TWI692643B

TWI692643B - 半導體測試裝置

Info

Publication number: TWI692643B
Application number: TW108113275A
Authority: TW
Inventors: 徐文元; 周士瑩; 賴禹亨; 陳伯龍
Original assignee: 漢民測試系統股份有限公司
Priority date: 2019-04-16
Filing date: 2019-04-16
Publication date: 2020-05-01
Also published as: TW202040137A

Abstract

一種半導體測試裝置包含：測試腔室；承載盤，設置於測試腔室內，以固定待測半導體元件；以及對流元件，其與測試腔室連接，並將測試腔室外的第一氣體導入測試腔室中，以改變承載盤之溫度至預定溫度。

Description

半導體測試裝置

本發明是有關一種測試裝置，特別是一種測試晶圓或晶片之半導體測試裝置。

半導體元件(例如晶圓)製作完成後會在常溫以及高溫或低溫環境下對半導體元件進行測試，以找出半導體元件在常溫、高溫或低溫的故障模式。請參照第1圖，習知之半導體測試裝置包含一測試腔室11以及設置於測試腔室11內之承載盤12以及探針卡13。待測半導體元件16設置於承載盤12上，並在指定的測試溫度下以探針卡13測試待測半導體元件16。測試模組14與探針卡13電性連接，以處理探針卡13所量測到的訊號。測試模組14另與主機15電性連接，測試人員即透過主機15操作半導體測試裝置。

為了滿足不同測試溫度的需求，習知之半導體測試裝置的承載盤12有四種規格，分別為常溫機型、高溫機型(可操作溫度範圍為常溫至攝氏150度)、氣冷高溫機型(可操作溫度範圍為攝氏25度至攝氏150度)以及冷卻機高低溫機型(可操作溫度範圍為攝氏-55度至攝氏150度)。目前常用的半導體測試裝置為高溫機型，但在常溫測試時，承載盤12的溫度會受到環境溫度的影響。舉例而言，測試腔室11之環境溫度為攝氏28度時，承載盤12的溫度即無法低於攝氏28度，換言之，承載盤12無法達到指定的測試溫度，例如攝氏25度。此時需選用氣冷高溫機型或冷卻機高低溫機型進行測試。

請再參照圖1，習知之氣冷高溫機型或冷卻機高低溫機型是在承載盤12內部設置冷卻管路17將冷卻氣體或冷卻液從輸入端171輸入冷卻管路17，並藉由冷卻氣體/冷卻液與承載盤12進行熱交換即可降低承載盤12的溫度。受熱的冷卻氣體/冷卻液從輸出端172輸出，經過冷卻後可再次輸入冷卻管路17。由於承載盤12需內建冷卻管路17增加了機構複雜度且需設置冷卻機等冷卻系統，因此氣冷高溫機型以及冷卻機高低溫機型之成本遠高於高溫機型。此外，冷卻機高低溫機型尚需加計冷卻液耗材的成本，導致整體的測試成本進一步增加。

有鑑於此，如何簡化半導體測試裝置之冷卻系統以使承載盤達到預定溫度便是目前極需努力的目標。

本發明提供一種半導體測試裝置，其是利用對流元件與測試腔室連接，以降低測試承載盤之溫度。因此，在較高室溫的情況下，本發明之半導體測試裝置仍能使設置於測試腔室內之承載盤以及待測半導體元件達到預定測試溫度。

本發明一實施例之半導體測試裝置包含：測試腔室；承載盤，設置於該測試腔室內，以固定待測半導體元件；對流元件，其與測試腔室連接，並將測試腔室外的第一氣體導入測試腔室中，以改變承載盤之溫度至預定溫度。

較佳地，對流元件包含冷卻器及熱交換器以連接測試腔室，冷卻器提供冷卻液至熱交換器以冷卻第一氣體。

較佳地，對流元件包含壓縮機，壓縮機壓縮測試腔室外的空氣以提供第一氣體至測試腔室中。

較佳地，對流元件藉由連接件以與測試腔室連接。

較佳地，本發明之半導體測試裝置更包含迴流裝置，其連接測試腔室以及對流元件，並將第二氣體由測試腔室傳至對流元件。

較佳地，第二氣體的溫度高於第一氣體的溫度。

較佳地，迴流裝置更包含泵浦元件以將第二氣體由測試腔室傳至對流元件。

較佳地，承載盤的預定溫度為攝氏10度至攝氏25度。

較佳地，發明之半導體測試裝置更包含：溫度感測器，其量測試承載盤之操作溫度；以及控制器，其與對流元件及溫度感測器電性連接，並依據溫度感測器所量測之操作溫度控制對流元件是否啟動。

以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

11、21:測試腔室

12、22:承載盤

13、23:探針卡

14、24:測試模組

15、25:主機

16、26:待測半導體元件

17:冷卻管路

171:輸入端

172:輸出端

27、28:對流元件

271:熱交換器

272:冷卻器

30:溫度感測器

31:控制器

40:連接件

50:迴流裝置

第1圖為習知的半導體測試裝置之剖面示意圖。

第2圖為根據本發明第一實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第3圖為根據本發明第二實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第4圖為根據本發明第三實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第5圖為根據本發明第四實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第6圖為根據本發明第五實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第7圖為根據本發明第六實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第8圖為根據本發明第七實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

第9圖為根據本發明第八實施例之半導體測試裝置之剖面示意圖。

以下將詳述本發明之各實施例，並配合圖式作為例示。除了這些詳細說明之外，本發明亦可廣泛地施行於其它的實施例中，任何所述實施例的輕易替代、修改、等效變化都包含在本發明之範圍內，並以申請專利範圍為準。在說明書的描述中，為了使讀者對本發明有較完整的瞭解，提供了許多特定細節；然而，本發明可能在省略部分或全部特定細節的前提下，仍可實施。此外，眾所周知的步驟或元件並未描述於細節中，以避免對本發明形成不必要之限制。圖式中相同或類似之元件將以相同或類似符號來表示。特別注意的是，圖式僅為示意之用，並非代表元件實際之尺寸或數量，有些細節可能未完全繪出，以求圖式之簡潔。

請參照第2圖，本發明之一實施例之半導體測試裝置包含測試腔室21、承載盤22以及對流元件27。測試腔室21定義出測試空間，使測試空間與外部環境有所區隔。為了簡化說明，以下稱外部環境的室溫為外部環境溫度，另稱測試腔室21內的溫度為腔室環境溫度。承載盤22設置於測試腔室21內，待測半導體元件26即固定於承載盤22上進行測試。舉例而言，待測半導體元件26可為晶圓或單晶片。

在本實施例中，對流元件27包含冷卻器272及熱交換器271，冷卻器272提供冷卻液至熱交換器271中，熱交換器271中的氣體和冷卻液進行熱交換後成為第一氣體再被導入測試腔室21中。在另一實施例中，請參照第3圖，對流元件28可包含壓縮機，其將測試腔室外的空氣壓縮後做為第一氣體導入測試腔室21中。其中，在本實施例中，第一氣體的溫度可低於腔室環境溫度，對流元件27與測試腔室21連接，並藉由將測試腔室21外具有較低溫度的第一氣體導入測試腔室21中來降低腔室環境溫度，進而改變承載盤22的溫度至預定溫度。在另一實施例中，第一氣體的溫度亦可高於腔室環境溫度，對流元件27與測試腔室21連接，並藉由將測試腔室21外具有較高溫度的第一氣體導入測試腔室21中來升高腔室環境溫度，進而改變承載盤22的溫度至預定溫度。

續參考第2圖，剛被導入測試腔室21的第一氣體可改變測試腔室21之腔室環境溫度至指定的測試溫度，進而改變承載盤22的溫度至預定溫度，其中測試溫度和預定溫度可以相同或不同。當測試腔室21內之承載盤22以及其上之待測半導體元件26達到熱平衡時，即能夠以探針卡23接觸待測半導體元件26並量測所需之信號。探針卡23所量測的信號再經由測試模組24以及主機25處理並判斷待測半導體元件26是否故障。由於探針卡23、測試模組24、主機25以及未圖示之晶圓傳送模組等元件並非本發明之主要技術特徵，且本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠以現有的技術加以實現，故在此不再贅述。

需說明的是，對流元件27是將測試腔室21外的氣體導入測試腔室21中來改變測試腔室21之腔室環境溫度進而改變承載盤22的溫度。因此，相較於第1圖所示之習知技術，本發明之半導體測試裝置無需於承載盤22中設置冷卻管路，換言之，本發明之半導體測試裝置的配置較為簡單。

續參考第2圖，本案的半導體測試裝置藉由測試腔室21外的第一氣體導入可將承載盤22的溫度改變為預定溫度。舉例而言，假設測試腔室21內的腔室環境溫度為攝氏26度，一般而言，配置於測試腔室21內的承載盤22是無法達到例如攝氏10度至攝氏17度的預定測試溫度。是以，本發明之半導體測試裝置的對流元件27可將具有較低溫度的第一氣體由外界導入測試腔室21中，進而降低承載盤22的溫度至預定溫度。在另一種情況下，假設測試腔室21內的腔室溫度為攝氏8度，設置於腔室內的承載盤的溫度自然低於預定的測試溫度，於此，本發明之半導體測試裝置的對流元件27可將具有較高溫度的第一氣體由外導入測室腔室中，進而升高承載盤22的溫度至預定溫度。在一實施例中，承載盤22的預定溫度可為攝氏10度至攝氏25度，較佳地，預定溫度可為15度。

請參照第4圖及第5圖，於另一實施例中，本發明之半導體測試裝置更包含溫度感測器30以及控制器31。溫度感測器30用以量測承載盤22之操作溫度。控制器31與對流元件27、28以及溫度感測器30電性連接。控制器31依據溫度感測器30所量測之操作溫度來控制對流元件27、28是否啟動。舉例而言，承載盤22之操作溫度高於或低於預定溫度時即開啟對流元件27、28。當承載盤22之操作溫度等於預定溫度時即關閉對流元件27、28。

對流元件27、28可直接地與測試腔室21連接，如第2圖至第5圖所示，在另一實施例中，對流元件27、28可間接地與測試腔室21連接，請參照第6圖及第7圖，對流元件27、28可藉由連接件以與測試腔室21連接，連接件可包含管線。

請參照第8圖及第9圖，於另一實施例中，本發明之半導體測試裝置更包含迴流裝置50，其連接測試腔室21以及對流元件27、28，並將第二氣體由測試腔室21傳回至對流元件27、28。續參照第8圖及第9圖，迴流裝置50可將測試腔室21中的第二氣體傳回至對流元件27、28，其中，第二氣體是指溫度可高於第一氣體的氣體。迴流至對流元件27、28的第二氣體可透過熱交換器271進行熱交換，或透過作為對流元件28之壓縮機的壓縮，可再被作為第一氣體而傳入測試腔室21中，藉此，達到內循環的功用進而降低耗能、節省成本。在一實施例中，迴流裝置50可更包含泵浦元件(圖未示)以將第二氣體由測試腔室傳至對流元件。

綜合上述，本發明之半導體測試裝置是利用對流元件與測試腔室連接，以改變測試腔室內之腔室環境溫度，進而改變承載盤的溫度至預定溫度。依據本發明之架構，半導體測試裝置之冷卻系統設計可以大幅簡化，因而降低半導體測試裝置的成本。此外，本發明之半導體測試裝置更包含具有內循環功效的迴流裝置，可將測試腔室中的氣體迴流至對流元件而再次利用，進而減低耗能，因此可進一步降低測試成本。

以上所述之實施例僅是為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

21:測試腔室

22:承載盤

23:探針卡

24:測試模組

25:主機

26:待測半導體元件

27:對流元件

271:熱交換器

272:冷卻器

Claims

一種半導體測試裝置，包含：一測試腔室；一承載盤，設置於該測試腔室內，以固定一待測半導體元件；以及一對流元件，其包含一冷卻器及一熱交換器與該測試腔室連接，該冷卻器提供一冷卻液至該熱交換器以冷卻該測試腔室外的一第一氣體，並將該第一氣體導入該測試腔室中，以改變該承載盤之溫度至一預定溫度。
如請求項1所述之半導體測試裝置，其中該對流元件包含一壓縮機，該壓縮機壓縮該測試腔室外的空氣以提供該第一氣體至該測試腔室中。
如請求項1所述之半導體測試裝置，其中該對流元件藉由一連接件以與該測試腔室連接。
如請求項1所述之半導體測試裝置，更包含一迴流裝置，其連接該測試腔室以及該對流元件，並將一第二氣體由該測試腔室傳至該對流元件。
如請求項4所述之半導體測試裝置，其中該第二氣體的溫度高於該第一氣體的溫度。
如請求項4所述之半導體測試裝置，其中該迴流裝置更包含一泵浦元件以將該第二氣體由該測試腔室傳至該對流元件。
如請求項1所述之半導體測試裝置，其中該承載盤的該預定溫度為攝氏10度至攝氏25度。
如請求項1所述之半導體測試裝置，更包含：一溫度感測器，其量測該承載盤之一操作溫度；以及一控制器，其與該對流元件及該溫度感測器電性連接，並依據該溫度感測器所量測之該操作溫度控制該對流元件是否啟動。