TWI692088B - 微型led顯示面板製作方法及顯示面板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種微型LED顯示面板之製作方法,包括:提供一背板,該背板上具有間隔設置之多顆微型LED;於背板上形成第一隔離牆,第一隔離牆將微型LED顯示面板劃分為相互獨立之複數發光區域,每一個發光區域內設置有一個微型LED;於背板具有多顆微型LED之表面上形成複數子單元層,每一個子單元層對應設置於一個發光區域中,每一個子單元層中嵌設有一個微型LED;以及形成覆蓋複數子單元層及複數微型LED之公共電極。本發明實施例提供之微型LED顯示面板製作方法,提高了製作效率。本發明實施例還提供一種微型LED顯示面板。
Description
本發明涉及一種微型LED顯示面板製作方法及微型LED顯示面板。
習知技術中之微型LED(微型發光二極管)面板之製作流程為,其中,首先分別於背板上安裝微型LED,沉積第一絕緣層、導電層及第二絕緣層。其中,上述之第一絕緣層、導電層第二絕緣層均藉由掩膜來完成。則於安裝微型LED時,應當特別注意微型LED安裝位置之精準度,否則,微型LED之對位產生之誤差,將造成微型LED陣列整體產生偏差,則將進一步影響到各個沉積層(主要包括第一絕緣層、導電層及第二絕緣層)之對位失準。
具體之,上述之微型LED之對位誤差,一方面會引起導電層發生短路;另一方面,會引起第二絕緣層遮蔽微型LED之上電極而阻礙其與公共電極之連接,導致微型LED絕緣而失效;再者,微型LED於與背板垂直之方向上之偏差亦將導致第一絕緣層、導電層及第二絕緣層之厚度控制不易;並且,因為沉積第一絕緣層、導電層及第二絕緣層過程中需依靠遮光板做圖案,是故增加了額外之時間,從而降低了工作效率;且由於於習知技術之製作流程中,導電層完全連接背板上每一個微型LED,當需要單獨對某一些微型LED進行控制時,就因為會影響到其他之微型LED而無法實現。根據上述之情況可知,習知技術中之製作方法存於較多之操作不便,不僅影響了產品之質量,還會造成工作效率之下降,影響產出,用戶體驗較差。
本發明提供一種微型LED顯示面板製作方法,包括:提供一背板,該背板上具有間隔設置之多顆微型LED;
於所述背板上形成第一隔離牆,所述第一隔離牆將所述微型LED顯示面板劃分為相互獨立之複數發光區域,每一個所述發光區域內設置有一個微型LED;於所述背板具有所述多顆微型LED之表面上形成複數子單元層,每一個所述子單元層對應設置於一個所述發光區域中,每一個所述子單元層中嵌設有一個微型LED;以及形成覆蓋所述複數子單元層及所述複數微型LED之公共電極。
本發明還提供一種微型LED顯示面板,包括:背板,所述背板上間隔設置有複數微型LED;第一隔離牆,設置於所述背板上,用以隔開每相鄰之二所述微型LED,所述第一隔離牆將所述微型LED顯示面板劃分為相互獨立之複數發光區域,每一個所述發光區域中設置有一個微型LED;形成於所述背板上之複數子單元層,每一個所述子單元層設置於一個所述發光區域中,每一個所述微型LED嵌設於所述子單元層中;以及形成於所述背板上覆蓋所述複數子單元層及所述複數微型LED之公共電極。
本發明還提供一種微型LED顯示面板製作方法,包括:提供一背板,該背板上具有間隔設置之多顆微型LED;採用噴墨打印之方式於所述背板具有所述多顆微型LED之表面上形成第一絕緣層;採用噴墨打印之方式於所述背板上形成覆蓋所述第一絕緣層之導電層;採用噴墨打印之方式於所述背板上形成覆蓋所述導電層之第二絕緣層;以及於所述背板上形成覆蓋所述第二絕緣層及所述微型LED之公共電極;其中,所述微型LED嵌設於所述第一絕緣層、所述導電層及所述第二絕緣層中。
本發明實施例提供之微型LED顯示面板製作方法,採用噴墨打印之方式於背板上形成各個子單元層,利用噴墨打印時液珠之自校正性,可以使得即使微型LED安裝於背板上時存於位置偏差,亦不會影響各自單元層之形成過程,是故可以實現適當降低對微型LED之安裝精確度要求,則可以進一步提
高安裝效率。並且,其藉由第一隔離牆及第二隔離牆,可以將背板上各微型LED相互隔離,以便於製程中控制各個子單元層之沉積膜厚。
S11、S12、S13、S14、S15 S21、S22、S23、S24、S25 S26、S27、S31、S32、S33 S34、S35、S36、S37 :步驟
11:背板
12:微型LED
121:下電極
122:上電極
123:側電極
13:第一絕緣層
131:通孔
14:導電層
15:第二絕緣層
16:公共電極
171:第一隔離牆
172:第二隔離牆
181:第一驅動元件
182:第二驅動元件
19:焊錫
圖1是本發明實施例一提供之微型LED顯示面板之製作方法之步驟流程示意圖。
圖2是圖1中各個步驟中微型LED顯示面板之結構示意圖。
圖3是本發明實施例一提供之微型LED顯示面板之平面示意圖。
圖4是圖3中Ⅳ-Ⅳ向之剖視圖。
圖5是本發明實施例二提供之微型LED顯示面板之製作方法之步驟流程示意圖。
圖6是圖5中各個步驟中微型LED顯示面板之結構示意圖。
圖7是本發明實施例二提供之一種微型LED顯示面板之結構示意圖。
圖8是本發明實施例二提供之微型LED顯示面板之平面示意圖。
圖9是圖8中XI-XI向之剖視圖。
圖10是本發明實施例三提供之微型LED顯示面板之製作方法之步驟流程示意圖。
圖11是圖10中各個步驟中微型LED顯示面板之結構示意圖。
圖12是本發明實施例二提供之一種微型LED顯示面板之結構示意圖。
圖13是本發明實施例三提供之微型LED顯示面板之平面示意圖。
圖14是圖14中XV-XV向之剖視圖。
圖15是本發明實施例提供之微型LED顯示面板之各結構之參數範圍。
附圖中示出了本發明之實施例,本發明可以藉由多種不同形式實現,而並不應解釋為僅局限於這裡所闡述之實施例。相反,提供該等實施例是
為了使本發明更為全面及完整之公開,並使本領域之技術人員更充分地瞭解本發明之範圍。
本發明實施例提供之微型LED顯示裝置之製作方法中,子單元層均藉由噴墨打印之方式來形成於背板上,利用液珠之自校正性,使得微型LED之安裝位置偏差不會影響到後續之各個子單元層之沉積過程。進一步之,本發明實施例利用第一隔離牆及第二隔離牆之隔離作用,可以將背板上各微型LED相互隔離,以便於製程中控制各個子單元層之厚度。
實施例一
本實施例提供之微型LED顯示面板之製作方法,如圖1所示,包括:步驟S11,提供一背板,該背板上具有間隔設置之多顆微型LED。
具體之,如圖2所示,背板11包括間隔設置之複數第一驅動元件181,步驟S11具體包括:於背板11上沉積焊錫19,每一個焊錫19對應設置於一個第一驅動元件181上,將複數微型LED12轉移到背板11上之焊錫19處。每一個微型LED12均包括下電極121及上電極122,每一個微型LED12對應一個焊錫19,上述之焊錫19可以使得位於其下方之第一驅動元件181與位於其之上之微型LED12之下電極121電連接,藉由第一驅動元件181可驅動與其對應之微型LED12發光。於本發明第一實施例中,第一驅動元件181為低溫多晶矽TFT,該背板11為低溫多晶矽TFT背板。
如圖1,於步驟S12中,採用噴墨打印之方式於所述背板11具有所述多顆微型LED12之表面上形成第一絕緣層13。具體之,如圖2所示,於背板11上形成第一絕緣層13,該第一絕緣層13藉由噴墨打印之方式形成,其覆蓋背板11上各個微型LED12之間之區域,即其覆蓋背板11上未設置微型LED12之位置。
如圖1,於步驟S13中,採用噴墨打印之方式於所述背板11上形成覆蓋所述第一絕緣層13之導電層14。可同參閱圖2,於背板11上形成導電層14,具體之,該導電層14亦由噴墨打印方式形成,其覆蓋第一絕緣層13。於本實施例中,微型LED12還包括側電極123,該導電層14與每一個微型LED12之側電極123電連接,為微型LED提供偏置電壓,提高微型LED之性能,增強面板之發光效果。
如圖1,於步驟S14中,採用噴墨打印之方式於所述背板11上形成覆蓋所述導電層14之第二絕緣層15。同樣參考圖2,於背板11上形成第二絕緣層15,該第二絕緣層15同樣採用噴墨打印之方式形成,其覆蓋導電層14形成之。
如圖1,於步驟S15中,於所述背板11上形成覆蓋所述第二絕緣層15及所述微型LED12之公共電極16。
請參閱圖2,於背板11上沉積公共電極16,於本實施例中,公共電極16覆蓋第二絕緣層15及每一個微型LED12,其與微型LED12之上電極122電接觸,則因為微型LED12還藉由下電極121與第一驅動元件181電接觸,當公共電極16端施加一個電壓,第一驅動元件181端亦施加一個不同之電壓時,微型LED12之上下電極之間形成壓差,其內部產生電流,則微型LED可實現發光。
於本發明實施例中,藉由於噴墨打印之方式,實現第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之沉積,且由於上述之第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15固化之前,噴墨打印之液珠呈液態,利用其自我校正之特性,使得第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之沉積更加平滑均勻,微型LED12於安裝位置上之一定程度之偏差將不對第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之沉積產生影響,則可以實現適當降低對微型LED12之安裝精確度要求,則可以進一步提高安裝效率。
本實施例提供之微型LED顯示面板之製作方法,還減少了黃光製程步驟,提高了材料使用率,降低元件及材料污染;進一步之,由於本發明採取之噴墨打印技術為非接觸式之,可以大幅提高製作速度,並降低於製作過程中由於機械誤差或者人工差錯帶來之元器件表面刮損及污染之概率,產品最終之產出質量更好。
請同時參考圖3及圖4,本實施例還提供一種微型LED顯示面板,採用上述方法步驟S11~S15製作而成,包括背板11,依次層疊於背板11上之第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15、及公共電極16。其中,背板11上間隔設置有複數微型LED12,上述之微型LED12包括設置於靠近背板11端之下電極121、遠離背板11端之上電極122及設置於兩端之間之側電極123,其中側電極123與所述下電極121、所述上電極122均不接觸,即相互電性絕緣。
具體之,該背板11包括間隔設置之複數第一驅動元件181,該第一驅動元件181藉由焊錫19連接一個嵌設於第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之間之微型LED12。
再具體之,該第一絕緣層13與背板11直接接觸,導電層14沉積於第一絕緣層13之上,完全覆蓋該第一絕緣層13上,其與微型LED12之側電極123接觸,以傳導偏置電壓,以提高微型LED12之性能,增強面板之發光效果。第二絕緣層15沉積於導電層14之上,完全覆蓋該導電層14。每一個微型LED12嵌設於第一絕緣層13、導電層14、及第二絕緣層15中。
本發明第一實施例提供之微型LED顯示面板,還包括一公共電極16,該公共電極位於第二絕緣層15及微型LED12之上,與微型LED12之上電極122接觸。
於本發明第一實施例中,第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15均採用噴墨打印之方式沉積,可以藉由控制液珠之數量控制沉積厚度。
本發明第一實施例提供之微型LED顯示面板,其可實現如上述方法步驟S11~S15所帶來之所有有益效果,此處便不再贅述。
實施例二
本實施例提供之微型LED顯示面板製作方法,其流程如圖5及圖6所示。圖5所示之方法包括如下步驟。
步驟S21,如圖6所示,提供一背板11,該背板上具有間隔設置之多顆微型LED12,背板11上設置有複數與微型LED12一一對應之第一驅動元件181,具體之,步驟S21與實施例一中步驟S11一樣,可參照上述之表述。
進一步之,如圖6,於步驟S22中,於所述背板11上形成第一隔離牆171;所述第一隔離牆171將所述微型LED顯示面板劃分為相互獨立之複數發光區域,每一個所述發光區域內設置有一個微型LED12。
進一步之,於形成第一隔離牆171之後,再背板11上形成複數子單元層,每個子單元層對應設置於上述之一個發光區域中;具體之,請參見圖6,上述之子單元層包括第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15,則上述子單元層之形成包括如下步驟:於步驟S23中,於背板11具有多顆微型LED12之表面上形成第一絕緣層13。
請參閱圖6,於本實施例中,背板11上還包括與微型LED12一一對應之第一驅動元件181及複數第二驅動元件182,於背板11上設置相互間隔之複數第一隔離牆171,背板11被複數第一隔離牆171分隔成複數發光區域,每一個發光區域中設置有一個微型LED12。其中,每一個發光區域上還設置有一個第一驅動元件181及一個第二驅動元件182,於一實施例中,第一驅動元件181及第二驅動元件182為TFT。
請參閱圖6,於背板11上沉積第一絕緣層13。本實施例中,具體之,於被第一隔離牆171所分開之各個發光區域分別形成第一絕緣層13,該第一絕緣層13覆蓋第二驅動元件182。
於步驟S24中,於第一絕緣層13上覆蓋第二驅動元件182之位置開設通孔131以使得每一個所述第二驅動元件182裸露出來。
請參閱圖6,於第一絕緣層13上開設貫穿其之通孔131,具體之,通孔131開於相鄰之二第一隔離牆171之間且使一個第二驅動元件182相對露出。於本實施例中,通孔131採用鐳射之方式形成。
於步驟S25中,如圖6,於背板11上形成覆蓋第一絕緣層13之導電層14。
請參閱圖6,導電層14沉積於第一絕緣層13之上,其同時形成於通孔131中以與第二驅動元件182電連接。另外,上述之微型LED12上設置有側電極123,具體之,微型LED12包括遠離及靠近背板11之兩端以及連接於兩端之間之側面,側電極123設置於微型LED12之側面,上述之導電層14則同時與微型LED12之側電極123及背板11上之一個第二驅動元件182接觸,使得微型LED12之側電極123可藉由導電層14接收來自第二驅動元件之偏置電壓。
於本實施例中,分別於微型LED12之上電極122、下電極121施加電壓,以使得微型LED12上下電極之間產生電勢差,微型LED12可發光;並且藉由其側電極123施加偏置電壓,以提升微型LED12之性能,增強微型LED顯示面板之顯示效果。
於步驟S26中,如圖6,於背板11上形成覆蓋導電層14之第二絕緣層15。
於步驟S27中,如圖6,於背板11上形成覆蓋第二絕緣層15及微型LED12之公共電極16。
具體之,如圖6,本實施例中之步驟S25如實施例一中之步驟S14,步驟S26如實施例一中之步驟S15,此處不再贅述。
於本發明實施例中,該公共電極16與背板11上所有之微型LED12之上電極122接觸,當上電極122與下電極121之間具有電勢差時微型LED12可以發光。
如上述之第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15均採用噴墨打印之方式,且各個微型LED被第一隔離牆171分隔開,可以針對每一個微型LED12進行獨立操作;並且由於於上述之第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15固化之前,噴墨打印之液珠呈液態,利用液珠之自校正特性,於將微型LED12轉移到背板11上時,即使其中某一個微型LED12之安裝位置於上存於一些偏差,亦不會影響第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之沉積,那麼對微型LED12之安裝精確度相對來講有一定程度之降低,允許一個相對更大之安裝誤差範圍,則於操作時就可以提高速度,以此提高生產效率;再者,採用噴墨打印之方式沉積導電層14,還可以保證導電層14與微型LED12之側電極123接觸更良好,提高了顯示面板整體之產品良率。
並且,於使用噴墨打印時,藉由第一隔離牆171分隔成複數發光區域,避免了使用遮罩(shadow mask)對上述之第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15進行圖案化,第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15直接依賴噴墨打印技術形成於第一隔離牆171隔成之複數發光區域中便可,同時,借由第一隔離牆171,可以使得各個微型LED12可以受到獨立偏壓操作。
另外,可以控制噴墨打印機之噴吐出之液珠數量,精確控制每一個發光區域中第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之厚度。
每一個發光區域中之第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之厚度根據該發光區域中之微型LED12之高度進行設置,如圖7所示,為一個顯示面板之一部分剖面,圖7中之剖面包括三個發光區域,每一個發光區域中之微型LED12其高度不同(實際產品中,多為發不同顏色光之微型LED高度不一樣),則對應其各自之尺寸,控制噴墨打印時之液珠數量,可以精確設置第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15之厚度,於本發明第一實施例中,最終公共電極16沉積完成後,顯示面板整體各處是等高之(應當理解,因為不同顏色之微型LED12之高度不一致,而最後整體又是等高之,是故公共電極16各處之厚度是
不一樣之),還可以保證後續封裝之平整性。綜上所述,本發明第一實施例提供之微型LED顯示面板之製作方法,不僅簡化了製作流程,還使得產品質量更加完善,解決了習知技術中之一系列問題。
如圖8及圖9所示,本發明第二實施例還提供一種微型LED顯示面板,採用上述方法步驟S21~S26製作而成,具體之,該微型LED顯示面板包括背板11、於背板11上間隔設置之複數微型LED12、依次層疊於背板11上之複數子單元層(包括第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15)、及公共電極16,以及位於背板11上第一隔離牆171。其中,上述之微型LED12包括設置於靠近背板11端之下電極121、遠離背板11端之上電極122及設置於兩端之間之側電極123。該背板11被複數第一隔離牆171分隔成複數發光區域,每一個微型LED12限位於一個發光區域。
具體之,該背板11上還間隔設置有複數第一驅動元件181及複數第二驅動元件182,其中,每二間隔設置之第一隔離牆171之間設置有至少一個第一驅動元件181及至少一個第二驅動元件182,其中,第一驅動元件181藉由焊錫19連接一個嵌設於第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15之間之微型LED12。
再具體之,該第一絕緣層13與背板11直接接觸,厚度低於第一隔離牆171之高度,其於覆蓋背板11上第二驅動元件182對應之位置設置有一通孔131。導電層14沉積於第一絕緣層13之上,其與微型LED12之側電極123接觸,還藉由通孔131與背板11上之第二驅動元件182接觸,並且,第一絕緣層13及導電層14之厚度之及應小於第一隔離牆171之高度。第二絕緣層15沉積於導電層14之上,並且第一絕緣層13、導電層14及第二絕緣層15之厚度之及小於或等於第一隔離牆171之高度。每一個微型LED12嵌設於上述之第一絕緣層13、導電層14、及第二絕緣層15中。
本發明第一實施例提供之微型LED顯示面板,還包括一公共電極16,該公共電極位於第二絕緣層15及微型LED12之上,與微型LED12之上電極122接觸。
於本發明第一實施例中,第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15均採用噴墨打印之方式沉積,可以藉由控制液珠之數量控制沉積厚度,並且,因為第一隔離牆171之作用,各個微型LED12互相分開,則與各個不同顏色微型
LED12接觸之第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15及公共電極16之厚度可以分別進行設置,互不干預。(可參見圖7)並且表一示出了微型LED顯示面板之各個結構之尺寸範圍,表二還示出了噴墨打印時之液珠之估算尺寸。應當理解,表一及表二中給出之尺寸範圍,只是發明人於長期之實踐中得出之最佳之數值設置範圍或者產品較為合理之數值設置範圍,亦或是根據其實際情況最常用之數值設置範圍,並不用於限定本發明。
本發明第一實施例提供之微型LED顯示面板,其可實現如上述方法步驟S21~S26所帶來之所有有益效果,此處便不再贅述。
實施例三:
本發明第三實施例提供之微型LED顯示面板製作方法,如圖10所示。
其中,步驟S31、S32均如實施例二中所述,此處不再贅述。
請同時參考圖10及圖11,於步驟S33中,於每一個所述發光區域中形成一個第二隔離牆172。具體之,上述之每一個發光區域中均設置有一個第二隔離牆172,該第二隔離牆172設置於其所於之發光區域中之第一隔離牆171及微型LED12之間,第二驅動元件182設置於其所於發光區域中之第一隔離牆171及第二隔離牆172之間,使得第二驅動元件182可裸露出來以與後續形成之導電層14接觸。該第二隔離牆172之高度應低於第一隔離牆171之高度。
如實施例二中所述,為了使得微型LED12可以藉由側電極123接收偏置電壓,提高微型LED12之性能,必須要保證第二驅動元件182及導電層14互相接觸。於實施例二中採取於第一絕緣層13覆蓋第二驅動元件182之位置形成通孔131之方式,而本實施例中則藉由第一隔離牆171及第二隔離牆172,直接形成一槽使得第二驅動元件182可裸露出來以與導電層14接觸。
是故,如圖10及圖11,於步驟S34中,於背板11上形成第一絕緣層13,具體之,因為第二隔離牆172之隔離作用,噴墨便只覆蓋設置有微型LED12之第一隔離牆171與第二隔離牆172之間之發光區域,而不會覆蓋第二驅動元件182,是故可以直接於第一絕緣層13之上沉積導電層14,使其同時與第二驅動元件182及微型LED12之側電極123接觸,而省去了實施例一中用鐳射形成通孔131之步驟,簡化了製作過程。
於本實施例中,第二隔離牆172之高度應設置於低於第一隔離牆171之高度,是為了使得第一絕緣層13之厚度不會高於第一隔離牆171,為導電層14及第二絕緣層15留出沉積空間。
如圖10及圖11,於步驟S35中,於背板11上形成覆蓋第一絕緣層13之導電層14。具體之,導電層14覆蓋第一絕緣層13以及上述之槽,藉由上述之槽與第二驅動元件182電連接。
同理,圖10及11中步驟S36~S37與實施例二中步驟S26~S27類似,於本實施例中不再贅述。
再進一步之,與實施例二中類似之,第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15及公共電極16之厚度可以利用噴墨打印之液珠數量來進行分別控制,可參見圖12,此處亦不再贅述。
本實施提供之微型LED顯示面板之製作方法,相較於實施例二,減少了於第一絕緣層13上形成通孔131之步驟,是故其於實現如實施例二之技術效果之基礎上,還實現了設備成本之降低及製作效率之提升。
參照圖13及圖14,本發明實施例還提供一種微型LED顯示面板,與實施例二之區別於於:還包括設置於每一個發光區域之第二隔離牆172。
本實施例中每一個發光區域中均設置有一個第二隔離牆172,第二驅動元件182位於其所於發光區域上之第一隔離牆171及第二隔離牆172之間,則第二驅動元件182可裸露出來以與後續形成之導電層14接觸;於每一個發光區域中,由於第二隔離牆172之存於,每一個發光區域又被第二隔離牆172分成二部分,其中一個部分設置有一第二驅動元件182,另一部分則設置有一個微型LED12。第一絕緣層13之厚度小於第二隔離牆172之高度,是故,第一絕緣層13上不存於通孔131,導電層14亦可及背板11上之第二驅動元件182接觸,微型LED12可以藉由側電極123接收偏置電壓。
與實施例二中類似,本實施例中提供之微型LED顯示面板之第一絕緣層13、導電層14、第二絕緣層15及公共電極16之厚度亦可根據不同顏色之微型LED12分別進行設置,可參考圖12,此處不再贅述。
本實施例中之微型LED顯示面板,具有如實施例二中之顯示面板之所有有益效果,於此基礎上,由於減少了於第一絕緣層13上做出通孔131,而提高了產品之製作效率。
再具體之,如上述實施例一~三中之各個子單元層之厚度均可以根據噴墨打印時之液珠數量來控制,圖15示出了微型LED顯示面板之各個結構之尺寸。其中,圖15所示之a為微型LED12之整體高度、b為微型LED12之上電極122之直徑,c為微型LED12之側電極123之高度,d為a及c之間之高度差,f為為第二絕緣層15之高度,g為實施例一中之第一絕緣層13之高度,實施例一中相鄰之微型LED12之間之間距有兩種,一種表示為h,另一種表示為i,實施例二及實施例三中微型LED12及相鄰之第一隔離牆171之間之距離亦以i表示,j為第二絕緣層15及公共電極16之高度之及,K為導電層14之高度,L為第一隔離牆171之高度,S為第一隔離牆171及第二隔離牆172之寬度,M為實施例三中同一發光區域中,第二隔離牆172及第一隔離牆171之間之間距,M亦為實施例二中同一發光區域中通孔131之直徑,R為實施例二中同一發光區域中,第二隔離牆172及微型LED12之間之間距,N為實施例三中第一絕緣層13之高度,它們之尺寸範圍如下表一所示:
應當理解,表一及表二中給出之尺寸範圍,只是發明人於長期之實踐中得出之最佳之數值設置範圍或者產品較為合理之數值設置範圍,亦或是根據其實際情況最常用之數值設置範圍,並不用於限定本發明。
本技術領域之普通技術人員應當認識到,以上之實施方式僅是用於說明本發明,而並非用作為對本發明之限定,只要於本發明之實質精神範圍之內,對以上實施例所作之適當改變及變化均落於本發明要求保護之範圍之內。
S11、S12、S13、S14、S15:步驟
Claims (9)
- 一種微型LED顯示面板製作方法,其改良於,包括如下步驟:提供一背板,該背板上具有間隔設置之多顆微型LED;於所述背板上形成第一隔離牆,所述第一隔離牆將所述微型LED顯示面板劃分為相互獨立之複數發光區域,每一個所述發光區域內設置有一個微型LED;於所述背板具有所述多顆微型LED之表面上形成複數子單元層,每一個所述子單元層對應設置於一個所述發光區域中,每一個所述子單元層中嵌設有一個微型LED;以及形成覆蓋所述複數子單元層及所述複數微型LED之公共電極;所述複數個子單元層包括形成於所述背板上之第一絕緣層、覆蓋所述第一絕緣層之導電層、以及覆蓋所述導電層之第二絕緣層;所述背板包括與所述微型LED一一對應連接之複數第一驅動元件,所述背板還包括複數第二驅動元件,所述第二驅動元件被所述第一絕緣層所覆蓋,每一個所述第二驅動元件位於每一個所述發光區域中之所述第一隔離牆及所述微型LED之間。
- 如請求項1所述之微型LED顯示面板製作方法,其中,還包括:於所述第一絕緣層上覆蓋所述第二驅動元件之位置開設通孔以使得每一個所述第二驅動元件裸露出來;所述導電層覆蓋所述第一絕緣層及所述通孔,並藉由所述通孔與所述第二驅動元件電連接。
- 如請求項1所述之微型LED顯示面板製作方法,其中,於於所述背板上形成第一隔離牆以隔開每相鄰之二微型LED之步驟之後,還包括:於每一個所述發光區域中形成一個第二隔離牆,每一個所述發光區域中之所述第二驅動元件均位於其所於之發光區域中之所述第一隔離牆及所述第二隔離牆之間,所述第二隔離牆之高度低於所述第一隔離牆之高度。
- 如請求項1所述之微型LED顯示面板製作方法,其中,所述第一絕緣層、所述導電層及所述第二絕緣層中之至少一者藉由噴墨打印之方式形成。
- 一種微型LED顯示面板,其改良於,包括: 背板,所述背板上間隔設置有複數微型LED;第一隔離牆,設置於所述背板上,用以隔開每相鄰之二所述微型LED,所述第一隔離牆將所述微型LED顯示面板劃分為相互獨立之複數發光區域,每一個所述發光區域中設置有一個微型LED;形成於所述背板上之複數子單元層,每一個所述子單元層設置於一個所述發光區域中,每一個所述微型LED嵌設於所述子單元層中;以及形成於所述背板上覆蓋所述複數子單元層及所述複數微型LED之公共電極;每一個子單元層包括形成於所述背板上之第一絕緣層、覆蓋所屬第一絕緣層之導電層、以及覆蓋所述導電層之第二絕緣層;所述背板包括與所述微型LED一一對應連接之複數第一驅動元件,所述背板還包括複數第二驅動元件,所述第二驅動元件被所述第一絕緣層所覆蓋,每一個所述第二驅動元件位於每一個所述發光區域中之所述第一隔離牆及所述微型LED之間。
- 如請求項5所述之微型LED顯示面板,其中,所述第一絕緣層上覆蓋所述第二驅動元件之位置開設有通孔以使得每一個所述第二驅動元件裸露出來;所述導電層覆蓋所述第一絕緣層及所述通孔,並藉由所述通孔與所述第二驅動元件電連接。
- 如請求項5所述之微型LED顯示面板,其中,還包括:設置於每一個所述區域中之位於每一個所述發光區域中之第二隔離牆,所述第二隔離牆位於其所於發光區域中之所述第一隔離牆及所述微型LED之間,每一個所述第二驅動元件位於其所於之發光區域中之所述第一隔離牆及第二隔離牆之間,所述第二隔離牆之高度低於所述第一隔離牆之高度。
- 如請求項5至7任一項所述之微型LED顯示面板,其中,所述第一絕緣層、所述導電層及所述第二絕緣層其中一者或任意組合藉由噴墨打印之方式形成。
- 一種微型LED顯示面板製作方法,其改良於,包括如下步驟:提供一背板,所述背板上具有間隔設置之多顆微型LED; 採用噴墨打印之方式於所述背板具有所述多顆微型LED之表面上形成第一絕緣層;採用噴墨打印之方式於所述背板上形成覆蓋所述第一絕緣層之導電層;採用噴墨打印之方式於所述背板上形成覆蓋所述導電層之第二絕緣層;以及於所述背板上形成覆蓋所述第二絕緣層及所述微型LED之公共電極;其中,所述微型LED嵌設於所述第一絕緣層、所述導電層及所述第二絕緣層中;所述背板包括與所述微型LED一一對應連接之複數第一驅動元件,所述背板還包括複數第二驅動元件,所述第二驅動元件被所述第一絕緣層所覆蓋,每一個所述第二驅動元件位於每一個所述發光區域中之所述第一隔離牆及所述微型LED之間。
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WO2024016180A1 (zh) * | 2022-07-19 | 2024-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制作方法、显示面板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201622102A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-06-16 | 英特爾股份有限公司 | 微發光二極體顯示器以及組裝 |
US20170062397A1 (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
WO2017123658A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Sxaymiq Technologies Llc | Light emitting diode display |
TW201814880A (zh) * | 2016-09-26 | 2018-04-16 | 啟端光電股份有限公司 | 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法 |
CN107994046A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-05-04 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7259030B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-08-21 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US8716723B2 (en) * | 2008-08-18 | 2014-05-06 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Reflective layer between light-emitting diodes |
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2019
- 2019-04-29 US US16/397,475 patent/US10916532B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201622102A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-06-16 | 英特爾股份有限公司 | 微發光二極體顯示器以及組裝 |
US20170062397A1 (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
WO2017123658A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Sxaymiq Technologies Llc | Light emitting diode display |
TW201814880A (zh) * | 2016-09-26 | 2018-04-16 | 啟端光電股份有限公司 | 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法 |
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