TWI691398B - 積層製造的粉床機構及積層製造設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種積層製造的粉床機構,其係藉由連接至多個升降床台的升降裝置,以調整粉床平台之升降床台的高度,藉以控制加熱元件的位置,進而減少粉體層之間的溫度梯度,以改善製得之工件的品質。
Description
本發明是關於一種積層製造的粉床機構,特別是關於一種具有加熱元件的粉床機構。
積層製造(Additive Manufacturing,AM),亦稱為3D列印技術,為一種材料接合的製程。積層製造技術的步驟包含利用電腦輔助設計(Computer Aided Design,CAD)軟體處理三維模型資料,將所設計的立體圖檔切片,再利用積層製造設備中的能量源對材料加熱,使材料燒結或熔融成型,進行層層疊印,以製作出立體工件的技術。
由於積層製造係對依序堆疊的粉體層施以能量,進行燒結或熔融成型。然而,在對堆疊於上層的粉體層進行加工成型時,下層已加工過的粉體層因具有較高溫度傳導熱量至上層粉體,而使上層粉體層的成型溫度與下層粉體層的成型溫度有所差異,進而導致各層結構的材料性質不一致,影響成型工件的品質。再者,加工過的粉體層若溫度下
降過快,會因熱應力累積而產生翹曲,則不利於後續粉體層的堆疊及加工。
習知積層製造的粉床機構設置加熱元件,以對粉床進行預加熱,藉以避免在雷射燒結或熔融過程中,因快速加熱粉末而使溫度梯度過大,且溫度的劇烈變化會導致工件破裂,以及殘留熱應力及使頂板翹曲等問題。然而,隨著工件高度的上升,僅從底部加熱的加熱元件對於上層粉體層的加熱效果亦隨之下降,則粉體層之上層及下層間的溫度梯度問題仍無法有效改善。
有鑑於此,亟須提供一種積層製造的粉床機構,藉由加熱各層粉體層,減少不同高度之粉體層之間的溫度梯度,進而改善工件的品質。
本發明之一態樣是提供一種積層製造的粉床機構,其係藉由升降裝置連接粉床平台的至少二個升降床台,以對不同高度的粉體層進行預加熱。
本發明之另一態樣是提供一種積層製造的粉床機構,其係藉由傳動元件及氣壓缸控制粉床平台之環繞設置的複數個升降床台,以對不同高度的粉體層進行預加熱。
本發明之再一態樣是提供一種積層製造設備,其係藉由升降裝置調整粉床平台,利用鋪層元件使粉床平台上的粉體均勻,並藉由加熱元件對粉體層之底部及側邊進行預加熱,再使用雷射源提供能量至粉床,以進行積層製造。
根據本發明之一態樣,提供一種積層製造的粉床機構,其係包含殼體、設置於殼體內的粉床平台、升降裝置及加熱元件。粉床平台之頂部具有頂板,且頂板之上表面係配置以承載粉床,其中粉床係包含粉體。粉床平台包含至少二個升降床台,其中每一個升降床台係至少相鄰於另一個升降床台。升降床台彼此為連動或不連動。升降裝置係分別連接升降床台的底表面。加熱元件係設置於粉床平台及殼體中,且加熱元件鄰近於頂板或殼體之頂部。
根據本發明之一實施例,上述粉床平台為組合式環形平台。至少二個升降床台係包含位於粉床平台之中心部分的第一升降床台以及環繞設置於第一升降床台之外側的第二升降床台。
根據本發明之一實施例,上述升降裝置包含至少一個傳動元件及至少一個氣壓缸。
根據本發明之一實施例,上述升降床台之相鄰二者間具有重疊部分,以連動相鄰二個升降床台的垂直升降。
根據本發明之一實施例,上述加熱元件為加熱線圏及/或加熱管。
根據本發明之另一態樣,提供一種積層製造的粉床機構,其係包含殼體、設置於殼體內的粉床平台、傳動元件、氣壓缸以及加熱元件。粉床平台之頂部具有頂板,且頂板之上表面係配置以承載粉床,其中粉床係包含粉體。粉床平台包含第一升降床台以及環繞設置於第一升降床台之
外側的第二升降床台。第二升降床台包含複數個子升降床台,其中一個子升降床台環繞另一個子升降床台,且前者與第一升降床台的距離大於後者與第一升降床台的距離。傳動元件係連接第一升降床台的底表面。氣壓缸係分別連接第二升降床台之每一個子升降床台的底表面。加熱元件係設置於粉床平台及殼體中,且加熱元件鄰近於頂板或殼體之頂部。
根據本發明之一實施例,上述第一升降床台及第二升降床台具有重疊部分,以連動第一升降床台及第二升降床台之垂直升降。第二升降床台之相鄰的二個子升降床台具有重疊部分,以連動相鄰的二個子升降床台之垂直升降。
根據本發明之一實施例,上述加熱元件為加熱線圏及/或加熱管。
根據本發明之再一態樣,提供一種積層製造設備,其係包含粉床機構、設置在粉床機構上的鋪層元件及雷射源。粉床機構包含殼體、設置於殼體內的粉床平台、升降裝置及加熱元件。粉床平台之頂部具有頂板,且頂板之上表面係配置以承載粉床,其中粉床係包含粉體。粉床平台包含至少二個升降床台,其中每一個升降床台係至少相鄰另一個升降床台。升降床台彼此為連動或不連動。升降裝置係分別連接每一個升降床台的底表面。加熱元件係設置於粉床平台及殼體中,且加熱元件鄰近於頂板或殼體之頂部。鋪層元件係用以使粉體均勻分布在粉床平台之頂表面上。雷射源係用以提供雷射能量至粉床。
根據本發明之一實施例,上述加熱元件為加熱
線圏及/或加熱管。
應用本發明之積層製造的粉床機構,其係藉由連接至多個升降床台的升降裝置,以控制加熱元件的位置,進而減少粉體層之間的溫度梯度,以改善製得之工件的品質。
100‧‧‧粉床機構
110‧‧‧殼體
130‧‧‧粉床平台
132‧‧‧第一升降床台
134‧‧‧第二升降床台
136‧‧‧第三升降床台
140‧‧‧頂板
150‧‧‧升降裝置
152‧‧‧傳動元件
154a‧‧‧第一氣壓缸
154b‧‧‧第二氣壓缸
160‧‧‧加熱元件
180‧‧‧粉體層
200‧‧‧粉床機構
230‧‧‧粉床平台
232‧‧‧第一升降床台
234‧‧‧第二升降床台
236‧‧‧第三升降床台
240‧‧‧頂板
250‧‧‧升降裝置
252a‧‧‧第一傳動元件
252b‧‧‧第二傳動元件
252c‧‧‧第三傳動元件
254b‧‧‧第一氣壓缸
254c‧‧‧第二氣壓缸
260‧‧‧加熱元件
300‧‧‧粉床機構
310‧‧‧殼體
330‧‧‧粉床平台
332‧‧‧第一升降床台
334‧‧‧第二升降床台
336‧‧‧第三升降床台
340‧‧‧頂板
350‧‧‧升降裝置
352‧‧‧傳動元件
354a‧‧‧第一氣壓缸
354b‧‧‧第二氣壓缸
360‧‧‧加熱元件
S1/S2/S3‧‧‧空間
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之詳細說明如下:
[圖1A]係繪示根據本發明一實施例之積層製造之粉床機構的部分剖面示意圖。
[圖1B]係繪示根據本發明一實施例之粉床平台的上視圖。
[圖1C]係繪示根據[圖1A]之B部分的放大示意圖。
[圖2]係繪示根據本發明另一實施例之積層製造之粉床機構的部分剖面示意圖。
[圖3A]係繪示根據本發明一實施例之積層製造之粉床機構的部分剖面示意圖。
[圖3B]係繪示根據本發明一實施例之粉床平台的上視圖。
[圖4A]、[圖4B]及[圖4C]分別係繪示根據本發明一些實施例之[圖1A]之粉床機構製作工件時的剖面視圖。
承上所述,本發明提供一種積層製造的粉床機構,其係藉由升降裝置連接粉床平台的至少二個升降床台,以對不同高度的粉體層進行預加熱。
請參閱圖1A,其係繪示根據本發明一實施例之積層製造之粉床機構100的剖面示意圖。粉床機構100包含殼體110、設置於殼體110內的粉床平台130、升降裝置150及加熱元件160。粉床平台130之頂部具有頂板140,且頂板140之上表面係配置以承載粉床,其中粉床係包含粉體及/或粉體所組成的粉體層。升降裝置150係連接粉床平台130的底表面,以控制粉床平台130的垂直升降。部分加熱元件160係設置於粉床平台130中,並鄰近於頂板140之下表面;而部分加熱元件160係設置於殼體110中,並位於頂板140之側邊且鄰近殼體310之頂部。在一實施例中,加熱元件160為加熱線圏及/或加熱管。
在一實施例中,如圖1A所示,粉床平台具有三個升降床台132、134及136,而升降裝置150包含一個傳動元件152及二組氣壓缸154a及154b。然而,升降裝置的配置不限於此實施例的配置,升降裝置可為至少一個傳動元件以及至少一個氣壓缸。在一具體例中,傳動元件152為包含馬達、導螺桿及線性滑軌等裝置。如圖1A所示,粉床平台130及升降裝置150均可設置於殼體110內。在一實施例中,升降裝置150亦可選擇性地設置於殼體110外。
在一實施例中,粉床平台為矩形、圓形或任何合適的外型。在一實施例中,粉床平台包含至少二個升降床
台,較佳為三個以上的升降床台。在一實施例中,粉床平台包含第一升降床台及環繞設置於第一升降床台之外側的第二升降床台,其中第二升降床台係包含複數個子升降床台。子升降床台其中之一者係環繞子升降床台其中之另一者,且前者與第一升降床台的距離大於後者與第一升降床台的距離。
圖1B係繪示根據本發明一實施例之粉床平台130的上視圖。請同時參閱圖1A及圖1B,粉床平台130為矩形的組合式環形平台。粉床平台130包含三個升降床台,即第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台136。第一升降床台132係位於粉床平台130的中心部分,第二升降床台134係環繞設置在第一升降床台132的外側,且第三升降床台136係環繞設置在第二升降床台134的外側。
請繼續參閱圖1A,傳動元件152係連接第一升降床台132之底表面,第一氣壓缸154a係連接第二升降床台134之相對兩側的底表面,且第二氣壓缸154b係連接第三升降床台136之相對兩側的底表面。在一實施例中,第二升降床台134與第一升降床台132之相鄰處具有部分重疊,以使第二升降床台134可選擇性地隨第一升降床台132升降時連動。在一實施例中,第三升降床台136與第二升降床台134之相鄰處具有部分重疊,以使第三升降床台136可選擇性地隨第二升降床台134升降時連動。圖1C係繪示根據圖1A之B部分的放大示意圖,第一升降床台132與第二升降床台
134的重疊處係在兩者之頂部,且第二升降床台134之頂部係部分覆蓋在第一升降床台132之頂部上。相似地,第三升降床台136之頂部係部分覆蓋在第二升降床台134之頂部上。然而,第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台136之頂表面係實質對齊在同一高度。須特別說明的是,於圖1A之示意圖中,相較於粉床平台130之體積,由於前述「部分重疊」之結構的體積較小,因此,為了清楚說明的緣故,圖1A並未繪示「部分重疊」之結構。
當第一升降床台132下降時,藉由僅對第二氣壓缸154b通入氣體,而不對第一氣壓缸154a通入氣體,則第三升降床台136被第二氣壓缸154b抵托,但第二升降床台134之底表面無氣體抵住,且前述「部分重疊」之結構已無第一升降床台132之抵托,故第二升降床台134可連動地下降,直至「部分重疊」之結構被固定不動之第一升降床台132抵托住,而使第二升降床台134的高度與第一升降床台132的高度實質相同。同樣地,當第一升降床台132下降時,藉由不對第一氣壓缸154a及第二氣壓缸154b通入氣體,則第二升降床台134及第三升降床台136之底表面皆無氣體抵住,且前述「部分重疊」之結構分別不被第一升降床台132及第二升降床台134所抵托,故第二升降床台134及第三升降床台136皆連動地下降,直至「部分重疊」之結構分別被固定不動之第一升降床台132及第二升降床台134抵托住,而使第二升降床台134及第三升降床台136的高度皆與第一升降床台132的高度實質相同。
在一實施例中,頂板140係由多個部分頂板所組成,故每一個升降床台上的頂板140可隨著每一個升降床台的升降而移動,而加熱元件160亦是隨著每一個升降床台的高度不同而在粉床平台中的不同位置。須理解的是,在殼體110中的加熱元件160係固定在鄰近殼體110頂部的位置,而不受升降裝置150控制。因此,在粉床機構100中,部分加熱元件160可藉由升降裝置150移動到不同位置,故加熱元件160可不限於對粉床的底部進行預加熱,而可選擇性地在對粉床底部加熱的同時,亦在粉床的側邊進行預加熱。其中,粉床的側邊係藉由相鄰之升降床台(即未下降之升降床台)中或殼體內之加熱元件來進行預加熱。
請參閱圖2,其係繪示根據本發明另一實施例之積層製造之粉床機構200的剖面示意圖。粉床機構200與粉床機構100具有類似的結構,其差異僅在於粉床機構200之升降裝置250係包含三個傳動元件及二個氣壓缸。在一實施例中,第一傳動元件252a係連接粉床平台230的第一升降床台232之底表面,第二傳動元件252b係連接第二升降床台234之一側的底表面,而第一氣壓缸254b係連接第二升降床台234相對之另一側的底表面,第三傳動元件252c係連接第三升降床台236之一側的底表面,而第二氣壓缸254c係連接第三升降床台236之另一側的底表面。
粉床機構200的設置方式可使第一升降床台232、第二升降床台234及第三升降床台236的垂直升降皆為不連動,即第一升降床台232之高度係由第一傳動元件
252a所控制,第二升降床台234之高度係由第二傳動元件252b所控制,而第三升降床台236之高度係由第三傳動元件252c所控制。
因此,粉床機構200不僅可如粉床機構100一樣控制粉體填充的粉床尺寸,亦可使加熱元件260同時對粉床的底部及側邊進行加熱。再者,粉床機構200可藉由升降裝置250使第一升降床台232、第二升降床台234及第三升降床台236具有不同程度的升降高度,以增加積層製造時粉體填充的變化度,更可使加熱元件260的位置有更多樣的調整性,並減少粉床內的溫度梯度。舉例而言,粉床機構200可使粉床平台230呈階梯狀,如第一升降床台232低於第二升降床台234,且第二升降床台234低於第三升降床台236,如此,在第一升降床台232中的加熱元件260可對粉床底部進行加熱,在第二升降床台234中的加熱元件260可對中間層的粉體層進行加熱,在第三升降床台236中的加熱元件260可對上層的粉體層進行加熱,而在殼體210中的加熱元件260可對更上層的粉體層進行加熱。
請參閱圖3A及圖3B,圖3A係繪示根據本發明一實施例之積層製造之粉床機構300的剖面示意圖,且圖3B係繪示根據本發明一實施例之粉床機構300之粉床平台330的上視圖。類似地,粉床平台330設置在殼體310內,且粉床平台330之頂部具有頂板340。在一實施例中,粉床平台330包含至少二個升降床台,且每一個升降床台至少相鄰於另一個升降床台。在一具體例中,如圖3A及圖3B所示,粉
床平台330包含三個升降床台,即第一升降床台332、第二升降床台334及第三升降床台336,其中第二升降床台334之二側分別鄰接第一升降床台332及第三升降床台336。部分加熱元件360亦設置於粉床平台330中,並鄰近於頂板340之下表面;而部分加熱元件360係設置於殼體310中,並位於頂板340之側邊且鄰近殼體310之頂部。相似地,粉床平台330及升降裝置350均可設置於殼體310內。在一實施例中,升降裝置350亦可選擇性地設置於殼體310外。
如圖3A所示,升降裝置350包含一個傳動元件352及二組氣壓缸354a及354b,其中傳動元件352係連接第二升降床台334,而第一氣壓缸354a及第二氣壓缸354b係分別連接第一升降床台332及第三升降床台336。在此具體例中,第一升降床台332及第三升降床台336分別與第二升降床台334的相鄰處具有部分重疊(此「部分重疊」之結構類似於圖1C所繪示者),以使第一升降床台332及第三升降床台336以及各自下方的加熱元件360可分別隨第二升降床台334升降時連動。在此實施例中,第一升降床台332及第三升降床台336之頂部係分別部分覆蓋在第二升降床台334之頂部。相同地,如前述之圖1A與圖1C,由於「部分重疊」之結構較小,故於圖3A未特別繪示出相應之結構。舉例而言,當第一氣壓缸354a通氣體但第二氣壓缸354b不通氣體時,則第一升降床台332會被第一氣壓缸354a抵托,而第三升降床台336無氣體抵住,故第三升降床台336會與第二升降床台334連動並具有相同高度。
在另一具體例中,升降裝置350可為三個傳動元件,則第一升降床台332、第二升降床台334及第三升降床台336的垂直升降即為不連動,故可分別藉由傳動元件控制第一升降床台332、第二升降床台334及第三升降床台336的高度以及設於其中之加熱元件360的位置。在一具體例中,傳動元件352為包含馬達、導螺桿及線性滑軌的裝置。在一具體例中,加熱元件360為加熱線圏及/或加熱管。
圖4A、圖4B及圖4C係繪示根據本發明一些實施例之粉床機構100在不同應用狀態的剖面視圖。以下利用圖4A至圖4C說明粉床機構100的應用方法。在一實施例中,請同時參閱圖1A及圖4A,當所欲製作的工件之任一直線長度皆小於第一升降床台132之每一個外圍邊長或對角線長度時,換言之,所欲製作的工件可容置於第一升降床台132下降後所形成之凹陷空間S1中,則在進行積層製造時僅須使第一升降床台132進行升降,並使第一氣壓缸154a及第二氣壓缸154b通入氣體,以頂住第二升降床台134及第三升降床台136。補充說明的是,第一升降床台132下降後所形成之凹陷空間S1為第一升降床台132之上表面與第二升降床台134之內側壁所環繞形成的空間。如此,在第一升降床台132中的加熱元件160可對粉體層180的底部進行預加熱,而第二升降床台134及第三升降床台136中的加熱元件160則可對較上層的粉體層180自側部進行預加熱。因此,此實施例的配置對於製作高度較高的工件更為有利,因為習知在製作高度較高的工件時,粉體層之上層與下層間的溫度
梯度特別顯著,故製得之工件品質普遍較差,而此粉床機構100可藉由加熱元件160減少上層粉體層180及下層粉體層180間的溫度梯度,並有效改善工件品質。
在另一實施例中,請同時參閱圖1A及圖4B,當所欲製作的工件之至少一個直線長度係大於第一升降床台132之任一外圍邊長或對角線長度,且所欲製作的工件之任一直線長度皆小於第二升降床台134之每一個外圍邊長或對角線長度時,換言之,所欲製作的工件無法容置於第一升降床台132下降後所形成之凹陷空間S1中,但可容置於第一升降床台132及第二升降床台134共同下降後所形成之凹陷空間S2中,則在進行積層製造時,不對第一氣壓缸154a通入氣體,以使第一升降床台132及第二升降床台134連動進行升降,而僅對第二氣壓缸154b通入氣體,以頂住第三升降床台136。類似於上述,第一升降床台132及第二升降床台134共同下降後所形成之凹陷空間S2係表示第一升降床台132及第二升降床台134之上表面與第三升降床台136之內側壁所環繞形成的空間。如此,在第一升降床台132及第二升降床台134中的加熱元件160可對粉體層180的底部進行預加熱,而第三升降床台136中的加熱元件160則可對較上層的粉體層180自側部進行預加熱。對於欲製作之工件具有較大高度時,加熱元件160除了對粉體層180的底部進行預加熱,亦包含部分加熱元件160自側部進行預加熱,以改善粉體層180之上層及下層間的溫度梯度。
在再一實施例中,請同時參閱圖1A及圖4C,
當所欲製作的工件之至少一個直線長度係大於第二升降床台134之上表面的任一外圍邊長或對角線長度,且所欲製作的工件之任一直線長度皆小於第三升降床台136之每一個外圍邊長或對角線長度時,換言之,所欲製作的工件無法容置於第一升降床台132及第二升降床台134共同下降後所形成之凹陷空間S2中,但可容置於第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台136共同下降後所形成之凹陷空間S3中,則在進行積層製造時,第一氣壓缸154a及第二氣壓缸154b皆不通入氣體,以使第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台136連動進行升降。類似於上述,第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台共同下降後所形成之凹陷空間S3係表示第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台136之上表面與殼體110之內側壁所環繞形成的空間。如此,在頂板140下方的加熱元件160可對粉體層180的底部進行預加熱,並利用殼體110中的加熱元件160對粉體層180的側部進行預加熱。
在一實施例中,以粉床平台130之上表面(即第一升降床台132、第二升降床台134及第三升降床台136之上表面)的總面積為100%,第一升降床台132之上表面的面積為30%,第一升降床台132及第二升降床台134之上表面的面積為60%。此面積比例僅是做為例示,本發明不以此為限。
在一實施例中,積層製造設備係包含上述之粉床機構、設置在粉床機構上的鋪層元件以及雷射源。在進行
積層製造時,將粉體材料填充在粉床機構的粉床平台之頂表面上,藉由鋪層元件使粉體均勻分布在粉床平台之頂表面,並利用加熱元件對粉體層之底部及側部進行預加熱,及利用雷射源提供能量至粉床,以進行燒結,燒結後,使粉床平台下降,再重複填充粉體材料、鋪層、預加熱及燒結,直至完成工件的製作。
本發明提供一種積層製造的粉床機構,其係藉由連接至多個升降床台的升降裝置,以調整粉床平台之升降床台的高度,藉以控制粉體的填充範圍,並控制加熱元件的位置,進而減少多層粉體層之間的溫度梯度,以改善製得之工件的品質。
雖然本發明已以數個實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧粉床機構
110‧‧‧殼體
130‧‧‧粉床平台
132‧‧‧第一升降床台
134‧‧‧第二升降床台
136‧‧‧第三升降床台
140‧‧‧頂板
150‧‧‧升降裝置
152‧‧‧傳動元件
154a‧‧‧第一氣壓缸
154b‧‧‧第二氣壓缸
160‧‧‧加熱元件
Claims (9)
- 一種積層製造的粉床機構,包含:一殼體;一粉床平台,設置於該殼體內,該粉床平台之一頂部具有一頂板,該頂板配置以承載一粉床,且該粉床包含複數個粉體,其中該粉床平台包含至少二升降床台,該至少二升降床台之一者至少相鄰該至少二升降床台之另一者,且該至少二升降床台彼此為連動或不連動,其中該粉床平台為一組合式環形平台,且該至少二升降床台包含:一第一升降床台,位於該粉床平台之一中心部分;以及一第二升降床台,環繞設置於該第一升降床台之一外側;複數個升降裝置,分別連接每一該至少二升降床台之一底表面;以及複數個加熱元件,設置於該粉床平台及該殼體中,其中該些加熱元件鄰近於該頂板或該殼體之一頂部。
- 如申請專利範圍第1項所述之積層製造的粉床機構,其中該些升降裝置包含至少一傳動元件及至少一氣壓缸。
- 如申請專利範圍第1項所述之積層製造的粉床機構,其中該至少二升降床台之相鄰二者間具有一重疊部分,以連動該相鄰二者之垂直升降。
- 如申請專利範圍第1項所述之積層製造的粉床機構,其中該些加熱元件為加熱線圏及/或加熱管。
- 一種積層製造的粉床機構,包含:一殼體;一粉床平台,設置於該殼體內,該粉床平台之一頂部具有一頂板,該頂板配置以承載一粉床,且該粉床包含複數個粉體,其中該粉床平台包含:一第一升降床台;以及一第二升降床台,環繞設置於該第一升降床台之外側,且該第二升降床台包含複數個子升降床台,其中該些子升降床台之一者環繞該些子升降床台之另一者,且該者與該第一升降床台之一距離大於該另一者與該第一升降床台之一距離;一傳動元件,連接該第一升降床台之一底表面;複數個氣壓缸,分別連接該第二升降床台之每一該些子升降床台的一底表面;以及複數個加熱元件,設置於該粉床平台及該殼體中,其中該些加熱元件鄰近於該頂板或該殼體之一頂部。
- 如申請專利範圍第5項所述之積層製造的粉床機構,其中該第一升降床台及該第二升降床台之該些子升降床台之相鄰二者間具有一重疊部分,以連動該相鄰二者之垂直升降。
- 如申請專利範圍第5項所述之積層製造的粉床機構,其中該些加熱元件為加熱線圏及/或加熱管。
- 一種積層製造設備,包含一粉床機構,包含一殼體;一粉床平台,設置於該殼體內,該粉床平台之一頂部具有一頂板,該頂板配置以承載一粉床,且該粉床包含複數個粉體,其中該粉床平台包含至少二升降床台,該至少二升降床台之一者至少相鄰該至少二升降床台之另一者,且該至少二升降床台彼此為連動或不連動,其中該粉床平台為一組合式環形平台,且該至少二升降床台包含:一第一升降床台,位於該粉床平台之一中心部分;以及一第二升降床台,環繞設置於該第一升降床台之一外側;複數個升降裝置,分別連接每一該至少二升降床台之一底表面;以及複數個加熱元件,設置於該粉床平台及該殼體中,其中該些加熱元件鄰近於該頂板或該殼體之一頂部;一鋪層元件,設置在該粉床機構上,以使該些粉體均勻分布在該至少二床台之一或多者之該頂表面上;以及一雷射源,用以提供一雷射能量至該粉床。
- 如申請專利範圍第8項所述之積層製造設備,其中該些加熱元件為加熱線圏及/或加熱管。
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