成該第二絕緣膜包含：在該基板上塗覆一第二絕緣材料層以覆蓋該金屬層、該等線及該第一絕緣膜；以及移除形成於該焊墊區域及該圍繞區域中之該第二絕緣材料層。
  22. 如請求項18所述之方法，更包含：在該顯示區域中形成一薄膜電晶體；以及形成一畫素電極，該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體，其中形成該金屬層係實質上與形成該畫素電極同時地執行。
  23. 如請求項22所述之方法，更包含：形成一畫素界定層，該畫素界定層覆蓋該畫素電極並暴露出該畫素電極之一中心部分，其中形成該第二絕緣膜係實質上與形成該畫素界定層同時地執行。
  24. 如請求項22所述之方法，更包含：在形成該薄膜電晶體之後且在形成該畫素電極之前，形成一平坦化層，其中形成該第一絕緣膜係實質上與形成該平坦化層同時地執行。
  25. 如請求項22所述之方法，其中形成該薄膜電晶體包含：形成一半導體層；形成一閘電極；以及形成一源電極及一汲電極，該源電極及該汲電極電性連接至該半導體層，其中形成該等線係實質上與形成該源電極或該汲電極同時地執行。
  26. 如請求項18所述之方法，更包含：將各該線之該一個端部連接至一驅動電路晶片；以及將各該線之另一端部連接至一可撓性印刷電路板。
  27. 如請求項18所述之方法，其中該第一絕緣膜及該第二絕緣膜包含一有機絕緣材料。
  28. 一種製造一有機發光顯示裝置之方法，包含： 在一基板之一非顯示區域中形成一線單元，該線單元包含複數條線，其中該基板包含一顯示區域及該非顯示區域；在該線單元上形成一絕緣膜，其中該絕緣膜暴露出該線單元之一個端部；以及形成一金屬層，該金屬層設置於該線單元與該絕緣膜之間。
  29. 如請求項28所述之方法，更包含：在該基板上之該顯示區域中形成一薄膜電晶體；以及形成一畫素電極，該畫素電極電性連接至該薄膜電晶體，其中該金屬層與該畫素電極包含同一材料。
  30. 如請求項29所述之方法，更包含：形成一畫素界定層，其中該畫素界定層覆蓋該畫素電極之一邊緣並暴露出該畫素電極之一中心部分，其中該絕緣膜與該畫素界定層包含同一材料。
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