TWI687800B

TWI687800B - 用於光學收發器模塊的熱界面結構

Info

Publication number: TWI687800B
Application number: TW107144570A
Authority: TW
Inventors: 張鍇; 沈玲; 張立強; 劉亞群; 崔麗梅
Original assignee: 美商哈尼威爾國際公司
Priority date: 2017-12-18
Filing date: 2018-12-11
Publication date: 2020-03-11
Also published as: US10567084B2; EP3729157A4; US20190190605A1; CN111630425A; KR20200090920A; KR102637954B1; TW201928587A; EP3729157A1; WO2019126043A1; CN111630425B; JP2021507288A

Abstract

一種用於電子裝置的熱界面結構，如電信或數據網路硬體，其等利用插入電子裝置的籠插座內的光學收發器模塊。為了提供有效的熱轉移，熱界面結構被設置在光學收發器模塊及與籠插座相關聯的一散熱器之間且與該光學收發器模塊及與該籠插座相關聯的一散熱器毗連。該熱界面結構包括一熱界面層及一聚合物層，該熱界面層包括一相變材料，該聚合物層連接至該熱界面層。

Description

用於光學收發器模塊的熱界面結構

本揭露係關於熱界面結構，其可用於從光學收發器模塊散熱。

光學收發器模塊通常封裝為小型因數(small form factor,SFF)或小型因數可插拔(small form factor pluggable,SFFP)封裝，例如XFP模塊或其他工業標準格式。通常，將光學收發器模塊插入電子單元的籠插座(cage receptacle)內，例如電信/數據網路硬體的裝置，連同模塊的電觸點嚙合與籠插座和電子單元的電路板相關聯的相應電觸點以啟用數據傳輸。

在使用中，40G、100G、200G或甚至更高的數據傳輸率的光學收發器模塊可產生大量的熱量，其必須從模塊中被消散以確保所需的操作性能。通常，接收光學收發器模塊的籠插座包括金屬散熱器，該金屬散熱器接觸光學收發器模塊的壁以用於散熱。然而，問題在於，金屬與金屬接觸或適配的品質通常不精確，損害了收發器模塊及散熱器之間的熱傳遞接觸的完整性。

在另一種方法中，例如可將凝膠形式的熱界面材料(thermal interface material,TIM)施加到收發器模塊的外壁上，當收發器模塊被接收在籠插座內時，該凝膠與散熱器接觸毗連。然而，已知的熱界面凝膠趨於最終乾燥及硬化，因此損害熱傳遞連接。此外，重複移除及插入收發器模塊至籠插座會導致變形，損害，或移除熱界面凝膠，進一步地損害熱傳遞。

通常不能將呈潤滑脂形式的其他熱界面材料施加到足夠的厚度以減輕籠插座與插入的收發器模塊之間的界面間隙變化。還有間隙墊形式的其他熱界面材料可產生殘留，通常在從籠插座重複插入和移除的收發器模塊期間，來自間隙墊的填料自間隙墊的表面的侵蝕，且殘留可能負面地影響裝置的電接觸。進一步來說，兩個潤滑脂和間隙墊通常基於矽基質，且來自基質矽油可以自基質蒸發出且負面地影響裝置的電接觸。

所需要的是用於光學收發器模塊的熱界面結構，其改善了前述者。

本揭露提供了一種用於電子裝置的熱界面結構，諸如電信或數據網路硬體，其等利用插入該等電子裝置的籠插座內的光學收發器模塊。為了提供有效的熱轉移，該熱界面結構被設置在該光學收發器模塊與該籠插座相關聯的一散熱器之間且與該光學收發器模塊及與該籠插座相關聯的一散熱器毗連。該熱界面結構包括一熱界面層，該熱界面層包括一相變材料、及連接至該熱界面層的一聚合物層。

在其一個形式中，本揭露提供了一光收發器模塊，包括具有一外壁的一殼體；及一熱界面結構連接至該外壁，該熱界面結構包括一熱界面材料，該熱界面材料包括一相變材料，該熱界面材料具有一第一側及一第二側，該第一側連接至該殼體的該外壁；及連接至該熱界面材料的該第二側的一聚合物層。

該殼體包括一對相對的壁，各壁具有連接至其的一各別熱界面結構。

該熱界面結構可另外包括連接該熱界面材料和該聚合物層的一黏著劑層。

熱界面材料可另外包括一聚合物基質及至少一種填料。聚合物層可由至少一種聚合物形成，該至少一種聚合物選自由以下所組成的群組：聚酯、聚醯亞胺、聚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚氯乙烯、聚乳酸、聚胺甲酸酯、聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚環戊二烯、聚四氟乙烯、聚二氟亞乙烯、聚氟乙烯、聚(乙烯-共-四氟乙烯)、聚(六氟丙烯-共-四氟乙烯)、聚三氟氯乙烯、聚苯乙烯、聚醚碸、聚醚醚酮、及其組合。該聚合物層可具有至少0.2W/mK的導熱率。該相變材料可具有20℃至100℃的熔點。

在其另一種形式中，本揭露提供了包括一籠插座的一電子組件，該籠插座包括一散熱器；一光學收發器模塊，其包括具有一外壁的一殼體；及一熱界面結構，其設置於該外壁與該散熱器之間且與該外壁與該散熱器毗連，該熱界面結構包括一熱界面材料，該熱界面材料包括一相變材料；及一聚合物層，其連接至該熱界面材料。

該熱界面材料包括一第一側及一第二側，該第一側與該殼體的該外壁連接且該第二側與該聚合物層連接，且該聚合物層與該籠插座的該散熱器毗連。

該熱界面材料可包括一第一側及一第二側，該第一側連接至該籠插座的該散熱器，且該第二側連接至該聚合物層，該聚合物層與該殼體的該外壁毗連。

該熱界面結構可另外包括連接該聚合物層和該籠插座的該散熱器的一黏著劑層。

該熱界面結構可另外包括連接該聚合物層和該光學收發器模塊的該外壁的一黏著劑層。

該熱界面材料可另外包括連接該熱界面材料和該聚合物層的一黏著劑層。

該熱界面材料可另外包括一聚合物基質及至少一種填料。聚合物層可由至少一種聚合物形成，該至少一種聚合物選自由以下所組成的群組：聚酯、聚醯亞胺、聚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚氯乙烯、聚乳酸、聚胺甲酸酯、聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚環戊二烯、聚四氟乙烯、聚二氟亞乙烯、聚氟乙烯、聚(乙烯-共-四氟乙烯)、聚(六氟丙烯-共-四氟乙烯)、聚三氟氯乙烯、聚苯乙烯、聚醚碸、聚醚醚酮、及其組合。該聚合物層可具有至少0.2W/mK的導熱率。該相變材料可具有20℃至100℃的熔點。

在本揭露的進一步的形式中，本揭露提供了電子組件，其包括包含散熱器的該籠插座；一光學收發器模塊，其包括具有一外壁的一殼體；及一熱界面結構，其設置於該外壁與該散熱器之間且與該外壁及該散熱器毗連，該熱界面結構包括一熱界面材料，該界面材料包括一相變材料；一黏著劑，其圍繞該熱界面材料的一周邊；及一聚合物層，其連接至該熱界面材料及該黏著劑；其中該熱界面材料及該黏著劑各包括一第一側及一第二側，各第一側連接至該聚合物層且各第二側連接至該籠插座的該散熱器；及其中該聚合物層包括一第一側和一第二側，該第一側連接至該熱界面材料及該黏著劑，且該第二側與該光學收發器模塊殼體的該外壁毗連。

該熱界面材料可另外包括一聚合物基質及至少一種填料。該相變材料可具有20℃至100℃的熔點。該聚合物層可具有至少0.2W/mK的導熱率。

10:電子組件

12:光學收發器模塊

14:頂壁

16:側壁

18:底壁

20:光纖介面

22:電連接器

24:光纖電纜

26:終端

30:籠插座

32:前擋板

34:電連接器

40:散熱器

46:熱界面結構

48:熱界面材料

50:聚合物層

52:黏著劑/黏著劑層

54:聚矽氧橡膠輥

56:離型襯墊

58:離型襯墊

60:離型襯墊

藉由參照下列本揭露實施例之說明並配合隨附圖式，本揭露之以上所述的及其他特徵和目的以及實現該等特徵和目的之方式將變得更加顯而易見，且對揭露本身將有更深入的瞭解，其中：〔圖1〕係顯示光學收發器模塊及相關聯的電子裝置的插座籠的透視圖；〔圖2〕係穿過籠插座的截面圖，顯示出了接收在籠插座內的光學收發器模塊；〔圖3A〕係第一例示性熱界面結構的截面圖；〔圖3B〕係第二例示性熱界面結構的截面圖；〔圖3C〕係第三例示性熱界面結構的截面圖；〔圖3D〕係第四例示性熱界面結構的截面圖；〔圖3E〕係第五例示性熱界面結構的截面圖；〔圖4〕係第一光學收發器模塊和籠插座構型的截面圖；〔圖5〕係第二光學收發器模塊和籠插座構型的截面圖；〔圖6〕係第三光學收發器模塊和籠插座構型的截面圖，包括圖3C的熱界面結構；〔圖7〕係第四光學收發器模塊和籠插座構型的截面圖，其包括圖3C的熱界面結構；〔圖8〕係顯示用於製備熱界面結構的例示性方法的第一步驟的截面圖；〔圖9〕係顯示用於製備熱界面結構的例示性方法的第二步驟的截面圖；〔圖10〕係顯示用於製備熱界面結構的例示性方法的第三步驟的截面圖；及〔圖11〕係顯示用於製備熱界面結構的例示性方法的第四步驟的截面圖。

在這幾個視圖中，對應的參考符號指示對應的部件。儘管本文中所揭露的的實施範例說明本揭露之實施例，下面公開的實施例的目的不是要窮舉或將被解釋為對本揭露的範圍限定為所揭露的確切形式。

本揭露提供了一種用於電子裝置之熱界面結構，諸如電信或數據網路硬體，其等利用插入電子裝置的籠插座內之光學收發器模塊。為了提供有效的熱轉移，熱界面結構被設置在光學收發器模塊及與籠插座相關聯的一散熱器之間且與該光學收發器模塊及與該籠插座相關聯的一散熱器毗連。熱界面結構包括熱界面層，該熱界面層包括相變材料、及連接到熱界面層的聚合物層。

I.背景

參照圖1，所示的電子組件10，可例如是電信和/或數據網路硬體的裝置。光學收發器模塊12可移除地連接至組件10，如下所述，並且包括具有頂壁14、一對側壁16及底壁18之殼體，連同光纖介面20以及一個或多個電連接器22。光纖電纜24可包括可釋離地接收在光學收發器模塊12的介面20內的終端26。

在使用中，光學收發器模塊12可通過將收發器模塊12插入組件10的前擋板32來插入組件10的籠插座30內。另外參見圖2，在完全插入收發器模塊12時，收發器模塊12的電連接器22嚙合組件10的電連接器34，其與電路板和/或組件10的其他硬件相關聯以允許數據傳輸。一或多個散熱器40可設置在組件10內，與籠插座30的敞開上部對齊。替代地，一或更多個散熱器40可設置與籠插座30的側部或下部對齊。

通常，光學收發器模塊12在介於約45℃和約65℃之間的工作溫度下操作，且因此需要從光學收發器模塊12將熱量輸送離開。

如下文進一步詳細討論的，當收發器模塊12在籠插座30內被接收時，熱界面結構46可設置成毗連接觸在收發器模塊12的殼體及與籠插座30相關聯的相鄰散熱器40之間，以有利於將來自收發器模塊12的熱量耗散到散熱器40。如下文所進一步詳述，熱界面結構46通常包括熱界面材料(TIM)48，聚合物層50及黏著劑52。

II.熱界面材料

熱界面材料(TIM)48可被提供為固體熱界面層，並通常包括一個配方，該配方包括一或多種組分如基質、至少一種填料、至少一種相變材料、至少一種偶合劑、及可選的添加劑。

熱界面材料48可具有厚度小至0.01mm、0.05mm、或0.1mm，或大至1 mm、2.0mm、或10.0mm，或在任何兩個上述值之間所界定的任何範圍內，例如，0.01至10.0mm、0.05至2.0mm、或0.1至1mm。一般來講，較高的厚度可能潛在地影響總熱阻抗，並且較小的厚度可能不足以減輕收發器模塊12或籠插座30的不同表面粗糙度的變化。

熱界面材料48可以具有導熱率小至0.2W/mK、0.5W/mK、1W/mK、或2W/mK，或大至4W/mK、6W/mK、10W/mK或500W/mK，或在任何兩個上述值之間所界定的任何範圍內，例如，0.2W/mK到500W/mK、1W/mK到6W/mK、或2W/mK到10W/mK。導熱率可根據ASTM D5470來判定。

A.基質

熱界面材料48的基質可為聚合物材料，其提供用於併入導熱填料的基質或支架，並且當在熱和壓力下被壓時提供流動性。

在一個例示性實施例中，該聚合物基質材料包含烴橡膠化合物或橡膠化合物的摻合物。例示性材料包括飽和及不飽和橡膠化合物。在一些實施例中，飽和橡膠比不飽和橡膠化合物對於熱氧化降解較不敏感。例示性飽和橡膠化合物包括乙烯-丙烯橡膠(EPR,EPDM)、聚乙烯/丁烯、聚乙烯伸丁基苯乙烯、聚乙烯丙烯苯乙烯、氫化聚伸烷基「單醇」(hydrogenated polyalkyldiene “mono-ols”)(諸如氫化聚丁二烯單醇、氫化聚丙烯單醇、氫化聚異戊二烯單醇)、氫化聚伸烷基「二醇」(hydrogenated polyalkyldiene “diols”)(諸如氫化聚丁二烯二醇、氫化聚丙烯二醇、氫化聚異戊二烯二醇)及氫化聚異戊二烯、聚烯烴彈性體、或任何其他合適的飽和橡膠、或其等的摻合物。在一個實施方案中，聚合物基質材料為氫化聚丁二烯單醇，其也可被稱為羥基封端的乙烯丁烯共聚物、特種單醇。

在其他實施例中，可使用不飽和橡膠。不飽和橡膠和橡膠化合物的實例為聚丁二烯、聚異戊二烯、聚苯乙烯丁二烯和其他合適的不飽和橡膠、其摻合物、或飽和及不飽和橡膠化合物的摻合物。在一些實施例中，如果橡膠是不飽和的，化合物可經歷氫化程序以斷裂或移除至少一些雙鍵。如本文所用，用語「氫化程序」是指不飽和有機化合物藉由以下與氫反應：直接加入氫到一些或全部雙鍵，導致飽和產物(加成氫化)，或完全使雙鍵斷裂，從而使片段與氫進一步反應(氫解)。

橡膠化合物可以是「可自行交聯的」，其中取決於組合物的其他組分，其等可以與其他橡膠分子來分子間相互交聯或與其本身分子內交聯。與橡膠化合物之分子內和分子間的交聯可藉由可選交聯劑來促成，如下文進一步討論的。

在一些例示性實施例中，熱界面材料48可包括聚合物基質材料，如上文所列任何者中的一或多者，其量基於熱界面材料48的總重量為小至1wt.%、3wt.%、5wt.%、10wt.%，大至15wt.%、25wt.%、50wt.%、75wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內。

在一較佳的實施例中，熱界面材料48可包括聚合物基質材料，如上文所列任何者中的一或多者，其量例如基於熱界面材料48的總重量為小至1wt.%、2wt.%、或3wt.%，大至7wt.%、8wt.%、或10wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，例如1wt.%至10wt.%、2wt.%至8wt.%、或3wt.%至7wt.。

B.填料

導熱填料可包括主要導熱填料且可以包括一或更多種次要導熱填料。在一個例示性實施例中，主要導熱填料具有的粒徑大於次要導熱填料的粒徑。

主要導熱填料及次要導熱填料可以是相同材料的不同尺寸的粒子，或不同材料的不同尺寸的粒子。導熱填料可以是金屬，例如鋁、銅、銀、鋅、鎳、錫、銦或鉛。在更具體的實施例中，第一導熱填料係鋁。

在一個例示性實施例中，導熱填料包括具有以下大小之粒子：小至1微米、2微米、3微米、5微米、8微米，以及大至10微米、12微米、15微米、20微米、25微米、50微米、100微米，或在任何兩個前述值之間所界定的範圍內。

在一個更具體的實施例中，主要導電填料及次要導電填料中的各者具有約1微米至約25微米的粒徑。在一個更具體的實施例中，主要導熱填料具有的粒徑為約3微米至約5微米。在一個更具體的實施例中，次要導熱填料具有的粒徑為約3微米至約15微米。在一個更具體的實施例中，次要導熱填料具有的粒徑為約8微米至約12微米。在一個更具體的實施例中，該主要熱傳導填料具有約3微米的粒徑。在一個更具體的實施例中，次要導熱填料具有約10微米的粒徑。

熱界面材料48可包含基於熱界面材料48的總重量之以下量的總填料含量：小至10wt.%、25wt.%、50wt.%、75wt.%、80wt.%、85wt.%，大至90wt.%、92wt.%、95wt.%、97wt.%、98wt.%、99wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內。

在一較佳的實施例中，例如，熱界面材料48可以包含基於熱界面材料48的總重量之以下量的總填料含量：小至80wt.%、85wt.%、或90wt.%，大至95wt.%、97wt.%、或98wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，諸如80wt.%到98wt.%、85wt.%到97wt.%、或90wt.%到95wt.%。

C.相變材料

在一些例示性實施例中，熱界面材料48包括一種或多種相變材料。相變材料係具有在或低於使用熱界面材料48的電子裝置的一部分的操作溫度的熔點或熔點範圍的材料。例示性的相變材料為蠟，例如石蠟。石蠟為具有通式C_nH_2n+2的固體烴的混合物，並且具有在約20℃至100℃範圍內的熔點。聚合物蠟包括聚乙烯蠟和聚丙烯蠟，並且一般具有約40℃至160℃的熔點範圍。其他例示性相變材料包括低熔點合金，如伍氏金屬(Wood’s metal)、菲氏金屬(Field’s metal)、或具有熔點在約20℃和90℃之間的金屬或合金。

在一些實施例中，相變材料的量可用來調節熱界面材料48的硬度。例如，在一些實施例中，相變材料的負載較低，組合物可為軟凝膠形式，並且在一些實施例中，其中相變材料的負載高，組合物可為硬固體。

具有小於70的ASTM D1321的針穿透值之例示性的蠟包括可得自The International Group,Inc.之TAC蠟、及可得自Hangzhou Ruhr Tech之RT44HC。蠟的硬度可以針穿透值(needle penetration value)為表徵，如根據ASTM D1321在25℃下而判定之針穿透值，其之揭露之全文特此以引用方式併入本文中。

熱界面材料可包含基於熱界面材料48的總重量之以下量的一或多種相變材料：小至0.1wt.%、1wt.%、5wt.%、10wt.%，大至15wt.%、25wt.%、50wt.%、75wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內。

在一更佳的實施例中，熱界面材料48可包含基於熱界面材料48的總重量之以下量的一或多種相變材料：小至0.1wt.%、0.2wt.%、或0.5wt.%，大至1wt.%、2wt.%、或3wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，例如0.1wt.%到3wt.%、0.2wt.%到2wt.%、0.5wt.%到1wt.%。

D.偶合劑

在一些例示性實施例中，熱界面材料48包括一或多種偶合劑。在一些例示性實施例中，包括偶合劑可改善熱性質，諸如在相對高的溫度下的性質。例示性的偶合劑包括鈦酸偶合劑，諸如在美國專利申請公開案2011/0308782中所揭露者，其揭露特此以全文引用方式併入本文中。例示性偶合劑包括：鈦IV 2,2(雙2-丙烯氧基甲基)丁醇，三(二辛基)焦磷酸-O(titanium IV 2,2(bis 2-propenolatomethyl)butanolato,tris(dioctyl)pyrophosphato-O)；鋯IV 2,2(雙2-丙烯氧基甲基)丁醇，三(二異辛基)焦磷酸-O；鈦IV 2-丙醇胺，三(二辛基-焦磷酸-O)加成1莫耳之亞磷酸二異辛酯；鈦IV雙(二辛基)焦磷酸-O，氧代乙烯二醇，(加成物)，雙(二辛基)(氫)亞磷酸酯-O；鈦IV雙(二辛基)焦磷酸鹽-O，氧代乙基烯二酸酯，(加成物)，雙(二辛基)(氫)亞磷酸酯-O；及鋯IV 2,2-雙(2-丙烯氧基甲基)丁醇，環二[2,2- (雙2-丙烯氧基甲基)丁醇]，焦磷酸-O,O。在一例示性實施例中，偶合劑是鈦IV 2,2(雙2-丙烯氧基甲基)丁醇，三(二辛基)焦磷酸-O。

在一些例示性實施例中，熱界面材料48可包括例如基於熱界面材料48的總重量之以下量的一或多種偶合劑：小至0.1wt.%、0.3wt.%、0.5wt.%，大至1wt.%、2wt.%、3wt.%、5wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，諸如0.1wt.%到5wt.%、0.3wt.%到3wt.%、或0.5wt.%到1wt.%。

E.添加劑

在一些例示性實施例中，熱界面材料48包括一或多種添加劑。例示性添加劑包括抗氧化劑、離子清除劑、及交聯劑。

例示性抗氧化劑包括酚類抗氧化劑、胺類型抗氧化劑、或任何其他合適類型的抗氧化劑或其等的組合。在一些例示性實施例中，熱界面材料48可包括例如基於熱界面材料48的總重量之以下量的一或多種抗氧化劑：小至0.1wt.%、0.5wt.%、1wt.%，或大至1.5wt.%、2wt.%、5wt.%、10wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，諸如在0.1wt.%到10wt.%、0.5wt.%到5wt.%、或1wt.%到1.5wt.%之間。

例示性的離子清除劑被揭露於PCT申請案第PCT/CN2014/081724號，其揭露特此以全文引用方式併入本文中。在一些例示性實施例中，熱界面材料48可包含例如基於熱界面材料48的總重量之以下量的一或多種離子清除劑：小至0.1wt.%、0.5wt.%、1wt.%，大至1.5wt.%、2wt.%、5wt.%、10wt.%，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，諸如在0.1wt.% 到10wt.%、0.5wt.%到5wt.%、或1wt.%到2wt.%之間。

例示性交聯劑被揭示於美國專利第7,244,491號中，其揭露特此以全文引用方式併入本文中。例示性交聯劑包括烷基三聚氰胺樹脂。在一些例示性實施例中，熱界面材料48可包含例如基於熱界面材料48的總重量之以下量的一或多種交聯劑：小至0.1wt.%、0.5wt.%、1wt.%，大至1.5wt.%、2wt.%、5wt.%、10wt.%，或在限定在前述值的任何兩個之間的任何範圍內，諸如在0.1wt.%到10wt.%、0.5wt.%到5wt.%、或1wt.%到2wt.%之間。

III.聚合物層

熱界面結構46還可進一步包括與熱界面材料48相關聯的聚合物層50。聚合物層係基於以下之一或多者而呈導熱聚合物或塑膠的形式：聚酯、聚醯亞胺、聚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚氯乙烯、聚乳酸、聚胺甲酸酯、聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚環戊二烯、聚四氟乙烯、聚二氟亞乙烯、聚氟乙烯、聚(乙烯-共-四氟乙烯)、聚(六氟丙烯-共-四氟乙烯)、聚三氟氯乙烯、聚苯乙烯、聚醚碸、或聚醚醚酮、或其組合。

聚合物層可以為多層層壓體的形式，該多層層壓體包括選自上文所列者之多層的單一塑膠，或多層的不同塑膠。聚合物層可進一步包含一種或多種導電填料，諸如上文所述者，以增強膜的導熱率。聚合物層還可進一步包含一或多種其他試劑，諸如潤滑劑和/或顏料。

例示性塑膠膜包括HM、HPD、PPY、PAC、PET、PP、PTD及PTS，全部可得自Guofeng；OA-1、OA-2、BOA、TOA、LX、N-CO、RS、RCO、CO2、PGLS、VILBO及EASYTEX，全部可得自FSPG；Lumirror^TM、Torelina^TM、mictron^TM、TORAYFAN^TM、RAYFAN^TM、TOYOFLON^TM及TORETEC^TM，全部可得自Toray；PYLEN^®、ESTER^®、ESPET^®、HARDEN^®及LIX^®，全部可得自TOYOBO；Mylar^®、Melinex^®及Teonex^®，全部可得自Dupont Teijin Films；Autoflex^®、Autostat^®及Autoflex^®，全部可得自Autotype；Teflon^®、Tefzel^TM、及Tedlar^®，全部可得自Dupont；LEXAN^TM、VALOX^TM、ULTEM^TM及NORYL^TM，全部可得自SABIC；Makrolon^®、Bayblend^®及Makroblend^®，全部得自Covestro；Aclar^®及Halar^®，兩者皆可得自Honeywell；Solef^®，可得自Solvay；FLONFILM^TM，可得自Polyflon；Kynar^®，可得自ARKEMA。另外的例示性導熱塑膠膜是聚醯亞胺，包括Kapton^®，可得自Dupont；UPILEX^®，可得自UBE；APICAL^TM，可得自Kaneka；CPI^TM，可得自SKC Kolon；及KYPI，可得自Kying。

較佳地，根據ASTM D5470所判定，導熱塑膠薄膜具有高於0.2W/mK的導熱率。如根據ASTM D882所判定，導熱塑料薄膜也可具有高於100MPa的拉伸強度。

聚合物層50的厚度將影響熱界面結構46的總熱阻，由於聚合物膜的導熱率不如熱界面材料48的導熱率來得高，所以一般是需要最小化聚合物薄膜的厚度，同時在相對於籠插座30而插入與移除光學收發器模塊12的期間，也保持合適的厚度以提供膜的結構可靠性和防止對膜的損害。在這方面，聚合物膜的厚度可小至5微米、10微米、或15微米，或大至50微米、100微米、或2000微米，或在任何兩個前述值之間所界定的任何範圍內，例如5微米至2000微米、10微米至100微米、或15微米至50微米。

在使用中，聚合物層50可釋離地嚙合或毗連相鄰表面，諸如散熱器40的表面或光學收發器模塊12的壁，並且向熱界面結構46的熱界面材料48提供摩擦保護。

IV.黏著劑

熱界面結構46還可包括黏著劑52，以在聚合物層50和熱界面材料48之間和/或熱界面結構46與光學收發器模塊12的壁或籠插座30的散熱器40之間提供黏著性。黏著劑可例如是基於丙烯酸樹脂、聚胺甲酸酯、聚矽氧、聚烯烴、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂系統。該黏著劑可以基於一組分系統或兩組分系統。該黏著劑可以是溶劑基於黏著劑(例如基於有機溶劑基或基於水的)，輻射固化黏著劑(例如紫外固化)，熱熔黏著劑，濕氣固化黏著劑，厭氧黏著劑，或併入兩個或更多之上述特性之組合系統。該黏著劑可例如是壓敏黏著劑(PSA)，及可經由刷塗、施配、噴塗佈、網版印刷、模版印刷、或層壓而施加的黏著劑。例示性PSAs可從3M、Henkel、Dow Corning和Dupont商購獲得。

V.例示性構型

熱界面結構46的例示性構型如圖3A至圖3E所示。參見圖3A，顯示出了熱界面結構46的第一構型，其通常包括附接到聚合物層50的熱界面材料48。參見圖3B，熱界面材料48設置在並附接到一對相對的下聚合物層50和上聚合物層50之間。

如圖3C所示，熱界面材料48的一側被聚合物層50圍繞，並且黏著劑層52被設置成繞著熱材料48的周邊，以將聚合物層50固定到熱界面材料48，並且如以下圖6和圖7所示，還將熱界面結構46固定到光學收發器模塊12(圖6)或籠插座30的散熱器40(圖7)。

在圖3D中，熱界面材料48經由黏著劑層52固定到下方的聚合物層50，其中黏著劑層52在熱界面材料48和聚合物層50之間延伸並連接熱界面材料48和聚合物層50。

參見圖3E，將熱界面材料48設置在類似於圖3B的下方與上方聚合物層50之間，並且黏著劑層52被提供至下方或上方聚合物層50中之一者，例如，如圖3E所示提供至上方聚合物。

參見圖4至圖7，顯示例示性構型，而將本揭露之熱界面材料與電子裝置之光學收發器模塊和籠插座相關聯。

參見圖4，籠插座30包括與其相關聯的上方散熱器40和下方散熱器40，如上文參考圖1和圖2所述。光學收發器模塊12包括附接到其相對頂壁和底壁14和18中的各者的熱界面結構46，使得當光學收發器模塊12被插入在籠插座30內時，熱界面結構46與上散熱器40和下散熱器40毗連、熱傳導嚙合，用於將使用中的光學收發器模塊12的熱轉移遠離，從而繼而通過(舉例來說)合適的風扇或其他冷卻系統將熱傳遞到電子設備內部或電子設備的外部。

在圖5中，顯示類似的配置，其中熱界面結構46連接至散熱器40且設置在籠插座30內，其中熱界面材料與光學收發器模塊12的頂壁和底壁14和18毗連、導熱嚙合，用於從使用中之光學收發器模塊12傳遞熱量。

在圖6和圖7中，顯示出了例示性構型，其包括圖3C所顯示的熱界面結構46。在圖6中，籠插座30僅包括單個散熱器40，並且光學收發器模塊12僅包括位於其壁之一者上的單個熱界面結構46，例如頂壁14，其毗連使用中的散熱器40。在圖7中，顯示出了類似的配置，其中籠插座30僅包括單個散熱器40，其中單個熱界面結構46附接到散熱器並毗連使用中的光學收發器模塊12的頂壁14。

參見圖8至圖11，顯示出了形成熱界面結構的一個例示性方法。參見圖8，例如可通過使用聚矽氧橡膠輥54之一輥軋製程將一層或多層熱界面材料48壓到聚合物層50上，其中首先從熱界面材料48的層移除底部離型襯墊56，以允許通過輥將其壓到聚合物層50上。然後，可將相對的離型襯墊58從熱界面材料48的層移除，以暴露熱界面材料48的上表面。

參見圖9，黏著劑層52可在熱界面材料48的層周圍印刷到聚合物層50上，以便更完全地將熱界面材料48的層固定到下方的聚合物層50。

然後，如圖10所示，離型襯墊60可例如施加到熱界面材料48的層的上表面及暴露的黏著劑層52以在運送和儲存期間將其保護。參見圖11，可將熱界面材料48的個別層切割成最終尺寸，其中為了將熱界面材料48安裝到籠插座30內的相關聯的光學接收器模塊12或散熱器40上，例如將離型襯墊60移除，隨後如上文就圖4至圖7所述，將熱界面材料48固定到籠插座30的光學收發器模塊12或散熱器40上。

如本文所用，用語「在任意兩個前述值的任何定義的範圍內」實際上意味著任何範圍可選自在此類用語之前所列出任何兩個值，無論該值是在列表的較低部分或列表的較高部分。例如，一對值可選自兩個較低的值、兩個較高的值、或較低的值及較高的值。

實例實例1 熱界面材料的製備

將離型襯墊從PTIM 3180墊的一側剝離(0.25mm，38mm寬，由Honeywell International Inc.提供)，並且在室溫下使用使用聚矽氧輥將墊層壓到導熱聚醯亞胺膜(導熱率0.36W/mK，厚度25微米)。然後將離型層從墊的另一側剝離，並且將墊修整成在其之間具有4mm間隙的部分。壓敏黏著劑(基於乙酸乙烯酯和丙烯酸酯的共聚物)印刷在未被襯墊覆蓋的聚醯亞胺薄膜的暴露部分上。將離型襯墊(PET內襯，由NIPPA提供)層壓到暴露的墊和黏著劑上，以保護熱界面材料和黏著劑。然後將該材料切割成個別部分，各部分具有42×66mm的大小，並且沿著各邊緣具有2mm的暴露的黏著劑寬度。

實例2 散熱和可靠性測試

將前述的實例1的熱界面材料的離型襯墊剝離，並且將熱界面材料黏貼到熱界面測試機中(由Analysis Tech Company提供)，其中暴露的熱界面側黏貼在熱表面上，並且聚醯亞胺薄膜側與冷卻板接觸。初始熱阻抗為3.42℃ cm²/W。然後，在室溫下，在45psi的壓力下，在聚醯亞胺薄膜側面上100次來回摩擦鋁板。然後，再次是聚醯亞胺側與冷卻板接觸，並且發現熱阻抗相較初始讀數減少5%。

雖然已將本揭露描述為具有較佳設計，但可在本揭露之精神及範疇內進一步修改本揭露。因此，本申請案意欲使用其主要原則涵蓋本揭露之任何變化、用途、或調適。再者，本申請案意欲涵蓋此類對本揭露之偏離，只要屬於與本揭露相關之技術領域中的已知或慣常做法，並落入隨附申請專利範圍之限制內。