TWI693705B - 固體攝像裝置及電子機器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 33
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5225—Shielding layers formed together with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
本揭示係關於一種可降低串擾干擾之固體攝像裝置及電子機器。
於上晶片中，自下層起依序積層有VSL、VSL及控制線。即，於積層型固體攝像裝置101中，控制線72被佈設於上晶片111之最上層。藉此，可利用控制線屏蔽下晶片62對於2層VSL之影響。本揭示例如可應用於相機裝置等電子機器中所使用之CMOS固體攝像裝置。
Description
本揭示係關於一種固體攝像裝置及電子機器，尤其是關於一種無須增加步驟數便可降低串擾干擾之固體攝像裝置及電子機器。
於積層型固體攝像裝置中，於上下元件之間產生串擾干擾的情況較多。針對該情況，於專利文獻1中，藉由於所積層之各元件之最上層形成金屬層並加以接合，而使金屬層作為屏蔽層發揮功能，從而降低上下元件之間所產生之串擾。
[專利文獻1]日本專利特開2012-94720號公報
即，上述方法係於上下晶片分別形成金屬層作為針對上下元件之間所產生之串擾干擾的對策，但於該方法中，步驟數會增加。
本揭示係鑒於此種情形而完成者，無須增加步驟數便可降低串擾干擾。
本技術之一態樣之固體攝像裝置包含像素晶片及積層於上述像素晶片上之邏輯晶片，並且於上述像素晶片中，於較垂直信號線靠上層佈設有除上述垂直信號線以外之第1配線。
上述垂直信號線佈設有2層以上。
於上述垂直信號線中之最下層之垂直信號線的下層佈設有除上述垂直信號線以外之第2配線。
佈設有2層以上之上述垂直信號線之配線寬度及粗細中之至少1者不同。
該態樣之固體攝像裝置可具有介電常數不同之配線層間絕緣膜。
上述介電常數係根據層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離之大小而調整。
層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離越大，上述介電常數被調整為越大。
該態樣之固體攝像裝置係以背面照射型構成。
上述第1配線為控制線、接地配線或電源配線。
上述第2配線為接地配線或電源配線。
本技術之一態樣之電子機器包括：固體攝像裝置，其包含像素晶片及積層於上述像素晶片上之邏輯晶片，並且於上述像素晶片中，於較垂直信號線靠上層佈設有除上述垂直信號線以外之第1配線；信號處理電路，其處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號；及光學系統，其將入射光入射至上述固體攝像裝置。
上述垂直信號線佈設有2層以上。
於上述垂直信號線中之最下層之垂直信號線之下層佈設有除上述垂直信號線以外之第2配線。
佈設有2層以上之上述垂直信號線之配線寬度及粗細中之至少1者不同。
該態樣之電子機器可具有介電常數不同之配線層間絕緣膜。
上述介電常數係根據上述配線層間絕緣膜膜與上述邏輯晶片之
距離之大小而調整。
上述配線層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離越大，上述介電常數被調整為越大。
該態樣之電子機器係以背面照射型構成。
上述第1配線為控制線、接地配線或電源配線。
上述第2配線為接地配線或電源配線。
於本技術之一態樣中，包含像素晶片及積層於上述像素晶片上之邏輯晶片。並且，於上述像素晶片中，於較垂直信號線靠上層佈設有除上述垂直信號線以外之第1配線。
根據本技術，可降低串擾干擾。
再者，本說明書中所記載之效果僅為示例，本技術之效果並不限定於本說明書中所記載之效果，亦可具有附加效果。
1‧‧‧固體攝像裝置
1Cu‧‧‧第1配線層
2‧‧‧像素
2Cu‧‧‧第2配線層
3‧‧‧像素區域
3Cu‧‧‧第3配線層
4‧‧‧垂直驅動電路
4Cu‧‧‧第4配線層
5‧‧‧行信號處理電路
5Cu‧‧‧第5配線層
6‧‧‧水平驅動電路
7‧‧‧輸出電路
8‧‧‧控制電路
9‧‧‧垂直信號線
10‧‧‧水平信號線
11‧‧‧半導體基板
12‧‧‧輸入輸出端子
51‧‧‧固體攝像裝置
52‧‧‧畫面
61‧‧‧上晶片
62‧‧‧下晶片
71‧‧‧VSL
72‧‧‧控制線
73‧‧‧VSL
101‧‧‧固體攝像裝置
111‧‧‧上晶片
151‧‧‧固體攝像裝置
161‧‧‧上晶片
162‧‧‧配線
201‧‧‧固體攝像裝置
211‧‧‧上晶片
221‧‧‧VSL
251‧‧‧固體攝像裝置
261‧‧‧上晶片
262-1‧‧‧層間絕緣膜
262-2‧‧‧層間絕緣膜
262-3‧‧‧層間絕緣膜
301‧‧‧固體攝像裝置
311‧‧‧上晶片
321‧‧‧VSL
351‧‧‧固體攝像裝置
361‧‧‧上晶片
371‧‧‧VSL
401‧‧‧固體攝像裝置
411‧‧‧上晶片
421‧‧‧VSL
600‧‧‧相機裝置
601‧‧‧光學部
602‧‧‧固體攝像裝置
603‧‧‧DSP電路
604‧‧‧圖框記憶體
605‧‧‧顯示部
606‧‧‧記錄部
607‧‧‧操作部
608‧‧‧電源部
609‧‧‧匯流排線
圖1係表示應用本技術之固體攝像裝置之概略構成例之方塊圖。
圖2係表示固體攝像裝置之構成例之剖視圖。
圖3係表示應用本技術之固體攝像裝置之第1構成例之剖視圖。
圖4係表示應用本技術之固體攝像裝置之第2構成例之剖視圖。
圖5係用以比較VSL負載容量差之圖表。
圖6係表示應用本技術之固體攝像裝置之第3構成例之剖視圖。
圖7係表示應用本技術之固體攝像裝置之第4構成例之剖視圖。
圖8係表示應用本技術之固體攝像裝置之第5構成例之剖視圖。
圖9係表示應用本技術之固體攝像裝置之第6構成例之剖視圖。
圖10係表示應用本技術之固體攝像裝置之第7構成例之剖視圖。
圖11係表示應用本技術之電子機器之構成例之方塊圖。
以下，對用以實施本揭示之形態(以下記作實施形態)進行說明。再者，說明係按以下順序進行。
0.固體攝像裝置之概略構成例
1.第1實施形態(固體攝像裝置之例)
2.第2實施形態(電子機器之例)
圖1表示應用於本技術之各實施形態之CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)固體攝像裝置之一例之概略構成例。
如圖1所示，固體攝像裝置(元件晶片)1構成為具有像素區域(所謂之攝像區域)3及周邊電路部，該像素區域(所謂之攝像區域)3係於半導體基板11(例如矽基板)上規則地且2維地排列包含光電轉換元件之複數個像素2而成。
像素2係具有光電轉換元件(例如光電二極體)及複數個像素電晶體(所謂之MOS(Metal Oxide Semiconductor，金氧半導體)電晶體)而成。複數個像素電晶體例如可包含傳輸電晶體、重置電晶體及放大電晶體之3種電晶體，進而亦可追加選擇電晶體而包含4種電晶體。由於各像素2(單位像素)之等效電路與普通等效電路相同，故而此處省略詳細之說明。
又，像素2亦可設為共用像素構造。像素共用構造包含複數個光電二極體、複數個傳輸電晶體、共用之1個浮動擴散區及共用之各一種之其他像素電晶體。
周邊電路部包含垂直驅動電路4、行信號處理電路5、水平驅動電路6、輸出電路7及控制電路8。
控制電路8接收輸入時脈或對動作模式等進行指令之資料，且輸
出固體攝像裝置1之內部資訊等資料。具體而言，控制電路8基於垂直同步信號、水平同步信號及主時脈而產生作為垂直驅動電路4、行信號處理電路5及水平驅動電路6之動作基準之時脈信號或控制信號。繼而，控制電路8將該等信號輸入至垂直驅動電路4、行信號處理電路5及水平驅動電路6。
垂直驅動電路4例如包含移位暫存器，選擇像素驅動配線，對所選擇之像素驅動配線供給用以驅動像素2之脈衝，按列單位驅動像素2。具體而言，垂直驅動電路4按列單位沿垂直方向依序對像素區域3之各像素2進行選擇掃描，並通過垂直信號線9將於各像素2之光電轉換元件中根據受光量而產生之基於信號電荷之像素信號供給至行信號處理電路5。
行信號處理電路5係按像素2之例如每一行而配置，對自1列像素2輸出之信號按每一像素行進行雜訊去除等信號處理。具體而言，行信號處理電路5進行用以去除像素2固有之固定模式雜訊之CDS(Correlated Double Sampling，相關雙採樣)、或信號放大、A/D(Analog/Digital，類比/數位)轉換等信號處理。於行信號處理電路5之輸出段，在行信號處理電路5與水平信號線10之間連接設置有水平選擇開關(未圖示)。
水平驅動電路6例如包含移位暫存器，藉由依序輸出水平掃描脈衝而依序選擇各行信號處理電路5，並且自各行信號處理電路5將像素信號輸出至水平信號線10。
輸出電路7對自各行信號處理電路5通過水平信號線10依序供給之信號進行信號處理並輸出。輸出電路7例如有時僅進行緩衝，有時進行黑位準調整、行偏差修正及各種數位信號處理等。
設置輸入輸出端子12係為了與外部進行信號交換。
其次，參照圖2，對串擾干擾下之像素特性劣化進行說明。
固體攝像裝置51為積層型，其係於作為像素晶片之上晶片61上積層作為邏輯晶片之下晶片62而構成。於上晶片61中，自下層起依序積層有VSL(垂直信號線)71、除VSL以外之配線例如控制線或電源配線、接地(GND)配線(以下稱為控制線)72、及VSL73。2Cu、3Cu及4Cu分別表示自下方起之第2配線層、第3配線層及第4配線層。即，於積層型固體攝像裝置51中，VSL73佈設於上晶片61之最上層。
於該情形時，因來自下晶片62之串擾之影響而存在如畫面52之左側所示般產生黑色豎條紋等使像素晶片之攝像特性劣化的情況。其機制為，VSL於浮動狀態時之AD期間內受到串擾之影響而劣化。
因此，本技術之目的在於藉由於像素晶片中將控制線或電源配線等除VSL以外之配線佈設於較垂直信號線(VSL)靠上層而降低串擾干擾。
圖3係表示應用本技術之固體攝像裝置之構成例之剖視圖。
圖3之固體攝像裝置101與圖2之固體攝像裝置51之相同點在於包含下晶片62。圖3之固體攝像裝置101與圖2之固體攝像裝置51之不同點在於上晶片61替換為上晶片111。
於上晶片111中，自下層起依序積層有VSL71、VSL73及控制線72。即，於積層型固體攝像裝置101中，控制線72佈設於上晶片111之最上層。
藉此，可利用控制線72屏蔽下晶片62對於VSL71及VSL73之影響。
再者，於圖3之例中包含VSL71及VSL73兩層，但於VSL配置為1層之情形時，亦可應用本技術。
然而，於如固體攝像裝置101般為了降低VSL負載容量而分為2層
以上來佈設VSL之情形時，如虛線所示，由於VSL71及VSL73相對於控制線72之距離不同，故而會產生VSL之負載容量差。
因此，如圖4之固體攝像裝置151之上晶片161所示，將1Cu中之接地配線或電源配線等配線162佈設於VSL71之正下方。藉此，如圖5所示，可降低VSL71及VSL73之容量差。
於圖5之例中表示有用以對圖2之固體攝像裝置51、圖3之固體攝像裝置101及圖4之固體攝像裝置151中之VSL負載容量差進行比較之圖表。
於圖表中，縱軸表示總容量[F]。例如，圖表之VSL0、VSL2、VSL4及VSL6相當於VSL73，圖表之VSL1、VSL3、VSL5及VSL7相當於VSL71。
於固體攝像裝置51中，由於控制線72佈設於VSL71及VSL73之中央，故而VSL71及VSL73幾乎無差異。相對於此，於固體攝像裝置101中，VSL71及VSL73產生20%之負載容量差。因此可知，於固體攝像裝置151之情形時，VSL71及VSL73改善為10%之負載容量差。
其次，參照圖6，對降低VSL負載容量差之另一方法進行說明。
圖6之固體攝像裝置201與圖3之固體攝像裝置101之相同點在於包含下晶片62。圖6之固體攝像裝置201與圖3之固體攝像裝置101之不同點在於將上晶片161替換為上晶片211。
於上晶片211中，自下層起依序積層有VSL221、VSL73及控制線72。即，VSL221之大小不同於圖3之VSL73之大小。
如此，亦可調整配線之寬度及粗細之至少1者，而降低佈設於3Cu之VSL73與佈設於2Cu之VSL221之VSL負載容量差。
又，如圖7所示，亦可藉由調整層間絕緣膜之介電常數而降低VSL負載容量差。
圖7之固體攝像裝置251與圖3之固體攝像裝置101之相同點在於
包含下晶片62。圖6之固體攝像裝置201與圖3之固體攝像裝置101之不同點在於，上晶片161替換為上晶片261，以及追加有介電常數不同之層間絕緣膜262-1及262-2。
即，於4Cu之控制線72與3Cu之VSL73之層間追加有介電常數Ea之層間絕緣膜262-1，且於2Cu之VSL71與3Cu之VSL73之層間追加有介電常數Eb之層間絕緣膜262-2。
例如，距控制線72之距離較大(較遠)之層間絕緣膜262-2的介電常數Eb調整為大於距控制線72之距離較小(較近)之層間絕緣膜262-1的介電常數Ea。即，調整為Eb>Ea。
如此，亦可調整層間絕緣膜之介電常數而降低佈設於3Cu之VSL73與佈設於2Cu之VSL71之VSL負載容量差。
再者，於VSL為3層以上之情形時，亦可與上述圖4、圖6及圖7之VSL為2層之情形同樣地降低VSL負載容量。
圖8係表示應用本技術之固體攝像裝置之構成例之剖視圖。
圖8之固體攝像裝置301之上晶片311與圖4之固體攝像裝置151之上晶片161之相同點在於，自下層起依序積層有VSL71、VSL73及控制線72，進而，於VSL71之正下方佈設有配線162。圖8之固體攝像裝置301之上晶片311與圖4之固體攝像裝置151之上晶片161之不同點在於，於VSL71與配線162之間進而追加有VSL321。
即，於上晶片311中，自下層起積層有配線162、VSL321、VSL71、VSL73及控制線72作為1Cu至5Cu。
藉此，可與圖4之例同樣地降低VSL負載容量差。
圖9係表示應用本技術之固體攝像裝置之構成例之剖視圖。
圖9之固體攝像裝置351之上晶片361與圖6之固體攝像裝置201之上晶片211之相同點在於，自下層起依序積層有VSL221、VSL73及控制線72。圖9之固體攝像裝置351之上晶片361與圖6之固體攝像裝置
201之上晶片211之不同點在於，於VSL221之下層進而追加有VSL371。
又，於圖9之上晶片361中，除了VSL221以外，VSL371之大小亦不同於圖3之VSL73之大小。
如上所述，可調整配線之寬度及粗細中之至少1者而降低佈設於4Cu之VSL73、佈設於3Cu之VSL221及佈設於2Cu之VSL371之VSL負載容量差。
圖10係表示應用本技術之固體攝像裝置之構成例之剖視圖。
圖10之固體攝像裝置401之上晶片411與圖7之固體攝像裝置251之上晶片261之相同點在於，自下層起依序積層有VSL71、VSL73及控制線72。又，圖10之固體攝像裝置401之上晶片411與圖7之固體攝像裝置251之上晶片261之相同點在於，於VSL71與VSL73之間形成有介電常數Eb之層間絕緣膜262-2，且於VSL73與控制線72之間形成有介電常數Ea之層間絕緣膜262-1。
圖10之固體攝像裝置401之上晶片411與圖7之固體攝像裝置251之上晶片261之不同點在於，於VSL71之下層追加有VSL421，進而於VSL71與VSL421之間形成有介電常數Ec之層間絕緣膜262-3。
並且，由於距控制線72之距離較小(較近)之層間絕緣膜之介電常數調整為較小，故而調整為Ec>Eb>Ea。
如此，可調整層間絕緣膜之介電常數而降低佈設於2Cu之VSL421、佈設於3Cu之VSL71及佈設於4Cu之VSL73之VSL負載容量差。
再者，於上述說明中，作為晶片中所含之攝像元件，以背面照射型攝像元件為例進行了說明，但亦可設定為正面照射型攝像元件。然而，由於背面照射側中串擾之影響較大，故而更具效果。
又，本技術並不僅限於應用於例如影像感測器般之固體攝像裝
置。即，本技術可應用於數位靜態相機或視訊攝影機等攝像裝置、或者具有攝像功能之移動終端裝置、或者圖像讀取部使用固體攝像裝置之影印機等圖像擷取部(光電轉換部)使用固體攝像裝置之所有電子機器。
圖11係表示作為應用本技術之電子機器之相機裝置之構成例的方塊圖。
圖11之相機裝置600包含：光學部601，其包含透鏡群等；固體攝像裝置(攝像元件)602，其採用上述像素2之各構成；及DSP(Digital Signal Processing，數位信號處理)電路603，其作為相機信號處理電路。又，相機裝置600亦包含圖框記憶體604、顯示部605、記錄部606、操作部607及電源部608。DSP電路603、圖框記憶體604、顯示部605、記錄部606、操作部607及電源部608經由匯流排線609而相互連接。
光學部601接收來自被攝體之入射光(像光)而於固體攝像裝置602之攝像面上成像。固體攝像裝置602將藉由光學部601而成像於攝像面上之入射光之光量按像素單位轉換為電氣信號並作為像素信號輸出。可使用上述實施形態之固體攝像裝置作為該固體攝像裝置602。藉此，由於串擾干擾得以降低，故而可提供性能較佳之電子機器。
顯示部605例如包含液晶面板或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)面板等面板型顯示裝置，顯示由固體攝像裝置602拍攝到之動態影像或靜態影像。記錄部606將由固體攝像裝置602拍攝到之動態影像或靜態影像記錄於錄影帶或DVD(Digital Versatile Disk，數位多功能光碟)等記錄媒體中。
操作部607於使用者之操作下針對相機裝置600所具有之各種功
能而發出操作指令。電源部608將成為DSP電路603、圖框記憶體604、顯示部605、記錄部606及操作部607之動作電源之各種電源適當地供給至該等供給對象。
又，本揭示中之實施形態並不限定於上述實施形態，可於不脫離本揭示之主旨之範圍內進行各種變更。
又，亦可對以上以1個裝置(或處理部)之形式進行說明之構成進行分割而構成為複數個裝置(或處理部)。相反的，亦可對以上以複數個裝置(或處理部)之形式進行說明之構成加以歸納而構成為1個裝置(或處理部)。又，當然亦可對各裝置(或各處理部)之構成附加除上述以外之構成。進而，只要整個系統之構成或動作實質上相同，則亦可使某一裝置(或處理部)之構成之一部分包含於其他裝置(或其他處理部)之構成中。即，本技術並不限定於上述實施形態，可於不脫離本技術之主旨之範圍內進行各種變更。
以上，一面參照隨附圖式一面對本揭示之較佳之實施形態詳細地進行了說明，但揭示並不限定於該示例。可明確只要具有本揭示所屬之技術領域中之通常知識，即可於申請專利範圍所記載之技術思想之範疇內想到各種變更例或修正例，且應當瞭解，該等變更例或修正例當然亦屬於本揭示之技術範圍。
再者，本技術亦可採取如下構成。
(1)一種固體攝像裝置，其包含：像素晶片；及邏輯晶片，其積層於上述像素晶片上；且於上述像素晶片中，於較垂直信號線靠上層佈設有除上述垂直信號線以外之第1配線。
(2)如上述(1)之固體攝像裝置，其中上述垂直信號線佈設有2層以上。
(3)如上述(2)之固體攝像裝置，其中於上述垂直信號線中之最下層之垂直信號線之下層，佈設有除上述垂直信號線以外之第2配線。
(4)如上述(2)之固體攝像裝置，其中佈設有2層以上之上述垂直信號線之配線寬度及粗細中之至少1者不同。
(5)如上述(1)至(4)中任一項之固體攝像裝置，其具有介電常數不同之配線層間絕緣膜。
(6)如上述(5)之固體攝像裝置，其中上述介電常數係根據上述配線層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離之大小而調整。
(7)如上述(6)之固體攝像裝置，其中上述配線層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離越大，上述介電常數被調整為越大。
(8)上述(1)至(7)中任一項之固體攝像裝置，其以背面照射型構成。
(9)如上述(1)至(8)中任一項之固體攝像裝置，其中上述第1配線為控制線、接地配線或電源配線。
(10)如上述(3)至(8)中任一項之固體攝像裝置，其中上述第2配線為接地配線或電源配線。
(11)一種電子機器，其包括：固體攝像裝置，其包含像素晶片及積層於上述像素晶片上之邏輯晶片，並且於上述像素晶片中，於較垂直信號線靠上層佈設有除上述垂直信號線以外之第1配線；信號處理電路，其處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號；及光學系統，其將入射光入射至上述固體攝像裝置。
(12)如上述(11)之電子機器，其中上述垂直信號線佈設有2層以上。
(13)如上述(12)之電子機器，其中於上述垂直信號線中之最下層
之垂直信號線之下層佈設有除上述垂直信號線以外之第2配線。
(14)如上述(12)之電子機器，其中佈設有2層以上之上述垂直信號線之配線寬度及粗細中之至少1者不同。
(15)如上述(11)至(14)中任一項之電子機器，其具有介電常數不同之配線層間絕緣膜。
(16)如上述(15)之電子機器，其中上述介電常數係根據上述配線層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離之大小而調整。
(17)如上述(16)之電子機器，其中上述配線層間絕緣膜與上述邏輯晶片之距離越大，上述介電常數之值被調整為越大。
(18)如上述(11)至(17)中任一項之電子機器，其中上述固體攝像裝置以背面照射型構成。
(19)如上述(11)至(18)中任一項之電子機器，其中上述第1配線為控制線、接地配線或電源配線。
(20)如上述(13)至(18)中任一項之電子機器，其中上述第2配線為接地配線或電源配線。
2Cu‧‧‧第2配線層
3Cu‧‧‧第3配線層
4Cu‧‧‧第4配線層
51‧‧‧固體攝像裝置
52‧‧‧畫面
61‧‧‧上晶片
62‧‧‧下晶片
71‧‧‧VSL
72‧‧‧控制線
73‧‧‧VSL
Claims (7)
- 一種固體攝像裝置，其包含：像素晶片，其產生像素信號；及邏輯晶片，其積層於上述像素晶片之上；且上述邏輯晶片係進行來自上述像素晶片之上述像素信號之處理，於上述像素晶片中，於垂直信號線之上的層佈設(layout)有除上述垂直信號線以外之第1配線，上述垂直信號線佈設於包含第1層及第2層之至少2層，於上述像素晶片中，在相較於上述第1層為下層之上述第2層中的垂直信號線之下的層，佈設有上述垂直信號線以外之第2配線，於俯視時，至少1個上述第1配線與上述第1層中之至少1個上述垂直信號線重疊，上述垂直信號線係將上述像素信號傳輸至行信號處理電路，上述第1配線係控制線、接地配線或電源配線，上述第2配線係接地配線或電源配線，上述像素晶片進而包含：第1層間絕緣膜，其係於上述第1配線與上述垂直信號線之上述第1層之間；及第2層間絕緣膜，其係於上述垂直信號線之上述第1層與上述垂直信號線之上述第2層之間；上述垂直信號線之上述第1層係較上述垂直信號線之上述第2層更靠近上述邏輯晶片，上述第2層間絕緣膜之介電常數低於上述第1層間絕緣膜之介 電常數。
- 如請求項1之固體攝像裝置，其中佈設於上述至少2層之上述垂直信號線之配線寬度及粗細之至少1者不同。
- 如請求項1之固體攝像裝置，其係以背面照射型構成。
- 如請求項1之固態攝像裝置，其中上述像素晶片進而包含：第3層間絕緣膜，其係於上述垂直信號線之上述第2層之下；且上述第3層間絕緣膜之介電常數低於上述第2層間絕緣膜之上述介電常數。
- 如請求項1之固態攝像裝置，其中於上述俯視時，該至少1個上述第1配線與上述第2層中之至少一個上述垂直信號線重疊。
- 如請求項1之固態攝像裝置，其中於上述俯視時，至少1個上述第2配線與上述第2層中之至少2個上述垂直信號線重疊。
- 一種電子機器，其包括：如請求項1至6中任一項之固體攝像裝置；信號處理電路，其處理自上述固體攝像裝置輸出之輸出信號；及光學系統，其將入射光入射至上述固體攝像裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-009182 | 2014-01-22 | ||
| JP2014009182A JP2015138862A (ja) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 固体撮像装置および電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201530747A TW201530747A (zh) | 2015-08-01 |
| TWI693705B true TWI693705B (zh) | 2020-05-11 |
Family
ID=53681254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103140870A TWI693705B (zh) | 2014-01-22 | 2014-11-25 | 固體攝像裝置及電子機器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10249670B2 (zh) |
| JP (1) | JP2015138862A (zh) |
| KR (1) | KR102368112B1 (zh) |
| CN (1) | CN105849906B (zh) |
| TW (1) | TWI693705B (zh) |
| WO (1) | WO2015111446A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7414791B2 (ja) * | 2021-12-07 | 2024-01-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、機器 |
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| TW201126707A (en) * | 2009-12-25 | 2011-08-01 | Sony Corp | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| TW201218363A (en) * | 2010-10-27 | 2012-05-01 | Sony Corp | Solid-state imaging device, semiconductor device, manufacturing methods thereof, and electronic apparatus |
| TW201222794A (en) * | 2010-10-21 | 2012-06-01 | Sony Corp | Solid-state imaging device and electronic equipment |
| TW201241999A (en) * | 2011-02-08 | 2012-10-16 | Sony Corp | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20090200631A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated imaging sensor with light attenuating layer |
| JP2011114843A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| CN103109238B (zh) | 2010-09-16 | 2015-03-11 | 佳能株式会社 | 调色剂 |
| US8890047B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Stacked-chip imaging systems |
-
2014
- 2014-01-22 JP JP2014009182A patent/JP2015138862A/ja active Pending
- 2014-11-25 TW TW103140870A patent/TWI693705B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-01-09 US US15/110,573 patent/US10249670B2/en active Active
- 2015-01-09 CN CN201580003307.XA patent/CN105849906B/zh active Active
- 2015-01-09 WO PCT/JP2015/050435 patent/WO2015111446A1/ja active Application Filing
- 2015-01-09 KR KR1020167016990A patent/KR102368112B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105849906A (zh) | 2016-08-10 |
| US20160336371A1 (en) | 2016-11-17 |
| US10249670B2 (en) | 2019-04-02 |
| WO2015111446A1 (ja) | 2015-07-30 |
| KR20160111916A (ko) | 2016-09-27 |
| TW201530747A (zh) | 2015-08-01 |
| JP2015138862A (ja) | 2015-07-30 |
| WO2015111446A9 (ja) | 2017-10-19 |
| CN105849906B (zh) | 2019-12-17 |
| KR102368112B1 (ko) | 2022-02-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |