TWI692125B - 發光封裝結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種發光封裝結構的製造方法，包括：實施一準備程序：將發光單元安裝在一基板上；實施一點膠程序：將封膠體塗佈於所述基板的一第一接合區域上；實施一封蓋程序：將一蓋板設置於所述基板上，其中所述蓋板具有一第二接合區域，所述第一接合區域和所述第二接合區域藉由所述封膠體彼此接合；實施一真空程序：將一環境壓力降低至一第一壓力值，所述第一壓力值低於原始的環境壓力；實施一回壓程序：將所述封裝結構周圍的環境壓力調整至一第二壓力值，所述第二壓力值高於所述第一壓力值；實施一固化程序固化所述封膠體。本發明實施例還提供一種發光封裝結構。

Description

發光封裝結構及其製造方法

本發明涉及一種發光封裝結構及其製造方法。

如圖13A及圖13B所示，為一種現有的發光封裝結構100，所述封裝結構100大致上包括一基板101、蓋板102、及一發光晶片103。所述封裝結構100為透過蓋板102將發光晶片103封裝於一容置空間105中。所述蓋板102通常是透過封膠體104固定在容置空間105的開口處，並且在常壓的環境下進行固化。然而當封膠體104固化過程中，蓋板102常常會產生歪斜的不良情形，因此導致封裝結構100的不良率提高。

於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述問題的本發明。

本發明主要目的在於提供一種能夠提高良率的發光封裝結構及其製造方法。

本發明實施例提供一種發光封裝結構，包括：一基板，具有一第一接合區域；一蓋板，設置於所述基板上，所述蓋板和所述基板之間形成一容置空間，所述蓋板具有一第二接合區域；一發光單元，設置於所述基板上並容置於所述容置空間中；一封膠體，所述封膠體設置於所述第一接合區域和所述第二接合區域之間並 接合所述第一接合區域和所述第二接合區域，其中所述封膠體具有一外環輪廓，所述外環輪廓的至少一側邊形成一朝向所述容置空間凹入的凹陷部。

本發明實施例提供一種發光封裝結構的製造方法，所述製造方法包括：實施一準備程序：將所述發光單元安裝在所述基板上；實施一點膠程序：將封膠體塗佈於所述基板的一第一接合區域上；實施一封蓋程序：將所述蓋板設置於所述基板上，其中所述蓋板具有一第二接合區域，所述第一接合區域和所述第二接合區域藉由所述封膠體彼此接合；實施一真空程序：將一環境壓力降低至一第一壓力值，所述第一壓力值低於原始的環境壓力；實施一回壓程序：將所述封裝結構周圍的氣壓調整至一第二壓力值，所述第二壓力值高於所述第一壓力值；實施一固化程序：固化所述封膠體。

綜上所述，本發明實施例所公開的封裝結構及其製造方法，能夠提升發光封裝結構的最終成品的良率。

為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。

1‧‧‧封裝結構

10‧‧‧基板

11‧‧‧晶片安裝墊

12‧‧‧容置空間

13‧‧‧焊墊

14‧‧‧圍牆結構

15‧‧‧第一接合區域

16‧‧‧防水層

17‧‧‧副基板

20‧‧‧蓋板

21‧‧‧第二接合區域

22‧‧‧側壁結構

23‧‧‧抗反射膜

30‧‧‧發光單元

40‧‧‧封膠體

41‧‧‧外環輪廓

42‧‧‧凹陷部

50‧‧‧點膠裝置噴嘴

60‧‧‧取片裝置

100‧‧‧封裝結構

101‧‧‧基板

102‧‧‧蓋板

103‧‧‧發光晶片

104‧‧‧封膠體

105‧‧‧容置空間

Pi‧‧‧外部壓力

Pa‧‧‧內部壓力

d‧‧‧凹陷深度

△P‧‧‧壓力差

圖1為本發明第一實施例的發光封裝結構的組合剖面示意圖。

圖2為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法的準備程序示意圖。

圖3為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法的點膠程序示意圖。

圖4為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法的點膠程序俯視示意圖。

圖5為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法的封蓋程序示意圖。

圖6為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法的真空程序示意圖。

圖7為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法的回壓程序示意圖。

圖8為本發明第一實施例的發光封裝結構製造方法實施各程序的壓力曲線圖及溫度曲線圖。

圖9為本發明第一實施例的發光封裝結構的俯視示意圖。

圖10及圖11為本發明第二實施例的發光封裝結構的組合剖面示意圖。

圖12為本發明第三實施例的發光封裝結構的組合剖面示意圖。

圖13A及圖13B為現有方法製造的封裝結構的剖面圖及俯視構造示意圖。

請參閱圖1至圖12所示，其為本發明的實施例，需先說明的是，本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型，僅用來具體地說明本發明的實施方式，以便於了解本發明的內容，而非用來侷限本發明的保護範圍。

[第一實施例]

如圖1所示，為一利用本發明方法製造而成的一封裝結構1的具體實施例。所述封裝結構1具有一基板10、一蓋板20、一發光單元30及一封膠體40。其中所述基板10具有兩晶片安裝墊11，兩所述晶片安裝墊11分別電性連接一焊墊13，所述發光單元30設置於所述基板10的晶片安裝墊11上，因此使得發光單元30透過晶片安裝墊11與焊墊13電性連接。所述基板10位於所述晶片安裝墊11一側的外圍具有一圍牆結構14，所述圍牆結構14遠離所述基板10的一側形成一環狀的第一接合區域15。所述蓋板20設置於所述基板10上，所述蓋板20和所述基板10之間形成一容置空間12，所述發光單元30容納於所述容置空間12中。所述蓋 板20具有一和所述第一接合區域15相對的第二接合區域21，所述第二接合區域21和所述第一接合區域15彼此相對接合並且環繞所述容置空間12。所述封膠體40設置於所述第一接合區域15和所述第二接合區域21之間的間隙中，透過所述封膠體40能夠接合所述第一接合區域15和所述第二接合區域21，而使得所述容置空間12形成封閉。

所述封裝結構1製造完成後，所述容置空間12能夠呈現負壓狀態(即容置空間內的壓力小於1大氣壓)，藉以將發光單元30封裝於一真空環境中，而使得發光單元30不接觸空氣及水氣，並延長發光單元30的壽命。因此，本發明的發光封裝結構特別適合使用於對於空氣或水氣敏感的發光晶片的封裝，例如：紫外光發光晶片，特別是深紫外光發光二極體。因此所述發光單元30可以為任何發光晶片。例如波峰值介於100nm至400nm波長範圍發光晶片。在部分實施態樣中發光單元30例示為波峰值介於100nm至280nm波長範圍的UV C發光晶片或波峰值介於280nm至315nm波長範圍的UV B發光晶片或波峰值介於315nm至400nm波長範圍的UV A發光晶片。

以下接著說明本實施例發光封裝結構的製造方法，本發明的製造方法包含有一準備程序、一點膠程序、一封蓋程序、一真空程序、一回壓程序及一固化程序，但本發明於實現上述製造方法時，不以上述各個步驟的內容以及順序為限。

如圖2所示，實施所述準備程序：為將所述發光單元30設置於所述基板10的所述晶片安裝墊11上。當所述發光單元30設置於所述基板10上時，所述發光單元30和所述基板10上的多個焊墊13電性連接，且所述發光單元30容置於所述圍牆結構14的內側壁和所述基板10共同界定成的一凹穴中。在此實施例中，基板10與圍牆結構14的材質可選自例如陶瓷材料或高分子材料，且兩者均可反射發光單元30所發出之光。較佳地，基板10與圍牆結 構14為相同材質且一體成型。

如圖3及圖4所示，實施所述點膠程序：透過一點膠裝置噴嘴50將未固化的封膠體40沿著環形的路徑塗佈於所述基板10的所述第一接合區域15上。本實施例中，所述第一接合區域15是形成於圍牆結構14遠離所述基板10的一側，因此施行所述點膠程序時，是透過所述點膠裝置噴嘴50將所述封膠體40塗佈於所述圍牆結構14上的所述第一接合區域15上。

特別說明，所述點膠程序中的點膠量影響到了本發明封裝結構最終成品的品質及良率，因此封膠體40塗佈於第一接合區域15上的寬度需精確控制，本發明點膠程序中，所述封膠體40塗佈於第一接合區域15中的寬度需控制介於第一接合區域15寬度的四分之一至四分之三之間。而較佳的實施例中，所述封膠體40塗佈於所述第一接合區域15的寬度介於所述第一接合區域15寬度的三分之一至三分之二之間，而本發明一更佳實施例中，所述封膠體塗佈於所述第一接合區域15的寬度介於所述第一接合區域15寬度的三分之一至二分之一之間。

此外，在本發明部分實施例中，於所述封膠體程序中，所述封膠體40較佳者為選用具有抗紫外光能力的熱固性融膠，例如：矽基熱固性融膠，避免封膠體40受到發光單元30發出的光線照射後變質。此外，所述封膠體40較佳者為選用觸變係數介於2.8至4之間，黏度介於10Pas至18Pas之間的膠材，藉此可避免封膠體40在真空程序中因壓力差△P而產生破孔。且固化溫度較佳介於140℃至160℃之間，可避免在固化程序中因高溫而使晶片或其他部件受損。然本發明不以此為限，本發相關領域之技藝人士在參酌本發明內容後可依其需要改變調整封膠體40的膠材特性。

如圖5所示，實施所述封蓋程序：為透過取片裝置60將所述蓋板20設置於所述基板10上，當所述蓋板20設置於所述基板10上時，蓋板20的第二接合區域21和所述第一接合區域15彼此相 對，並且接觸所述封膠體40，而能夠透過所述封膠體40使得所述第一接合區域15和所述第二接合區域21彼此接合。

如圖6所示，實施所述真空程序：為透過真空裝置使得一環境壓力降低到一第一壓力值，第一壓力值低於所述環境壓力的原始壓力值。其中，所述環境壓力定義為所述封裝結構1周圍空間的壓力，所述環境壓力的原始壓力值定義為實施所述真空程序前，所述封裝結構1周圍環境的壓力，所述原始壓力可以為1大氣壓，而所述第一壓力0.01mpa以下。透過所述真空程序，能夠將所述封裝結構1的周圍環境及容置空間12內部的壓力均低於環境壓力的原始壓力值。

具體來說，所述真空程序中使用的真空裝置可以為一真空腔體，所述封裝結構1能夠容納於所述真空腔體中，並且透過一抽氣步驟使得所述真空腔體內部壓力降低到所述第一壓力值。

此外，所述真空程序可以有多種實施例，其中一實施例是在施行完成所述封蓋程序後，再透過真空裝置將所述封裝結構1周圍環境的環境壓力降低到所述第一壓力值，接著維持所述第一壓力達一預定時間。在此過程中，由於所述封膠體40尚未完全固化，而使得所述容置空間12內部的氣體能夠通過所述封膠體40，因此使得容置空間12內的氣體能夠受到真空吸力吸引而排出到容置空間12的外側，進而使得所述容置空間12的壓力趨近於所述第一壓力。

特別說明，本實施例中，維持所述第一壓力值持續的時間是依照所述容置空間12內部降低到所述第一壓力值所需的時間而決定，因此所述第一壓力值持續時間能夠依照實際需求而改變。依據實際測試，本實施例中維持所述第一壓力值的時間介於2至5分鐘之間，而較佳實施例中，維持所述第一壓力值的時間介於3至4分鐘之間。

所述真空程序的另一具體實施例，則是在實施所述封蓋程序 前，先行實施所述真空程序，使得環境壓力降低到所述第一壓力值以後，再於第一壓力值的環境下實施所述封蓋程序。本實施例的特點，在於是在負壓環境下實施所述封蓋程序，因此當所述蓋板20設置於所述基板10上時，所述容置空間12便已形成真空狀態，而不需要額外耗費等待所述容置空間12內的氣體排出的時間。

如圖7所示，施行所述回壓程序：將所述封裝結構1周圍環境的壓力調整至一第二壓力值，所述第二壓力值高於所述第一壓力值。如圖8所示，為本發明製造方法實施各程序的壓力曲線及溫度曲線。當所述真空程序完成時，所述封裝結構1內部壓力Pa等於所述封裝結構的外部壓力Pi，且所述外部壓力Pi和內部壓力Pa等於所述第一壓力值。當實施所述回壓程序後，所述封裝結構1的外部壓力Pi上升到所述第二壓力值，此時所述外部壓力Pi大於所述內部壓力Pa，並且外部壓力Pi和內部壓力Pa具有一壓力差△P，因此以非接觸式加壓的形式形成一壓力施加於所述蓋板20，並迫使所述蓋板20抵靠於所述基板10和所述封膠體40上。

特別說明，所述回壓程序中，所述第二壓力和所述第一壓力的差值越大，則施加於蓋板20上的壓力也會隨著增加，而使得蓋板20和封膠體40接觸壓力提高，進而使得封裝結構1最終成品的封膠體40的厚度變薄。因此所述第二回壓程序中，如果所述第二壓力值相較於第一壓力值的壓力上升幅度過大，將容易造成最終成品的封膠體40厚度過薄，而使得封膠體40的黏著力不足，而使得蓋板20容易脫落，或者使得蓋板20和基板10之間的間隙無法密封。並且所述第二壓力值過高，還會使得封裝結構1周圍環境的真空度不足，而影響到容置空間12內部的真空度。反之，如果回壓程序中第二壓力值的上升幅度不足，則會造成蓋板20抵壓於封膠體40的壓力不足，造成封膠體40的厚度過厚，而使得蓋板20在後續製程中容易產生歪斜的情形。

因此本發明實施例中，所述第二壓力值和所述第一壓力值的 壓力差較佳者介於0.01mpa至0.03mpa之間。而透過上述方式，封裝結構1最終成品的封膠體40的厚度能夠控制介於30μm至55μm之間，而較佳實施例中，最終成品的封膠體40厚度介於30μm至45μm之間。

如圖8所示，實施所述固化程序：在維持所述第二壓力值的環境下，透過一加熱步驟將所述封裝結構1周圍環境的溫度加熱至一固化溫度，且維持所述固化溫度持續達一預定時間，以使得所述封膠體40受熱固化。特別說明，所述固化程序中採用的固化溫度和維持固化溫度的時間是依據封膠體40的材料特性而調整，在本發明部分實施例中，所述固化溫度較佳者介於140℃至160℃的範圍之間，並且維持所述固化溫度的時間較佳者介於180分鐘至300分鐘。

如圖8所示，本發明是在維持所述第二壓力值的環境下實施所述固化程序，因此當封膠體40受熱固化的過程中，封裝結構1的外部壓力Pi大於內部壓力Pa而以非接觸式加壓的形式產生一壓力差△P，並且所述壓力差△P平均地施加於蓋板20上，因此能夠減少蓋板20在封膠體40固化過程中產生歪斜的情形，而達到提高本發明封裝結構1製程良率的目的。

此外，所述固化程序的另一具體實施例，是在所述第二壓力值的環境下執行所述加熱步驟，且維持所述固化溫度持續40至60分鐘，以使得封膠體40初步固化，然後再於常壓的環境下維持所述固化溫度120至260分鐘，而使得所述封膠體40完全固化。本實施例採用兩段式固化的優點，在於僅需在第一階段的固化程序中維持負壓環境，而第二階段的固化程序則改為在常壓環境下進行，因此節省了真空設備使用的時間，而能夠提高設備的使用效率。

特別說明，本發明實施圖8揭露的實施例中，所述固化程序是在所述回壓程序後開始，但在所述固化程序和回壓程序的另一 實施例中，所述回壓程序能夠在所述固化程序的中間過程中開始。更具體的說，所述固化程序的中間過程，指的是所述固化程序當中將所述封膠體40加熱至所述固化溫度以後，所述封膠體40受熱而從流體狀態轉化為固化狀態的過程。本實施例可以選擇在所述固化程序已開始進行所述加熱步驟，但所述封膠體40尚未形成固化狀態之前再開始實施所述回壓程序。本實施例實施回壓程序的時間點雖然晚於實施固化程序的時間點，但因為實施回壓程序時封膠體40尚處於未固化狀態，因此在封膠體40受熱固化的過程中，能夠透過所述回壓程序造成所產生的壓力差△P迫使蓋板20抵壓於封膠體40上，而能夠避免產生蓋板20歪斜的不良情形。

如圖1及圖9所示，為採用本發明製造方法所製造完成的封裝結構1的最終成品，所述封裝結構1的最終成品能夠在所述容置空間12內形成負壓環境，因此形成一封膠體40朝內凹陷的發光封裝結構。即，所述封裝結構1的所述封膠體40形成一環繞於所述容置空間12外側的環狀體，所述封膠體40相對於所述容置空間12的一側邊形成一外環輪廓41，並且所述封膠體40的外環輪廓41至少一側邊形成一朝向所述容置空間凹入的凹陷部42。

所述封膠體40的外環輪廓41形成所述凹陷部42的原因，是由於在實施所述回壓程序時，所述封膠體40尚未完成固化，因此使得封膠體40受到封裝結構1外部壓力推動，而使得所述封膠體40的所述外環輪廓41的至少一側邊受壓力推動而朝向容置空間12的方向退縮，而形成所述凹陷部42。

並且，如圖9所示之本發明一較佳實施例中，所述凹陷部42會概略形成弧形，並且在本發明較佳實施例中，封裝膠40的最大寬度為第一接合區域15或所述第二接合區域21寬度的50%至95%。所述凹陷部42的凹陷深度d，會大於或等於所述第一接合區域15或所述第二接合區域21寬度的四分之一。在上述範圍下，可保持基板10與蓋板20之間的接合強度。

如圖9所示，本發明的製造方法由於在實施所述固化程序的過程中，還同時實施所述回壓程序，因此使得封膠體40的外環輪廓41的至少一側邊產生凹陷部42，並且使得。如圖13B所示，現有的方法所製造完成的封裝結構100，由於現有的封裝結構100的封膠體104在實施固化程序時，並未實施所述回壓程序，因此使得封膠體104的外圍輪廓未形成明顯的凹陷部，並且封裝結構100的蓋板102容易產生歪斜的不良情形。

[第二實施例]

如圖10及圖11所示，為本發明發光封裝結構的另一具體實施例，本實施例中，所述封裝結構1包括：一基板10、一發光單元30、及一蓋板20。其中所述基板10朝向所述蓋板20的一側具有一晶片安裝墊11，所述發光單元30設置於所述晶片安裝墊11上，並且所述基板10朝向所述蓋板20的一側的外圍形成第一接合區域15。所述蓋板20為可透光的蓋板，所述蓋板20朝向所述基板10一側具有一環繞於所述蓋板外側的側壁結構22。本實施例中，所述第一接合區域15形成於所述基板10朝向所述蓋板20一側的外圍，且所述第二接合區域21形成於所述側壁結構22朝向所述基板10的一側。在此實施例中，蓋板20之材質可選自例如陶瓷或高分子，較佳為玻璃或石英。

當所述蓋板20設置於所述基板10以後，所述第一接合區域15和所述第二接合區域21透過所述封膠體40加以接合，並且所述基板10、所述側壁結構22和所述蓋板20共同界定形成容置所述發光單元30的容置空間12。

本實施的封裝結構1採用和第一實施例的封裝結構相同的方法製造，並且同樣會在封膠體40的外環輪廓的至少一側邊形成一凹陷部。由於本實施例的製造方法和第一實施例相同，因此本說明書不再重複介紹。

[第三實施例]

如圖12所示，為本發明封裝結構1的第三實施例，本實施例中，封裝結構1的基本構造和前述各實施例類似，因此和前述各實施例近似部分不再重複介紹。本實施例的不同處，在於所述基板10的晶片安裝墊11上設置一副基板17，所述發光單元30再設置於所述副基板17上，且所述封裝結構1還包括一防水層16，所述防水層16至少塗附於發光單元30的表面。所述防水層16材料能夠選用矽系樹脂或氟系樹脂，藉以達到良好的防水及隔離效果。

此外，本實施例中，還能夠在蓋板20朝向所述基板10一側的表面上設置一抗反射膜23，用以減少光線在封裝結構內部反射的損耗，以提高發光效率。需說明者，在圖12中抗反射膜23延伸至第二接合區域中，然本發明不以此為限，抗反射膜23亦可不延伸至第二接合區域。

[實施例有益效果]

縱上所述，本發明的有益效果在於能夠有效地減少封膠體40固化過程中，因為封膠體40受熱膨脹變形或者是應力不均勻的因素，而導致蓋板20歪斜的不良情形產生，而達到提升發光封裝結構製程良率的功效。

以上所述僅為本發明的優選可行實施例，並非用來侷限本發明的保護範圍，凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的權利要求書的保護範圍。

1‧‧‧封裝結構

10‧‧‧基板

11‧‧‧晶片安裝墊

12‧‧‧容置空間

13‧‧‧焊墊

14‧‧‧圍牆結構

15‧‧‧第一接合區域

20‧‧‧蓋板

21‧‧‧第二接合區域

30‧‧‧發光單元

40‧‧‧封膠體

Claims (15)

1. 一種發光封裝結構，包括：一基板，具有一第一接合區域；一蓋板，設置於所述基板上，所述蓋板和所述基板之間形成一容置空間，所述蓋板具有一第二接合區域；一發光單元，設置於所述基板上並容置於所述容置空間中；一封膠體，所述封膠體設置於所述第一接合區域和所述第二接合區域之間並接合所述第一接合區域和所述第二接合區域，其中所述封膠體具有一外環輪廓，所述外環輪廓的至少一側邊形成一朝向所述容置空間凹入的凹陷部。
2. 如請求項1所述的發光封裝結構，其中所述封膠體為熱固性融膠。
3. 如請求項1所述的發光封裝結構，其中所述容置空間內的壓力小於1大氣壓。
4. 如請求項1所述的發光封裝結構，其中所述蓋板在朝向所述基板一側的表面上設置一抗反射膜。
5. 如請求項1所述的發光封裝結構，其中所述發光單元的表面塗附一防水層。
6. 如請求項1所述的發光封裝結構，其中所述凹陷部的凹陷深度，會大於或等於所述第一接合區域或所述第二接合區域寬度的四分之一。
7. 如請求項1所述的發光封裝結構，其中所述封膠體的最大寬度為第一接合區域或所述第二接合區域寬度的50%至95%。
8. 一種發光封裝結構的製造方法，所述封裝結構包括一基板、一蓋板、一發光單元和一封膠體，所述基板和所述蓋板之間形成一容置空間，所述發光單元容置於所述容置空間中，所述製造方法包括：實施一準備程序：將所述發光單元安裝在位於所述基板上； 實施一點膠程序：將所述封膠體塗佈於所述基板的一第一接合區域上；實施一封蓋程序：將所述蓋板設置於所述基板上，其中所述蓋板具有一第二接合區域，所述第一接合區域和所述第二接合區域藉由所述封膠體彼此接合；實施一真空程序：將一環境壓力降低至一第一壓力值，所述第一壓力值低於原始的環境壓力；實施一回壓程序：將所述封裝結構周圍的氣壓調整至一第二壓力值，所述第二壓力值高於所述第一壓力值；實施一固化程序：固化所述封膠體。
9. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中在所述真空程序中維持所述第一氣壓值2至5分鐘。
10. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中所述真空程序是在所述封蓋程序前實施。
11. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中所述第一壓力值和所述第二壓力值的壓力差介於0.01mpa至0.03mpa之間。
12. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中所述回壓程序是在所述固化程序的中間過程中開始。
13. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中所述封膠體塗佈於所述第一接合區域的寬度介於所述第一接合區域寬度的四分之一至四分之三之間。
14. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中所述封膠體的觸變係數介於2.8至4之間。
15. 如請求項8所述的發光封裝結構的製造方法，其中所述封膠體黏度介於10Pas至18Pas之間。

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