TWI688810B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI688810B
TWI688810B TW108105644A TW108105644A TWI688810B TW I688810 B TWI688810 B TW I688810B TW 108105644 A TW108105644 A TW 108105644A TW 108105644 A TW108105644 A TW 108105644A TW I688810 B TWI688810 B TW I688810B
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黃柏榮
劉品妙
楊文瑋
蔡正曄
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種顯示裝置,包括基材、多個第一發光結構以及多個第二發光結構。基材具有第一區、第二區及透光區。第二區連接於透光區與第一區之間且相對於第一區下陷。第一發光結構設置於基材之第一區的承載面上。第二發光結構設置於基材之第二區的承載面上。第二區的承載面為相對於第一區之承載面傾斜的斜面或凹面。

Description

顯示裝置
本發明是有關於一種電子裝置,且特別是有關於一種顯示裝置。
目前,為了在手機螢幕上設置前鏡頭或音訊播放器/接收器等元件,會在螢幕上設置有缺口(notch)或是孔洞(hole)等區域來容納這些元件。因此,這些缺口或是孔洞則成為了螢幕上的非顯示區,使得手機螢幕無法真正的全屏顯示。此外,當使用前鏡頭拍照時,影像的取得也可能會受到旁邊的光源干擾,因而降低拍照品質。
本發明提供一種顯示裝置,具有可全屏顯示或近乎可全屏顯示的優點。
本發明的顯示裝置包括基材、多個第一發光結構以及多個第二發光結構。基材具有第一區、第二區及透光區。第二區連接於透光區與第一區之間且相對於第一區下陷。第一發光結構設置於基材之第一區的承載面上。第二發光結構設置於基材之第二區的承載面上。第二區的承載面為相對於第一區之承載面傾斜的斜面或凹面。
在本發明的一實施例中,上述的透光區之寬度與第二區之寬度的和為a,透光區之寬度為b,且1<a/b≤3。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置更包括主動元件基板。主動元件基板設置於基材上。第一發光結構及第二發光結構設置於主動元件基板上且與主動元件基板電性連接。主動元件基板係可撓且服貼於基材上。
在本發明的一實施例中,上述的第二區之承載面為相對於第一區之承載面傾斜的斜面。基材的第一區具有相對於第一區之承載面的底面。第二區的承載面連接於第一區的承載面與第一區的底面之間。斜面與第一區之底面的夾角為θ,20 o≤θ≤60 o
在本發明的一實施例中,上述的多個第一發光結構的每一個包括第一發光二極體元件以及設置於第一發光二極體元件旁的第一調光元件。多個第二發光結構的每一個包括第二發光二極體元件以及設置於第二發光二極體元件旁的第二調光元件。第一調光元件的構造與第二調光元件的構造不同。
在本發明的一實施例中,上述的多個第一發光結構的一個的光場分佈在第一方向上具有峰值。多個第二發光結構的一個的光場分佈在第一方向及第二方向上分別具有第一峰值及第二峰值。第一方向與第二方向交錯,且第二方向由第二區的承載面指向透光區的上方。
在本發明的一實施例中,上述的多個第二發光結構的每一個的光場分佈在第一方向及第二方向上分別具有第一峰值及第二峰值。第一方向與第二方向交錯,第二方向由第二區的承載面指向透光區的上方。靠近透光區的多個第二發光結構的一個的第二峰值與第一峰值的比值大於遠離透光區的多個第二發光結構的另一個的第二峰值與第一峰值的比值。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置更包括反射層。反射層設置於基材的第二區上,且位於第二發光結構與基材之間。
在本發明的一實施例中,上述的多個第一發光結構的每一個包括第一發光二極體元件。多個第二發光結構的每一個包括第二發光二極體元件。多個第一發光結構的多個第一發光二極體元件以第一間距排列,多個第二發光結構的多個第二發光二極體元件以第二間距排列,第二間距小於第一間距。
在本發明的一實施例中,上述的多個第一發光結構的每一個包括第一發光二極體元件,多個第二發光結構的每一個包括第二發光二極體元件。位於單位面積內之多個第二發光結構之多個第二發光二極體元件的數量大於位於單位面積內之多個第一發光結構之多個第一發光二極體元件的數量。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置更包括絕緣層。絕緣層設置於基材的第二區上,且覆蓋第二發光結構。
在本發明的一實施例中,上述的絕緣層具有一開口,與基材的透光區重疊。
在本發明的一實施例中,上述的絕緣層具有背向基材的上表面。多個第二發光結構之一與上表面在第一方向上具有第一距離,多個第二發光結構之另一與上表面在第一方向上具有第二距離,而第一距離與第二距離不同。
在本發明的一實施例中,上述的多個第二發光結構的至少一個包括:第一發光二極體元件以及設置於第二發光二極體元件上的透鏡。
基於上述,本發明的顯示裝置包括基材、多個第一發光結構以及多個第二發光結構。基材具有第一區、第二區及透光區。第二區連接於透光區與第一區之間且相對於第一區下陷。第一發光結構設置於基材之第一區的承載面上。第二發光結構設置於基材之第二區的承載面上。第二區的承載面為相對於第一區之承載面傾斜的斜面或凹面。藉此,設置於斜面或凹面上之多個第二發光結構能使顯示裝置之透光區具有顯示效果,進而實現可全屏顯示或近乎可全屏顯示的顯示裝置。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電性連接。再者,“電性連接”或“耦合”係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1A為本發明一實施例之顯示裝置的上視示意圖。圖1B為對應圖1A之剖線A-A’之本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。圖2為本發明另一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。
請參照圖1A與圖1B,本實施例的顯示裝置100包括基材110、多個第一發光結構120以及多個第二發光結構130。基材110具有第一區R1、第二區R2及透光區R3。第二區R2連接於透光區R3與第一區R1之間,且第二區R2相對於第一區R1下陷。其中,第一發光結構120設置於基材110之第一區R1的承載面111上。第二發光結構130設置於基材110之第二區R2的承載面112上。
在本實施例中,第二區R2的承載面112為相對於第一區R1之承載面111傾斜的斜面,但不以此為限。在其他實施例中,第二區R2的承載面112a也可以為相對於第一區R1之承載面111傾斜的凹面,以使整體畫面的連續性較佳,如圖2所示的顯示裝置100a。此外,在本實施例中,透光區R3可例如是顯示裝置100上的孔洞或是盲孔,其中或其下方設置有構件200,例如:鏡頭或音訊播放器/接收器,但不以此為限。
本實施例的顯示裝置100還包括主動元件基板140,設置於基材110之第一區R1的承載面111以及第二區R2的承載面112上。其中,主動元件基板140之基底的材質具有可撓性,以使主動元件基板140可服貼於基材110上。第一發光結構120及第二發光結構130設置於主動元件基板140上。第一、二發光結構120、130與基材110分別位於主動元件基板140的相對兩側。第一發光結構120及第二發光結構130與主動元件基板140電性連接。也就是說,可利用主動元件基板140上的線路(未繪示)驅動第一發光結構120及第二發光結構130。
在本實施例中,顯示裝置100還可選擇性地包括反射層150。反射層150設置於基材110的第二區R2上。反射層150位於第二發光結構130與基材110之間,且位於第二發光結構130與主動元件基板140之間。
請繼續參照圖1A與圖1B,在本實施例中,顯示裝置100的透光區R3之寬度與第二區R2之寬度的和為a,透光區R3之寬度為b,且1<a/b≤3。當第二發光結構130設置於第二區R2的承載面112(例如但不限於:斜面)上時,第二發光結構130的光場會分佈至透光區R3的正上方,以補償透光區R3上方的顯示畫面,進而實現可全屏顯示或近乎可全屏顯示的顯示裝置100。
此外,在本實施例中,第二區R2之承載面112為相對於第一區R1之承載面111傾斜的斜面,基材110的第一區R1還具有相對於第一區R1之承載面111的底面113。其中,第二區R2的承載面112連接於第一區R1的承載面111與第一區R1的底面113之間。舉例而言,當透光區R3的寬度b介於1毫米至5毫米時,基材110之第二區R2的厚度可介於0.3毫米至8.5毫米,並使承載面112與第一區R1之底面113的夾角θ可介於20 o至60 o,即20 o≤θ≤60 o。藉此,能使位於承載面112(例如但不限於:斜面)上的第二發光結構130的光場能更充分地分佈至透光區R3的正上方,進而提升顯示裝置100之全屏顯示或近乎全屏顯示的效果。上述數值僅是用以舉例說明本發明而非用以限制本發明。
需要說明的是,雖然圖1A中繪示的第二區R2及透光區R3的形狀皆為圓形,但本發明並不對第二區R2及透光區R3的形狀加以限制。也就是說,在其他實施例中,透光區R3及第二區R2的形狀也可以是橢圓形、方型或其他適合的形狀。
圖1C與圖1D為本發明一實施例之顯示裝置的第二發光結構於構件200關閉或開啟時的驅動方式的剖面示意圖。請參照圖1C,構件200設置在顯示裝置100的透光區R3,且大致上位於第二發光結構130的下方。顯示裝置100用以顯示畫面時,第一區R1的第一發光結構120為開啟的狀態,而第一發光結構120的光場121、122大致上朝第一區R1的上方分佈。特別是,需顯示全屏畫面或近乎全屏畫面且構件200關閉(即不需使用構件200)時,可開啟第二區R2上的第二發光結構130,使第二發光結構130的光場131、132分佈至透光區R3的正上方,以補償透光區R3上方的顯示畫面,進而達到全屏顯示的效果。
請參照圖1D,當構件200處於開啟狀態(即需使用構件200且構件200為光學元件,例如鏡頭)時,則可關閉第二區R2上的第二發光結構130或部分的第二發光結構130,以避免影響構件200收光,進而可提升構件200的使用品質(例如:照相品質)。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。
圖3至圖7為本發明多個實施例之顯示裝置的剖面示意圖。請同時參考圖1B與圖3,本實施例的顯示裝置100b與圖1B中的顯示裝置100相似,惟二者主要差異之處在於:本實施例的顯示裝置100b的第一發光結構120a包括第一發光二極體元件123以及設置於第一發光二極體元件123旁的第一調光元件124。第二發光結構130a包括第二發光二極體元件133以及設置於第二發光二極體元件133旁的第二調光元件134。其中,第一調光元件124的構造與第二調光元件134的構造不同,例如是形狀、高度、寬度或其組合不同,而不同位置之第二調光元件134其與下方所設置材料的接觸面之斜率隨著第二區R2的地形變化也可彼此不同,但不以此為限。
舉例來說,在本實施例的顯示裝置100b中,第一發光結構120a的光場分佈在第一方向D1上具有峰值。部分的第二發光結構130a的光場分佈在第一方向D1及第二方向D2上分別具有第一峰值及第二峰值。其中,第一方向D1與第二方向D2交錯,且第二方向D2由第二區R2的承載面112指向透光區R3的上方。此外,在本實施例中,靠近透光區R3的第二發光結構130a的第二峰值與第一峰值的比值可大於遠離透光區R3的第二發光結構130a的第二峰值與第一峰值的比值。藉由上述的設計,可使第一區R1和第二區R2的顯示/出光更均勻。
請同時參考圖1B與圖4,本實施例的顯示裝置100c與圖1B中的顯示裝置100相似,惟二者主要差異之處在於:本實施例的顯示裝置100c的第一發光結構120b包括第一發光二極體元件126以及設置於第一發光二極體元件126旁的第一調光元件127。第二發光結構130b包括第二發光二極體元件137a、137b以及設置於第二發光二極體元件137a、137b旁的第二調光元件134a。其中,第一發光二極體元件126以第一間距P1排列,第二發光二極體元件137a(或是137b)以第二間距P2排列,且第二間距P2小於第一間距P1。此外,位於單位面積內之第二發光二極體元件137a、137b的數量大於位於單位面積內之第一發光二極體元件126的數量。藉由上述的設計,可使第一區R1和第二區R2的顯示/出光更均勻。
請同時參考圖1B與圖5,本實施例的顯示裝置100d與圖1B中的顯示裝置100相似,惟二者主要差異之處在於:本實施例的顯示裝置100d還包括絕緣層160,用以封裝顯示裝置100d。絕緣層160為透光材料。其中,絕緣層160設置於基材110的第一區R1及第二區R2上,且覆蓋第一發光結構120以及第二發光結構130。此外,絕緣層160還具有一開口161,與基材110的透光區R3重疊,以避免影響構件200的功能。
請同時參考圖5與圖6,本實施例的顯示裝置100e與圖5中的顯示裝置100d相似,惟二者主要差異之處在於:本實施例的顯示裝置100e的絕緣層160a於第二區R2上具有多個背向基材110的上表面162、162a、162b、162c、162d,且毎個上表面162、162a、162b、162c、162d之間並不齊平。也就是說,多個第二發光結構130c中的一個第二發光結構130c1與上表面162在第一方向D1上具有第一距離H1,多個第二發光結構130c中的另一個第二發光結構130c2與上表面162a在第一方向D1上具有第二距離H2,且第一距離H1與第二距離H2不同。在本實施例中,絕緣層160a除了用以封裝外還可作為導光的用途,以使第一區R1和第二區R2的顯示/出光更均勻。
請同時參考圖1B與圖7,本實施例的顯示裝置100f與圖1B中的顯示裝置100相似,惟二者主要差異之處在於:在本實施例的顯示裝置100f中,第二發光結構130d除了包括第二發光二極體元件138外,更包括設置於第二發光二極體元件138上的透鏡139。藉由透鏡139的設置,可使第一區R1和第二區R2的顯示/出光較更均勻。
綜上所述,本發明的顯示裝置包括基材、多個第一發光結構以及多個第二發光結構。基材具有第一區、第二區及透光區。第二區連接於透光區與第一區之間且相對於第一區下陷。第一發光結構設置於基材之第一區的承載面上。第二發光結構設置於基材之第二區的承載面上。第二區的承載面為相對於第一區之承載面傾斜的斜面或凹面。藉此,設置於斜面或凹面上之多個第二發光結構能使顯示裝置之透光區具有顯示效果,進而實現可全屏顯示或近乎可全屏顯示的顯示裝置。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f:顯示裝置
110:基材
111、112、112a:承載面
113:底面
120、120a、120b:第一發光結構
121、122:光場
123、126:第一發光二極體元件
124、127:第一調光元件
130、130a、130b、130c、130c1、130c2、130d:第二發光結構
131、131a、132、132a:光場
133、137a、137b、138:第二發光二極體元件
134、134a:第二調光元件
139:透鏡
140:主動元件基板
150:反射層
160、160a:絕緣層
161:開口
162:上表面
200:構件
a:寬度的和
b:寬度
D1:第一方向
D2:第二方向
H1:第一距離
H2:第二距離
R1:第一區
R2:第二區
R3:透光區
P1:第一間距
P2:第二間距
θ:夾角
圖1A為本發明一實施例之顯示裝置的上視示意圖。 圖1B為對應圖1A之剖線A-A’之本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。 圖1C與圖1D為本發明一實施例之顯示裝置的第二發光結構於構件關閉或開啟時的驅動方式的剖面示意圖。 圖2為本發明另一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。 圖3至圖7為本發明多個實施例之顯示裝置的剖面示意圖。
100:顯示裝置
110:基材
111、112:承載面
113:底面
120:第一發光結構
130:第二發光結構
140:主動元件基板
150:反射層
200:構件
a:寬度的和
b:寬度
R1:第一區
R2:第二區
R3:透光區
θ:夾角

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置,包括:一基材,具有一第一區、一第二區及一透光區,其中該第二區連接於該透光區與該第一區之間且相對於該第一區下陷;多個第一發光結構,設置於該基材之該第一區的一承載面上;以及多個第二發光結構,設置於該基材之該第二區的一承載面上,其中該第二區的該承載面為相對於該第一區之該承載面傾斜的一斜面或一凹面,當該第二區之該承載面為相對於該第一區之該承載面傾斜的該斜面時,該基材的該第一區具有相對於該第一區之該承載面的一底面,其中該第二區的該承載面連接於該第一區的該承載面與該第一區的該底面之間,而該斜面與該第一區之該底面的夾角為θ,20°
    Figure 108105644-A0305-02-0017-1
    θ
    Figure 108105644-A0305-02-0017-4
    60°。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該透光區之一寬度與該第二區之一寬度的和為a,該透光區之該寬度為b,且1<a/b
    Figure 108105644-A0305-02-0017-5
    3。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,更包括:一主動元件基板,設置於該基材上,其中該些第一發光結構及該些第二發光結構設置於該主動元件基板上且與該主動元件基板電性連接,該主動元件基板係可撓且服貼於該基材上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些第一發光結構的每一個包括一第一發光二極體元件以及設置於該第一發光二極體元件旁的一第一調光元件,該些第二發光結構的每一個包括一第二發光二極體元件以及設置於該第二發光二極體元件旁的一第二調光元件,而該第一調光元件的構造與該第二調光元件的構造不同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些第一發光結構的一個的光場分佈在一第一方向上具有一峰值,該些第二發光結構的一個的光場分佈在該第一方向及一第二方向上分別具有一第一峰值及一第二峰值,該第一方向與該第二方向交錯,且該第二方向由該第二區的該承載面指向該透光區的上方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些第二發光結構的每一個的光場分佈在一第一方向及一第二方向上分別具有一第一峰值及一第二峰值,該第一方向與該第二方向交錯,該第二方向由該第二區的該承載面指向該透光區的上方;靠近該透光區的該些第二發光結構的一個的該第二峰值與該第一峰值的比值大於遠離該透光區的該些第二發光結構的另一個的該第二峰值與該第一峰值的比值。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,更包括:一反射層,設置於該基材的該第二區上,且位於該些第二發光結構與該基材之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些第一發光結構的每一個包括一第一發光二極體元件,該些第二發光結構的每一個包括一第二發光二極體元件,該些第一發光結構的多個第一發光二極體元件以一第一間距排列,該些第二發光結構的多個第二發光二極體元件以一第二間距排列,該第二間距小於該第一間距。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些第一發光結構的每一個包括一第一發光二極體元件,該些第二發光結構的每一個包括一第二發光二極體元件,位於一單位面積內之該些第二發光結構之多個第二發光二極體元件的數量大於位於該單位面積內之該些第一發光結構之多個第一發光二極體元件的數量。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,更包括:一絕緣層,設置於該基材的該第二區上,且覆蓋該些第二發光結構。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示裝置,其中該絕緣層具有一開口,與該基材的該透光區重疊。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的顯示裝置,其中該絕緣層具有背向該基材的一上表面,該些第二發光結構之一與該上表面在一第一方向上具有一第一距離,該些第二發光結構之另一與該上表面在該第一方向上具有一第二距離,而該第一距離與該第二距離不同。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該些第二發光結構的至少一個包括:一第二發光二極體元件以及設置於該第二發光二極體元件上的一透鏡。
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