TWI686522B - 溫控織物及使用其製成的可穿戴物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種溫控織物，其包括第一至第三導電織布與第一、第二導電型半導體薄膜。當直流電源的正負兩端分別電性連接第一與第二導電織布時，第一與第二導電織布分別電性連接與接觸第一與第二導電型半導體薄膜的第一與第三連結處作為冷端，以及第三導電織布電性連接與接觸第一與第二導電型半導體薄膜的第二與第四連結處作為熱端，或者，上述第二與第四連結處作為冷端，以及上述第一與第三連結處作為熱端。

Description

溫控織物及使用其製成的可穿戴物
本發明有關於一種織物，且特別是一種能夠可以用來致冷的溫控織物及使用其製成的可穿戴物。
隨著科技的進步，目前有不少業者開始嘗試在衣服中加入電子元件，以形成智慧衣。智慧衣除了可以用來測量穿戴者(使用者)的生理信號，更可以用來產生熱能給穿戴者。多數的智慧衣是由晶片、紗、電線(例如漆包線)與電阻構成，其中電線埋設或編織於在由紗編織成的織物中，並且連接到電阻與晶片。電線可以連接到外部的電源，並以使外部的電源供電給電阻與晶片。晶片可以包括控制器與用以量測生理信號的感測器。電阻在被供電時，會將電能轉換成熱能，以加熱智慧衣。如此一來，在寒冷的環境下，透過加熱智慧衣，智慧衣可以使穿戴不會因此感冒或感覺到寒冷。
然而，在炎熱的環境下，若要致冷，則目前多數作法是以特定材質來被動產生涼感的效果。另外，上述智慧衣因為要加熱的原因，更不會使用具有涼感效果的特定材質來作為智慧衣的織物。因此，現有智慧衣多數不具有致冷效果。
傳統上致冷的方式有很多種，例如透過壓縮機，壓縮空氣體積以降低氣體溫度，來達到致冷效果。然而，壓縮機尺寸甚大，根本無法與織物或智慧衣整合。另外一種致冷方式可以使用帕爾帖效應，且利用帕爾帖效應致冷的方式說明如下。
當電流流過兩種不同導體的界面時，界面從外界吸收熱量或向外界放出熱量的效應稱為帕爾帖效應(Peltier effect)。請參照圖1A與圖1B，圖1A是利用帕爾帖效應的致冷裝置的示意圖，以及圖1B是圖1A的致冷裝置的等效電路圖。致冷裝置1包括兩片不同材質的金屬11與12，其中金屬11與12彼此接觸連結，且直流電源VDC的正負兩端分別電性連接金屬11的兩相對側邊。
由於金屬11與12的材質不同，且通過直流電源VDC形成一個閉迴路，因此帕爾帖效應會發生，導致金屬11與12的兩個連結處JN1與JN2(金屬11與12的兩側界面)之間產生了溫差，從而連結處JN1與JN2會分別吸收與放出熱量，或者，連結處JN1與JN2會分別放出與吸收熱量(何者放出與吸收熱量係由金屬11與12的塞貝克(Seebeck)係數所決定)。如此，連結處JN1與JN2中的其中一者為冷端，而其另一者為熱端。
除了使用不同金屬來形成致冷裝置之外，另一種利用帕爾帖效應的致冷裝置是使用不同導電型半導體的電偶對來形成不同界面(即，冷端與熱端)。請參照第圖2，圖2是利用帕爾帖效應的另一種致冷裝置的示意圖。致冷裝置2包括相同材質的導體21A、21B、23、第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B，其中導體23位於第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B之上，且接觸第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B，導體21A與21B分別位於 第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B之下，且分別接觸第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B，以及直流電源VDC正負兩端分別電性連接導體21B2與1A。
由於第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B形成電偶對，且通過直流電源VDC形成一個閉迴路，因此帕爾帖效應會發生，導致導體23與「導體21A、21B」之間產生了溫差，從而導體23與「導體21A、21B」會分別吸收與放出熱量，或者，導體23與「導體21A、21B」會分別放出與吸收熱量(何者放出與吸收熱量係由第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B的導電型態所決定，其中第一導電型半導體22A與第二導電型半導體22B的導電型態剛好相反)。如此，導體23與「導體21A、21B」中的其中一者為冷端，而其另一者為熱端。
由於上述致冷裝置不具有水洗與抗拉扯的特性，而是單純地應用於剛性的裝置中，故皆無法作為智慧衣的溫控織物使用。再者，若不考慮致冷裝置是否具有水洗與抗拉扯的特性，而直接地上述致冷裝置設置於智慧衣，則形成的智慧衣也會讓穿戴者感受到異物感，從而導致穿戴者不佳的穿戴體驗。
基於本發明的至少一個實施例，本發明提供一種溫控織物，其包括第一至第三導電織布與第一、第二導電型半導體薄膜。第一導電型半導體薄膜電性連接第一與第三導電織布，並接觸第一與第三導電織布，以形成第一導電型半導體薄膜與第一導電織布之間的第一連結處，以及形成第一導電型半導體薄 膜與第三導電織布之間的第二連結處。第二導電型半導體薄膜電性連接第二與第三導電織布，並接觸第二與第三導電織布，以形成第二導電型半導體薄膜與第二導電織布之間的第三連結處，以及形成第二導電型半導體薄膜與第三導電織布之間的第四連結處。當直流電源的正負兩端分別電性連接第一與第二導電織布時，第一與第三連結處作為冷端，以及第二與第四連結處作為熱端，或者，第二與第四連結處作為冷端，以及第一與第三連結處作為熱端。
基於本發明的至少一個實施例，本發明提供一種可穿戴物，其具有上述溫控織物。
可選地，溫控織物更包括絕緣織布與絕緣薄膜。絕緣織布連接於第一與第二導電織布之間，並接觸第一與第二導電織布。絕緣薄膜對應於絕緣織布而設置，連接於第一與第二導電型半導體薄膜之間，並接觸第一與第二導電型半導體薄膜。
可選地，溫控織物更包括第一與第二絕緣導熱薄膜。第一絕緣導熱薄膜設置於第一與第二導電織布之下。第二絕緣導熱薄膜設置於第三導電織布之上。
可選地，於溫控織物中，第一導電型半導體薄膜、絕緣薄膜與第二導電型半導體薄膜係以可撓性半導體薄膜實現，其中可撓性半導體薄膜具有第一導電型摻雜區、第二導電型摻雜區與未摻雜區，其中未摻雜區位於第一與第二導電型摻雜區之間。
可選地，於溫控織物中，第一至第三導電織布的每一者包括多條導信紗，且導信紗包括一短織纖與一片狀導體。短織纖的強度係為26至40支之間，並用以作為撐材。片狀導體以螺旋行進方式圍繞短織纖的周遭表面。
可選地，於溫控織物中，第一導電型半導體薄膜、絕緣薄膜與第二導電型半導體薄膜係分別以第一導電型半導體織布、絕緣織布與第二導電型半導體織布來實現。
可選地，於溫控織物中，第一導電型半導體織布包括多條第一導電型半導體紗，以及第二導電型半導體織布包括多條第一導電型半導體。第一導電型半導體紗包括第一短織纖以及以螺旋行進方式圍繞第一短織纖的周遭表面的第一導電型片狀半導體。第二導電型半導體紗包括第二短織纖以及以螺旋行進方式圍繞第二短織纖的周遭表面的第一二導電型片狀半導體。
可選地，於溫控織物中，第一導電型半導體薄膜、絕緣薄膜與第二導電型半導體薄膜係以一體成型的半導體織布來實現，其中半導體織布包括多條複合半導體紗，且半導體紗包括短織纖以及以螺旋行進方式圍繞短織纖的周遭表面的片狀複合半導體，其中片狀複合半導體係由第一導電型片狀半導體、未摻雜的片狀半導體與第二導電型片狀半導體依序接合而形成。
可選地，於溫控織物中，第一至第三導電布與第一及第二導電型半導體薄膜係由一體成形的織布來實現，其中織布包括多條溫控紗，其中溫控紗包括短織纖與圍繞短織纖的周遭表面的複合溫控片狀體，其中複合溫控片狀體由第一片狀導體、第一導電型片狀半導體、第二片狀導體、第二導電型片狀半導體與第三片狀導體依序接合而形成。。
綜上所述，本發明實施例提供一種溫控織物，其具有冷端與熱端，故能用以針對不同環境與應用對活體或物品進行升溫或降溫。另外，上述溫控織物不會讓穿戴者感受到異物感，故使用溫控織物作成的可穿戴物能夠提供穿戴者較佳的穿戴體驗。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
1、2:致冷裝置
11、12:金屬
21A、21B、23:導體
22A:第一導電型半導體
22B:第二導電型半導體
3、6:溫控織物
31A、31B、33、61A、61B、63:導電織布
31B:導電織布
31C:絕緣織布
32A、62A:第一導電型半導體薄膜
32B、62B:第二導電型半導體薄膜
32C:絕緣薄膜
34、35:絕緣導熱薄膜
4:織物
5:導信紗
51:短織纖
52:片狀導體
52’:導體線
7:溫控紗
71:短織纖
72:複合溫控片狀體
721A、721B、721C:片狀導體
722A:第一導電型片狀半導體
722B:第二導電型片狀半導體
H:人手
JN1、JN2、JN1A、JN1B、JN2A、JN2B:連結處
VDC:直流電源
X:導體線之圓形截面的直徑
4X:片狀導體的截面的長度
X/5:片狀導體的截面的寬度
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1A是利用帕爾帖效應的致冷裝置的示意圖。
圖1B是圖1A的致冷裝置的等效電路圖。
圖2是利用帕爾帖效應的另一種致冷裝置的示意圖。
圖3是本發明實施例的溫控織物的爆炸圖。
圖4是本發明實施例的溫控織物應用於可穿戴物的示意圖。
圖5A是本發明實施例的導信紗的立體示意圖。
圖5B是本發明實施例的導信紗的截面剖面圖。
圖5C是本發明實施例的導信紗的片狀導體的形成示意圖。
圖6是本發明另一個實施例的溫控織物的平面圖。
圖7A是本發明實施例的溫控紗的立體示意圖。
圖7B是本發明實施例的溫控紗的截面剖面圖。
圖7C是本發明實施例的溫控紗的複合溫控片狀體的示意圖。
本發明實施例提供一種溫控織物，其具有可水洗與抗拉扯的特性，且能與其他織物縫合，以作為可穿戴物(例如，智慧衣、智慧鞋、智慧褲、護腕或護膝)的一部分。再者，溫控織物不僅能用來形成可穿戴物，且可以拿來進行農作物、電子設備、養殖動物或其他物品或活體的溫控。溫控織物大體具有第一至第三導電織布、第一導電型半導體薄膜與第二導電型半導體薄膜，其中第一導電型半導體薄膜電性連接於第一與第三導電織布之間，並同時接觸第一與第三導電織布，以及第二導電型半導體薄膜電性連接於第二與第三導電織布之間，並同時接觸第二與第三導電織布。直流電源的正負兩端分別電性連接第一與第二導電織布，或者分別電性連接第二與第一導電織布。
由於第一導電型半導體薄膜與第二導電型半導體薄膜形成電偶對，且通過直流電源形成一個閉迴路，因此帕爾鐵效應會發生，導致第一與第二導電織布接觸第一導電型半導體薄膜與第二導電型半導體薄膜的部分可以作為冷端或熱端，以及第三導電織布接觸接觸第一導電型半導體薄膜與第二導電型半導體薄膜的部分可以作為熱端或冷端。
於本發明實施例中，第一至第三導電織布由多條導信紗編織而成，或由多條導信紗與絕緣紗編織而成，以及第一導電型半導體薄膜與第二導電型半導體薄膜可以由具有第一與第二導電型摻雜區的可撓性半導體基板來實 現，或者，第一導電型半導體薄膜與第二導電型半導體薄膜可以是第一導電型半導體織布與第二導電型半導體織布，且第一導電型半導體織布與第二導電型半導體織布分別由多條第一導電型半導體紗與第二導電型半導體紗所構成。
於本發明另一實施例中，第一至第三導電織布以及第一與第二導電型半導體薄膜係由一體成型的同一塊織布來實現，其係由多條溫控紗所形成，溫控紗的複合溫控片狀體以螺旋行進方式圍繞短織纖，且由依序連接的第一片狀導體、第一導電型片狀半導體、第三片狀導體、第二導電型片狀半導體與第二片狀導體所構成。如此，可以定義出前述第一導電織布、第一導電型半導體薄膜、第三導電織布、第二導電型半導體薄膜與第二導電織布的位置。
接著，將進一步地依照圖式說明前述溫控織物的實現細節。然而，應該注意的是，下述實施例並非用以限制本發明，且圖式的內容為示意圖，其尺寸與材質等實現的方式亦非用來限制本發明。
請參照圖3，圖3是本發明實施例的溫控織物的爆炸圖。溫控織物3包括導電織布31A、31B、33、絕緣織布31C、第一導電型半導體薄膜32A、第二導電型半導體薄膜32B、絕緣薄膜32C以及絕緣導熱薄膜34、35。
於此實施例中，導電織布31A、31B與絕緣織布31C係縫合在一起，以及絕緣薄膜32C連接於第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B之間，且其位置相對於絕緣織布31C。導電織布31A、31B係分別電性連接第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B，並分別接觸第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B。導電織布33電性連接第一導電型 半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B，並接觸第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B。
當直流電源VDC的正負兩端分別電性連接導電織布31B、31A時，帕耳帖效應會發生，使得導電織布31B、31A與第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B的連結處可以作為吸熱或放熱界面，以及導電織布33與第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B的連結處可以作為放熱或吸熱界面。由於導電織布31A、31B與33不厚，故可以將導電織布「31A、31B」與33分別視為吸熱界面與放熱界面(或者，放熱界面與吸熱界面)。舉例來說，當第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32分別為P型與N型半導體薄膜時，導電織布31B、31A作為吸熱界面，以作為冷端，以及導電織布33作為放熱界面，以作為熱端。相反地，當第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32分別為N型與P型半導體薄膜時，則導電織布31B、31A作熱端，以及導電織布33作為冷端。
於本發明實施例中，導電織布31A、31B、33、絕緣織布31C、第一導電型半導體薄膜32A、第二導電型半導體薄膜32B與絕緣薄膜32C係以縫合的方式作為一塊溫控織物3。另外，當使用溫控織物3於活體時，若要使得冷端與熱端的溫差較大，則需要較大的電流的直流電源VDC，故較佳地應透過縫合的方式將絕緣導熱薄膜34、35分別設置於「導電織布31A、31B、絕緣織布31C」之下以及導電織布33之上。
於本發明實施例中，導電織布31A、31B、33可以由多條導信紗所形成，例如全部由導信紗編織而成，或由多條導信紗與多條絕緣紗編織而成， 其中導信紗的細節如同後面所述。絕緣織布31C則由多條絕緣紗編織而成。另外，第一導電型半導體薄膜32A、第二導電型半導體薄膜32B與絕緣薄膜32C可由一塊可撓性半導體基板來實現，其中可撓性半導體基板的相對兩區域為第一與第二導電型摻雜區，且其相對兩區域的中間為非摻雜區，以分別構成第一導電型半導體薄膜32A、第二導電型半導體薄膜32B與絕緣薄膜32C。前述可撓性半導體基板可以直接與導電織布31A、31B、33、絕緣織布31C直接縫合。
除此之外，第一導電型半導體薄膜32A、第二導電型半導體薄膜32B與絕緣薄膜32C分別透過織布的形式來實現。舉例來說，第一導電型半導體薄膜32A可以由多條第一導電型半導體紗編織而成的織布來實現，第二導電型半導體薄膜32B可以由多條第二導電型半導體紗編織而成的織布來實現，以及絕緣薄膜32C可由多條絕緣紗或多條未摻雜的半導體紗編織而成的織布來實現，其中上述三個織布係彼此縫合。另外，第一與第二導電型半導體紗的實現方式將於後面描述。
再者，第一導電型半導體薄膜32A、第二導電型半導體薄膜32B與絕緣薄膜32C亦可以由一體成型的一塊半導體織布來實現，其中半導體織布由多條複合半導體紗編織而成。複合半導體紗的細節將於後面描述。
接著，請參照圖4，圖4是本發明實施例的溫控織物應用於可穿戴物的示意圖。於此實施例中，可穿載物例如為智慧衣，其具有溫控織物3與織物4，其中織物4與溫控織物3縫合。溫控織物3的位置係對應於人手H的腕部位置，如此一來，溫控織物3的內側(接觸手腕那側)可以設計為冷端，以及溫控織物的外側(非接觸手腕那側)可以設計為作為熱端，以在炎熱環境下讓人體感覺清涼。 相反地，在寒冷環境下，可以溫控織物3的外側(非接觸手腕那側)可以設計為冷端，以及溫控織物的內側(接觸手腕那側)可以設計為作為熱端，以讓人體感覺溫暖。前述冷端或熱端的決定方式取決於圖3中的第一導電型半導體薄膜32A及第二導電型半導體薄膜32B的類型(「N與P型」或「P與N型」)以及直流電源VDC正負兩端的連接方式(若將直流電源VDC正負兩端改成分別電性連接導電織布31A、31B，則冷端與熱端的位置會對調)。
接著，請參照圖5A與圖5B，圖5A是本發明實施例的導信紗的立體示意圖，以及圖5B是本發明實施例的導信紗的截面剖面圖。導信紗5包括短織纖51與片狀導體52。短織纖51用以作為撐材，以支撐圍繞其之片狀導體52。片狀導體52以螺旋行進方式圍繞短織纖51的周遭表面。片狀導體52以螺旋行進方式圍繞短織纖51的周遭表面之方式可以增加導信紗5之抗拉扯的強度。
可選地，還能夠透過對短織纖51之強度的選擇與/或片狀導體52對應於螺旋行進方式的截面之長寬比例的選擇來更進一步地增加導信紗5之抗拉扯的強度。於此實施例中，短織纖51之強度選擇為30支，以及片狀導體52對應於螺旋行進方式的截面之長寬比例選擇成約為20，但本發明不以此為限制。舉例來說，短織纖51的強度可以選為26、28或40支，或者，片狀導體52對應於螺旋行進方式的截面之長寬比例可選擇成約為10至30之間。
於此實施例中，短織纖51的材質為聚酯類、聚醯胺類、聚丙烯腈類、聚乙烯類、聚丙烯類、纖維素類、蛋白質類、彈性纖維類、聚全氟乙烯類、聚對苯撐苯並雙口惡唑類、聚醚酮類、碳素類與玻璃纖維類的其中一者，且本發明不以此為限制。短織纖51的材質可以依照實際需求來選擇。另外，片狀導體52的材質可為金屬或金屬氧化物，以使其具有導電性。
再者，請參照圖5C，圖5C是本發明實施例的導信紗的片狀導體的形成示意圖。於此實施例中，片狀導體52之截面的長度與寬度分別約為4X與X/5，其中X可以是導體線52’之圓形截面的直徑。導體線52’經軋鋼機軋輥而形成片狀導體52。然而，片狀導體52的形成方式並非用以作為本發明的限制。換言之，亦有不同的實施方式製成本發明實施例之片狀導體52。
另外，請同時參照圖3與圖5A至圖5C，於圖3的例子中，導電織布31A、31B、33使用的導信紗5的片狀導體52的材質皆為相同。另外，為了使導電織布31A、31B、33與第一及第二導電型半導體薄膜32A、32B之間具有整面大範圍的連結處(界面)，導信紗5的片狀導體52必須接觸第一導電型半導體薄膜32A與第二導電型半導體薄膜32B，故不能使用絕緣層來包覆導信紗5的全部外層。較佳地，如圖3例子所述，當溫控用於活體時，較佳地，使用絕緣導熱薄膜34、35設置於導電織布31A、31B的下側與導電織布33的下側。
另外，於前述圖3中有多種不同的實現方式，其中第一導電型半導體紗、第二導電型半導體紗、未摻雜的半導體紗與複合半導體紗的實現方式可以與圖5A與圖5B的導信紗5的實現方式類似。第一導電型半導體紗、第二導電型半導體紗、未摻雜的半導體紗與複合半導體紗都可以使用短織纖51作為撐材，而第一導電型片狀半導體、第二導電型片狀半導體、未摻雜的片狀半導體與片狀複合半導體分別以螺旋行進方式圍繞第一導電型半導體紗、第二導電型半導體紗、未摻雜的半導體紗與複合半導體紗的短織纖51的周遭表面，其中片狀複合半導體係由第一導電型片狀半導體、未摻雜的片狀半導體與第二導電型片狀半導體依序接合而成，以定義出圖3的第一導電型半導體薄膜32A、絕緣薄膜32C與第二導電型半導體薄膜32B的位置。較佳地，短織纖51之強度可選擇為30支，以及第一導電型片狀半導體、第二導電型片狀半導體、未摻雜的片狀半導體與片狀複合 半導體對應於螺旋行進方式的截面之長寬比例選擇成約為20，但本發明不以此為限制。
接著，請參照圖6，圖6是本發明另一個實施例的溫控織物的平面圖。於此實施例中，冷端與熱端不是如同圖3的實施例為整個面，而是設計成整條線。溫控織物6包括導電織布61A、63、61B、第一導電型半導體薄膜62A與第二導電型半導體薄膜62B。第一導電型半導體薄膜62A電性連接導電織布61A、63，並接觸導電織布61A、63，以分別形成連結處JN1A與JN2A。第二導電型半導體薄膜62B電性連接導電織布63、61B，並接觸導電織布63、61B，以分別形成連結處JN2B與JN1B。
當直流電源VDC的正負兩端分別電性連接導電織布61B、61A時，且第一導電型半導體薄膜62A與第二導電型半導體薄膜62B分別為P與N型半導體薄膜時，連結處JN1A與JN1B可以作為冷端，以及連結處JN2A與JN2B可以作為熱端。溫控織物6在使用時，可以捲成圓弧狀，以讓連結處JN1A與JN1B皆觸需要散熱的物品或活體，以及讓連結處JN2A與JN2B接觸外在環境或需要吸收熱量的物品或活體。
於本發明其中一個明實施例中，導電織布61A、61B、63可以由多條導信紗所所形成，以及第一導電型半導體薄膜62A與第二導電型半導體薄膜62B可以由不同摻雜的可撓性半導體基板形成。在另一種實施例中，第一導電型半導體薄膜62A與第二導電型半導體薄膜62B可以是織布形式，亦即，第一導電型半導體薄膜62A可以由多條第一導電型半導體紗形成的織布來實現，以及第二導電型半導體薄膜62B可以由多條第二導電型半導體紗形成的織布來實現。
在又一種實施例中，導電織布61A、63、61B、第一導電型半導體薄膜62A與第二導電型半導體薄膜62B實際上由一體成形的一塊織布來實現，其中此織布由多條溫控紗經編織而實現。
請接著參照圖7A與圖7B，圖7A是本發明實施例的溫控紗的立體示意圖，圖7B是本發明實施例的溫控紗的截面剖面圖。溫控紗7包括短織纖71與複合溫控片狀體72，其中短織纖71作為撐材，其材質與強度可以如前所述，以及複合溫控片狀體72以螺旋行進方式圍繞短織纖71的周遭表面。於其他實施例中，溫控紗7更可以包括包圍短織纖71與複合溫控片狀體72的導熱絕緣層(圖未繪示)。
接著，進一步地說明複合溫控片狀體72的細節。請參照圖7C，圖7C是本發明實施例的溫控紗的複合溫控片狀體的示意圖。複合溫控片狀體72可以是由片狀導體721A、第一導電型片狀半導體722A、片狀導體721C、第二導電型片狀半導體722B與片狀導體721B依序連結而形成的片狀體來實現，其中片狀導體721A、第一導電型片狀半導體722A、片狀導體721C、第二導電型片狀半導體722B與片狀導體721B的位置定義了圖6中之導電織布61A、61B、第一導電型半導體薄膜62A、第二導電型半導體薄膜62B與導電織63的位置。
綜上所述，本發明實施例所提供的溫控織物係可以由其第一與第二導電型半導體薄膜所接觸的導電織布的連結處來作冷端與熱端，從而達到對物品或活體進行溫控的功能。由於本發明實施例的溫控織物可以進行水洗，並具有良好的抗拉扯能力，故可作為可穿戴物的一部分，如此，可以方便使用者清洗可穿戴物。再者，由於本發明實施例的溫控織物是織布形式，且不會讓使用者感受到異物感，因此，使用本發明實施例的溫控織物所作成的可穿戴物可以讓穿戴者有更好的穿戴體驗。
以上所述僅為本發明之實施例，其並非用以侷限本發明之專利範圍。
3:溫控織物
31A、31B、33:導電織布
31B:導電織布
31C:絕緣織布
32A:第一導電型半導體薄膜
32B:第二導電型半導體薄膜
32C:絕緣薄膜
34、35:絕緣導熱薄膜
VDC:直流電源

Claims (10)

  1. 一種溫控織物，包括：一第一至第三導電織布；一第一導電型半導體薄膜，電性連接該第一與第三導電織布，並接觸該第一與第三導電織布，以形成該第一導電型半導體薄膜與該第一導電織布之間的一第一連結處，以及形成該第一導電型半導體薄膜與該第三導電織布之間的一第二連結處；以及一第二導電型半導體薄膜，電性連接該第二與第三導電織布，並接觸該第二與第三導電織布，以形成該第二導電型半導體薄膜與該第二導電織布之間的一第三連結處，以及形成該第二導電型半導體薄膜與該第三導電織布之間的一第四連結處；其中當一直流電源的正負兩端分別電性連接該第一與第二導電織布時，該第一與第三連結處作為一冷端，以及該第二與第四連結處作為一熱端，或者，該第二與第四連結處作為該冷端，以及該第一與第三連結處作為該熱端。
  2. 根據請求項第1項所述之溫控織物，更包括：一絕緣織布，連接於該第一與第二導電織布之間，並接觸該第一與第二導電織布；以及一絕緣薄膜，對應於該絕緣織布而設置，連接於該第一與第二導電型半導體薄膜之間，並接觸該第一與第二導電型半導體薄膜。
  3. 根據請求項第2項所述之溫控織物，更包括：一第一絕緣導熱薄膜，設置於該第一與第二導電織布之下；以及一第二絕緣導熱薄膜，設置於該第三導電織布之上。
  4. 根據請求項第2項所述之溫控織物，其中該第一導電型半導體薄膜、該絕緣薄膜與該第二導電型半導體薄膜係以一可撓性半導體薄膜實現，其中該可撓性半導體薄膜具有一第一導電型摻雜區、一第二導電型摻雜區與一未摻雜區，其中該未摻雜區位於該第一與第二導電型摻雜區之間。
  5. 根據請求項第1項所述之溫控織物，其中該第一至第三導電織布的每一者包括多條導信紗，且該導信紗包括：一短織纖，其一強度係為26至40支之間，並用以作為一撐材；以及一片狀導體，以一螺旋行進方式圍繞該短織纖的一周遭表面。
  6. 根據請求項第2項所述之溫控織物，其中該第一導電型半導體薄膜、該絕緣薄膜與該第二導電型半導體薄膜係分別以一第一導電型半導體織布、一絕緣織布與一第二導電型半導體織布來實現。
  7. 根據請求項第7項所述之溫控織物，其中該第一導電型半導體織布包括多條第一導電型半導體紗，以及該第二導電型半導體織布包括多條第一導電型半導體；該第一導電型半導體紗包括一第一短織纖以及以一螺旋行進方式圍繞該第一短織纖的一周遭表面的一第一導電型片狀半導體；以及該第二導電型半導體紗包括一第二短織纖以及以一螺旋行進方式圍繞該第二短織纖的一周遭表面的一第一二導電型片狀半導體。
  8. 根據請求項第2項所述之溫控織物，其中該第一導電型半導體薄膜、該絕緣薄膜與該第二導電型半導體薄膜係以一體成型的一半導體織布來實現，其中該半導體織布包括多條複合半導體紗，且 該半導體紗包括一短織纖以及以一螺旋行進方式圍繞該短織纖的一周遭表面的一片狀複合半導體，其中該片狀複合半導體係由一第一導電型片狀半導體、一未摻雜的片狀半導體與一第二導電型片狀半導體依序接合而形成。
  9. 根據請求項第1項所述之溫控織物，其中該第一至第三導電布與該第一及第二導電型半導體薄膜係由一體成形的一織布來實現，其中該織布包括多條溫控紗，其中該溫控紗包括一短織纖與圍繞該短織纖的一周遭表面的一複合溫控片狀體，其中該複合溫控片狀體由一第一片狀導體、一第一導電型片狀半導體、一第二片狀導體、一第二導電型片狀半導體與一第三片狀導體依序接合而形成。
  10. 一種可穿戴物，包括：如請求項第1至9項其中一項所述的溫控織物。
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