TWI686007B - 天線模組及其製作方法、以及可攜式電子裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種天線模組及其製作方法以及一種內部安裝有天線模組的可攜式電子裝置。天線模組包括一天線結構以及一電子結構。天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈，其中，導電線圈的其中一部分內埋在輻射本體內，且導電線圈的另外一部分裸露在輻射本體外。電子結構包括一設置在輻射本體的頂端上且電性連接於導電線圈的電路基板以及一設置在電路基板上且電性連接於電路基板的電子元件。藉此，由於導電線圈的另外一部分可以被裸露在輻射本體外，所以可以使得天線結構的輻射能量較容易發射出去。

Description

天線模組及其製作方法、以及可攜式電子裝置

本發明涉及一種天線模組及其製作方法以及一種可攜式電子裝置，特別是涉及一種應用於無線射頻辨識系統或是近場通訊系統的天線模組及其製作方法以及一種內部安裝有天線模組的可攜式電子裝置。

手機或任何類型的行動通訊裝置，已成為現代人隨身攜帶的配備。以往行動通訊裝置的主要功能僅限於撥打電話、發送簡訊或無線上網等大眾已知的功能。然而，隨著科技的進步，且由於手機攜帶方便的特點，業界已開始設想將某些符合日常生活所需的功能整合到手機上，例如非接觸式的智慧卡。所謂非接觸式的智慧卡，即為透過近距離的感應方式來使得設置在卡片內的晶片發揮作用。目前日常生活中應用非接觸式智慧卡的場合非常多，諸如採行PayPass TM與VISA WAVE規格的非接觸式信用卡、大眾運輸系統的悠遊卡、7-11的icash卡、具ID辨識功能的門禁卡與會員卡等等。上述智慧卡可提供使用者在日常生活方面許多非常便利的服務，故業者無不積極研發要將該些具有各種用途的智慧卡功能整合到人人都會隨身攜帶的手機上，讓原本多用來收聽電話的手機亦可拿來刷卡、作為電子錢包、搭大眾運輸系統、或是識別身份。

上述具備近場通訊技術功能的手機，其內部通常裝設近場通 訊天線，然而近場通訊天線需要使用打線的方式來完成IC晶片的電性連接，不僅費時，而且成本也較高。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種天線模組及其製作方法以及一種內部安裝有天線模組的可攜式電子裝置。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種天線模組，其包括：一天線結構以及一電子結構。所述天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈。所述電子結構包括一設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接於所述導電線圈的電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種天線模組的製作方法，其包括：首先，製作出一天線結構，所述天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈；接著，製作出一電子結構，所述電子結構包括一電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件；然後，將所述電子結構放置在所述天線結構的頂端上，其中，所述電路基板設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接於所述導電線圈。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種可攜式電子裝置，其內部安裝有一天線模組，其特徵在於，所述天線模組包括：一天線結構以及一電子結構。所述天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈。所述電子結構包括一設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接於所述導電線圈的電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件。

本發明的有益效果在於，本發明所提供的技術方案可通過“所述電子結構包括一設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接 於所述導電線圈的電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件”的技術特徵，所製作出一種以所述天線結構來搭載所述電子元件的天線模組以及一種內部安裝有天線模組的可攜式電子裝置。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

P‧‧‧可攜式電子裝置

M‧‧‧天線模組

1‧‧‧天線結構

10‧‧‧輻射本體

100‧‧‧基底輻射層

101‧‧‧第一輻射層

102‧‧‧第二輻射層

1021‧‧‧第一側端

1022‧‧‧第二側端

103‧‧‧第三輻射層

1031‧‧‧第一側端

1032‧‧‧第二側端

104‧‧‧頂端輻射層

1040‧‧‧上表面

11‧‧‧導電線圈

111‧‧‧第一導電層

1111‧‧‧第一左側表面

1112‧‧‧第一右側表面

112‧‧‧第二導電層

1121‧‧‧第二左側表面

1122‧‧‧第二右側表面

113A‧‧‧第一導電連接層

1130A‧‧‧第一連接表面

113B‧‧‧第二導電連接層

1130B‧‧‧第二連接表面

114A‧‧‧第三導電連接層

1140A‧‧‧第三連接表面

114B‧‧‧第四導電連接層

1140B‧‧‧第四連接表面

115A‧‧‧第一導電延伸層

1150A‧‧‧第一延伸表面

115B‧‧‧第二導電延伸層

1150B‧‧‧第二延伸表面

116A‧‧‧第五導電連接層

116B‧‧‧第六導電連接層

117A‧‧‧第一引出電極

1170A‧‧‧第一電極表面

117B‧‧‧第二引出電極

1170B‧‧‧第二電極表面

2‧‧‧電子結構

20‧‧‧電路基板

200‧‧‧導電接點

21‧‧‧電子元件

圖1為本發明所提供的一種以天線結構來搭載電子元件的天線模組的製作方法的流程圖。

圖2為本發明天線模組的天線結構的立體示意圖。

圖3為本發明天線模組的天線結構的剖面示意圖。

圖4為本發明天線模組的天線結構的導電線圈的立體示意圖。

圖5為本發明天線模組的電子結構的立體示意圖。

圖6為本發明所提供的一種以天線結構來搭載電子元件的天線模組的立體示意圖。

圖7為本發明所提供的一種內部安裝有天線模組的可攜式電子裝置的功能方塊圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“天線模組及其製作方法以及一種內部安裝有天線模組的可攜式電子裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。

請參閱圖1至圖6所示，本發明提供一種天線模組M的製作方法，其包括：首先，配合圖1以及圖2所示，製作出一天線結構1，天線結構1包括一輻射本體10以及一導電線圈11，其中，導電線圈11的其中一部分內埋在輻射本體10內，並且導電線圈11的另外一部分裸露在輻射本體10外(S100)；接著，配合圖1以及圖5所示，製作出一電子結構2，電子結構2包括一電路基板20以及一設置在電路基板20上且電性連接於電路基板20的電子元件21(S102)，其中電路基板20的底端具有多個導電接點200；然後，配合圖1以及圖6所示，將電子結構2放置在天線結構1的頂端上，以完成一種以天線結構來搭載電子元件21的天線模組M的製作，其中電路基板20設置在輻射本體10的頂端上且通過多個導電接點200以電性連接於導電線圈11(S104)。舉例來說，依據不同的設計需求，天線模組M所提供的電感值能通過輻射本體10的導磁率以及導電線圈11的圈數進行調整，且天線模組M所提供的阻值能通過導電線圈11的線寬進行調整。

值得注意的是，由於天線結構1與電子結構2可以分開製作，所以在使用原有的加工設備或者加工方法的條件下，即可分別完成天線結構1與電子結構2的製作，如此可有效降低製作成本，並且增加天線結構1與電子結構2在搭配上的靈活性。舉例來說，電子結構2可以直接被黏貼在天線結構1上，所以天線模組M的整體體積可以得到有效的降低。

藉此，配合圖2、圖5以及圖6所示，本發明提供一種天線模組M，其包括：一天線結構1以及一電子結構2。首先，天線結構1包括一輻射本體10以及一導電線圈11，其中導電線圈11的其中一部分內埋在輻射本體10內，並且導電線圈11的另外一部分裸露在輻射本體10外。另外，電子結構2包括一設置在輻射本體10的頂端上且電性連接於導電線圈11的電路基板20以及一設置在電路基板20上且通過多個導電接點200以電性連接於電路基板 20的電子元件21。舉例來說，電子元件21可以是任何種類的IC晶片，並且天線模組M可被應用於無線射頻辨識系統(Radio Frequency Identification，RFID)或是近場通訊系統(Near Field Communication，NFC)。

值得注意的是，大部分的導電線圈11會被內埋在輻射本體10內，以使得大部分的導電線圈11能夠得到輻射本體10的保護，以提升導電線圈11的環境耐受度，並提升天線結構1的整體可靠度。另外，由於導電線圈11的另外一部分可以被裸露在輻射本體10外，所以可以使得天線結構1的輻射能量較容易發射出去。

更進一步來說，配合圖2至圖4所示，輻射本體10包括一基底輻射層100、一設置在基底輻射層100上的第一輻射層101、一設置在第一輻射層101上的第二輻射層102、一設置在第二輻射層102上的第三輻射層103以及一設置在第三輻射層103上的頂端輻射層104。也就是說，基底輻射層100、第一輻射層101、第二輻射層102、第三輻射層103以及頂端輻射層104可以彼此相連成單一輻射本體10。另外，輻射本體10可由導磁材料或者介電材料所製成，例如導磁材料主要可由過渡元素鐵、鈷、鎳及其合金等組成且能夠直接或間接產生磁性的物質。舉例來說，基底輻射層100具有一基底導磁率μ4，第一輻射層101具有一第一導磁率μ1，第二輻射層102具有一第二導磁率μ2，第三輻射層103具有一第三導磁率μ3，頂端輻射層104具有一頂端導磁率μ5，並且第一導磁率μ1、第二導磁率μ2以及第三導磁率μ3三者都大於基底導磁率μ4以及頂端導磁率μ5，其中所採用的導磁率的範圍可以是1≦μ1,μ2,μ3,μ4,μ5≦100。

值得注意的是，當基底導磁率μ4與頂端導磁率μ5所採用的導磁率非常低時，例如μ4=1以及μ5=1時，導電線圈11的全部就可以都被內埋在輻射本體10內，此種設計一樣可以達到讓天線結構1的輻射能量(或是說，輻射本體10的能量)較容易發射出去 的優點。

更進一步來說，配合圖2至圖4所示，導電線圈11包括多個連接於第一輻射層101與第二輻射層102之間的第一導電層111、多個連接於第二輻射層102與第三輻射層103之間的第二導電層112、多個連接於第二輻射層102的一第一側端1021的第一導電連接層113A、多個連接於第二輻射層102的一第二側端1022的第二導電連接層113B、至少一連接於第三輻射層103的一第一側端1031的第三導電連接層114A、至少一連接於第三輻射層103的一第二側端1032的第四導電連接層114B、至少一設置在第三輻射層103上且電性連接於至少一第三導電連接層114A的第一導電延伸層115A、至少一設置在第三輻射層103上且電性連接於至少一第四導電連接層114B的第二導電延伸層115B、至少一電性連接於至少一第一導電延伸層115A的第五導電連接層116A、至少一電性連接於至少一第二導電延伸層115B的第六導電連接層116B、至少一電性連接於至少一第五導電連接層116A且從頂端輻射層104部分裸露而出的第一引出電極117A以及至少一電性連接於至少一第六導電連接層116B且從頂端輻射層104部分裸露而出的第二引出電極117B。另外，每一個第一導電連接層113A電性連接於相對應的第一導電層111與相對應的第二導電層112之間，每一個第二導電連接層113B電性連接於相對應的第一導電層111與相對應的第二導電層112之間，至少一第三導電連接層114A電性連接於相對應的第一導電連接層113A與至少一第一導電延伸層115A之間，並且至少一第四導電連接層114B電性連接於相對應的第二導電連接層113B與至少一第二導電延伸層115B之間。此外，配合圖3至圖6所示，電路基板20的兩個導電接點200可分別電性連接於至少一第一引出電極117A以及至少一第二引出電極117B。

更進一步來說，配合圖2至圖4所示，每一個第一導電層111 具有一第一左側表面1111，每一個第二導電層112具有一第二左側表面1121，每一個第一導電連接層113A具有一第一連接表面1130A，至少一第三導電連接層114A具有一第三連接表面1140A，至少一第一導電延伸層115A具有一第一延伸表面1150A，並且第一左側表面1111、第一連接表面1130A、第二左側表面1121、第三連接表面1140A以及第一延伸表面1150A會彼此切齊。另外，每一個第一導電層111具有一與第一左側表面1111相反設置的第一右側表面1112，每一個第二導電層112具有一與第二左側表面1121相反設置的第二右側表面1122，每一個第二導電連接層113B具有一第二連接表面1130B，至少一第四導電連接層114B具有一第四連接表面1140B，至少一第二導電延伸層115B具有一第二延伸表面1150B，並且第一右側表面1112、第二連接表面1130B、第二右側表面1122、第四連接表面1140B以及第二延伸表面1150B彼此切齊。此外，至少一第一引出電極117A具有一第一電極表面1170A，至少一第二引出電極117B具有一第二電極表面1170B，並且第一電極表面1170A、第二電極表面1170B以及頂端輻射層104的上表面1040彼此切齊。

值得注意的是，配合圖6以及圖7所示，本發明還進一步提供一種可攜式電子裝置P，並且可攜式電子裝置P的內部安裝有一天線模組M。首先，天線模組M包括一天線結構1以及一電子結構2。天線結構1包括一輻射本體10以及一導電線圈11。導電線圈11的其中一部分內埋在輻射本體10內，並且導電線圈11的另外一部分裸露在輻射本體10外。另外，電子結構2包括一設置在輻射本體10的頂端上且電性連接於導電線圈11的電路基板20以及一設置在電路基板20上且電性連接於電路基板20的電子元件21。其中，天線結構1與電子元件21分別設置在所述電路基板20的兩相反側端上，且電路基板20具有一與輻射本體10連接的表面，所述表面完全被輻射本體10所覆蓋。

[實施例的有益效果]

綜上所述，本發明的有益效果在於，本發明所提供的技術方案可通過“電子結構2包括一設置在輻射本體10的頂端上且電性連接於導電線圈11的電路基板20以及一設置在電路基板20上且電性連接於電路基板20的電子元件21”的技術特徵，所製作出一種以天線結構1來搭載電子元件21的天線模組M以及一種內部安裝有天線模組M的可攜式電子裝置P。

更進一步來說，由於天線結構1與電子結構2可以分開製作，所以在使用原有的加工設備或者加工方法的條件下，即可分別完成天線結構1與電子結構2的製作，如此可有效降低製作成本，並且增加天線結構1與電子結構2在搭配上的靈活性。舉例來說，電子結構2可以直接被黏貼在天線結構1上，所以天線模組M的整體體積可以得到有效的降低。

更進一步來說，大部分的導電線圈11會被內埋在輻射本體10內，以使得大部分的導電線圈11能夠得到輻射本體10的保護，以提升導電線圈11的環境耐受度，並提升天線結構1的整體可靠度。另外，由於導電線圈11的另外一部分可以被裸露在輻射本體10外，所以可以使得天線結構1的輻射能量較容易發射出去。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，故凡運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

M‧‧‧天線模組

1‧‧‧天線結構

10‧‧‧輻射本體

11‧‧‧導電線圈

2‧‧‧電子結構

20‧‧‧電路基板

200‧‧‧導電接點

21‧‧‧電子元件

Claims (10)

1. 一種天線模組，其包括：一天線結構，所述天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈；以及一電子結構，所述電子結構包括一設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接於所述導電線圈的電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件；其中，所述導電線圈的其中一部分內埋在所述輻射本體內，且所述導電線圈的另外一部分裸露在所述輻射本體外。
2. 如請求項1所述的天線模組，其中，所述天線結構與所述電子元件分別設置在所述電路基板的兩相反側端上；其中，所述電路基板具有一與所述輻射本體連接的表面，所述表面完全被所述輻射本體所覆蓋，其中，所述輻射本體包括一基底輻射層、一設置在所述基底輻射層上的第一輻射層、一設置在所述第一輻射層上的第二輻射層、一設置在所述第二輻射層上的第三輻射層以及一設置在所述第三輻射層上的頂端輻射層，且所述輻射本體由導磁材料或者介電材料所製成，其中，所述基底輻射層具有一基底導磁率，所述第一輻射層具有一第一導磁率，所述第二輻射層具有一第二導磁率，所述第三輻射層具有一第三導磁率，所述頂端輻射層具有一頂端導磁率，且所述第一導磁率、所述第二導磁率以及所述第三導磁率三者都大於所述基底導磁率以及所述頂端導磁率。
3. 如請求項2所述的天線模組，其中，所述導電線圈包括多個連接於所述第一輻射層與所述第二輻射層之間的第一導電層、多個連接於所述第二輻射層與所述第三輻射層之間的第二導電層、多個連接於所述第二輻射層的一第一側端的第一導電連接層、多個連接於所述第二輻射層的一第二側端的第二導電連接 層、至少一連接於所述第三輻射層的一第一側端的第三導電連接層、至少一連接於所述第三輻射層的一第二側端的第四導電連接層、至少一設置在所述第三輻射層上且電性連接於至少一所述第三導電連接層的第一導電延伸層、至少一設置在所述第三輻射層上且電性連接於至少一所述第四導電連接層的第二導電延伸層、至少一電性連接於至少一所述第一導電延伸層的第五導電連接層、至少一電性連接於至少一所述第二導電延伸層的第六導電連接層、至少一電性連接於至少一所述第五導電連接層且從所述頂端輻射層部分裸露而出的第一引出電極以及至少一電性連接於至少一所述第六導電連接層且從所述頂端輻射層部分裸露而出的第二引出電極，其中，每一個所述第一導電連接層電性連接於相對應的所述第一導電層與相對應的所述第二導電層之間，每一個所述第二導電連接層電性連接於相對應的所述第一導電層與相對應的所述第二導電層之間，至少一第三導電連接層電性連接於相對應的所述第一導電連接層與至少一所述第一導電延伸層之間，至少一第四導電連接層電性連接於相對應的所述第二導電連接層與至少一所述第二導電延伸層之間，且所述電路基板電性連接於至少一第一引出電極以及至少一第二引出電極。
4. 如請求項3所述的天線模組，其中，每一個所述第一導電層具有一第一左側表面，每一個所述第二導電層具有一第二左側表面，每一個所述第一導電連接層具有一第一連接表面，至少一所述第三導電連接層具有一第三連接表面，至少一所述第一導電延伸層具有一第一延伸表面，且所述第一左側表面、所述第一連接表面、所述第二左側表面、所述第三連接表面以及所述第一延伸表面彼此切齊，其中，每一個所述第一導電層具有一與所述第一左側表面相反設置的第一右側表面，每一個所述第二導電層具有一與所述第二左側表面相反設置的第二右側表 面，每一個所述第二導電連接層具有一第二連接表面，至少一所述第四導電連接層具有一第四連接表面，至少一所述第二導電延伸層具有一第二延伸表面，且所述第一右側表面、所述第二連接表面、所述第二右側表面、所述第四連接表面以及所述第二延伸表面彼此切齊，其中，至少一所述第一引出電極具有一第一電極表面，至少一第二引出電極具有一第二電極表面，且所述第一電極表面、所述第二電極表面以及所述頂端輻射層的上表面彼此切齊。
5. 一種天線模組的製作方法，其包括：製作出一天線結構，所述天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈；製作出一電子結構，所述電子結構包括一電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件；以及將所述電子結構放置在所述天線結構的頂端上，其中，所述電路基板設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接於所述導電線圈；其中，所述導電線圈的其中一部分內埋在所述輻射本體內，且所述導電線圈的另外一部分裸露在所述輻射本體外。
6. 如請求項5所述的天線模組的製作方法，其中，所述天線結構與所述電子元件分別設置在所述電路基板的兩相反側端上；其中，所述電路基板具有一與所述輻射本體連接的表面，所述表面完全被所述輻射本體所覆蓋，其中，所述天線模組的電感值能通過所述輻射本體的導磁率以及所述導電線圈的圈數進行調整，且所述天線模組的阻值能通過所述導電線圈的線寬進行調整。
7. 一種可攜式電子裝置，其內部安裝有一天線模組，其特徵在於，所述天線模組包括： 一天線結構，所述天線結構包括一輻射本體以及一導電線圈；以及一電子結構，所述電子結構包括一設置在所述輻射本體的頂端上且電性連接於所述導電線圈的電路基板以及一設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的電子元件；其中，所述導電線圈的其中一部分內埋在所述輻射本體內，且所述導電線圈的另外一部分裸露在所述輻射本體外。
8. 如請求項7所述的可攜式電子裝置，其中，所述天線結構與所述電子元件分別設置在所述電路基板的兩相反側端上；其中，所述電路基板具有一與所述輻射本體連接的表面，所述表面完全被所述輻射本體所覆蓋，其中，所述輻射本體包括一基底輻射層、一設置在所述基底輻射層上的第一輻射層、一設置在所述第一輻射層上的第二輻射層、一設置在所述第二輻射層上的第三輻射層以及一設置在所述第三輻射層上的頂端輻射層，且所述輻射本體由導磁材料或者介電材料所製成，其中，所述基底輻射層具有一基底導磁率，所述第一輻射層具有一第一導磁率，所述第二輻射層具有一第二導磁率，所述第三輻射層具有一第三導磁率，所述頂端輻射層具有一頂端導磁率，且所述第一導磁率、所述第二導磁率以及所述第三導磁率三者都大於所述基底導磁率以及所述頂端導磁率。
9. 如請求項8所述的可攜式電子裝置，其中，所述導電線圈包括多個連接於所述第一輻射層與所述第二輻射層之間的第一導電層、多個連接於所述第二輻射層與所述第三輻射層之間的第二導電層、多個連接於所述第二輻射層的一第一側端的第一導電連接層、多個連接於所述第二輻射層的一第二側端的第二導電連接層、至少一連接於所述第三輻射層的一第一側端的第三導電連接層、至少一連接於所述第三輻射層的一第二側端的第四導電連接層、至少一設置在所述第三輻射層上且電性連接於 至少一所述第三導電連接層的第一導電延伸層、至少一設置在所述第三輻射層上且電性連接於至少一所述第四導電連接層的第二導電延伸層、至少一電性連接於至少一所述第一導電延伸層的第五導電連接層、至少一電性連接於至少一所述第二導電延伸層的第六導電連接層、至少一電性連接於至少一所述第五導電連接層且從所述頂端輻射層部分裸露而出的第一引出電極以及至少一電性連接於至少一所述第六導電連接層且從所述頂端輻射層部分裸露而出的第二引出電極，其中，每一個所述第一導電連接層電性連接於相對應的所述第一導電層與相對應的所述第二導電層之間，每一個所述第二導電連接層電性連接於相對應的所述第一導電層與相對應的所述第二導電層之間，至少一第三導電連接層電性連接於相對應的所述第一導電連接層與至少一所述第一導電延伸層之間，至少一第四導電連接層電性連接於相對應的所述第二導電連接層與至少一所述第二導電延伸層之間，且所述電路基板電性連接於至少一第一引出電極以及至少一第二引出電極。
10. 如請求項9所述的可攜式電子裝置，其中，每一個所述第一導電層具有一第一左側表面，每一個所述第二導電層具有一第二左側表面，每一個所述第一導電連接層具有一第一連接表面，至少一所述第三導電連接層具有一第三連接表面，至少一所述第一導電延伸層具有一第一延伸表面，且所述第一左側表面、所述第一連接表面、所述第二左側表面、所述第三連接表面以及所述第一延伸表面彼此切齊，其中，每一個所述第一導電層具有一與所述第一左側表面相反設置的第一右側表面，每一個所述第二導電層具有一與所述第二左側表面相反設置的第二右側表面，每一個所述第二導電連接層具有一第二連接表面，至少一所述第四導電連接層具有一第四連接表面，至少一所述第二導電延伸層具有一第二延伸表面，且所述第一右側表面、 所述第二連接表面、所述第二右側表面、所述第四連接表面以及所述第二延伸表面彼此切齊，其中，至少一所述第一引出電極具有一第一電極表面，至少一第二引出電極具有一第二電極表面，且所述第一電極表面、所述第二電極表面以及所述頂端輻射層的上表面彼此切齊。

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